JPS61129568A - るつぼ空焼き装置 - Google Patents
るつぼ空焼き装置Info
- Publication number
- JPS61129568A JPS61129568A JP59252595A JP25259584A JPS61129568A JP S61129568 A JPS61129568 A JP S61129568A JP 59252595 A JP59252595 A JP 59252595A JP 25259584 A JP25259584 A JP 25259584A JP S61129568 A JPS61129568 A JP S61129568A
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- JP
- Japan
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- crucible
- heating tube
- crucibles
- holding part
- oxygen
- Prior art date
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L13/00—Cleaning or rinsing apparatus
- B01L13/02—Cleaning or rinsing apparatus for receptacle or instruments
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01L—CHEMICAL OR PHYSICAL LABORATORY APPARATUS FOR GENERAL USE
- B01L3/00—Containers or dishes for laboratory use, e.g. laboratory glassware; Droppers
- B01L3/04—Crucibles
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- Health & Medical Sciences (AREA)
- Clinical Laboratory Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Investigating Or Analyzing Non-Biological Materials By The Use Of Chemical Means (AREA)
- Investigating And Analyzing Materials By Characteristic Methods (AREA)
- Devices For Use In Laboratory Experiments (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、金属又は非金属試料中に含まれる元素分析装
置等に使用されるるつぼを空焼きする装置に関する。
置等に使用されるるつぼを空焼きする装置に関する。
（従来の技＠）
例えば、試料中に含まれるＣ９Ｓ等の元素分析は、セラ
ミック製のるつぼ内に試料を入れ、高周波炉又は電気抵
抗炉内において酸素を供給しながら前記試料を燃焼させ
、酸化によって生ずるＣＯ。
ミック製のるつぼ内に試料を入れ、高周波炉又は電気抵
抗炉内において酸素を供給しながら前記試料を燃焼させ
、酸化によって生ずるＣＯ。
ＣＯ２、８０２等の気体を赤外線ガス分析計によって検
出し、その濃度からＣ１Ｓの含有量を測定している。
出し、その濃度からＣ１Ｓの含有量を測定している。
この場合、分析結果に誤差を生じさせないためには、試
料容器であるるつぼは可及的に清浄（有機物等の不純物
を含んでいたり、ダスト等に汚染されてないこと）であ
ることが要求される。
料容器であるるつぼは可及的に清浄（有機物等の不純物
を含んでいたり、ダスト等に汚染されてないこと）であ
ることが要求される。
従来、上記分析に供されるるつぼはマツフル炉において
一度に数十個加熱（約１０００°Ｃ１約３０分間）され
空焼きされた後、デシケータ内に移し書えて冷却し保管
されていた。しかしながら、上述の従来技術においては
マツフル炉からデシケータヘ移し替える際や、デシケー
タの開閉時に空焼き処理済のるつぼが有機物やダスト及
び大気中のＣＯｚ等により汚染されるおそれがあり、ま
