JPS61116674A - ダイオ−ドの測定装置 - Google Patents
ダイオ−ドの測定装置Info
- Publication number
- JPS61116674A JPS61116674A JP23906684A JP23906684A JPS61116674A JP S61116674 A JPS61116674 A JP S61116674A JP 23906684 A JP23906684 A JP 23906684A JP 23906684 A JP23906684 A JP 23906684A JP S61116674 A JPS61116674 A JP S61116674A
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- Japan
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- diode
- measuring
- contact
- heater
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、ＤＨＤ型ダイオード等のダイオードの接触不
良を測定識別するための装置に関する。
良を測定識別するための装置に関する。
（従来の技術）
ダイオード例えばＤＨＤ型ダイオード！は、第４図に示
すように、素子２を一対のデエメット３゜３か間にはさ
み込んでガラスパイプ４内に封着し、各デュメプト３．
３からリード端子５．５を延出したものであり、素子２
を両デュメブト３，３で適当圧で加圧しながらガラスパ
イプ４の溶融封着を行なって製作される。
すように、素子２を一対のデエメット３゜３か間にはさ
み込んでガラスパイプ４内に封着し、各デュメプト３．
３からリード端子５．５を延出したものであり、素子２
を両デュメブト３，３で適当圧で加圧しながらガラスパ
イプ４の溶融封着を行なって製作される。
ところが、デュメット３．３間に素子２を挟圧しながら
封着しているにも拘わらず、素子２とデュメット３．３
との接触不良が発生することがあり、従来この接触不良
は製品の電気的特性の測定時に発見されるものであった
。
封着しているにも拘わらず、素子２とデュメット３．３
との接触不良が発生することがあり、従来この接触不良
は製品の電気的特性の測定時に発見されるものであった
。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような接触不良は、微妙な接触状態
のものであって、常温下では一応所定の特性を発揮させ
るに足る接触状態を保っており、測定によっても良品と
見なされてしまうものが多い。
のものであって、常温下では一応所定の特性を発揮させ
るに足る接触状態を保っており、測定によっても良品と
見なされてしまうものが多い。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであっ
て、見掛は上は良品と見なされてしまうような接触不良
品を簡単にかつ能率よく識別することができるようにす
ることを目的とする。
て、見掛は上は良品と見なされてしまうような接触不良
品を簡単にかつ能率よく識別することができるようにす
ることを目的とする。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、このような目的を達成するために、ダイオー
ドの両端から延出された一対のリード端子を絶縁材料か
らなる可動部材に係止して一定ピッチで順次移送する移
送経路の途中に、ダイオードのボデーを加熱するヒータ
を配備するとともに、加熱されたダイオードの両リード
端子に接触作用する測定端子を備えた測定ヘッドを移送
経路の下手箇所に配備した構造とした。
ドの両端から延出された一対のリード端子を絶縁材料か
らなる可動部材に係止して一定ピッチで順次移送する移
送経路の途中に、ダイオードのボデーを加熱するヒータ
を配備するとともに、加熱されたダイオードの両リード
端子に接触作用する測定端子を備えた測定ヘッドを移送
経路の下手箇所に配備した構造とした。
（作用）
このような構成によると、一定ピツチに配列されて移送
されるダイオードのボデーは、まずヒータによって加熱
され、このとき、素子およびデュメットを封着したガラ
スパイプが熱膨張し、ガラスパイプの長手方向への伸長
によって両デュメットの間隔が僅かに拡大する。この場
合、本来充分な接触圧で素子とデュメットとが接触して
いたものは、接触圧が少し低下するだけであるが、接触
圧が低くて不安定な接触状態にあったもの（接触不良品
）は、前記デュメット間隔の拡大によって接触圧が極端
に低下または完全に分離してしまうことになり、この状
態で測定ヘッドに作用すると、特異な測定値、または完
全な導通不能状態が現われ、接触不良品が容易に識別さ
れることになる。
されるダイオードのボデーは、まずヒータによって加熱
され、このとき、素子およびデュメットを封着したガラ
スパイプが熱膨張し、ガラスパイプの長手方向への伸長
によって両デュメットの間隔が僅かに拡大する。この場
合、本来充分な接触圧で素子とデュメットとが接触して
