JPS61113762A - Vapor deposition apparatus - Google Patents
Vapor deposition apparatusInfo
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- JPS61113762A JPS61113762A JP60205147A JP20514785A JPS61113762A JP S61113762 A JPS61113762 A JP S61113762A JP 60205147 A JP60205147 A JP 60205147A JP 20514785 A JP20514785 A JP 20514785A JP S61113762 A JPS61113762 A JP S61113762A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
U産業上の利用分野コ
この発明は、蒸着装置、特に蒸着皮膜の膜厚をすべて均
一にする装置に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of Industrial Application This invention relates to a vapor deposition apparatus, and particularly to an apparatus for making the thickness of a vapor-deposited film uniform throughout.
[従来の技術]
るつぼ状の容器に蒸着材料を入れて基体の面に蒸着する
蒸着装置は、よく知られている。 この装置においては
、るつぼを加熱覆る適当な加熱−¥段により蒸着材料の
加熱、蒸発が行なわれている。 蒸着される基体は、半
球形のハウジングの内面に配置され、前記のるつぼの間
口面に対し、等しい距1tllにある回転支持部材に配
置されているしのである。[Prior Art] A vapor deposition apparatus is well known in which a vapor deposition material is placed in a crucible-shaped container and vapor-deposited onto the surface of a substrate. In this apparatus, the vapor deposition material is heated and evaporated using a suitable heating stage that heats and covers the crucible. The substrate to be deposited is placed on the inner surface of the hemispherical housing and is placed on a rotating support member at an equal distance from the front face of the crucible.
[発明が解決すべき問題点]
O「i記し1.:装置においては、基体の支持構造をS
めすべてのアッセンブリーを回転させるもので、こ杭に
より蒸着皮膜の厚さの均一性を確保するにうにしている
が、すべてのアッセンブリーを回転させることは、構造
が複雑となり、装置コストも高くなる問題点がある。
また、このような方法での蒸着でも蒸着皮膜の均一性は
、1qられない問題点があることが判明している。[Problems to be solved by the invention]
All assemblies are rotated, and this pile is used to ensure uniformity of the thickness of the deposited film, but rotating all assemblies would complicate the structure and increase equipment costs. There is a problem.
Further, it has been found that even in vapor deposition using such a method, there is a problem in that the uniformity of the vapor-deposited film cannot be improved by 1q.
[問題点を解決するための手段]
この発明は、前記問題点を解決する具体的手段としての
装置ならびに方法を提供するものであり、この発明によ
れば、蒸発源を摩擦なく回転させ、基体の面により均一
な厚さの蒸着皮膜を形成するようにしたものである。
また、この発明によれば、基体側々を配置する半球形の
ハウジングを回転させる必要がなく、装置の機構を簡単
にし、粒子の発生を防ぎ、均一な厚さの皮膜を得るもの
である。[Means for Solving the Problems] The present invention provides an apparatus and a method as specific means for solving the above problems. According to the invention, the evaporation source is rotated without friction and the substrate is heated. A vapor deposited film with a more uniform thickness is formed on the surface.
Further, according to the present invention, there is no need to rotate the hemispherical housing in which the sides of the substrate are placed, which simplifies the mechanism of the device, prevents the generation of particles, and provides a film of uniform thickness.
この発明においては、無反射コーティング用の蒸着材料
として、例えば、弗化カルシウムが使用されるもので、
蒸着の基体は、ペリクルがその例となる。 このような
ペリクルは、光ビームのスプリッタまたはマイクロリト
グラフィにおけるダストカバーなどに使用される薄いニ
トロセルローズ・シートであって、本出願人により製造
される。In this invention, for example, calcium fluoride is used as a vapor deposition material for anti-reflection coating.
An example of a substrate for vapor deposition is a pellicle. Such a pellicle is a thin nitrocellulose sheet used as a light beam splitter or a dust cover in microlithography, and is manufactured by the applicant.
