JPS61111547A - ジカルコゲン化遷移金属より成る半導体層およびその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ジカルコゲン化遷移金属より成る半導体層、
その製造に特に適合する方法、およびこのような半導体
層の太陽電池への使用に関する。

従来の技術 ］−チングされた第■族のジ力ルコゲン化遷移金属は、
その光学的および電子工学的特性により、有効に太陽エ
ネルギ変換するための有用な材料であると実際に考慮さ
れている。フォトン工４ルキ約１，５　ｅＶ　　（ＷＳ
ｅ２．Ｍｏ５ｅ２）に大きい吸収能（αり１０５ｆｆｉ
−１）を有する直接遷移製引続く、低エネルギにおける
間接遷移、および少数キャリヤ拡散距離約２μｍにより
、太陽エネルギを薄膜組織により有効に電気エネルギへ
変換することが可能である。

光電気化学的太陽電池の試験は、これら半導体で光学的
腐食に対する顕著な安定性が得られたにせよ、サンプル
との関連において光電流（ｉ　）、光電圧（■。。）お
よび充満率の大きいＣ 変動が生じると判明した。これらの差は、実際に表面形
態学的変動および化学量論的偏倚に帰因することができ
る。なかんずく、成層格子材料の表面の段差が太陽電池
収率に不利であると判明した。このことは、結晶内部の
ドープ率変動にも該当する。

広範囲の材料選択は、ｎ−ＷＳｅ２を使用し、太陽エネ
ルギを電気エネルギに効率１ｏチで変換する光電気化学
太陽ＩＥ池が開発されることＫなった。この材料から化
学的搬送（ＣＶＴ　）により製造された結晶は、その表
面組織およびそのドーピング分布の点で特別に選択され
る必要がある、それというのもこの方法が結晶の再現性
および均等性を保証しないからである。さらに、最大で
５０ｆｉ２　の相対的に小さい結晶が化学的搬送（ＣＶ
Ｔ　）　Ｋより得られるｋすぎない。

多大の努力が、２次元方向に成長するＭＸ２材料ＣＭ＝
Ｍｏ、Ｗ；Ｘ＝Ｓ　、　Ｓｅ　、　Ｔｅ）を大面積の均
質な光活性層として製造するために試みられている。こ
れまでに試みられた全ての方法は、利得 エネルギ収率を再結合工程により著るしく低減させる欠
陥を有する高濃度の段差を生じた。

が公知である。それとともにすでに、ジカルコダ／化遷
移金属の結晶も製造されている。しかしながらこれまで
、この場合ＭＸ２材料より成る大面積の多結晶薄膜をこ
のようなメルトから得ることに成功しなかつたことも明
白である。

若干のジカルコゲン化遷移金属の吸光度が、太陽エネル
ギ変換に有効な波長領域中で極めて犬であるので、この
利点は、太陽エネルギが能率的に電気エネルギに変換さ
れることのできる薄い平滑な層を使用することに成功し
た場合に完全に有効利用されることができる〜。

発明が解決しようとする問題点 従って、本発明の根底をなす課題は、このような大面積
の層を、良好な充電特性を有する、２次元方向に結晶化
せるジカルコゲン化遷移金属材料からつくり出すことで
おる。

問題点を解決するための手段 本発明によれば、この課題は、表面組織中で。

結晶が２次元方向に対称に、層表面に平行に整列され、
かつ層表面に垂直に配置された結晶面の分量がわずかで
無視できる程度に小でラシ、浸透層の面積が５０ｍ２以
上であり、層厚が最低約０．１ｆｉでラシ、かつ半導体
材料が均質にドーピングされているジカルコゲン化遷移
金属より成る半導体層により解決される。

この場合、ことに適当であると判明したのは、組成がＭ
Ｘ２またはＭ、−ＸＭＸＸ２〔但し、Ｍ＝タングステン
（Ｗ）および／″またはモリブデン（ＭＯ）、およびＸ
：硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）またはテルル（Ｔｅ））
のジカルコゲン化遷移金属であるＯ 本発明に実際に重要なのは、このような製品の製造であ
る。その後に所望の特性を得るためこの材料が受けるべ
き変動は、特別に適合された操作工程により達成可能で
あるＫすぎない。