いたものは、接触圧が少し低下するだけであるが、接触
圧が低くて不安定な接触状態にあったもの（接触不良品
）は、前記デュメット間隔の拡大によって接触圧が極端
に低下または完全に分離してしまうことになり、この状
態で測定ヘッドに作用すると、特異な測定値、または完
全な導通不能状態が現われ、接触不良品が容易に識別さ
れることになる。
（実施例）
以下、本発明を図面に示す実施例に基づいて詳細に説明
する。第１図は、本発明の実施例に係る装置の一部切欠
側面図である。第２図はその全体の外観図である。ＤＨ
Ｄ型ダイオード１は図外パーツフィーダにおいて、横向
きに整列され、左右リード端子５．５を受は止める供給
シュート６を介して縦列状に流下供給される。供給シュ
ート６の下手には、絶縁材料からなる一対の円盤７，７
を一定間隔をもって対抗配備して支軸８で連結した移送
ロール９が配備され、供給ツユ−トロの終端が移送ロー
ル９の一側部において両円盤７，７間に突入されている
。
する。第１図は、本発明の実施例に係る装置の一部切欠
側面図である。第２図はその全体の外観図である。ＤＨ
Ｄ型ダイオード１は図外パーツフィーダにおいて、横向
きに整列され、左右リード端子５．５を受は止める供給
シュート６を介して縦列状に流下供給される。供給シュ
ート６の下手には、絶縁材料からなる一対の円盤７，７
を一定間隔をもって対抗配備して支軸８で連結した移送
ロール９が配備され、供給ツユ−トロの終端が移送ロー
ル９の一側部において両円盤７，７間に突入されている
。
各円盤７．７の周縁には、一定ピツチで凹部１０、ｌＯ
が形成されていて、供給シュート６の終端に至ったダイ
オード１の両リード端子５，５が左右円盤７．７の対向
する凹部１０，１０にそれぞれ係入し、移送ロール９の
回転に伴なってダイオードｌが一個ずつ上方に取り出さ
れていくようになっている。
が形成されていて、供給シュート６の終端に至ったダイ
オード１の両リード端子５，５が左右円盤７．７の対向
する凹部１０，１０にそれぞれ係入し、移送ロール９の
回転に伴なってダイオードｌが一個ずつ上方に取り出さ
れていくようになっている。
また、移送ロール９の上方移送経路の途中箇所における
両円盤７．７の間には、ダイオード移動軌跡の下側に接
近する円弧状のヒータ１１が配設固定され、上方移送経
路を移・動するダイオードｌのボデーが加熱されるよう
になっている。
両円盤７．７の間には、ダイオード移動軌跡の下側に接
近する円弧状のヒータ１１が配設固定され、上方移送経
路を移・動するダイオードｌのボデーが加熱されるよう
になっている。
移送ロール９の頂部近くの上方には、左右一対の測定端
子１２．１２を下方に突設した測定ヘッド１３が上下動
自在に配備されており、ヒータ１１で加熱されたダイオ
ードｌの両端リード端子５゜５に測定端子１２．１２を
下降接触させて、ダイオード１の電気的特性を測定する
ように構成されている。
子１２．１２を下方に突設した測定ヘッド１３が上下動
自在に配備されており、ヒータ１１で加熱されたダイオ
ードｌの両端リード端子５゜５に測定端子１２．１２を
下降接触させて、ダイオード１の電気的特性を測定する
ように構成されている。
測定ヘッド１３を通過したダイオード１は、供給側とは
反対側において移送ロール９から抜は出されるのである
が、測定ヘッド１３で接触不良が識別されたものは、切
り換えシュート１４等によって良品回収経路Ａとは別の
回収経路Ｂに送られる。
反対側において移送ロール９から抜は出されるのである
が、測定ヘッド１３で接触不良が識別されたものは、切
り換えシュート１４等によって良品回収経路Ａとは別の
回収経路Ｂに送られる。
なお、前記実施例ではヒータＩＩを円盤７．７間に設け
て、ダイオードｌを下方から加熱しているが、上方から
加熱するようにヒータＩＩを配設してもよい。測定ヘッ
ド１３が作用する部位までヒータを設けて、測定中も加
熱するようにしてもよい。
て、ダイオードｌを下方から加熱しているが、上方から
加熱するようにヒータＩＩを配設してもよい。測定ヘッ
ド１３が作用する部位までヒータを設けて、測定中も加
熱するようにしてもよい。
また、ダイオードｌを定ピツチ移送する可動部材として
循環回動するチェーンに絶縁材料のダイオード支持部材
を取り付けて、直線水平移送しながら経路の下方または
上方からヒータで加熱するようにしてもよい。
循環回動するチェーンに絶縁材料のダイオード支持部材
を取り付けて、直線水平移送しながら経路の下方または
上方からヒータで加熱するようにしてもよい。
（効果）
以上のように、本発明によれば、ダイオードのボデーを
加熱して素子およびデュメットを封着したガラスパイプ
を熱膨張させて両リード端子間の導電特性を測定するの
で、常温では良品と見なされるような接触不良品を確実
に識別して除去することが可能となり、製品の品質安定
化に極めて何効である。また、接触不良品の発生率や傾
向が正確に把握でき、品質管理上に宵益である。しかも
、この接触不良品の識別は一１連続移送経路中で行なう
ので高速測定が可能であり、識別のために運転能率を低
下させることがなくなる、嵜の効果が発揮される。
加熱して素子およびデュメットを封着したガラスパイプ
