JPS61125038A - Semiconductor wafer measuring mounting base - Google Patents

Semiconductor wafer measuring mounting base

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JPS61125038A
JPS61125038A JP24658584A JP24658584A JPS61125038A JP S61125038 A JPS61125038 A JP S61125038A JP 24658584 A JP24658584 A JP 24658584A JP 24658584 A JP24658584 A JP 24658584A JP S61125038 A JPS61125038 A JP S61125038A
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semiconductor wafer
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pressure
suction
hole
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Kouzou Oota
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NIPPON MAIKURONIKUSU KK
Micronics Japan Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To give a function detecting whether there is any semiconductor wafer or not by providing a small hole connecting a pressure sensor with a part of a channel different from a position provided with a suction hole besides a suction hole for plural channels suck-fixing a semiconductor wafer to be measured. CONSTITUTION:A suction hole 3 is connected with a small hole 6 through a channel 5 in order to detect whether there is any semiconductor wafer or not. The lower part of this small hole 6 is connected with a pressure sensor 8 through a connecting tube 7. When the semiconductor wafer is not mounted on a surface of the hole 6 as the small hole 6 connected with the pressure sensor 8 is provided separating from the suction hole 3, a pressure is almost an ambient pressure without any connection with a suction motion of the suction hole 3. When the semiconductor wafer is mounted, as a result that the upper part of each channel is closed by the lower surface of the semiconductor wafer, a low pressure is obtained according to the suction motion made from the suction hole 3 as the channel is sealed. Therefore, a pressure sent to the pressure sensor 8 is changed into a binary pressure according to whether the semiconductor wafer is mounted or not.

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 この発明は、半導体ウェハ測定載置台に関するもので、
例えば、全自動半導体ウエハプローバに利用して有効な
技術に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Technical Field] The present invention relates to a semiconductor wafer measurement stage.
For example, it relates to a technique that is effective when used in a fully automatic semiconductor wafer prober.

〔背景技術〕[Background technology]

半導体ウェハの最終チェック工程を担う半導体ウエハブ
ローバにおいて、半導体ウェハの大口径化が進むにつれ
て、ピンセ・ノドあるいは他の工具類を用いた人手によ
る作業の困難性に伴い、いわゆるピンセットレス化、言
い換えれば、半導体ウェハの自動ロード、アンロード化
がr電子材料J誌1978年11月号の頁139〜頁1
43によって公知である。
In semiconductor wafer blowbars, which are responsible for the final checking process of semiconductor wafers, as the diameter of semiconductor wafers becomes larger, manual work using tweezers, throats, or other tools becomes difficult, so there is a shift to so-called tweezers-less, or in other words, , Automatic loading and unloading of semiconductor wafers is published in the November 1978 issue of R Electronic Materials J, pages 139 to 1.
43.

すなわち、複数枚(例えば25枚)の半導体ウェハを収
納する収納容器(カセット)から順次1枚づつ九ベルト
コンベヤにより、ロード位置くコースアライメントステ
ージ)に移送する。そして、この半導体ウェハをベルヌ
ーイチャック等を使用してブロービングマシンの吸着テ
ーブル(半導体ウェハ測定載置台)に搬送させる。次に
、測定が終了した半導体ウェハは、吸着テーブルからア
ンロード位置に吹き出し空気圧等により搬送され、丸ベ
ルトコンベアにより収納容器に収められる。
That is, a plurality of (for example, 25) semiconductor wafers are sequentially transferred one by one from a storage container (cassette) to a loading position (coarse alignment stage) by a nine-belt conveyor. Then, this semiconductor wafer is transferred to a suction table (semiconductor wafer measurement mounting table) of a blobbing machine using a Bernoulli chuck or the like. Next, the semiconductor wafer that has been measured is transported from the suction table to an unloading position by blowing air pressure or the like, and placed in a storage container by a round belt conveyor.

