JPS61104679A - 光導電体 - Google Patents
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/095—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation comprising amorphous semiconductors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、光導電体にかかり、特に、撮像管ターケ゛ッ
ト固体撮像装置、あるいけ電子写真用感光板等のイメ〜
ノデバイスに使用する、光導電体薄膜に関１−る。
ト固体撮像装置、あるいけ電子写真用感光板等のイメ〜
ノデバイスに使用する、光導電体薄膜に関１−る。
（従来例の構成とその間層点）
本発明者らは低暗電流で光感度を有する、非晶質水素化
シリコン（以下、ａＳｉ：Ｈと略す）により形成する光
導電膜を発明し特許出願した（特願昭５８−１６５０８
号）。それによれば上記光導電膜は、水素含有量・の多
い、広い禁市帯を有１−る非晶質水素化１−だ光導電膜
を、プロラギング層とすることが示され、それは反応性
スバ、り法如より実現されることを明らかにしている。
シリコン（以下、ａＳｉ：Ｈと略す）により形成する光
導電膜を発明し特許出願した（特願昭５８−１６５０８
号）。それによれば上記光導電膜は、水素含有量・の多
い、広い禁市帯を有１−る非晶質水素化１−だ光導電膜
を、プロラギング層とすることが示され、それは反応性
スバ、り法如より実現されることを明らかにしている。
捷だ、水素量の多い層は、正孔のプロ、キング層として
特に効菓があ蝋電子の注入を低減させるには、窒化シリ
コン又は酸化シリコンが有効であることを、特願昭５８
−１０５５１５号において明らかにした。
特に効菓があ蝋電子の注入を低減させるには、窒化シリ
コン又は酸化シリコンが有効であることを、特願昭５８
−１０５５１５号において明らかにした。
第１図は上記従来例を示す光導電体の基本構成を示す断
面図で、（１））図は（ａ）図の層形成順序を入替えた
ものである。１は導電性基体、２はａＳｉ：ＦＴを主成
分とする層（以下、主ａｓｉ：Ｈ層という）、３は窒化
シリコン層又は酸化シリコン層（以下、この両層を窒化
シリコン層に代表させて説明を簡単にする。なお、窒化
シリコンを５１２Ｎ４と記ず）である。主ａＳ ｉ ：
Ｈ層２には第１０ａＳｉ：Ｈ層４と、この層より水素含
有量の大きい第２のａｓｉ：Ｔ１層５とが、Ｓ ｔ 、
、Ｎ４層３から離れた界面に形成されており、この水素
含有量の大きい第２のａＳｉ：ＩＴ層５が、正孔のブロ
ッキング層、Ｓ １２ Ｎ４層３を、電子のブロッキン
グ層として動作するものである。
面図で、（１））図は（ａ）図の層形成順序を入替えた
ものである。１は導電性基体、２はａＳｉ：ＦＴを主成
分とする層（以下、主ａｓｉ：Ｈ層という）、３は窒化
シリコン層又は酸化シリコン層（以下、この両層を窒化
シリコン層に代表させて説明を簡単にする。なお、窒化
シリコンを５１２Ｎ４と記ず）である。主ａＳ ｉ ：
Ｈ層２には第１０ａＳｉ：Ｈ層４と、この層より水素含
有量の大きい第２のａｓｉ：Ｔ１層５とが、Ｓ ｔ 、
、Ｎ４層３から離れた界面に形成されており、この水素
含有量の大きい第２のａＳｉ：ＩＴ層５が、正孔のブロ
ッキング層、Ｓ １２ Ｎ４層３を、電子のブロッキン
グ層として動作するものである。