このようなペリクル・フィルムの片面または両面にデポ
ジットされた弗化カルシウムの薄い皮膜は、アンチ・リ
フレクション・コーティングとして作用する。 この発
明によれば、例えば、約10cm (4インチ)の幅の
ペリクルに対し、均一な厚さの弗化カルシウムの皮膜を
形成できるものであるが、この発明は、広く一般の蒸着
装置、蒸発装置に適用することができるものである。A thin film of calcium fluoride deposited on one or both sides of such a pellicle film acts as an anti-reflection coating. According to this invention, it is possible to form a calcium fluoride film of uniform thickness on a pellicle with a width of about 10 cm (4 inches), for example, but this invention can be applied to a pellicle with a width of approximately 10 cm (4 inches). It can be applied to the device.
つぎに、この発明の詳細な説明するために、一つの例で
あるが、以下に実施例を記載する。Next, in order to explain the present invention in detail, an example will be described below, which is just one example.
う
[実施例]
第1図と第2図には、この発明に適用される蒸着装置(
エバポレータ装置)が示しである。[Example] Figures 1 and 2 show a vapor deposition apparatus (
evaporator device) is shown.
第1.2図に示すように、半球形状のエバポレータのハ
ウジング内に支持体10.11.12その他の複数の支
持体が納められている。支持体10〜12それぞれは、
表面に皮膜蒸着される所望個数の基体を、支持するもの
で、例えば、第1.2図においては、支持体10には、
合計4枚のペリクル20.21.22.23が適当な手
段で支持されている。 同様に、支持体11.12にも
ペリクル24.25.26.27それぞれが支持されて
いる。As shown in FIG. 1.2, a support 10, 11, 12 and other supports are housed in the hemispherical evaporator housing. Each of the supports 10 to 12 is
It supports a desired number of substrates on which a film is to be deposited. For example, in FIG. 1.2, the support 10 includes:
A total of four pellicles 20.21.22.23 are supported by suitable means. Similarly, pellicles 24, 25, 26, 27 are supported on the support 11.12, respectively.
皮膜蒸着されるペリクル20〜27(または、他の基体
)は、蒸発源30(エバポレータ・ソース)に対し直角
に、かつ、等距離になるよう配置されていることが好ま
しい。 このように、支持体く支持プレート)10.1
1.12の配rは、支持するペリクルの表面と蒸発源3
oとの間の距離を等しくとる配置となっており、これの
距離は、種々調節できる。The pellicles 20-27 (or other substrates) on which the coatings are deposited are preferably positioned perpendicular to and equidistant from the evaporator source 30. In this way, the support (support plate) 10.1
1.12 is the surface of the supporting pellicle and the evaporation source 3.
The arrangement is such that the distance between the two terminals is equal, and this distance can be adjusted in various ways.
基体20〜27(ペリクル)の表面に蒸着する皮膜の厚
さを均一にするためには、蒸発源30を通る軸を回転軸
としてそれぞれの支持体を回転させる。 したがって、
支持体10.11.12tよ、軸40.41.42を回
転軸として回転する。In order to make the thickness of the film deposited on the surfaces of the substrates 20 to 27 (pellicles) uniform, each support is rotated about the axis passing through the evaporation source 30 as the rotation axis. therefore,
The support 10.11.12t rotates around the axis 40.41.42.
また、前記支持体10.11.12その他(その他の支
持体は、図示省略)を設置した半球形状のハウジングは
、エバポレータ30を含む主回転軸453(わりを回転
する。Further, the hemispherical housing in which the supports 10, 11, 12 and others (other supports are not shown) rotates around the main rotating shaft 453 (which includes the evaporator 30).
このハウジングと個々の支持体を回転させる機構は、こ
れまで極めて複雑なものとなっているが、この発明は、
このような複雑な回転d構を簡単なものとし、蒸発!3
0を軸50まわりに回転させて(第1図)、蒸着皮膜の
厚さをより均一なものとするように改善したものである
。 この発明によれば、エバポレータのアウトプットの
濃縮パターンが第1a図に示すように、僅か非対称にな
っていても、蒸着フィルムの厚さの均一性は、保証され
る。The mechanism for rotating this housing and individual supports has hitherto been extremely complex, but this invention
By simplifying such a complicated rotational d structure, evaporation! 3
0 is rotated around the axis 50 (FIG. 1), and the thickness of the deposited film is improved to be more uniform. According to the invention, uniformity of the thickness of the deposited film is ensured even if the concentration pattern of the evaporator output is slightly asymmetrical, as shown in FIG. 1a.