以上により、半導体ウェハ表面に対して完全に無接触の
状態でブロービングマシンに半導体ウェハの搬入、tM
出がなされる。
As described above, the semiconductor wafer is carried into the blowing machine in a completely non-contact state with respect to the semiconductor wafer surface, and the tM
The appearance is made.

しかしながら、上記全自動の半導体ウェハプローバにあ
っては、半導体ウェハを上記の吸着テーブルからアンロ
ード位置への搬出動作が圧縮空気圧不足等に行われなか
ったり、停電等により測定が中断した後の再起動時に、
吸着テーブル上に未だ半導体ウェハが載置されているに
もかかわらず、測定すべき次の半導体ウェハが搬入され
る虞れが生じる。このように半導体ウェハが重合わせら
せると、下側の半導体ウェハの表面に損傷が生じてしま
う。あるいは、アンロード位置に半導体ウェハを検出す
るセンサーを設ける等によって、次の半導体ウェハの搬
送動作を行わせた場合、半導体ウェハの検出出力が得ら
れないことにより、全自動半導体ウエハプローバは、信
号待ちの状態を続けることの結果、無駄な時間を費やす
ことになってしまう。
However, with the above-mentioned fully automatic semiconductor wafer prober, the unloading operation of the semiconductor wafer from the above-mentioned suction table to the unloading position may not be carried out due to insufficient compressed air pressure, or the measurement may be restarted after the measurement is interrupted due to a power outage, etc. At startup,
There is a possibility that the next semiconductor wafer to be measured may be carried in even though the semiconductor wafer is still placed on the suction table. If the semiconductor wafers are overlapped in this way, damage will occur to the surface of the underlying semiconductor wafer. Alternatively, if a sensor is installed at the unloading position to detect the semiconductor wafer and the next semiconductor wafer is transferred, the fully automatic semiconductor wafer prober cannot detect the semiconductor wafer because the detection output of the semiconductor wafer cannot be obtained. As a result of continuing to wait, you end up wasting your time.

そこで、本願発明者は、半導体ウェハ測定載置台に半導
体ウェハが載置されているか否かを検出することを考え
た。すなわち、第4図に示すように、半導体ウェハ測定
載置台の表面に設けられた複数の溝に結合された吸引孔
又は吸引孔と真空ポンプを結合させるチューブの途中に
圧力センサーPを設けて、その圧力の変化から半導体ウ
ェハの有無を検出するものである。すなわち、半導体ウ
ェハがあると、その真空吸着によって上記吸引孔内の圧
力が低下し、半導体ウェハがないと上記圧力が上昇する
からである。この場合、上記吸引固定を選択的に行うた
めバルブ■が設けられ、バルブVが開いた状態において
は、上記半導体ウェハの有無によって大きくは2値の圧
力を持つように変化する。しかしながら、測定すべき半
導体ウェハの大きさによって、塞がれる溝の数が異なる
ことによってその圧力が微妙に異なるとともに、半導体
ウェハが無いときでも比較的小さな孔を通る空気抵抗に
よって、吸引孔内の圧力は大気圧より小さくされる。さ
らに、バルブVが閉じた状態では上記吸引孔内はほり大
気圧になる。このため、上記のような方法では、圧力セ
ンサーが多値の検出出力を形成するので、精度の高い半
導体ウェハの有無の検出出力を得ることが難しいものに
なってしまう。
Therefore, the inventor of the present application considered detecting whether or not a semiconductor wafer is placed on the semiconductor wafer measurement mounting table. That is, as shown in FIG. 4, a pressure sensor P is provided in the middle of a suction hole connected to a plurality of grooves provided on the surface of the semiconductor wafer measurement mounting table or a tube connecting the suction hole and the vacuum pump. The presence or absence of a semiconductor wafer is detected from the change in pressure. That is, if a semiconductor wafer is present, the pressure in the suction hole will decrease due to its vacuum suction, and if there is no semiconductor wafer, the pressure will increase. In this case, a valve (2) is provided to selectively carry out the suction and fixation, and when the valve (V) is open, the pressure changes to have two values depending on the presence or absence of the semiconductor wafer. However, the pressure varies slightly depending on the size of the semiconductor wafer to be measured because the number of grooves to be closed differs, and even when there is no semiconductor wafer, air resistance passing through the relatively small hole causes the pressure inside the suction hole to increase. The pressure is made less than atmospheric pressure. Further, when the valve V is closed, the inside of the suction hole becomes atmospheric pressure. For this reason, in the above method, the pressure sensor forms a multivalued detection output, making it difficult to obtain a highly accurate detection output of the presence or absence of a semiconductor wafer.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

