JPS61114618A - Exclusive or circuit - Google Patents

Exclusive or circuit

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JPS61114618A
JPS61114618A JP23702084A JP23702084A JPS61114618A JP S61114618 A JPS61114618 A JP S61114618A JP 23702084 A JP23702084 A JP 23702084A JP 23702084 A JP23702084 A JP 23702084A JP S61114618 A JPS61114618 A JP S61114618A
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JP
Japan
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input terminal
switch element
voltage
level
field effect
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Application number
JP23702084A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideki Ando
秀樹 安藤
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Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Publication of JPS61114618A publication Critical patent/JPS61114618A/en
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03KPULSE TECHNIQUE
    • H03K19/00Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
    • H03K19/20Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits characterised by logic function, e.g. AND, OR, NOR, NOT circuits
    • H03K19/21EXCLUSIVE-OR circuits, i.e. giving output if input signal exists at only one input; COINCIDENCE circuits, i.e. giving output only if all input signals are identical

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Computing Systems (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

PURPOSE:To decrease the number of elements by constituting the titled circuit that the 1st (2nd) switch element is conductive when the applied voltage to the 2nd (1st) input terminal is in the 1st level and the 3rd (4th) switch element is conductive when the applied voltage to the 2nd (1st) input terminal is in the 2nd level. CONSTITUTION:A binary signal is fed to input terminals 1, 2. A switch 4 is inserted between the input terminal 1 and an output terminal 3, the element 4 is opened when a voltage B at the input terminal 2 is at a high level and closed when at a low level. A switch element 5 is opened when a voltage A at the input terminal 1 is at a high level and closed when at a low level. Switch elements 6, 7 are connected in series between the output terminal 3 and command and the switching of the elements 6, 7 is controlled respectively by the voltage B, A. When the voltages A, B are both at a low or a high level, the potential of the output terminal 3 is at a low level. Then when the voltage A is at a high level and the voltage B is at a low level, or vice versa, the potential of the output terminal 3 goes to a high level in both cases. Thus, an exclusive OR signal EXOR of voltage signals fed to the terminals 1, 2 is outputted to the output terminal 3.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、排他的論理和回路に関し、特に素子数が低
減するように改良された排他的論理和回路に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an exclusive OR circuit, and particularly to an exclusive OR circuit improved to reduce the number of elements.

[従来の技術] 第2図は従来の排他的論理和回路の一例を示す論理図で
ある。第2図は第1図に示した論理回路を、0MO8で
構成した回路例である。図示のごとく、従来の排他的論
理和回路は、0MO8で構成すると、5個のnチャネル
トランジスタと5個のpチャネルトランジスタの合計1
0個のトランジスタを必要とする。
[Prior Art] FIG. 2 is a logic diagram showing an example of a conventional exclusive OR circuit. FIG. 2 is an example of a circuit in which the logic circuit shown in FIG. 1 is configured with 0MO8. As shown in the figure, when the conventional exclusive OR circuit is configured with 0MO8, a total of 1
Requires 0 transistors.

〔発明が解決しようとする問題点] 上述のごとく、従来の排他的論理和回路は多くのトラン
ジスタを必要とするため、半導体基板上での占有面積が
広くなってしまい、半導体基板の効率的な利用が図れな
いという欠点があった。特に、このような排他的論理和
回路を多数用いるような電子回路では、この欠点が顕著
に現われる。
[Problems to be solved by the invention] As mentioned above, the conventional exclusive OR circuit requires many transistors, which increases the area occupied on the semiconductor substrate. The drawback was that it could not be used effectively. This drawback is particularly noticeable in electronic circuits that use a large number of such exclusive OR circuits.

さらに、従来の排他的論理和回路は多くのトランジスタ
を必要とするので、それだけ演算速度が遅くなるという
欠点があった。
Furthermore, the conventional exclusive OR circuit requires a large number of transistors, which has the disadvantage of slowing down the calculation speed.