このような従来構造の光導電体は、蓄積型のイメージデ
バイスには高面１圧ｆ１、あろいｄ、光に対する応答性
に不足があり、改善する必要があった。
バイスには高面１圧ｆ１、あろいｄ、光に対する応答性
に不足があり、改善する必要があった。
（発明の目的）
本発明は上述の従来装置の欠点に鑑み、高耐圧化と尤に
７・１１′−ろ応答性を向」ニさせた光導電体のイガイ
（１、を目ｒ白とする。
７・１１′−ろ応答性を向」ニさせた光導電体のイガイ
（１、を目ｒ白とする。
Ｃ発明の構成）
本発明ｄ、導電（＜Ｉ： ７＋ｔ；体上に形成されたａ
Ｓｉ：Ｈを主成分と１−ろ層（主ａＳｉ：Ｈ層）及び、
５１２層４層（これは酸化シリコン層をも指すことは前
述のとおりである）からなる光導電体において、主ａｓ
ｉ：ＩＩ層を、中央層として設けろ第１のａＳｉ：１７
層にノ の′Ｗ而［に、この層よりアクセフブタ不純物を多く添
加Ｉ７．５１２層４層側界面に第３のａＳｉ：Ｈ層を設
け、このイじうθ’）ａＳｉ：Ｉｆ層とは反対側の界面
に第１のａＳｉ：１１層よりも水素含有量の大きい、第
２のａＳｉ：１１層を設けて構成したものである。
Ｓｉ：Ｈを主成分と１−ろ層（主ａＳｉ：Ｈ層）及び、
５１２層４層（これは酸化シリコン層をも指すことは前
述のとおりである）からなる光導電体において、主ａｓ
ｉ：ＩＩ層を、中央層として設けろ第１のａＳｉ：１７
層にノ の′Ｗ而［に、この層よりアクセフブタ不純物を多く添
加Ｉ７．５１２層４層側界面に第３のａＳｉ：Ｈ層を設
け、このイじうθ’）ａＳｉ：Ｉｆ層とは反対側の界面
に第１のａＳｉ：１１層よりも水素含有量の大きい、第
２のａＳｉ：１１層を設けて構成したものである。
（実施例の説明）
」す下、本発明を一実施例により詳細に説明する。
第２図（ｎ） 、 （１））はそれぞれ本発明の基本的
構成を示す断面図である。なお、（ａ）、 （ｂ）図は
各層の順序を互いに天地逆にｌ〜だものである。第２図
において２１は導電性基体、２２は主ａｓｉ：Ｈ層、２
３は８１２層４層、２４は主ａＳｉ：Ｈ層の中央層を形
成する第１のａＳｉ：Ｈ層、２５は第１のａｓｉ：Ｈ層
２４よりも水素含有量の大きな第２のａＳｉ：Ｈ層であ
る。寸だ符号２６は本発明において特徴の、第１のａＳ
ｉ：Ｈ層よシアクセシタ性不純物を、第１のａＳｉ：Ｈ
層２４より多く添加した第３のａＳｉ：Ｈであり、この
層は主ａｓｉ：Ｈ層２２のＳｉ２Ｎ４層２３側の界面に
形成されている。このアクセプタ性不純物を多く含むａ
Ｓｉ：Ｈ層２６は、従来構造の光導電体には存在せず、
このＪ：うに構成１−ることに」：り本発明は、電子の
注入がさらに抑制され、而・１圧の向上が得られる。１
だ、光導電体としての動作電１「が、より低電圧になり
長′波長に対１−る感度を高くすることができる。
構成を示す断面図である。なお、（ａ）、 （ｂ）図は
各層の順序を互いに天地逆にｌ〜だものである。第２図
において２１は導電性基体、２２は主ａｓｉ：Ｈ層、２
３は８１２層４層、２４は主ａＳｉ：Ｈ層の中央層を形
成する第１のａＳｉ：Ｈ層、２５は第１のａｓｉ：Ｈ層
２４よりも水素含有量の大きな第２のａＳｉ：Ｈ層であ
る。寸だ符号２６は本発明において特徴の、第１のａＳ
ｉ：Ｈ層よシアクセシタ性不純物を、第１のａＳｉ：Ｈ
層２４より多く添加した第３のａＳｉ：Ｈであり、この
層は主ａｓｉ：Ｈ層２２のＳｉ２Ｎ４層２３側の界面に
形成されている。このアクセプタ性不純物を多く含むａ
Ｓｉ：Ｈ層２６は、従来構造の光導電体には存在せず、