第3〜6図は、第1図に示した蒸発源(エバポレータ・
ソース)30の詳細を示すもので、図示の例では、ペリ
クル20〜27の表面に被着させる粒子皮膜の蒸着素材
として、弗化カルシウム結晶が使用される。第3〜6図
に示す蒸発11130は、モリブデンなどの耐火性素材
により作られたるつぼ60から成る。 このるつぼ60
に弗化カルシウム結晶または蒸着可能な物質が充填され
る。Figures 3 to 6 show the evaporation source (evaporator) shown in Figure 1.
In the illustrated example, calcium fluoride crystals are used as the vapor deposition material for the particle film to be deposited on the surfaces of the pellicles 20 to 27. The evaporator 11130 shown in Figures 3-6 consists of a crucible 60 made of a refractory material such as molybdenum. This crucible 60
is filled with calcium fluoride crystals or vapor depositable materials.
るつぼ60は、タングステンなどの耐火性素材の長いロ
ッド61に支持されている。 このロッドは、第1.3
.4図に示すように、矢印62の方向へ回転するように
適当な回転支持機構に連結している。The crucible 60 is supported by a long rod 61 made of a refractory material such as tungsten. This rod is 1.3
.. As shown in FIG. 4, it is connected to a suitable rotation support mechanism for rotation in the direction of arrow 62.
るつぼ60の内部の結晶63を加熱するために、タンタ
ルの薄いシートからなる加熱筒65がるつぼ60を囲ん
でしする。 この加熱筒の一例を示すと、該加熱筒は、
フラットなシート材料を丸め、継ぎ目をスポット溶接し
て構成されている。To heat the crystal 63 inside the crucible 60, a heating tube 65 made of a thin sheet of tantalum surrounds the crucible 60. An example of this heating cylinder is as follows:
It is constructed by rolling flat sheets of material and spot-welding the seams.
そして、該加熱筒の口径は、約1.58cm(5/8イ
ンチ)、筒の肉厚は、約0.00762cm(3mil
)、長さは、約2.667co+(1,5インチ)とな
っているが、この寸法に限定されるものでなく、例えば
、肉厚は、約L007G2cm(3mil)か、これよ
り厚いものでもよい。The diameter of the heating cylinder is approximately 1.58 cm (5/8 inch), and the wall thickness of the cylinder is approximately 0.00762 cm (3 mil).
), the length is approximately 2.667co+ (1.5 inches), but it is not limited to this dimension; for example, the wall thickness may be approximately L007G2cm (3mil) or thicker. good.
天板70と底板71もタンタルのシートから作られてい
て、それぞれの厚さは、約0.00762cm(311
1i11から0.0127cm(5mil)となってお
り、加熱筒65にスポット溶接されている。 天板7o
と底板71には、それぞれ中央間ロア2.73が設けら
れている。 底板71の中東間ロア3は、口径が大きく
、例えば、約1.58cm(5/8インチ)であって、
るつぼ60が加熱筒の内部を軸方向に移・動する際、る
つぼ60が楽に通過する寸法のものであり、加熱筒は、
エバポレータ装置に固定されている。 このようなるつ
ぼ60の軸方向の移動は、るつぼの取り出し、蒸着材料
の詰め換え、り1 リーニング作業に必要とな
る。 天板70の中央間ロア2の口径は、狭くなってい
て、例えば、約0、635cm(1/4インチ)になっ
ている。天板70には、電気端子を接続しやすいように
、耳部81.83が設けである。The top plate 70 and the bottom plate 71 are also made of tantalum sheets, and the thickness of each is approximately 0.00762 cm (311 cm).
1i11 to 0.0127 cm (5 mil), and is spot welded to the heating cylinder 65. Top plate 7o
and the bottom plate 71 are each provided with a center lower portion 2.73. The middle-east lower part 3 of the bottom plate 71 has a large diameter, for example, about 1.58 cm (5/8 inch),
When the crucible 60 moves in the axial direction inside the heating cylinder, the size is such that the crucible 60 can easily pass through the heating cylinder.