この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、少数のトランジスタで構成でき、それによっ
て半導体基板上での占有面積が少なくてすみ、かつ排他
的論理和演算を高速に行なえるような排他的論理和回路
を提供することを目的とする。
This invention was made to solve the above-mentioned problems, and can be configured with a small number of transistors, which occupies less space on a semiconductor substrate, and can perform exclusive OR operations at high speed. The purpose of this invention is to provide an exclusive OR circuit that allows

[問題点を解決するための手段] この発明は、第1の入力端子と出力端子との間に第2の
入力端子に印加される電圧で導通が制御される第1のス
イッチ素子を接続し、第2の入力端子と出力端子との間
に第1の入力端子に印加される電圧で導通が制御される
第2のスイッチ素子を接続し、さらに出力端子と接地と
の間に第3および第4のスイッチ素子を直列接続して介
挿し、第3のスイッチ素子の導通を第2の入力端子に印
加される電圧で制御し、第4のスイッチ素子の導通を第
1の入力端子に印加される電圧で制御するようにしたも
のである。
[Means for Solving the Problems] The present invention connects a first switch element whose conduction is controlled by a voltage applied to a second input terminal between a first input terminal and an output terminal. , a second switch element whose conduction is controlled by the voltage applied to the first input terminal is connected between the second input terminal and the output terminal, and a third switch element whose conduction is controlled by the voltage applied to the first input terminal is connected between the output terminal and the ground. A fourth switch element is connected in series and inserted, the conduction of the third switch element is controlled by the voltage applied to the second input terminal, and the conduction of the fourth switch element is controlled by the voltage applied to the first input terminal. It is controlled by the voltage applied.

[作用] 第1のスイッチ素子は第2の入力端子に印加される電圧
が第1のレベルのとき導通し、第2のスイッチ素子は第
1の入力端子に印加される電圧が第1のレベルのとき導
通し、第3のスイッチ素子は第2の入力端子に印加され
る電圧が第2のレベルのとき導通し、第4のスイッチ素
子は第1の入力端子に印加される電圧が第2のレベルの
とき導通する。
[Function] The first switch element conducts when the voltage applied to the second input terminal is at the first level, and the second switch element conducts when the voltage applied to the first input terminal is at the first level. The third switch element conducts when the voltage applied to the second input terminal is at the second level, and the fourth switch element conducts when the voltage applied to the first input terminal is at the second level. Conducts when the level is .

[実施例] 第4図はこの発明の詳細な説明するための回路図である
。図において、第1の入力端子1には、ハイレベルおよ
びローレベルの2値電圧が印加される。このような論理
回路では、2値電圧のうちの一方が論理「1」と定めら
れ、他方が論理rOJと定められている。同様に、第2
の入力端子2にも、ハイレベルおよびローレベルの2値
電圧が印加される。第1の入力端子1と出力端子3との
間には、第1のスイッチ素子4が介挿される。この第1
のスイッチ素子4は、その開閉が第2の入力端子2に印
加される電圧已によって制御される。
[Embodiment] FIG. 4 is a circuit diagram for explaining the present invention in detail. In the figure, a binary voltage of high level and low level is applied to the first input terminal 1. In such a logic circuit, one of the binary voltages is defined as logic "1" and the other is defined as logic rOJ. Similarly, the second
A binary voltage of high level and low level is also applied to the input terminal 2 of . A first switch element 4 is inserted between the first input terminal 1 and the output terminal 3. This first
The opening and closing of the switching element 4 is controlled by the voltage applied to the second input terminal 2.

