JPS61128564A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS61128564A JPS61128564A JP59250758A JP25075884A JPS61128564A JP S61128564 A JPS61128564 A JP S61128564A JP 59250758 A JP59250758 A JP 59250758A JP 25075884 A JP25075884 A JP 25075884A JP S61128564 A JPS61128564 A JP S61128564A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- section
- growth layer
- wiring
- semiconductor device
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one element covered by group H10F30/00, e.g. radiation detectors comprising photodiode arrays
- H10F39/10—Integrated devices
- H10F39/12—Image sensors
- H10F39/15—Charge-coupled device [CCD] image sensors
- H10F39/157—CCD or CID infrared image sensors
- H10F39/1575—CCD or CID infrared image sensors of the hybrid type
Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明＆よ、光の検知装置？＝係り、特にチン１イア基
板の片面（二ＨｇＣｔｔＴｇの光起電力（ｐｖ）型検知
素子を作製し、サファイア基板の池の片面に、ＳＬ等池
の半導体を用いた駆動回路を形成した半導体装置に関す
る。
板の片面（二ＨｇＣｔｔＴｇの光起電力（ｐｖ）型検知
素子を作製し、サファイア基板の池の片面に、ＳＬ等池
の半導体を用いた駆動回路を形成した半導体装置に関す
る。
ｒ ２台 ｓｋＬ 小 上左ａン ）
従来、光検知部と駆動部とに別々の基板上に作られ、そ
れらを第４図に示すようにワイヤ５ｔ−用いて接続する
ことがなされている。１が光検知部、２が駆動部である
。あるいは第５図に示すようにバンプ４によって光検知
部１と駆動部２とを結合している。
れらを第４図に示すようにワイヤ５ｔ−用いて接続する
ことがなされている。１が光検知部、２が駆動部である
。あるいは第５図に示すようにバンプ４によって光検知
部１と駆動部２とを結合している。
しかし、従来の装置においては、ワイヤボンディングで
は線の数が多くなるといり欠点が１Ｌまたバンブでは、
バンプ形成、および貼９合せが難しいという欠点がらり
九。いずれにせよ、従来の装置において拡充検知部と駆
動部との結合のための工程が必要でめり九。本発明は、
光検知部と駆動部とを従来のよりに別々の基板に作製せ
ずに。
は線の数が多くなるといり欠点が１Ｌまたバンブでは、
バンプ形成、および貼９合せが難しいという欠点がらり
九。いずれにせよ、従来の装置において拡充検知部と駆
動部との結合のための工程が必要でめり九。本発明は、
光検知部と駆動部とを従来のよりに別々の基板に作製せ
ずに。
１枚の基板に作成でき、かつ両者の結合工程を省略でき
るような半導体装置の構造を提供しＪうとするものでお
る。
るような半導体装置の構造を提供しＪうとするものでお
る。
本発明においては、貫通孔を有するサファイアが備えら
れ、該サファイア基板の反対の面に前記光検知素子の駆
動回路が備えられ、該光検知素子と駆動回路との結合が
前記貫通孔？介した配線（二よりなされていることを特
徴とする半導体装置に提供する。
れ、該サファイア基板の反対の面に前記光検知素子の駆
動回路が備えられ、該光検知素子と駆動回路との結合が
前記貫通孔？介した配線（二よりなされていることを特
徴とする半導体装置に提供する。
例えをホ、化合物半導体としてＨｙＣｔｔＴｇｙ用い、
駆動回路はＳｉを用いて形晟するものである。
駆動回路はＳｉを用いて形晟するものである。
本発明Ｃ；おいては、５μｍまでの光音透過させるサフ
ァイア基板の片面：：光検知素子を、他の面Ｃ二駆動回
路’ｋｔ’Ｉｌ″製しており、貫通孔を介した両者の結
合な配線のＡＩ等の蒸着（二より行うことができ。
ァイア基板の片面：：光検知素子を、他の面Ｃ二駆動回
路’ｋｔ’Ｉｌ″製しており、貫通孔を介した両者の結
合な配線のＡＩ等の蒸着（二より行うことができ。