を熱膨張させて両リード端子間の導電特性を測定するの
で、常温では良品と見なされるような接触不良品を確実
に識別して除去することが可能となり、製品の品質安定
化に極めて何効である。また、接触不良品の発生率や傾
向が正確に把握でき、品質管理上に宵益である。しかも
、この接触不良品の識別は一１連続移送経路中で行なう
ので高速測定が可能であり、識別のために運転能率を低
下させることがなくなる、嵜の効果が発揮される。
第１図は本発明の実施例のＤＨＤ型ダイオードの測定装
置の一例を示す一部切欠側面図、第２図は第１図の斜視
図、第３図は一部切欠正面図、第４図はＤＨＤ型ダイオ
ードの断面図である。 図中、符号１はＤＨＤ型ダイオード、５．５はリード端
子、７は可動部材、Ｉ Ｏ，１０は凹部、１１はヒータ
、＋ ２．１２は測定端子、１３は測定ヘッド。 第３図 第４図
置の一例を示す一部切欠側面図、第２図は第１図の斜視
図、第３図は一部切欠正面図、第４図はＤＨＤ型ダイオ
ードの断面図である。 図中、符号１はＤＨＤ型ダイオード、５．５はリード端
子、７は可動部材、Ｉ Ｏ，１０は凹部、１１はヒータ
、＋ ２．１２は測定端子、１３は測定ヘッド。 第３図 第４図
Claims (2)
- （１）ダイオード１の両端から延出されたリード端子５
、５を絶縁性材料からなる可動部材７に一定ピッチで係
止して連続移送する移送経路の途中に、ダイオード１の
ボデーを加熱するヒータ１１を配備するとともに、加熱
されたダイオード１の両リード端子５、５に接触作用す
る測定端子１２、１２を備えた測定ヘッド１３を移送経
路の下手箇所に配備してあるダイオードの測定装置。 - （２）前記特許請求の範囲第１項に記載のダイオードの
測定装置において、 前記可動部材７が外周縁にリード端子５、５係入用の凹
部１０、１０を備えた一対の回転円盤であるダイオード
の測定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23906684A JPS61116674A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | ダイオ−ドの測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23906684A JPS61116674A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | ダイオ−ドの測定装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61116674A true JPS61116674A (ja) | 1986-06-04 |
Family
ID=17039349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23906684A Pending JPS61116674A (ja) | 1984-11-12 | 1984-11-12 | ダイオ−ドの測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61116674A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304779A (en) * | 1991-05-13 | 1994-04-19 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Semiconductor preheater with inclined rotary feed |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4860581A (ja) * | 1971-11-27 | 1973-08-24 | ||
| JPS5065175A (ja) * | 1973-10-11 | 1975-06-02 | ||
| JPS5536375B2 (ja) * | 1978-01-12 | 1980-09-20 |
-
1984
- 1984-11-12 JP JP23906684A patent/JPS61116674A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4860581A (ja) * | 1971-11-27 | 1973-08-24 | ||
| JPS5065175A (ja) * | 1973-10-11 | 1975-06-02 | ||
| JPS5536375B2 (ja) * | 1978-01-12 | 1980-09-20 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5304779A (en) * | 1991-05-13 | 1994-04-19 | Goldstar Electron Co., Ltd. | Semiconductor preheater with inclined rotary feed |
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