この発明の目的は、簡単な構成により、高精度の半導体
ウェハの有無の検出機能を持った半導体ウェハ測定載置
台を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a semiconductor wafer measurement mounting table that has a simple configuration and a highly accurate detection function for the presence or absence of a semiconductor wafer.

この発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
この明細書の記述および添付図面から明らかになるであ
ろう。
The above and other objects and novel features of this invention include:
It will become clear from the description of this specification and the accompanying drawings.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、下記の通りである。
A brief overview of typical inventions disclosed in this application is as follows.

すなわち、被測定半導体ウェハを吸引固定する複数の溝
に対する吸引孔とは別に、上記吸引孔が設けられた位置
と異なる溝の一部と圧力センサーとを結合させる小孔を
設けるものである。
That is, in addition to the suction holes for the plurality of grooves for sucking and fixing the semiconductor wafer to be measured, a small hole is provided to connect the pressure sensor to a part of the grooves different from the position where the suction holes are provided.

〔実施例〕〔Example〕

第1図には、この発明の一実施例の概略断面図が示され
ている。
FIG. 1 shows a schematic cross-sectional view of one embodiment of the invention.

この実施例にかかる半導体ウェハ測定載置台は、特に制
限されないが、前記全自動半導体ウェハプローバにおけ
る吸着テーブルとして用いられる。
The semiconductor wafer measurement mounting table according to this embodiment is used as a suction table in the fully automatic semiconductor wafer prober, although it is not particularly limited.

すなわち、図示しないが、全自動半導体ウエハプローハ
ハ、大まかに言うと、ブロービングマシン部と半導体ウ
ェハ移送部とにより構成される。
That is, although not shown, a fully automatic semiconductor wafer processor is generally comprised of a blobbing machine section and a semiconductor wafer transfer section.

上記ブローピンクマシン部は、周知のように、その上面
に載置された半導体ウェハを吸引固定する吸着テーブル
をX、YステージによりX、Y方向に移動させ、θ方向
に回転させることにより、固定されたプローブボード等
で構成され、尖端が測定箇所に対応して配列された探針
に対してウェハチップのポンディングパッドに位置合わ
せするものである。この位置合わせにあたっては、アラ
イニングを行い、半導体ウェハにおけるチップの配列の
X軸と、上記X、YテスージのX軸とを吸着テーブル5
のθ方向の調整により一致させるものである。この後、
測定すべき最初のウェハチップのポンディングパッドと
探針の尖端との位置合わせを行う。以下、連続してX方
向又はY方向に1チップ間隔づつ移動させることにより
、自動的に他のウェハチップのポンディングパッドに対
スる探針の位置合わせが行われる。これらのX、  Y
ステージの移動、θ方向の回転制御は、パルスモータを
用いて高精度に行われる。
As is well known, the blow pink machine section is fixed by moving a suction table that suctions and fixes a semiconductor wafer placed on its upper surface in the X and Y directions using an X and Y stage and rotating it in the θ direction. The device consists of a probe board, etc., and the tips are aligned with the bonding pads of the wafer chip with respect to the probes arranged corresponding to the measurement locations. For this positioning, aligning is performed, and the X-axis of the chip arrangement on the semiconductor wafer and the X-axis of the above-mentioned
This is achieved by adjusting the θ direction. After this,
The tip of the probe is aligned with the bonding pad of the first wafer chip to be measured. Thereafter, by continuously moving the probe in the X direction or the Y direction at intervals of one chip at a time, the probe is automatically aligned with respect to the bonding pads of other wafer chips. These X, Y
Movement of the stage and rotation control in the θ direction are performed with high precision using a pulse motor.