た、マツフル炉等の開閉操作等に手間がかかり、高度の
熟練度が必要であった。
一度に数十個加熱（約１０００°Ｃ１約３０分間）され
空焼きされた後、デシケータ内に移し書えて冷却し保管
されていた。しかしながら、上述の従来技術においては
マツフル炉からデシケータヘ移し替える際や、デシケー
タの開閉時に空焼き処理済のるつぼが有機物やダスト及
び大気中のＣＯｚ等により汚染されるおそれがあり、ま
た、マツフル炉等の開閉操作等に手間がかかり、高度の
熟練度が必要であった。
（発明が解決しようとする問題点）
本発明は、上述の事柄に留意してなされたもので、その
目的とするところは、高度の熟練度がなくても分析に供
しうる空焼きしたるつぼを得ることができ、空焼き処理
後のるつぼを汚染させることなく保管し、必要に応じて
取り出すことができるようにしたるつぼ空焼き装置を提
供することにある。
目的とするところは、高度の熟練度がなくても分析に供
しうる空焼きしたるつぼを得ることができ、空焼き処理
後のるつぼを汚染させることなく保管し、必要に応じて
取り出すことができるようにしたるつぼ空焼き装置を提
供することにある。
（問題点を解決するための手段）
上述の目的を達成するため、本発明に係るるつぼ空焼き
装置は、るつぼを加熱し空焼きする加熱管と、該加熱管
の入口側に着脱自在に設けられ、るつぼを前記加熱管内
に送り出するつぼ送出装置と、該るつぼ送出装置の所定
位置にるつぼを供給すべく前記るつぼ送出装置に着脱自
在に設けられるるつぼカセットと、前記加熱管の出口側
に設けられ、空焼き処理後のるつぼを保持するるつぼ保
持部とから成り、更に、前記るつぼ保持部に空焼き処理
後のるつぼの有無を検出するるつぼ検出装置と、前記加
熱管内への酸素及び前記るつぼ保持部内のパージ用酸素
の導入口と、るつぼ取出口とを形成すると共に、前記る
つぼ検出装置の検出信号に基づいて前記るつぼ送出装置
を制御するようにしたことを特徴としている。
装置は、るつぼを加熱し空焼きする加熱管と、該加熱管
の入口側に着脱自在に設けられ、るつぼを前記加熱管内
に送り出するつぼ送出装置と、該るつぼ送出装置の所定
位置にるつぼを供給すべく前記るつぼ送出装置に着脱自
在に設けられるるつぼカセットと、前記加熱管の出口側
に設けられ、空焼き処理後のるつぼを保持するるつぼ保
持部とから成り、更に、前記るつぼ保持部に空焼き処理
後のるつぼの有無を検出するるつぼ検出装置と、前記加
熱管内への酸素及び前記るつぼ保持部内のパージ用酸素
の導入口と、るつぼ取出口とを形成すると共に、前記る
つぼ検出装置の検出信号に基づいて前記るつぼ送出装置
を制御するようにしたことを特徴としている。
このように構成したことにより、空焼き工程と保管との
間において、空焼き処理後のるつぼが外気等に直接ふれ
ることがなく、しかもるつぼ保持部においては酸素のパ
ージを受けながら保管されるので、該るつぼが汚染され
ることがなくなる。
間において、空焼き処理後のるつぼが外気等に直接ふれ
ることがなく、しかもるつぼ保持部においては酸素のパ
ージを受けながら保管されるので、該るつぼが汚染され
ることがなくなる。
（実施例）
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて説明する。
第１図（４）、（Ｂ）は本発明に係るるつぼ空焼き装置
の概要を示し、第１図（Ａ、ｌは平面図、第１図ＣＢ）
は正面図であり、第２図は前記装置の要部縦断面図、第
３図は第２図の部分拡大図である。
の概要を示し、第１図（Ａ、ｌは平面図、第１図ＣＢ）
は正面図であり、第２図は前記装置の要部縦断面図、第
３図は第２図の部分拡大図である。
１は空焼き炉で、その内部には略水平に加熱管“ ２が
設けられている。前記加熱管２は後述するるつぼ送出装
置６によって送り出されるセラミック製のるつぼ（外径
２５Ｍ、長さ２５１Ｎ） Ｃを加熱し、空焼きするもの
で、内径が前記るつぼＣの外径よりやや大きく設定され
た磁器製のパイプ（ｔｌ：約６００１１１）より成る。
設けられている。前記加熱管２は後述するるつぼ送出装
置６によって送り出されるセラミック製のるつぼ（外径
２５Ｍ、長さ２５１Ｎ） Ｃを加熱し、空焼きするもの
で、内径が前記るつぼＣの外径よりやや大きく設定され
た磁器製のパイプ（ｔｌ：約６００１１１）より成る。
そして、この加熱管２の略中央部にはニクロム線等のヒ
ータＨを設けた加熱エリア３が形成されている。この加