Fixed to the evaporator device. Such axial movement of the crucible 60 is necessary for taking out the crucible, refilling with vapor deposition material, and re-leaning. The diameter of the lower part 2 between the centers of the top plate 70 is narrow, for example, about 0.635 cm (1/4 inch). The top plate 70 is provided with ears 81 and 83 for easy connection of electrical terminals.
適当な耐火性素材(例えば、タンタル)からなる外筒8
5が底板71にスポット溶接されている。この外筒の上
縁は、天板70に接していない。Outer cylinder 8 made of a suitable fire-resistant material (e.g. tantalum)
5 is spot welded to the bottom plate 71. The upper edge of this outer cylinder is not in contact with the top plate 70.
加熱源としての加熱筒65を発熱させるには、天板70
と底板71に通電し、電流を前記加熱筒に流す。 天板
70と底板71に通電される電流の電圧は、2〜4ボル
トのもので、加熱筒を流れる電流)よ、150〜250
アンペアであり、これによって加熱筒は、るつぼ60と
内部の結晶とを加熱するに充分な温度で発熱する。In order to generate heat from the heating tube 65 as a heating source, the top plate 70
energizes the bottom plate 71 and causes the current to flow through the heating cylinder. The voltage of the current flowing through the top plate 70 and the bottom plate 71 is 2 to 4 volts, and the current flowing through the heating cylinder is 150 to 250 volts.
amperage, which causes the heating tube to generate heat at a temperature sufficient to heat the crucible 60 and the crystals therein.
この発明は、例えば、ニトロセルローズのペリクルの面
に弗化カルシウムをの膜を被着する場合に用いられるも
ので、該ペリクルの面は、天板70の上面から約63.
5cm(25インチ)から約76.2am(30インチ
)の間隔を置いて配置されている。This invention is used, for example, when a calcium fluoride film is applied to the surface of a nitrocellulose pellicle, and the surface of the pellicle is approximately 63 mm from the top surface of the top plate 70.
They are spaced from 5 cm (25 inches) to about 76.2 am (30 inches) apart.
いる。 加熱筒は、抵抗加熱により予め約1200℃
に加熱されている。 加熱筒の温度がこの温度になると
、天板70は、白熱する。 これによっ :jて
、ペリクルの面は、予熱され、これが前処理となって、
弗化カルシウムの皮膜が該ペリクルの面に蒸着可能とな
る。 ついで、第4図に示すように、るつぼ60が所定
の位置にインサートされ、各ペリクルそれぞれの面に毎
秒5〜10オングストロームの割合で弗化カルシウムの
皮膜が蒸着され、皮膜の厚さは、トータルで約400オ
ングストロームであった。 このような蒸着操作の間、
るっぽ60とロッド61は、約10rpa+のレートで
回転される。 このような両者の回転において、るつぼ
の回転は、約2ppmよりも早いほうが好ましい。There is. The heating tube is preheated to approximately 1200℃ by resistance heating.
is heated to. When the temperature of the heating tube reaches this temperature, the top plate 70 becomes incandescent. As a result, the surface of the pellicle is preheated, and this serves as a pretreatment.
A film of calcium fluoride can be deposited on the surface of the pellicle. Next, as shown in FIG. 4, a crucible 60 is inserted into a predetermined position, and a film of calcium fluoride is deposited on each surface of each pellicle at a rate of 5 to 10 angstroms per second, with a total film thickness of It was approximately 400 angstroms. During such a deposition operation,
The ruppo 60 and the rod 61 are rotated at a rate of about 10 rpa+. In both of these rotations, the rotation of the crucible is preferably faster than about 2 ppm.
このような蒸右操作による各ペリクルの面に形成された
蒸着皮膜は、全面にわたり極めて均一な皮膜厚さのもの
であることが確認された。It was confirmed that the deposited film formed on the surface of each pellicle by such a vaporization operation had an extremely uniform film thickness over the entire surface.