すなわち、第1のスイッチ素子4は、電圧Bがハイレベ
ルのとき開成され、ローレベルのとき閉成される。第2
の入力端子2と出力端子3との間には第2のスイッチ素
子5が介挿される。この第2のスイッチ素子5は、その
開閉が第1の入力端子1に印加される電圧Aによって制
御される。すなわち、第2のスイッチ素子5は、電圧A
がハイレベルのとき開成され、ローレベルのとき閉成さ
れる。出力端子3と接地との間には、第3のスイッチ素
子6および第4のスイッチ素子7が直列接続されて介挿
される。これら第3のスイッチ素子6および第4のスイ
ッチ素子7は、その開閉が、それぞれ、電圧Bおよび電
圧Aによって制御される。
That is, the first switch element 4 is opened when the voltage B is at a high level, and closed when the voltage B is at a low level. Second
A second switch element 5 is inserted between the input terminal 2 and the output terminal 3 of. The opening and closing of this second switch element 5 is controlled by the voltage A applied to the first input terminal 1. That is, the second switch element 5
It is opened when is at a high level and closed when is at a low level. A third switch element 6 and a fourth switch element 7 are connected in series and inserted between the output terminal 3 and the ground. The opening and closing of the third switch element 6 and the fourth switch element 7 are controlled by voltage B and voltage A, respectively.

すなわち、第3のスイッチ素子6は、電圧Bがハイレベ
ルのとき閉成され、ローレベルのとき開成される。第4
のスイッチ素子7は電圧Aがハイレベルのとき閉成され
、ローレベルのとき開成される。
That is, the third switch element 6 is closed when the voltage B is at a high level, and is opened when the voltage B is at a low level. Fourth
The switching element 7 is closed when the voltage A is at a high level, and is opened when the voltage A is at a low level.

以上のような構成において、その動作を説明する。まず
、電圧AおよびBが共にローレベルのとき、第1および
第2のスイッチ素子4および5が閉成され、第3および
第4のスイッチ素子6および7が開成され、出力端子3
の電位はローレベルになる。次に、電圧Aがハイレベル
で、電圧Bがローレベルのとき、第1.第3のスイッチ
素子4および6が閉成され、第2および第4のスイッチ
素子5および7が開勢されて出力端子3の電位はハイレ
ベルとなる。次に、電圧へがローレベルで、電圧Bがハ
イレベルのとき、第2および第4のスイッチ素子58よ
び7が閉成され、第1.15よび第3のスイッチ素子4
および6が開勢されて出力端;( 子3の電位はハイレベルになる。次に、電圧AおよびB
が共にハイレベルのとき、第3および第4のスイッチ素
子6および7が閉成され、第1および第2のスイッチ素
子4および5が開成されて出力端子3の電位はローレベ
ルになる。したがって、出力端子3には、第1の入力端
子1および第2の入力端子2に印加される電圧信号の排
他的論理和信号EXORが出力される。
The operation of the above configuration will be explained. First, when voltages A and B are both low level, the first and second switch elements 4 and 5 are closed, the third and fourth switch elements 6 and 7 are opened, and the output terminal 3
The potential of becomes low level. Next, when voltage A is high level and voltage B is low level, the first . Third switch elements 4 and 6 are closed, second and fourth switch elements 5 and 7 are opened, and the potential at output terminal 3 becomes high level. Next, when the voltage B is at a low level and the voltage B is at a high level, the second and fourth switch elements 58 and 7 are closed, and the first and third switch elements 4 and 5 are closed.
and 6 are opened and the output terminal; (The potential of child 3 becomes high level. Next, voltages A and B
When both are at high level, the third and fourth switching elements 6 and 7 are closed, the first and second switching elements 4 and 5 are opened, and the potential of the output terminal 3 becomes low level. Therefore, the exclusive OR signal EXOR of the voltage signals applied to the first input terminal 1 and the second input terminal 2 is output to the output terminal 3.

上述のごとく、第4図の回路では、4個のスイッチ素子
で排他的論理和回路が構成されるため、従来の排他的論
理和回路に比べて必要な素子数が著しく少なくなる。な
お、スイッチ素子としては、上述のような動作を行なう
ようなスイッチ素子であればどのようなものでも用いる
ことができるが、電界効果トランジスタを用いた場合の
実施例を第1図に示す。
As described above, in the circuit shown in FIG. 4, the exclusive OR circuit is configured with four switch elements, so the number of required elements is significantly smaller than that of the conventional exclusive OR circuit. Although any switch element that performs the above-described operation can be used as the switch element, FIG. 1 shows an embodiment in which a field effect transistor is used.