熱エリア３の長さ４は約３００ ｆｉで、約１０００°
Ｃになるようにヒータ加熱される。加熱管２全体として
は、内部温度が入口側２ａが低く、加熱エリア３に近ず
くに従って高くなり、出口個々に近ずくに従って低くな
るよう構成されている。４は断熱材で、５はゴム脚であ
る。
ータＨを設けた加熱エリア３が形成されている。この加
熱エリア３の長さ４は約３００ ｆｉで、約１０００°
Ｃになるようにヒータ加熱される。加熱管２全体として
は、内部温度が入口側２ａが低く、加熱エリア３に近ず
くに従って高くなり、出口個々に近ずくに従って低くな
るよう構成されている。４は断熱材で、５はゴム脚であ
る。
６は加熱管２の入口側２＆に着脱自在に設けられるるつ
ぼ送出装置（以下・、送出装置という）で、空焼き炉１
の７ランジ１ａに蝶番７等によって水平方向（第１図法
）における矢印Ｐ、Ｑ方向）に揺動自在に取付けられた
支持台８の平面上に設けられている。前記送出装置６は
プランジャー９とこのプランジャー９を水平方向に駆動
する駆動部１０とから成る送出機構部１１と、るつぼＣ
を所定位置にセットしこれを送出する送出ブロック１２
とから成る。
ぼ送出装置（以下・、送出装置という）で、空焼き炉１
の７ランジ１ａに蝶番７等によって水平方向（第１図法
）における矢印Ｐ、Ｑ方向）に揺動自在に取付けられた
支持台８の平面上に設けられている。前記送出装置６は
プランジャー９とこのプランジャー９を水平方向に駆動
する駆動部１０とから成る送出機構部１１と、るつぼＣ
を所定位置にセットしこれを送出する送出ブロック１２
とから成る。
前記駆動部１０としてはソレノイド方式のほかシリンダ
一方式、モータークランク方式のものを採用することが
できる。９＆はプランジャー９を手動操作するためのハ
ンドルである。
一方式、モータークランク方式のものを採用することが
できる。９＆はプランジャー９を手動操作するためのハ
ンドルである。
前記送出ブロック１２には水平方向に貫通する横孔１２
＆と、この横孔１２＆に略直交する竪穴１２１３とが設
けられている。横孔１２ａの一方の開口には、プランジ
ャー９が挿抜され、他方の開口には加熱管２の入口側が
接続される。
＆と、この横孔１２＆に略直交する竪穴１２１３とが設
けられている。横孔１２ａの一方の開口には、プランジ
ャー９が挿抜され、他方の開口には加熱管２の入口側が
接続される。
１３は前記送出ブロック１２に着脱自在に接続され、内
部に２０〜３０個のるつぼＣを収容しうる空間を有する
外杉が略直方体状を呈するるつぼカセット（以下、カセ
ットという）で、第３図に示すように、一端にはるつぼ
Ｃを保持する当り部としての底蓋１３＆が設けられ、こ
の底蓋１３ａ側の相対向する側壁の一方にはプランジャ
ー挿抜口１３ｂｓ他方にはるつぼ出口１３Ｇがそれぞれ
ぞれ開設されている。
部に２０〜３０個のるつぼＣを収容しうる空間を有する
外杉が略直方体状を呈するるつぼカセット（以下、カセ
ットという）で、第３図に示すように、一端にはるつぼ
Ｃを保持する当り部としての底蓋１３＆が設けられ、こ
の底蓋１３ａ側の相対向する側壁の一方にはプランジャ
ー挿抜口１３ｂｓ他方にはるつぼ出口１３Ｇがそれぞれ
ぞれ開設されている。
前記カセット１３の送出ブロック１２への接続は、該ブ
ロック球の竪穴１２ｂにカセット１３の底蓋側を挿入し
、底蓋１３ａが横孔１２＆の底部に当接するようにノし
１その状態で固定ネジ１４によって固定する。
ロック球の竪穴１２ｂにカセット１３の底蓋側を挿入し
、底蓋１３ａが横孔１２＆の底部に当接するようにノし
１その状態で固定ネジ１４によって固定する。
なお、１５はカセット１３内のるつぼの有無を検知する
るつぼセンサである。
るつぼセンサである。
１６は加熱管２の出口側布に設けられ、空焼き処理後の
るつぼＣ′を保持するるつぼ保持部（以下、保持部とい
う）で、シャッタ付の取出口１７と前記るつぼＣ′の有
無を検知するるつぼ検出装置１８と、酸素の導入口１９
とが設けられている。前記シャッタはロックレバ−１７
ａによって開閉されるように構成されている。前記るつ
ぼ検出装置１８は、例えば保持部１６に空焼き処理後の
るつぼＣ′が２個たまると検出信号を出力するよう構成
されている。前記導入口１９は図外の酸素ガス源に接続
され、この導入口１９から保持部１６内に導入された酸
素は前記加熱管２内に案内され、るつぼＣの空焼きに供
されて空焼き効果を高めるとともに、保持部１６内をパ
ージして空焼き処理後のるつぼＣ′が外気等によって汚