このＪ：うに構成１−ることに」：り本発明は、電子の
注入がさらに抑制され、而・１圧の向上が得られる。１
だ、光導電体としての動作電１「が、より低電圧になり
長′波長に対１−る感度を高くすることができる。
第３図はバンド特性図で（ａ）は本発明の、（１））は
比較のために示した前記従来例のもので、導電性基体１
に正の電圧を印加した場合である。（ａ）図から容易に
分イ）ように、本発明のようにＳ ｌ ２ Ｎ４層２３
との界面近傍に、アクセプタ性不純物を導入して、ａＳ
ｉ：１７層の界面近傍をＰ形導電雇とすると、電子の注
入が起りにくくなる。丑だ、光をＳ ｌ ２ Ｎ４層２
３から導入した場合、光によって生成されるキャリヤの
うち、特に正孔の移動が容易となり、これによって低電
ＬＦの動作が可能となる。さらに、長波長の光によって
Ｓ ｉ ２層４層２３から、より遠いａＳｉ：Ｈ層内部
で励起された電子正孔対も有効に光電流発生に寄り１−
１そのため長波長光に対する感度が増加する。以下、本
発明の具体的な実施例を説明１−る〇 実ｌｉｉ例１ 第４図（ａ）は本発明の第１の実施例図、（ｂ）図は比
較のために示した従来例の断面図である。
比較のために示した前記従来例のもので、導電性基体１
に正の電圧を印加した場合である。（ａ）図から容易に
分イ）ように、本発明のようにＳ ｌ ２ Ｎ４層２３
との界面近傍に、アクセプタ性不純物を導入して、ａＳ
ｉ：１７層の界面近傍をＰ形導電雇とすると、電子の注
入が起りにくくなる。丑だ、光をＳ ｌ ２ Ｎ４層２
３から導入した場合、光によって生成されるキャリヤの
うち、特に正孔の移動が容易となり、これによって低電
ＬＦの動作が可能となる。さらに、長波長の光によって
Ｓ ｉ ２層４層２３から、より遠いａＳｉ：Ｈ層内部
で励起された電子正孔対も有効に光電流発生に寄り１−
１そのため長波長光に対する感度が増加する。以下、本
発明の具体的な実施例を説明１−る〇 実ｌｉｉ例１ 第４図（ａ）は本発明の第１の実施例図、（ｂ）図は比
較のために示した従来例の断面図である。
７１：ず、（ａ）図において４１は単結晶シリコン基板
−１，に、ス・ぐツタ法によりＭｏ膜４２を形成した導
電性基体である。この導電性基体４１を２ Ｘ １０−
６ＴｏｒｒにＪシ１気したマグネトロン・ス・ぐツタ装
置中で２５＋１ ℃（ｆｃ保ち、多結晶シリコンをター
ケ）トドしく６） て、アルゴン圧力４．５ Ｘ Ｉ ０−３Ｔｏｒｒ、水
素ＬＦ力５ Ｘ ］ ０−４Ｔｏｒｒの雰囲気で、１
（１０Ｗの放電電力により、６０分間で水素含有量の多
い、厚さ０２〜０３１１ｍの第２のａＳｉ：Ｈ層４３を
形成し、連１ｌ−７１−シて放電電力を２００ＷＩ／Ｃ
して００分で、１５〜Ｌ８１１ｍの水素含有量の少ない
第１のａＳ ＋ ：ｌＩ ＪＱ ４４を形成１−る。次
に、アルゴン圧力を／１５×１Ｏ−３Ｔｏｒｒに保った
”ｉ ”！、 ５０（ｊ ｐｐｍのＩＩ、ＴＴ６（ジ
、１！ラン）を含む水素ガスを、圧力５ Ｘ Ｉ Ｏ’
ＴｏｒｒＯ）−、￥囲気下で２００Ｗの放電電力によ
って、１５分間で７／七ブタ件の不純物であろＢ（ホウ
素）ヲ含む第３のａ Ｓ １’、 ）（層４５を、０．
２〜０．３ ｔｒｍの厚さに形成し、続いて、表面を酸
素プラズマ中で酸化し酸化シリコン層４６を形成する。
−１，に、ス・ぐツタ法によりＭｏ膜４２を形成した導
電性基体である。この導電性基体４１を２ Ｘ １０−
６ＴｏｒｒにＪシ１気したマグネトロン・ス・ぐツタ装
置中で２５＋１ ℃（ｆｃ保ち、多結晶シリコンをター