第1図はこの発明の一実施例を示す回路図である。図に
おいて、この実施例は、第4図に示す第1および第2の
スイッチ素子4および5としてnチャネルトランジスタ
40および50を用い、第3および第4のトランジスタ
6および7としてnチャネルトランジスタ60および7
0を用いている。そして、第1のトランジスタ40およ
び第3のトランジスタ60の各制wl!極は、第2の入
力端子2に接続される。また、第2のトランジスタ5o
および第4のトランジスタ70の各制御電極は、第1の
入力端子1に接続される。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention. In the figure, this embodiment uses n-channel transistors 40 and 50 as the first and second switch elements 4 and 5 shown in FIG. 7
0 is used. And each control wl! of the first transistor 40 and the third transistor 60! The pole is connected to the second input terminal 2. In addition, the second transistor 5o
and each control electrode of the fourth transistor 70 is connected to the first input terminal 1.

第5図は、第1図の回路の動作を説明するための波形図
である。以下、この第5図を参照して第1図の実施例の
動作を説明する。なお、この実施例では、第1および第
2の入力端子1および2に与えるハイレベルの電圧を5
Vとし、ローレベルの電圧をOVとしている。図示のご
とく、第1の入力端子1に印加される電圧Aおよび第2
の入力端子2に印加される電圧Bがいずれもローレベル
(OV)またはいずれもハイレベル(5■)の場合、出
力端子3の電位はローレベルとなっている。
FIG. 5 is a waveform diagram for explaining the operation of the circuit of FIG. 1. The operation of the embodiment shown in FIG. 1 will be described below with reference to FIG. Note that in this embodiment, the high level voltage applied to the first and second input terminals 1 and 2 is
V and the low level voltage is OV. As shown, the voltage A applied to the first input terminal 1 and the second
When the voltages B applied to the input terminals 2 of are all at low level (OV) or both at high level (5■), the potential at the output terminal 3 is at low level.

また、電圧AおよびBのいずれか一方がハイレベルで他
方がローレベルのときは、出力端子3の電位はハイレベ
ルとなっている。したがって、出力端子3には電圧Aお
よびBの排他的論理和信号EXORが出力される。
Further, when one of the voltages A and B is at a high level and the other is at a low level, the potential of the output terminal 3 is at a high level. Therefore, an exclusive OR signal EXOR of voltages A and B is output to output terminal 3.

以上説明した第1図の実施例の回路と第3図に示す従来
の排他的論理和回路とを比較すれば、従来10個のトラ
ンジスタを必要としていたものを4個のトランジスタで
構成でき、トランジスタの数で約60%減少することが
できる。ざらに、演算速度も従来の回路に比べて約30
%短縮することができる。
Comparing the circuit of the embodiment shown in FIG. 1 explained above and the conventional exclusive OR circuit shown in FIG. The number can be reduced by about 60%. Roughly speaking, the calculation speed is about 30% faster than conventional circuits.
% can be shortened.

ところで、第1図に示す実施例では、電圧AおよびBが
いずれもローレベルのとき、第1および第2のトランジ
スタ40および50がいずれも導通し、第3および第4
のトランジスタ60.t5よび70が非導通となり、出
力端子3にはローレベルの電位が現われるはずである。
By the way, in the embodiment shown in FIG. 1, when voltages A and B are both low level, the first and second transistors 40 and 50 are both conductive, and the third and fourth transistors are conductive.
transistor 60. t5 and 70 become non-conductive, and a low level potential should appear at the output terminal 3.

しかし、pチャネルトランジスタ40および50のしき
い値電圧のため、出力端子3に現われる電位EXORは
0■からしきい値電圧■rHだけ高くなっている。した
がって、第1図の回路では、入力の論理が成る組合せで
は出力電圧が完全にOvにならない場合があるという問
題があり、ざらに改良すべき余地がある。
However, due to the threshold voltages of the p-channel transistors 40 and 50, the potential EXOR appearing at the output terminal 3 is higher than 0■ by the threshold voltage ■rH. Therefore, the circuit shown in FIG. 1 has the problem that the output voltage may not be completely Ov depending on the combination of input logics, and there is room for rough improvement.