染されるのを防止する。
るつぼＣ′を保持するるつぼ保持部（以下、保持部とい
う）で、シャッタ付の取出口１７と前記るつぼＣ′の有
無を検知するるつぼ検出装置１８と、酸素の導入口１９
とが設けられている。前記シャッタはロックレバ−１７
ａによって開閉されるように構成されている。前記るつ
ぼ検出装置１８は、例えば保持部１６に空焼き処理後の
るつぼＣ′が２個たまると検出信号を出力するよう構成
されている。前記導入口１９は図外の酸素ガス源に接続
され、この導入口１９から保持部１６内に導入された酸
素は前記加熱管２内に案内され、るつぼＣの空焼きに供
されて空焼き効果を高めるとともに、保持部１６内をパ
ージして空焼き処理後のるつぼＣ′が外気等によって汚
染されるのを防止する。
次に上述のように構成したるつぼ空焼き装置の作動につ
いて説明する。支持台８を第１図囚の実線位置に固定し
、送出装置６を加熱管２の人ロ側ニ接続し ヒータＨに
通電を行なう。次いで、る゛つぼＣを２０〜３０個収容
したカセット１３を送出装置６の送出ブロック１２に接
続し、固定ネジ１４で固定する。この状態にあるとき、
カセット１３内の［位のるつぼＣ１は、第３図に示すよ
うに、その中心線ＣＬ１がプランジャー９のセンターＣ
Ｌｘと一致する状態で待機する。ここで、駆動部１ｏと
してのソレノイドが励磁されると、プランジャー９が右
方へ所定ストローク（るつぼＣの全長）移動し、これに
よって前記るつぼＣ】は１ストロ一ク分だけ右方へ移動
する。前記プランジャー９は直ちに左方に復帰し、次の
るっぽＣ２が自重により落下して、上述と同様に待機状
態となる。
いて説明する。支持台８を第１図囚の実線位置に固定し
、送出装置６を加熱管２の人ロ側ニ接続し ヒータＨに
通電を行なう。次いで、る゛つぼＣを２０〜３０個収容
したカセット１３を送出装置６の送出ブロック１２に接
続し、固定ネジ１４で固定する。この状態にあるとき、
カセット１３内の［位のるつぼＣ１は、第３図に示すよ
うに、その中心線ＣＬ１がプランジャー９のセンターＣ
Ｌｘと一致する状態で待機する。ここで、駆動部１ｏと
してのソレノイドが励磁されると、プランジャー９が右
方へ所定ストローク（るつぼＣの全長）移動し、これに
よって前記るつぼＣ】は１ストロ一ク分だけ右方へ移動
する。前記プランジャー９は直ちに左方に復帰し、次の
るっぽＣ２が自重により落下して、上述と同様に待機状
態となる。
上記プランジャー９によるるっぽ送出は間欠的に行なわ
れ、その送出インターバルはヒータＨの加熱特性等によ
って定められるが大体１〜３分に設定される。かくして
、るつぼＣは１つずつ一定時間をもって間欠的に加熱管
２内に送出され、各るつぼＣは所謂トコロテン方式によ
り右方へ移動しつつ加熱されることとなり、送出インタ
ーバルを３分に設定したとき、最初に送出されたるつぼ
Ｃｚは約７０分で加熱管２の出口端に到達する。
れ、その送出インターバルはヒータＨの加熱特性等によ
って定められるが大体１〜３分に設定される。かくして
、るつぼＣは１つずつ一定時間をもって間欠的に加熱管
２内に送出され、各るつぼＣは所謂トコロテン方式によ
り右方へ移動しつつ加熱されることとなり、送出インタ
ーバルを３分に設定したとき、最初に送出されたるつぼ
Ｃｚは約７０分で加熱管２の出口端に到達する。
各るつぼＣは、加熱管２内を移動しながら加熱されるこ
とにより空焼きされる。この場合、加熱管２内には導入
口１９から導入される酸素が供給されているので、るつ
ぼＣに付着したり含有される有機物等は完全に燃焼する
。加熱エリア３を過ぎたるつぼＣは、出口側加に向かう
が、徐々に冷却され、保持部１６に到達したときは約１
００°Ｃとなっている。
とにより空焼きされる。この場合、加熱管２内には導入
口１９から導入される酸素が供給されているので、るつ
ぼＣに付着したり含有される有機物等は完全に燃焼する
。加熱エリア３を過ぎたるつぼＣは、出口側加に向かう
が、徐々に冷却され、保持部１６に到達したときは約１
００°Ｃとなっている。
前記空焼き処理芳のるつぼＣ′は保持部１６において導
入口１９から導入される酸素のパージを受け、これによ
って外気等による汚染から保護される。
入口１９から導入される酸素のパージを受け、これによ
って外気等による汚染から保護される。
そして、保持部１６に２個のるつぼＣ′がたまると、る
つぼ検出装置１８から出力信号が制御部（図示しない）
に送られる。これにより制御部からは送出装置６に対し