ケ）トドしく６） て、アルゴン圧力４．５ Ｘ Ｉ ０−３Ｔｏｒｒ、水
素ＬＦ力５ Ｘ ］ ０−４Ｔｏｒｒの雰囲気で、１
（１０Ｗの放電電力により、６０分間で水素含有量の多
い、厚さ０２〜０３１１ｍの第２のａＳｉ：Ｈ層４３を
形成し、連１ｌ−７１−シて放電電力を２００ＷＩ／Ｃ
して００分で、１５〜Ｌ８１１ｍの水素含有量の少ない
第１のａＳ ＋ ：ｌＩ ＪＱ ４４を形成１−る。次
に、アルゴン圧力を／１５×１Ｏ−３Ｔｏｒｒに保った
”ｉ ”！、 ５０（ｊ ｐｐｍのＩＩ、ＴＴ６（ジ
、１！ラン）を含む水素ガスを、圧力５ Ｘ Ｉ Ｏ’
ＴｏｒｒＯ）−、￥囲気下で２００Ｗの放電電力によ
って、１５分間で７／七ブタ件の不純物であろＢ（ホウ
素）ヲ含む第３のａ Ｓ １’、 ）（層４５を、０．
２〜０．３ ｔｒｍの厚さに形成し、続いて、表面を酸
素プラズマ中で酸化し酸化シリコン層４６を形成する。
次にその表面にＩｎ２Ｏ３層４７をスｚｅ ７タ法で約
１．０１１ｍ形成してこれを電極とする。
１．０１１ｍ形成してこれを電極とする。
第５図は上記の実施例において、１０２０３層（電極）
４７を負極性の、Ｍｏ膜４２に１Ｆ極性の電圧を印加し
たときの、暗電流及び光電流を示したもので、実線で示
す５１．５２がそれぞれ暗電流及び光電流を示−４−、
なお、光電流５２は波長４ ：３５ ｎｍの０５μＷ／
ｌｙｒ＋ ０） 、ｆ ｋ照射したときのものである
。
４７を負極性の、Ｍｏ膜４２に１Ｆ極性の電圧を印加し
たときの、暗電流及び光電流を示したもので、実線で示
す５１．５２がそれぞれ暗電流及び光電流を示−４−、
なお、光電流５２は波長４ ：３５ ｎｍの０５μＷ／
ｌｙｒ＋ ０） 、ｆ ｋ照射したときのものである
。
第４図にかえって、（１））図は（ａ）図の本発明の実
施例との化Φつを示′１−ケ来例の構成を示しているが
、４’！７ｉ成の回じ部分ｋｌ−（ａ）図と同符号を用
いている。その他の符シ３．４ Ｂは（ａ）図の、水素
含有量の少ない第１のａＳｉ°］ＩＪ鰻４４と同し組成
層で、厚さを（ａ）図のアク士ソ°り＋ｌＩ不純物Ｂを
含むａＳｉ：Ｈ層４５までのｊ１／さにしたものである
。いいかえれば、（ｂ）図のａＳｉ：１１層４８の酸化
ンリコン層４６側界而に、アクセゾタ性不純物Ｂを含む
第３のａＳｉ：１１層を形成したものが、（ａ）１シ１
に示す本発明の構成である。この、１０うに、アクセゾ
タ性不純物Ｂを含むａＳｉ ：Ｈ層４５以夕１は同じに
した（ｂ）図の従来例について、本発明と条件を同じに
１〜た暗電流及び充電流特性は第５図の点？ｔ’ｒＮ
５ ：３ ＋ ５４のようになる。同図５１゜５２と比
軸して明らかなように、アクセグタ不純物を含む第：３
のａＳｉ：Ｈ層４５を有する本発明ｄ５、暗電流の減少
、低電圧印加時 の光電流の増加がみら才１ろ。
施例との化Φつを示′１−ケ来例の構成を示しているが
、４’！７ｉ成の回じ部分ｋｌ−（ａ）図と同符号を用
いている。その他の符シ３．４ Ｂは（ａ）図の、水素
含有量の少ない第１のａＳｉ°］ＩＪ鰻４４と同し組成
層で、厚さを（ａ）図のアク士ソ°り＋ｌＩ不純物Ｂを
含むａＳｉ：Ｈ層４５までのｊ１／さにしたものである
。いいかえれば、（ｂ）図のａＳｉ：１１層４８の酸化
ンリコン層４６側界而に、アクセゾタ性不純物Ｂを含む
第３のａＳｉ：１１層を形成したものが、（ａ）１シ１
に示す本発明の構成である。この、１０うに、アクセゾ
タ性不純物Ｂを含むａＳｉ ：Ｈ層４５以夕１は同じに
した（ｂ）図の従来例について、本発明と条件を同じに