ワイヤボンディングやバンプ（二よる結合工程が省略で
きる。
きる。
また、本発明Ｃ：おいては、サファイア基板は５μｍま
での光を透過させるので、長波長光の背面入射を可能と
する。さらＣ二、前面入射と背面入射を組合せることＣ
二よって、背景信号の除去（雑首の除去）を可能とする
。
での光を透過させるので、長波長光の背面入射を可能と
する。さらＣ二、前面入射と背面入射を組合せることＣ
二よって、背景信号の除去（雑首の除去）を可能とする
。
また、本発明Ｃ二おいて、サファイア基板ζ；直接Ｈｇ
ＣｄＴａがエピタキシャル成長されることも特長的であ
る。
ＣｄＴａがエピタキシャル成長されることも特長的であ
る。
第１図Ａ−Ｄに本発明の実施例の半導体装置の作製プロ
セスを示す。
セスを示す。
■ 図Ａにおいて、まずサファイア基板１１に光検知部
に合わせて貫通孔１２′ｔ−４ける。これは濃硫酸、濃
リン酸を用いた工、チングによシ行う。
に合わせて貫通孔１２′ｔ−４ける。これは濃硫酸、濃
リン酸を用いた工、チングによシ行う。
■ 図Ｂにおいて、サファイア基板１１上にＳｔ ＋成
長させ、Ｓｔ成長層１５に拡散等の処理を行なりで、駆
動回路を作製する。これらは、通常のＳＯＳ （シリコ
ン・オン・サフアイヤ）技術上用いて行なわれる。
長させ、Ｓｔ成長層１５に拡散等の処理を行なりで、駆
動回路を作製する。これらは、通常のＳＯＳ （シリコ
ン・オン・サフアイヤ）技術上用いて行なわれる。
■ 図Ｃにおいて、サファイア基板１１の裏面に二
ＨｇＣｄＴａｆ成長させ、光検知素子全作製する。
Ｈ（ＩＣｄＴ−の成長はＭＯＣＶＤ （有機金属を原料
とする成長法）により行うものであシ、例えば、ジ・エ
チル・テルル（ＤＥＴｇ ） 、ジ・メチル・カドミ（
ＤＭＣｄ ） 、ジ・メチル・水銀（ＤＭＨｇ）を原料
とし、４００〜ｓｏａ ｃ′ｃ程度に高周波加熱したす
七ブタ上の基板に成長せしめる。その際、反応槽は数十
ｔｏデデに減圧し、成長層のＨｌ Ｃｄ Ｔａのｈ蒸気
圧が雰囲気のＨ（１蒸気圧とバランスするような条件で
行う。このためｓ Ｈｇ（単体）溜を成長装置内に設け
、該Ｈｇ溜の温度を２００〜３００９Ｃ程度に加熱する
ことによりｓｉｘσの反応槽内蒸気圧を制御する。該Ｈ
ｇＣｄＴ−の成長層はＰ形が得られるから、これにイオ
ン注入でＥｆ注入してＰ−ｓ接合を形成することによシ
光検知素子を形成する。
とする成長法）により行うものであシ、例えば、ジ・エ
チル・テルル（ＤＥＴｇ ） 、ジ・メチル・カドミ（
ＤＭＣｄ ） 、ジ・メチル・水銀（ＤＭＨｇ）を原料
とし、４００〜ｓｏａ ｃ′ｃ程度に高周波加熱したす
七ブタ上の基板に成長せしめる。その際、反応槽は数十
ｔｏデデに減圧し、成長層のＨｌ Ｃｄ Ｔａのｈ蒸気
圧が雰囲気のＨ（１蒸気圧とバランスするような条件で
行う。このためｓ Ｈｇ（単体）溜を成長装置内に設け
、該Ｈｇ溜の温度を２００〜３００９Ｃ程度に加熱する
ことによりｓｉｘσの反応槽内蒸気圧を制御する。該Ｈ
ｇＣｄＴ−の成長層はＰ形が得られるから、これにイオ
ン注入でＥｆ注入してＰ−ｓ接合を形成することによシ
光検知素子を形成する。
■ 図りにおいて、サファイア基板１１０貫通孔１２に
Ａｎ配線層１５を設け、光検知部と駆動回路を結合する
配線とする。この８配線層１５の形成は数μ惰又はこれ
以下の膜厚で良く、貫通孔１２及び光検知部と駆動回路
の接続すべき箇所以外をマスクし、斜め蒸着法によって
、上・下周面から、ｔｇｌｆｒ、蒸着した後、メッキで
つなぐ。
Ａｎ配線層１５を設け、光検知部と駆動回路を結合する
配線とする。この８配線層１５の形成は数μ惰又はこれ
以下の膜厚で良く、貫通孔１２及び光検知部と駆動回路
の接続すべき箇所以外をマスクし、斜め蒸着法によって
、上・下周面から、ｔｇｌｆｒ、蒸着した後、メッキで
つなぐ。
以下、よシ具体例を示すと、サファイア基板１１は厚さ
２００〜５００．ｌＩｍ＋貫通孔１２の幅？、５０ａｍ
程庇。
２００〜５００．ｌＩｍ＋貫通孔１２の幅？、５０ａｍ
程庇。
貫通孔同志の間隔は１００μｍ程度とする。３４の成長
層１３の厚さは２ｓｓ程度、ＨにＩＣｄＴ−成長層の厚
さは２０μ鴨程度とする。第２図に光検出部と３４ ｆ
用−た駆動回路部を含む貫通孔１２の部分拡大図を示し
ておシ、１５がアンプその他の駆動回路が形成されるＳ
１成長層、１１がデフ１イア基板、１４がＨｇ Ｃｄ
Ｔａ （Ｐ形）成長層、でら９、光検知素子のＰ−ｓ接
合を形成するためにｒのイオン注入によシ外形領域１ｓ
ｔ−形成する。１６はＺｎＳの保護膜。
層１３の厚さは２ｓｓ程度、ＨにＩＣｄＴ−成長層の厚
さは２０μ鴨程度とする。第２図に光検出部と３４ ｆ
用−た駆動回路部を含む貫通孔１２の部分拡大図を示し
ておシ、１５がアンプその他の駆動回路が形成されるＳ
１成長層、１１がデフ１イア基板、１４がＨｇ Ｃｄ