て新たなるつぼＣの送出を停止する停止信号を送出する
。
つぼ検出装置１８から出力信号が制御部（図示しない）
に送られる。これにより制御部からは送出装置６に対し
て新たなるつぼＣの送出を停止する停止信号を送出する
。
ロックレバ−１７ａを操作してシャッタを開き、取出口
１７から空焼き処理後のるつぼＣ′を取り出し、保持部
１６にスペースが生ずると、前記停止信号は解除され、
送出装置６は再び送出可能状態となる。
１７から空焼き処理後のるつぼＣ′を取り出し、保持部
１６にスペースが生ずると、前記停止信号は解除され、
送出装置６は再び送出可能状態となる。
なお、カセット１３内のるつぼＣの残量が設定値以下に
なると、るつぼセンサ１５から出力信号がガ御部に送ら
れ、補給アラームを出力するようにしてもよい。
なると、るつぼセンサ１５から出力信号がガ御部に送ら
れ、補給アラームを出力するようにしてもよい。
又、加熱管２内に収容されている加熱途中のるつぼＣを
回収するには、ヒータＨ１駆動部ｌＯへの通電を停止し
、空焼き炉１の温度が十分１かった状態で支持台８のロ
ックを解除して、これを第１図（４）におけるＱ方向に
回転し、空焼き炉１の加熱管２の入口側２ａを露出させ
、該入口側から取出棒を加熱管２内に挿入して、該管２
内のるつぼＣを回収する。
回収するには、ヒータＨ１駆動部ｌＯへの通電を停止し
、空焼き炉１の温度が十分１かった状態で支持台８のロ
ックを解除して、これを第１図（４）におけるＱ方向に
回転し、空焼き炉１の加熱管２の入口側２ａを露出させ
、該入口側から取出棒を加熱管２内に挿入して、該管２
内のるつぼＣを回収する。
（発明の効果）
以上詳述したように、本発明においては、るつぼを加熱
し空焼き夾する加熱管と、該加熱管の入口側に着脱自在
に設けられ、るつぼを前記加熱管内に送り出するつぼ送
出装置と、該るつぼ送出装置の所定位置にるつぼを供給
すべく前記るつぼ送出装置に着脱自在に設けられるるつ
ぼカセットと、前記加熱管の出口側に設けられ、空焼き
処理後のるつぼを保持するるつぼ保持部とから成り、更
に、前記るつぼ保持部に空焼き処理後のるつぼの有無を
検出するるつぼ検出装置と、前記加熱管内への酸素及び
前記るつぼ保持部内のパージ用酸素の導入口と、るつぼ
取出口とを形成すると共に、前記るつぼ検出装置の出力
信号に基づいて前記るつぼ送出装置を制御するように構
成しているから、高度の熟練度がなくても、るつぼを容
易に加熱し空焼きすることができ、分析に供しうる空焼
き処理した清浄なるつぼを得ることができる。また、空
焼き処理後のるつぼは保持部において酸素によるパージ
が施されながら保管されるため、再汚染されるおそれを
なくすることができる。その結果、るつぼに起因する分
析誤差を大幅に低減させることができる。
し空焼き夾する加熱管と、該加熱管の入口側に着脱自在
に設けられ、るつぼを前記加熱管内に送り出するつぼ送
出装置と、該るつぼ送出装置の所定位置にるつぼを供給
すべく前記るつぼ送出装置に着脱自在に設けられるるつ
ぼカセットと、前記加熱管の出口側に設けられ、空焼き
処理後のるつぼを保持するるつぼ保持部とから成り、更
に、前記るつぼ保持部に空焼き処理後のるつぼの有無を
検出するるつぼ検出装置と、前記加熱管内への酸素及び
前記るつぼ保持部内のパージ用酸素の導入口と、るつぼ
取出口とを形成すると共に、前記るつぼ検出装置の出力
信号に基づいて前記るつぼ送出装置を制御するように構
成しているから、高度の熟練度がなくても、るつぼを容
易に加熱し空焼きすることができ、分析に供しうる空焼
き処理した清浄なるつぼを得ることができる。また、空
焼き処理後のるつぼは保持部において酸素によるパージ
が施されながら保管されるため、再汚染されるおそれを
なくすることができる。その結果、るつぼに起因する分
析誤差を大幅に低減させることができる。
図面は、本発明の一実施例を示すもので、第１図（４）
、（Ｂ２はるつぼ空焼き装置の概要を示し、第１図四は
平面図、第１図ＣＢ）は正面囚であり、第２図は前記空
焼き装置の要部縦断面図、第３図はるつぼカセット下部
の拡大図である。 ２・・・加熱管、６・・・るつぼ送出装置、１３・・・
るつぼカセット、１６・・・るつぼ保持部、１７・・・
るつぼ取出口、１８・・・るつぼ検出装置、Ｗ・・・導
入口、Ｃ，Ｃ１，Ｃｚ。 Ｃ′・・・るつぼ。
、（Ｂ２はるつぼ空焼き装置の概要を示し、第１図四は
平面図、第１図ＣＢ）は正面囚であり、第２図は前記空
焼き装置の要部縦断面図、第３図はるつぼカセット下部