また、吸着テーブルは、エア又はパルスモータを用いて
2方向(アップ、ダウン)に移動させられる。すなわち
、X、Yステージの制御による位置合わせ動作は、吸着
テーブルを下げた状態にして行われ、測定時には吸着テ
ーブルを押し上げた状態として探針とウェハチップのポ
ンディングパッドとを所要の接触圧をもって接続させる
ものである。
Further, the suction table is moved in two directions (up and down) using air or a pulse motor. In other words, the positioning operation by controlling the X and Y stages is performed with the suction table lowered, and during measurement, the suction table is raised and the required contact pressure is applied between the probe and the bonding pad of the wafer chip. It is something that connects.

上記ブロービングマシン部は、トランスファアームが取
り付けられている。このトランスファアームは、例えば
、半導体ウェハの表面より無接触の下に吸着するベルヌ
ーイチャックが使用され、ロード位置に移送された半導
体ウェハをロードポジションの吸着テーブル上に搬送す
る。
A transfer arm is attached to the blowing machine section. This transfer arm uses, for example, a Bernoulli chuck that suctions below the surface of the semiconductor wafer without contact, and conveys the semiconductor wafer transferred to the load position onto the suction table at the load position.

また、測定が終了した半導体ウェハは、吸着テーブルが
アンロードポジションに移動した後、アンロードポジシ
ョンに向かう斜めの小孔から、エア等の吹き出して、ア
ンロード位置に搬送される。
Further, after the measurement of the semiconductor wafer has been completed, after the suction table moves to the unload position, air or the like is blown out from a diagonal small hole toward the unload position, and the semiconductor wafer is transported to the unload position.

このような、半導体ウェハの自動ロード、アンロード機
構を備えたブロービングマシン部に対して、半導体ウェ
ハ移送部が設けられる。半導体ウェハ移送部は、それぞ
れ半導体ウェハが収納される収納容器(カセット)が設
置される複数個のエレベータ機構と、コースアライメン
トステージとしても作用するロード位置及びアンロード
位置との間をそれぞれ接続する丸ベルトコンベアとによ
り構成される。このような全自動半導体ウェハプローバ
は、例えば、特公昭59−2182号公報によって詳し
く述べられている。
A semiconductor wafer transfer section is provided for such a blobbing machine section equipped with an automatic semiconductor wafer loading/unloading mechanism. The semiconductor wafer transfer unit has a circular elevator mechanism that connects a plurality of elevator mechanisms in which storage containers (cassettes) each containing semiconductor wafers are installed, and a loading position and an unloading position that also function as a coarse alignment stage. It consists of a belt conveyor. Such a fully automatic semiconductor wafer prober is described in detail in, for example, Japanese Patent Publication No. 59-2182.

第1図において、半導体ウェハの測定載置台1の測定載
置面を形作る1つの部品ブロック2が示されている。同
図において、その中央に垂直方向に設けられた小孔は、
吸引孔3を構成する。すなわち、その下部には、図示し
ないチューブを介して真空ポンプに結合される。
In FIG. 1, one component block 2 forming the measuring surface of a measuring stage 1 for semiconductor wafers is shown. In the same figure, the small hole provided vertically in the center is
A suction hole 3 is configured. That is, its lower part is connected to a vacuum pump via a tube (not shown).