１〜た暗電流及び充電流特性は第５図の点？ｔ’ｒＮ
５ ：３ ＋ ５４のようになる。同図５１゜５２と比
軸して明らかなように、アクセグタ不純物を含む第：３
のａＳｉ：Ｈ層４５を有する本発明ｄ５、暗電流の減少
、低電圧印加時 の光電流の増加がみら才１ろ。
実施例２
第６図は本発明の第２の実施例を示す断面図である。表
面を鏡面処理１〜だスティンレス基板６１上に、上述の
第１の実施例と同様の水素含有量の多い第２のａｓｉ：
Ｈ層６２を形成する。ただし形成条件は、アルゴン圧力
４Ｘ１（ｌ Ｔｏｒｒ、水素ＩＥ力Ｉ Ｘ １０
Ｔｏｒｒと′１−ろ以外は第１の実Ｍ１）例と同じとす
る。つづいてアルゴン圧力４．５ Ｘ １０ Ｔｏｒ
ｒ、水素圧力５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒの雰囲気中で放
電電力３００Ｗにより、４時間で５〜６１１ｍの水素含
有量の少ない第１のａＳ＋、’Ｈ層６３を形成する。
面を鏡面処理１〜だスティンレス基板６１上に、上述の
第１の実施例と同様の水素含有量の多い第２のａｓｉ：
Ｈ層６２を形成する。ただし形成条件は、アルゴン圧力
４Ｘ１（ｌ Ｔｏｒｒ、水素ＩＥ力Ｉ Ｘ １０
Ｔｏｒｒと′１−ろ以外は第１の実Ｍ１）例と同じとす
る。つづいてアルゴン圧力４．５ Ｘ １０ Ｔｏｒ
ｒ、水素圧力５ Ｘ １０ Ｔｏｒｒの雰囲気中で放
電電力３００Ｗにより、４時間で５〜６１１ｍの水素含
有量の少ない第１のａＳ＋、’Ｈ層６３を形成する。
次に、５００ ｐｐｍのＢ２Ｈ６を含む水素ガスＩＸＨ
）−’Ｔｏｒｒ、アルゴンガス４ Ｘ １０ Ｔｏｒ
ｒ中で、水素濃度が多く、しかもアクセノタ性の不純物
であろＢを含む第３０ａｓｉ：Ｈ層６４を０．２１１ｍ
形成する。さらに、アルゴン圧力ｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ
、窒素圧力２Ｘ １０ Ｔｏｒｒとし、放電電力４０
０ＷによりＳｉ２Ｎ４膜６５を、１００Ｘ以上形成する
。このようにして出来る光導電膜（感光膜）を、帯電試
験器を用いて一６ｋＶのコロナチャージャで帯電させた
結果、初期帯電電位及び暗減衰時間は表のようＩＣなっ
た。なお、比較のためＢを含む第３のａｓｉ°１１層６
４がない、従来例の同一条件による測定値を併ｔ１；シ
である。
）−’Ｔｏｒｒ、アルゴンガス４ Ｘ １０ Ｔｏｒ
ｒ中で、水素濃度が多く、しかもアクセノタ性の不純物
であろＢを含む第３０ａｓｉ：Ｈ層６４を０．２１１ｍ
形成する。さらに、アルゴン圧力ｌＸｌ０ Ｔｏｒｒ
、窒素圧力２Ｘ １０ Ｔｏｒｒとし、放電電力４０
０ＷによりＳｉ２Ｎ４膜６５を、１００Ｘ以上形成する
。このようにして出来る光導電膜（感光膜）を、帯電試
験器を用いて一６ｋＶのコロナチャージャで帯電させた
結果、初期帯電電位及び暗減衰時間は表のようＩＣなっ
た。なお、比較のためＢを含む第３のａｓｉ°１１層６
４がない、従来例の同一条件による測定値を併ｔ１；シ
である。
これにｊろと、初期帯電位、暗減衰ともに特性の改善が
みられる。光減衰特性は大差がなく良好である。捷だ、
正孔の飛程の増加に伴って、長波長感度は増加した。
みられる。光減衰特性は大差がなく良好である。捷だ、
正孔の飛程の増加に伴って、長波長感度は増加した。
第７図は」二連の第６図の実施例の各層の順序を逆に１
−たイ、のであて）。諸条件な第６図の場合と同じにし
て形成してできた膜を、電子写真の感光膜として使用１
−だところ正の帯電を示した。