の拡大図である。 ２・・・加熱管、６・・・るつぼ送出装置、１３・・・
るつぼカセット、１６・・・るつぼ保持部、１７・・・
るつぼ取出口、１８・・・るつぼ検出装置、Ｗ・・・導
入口、Ｃ，Ｃ１，Ｃｚ。 Ｃ′・・・るつぼ。
Claims (1)
- るつぼを加熱し空焼きする加熱管と、該加熱管の入口側
に着脱自在に設けられ、るつぼを前記加熱管内に送り出
するつぼ送出装置と、該るつぼ送出装置の所定位置にる
つぼを供給すべく前記るつぼ送出装置に着脱自在に設け
られるるつぼカセットと、前記加熱管の出口側に設けら
れ、空焼き処理後のるつぼを保持するるつぼ保持部とか
ら成り、更に、前記るつぼ保持部に空焼き処理後のるつ
ぼの有無を検出するるつぼ検出装置と、前記加熱管内へ
の酸素及び前記るつぼ保持部内のパージ用酸素の導入口
と、るつぼ取出口とを形成すると共に、前記るつぼ検出
装置の出力信号に基づいて前記るつぼ送出装置を制御す
るようにしたことを特徴とするるつぼ空焼き装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59252595A JPS61129568A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | るつぼ空焼き装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59252595A JPS61129568A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | るつぼ空焼き装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61129568A true JPS61129568A (ja) | 1986-06-17 |
| JPH0130108B2 JPH0130108B2 (ja) | 1989-06-16 |
Family
ID=17239552
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59252595A Granted JPS61129568A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | るつぼ空焼き装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61129568A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011099708A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Horiba Ltd | るつぼ空焼き装置 |
| WO2014018330A1 (en) * | 2012-07-27 | 2014-01-30 | General Electric Company | Crucible and facecoat compositions and methods for melting titanium and titanium aluminide alloys |
| JP2015137906A (ja) * | 2014-01-22 | 2015-07-30 | 株式会社島津製作所 | 炭素測定装置 |
| US9192983B2 (en) | 2013-11-26 | 2015-11-24 | General Electric Company | Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys |
| US9511417B2 (en) | 2013-11-26 | 2016-12-06 | General Electric Company | Silicon carbide-containing mold and facecoat compositions and methods for casting titanium and titanium aluminide alloys |
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|---|---|
| JPH0130108B2 (ja) | 1989-06-16 |
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