前記した実施例は、この発明を説明するための例゛であ
って、この発明は、これに限定されるものではなく、特
許請求の範囲に記載された技術範囲におりる変形もこの
発明の技術的範囲に含まれるものである。The embodiments described above are merely examples for explaining the present invention, and the present invention is not limited thereto. Modifications within the technical scope of the claims may also be made to the present invention. It is included in the technical scope.
[発明の効果]
この発明によれば、基体、例えば、ペリクルの面に弗化
カルシウムなどの皮膜素材を蒸6させに当り、蒸発源を
回転させることによって基体の面に均一な厚さの蒸着皮
膜を形成させることができる装置を提供するものであり
、該装置は、構造的に簡単で製造コストも安いものとな
るなど、蒸着装置としてすぐれた効果を奏する。[Effects of the Invention] According to the present invention, when vaporizing a coating material such as calcium fluoride on the surface of a substrate, for example, a pellicle, a uniform thickness can be deposited on the surface of the substrate by rotating the evaporation source. The present invention provides an apparatus capable of forming a film, and the apparatus has excellent effects as a vapor deposition apparatus, such as a simple structure and low manufacturing cost.
第1図は、この発明による蒸着装置の一例を示す説明図
、
第1a図は、第1図の蒸着装置のセンター軸に関するベ
ーパー濃度の分布を示すグラフ、第2図は、第1図の装
置の平面を示す説明図、第3図は、加熱装置の側面図、
第4図は、第3図4−4線矢祝方向断面図、第5図は、
加熱装置の平面図、
第6図は、第4図6−6線矢視方向断面図である。
10、11.12・・・・・・支持体
20〜21・・・・・・ペリクル
30・・・・・・黒光源
60・・・・・・るつぼ
61・・・・・・るつぼを支持するロツド一:巳=−ヨ
辷j−−二巳テ=14−
タタ
手続補正書鴎式)
%式%)
、事件の表示
昭和60年 特 許 願 第205147号、発明の名
称
蒸着装置
、1m正をする者
事件との関係 出 願 人
氏名(名称) タウ・ラボラトリーズ・インコーホレ
ーテッド
、代理人FIG. 1 is an explanatory diagram showing an example of a vapor deposition apparatus according to the present invention, FIG. 1a is a graph showing a vapor concentration distribution regarding the center axis of the vapor deposition apparatus of FIG. 1, and FIG. 2 is a graph showing the vapor concentration distribution of the vapor deposition apparatus of FIG. 3 is a side view of the heating device, FIG. 4 is a sectional view taken along the line 4-4 in FIG. 3, and FIG. 5 is a side view of the heating device.
A plan view of the heating device. FIG. 6 is a sectional view taken along the line 6-6 in FIG. 10, 11.12... Support bodies 20 to 21... Pellicle 30... Black light source 60... Crucible 61... Supporting the crucible 1985 Patent Application No. 205147, Name of Invention Vapor Deposition Apparatus, 1m Relationship with the person who makes the case
Claims (1)
軸により支持し、この容器の外周に加熱手段を配置し、
この加熱手段の内で前記容器を回転させる機構を備えた
蒸発源と;この蒸発源に対し、蒸着処理する基体の面を
実質的に直角となるように対面させる基体の支持機構と
を備えた蒸着装置。 (2)前記加熱手段は、前記容器の周側面を囲む加熱筒
である特許請求の範囲第1項記載の蒸着装置。 (3)前記容器は、耐火性の素材からなるるつぼ(4)
前記容器は、耐火性の素材からなるるつぼである特許請
求の範囲第2項記載の蒸着装置。 (5)前記加熱筒は、ピュアタンタルからなり、厚さが
約0.00762cm(3mil)以上のもので、通電
による抵抗発熱で前記容器内の蒸着材料を加熱蒸発させ
る構成の特許請求の範囲第2項記載の蒸着装置。 (6)前記加熱筒は、ピュアタンタルからなり、厚さが
約0.00762cm(3mil)以上のもので、通電
による抵抗発熱で前記容器内の蒸着材料を加熱蒸発させ
る構成の特許請求の範囲第3項記載の蒸着装置。 (7)前記容器を回転させる手段は、モータ駆動により
回転する耐火性のロッドで、前記容器の軸と共軸で、こ
れを支持する構成の特許請求の範囲第6項記載の蒸着装
置。 (8)蒸着材料が弗化カルシウムである特許請求の範囲
第1項記載の蒸着装置。 (9)蒸着材料が弗化カルシウムである特許請求の範囲
第3項記載の蒸着装置。 (10)蒸着材料が弗化カルシウムである特許請求の範
囲第4項記載の蒸着装置。 (11)蒸着材料が弗化カルシウムである特許請求の範
囲第5項記載の蒸着装置。 (12)蒸着材料が弗化カルシウムである特許請求の範
囲第6項記載の蒸着装置。 (13)蒸着材料が弗化カルシウムである特許請求の範
囲第7項記載の蒸着装置。 (14)外部から加熱される容器に納められた蒸着材料
を加熱により蒸発、気化させ、この容器に対し所定の距
離をおいて配置した基体の面に蒸発、気化した蒸着材料
を蒸着させるに当り、前記容器を回転させながら加熱す
ることを特徴とする基体への蒸着を行なう蒸着方法。[Claims] (1) The center of the bottom of a container containing the material to be vapor-deposited is supported by a support shaft, and heating means is arranged around the outer periphery of the container,