特許請求の範囲第３項は、そのだめの本発明による広範
囲の技術的理論を包含する。

従ってこの方法は、組成ＭＸ２ないしはＭ、−８ＭＸｘ
２〔但し、Ｍ１−ｏないしはＭ、−ｘ：Ｗ：ＭＸ＝ＭＯ
およびＸ＝Ｓ　、　Ｓｅ、Ｔｅ　）ノ２次元方向に成長
する成層格子状の結晶を、太陽エネルギの電気エネルギ
への変換に適当である大面に向は 積の半導体層を形成するという目的％Ｂ　ｒｋ−％るこ
とを意図する。この場合、半導体層の結晶、成長＝、＞
＝、メルトの表面で、ないしはメルトおよび、メルト材
料のガス相関の境界面で行なわれ、その場合その比重が
メルトの比重よりも大であるす 結晶が重力に抗し上方へ移動−＆粍る。

有利に、とくに液状のテルル（Ｔｅ）より成るメルトが
使用されることができる。このメルト材料は、広い温度
範囲内で液状のままであシかつ低い蒸気圧を有する。ま
たこのものは、とくに組成：ＭＸ、、の化合物を容易に
溶解するという特性を有する。

同じくメルト材料として好適なのが、セレン（Ｓｅ）、
さらにまたセレノおよびテルルより成る混合物並びに塩
化鉛（ＰｂＣｌ２）およびビスマメルトおよびガス空間
の１つの境界面を保証する容器が必要でちる。とくに、
この容器は石英より成る。結晶培養容器に可能な他の材
料は、酸化アルミニウムまたは珪素−アルミニウム合金
である。

特許請求の範囲第７項忙は、本発明による方法の有利な
実施例のそれぞれの工程に関するデータが記載されてい
る。良好な整列および、わずかな分量の段差、すなわち
層表面に対し垂直に配置されたできるだけわずかな分量
の縁表面を有する多結晶層として晶出させるべき組成：
ＭＸ２の半導体材料がメルトに添加され、その場合量が
、所望される層の容積に相応に計算される。ホモジナイ
ズが、機械的にまたは超音波により行なわれることがで
きる。溶解度が温度降下により低減された際Ｋ、半導体
材料が晶出し、かつ半導体層がメルトの表面で成長する
。

メルトの表面およびガス相関の境界面における結晶化は
プレートにより制御されかつ改善されることができるが
、このプレートは境界面に配置され、すなわちメルト上
に密接して支持されるかまたはさらにメルトの表面にス
ライド可能に接触される。これにより、種晶の温度勾配
が得られる。スライド接触の場合、プレートが。

成長 ％ｘすべき化合物の、圧力下にローラ圧着された微結晶
で被覆されていてもよく、それにより温度勾配により、
メルトを結晶化容器の低温位縮 置で凝梳させることにより惹起されるか、または例えば
また真空を適用することにより惹起されてもよく、その
場合はメルトが必要に応じ石去 英ガラスより成る焼結シートを経て濾怨されることがで
きる。さらにまた、メルトを側面方向へ排出しかつ引続
きメルトを昇華させること等が可能である。

本発明によるこのような半導体層の用途が太陽電池であ
る。この場合、光起電力形の、また光電形の太陽電池を
も挙げられることができる。

本発明の大きい利点は、結晶面が最高に整列され、ファ
ン・デル・ワール図面（Ｖａｎ　ｄｅｒＷａａ　Ｉ　５
−Ｏｂｅｒ　ｆ　ｌ　ａｃｈｅ）に平行な層成長が得ら
れることである。この場合、段差の少ない平滑な表面が
形成される。成層結晶格子薄膜上の段差が回避されるこ
とにより、その再結合中心としての作用が回避され、そ
の結果荷電キャリヤの再結合、およびエネルギ変換の際
の損失がもはや生じないかまだは実質的でない程度にわ
ずかに生じるにすぎず、それによりこの材料で作動する
太陽電池の光電流、光電圧および充満率が増大されるこ
とができる。