−たイ、のであて）。諸条件な第６図の場合と同じにし
て形成してできた膜を、電子写真の感光膜として使用１
−だところ正の帯電を示した。
実施例３
第８図は第３の実施例を示す断面図である。ガラス基板
８１上に、室幅でＳｕＳをス・Ｐ、夕法によリ１．０
／７７７１の層８２を形成、その上に１係の円■５合−
含むＨガス］ ｍ Ｔｏｒｒ ％アルゴンガス４ ｍＴ
ｏｒｒｌｌ’で１００Ｗの放電電力で、リンドープの水
素含有量の多い第２のａＳｉ：Ｈ層８３ ｋ ０．５１
ｒｍ形成、次にＢ２ｌｌ６を２００ ｐｐｍ ｆ含む■
Ｉ２ガス０．５ ｍＴｏｒｒ、アルコ９ンガス４．５
ｍＴｏｒｒ中で、３ｎＯｗの放電電力で水素含有量の少
ない第１のａＳｉ：Ｔ（層８４を１μｍ形成し、続いて
、ｎ２■−ｒ６０．５ ％ ｋ含むＨ２ガス０、５ ｍ
Ｔｏｒｒ ％アルゴンガス４．５ ｍＴｏｒｒにして、
放電電力は同じく３００Ｗの１まで、ホウ素の高ドープ
層すなわち第３のａＳ ｉ ：Ｈ層８５を０５μｍ形成
し、続いてアルゴンガス１ ｍＴｏｒｒｓ Ｈ２ガス２
ｍＴｏｒｒ。
８１上に、室幅でＳｕＳをス・Ｐ、夕法によリ１．０
／７７７１の層８２を形成、その上に１係の円■５合−
含むＨガス］ ｍ Ｔｏｒｒ ％アルゴンガス４ ｍＴ
ｏｒｒｌｌ’で１００Ｗの放電電力で、リンドープの水
素含有量の多い第２のａＳｉ：Ｈ層８３ ｋ ０．５１
ｒｍ形成、次にＢ２ｌｌ６を２００ ｐｐｍ ｆ含む■
Ｉ２ガス０．５ ｍＴｏｒｒ、アルコ９ンガス４．５
ｍＴｏｒｒ中で、３ｎＯｗの放電電力で水素含有量の少
ない第１のａＳｉ：Ｔ（層８４を１μｍ形成し、続いて
、ｎ２■−ｒ６０．５ ％ ｋ含むＨ２ガス０、５ ｍ
Ｔｏｒｒ ％アルゴンガス４．５ ｍＴｏｒｒにして、
放電電力は同じく３００Ｗの１まで、ホウ素の高ドープ
層すなわち第３のａＳ ｉ ：Ｈ層８５を０５μｍ形成
し、続いてアルゴンガス１ ｍＴｏｒｒｓ Ｈ２ガス２
ｍＴｏｒｒ。
放電電力４ｎＯＷで５ＩＮＸ層８６ ′！Ｉ−０，１μ
ｍ形成し、この−にに、スノｅツタ法で透明電極Ｉ ｎ
２０３層８７を形成した。このように形成してソーラ
シーミ１）−タの光を照射すると、開放電圧０６０■が
得られた。ホウ素の高ドープの第３のａｓ＋：Ｈ層８５
の形成を省略した場合、開放電圧は０．５５ Ｖであっ
た。
ｍ形成し、この−にに、スノｅツタ法で透明電極Ｉ ｎ
２０３層８７を形成した。このように形成してソーラ
シーミ１）−タの光を照射すると、開放電圧０６０■が
得られた。ホウ素の高ドープの第３のａｓ＋：Ｈ層８５
の形成を省略した場合、開放電圧は０．５５ Ｖであっ
た。
以上具体的な実施例を示したが本発明は、反応性スパッ
タ法によると比較的容易に実現できるものであるが、Ｓ
ｌＴＴａを几１いるプラズマｃｖＤ ン１：や、イ」ン
ゾレーティング法等でも実施可能である。￥）だ、実ｌ
Ｋ１１例３に」♂いては、第１のａｓ＋：Ｈ層８４と第
３のａ Ｓ ＋ ：１１層８５の層に階段状にホウ素の
含有］１１を変化さぜたが、第２のａｓ＋：）１層８３
との界面から傾剣的ｒＣポウ素Ｍを増加しても良い。
タ法によると比較的容易に実現できるものであるが、Ｓ
ｌＴＴａを几１いるプラズマｃｖＤ ン１：や、イ」ン
ゾレーティング法等でも実施可能である。￥）だ、実ｌ
Ｋ１１例３に」♂いては、第１のａｓ＋：Ｈ層８４と第
３のａ Ｓ ＋ ：１１層８５の層に階段状にホウ素の
含有］１１を変化さぜたが、第２のａｓ＋：）１層８３
との界面から傾剣的ｒＣポウ素Ｍを増加しても良い。