Ｔａ （Ｐ形）成長層、でら９、光検知素子のＰ−ｓ接
合を形成するためにｒのイオン注入によシ外形領域１ｓ
ｔ−形成する。１６はＺｎＳの保護膜。
１７はＳｔ ０２膜である。なお、図において、Ｓ（成
長層に形成される駆動回路は通常のものであるので、特
に示していなｉ０配線の１１１５は外形領域１８の一部
・・と駆動回路が形成されるＳｔ成長層１５側とを結合
するように形成される。例えば、必要部分以外をマスク
してイオンビーム蒸着や電子ビーム蒸着等で形成する。
長層に形成される駆動回路は通常のものであるので、特
に示していなｉ０配線の１１１５は外形領域１８の一部
・・と駆動回路が形成されるＳｔ成長層１５側とを結合
するように形成される。例えば、必要部分以外をマスク
してイオンビーム蒸着や電子ビーム蒸着等で形成する。
この基蒸着は、上・下周面から行なう。さらにメッキで
配置ｔ一つなぐ。−第５図にな、特に背面入射に適する
半導体装置の構造を示しておシ、光検知素子部のＨＱ
Ｃｄ Ｔ−成長層１４とＳ（成長層１３ヲずらしてサフ
ァイア基板１１０両面に形成している。
配置ｔ一つなぐ。−第５図にな、特に背面入射に適する
半導体装置の構造を示しておシ、光検知素子部のＨＱ
Ｃｄ Ｔ−成長層１４とＳ（成長層１３ヲずらしてサフ
ァイア基板１１０両面に形成している。
以上本発明につ埴て実施例金示したが、これらは多くの
変形が可能なことはもちろんであ）、例えば、第１図Ａ
、Ｅの工程を変更し、まずＳＯ８基板を用意し、次に貫
通孔１２をあけるようにすることもできる。
変形が可能なことはもちろんであ）、例えば、第１図Ａ
、Ｅの工程を変更し、まずＳＯ８基板を用意し、次に貫
通孔１２をあけるようにすることもできる。
本発明によれば、以上のよりに、光検知部と駆動回路を
同一基板の表・裏に形成し、貫通孔を介した配線により
接続することにより、従来のように別々の基板を結合す
る工程が不要になる。さらに、本発明の半導体装置によ
れば、両開（光検知素子側）入射と背面（サファイア基
板側より）入射とを組合せることにより、背景信号（雑
音）の除去が可能になるという利点がおる。
同一基板の表・裏に形成し、貫通孔を介した配線により
接続することにより、従来のように別々の基板を結合す
る工程が不要になる。さらに、本発明の半導体装置によ
れば、両開（光検知素子側）入射と背面（サファイア基
板側より）入射とを組合せることにより、背景信号（雑
音）の除去が可能になるという利点がおる。
第１図Ａ−Ｄは、本発明の詳細な説明するための工程図
、 第２図に本発明の実施例の半導体装置の部分拡大断面図
、 第５図は本発明の背面入射に適した実施例の説明図、 第４図及び第５図は従来の半導体装置の説明図。 １１・・・サファイア基板 １２・・・貫通孔 １３・・・Ｊｊ成長層 １４・・・ＨζＣｄ ７’＃成長層 １５・・・Ａｇ（配線ン １６・・・保護膜
、 第２図に本発明の実施例の半導体装置の部分拡大断面図
、 第５図は本発明の背面入射に適した実施例の説明図、 第４図及び第５図は従来の半導体装置の説明図。 １１・・・サファイア基板 １２・・・貫通孔 １３・・・Ｊｊ成長層 １４・・・ＨζＣｄ ７’＃成長層 １５・・・Ａｇ（配線ン １６・・・保護膜
Claims (2)
- （１）貫通孔を有するサフアイア基板の一方の面に化合
物半導体を用いた光検知素子が備えられ、反対側の面に
該光検知素子の駆動回路が備えられ、該光検知素子と駆
動回路との結合が前記貫通孔を介した配線によりなされ
ていることを特徴とする半導体装置。 - （２）前記化合物半導体がＨｇＣｄＴｅであることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250758A JPS61128564A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59250758A JPS61128564A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61128564A true JPS61128564A (ja) | 1986-06-16 |
Family
ID=17212601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59250758A Pending JPS61128564A (ja) | 1984-11-28 | 1984-11-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61128564A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH023292A (ja) * | 1988-06-20 | 1990-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