実施例 以下に、本発明を図面実施例につき詳説する。

第１日は、メルトおよびメルト材料ガス相関の境界面に
おける半導体層の結晶成長を詳示する図面；第２ａ図〜
第２Ｃ図は、ａ）濾過、ｂ）蒸溜およびＣ）排出ととも
に引続く昇華により、メルトを除去する多数の方法を示
す図面；第３図は、テルルメルトの表面で製造されたＭ
ｏＳｅ２層の走査型電子顕微鏡写真；第４図は、テルル
メルトから得られたｎ　−ＭｏＳｅ２　　の光電気化学
的特性を示す図表；第５図は、レドックス系としてのＪ
−／Ｊ２を有する再生型電気化学太陽電池中のＭｏＳｅ
２層の、ＡＮ／１１照射下の出力特性を示す図表；第６
図は、Ｊ−／Ｊ２の存在においてテルルメルトから得ら
れた、銀で処理されたｎ−ＭｏＳｅ２に極の光電流−電
圧特性を示す図表：および第７図および第８図は、半導
体層の側面方向へ向けた成長を得るため、第７図ではメ
ルトの表面に、第８図ではプレートの下面に結晶を集合
させる方法を示す図面である。

差当り以下Ｋ、トくニ組成：　ＭＸ　２（Ｍ＝Ｗ　、　
Ｍ。

；Ｘ＝Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ）ないしは組成：Ｍ、−ｘＭＸｘ
２（Ｍ　　　１−ｘ＝Ｍｏ）のノカルコゲ／化遷移金＋
　−Ｘ 属より成る半導体の製造を、テルル（Ｔｅ）をメルト２
およびガス相３として使用する実施例につき詳説する。

この実験室規模の実施例の場合、粉末状のノセレン化遷
移金属を、２回蒸溜したテルル（Ｔｅ）に１　：　１０
０の割合で添加した。さらに、所望反応の制御を改善す
るため、この混合物１０１当りセレン（Ｓｅ）１０ＣＩ
＋９を添加した。その後にこの出発物質を、直径２０ｆ
ｉの石英製アンプル中へ封入しかつ温度１０５０℃に加
熱した。

この場合、結晶化容器として使用された石英アンプル中
で、下部にテルルのメルト２およびその上方にテルルの
ガス相３が形成された。引続きこの材料を、１時間当シ
わずか１／１００度の温度勾配で冷却した。冷却工程中
に、ジカルコゲン化遭移金属の結晶層が、液状メルト２
中でもまたメルト／蒸気の中間層５中でも析出し始めた
。半導体材料の密度がメルト２の密度よりも犬であるに
もかかわらず、対流および表面張力を包含しかつテルル
のメルト／蒸気の中間層５中の結晶を容易にする効果が
生じた。マク／ゴー二効果（Ｍａｒａｎｇｏｎｉ−Ｅｆ
’ｆｅｋｔ　）と呼称のが、所望の半導体層寸法に相応
する、メルト２とガス相空間３との境界面を保証する。

結晶化容器１は、とくに石英より成ることができる。

また、結晶化容器１の他の材料として、酸化アルミニウ
ム、酸化ジルコニウムまたは珪素−アルミニウム合金も
使用されることができる。

テルルメルト２に添加されるべきジカルコゲン化遷移金
属の量は、所望の半導体層の容積に相応に計算すること
ができる。メルト２およびその中に６００’Ｃ〜１００
０℃で溶解された半導体材料より成る混合物のホモジナ
イズが、機械的にまだは超音波により行なわれることが
できる。成長工程が終了した後、引続き温度降下により
メルトの溶解度が低減せる際に、半導体層がメルト上に
晶出する。良好な結果は、温度降下のための出発温度と
して１０５０℃が選択された場合に得られる。

テルルメルト２およびテルルガス相３間の境界面５にお
ける結晶化が、テルルメルト上へ密接に支持されかつ極
端な場合はメルト２の表面にスライド可能に接触するプ
レート１０により制御されかつ改善されることができる
（第８図参照）。このプレート１０が、種晶を形成する
ための温度勾配を惹起する。メルト２にスライド可能で
被覆されていてもよく、それにより下側のプレート面に
対する晶出が改善される。

成長工程が終了した後、結晶層各がメルト２と分離され
る。このことは、第２ａ図〜第２Ｃ図によれば、３つの
異なる方法で行なわれることができる。第２ａ図によれ
ば、結晶化容器１に真空が適用され、かつメルト２が焼
結膜７を経て矢印６の方向へ容器１から濾去されること
ができる。第２ｂ図によれば、温度勾配により、メルト
２が結晶化容器１の低温位置で凝精されることができ、
その場合Ｔ、＜Ｔ２　　である。第２Ｃ図によれば、メ
ルト２を側面方向へ排出しかつ引続き昇華させることに
より、結晶層牛とメルトとの分離が惹起される。