an evaporation source equipped with a mechanism for rotating the container within the heating means; and a support mechanism for the substrate that allows the surface of the substrate to be vapor-deposited to face the evaporation source so as to be substantially perpendicular to the evaporation source. Vapor deposition equipment. (2) The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the heating means is a heating cylinder surrounding the peripheral side of the container. (3) The container is a crucible made of a fire-resistant material (4)
3. The vapor deposition apparatus according to claim 2, wherein the container is a crucible made of a refractory material. (5) The heating cylinder is made of pure tantalum, has a thickness of about 0.00762 cm (3 mils) or more, and is configured to heat and evaporate the vapor deposition material in the container by resistive heat generation when energized. 2. Vapor deposition apparatus according to item 2. (6) The heating cylinder is made of pure tantalum, has a thickness of about 0.00762 cm (3 mils) or more, and is configured to heat and evaporate the vapor deposition material in the container by resistive heat generation by energization. The vapor deposition apparatus according to item 3. (7) The vapor deposition apparatus according to claim 6, wherein the means for rotating the container is a refractory rod rotated by a motor and coaxial with the axis of the container to support it. (8) The vapor deposition apparatus according to claim 1, wherein the vapor deposition material is calcium fluoride. (9) The vapor deposition apparatus according to claim 3, wherein the vapor deposition material is calcium fluoride. (10) The vapor deposition apparatus according to claim 4, wherein the vapor deposition material is calcium fluoride. (11) The vapor deposition apparatus according to claim 5, wherein the vapor deposition material is calcium fluoride. (12) The vapor deposition apparatus according to claim 6, wherein the vapor deposition material is calcium fluoride. (13) The vapor deposition apparatus according to claim 7, wherein the vapor deposition material is calcium fluoride. (14) Evaporating and vaporizing the vapor deposition material stored in a container heated from the outside by heating, and depositing the vaporized and vaporized material on the surface of the substrate placed at a predetermined distance from the container. . A vapor deposition method for vapor deposition on a substrate, characterized in that the container is heated while being rotated.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US65105784A | 1984-09-17 | 1984-09-17 | |
US651057 | 1984-09-17 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61113762A true JPS61113762A (en) | 1986-05-31 |
Family
ID=24611414
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60205147A Pending JPS61113762A (en) | 1984-09-17 | 1985-09-17 | Vapor deposition apparatus |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61113762A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012041564A (en) * | 2010-08-12 | 2012-03-01 | Tokyo Electron Ltd | Film deposition apparatus and film deposition method |
US9970097B2 (en) | 2014-06-17 | 2018-05-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Rotary evaporation source apparatus for OLED evaporation |
-
1985
- 1985-09-17 JP JP60205147A patent/JPS61113762A/en active Pending
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