第6図は上述のような第1図の実施例が有する問題点を
解決し得るように改良されたこの発明の他の実施例を示
す回路図である。図において、この実施例では、第1の
スイッチ素子として並列型トランジスタ400を用い、
第2のスイッチ素子として並列型トランジスタ500を
用いている。
FIG. 6 is a circuit diagram showing another embodiment of the present invention which has been improved to solve the problems of the embodiment of FIG. 1 as described above. In the figure, in this embodiment, a parallel transistor 400 is used as the first switch element,
A parallel transistor 500 is used as the second switch element.

並列型トランジスタ400は、pチャネルトランジスタ
400aとn″ffヤネルトランジスタ400b並列接
続して構成されている。pチャネルトランジスタ400
aの制御電極には、第2の入力端子2が接続される。n
チャネルトランジスタ400bの制御電極には、第4の
入力端子9が接続される。この第4の入力端子9には、
第2の入力端子2に印加される電圧Bを反転した極性の
電圧が印加される。一方、並列型トランジスタ500は
、pチャネルトランジスタ500aとnチャネルトラン
ジスタ500bとを並列接続した構成となっている。p
チャネルトランジスタ500aの制御電極には、第1の
入力端子1が接続される。
The parallel transistor 400 is configured by connecting a p-channel transistor 400a and an n″ff Jannel transistor 400b in parallel.p-channel transistor 400
The second input terminal 2 is connected to the control electrode a. n
A fourth input terminal 9 is connected to the control electrode of the channel transistor 400b. This fourth input terminal 9 has
A voltage with a polarity inverted from the voltage B applied to the second input terminal 2 is applied. On the other hand, the parallel transistor 500 has a configuration in which a p-channel transistor 500a and an n-channel transistor 500b are connected in parallel. p
The first input terminal 1 is connected to the control electrode of the channel transistor 500a.

また、nチャネルトランジスタ500bの制御電極には
、第3の入力端子8が接続される。この第3の入力端子
8には、第1の入力端子1に印加される電圧Aを反転し
た極性の電圧が印加される。
Further, the third input terminal 8 is connected to the control electrode of the n-channel transistor 500b. A voltage having a polarity inverted from the voltage A applied to the first input terminal 1 is applied to the third input terminal 8 .

次に、第6図の実施例の動作を説明する。なお、この実
施例の動作は大部分第1図の実施例の動作と同様である
ので、第1図の実施例で問題を生ずる場合のときのみの
動作を説明する。すなわち、電圧AおよびBがいずれも
ローレベルのとき、pチャネルトランジスタ400a 
、nチャネルトランジスタ400b 、Elチャネルト
ランジスタ500a、15よびnチャネルトランジスタ
500bはいずれも導通状態となっており、第3t3よ
び第4のトランジスタeo1′3よび70は非導通状態
となっている。この場合、pチャネルトランジスタ40
0aおよび500aで生じるしきい値電圧VrHは、n
チャネルトランジスタ400bおよび500bによって
相殺され、出力端子3には第7図に示すようにOvの電
圧が現われる。したがって、第6図の実施例では若干ト
ランジスタの数が増えるが、第1図の実施例が有する問
題点を完全に解消することができる。
Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 6 will be explained. The operation of this embodiment is mostly similar to the operation of the embodiment shown in FIG. 1, so only the operation when a problem occurs in the embodiment shown in FIG. 1 will be described. That is, when voltages A and B are both low level, p-channel transistor 400a
, n-channel transistor 400b, El channel transistor 500a, 15, and n-channel transistor 500b are all in a conductive state, and the third t3 and fourth transistors eo1'3 and 70 are in a non-conductive state. In this case, p-channel transistor 40
The threshold voltage VrH occurring at 0a and 500a is n
This is canceled out by channel transistors 400b and 500b, and a voltage of Ov appears at output terminal 3 as shown in FIG. Therefore, although the number of transistors is slightly increased in the embodiment of FIG. 6, the problems of the embodiment of FIG. 1 can be completely solved.