| EP0343738A3 (en) * | 1988-05-27 | 1990-06-06 | Philips Electronics Uk Limited | Manufacture of electronic devices comprising cadmium mercury telluride with silicon-on-sapphire circuitry |
| JPH0476063U (ja) * | 1990-11-16 | 1992-07-02 | ||
| WO2003083944A1 (en) * | 2002-03-03 | 2003-10-09 | Interon As | Pixel sensor array and method of manufacture thereof |
| US7276738B2 (en) | 2000-07-11 | 2007-10-02 | Seiko Epson Corporation | Miniature optical element for wireless bonding in an electronic instrument |
| US7388185B2 (en) | 2003-10-09 | 2008-06-17 | Intercon As | Pixel detector and method of manufacture and assembly thereof |
-
1984
- 1984-11-28 JP JP59250758A patent/JPS61128564A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0343738A3 (en) * | 1988-05-27 | 1990-06-06 | Philips Electronics Uk Limited | Manufacture of electronic devices comprising cadmium mercury telluride with silicon-on-sapphire circuitry |
| JPH023292A (ja) * | 1988-06-20 | 1990-01-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 光半導体装置 |
| JPH0476063U (ja) * | 1990-11-16 | 1992-07-02 | ||
| US7276738B2 (en) | 2000-07-11 | 2007-10-02 | Seiko Epson Corporation | Miniature optical element for wireless bonding in an electronic instrument |
| US7544973B2 (en) | 2000-07-11 | 2009-06-09 | Seiko Epson Corporation | Miniature optical element for wireless bonding in an electronic instrument |
| US7879633B2 (en) | 2000-07-11 | 2011-02-01 | Seiko Epson Corporation | Miniature optical element for wireless bonding in an electronic instrument |
| WO2003083944A1 (en) * | 2002-03-03 | 2003-10-09 | Interon As | Pixel sensor array and method of manufacture thereof |
| US7132637B2 (en) | 2002-03-03 | 2006-11-07 | Interon As | Pixel sensor array having a layer of sensor material grown on a pre-fabricated wafer and method of manufacture thereof |
| US7388185B2 (en) | 2003-10-09 | 2008-06-17 | Intercon As | Pixel detector and method of manufacture and assembly thereof |
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