々」、・、本発明においてアクセゾタ性不純物としてホ
ウ素の他に、］■族のＧａ ＋ Ａｔ＋ Ｉｎあるいは
■族のＺｎ 、 Ｃｄ 、 ｒｌｇも有効である。捷だ
、ドナー性不純物と１〜てｄＰの他に、■ノがのＡｓ
、 Ｓｌ）、■族の０９ Ｓ ｐ Ｓｃ ＋ ’ｒｅも
有効である。
ウ素の他に、］■族のＧａ ＋ Ａｔ＋ Ｉｎあるいは
■族のＺｎ 、 Ｃｄ 、 ｒｌｇも有効である。捷だ
、ドナー性不純物と１〜てｄＰの他に、■ノがのＡｓ
、 Ｓｌ）、■族の０９ Ｓ ｐ Ｓｃ ＋ ’ｒｅも
有効である。
（発明の効果）
以ト詳卸１１ｆＣ訂）、明して明らか々ように、本発明
の光導電体（ｔｄ、、電子の注入による暗電流の増加が
抑制され１、耐圧が向上し、寸た、光電流の飽和電圧も
、より低電圧動ｒ「が可能である。さらに従来、基礎吸
収端より長波長の光に」二って、光導電体内部で励起さ
）］、ていたキャリヤが、正孔の飛程の増加に伴い電ｉ
ｔで到達し、長波長感度も増加するなど種々の特長があ
り、固体撮像管のターケゝットあるいは、電子写真用感
光板等のイメーノデバイスとして用いて価値が大きい。
の光導電体（ｔｄ、、電子の注入による暗電流の増加が
抑制され１、耐圧が向上し、寸た、光電流の飽和電圧も
、より低電圧動ｒ「が可能である。さらに従来、基礎吸
収端より長波長の光に」二って、光導電体内部で励起さ
）］、ていたキャリヤが、正孔の飛程の増加に伴い電ｉ
ｔで到達し、長波長感度も増加するなど種々の特長があ
り、固体撮像管のターケゝットあるいは、電子写真用感
光板等のイメーノデバイスとして用いて価値が大きい。
第１図は従来例の基本的構成を示す断面図、第２図は本
発明の基本的構成を示す断面図、第３図はバンド特性図
、第４図（ａ＞ ｌｄ本発明の第１の実施例を示す断面
図、同（ｂ）図は従来例の側面図、第５図は、第４図（
ａ）及び（’ｂ）の特性を示す図、第６図は第２の実施
例を示す断面図、第７図は第２の実施例の変形例を示す
断面図、第８図は第３の実施例の断面図である。 １．２１，４］、６１，８］・・・導電性基体、２゜２
２ ・・・主ａＳ ｉ ：Ｈ層、３．２３，４６，６５
．８６・・・窒化シリコン捷たは酸化シリコン層、４，
２４゜４４ 、６３ 、８４−・・第１のａＳ ｉ ：
Ｈ層、５，２５゜４３ 、６２ 、８３−・・第２．の
ａＳ ｉ ：Ｔ（層、２６，４５゜６４ 、８５ ・・
・第３のａＳｉ：Ｈ層、４７ 、８７ ・・・Ｉｎ２Ｏ
３層（透明電極）。 −ａ７１゜ 第１図 第２図 第３図 下 ４ 又 （ｂ） 第５図 第６図 第７図 第８図
発明の基本的構成を示す断面図、第３図はバンド特性図
、第４図（ａ＞ ｌｄ本発明の第１の実施例を示す断面
図、同（ｂ）図は従来例の側面図、第５図は、第４図（
ａ）及び（’ｂ）の特性を示す図、第６図は第２の実施
例を示す断面図、第７図は第２の実施例の変形例を示す
断面図、第８図は第３の実施例の断面図である。 １．２１，４］、６１，８］・・・導電性基体、２゜２
２ ・・・主ａＳ ｉ ：Ｈ層、３．２３，４６，６５
．８６・・・窒化シリコン捷たは酸化シリコン層、４，
２４゜４４ 、６３ 、８４−・・第１のａＳ ｉ ：
Ｈ層、５，２５゜４３ 、６２ 、８３−・・第２．の
ａＳ ｉ ：Ｔ（層、２６，４５゜６４ 、８５ ・・
・第３のａＳｉ：Ｈ層、４７ 、８７ ・・・Ｉｎ２Ｏ
３層（透明電極）。 −ａ７１゜ 第１図 第２図 第３図 下 ４ 又 （ｂ） 第５図 第６図 第７図 第８図
Claims (3)
- （１）導電性基体上に形成された非晶質水素化シリコン