実験に際し、ＭｏＳｅ２．　ＭｏＴｅ２オＬびＷＳ　ｅ
　２が調製された。結晶子寸法は、はぼ０．３　ｍの厚
さで６０８２　が得られた。この場合得られたノセレン
化遷移金属は、化学量論的に組成：ＭＳｅ２−ｘＴｅＸ
（Ｍ＝Ｍｏ　、　Ｗ　：　ｘ＜０．１　）を有Ｌｔ。

結晶のテルル含有率は、サンプルをセレンＷ囲気中で６
５０℃に加熱することにょシさらに低減させろことがで
きた。試験されたＭｏＳｅ２　　材料は、さら釦検出可
能な量のテルルおよびわずかな遷移金属不純物を示した
。

製造された全ての半導体層は光活性であった。

ＭｏＳｅ２およびＭｏＴｅ２　はｎ型の導電性を有し、
かつＷＳｅ２はｐ型の導電性を示した。これら半導体は
、模擬化したＡＭ１条件で数ｍＡ／ｄの充電流密度を示
した。ＭｏＳｅ２　　が、その大きい光電圧により試験
用に選択された。

第３図は、得られた半導体層の形態学的構造を、テルル
メルト２０表面で製造され、その場合冷却のための出発
温度が１０５０℃であったＭｏＳｅ２　　層の走査型電
子顕微鏡写真で示す。これら写真は、結晶子がそれらの
層表面に平行に合着され、かつ六角形の結晶子の、それ
らの縁に沿った強固な側面結合を有することを示す。

これら結晶が、雲母と類似に、大面積の箔ないしは大面
積の材料層に合着されている。これら結晶子が部分的に
重なシ合って配置され、これにより小さい段差の形成が
生じる。第１図中の拡大図Ｘは、結晶子の、矢、印Ｃに
直角な大面積の成長面８、および矢印Ｃに平行な小さい
側面段差９を略示する。

第４図に、これら半導体層の光電特性を示す。

この第４図は、テルルメルト２から得られたｎ−ＭｏＳ
ｅ２　　の光電気化学的特性を示す。光電流の測定は、
レドックス系を電解質に添加せずに行なわれた。

第５図は、レドックス系としてＪ−／Ｊ２を有する、起
電力形の、再生型電気化学太陽電池におけるＭｏＳｅ２
　　層の出力特性を示す。照射は、平均海面（ＮＮ　）
上Ｏｍに垂直に入射せる際の地表面の太陽光強度に相応
するＡＭｌ状態に標準化された。

層表面を化学的および電気化学的に処理することにより
、層表面は、すでに本発明による技術的理論により低減
された段差面に関する作用がさらに低減し、層表面の光
電特性がさらに改善されることができる。第６図に、こ
のような表面処理層特性の１実施例を、テルルメルト２
から取出され、銀イオン（Ａｇ＋）で処理されたｎ　−
ＭｏＳｅ２　　電極の光電流−電圧特性として示す。こ
れによれば、太陽工不ルイ変換に使用可能な光電特性を
有する２次元方向に成長するＭＸ２化合物の半導体層の
製造が、光電気化学的および光起電力的太陽電池の得ら
れることを実証した。例えばＭｏＳｅ２およびＷＳｅ２
より成る大面積の多結晶薄膜層の工業的実現が、このよ
うな太陽電池の構造で可能である。

第７図は、マランソー二効果（Ｍａｒａｎｇｏｎｉ−Ｅ
ｆｆｅｋｔ）に帰因すべき側面方向への成育開始が得ら
れるまでの、結晶４の表面成長を示す。

表面張力σは、結晶核を形成する臨界的・ξラメータで
あシかつメルト２の濃度だけでなくその温度にも依存す
る。メルト２の表面の平面におの差にある、表面に平行
な力Ｆｘ　を生じる。対流が生じ、この対流が、結晶核
をメルト２の材料から容器１の高い温度Ｔ１　　位置の
表面へ搬送し、かつ徐々に成長する結晶子の、メルト２
およびガス相３間の境界層に惨う後続の搬送を惹起する
。大きい表面張力σを有する位置の大きい結晶子がメル
ト２の対流に追従することがない、それというのも増大
する表面張力が結晶子の沈降に対抗するからである。