上記部品ブロック2の表面には、第2図に示した平面図
のように、同心状の複数の94 a〜4dが設けられる
。これらの同心状溝4a〜4dは、特に制限されないが
、上記吸引孔3を中心として半径方向に走る2つのV字
状の溝5a、5bによってそれぞれ共通に結合される。
As shown in the plan view of FIG. 2, a plurality of concentric holes 94a to 4d are provided on the surface of the component block 2. These concentric grooves 4a to 4d are connected in common by two V-shaped grooves 5a and 5b that run radially around the suction hole 3, although this is not particularly limited.

また、上記部品ブロック2の表面には、斜めに向かう複
数の噴射小孔9が設けられる。これらの噴射小孔9は、
部品ブロック2の下面側に設けられた凹部の空洞9aに
よって共通に結合される。
Furthermore, a plurality of diagonally directed injection holes 9 are provided on the surface of the component block 2. These injection holes 9 are
They are commonly connected by a cavity 9a of a recess provided on the lower surface side of the component block 2.

この空洞9aには、図示しないが、パルプを介して選択
的に圧縮空気(又はチッソガス)が供給されらことによ
って、上記噴射小孔9から矢印で示した斜め方向に噴き
出される。これにより、半導体ウェハを上述したように
アンロード位置に搬出させる。なお、第2図において、
上記噴射小孔9は省略されている。
Although not shown, compressed air (or nitrogen gas) is selectively supplied to this cavity 9a through the pulp, and is ejected from the injection hole 9 in the diagonal direction shown by the arrow. This causes the semiconductor wafer to be carried out to the unload position as described above. In addition, in Figure 2,
The small injection hole 9 is omitted.

この実施例では、半導体ウェハの有無を検出するため、
上記吸引孔3は、溝5を介して小孔6と結合される。こ
の小孔6は、その下部において接続チューブ7を介して
圧力センサー8と接続される。この圧力センサー8は、
特に制限されないが、オランダ国のフィリップス社から
販売されている’KP 100AJモノリシツク圧力セ
ンサーが利用される。
In this embodiment, in order to detect the presence or absence of a semiconductor wafer,
The suction hole 3 is connected to a small hole 6 via a groove 5. This small hole 6 is connected to a pressure sensor 8 via a connecting tube 7 at its lower part. This pressure sensor 8 is
Although not limited to this, a 'KP 100AJ monolithic pressure sensor sold by Philips of the Netherlands may be used.

なお、上記部品プロ・ツク2の下側には、他の部品ブロ
ックが結合され、全体として半導体ウェハ測定載置台1
を構成する。
Note that other component blocks are combined on the lower side of the component block 2, and the semiconductor wafer measurement stage 1 is assembled as a whole.
Configure.

この実施例では、圧力センサー8に結合される小孔6は
、上記吸引孔3とは分離して設けるものであるので、そ
の表面に半導体ウェハが載置されていない場合、吸引孔
3の吸引動作とは無関係にはゾ大気圧にされる。一方、
半導体ウェハが載置されると、半導体ウェハの下面によ
って谷溝の上部が塞がれることの結果、溝が密封されの
で上記吸引孔3から行われる吸引動作に従った低い圧力
にされる。このように、圧力センサー8に伝えられる圧
力は、半導体ウェハが載置されているか否かに従ったは
ソ゛2値の圧力とすることができるものである。また、
上記圧力センサー8に導く小孔6を中心部に配置するこ
とによって、最も小さな径の半導体ウェハでも比較的低
い圧力にすることができる。
In this embodiment, the small hole 6 connected to the pressure sensor 8 is provided separately from the suction hole 3, so if no semiconductor wafer is placed on the surface of the small hole 6, the suction of the suction hole 3 is Regardless of the operation, the pressure is set to 10000 psi. on the other hand,
When a semiconductor wafer is placed, the upper part of the groove is closed by the lower surface of the semiconductor wafer, and as a result, the groove is sealed and a low pressure is applied according to the suction operation performed from the suction hole 3. In this way, the pressure transmitted to the pressure sensor 8 can be a binary pressure depending on whether a semiconductor wafer is placed or not. Also,
By arranging the small hole 6 leading to the pressure sensor 8 in the center, a relatively low pressure can be applied to even the smallest diameter semiconductor wafer.