を主成分とする層、及び窒化シリコン層または酸化シリ
コン層からなる光導電体において、上記非晶質水素化シ
リコンを主成分とする層を、第１の非晶質水素化シリコ
ン層を中央層とし、この層の上記窒化シリコン層または
酸化シリコン側の界面に、前記中央層よりアクセプタ性
不純物濃度の大きな第３の非晶質水素化シリコン層を形
成させ、また前記第３の非晶質水素化シリコン層側とは
反対側の界面に、前記第１の非晶質水素化シリコン層よ
り水素含有量の多い、第２の非晶質水素化シリコン層を
形成させることにより構成したことを特徴とする光導電
体。 - （２）第１及び第２の非晶質水素化シリコン層の少なく
とも一方に、ドナー性不純物を含めたことを特徴する特
許請求の範囲第（１）項記載の光導電体。 - （３）第２の非晶質水酸化シリコン層の水素濃度を、第
１の非晶質水酸化シリコン層の水素濃度より大としたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の光導電
体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59225693A JPS61104679A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | 光導電体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59225693A JPS61104679A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | 光導電体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61104679A true JPS61104679A (ja) | 1986-05-22 |
Family
ID=16833310
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59225693A Pending JPS61104679A (ja) | 1984-10-29 | 1984-10-29 | 光導電体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61104679A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990007195A1 (en) * | 1988-12-14 | 1990-06-28 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Adhered type photoelectric conversion element |
-
1984
- 1984-10-29 JP JP59225693A patent/JPS61104679A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1990007195A1 (en) * | 1988-12-14 | 1990-06-28 | Kanegafuchi Chemical Industry Co., Ltd. | Adhered type photoelectric conversion element |
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