すでに前記せるように、第８図に示した結晶化容器８は
メルト２の上方にプレート１０を有し、その下面でメル
ト２から搬出された結晶４が成長する。例えば、メルト
２および、メルト２のガス相３により包囲されたプレー
）１０間に、相応する温度勾配を生じさせるため、プレ
ート１０の冷却および断熱が配慮されてもよい。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明による半導体層の結晶成長をその部分拡
大図とともに略示する斜視図、第２ａ図〜第２Ｃ図は、
本発明による方法のそれぞれ１実施例を略示する縦断面
図、第３ａ図および第３ｂ図は本発明による半導体層の
それぞれ走査型電子顕微鏡写真、第４図は本発明の半導
体層の１実施例につきその光電気化学的特性を示す図表
、第５図は太陽電池における第壬図の半導体層の出力特
性を示す図表、第６図は第４図の半導体層をさらに銀で
処理した場合の光電流−電圧特性を示す図表、および第
７図および一第８図は本発明による半導体層の結晶成長
工程のそれぞれ１実施例を略示する縦断面図である。 １・・・結晶化容器、２・・・メルト、３・・・ガス相
、４・・・結晶子、５・−・境界層、６・・・真空、７
・・・焼結膜、８・・結晶成長面、９・・・結晶の側面
段差、１０・・・グレート ［Ｆ］ト ［ミ、ニン゛ンＱ、　ｉｊ；、　、’　、　、、　＋、
′二：二ｉｉ七Ｉコ・しンし４；珀”’？’ｆ”’Ｅ：
Ｏ”’：Ｔｒ　ニー亥；！なし）ロ　　　　　−　　　
　　ＰＪ　　　　　　ＬａＪ電流密度ｍＡ　ｃｍ”２ −ＮＬＡＪ 手続補正書（方式） 昭和６０年１１月２７日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、表面組織中で、結晶が２次元方向に対称に、層表面
   に平行に整列され、かつ層表面に垂直に配置された結晶
   縁面の分量がわずかで無視できる程度に小であり、浸透
   層の面積が５０ｍｍ＾２以上であり、層厚が最低約０．
   １ｍｍであり、かつ半導体材料が均質にドーピングされ
   ていることを特徴とするジカルコゲン化遷移金属より成
   る半導体層。 ２、ジカルコゲン化遷移金属が組成：ＭＸ＿２またはＭ
   ＿１＿−＿ＸＭ＿ＸＸ＿２〔但しＭ＝Ｗ、Ｍｏないしは
   Ｍ＿１＿−＿Ｘ＝Ｗ、Ｍ＿Ｘ＝ＭｏおよびＸ＝Ｓ、Ｓｅ
   、Ｔｅ〕を有することを特徴とする、特許請求の範囲第
   １項記載のジカルコゲン化遷移金属より成る半導体層。 ３、表面組織中で、結晶が２次元方向に対称に、層表面
   に平行に整列され、かつ層表面に垂直に配置された結晶
   縁面の分量がわずかで無視できる程度に小であり、浸透
   層の面積が５０ｍｍ＾２以上であり、層厚が最低約０．
   １ｍｍであり、かつ半導体材料が均質にドーピングされ
   ているジカルコゲン化遷移金属より成る半導体層を製造
   するに当り、結晶子（４）が、結晶化容器（１）中に存
   在するメルト（２）の表面から析出されかつ半導体層に
   合着され、その場合メルト（２）の表面がガス相（３）
   中のメルト物質により被覆されていることを特徴とする
   ジカルコゲン化遷移金属より成る半導体層の製造法。 ４、メルト（２）が、テルル（Ｔｅ）、セレン（Ｓｅ）
   または、テルル（Ｔｅ）およびセレン（Ｓｅ）より成る
   混合物より成ることを特徴とする、特許請求の範囲第３
   項記載のジカルコゲン化遷移金属より成る半導体層の製
   造法。 ５、メルト（２）が塩化鉛（ＰｂＣｌ＿２）より成るこ
   とを特徴とする、特許請求の範囲第３項記載のジカルコ
   ゲン化遷移金属より成る半導体層の製造法、 ６、メルト（２）がビスマス（Ｂｉ）より成ることを特
   徴とする、特許請求の範囲第３項記載のジカルコゲン化
   遷移金属より成る半導体層の製造法。 ７、表面組織中で、結晶が２次元方向に対称に、層表面