なお、以上説明した実施例は、スイッチ素子としてMO
Sトランジスタを用いて説明したが、前述のごとく、第
4図で説明したような動作を行なうスイッチ素子であれ
ばどのようなスイッチ素子を用いてもよい。
Note that the embodiments described above use MO as the switch element.
Although the description has been made using an S transistor, as described above, any switch element may be used as long as it performs the operation as described in FIG. 4.

[発明の効果] 以上のように、この発明によれば、従来に比べて格段に
少ない数のスイッチ素子で回路を構成でき、ざらに演算
も従来に比べて高速に行なえるような排他的論理和回路
を得ることができる。
[Effects of the Invention] As described above, according to the present invention, a circuit can be configured with a significantly smaller number of switch elements than in the past, and exclusive logic can be used to perform rough calculations at a higher speed than in the past. A summation circuit can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はこの発明の一実施例を示す回路図である。第2
図は従来の排他的論理和回路の一例を示す論理図である
。第3因はN1図に示した論理回路を0MO8で構成し
た回路例である。第4因はこの発明の詳細な説明するた
めの回路図である。 第5図は第1図に示す実施例の動作を説明するための波
形図である。第6図はこの発明の他の実施例を示す回路
図である。第7因は第6図に示す実施例の動作を説明す
るための波形図である。 図において、1は第1の入力端子、2は第2の入力端子
、3は出力端子、4は第1のスイッチ素子、5は第2の
スイッチ素子、6は第3のスイッチ素子、7は第4のス
イッチ素子、8は第3の入力端子、9は第4の入力端子
、4oは第1のトランジスタ、50は第2のトランジス
タ、60は第3のトランジスタ、70は第4のトランジ
スタ、400および500は並列型トランジスタ、40
0aおよび500aはnチャネルトランジスタ、400
bおよび500bはnチャネルトランジスタを示す。
FIG. 1 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention. Second
The figure is a logic diagram showing an example of a conventional exclusive OR circuit. The third factor is a circuit example in which the logic circuit shown in diagram N1 is configured with 0MO8. The fourth factor is a circuit diagram for explaining the invention in detail. FIG. 5 is a waveform diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. 1. FIG. 6 is a circuit diagram showing another embodiment of the invention. The seventh factor is a waveform diagram for explaining the operation of the embodiment shown in FIG. In the figure, 1 is a first input terminal, 2 is a second input terminal, 3 is an output terminal, 4 is a first switch element, 5 is a second switch element, 6 is a third switch element, and 7 is a a fourth switch element, 8 a third input terminal, 9 a fourth input terminal, 4o a first transistor, 50 a second transistor, 60 a third transistor, 70 a fourth transistor, 400 and 500 are parallel transistors, 40
0a and 500a are n-channel transistors, 400
b and 500b indicate n-channel transistors.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)第1のレベルおよび第2のレベルの2値電圧が印
加される第1の入力端子と、 第1のレベルおよび第2のレベルの2値電圧が印加され
る第2の入力端子と、 出力端子と、 前記第1の入力端子と前記出力端子との間に接続され、
かつ前記第2の入力端子に印加される電圧が第1のレベ
ルのとき導通する第1のスイッチ素子と、 前記第2の入力端子と前記出力端子との間に接続され、
かつ前記第1の入力端子に印加される電圧が第1のレベ
ルのとき導通する第2のスイッチ素子と、 その一端が前記出力端子に接続され、かつ前記第2の入
力端子に印加される電圧が第2のレベルのとき導通する
第3のスイッチ素子と、 前記第3のスイッチ素子の他端と接地との間に接続され
、かつ前記第1の入力端子に印加される電圧が第2のレ
ベルのとき導通する第4のスイッチ素子とを備える、排
他的論理和回路。
(1) A first input terminal to which binary voltages of a first level and a second level are applied; and a second input terminal to which binary voltages of the first level and a second level are applied. , an output terminal; connected between the first input terminal and the output terminal;
and a first switch element that is conductive when the voltage applied to the second input terminal is at a first level, and connected between the second input terminal and the output terminal,