第3図には、半導体ウェハの有無の検出信号を形成する
検出回路の一実施例の回路図が示されている。同図にお
いて、抵抗R1〜R4で示したブリフジ回路は、上記モ
ノリシック圧力センサーの等価回路である。ブリフジ回
路で示した圧力センサー8の出力は、演算増幅回路OP
1とその利得設定のための抵抗R5,R6からなる増幅
回路によって増幅される。この増幅回路の増幅出力にお
ける温度補償又は大気圧の補償を行うため、この実施例
では、同図で点線で示したように、ダミーの圧力センサ
ー8′と上記同様な増幅回路(OF2、R5,R6)が
設けられる。上記ダミーの圧力センサー8゛は、大気中
に置かれるものである。
FIG. 3 shows a circuit diagram of one embodiment of a detection circuit for forming a detection signal for the presence or absence of a semiconductor wafer. In the figure, the Brifuji circuit indicated by resistors R1 to R4 is an equivalent circuit of the monolithic pressure sensor. The output of the pressure sensor 8 shown in the Brifuji circuit is the operational amplifier circuit OP.
1 and resistors R5 and R6 for setting the gain thereof. In order to perform temperature compensation or atmospheric pressure compensation in the amplified output of this amplifier circuit, in this embodiment, a dummy pressure sensor 8' and an amplifier circuit similar to the above (OF2, R5, R6) is provided. The dummy pressure sensor 8' is placed in the atmosphere.

上記一対の圧力センサー8,8°の増幅出力は、演算増
幅回路OP3の反転入力(−)と非反転入力(+)とに
差動的に供給される。この演算増幅回路OP3の差動増
幅作用によって、上記大気圧の変動ないし増幅回路の温
度補償等を行うことができる。
The amplified outputs of the pair of pressure sensors 8 and 8° are differentially supplied to the inverting input (-) and non-inverting input (+) of the operational amplifier circuit OP3. Due to the differential amplification effect of the operational amplifier circuit OP3, it is possible to compensate for fluctuations in atmospheric pressure or the temperature of the amplifier circuit.

すなわち、半導体ウェハが載置されない場合、再圧力セ
ンサー8.8′ は、同じ大気圧に従った出力信号を送
出するので、その変動を補償することができる。また、
増幅回路OPIとOF2における温度依存性又は電源電
圧依存性等も同様に相殺される。これにより、半導体ウ
ェハが載置されてなければ、演算増幅回路OP3の出力
からははソ′回路の接地電位のようなロウレベルの出力
信号が得られる。これにより、トランジスタQ1はオフ
状態にされる。また、半導体ウェハが載置されていれば
、再圧力センサー8.8°から得られた出力信号の増幅
信号の差分が演算増幅回路OP3と、その抵抗R7,R
8によって設定された利得に従ったハイレベルにされる
。このハイレベルは、特に制限されないが、抵抗R9と
ダイオードD1を介してトランジスタQ1のベースに伝
えられ、このトランジスタQ1をオン状態にする。
That is, when no semiconductor wafer is placed, the repressure sensor 8.8' sends out an output signal according to the same atmospheric pressure, so that variations therein can be compensated for. Also,
Temperature dependence, power supply voltage dependence, etc. in the amplifier circuits OPI and OF2 are also canceled out. As a result, if no semiconductor wafer is placed, a low-level output signal similar to the ground potential of the SO' circuit is obtained from the output of the operational amplifier circuit OP3. This turns transistor Q1 off. In addition, if a semiconductor wafer is placed, the difference in the amplified signal of the output signal obtained from the repressure sensor 8.8° is transmitted to the operational amplifier circuit OP3 and its resistors R7 and R.
It is set to a high level according to the gain set by 8. Although not particularly limited, this high level is transmitted to the base of the transistor Q1 via the resistor R9 and the diode D1, turning on the transistor Q1.