   に平行に整列され、かつ層表面に垂直に配置された結晶
   縁面の分量がわずかで無視できる程度に小であり、浸透
   層の面積が５０ｍｍ＾２以上であり、層厚が最低約０．
   １ｍｍであり、かつ半導体材料が均質にドーピングされ
   ているジカルコゲン化遷移金属より成る半導体層を製造
   するため、結晶子（４）が、結晶化容器（１）中に存在
   するメルト（２）の表面から析出されかつ半導体層に合
   着され、その場合メルト（２）の表面がガス相（３）中
   のメルト物質により被覆される方法において、メルト（
   ２）が約１０５０℃にまで加熱され、ジカルコゲン化遷
   移金属が、製造すべき半導体層の容積に相応する量でメ
   ルト（２）に添加されかつこのメルト中で溶解され、メ
   ルト（２）および溶解せる半導体材料より成る液状相の
   ホモジナイズが１０００℃〜６００℃で実施され、メル
   ト（２）の溶解度が温度降下により低減され、かつそれ
   により半導体材料結晶の析出およびその所望の半導体層
   への合着がメルト（２）およびメルト物質のガス相（３
   ）間の境界層（５）で惹起され、かつ最後にこの半導体
   層がメルト（２）から分離されることを特徴とするジカ
   ルコゲン化遷移金属より成る半導体層の製造法。 ８、対流および表面張力を包含する作用により、メルト
   （２）中で形成された結晶に、境界層（５）に向けた移
   動運動が施こされることを特徴とする、特許請求の範囲
   第７項記載のジカルコゲン化遷移金属より成る半導体層
   の製造法。 ９、メルト（２）およびガス相（３）間の境界層（５）
   における半導体材料の晶出および半導体層の形成が、境
   界層（５）の範囲内に配置されたプレート（１０）によ
   り制御されることを特徴とする、特許請求の範囲第７項
   または第８項のいずれかに記載のジカルコゲン化遷移金
   属より成る半導体層の製造法。 １０、プレート（１０）がメルト（２）上に密接に支持
   されることを特徴とする、特許請求の範囲第９項記載の
   ジカルコゲン化遷移金属より成る半導体層の製造法。 １１、プレート（１０）がメルト（２）の表面にスライ
   ド可能に接触することを特徴とする、特許請求の範囲第
   ９項記載のジカルコゲン化遷移金属より成る半導体層の
   製造法。 １２、メルト（２）の表面にスライド可能に接触するプ
   レート（１０）が、成長すべき半導体結晶層（４）の、
   圧力下にローラ圧着された微結晶で被覆されていること
   を特徴とする、特許請求の範囲第１１項記載のジカルコ
   ゲン化遷移金属より成る半導体層の製造法。 １３、結晶性半導体層（４）とメルト（２）との分離が
   、結晶化容器（１）の温度勾配による低温位置でメルト
   （２）を凝縮させることにより行なわれることを特徴と
   する、特許請求の範囲第７項から第１２項までのいずれ
   か１項に記載のジカルコゲン化遷移金属より成る半導体
   層の製造法。 １４、結晶性半導体層（４）とメルト（２）との分離が
   、結晶化容器（１）に真空（６）を適用しかつメルト（
   ２）を濾去することにより行なわれることを特徴とする
   、特許請求の範囲第７項から第１２項までのいずれか１
   項に記載のジカルコゲン化遷移金属より成る半導体層の
   製造法。 １５、濾去が、石英ガラスより成る焼結膜（７）を使用
   し行なわれることを特徴とする、特許請求の範囲第１４
   項記載のジカルコゲン化遷移金属より成る半導体層の製
   造法。 １６、結晶性半導体層（４）とメルト（２）との分離が
   、メルト（２）を側面に排出しかつ引続き昇華させるこ
   とにより行なわれることを特徴とする、特許請求の範囲
   第７項から第１２項までのいずれか１項に記載のジカル
   コゲン化遷移金属より成る半導体層の製造法。