and a second switching element that is conductive when the voltage applied to the first input terminal is at a first level, one end of which is connected to the output terminal, and a voltage applied to the second input terminal. a third switch element that is conductive when is at a second level; and a third switch element that is connected between the other end of the third switch element and ground, and that the voltage applied to the first input terminal is at a second level. and a fourth switch element that is conductive when the level is high.
(2)前記第1〜第4のスイッチ素子は、制御電極を有
する電界効果トランジスタで構成され、前記第1のスイ
ッチ素子は、その制御電極に前記第2の入力端子が接続
されたpチャネル電界効果トランジスタを含み、 前記第2のスイッチ素子は、その制御電極に前記第1の
入力端子が接続されたpチャネル電界効果トランジスタ
を含み、 前記第3のスイッチ素子は、その制御電極に前記第2の
入力端子が接続されたnチャネル電界効果トランジスタ
を含み、 前記第4のスイッチ素子は、その制御電極に前記第1の
入力端子が接続されたnチャネル電界効果トランジスタ
を含む、特許請求の範囲第1項記載の排他的論理和回路
(2) The first to fourth switch elements are configured with field effect transistors having control electrodes, and the first switch element is configured to operate under a p-channel electric field with the second input terminal connected to the control electrode. an effect transistor, the second switch element includes a p-channel field effect transistor having a control electrode connected to the first input terminal, and the third switch element has a control electrode connected to the second input terminal. The fourth switch element includes an n-channel field effect transistor connected to an input terminal thereof, and the fourth switch element includes an n-channel field effect transistor whose control electrode is connected to the first input terminal. The exclusive OR circuit described in item 1.
(3)前記第1の入力端子に印加される電圧と相補的な
関係にある2値電圧が印加される第3の入力端子と、 前記第2の入力端子に印加される電圧と相補的な関係に
ある2値電圧が印加される第4の入力端子とを備え、 前記第1〜第4のスイッチ素子は、制御電極を有する電
界効果トランジスタで構成され、 前記第1のスイッチ素子は、その制御電極に前記第2の
入力端子が接続されたpチャネル電界効果トランジスタ
と、その制御電極に前記第4の入力端子が接続されたn
チャネル電界効果トランジスタとの並列接続で構成され
、 前記第2のスイッチ素子は、その制御電極に前記第1の
入力端子が接続されたpチャネル電界効果トランジスタ
と、その制御電極に前記第3の入力端子が接続されたn
チャネル電界効果トランジスタとの並列接続で構成され
、 前記第3のスイッチ素子は、その制御電極に前記第2の
入力端子が接続されたnチャネル電界効果トランジスタ
を含み、 前記第4のスイッチ素子は、その制御電極に前記第1の
入力端子が接続されたnチャネル電界効果トランジスタ
を含む、特許請求の範囲第1項記載の排他的論理和回路
(3) a third input terminal to which a binary voltage is applied that is complementary to the voltage applied to the first input terminal; and a third input terminal that is complementary to the voltage applied to the second input terminal. a fourth input terminal to which a related binary voltage is applied; the first to fourth switch elements are configured of field effect transistors having control electrodes; a p-channel field effect transistor whose control electrode is connected to the second input terminal; and a p-channel field effect transistor whose control electrode is connected to the fourth input terminal.
The second switch element includes a p-channel field effect transistor whose control electrode is connected to the first input terminal, and a p-channel field effect transistor whose control electrode is connected to the third input terminal. terminal connected n
configured in parallel connection with a channel field effect transistor, the third switch element includes an n-channel field effect transistor whose control electrode is connected to the second input terminal, and the fourth switch element includes: 2. The exclusive OR circuit according to claim 1, comprising an n-channel field effect transistor having a control electrode connected to said first input terminal.
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