上記トランジスタQ1のオン/オフ状態によって、その
出力からロウレベル/ハイレベルの検出出力が得られる
。上記トランジスタQ1は、そのエミッタは回路の接地
電位に結合され、そのコレクタには、負荷としての抵抗
R11と発光ダーfオードLEDが設けられる。この発
光ダイオードLEDは、半導体ウェハの有無を表示させ
るためのものである。
Depending on the on/off state of the transistor Q1, a low level/high level detection output is obtained from its output. The emitter of the transistor Q1 is coupled to the ground potential of the circuit, and the collector is provided with a resistor R11 as a load and a light emitting diode LED. This light emitting diode LED is used to display the presence or absence of a semiconductor wafer.

なお、特に制限されないが、上記抵抗R9とダイオード
D1及びトランジスタQ1のベース、エミッタ間抵抗R
IOが設けられることによって、上記演算増幅回路OP
3のロウレベルの出力信号が、回路の接地電位以上の中
間レベルになっていても、トランジスタQ1はオン状態
にならないようにしている。すなわち、トランジスタQ
1は、演算増幅回路OP3の出力電圧を抵抗R9とR1
0で分圧した電圧が、ダイオードD1とトランジスタQ
1とを共にオン状態にするに必要な電圧にならなければ
オン状態にされない。
Note that, although not particularly limited, the resistor R9, the diode D1, and the base-to-emitter resistor R of the transistor Q1
By providing the IO, the operational amplifier circuit OP
Even if the low level output signal of No. 3 is at an intermediate level higher than the ground potential of the circuit, the transistor Q1 is prevented from being turned on. That is, transistor Q
1 connects the output voltage of the operational amplifier circuit OP3 to resistors R9 and R1.
The voltage divided by 0 is applied to diode D1 and transistor Q.
1 will not be turned on unless the voltage required to turn both on is reached.

〔効 果〕〔effect〕

(1)半導体ウェハの測定表面に設けられた溝を介して
吸引孔に結合される小孔を設けて、これに圧力センサー
を接続させることにより、半導体ウェハの有無に従った
はゾ2値の圧力の変化を作り出すことができる。これに
よって、精度の高い半導体ウェハの有無の検出を実現す
ることができるという効果が得られる。
(1) By providing a small hole connected to a suction hole through a groove provided on the measurement surface of a semiconductor wafer and connecting a pressure sensor to this, the Can create pressure changes. This provides the effect of realizing highly accurate detection of the presence or absence of a semiconductor wafer.

(2)上記(1)により、はり2値の圧力変化を検出す
るものであるから、比較的感度の悪い安価な圧力センサ
ーを用いても高精度で半導体ウェハの有無を検出するこ
とができるという効果が得られる。
(2) According to (1) above, since the beam detects binary pressure changes, it is possible to detect the presence or absence of a semiconductor wafer with high accuracy even using an inexpensive pressure sensor with relatively low sensitivity. Effects can be obtained.

(3)検出回路として、大気中に置かれたダミーの圧力
センサーを設けて、差の信号を形成することによって、
大気圧の変動及び微少なセンサー出力を増幅する増幅回
路におるけ温度補償、電源電圧依存性等の補償を行うこ
とができる。したがって、上記(1)ないしく2)と相
乗的な作用によって、極めて安定し、かつ高い精度での
半導体ウェハの有無の検出を行うことができるという効
果が得られる。
(3) By providing a dummy pressure sensor placed in the atmosphere as a detection circuit and forming a difference signal,
Temperature compensation, power supply voltage dependence, etc. can be compensated for in an amplifier circuit that amplifies atmospheric pressure fluctuations and minute sensor outputs. Therefore, due to the synergistic effect with the above (1) or 2), it is possible to achieve the effect that the presence or absence of a semiconductor wafer can be detected extremely stably and with high accuracy.

(4)上記(1)ないしく3)によって、全自動半導体
ウェハプローバに通用した場合には、半導体ウェハの有
無を確実に検出できるから、半導体ウェハの自動ロード
/アンロード動作において、半導体ウェハの損傷や無駄
な待ち時間を防止することができるという効果が得られ
る。
(4) If the above (1) or 3) is applied to a fully automatic semiconductor wafer prober, the presence or absence of a semiconductor wafer can be reliably detected. The effect is that damage and wasteful waiting time can be prevented.

以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、この発明は上記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。例えば、使用する圧力
センサーは、上記のような気圧の変化を検出できるもの
であれば何であってもよい。また、吸引孔及び小孔と真
空ポンプ及び圧力センサーとをそれぞれ結合させる手段
は、種々の実施形態を採ることができるものである。さ
らに、圧力センサーの出力を信号処理する検出回路は、
ダミー圧力センサーを省略して構成するもの等積々の実
施形態を採ることができるものである。
Although the invention made by the present inventor has been specifically explained above based on Examples, it goes without saying that this invention is not limited to the above Examples and can be modified in various ways without departing from the gist thereof. Nor. For example, any pressure sensor may be used as long as it can detect changes in atmospheric pressure as described above. Furthermore, the means for connecting the suction hole and the small hole to the vacuum pump and the pressure sensor, respectively, can take various embodiments. Furthermore, the detection circuit that processes the output of the pressure sensor is
Numerous embodiments can be adopted, such as a configuration in which the dummy pressure sensor is omitted.

〔利用分野〕[Application field]

この発明は、例えば、全自動半導体ウエハプローバ等の
ように半導体ウェハを吸引固定して、その測定を行う各
種の半導体半導体ウェハ検査装置に広く利用できるもの
である。
The present invention can be widely used in various semiconductor wafer inspection devices that suction and fix a semiconductor wafer and measure the same, such as a fully automatic semiconductor wafer prober.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、この発明の一実施例を示す概略断面図、 第2図は、その概略平面図、 第3図は、その検出回路の一実施例を示す回路図・ 第4図は、この発明に先立って検討された半導体ウェハ
の有無を検出する方法を示す原理図である。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a schematic plan view thereof, FIG. 3 is a circuit diagram showing an embodiment of the detection circuit, and FIG. FIG. 2 is a principle diagram showing a method for detecting the presence or absence of a semiconductor wafer that was studied prior to the invention.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、被測定半導体ウェハを吸引固定する複数の溝と、上
記溝に結合された吸引孔と、上記吸引孔が設けられた位
置と異なる溝の一部と圧力センサーとを結合させる小孔
と、上記圧力センサーを含む半導体ウェハの検出回路と
を含むことを特徴とする半導体ウェハ測定載置台。 2、半導体ウェハの検出回路は、上記圧力センサーの出
力と、大気中に置かれた上記同様の圧力センサーの出力
とを受ける差動増幅回路を含むものであることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の半導体ウェハ測定載置
台。 3、上記半導体ウェハ測定載置台は、全自動半導体ウェ
ハプローバに設けられるものであることを特徴とする特
許請求の範囲第1又は第2項記載の半導体ウェハ測定載
置台。
[Claims] 1. A plurality of grooves for sucking and fixing a semiconductor wafer to be measured, a suction hole coupled to the groove, a part of the groove different from the position where the suction hole is provided, and a pressure sensor. A semiconductor wafer measurement mounting table comprising a small hole for coupling and a semiconductor wafer detection circuit including the pressure sensor. 2. Claim 1, wherein the semiconductor wafer detection circuit includes a differential amplifier circuit that receives the output of the pressure sensor and the output of a similar pressure sensor placed in the atmosphere. Semiconductor wafer measurement mounting stand described in Section 1. 3. The semiconductor wafer measurement stage according to claim 1 or 2, wherein the semiconductor wafer measurement stage is installed in a fully automatic semiconductor wafer prober.
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