JPS61104388A - Defective loop data processing method of magnetic bubble memory device - Google Patents
Defective loop data processing method of magnetic bubble memory deviceInfo
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- JPS61104388A JPS61104388A JP59220449A JP22044984A JPS61104388A JP S61104388 A JPS61104388 A JP S61104388A JP 59220449 A JP59220449 A JP 59220449A JP 22044984 A JP22044984 A JP 22044984A JP S61104388 A JPS61104388 A JP S61104388A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は磁気バブルメモリデバイスの不良ループデータ
処理方法に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to a method for processing defective loop data in a magnetic bubble memory device.
磁気バブルメモリデバイスには、複数のブロックをまと
めて1つのチップとして構成されるものがある。この場
合、各ブロックには、周知の如く、複数のマイナールー
プと、いずれのマイナーループが不良かを記憶している
1つのブートループとが含まれる。Some magnetic bubble memory devices are constructed by combining a plurality of blocks into one chip. In this case, each block includes a plurality of minor loops and one boot loop that stores which minor loop is defective, as is well known.
第2図に4メガビツトのチップの構成例を示す。FIG. 2 shows an example of the configuration of a 4 megabit chip.
図示の如く、4メガビツトのチップ1は各々が1メガビ
ツトの容量を持つ4つのブロック#0〜#3を結合して
構成されており、ブロック#0〜#3はそれぞれ、図に
斜線で示すブートループBL(10)〜B L (13
)を備えている。As shown in the figure, a 4-megabit chip 1 is constructed by combining four blocks #0 to #3, each having a capacity of 1 megabit, and each block #0 to #3 is a boot block indicated by diagonal lines in the figure. Loop BL (10) to BL (13
).
第3図は第2図に示した周知の磁気バブルメモリデバイ
スの1ブロツク#0を示す回路図である。FIG. 3 is a circuit diagram showing one block #0 of the well-known magnetic bubble memory device shown in FIG.
同図において、ML(0)、ML(1)、−、ML(5
83)はマイナーループであり、各有効マイナーループ
は2048ビツトのバブルを含み得、従って1メガビツ
トのデバイスは2048ページで構成され、こうして1
メガビツトのデバイスが構成されている。BL (10
)はブートループであって、584本のマイナーループ
ML(0)、ML(11,−・、 M L (583)
のいずれが不良であるかを記憶している。また、RMJ
は読出しメジャーライン、WMJは書込みメジャーライ
ン、RGはレプリケートゲート、SWはスワップゲート
、BRGばブートレプリケートゲート、BSGはブート
スワップゲート、DETはディテクタ、GENはジェネ
レータ、XCはX駆動コイル、YCはY駆動コイル、E
Cは消去コイルであり、これらはすべて周知である。他
のブロック#1〜#3も#Oと同様の構成である。In the same figure, ML(0), ML(1), -, ML(5
83) is a minor loop, each effective minor loop can contain a bubble of 2048 bits, so a 1 Mbit device consists of 2048 pages, thus 1
Megabit devices are configured. BL (10
) is a boot loop with 584 minor loops ML(0), ML(11,-., ML(583)
It remembers which one is defective. Also, RMJ
is the read major line, WMJ is the write major line, RG is the replicate gate, SW is the swap gate, BRG is the boot replicate gate, BSG is the boot swap gate, DET is the detector, GEN is the generator, XC is the X drive coil, YC is the Y Drive coil, E
C is a cancellation coil, all of which are well known. Other blocks #1 to #3 also have the same configuration as #O.
従来の不良ループデータ処理方法を第5図により説明す
る。第5図に示すように、従来は各ブロックに対するア
クセスが行われる毎に、そのアクセスの最初にそのブロ
ックのブートループに記憶されている不良ループデータ
をRAM (図示せず)に格納している。例えば図示の
如<、磁気バブルメモリデバイス1に対するアクセスが
、ブロック# 0 、7’ロック#2.プロ・ツク#0
.ブロック#1、ブロック#3という順になされる場合
、ステップAでブロック#0のブートループB L (
110)に記t0されている不良ループデータを上記R
AMに読出し、次いでコントローラ(図示せず)がこれ
を管理しながらマイナーループM L (0)〜ML(
583) (第3図)のうち不良ループを除くループ
の必要なデータをホストシステムに読出す。次にステッ
プBで、ブロック#2のブートループB L(112)
から不良ループデータを上記RAMに書込んだ後、ブロ
ック#2の必要なデータを上記と同様にホストシステム
に読出す。この後、ステップCで再びブロック#0をア
クセスするが、ブロック#0のブートループB L (
110)のデータは既にブートループB L (#2)
によって上記RAM上で書き替えられているので、再び
ブートループB L (110)のデータを読出してR
AMに格納する手順が必要となる。A conventional defective loop data processing method will be explained with reference to FIG. As shown in FIG. 5, conventionally, each time a block is accessed, the defective loop data stored in the boot loop of that block is stored in a RAM (not shown) at the beginning of the access. . For example, as shown in the figure, access to the magnetic bubble memory device 1 is performed on block #0, 7'lock #2. Pro Tsuk #0
.. When block #1 and block #3 are executed in this order, in step A, the boot loop B L (
The defective loop data written in t0 in 110) is
A controller (not shown) manages the minor loop M L (0) to ML (
583) Read out the necessary data of the loops excluding the defective loop (FIG. 3) to the host system. Next, in step B, the boot loop B L (112) of block #2
After writing the defective loop data to the RAM, the necessary data of block #2 is read out to the host system in the same manner as above. After this, block #0 is accessed again in step C, but the boot loop B L (
110) data is already in the boot loop B L (#2)
Since it has been rewritten on the RAM by
A procedure for storing it in AM is required.
ステ・ノブCでブートループB L (+10)の不良
ループデータを読出した後はブロック#Oの必要なデ、
−夕を読出し、次いでステップDでブロック#1の
不良ループデータ及び通常のデータを上記と同様に読出
し、ステップEでブロック#3の不良ループデータ及び
通常のデータをやはり上記と同様に読出す。After reading the defective loop data of the boot loop B L (+10) with the step knob C, read the necessary data of the block #O.
Then, in step D, the defective loop data and normal data of block #1 are read in the same manner as above, and in step E, the defective loop data and normal data of block #3 are read in the same manner as above.
上記の従来方法によれば、アクセスするブロック毎に不
良ループデータを対応するブートループから読出すよう
にしているので、1チツプ上の1つのブロックをアクセ
スした後、他のブロックをアクセスし、次いで再び上記
1つのブロックをアクセスするように、1つのブロック
を他のブロックに対するアクセスをはさんで複数回アク
セスする場合でも、その都度ブートループ上の不良ルー
プデータを読出さなければならず、不良ループデータの
読出し時間が長くかかるという問題点がある。According to the above conventional method, the defective loop data is read from the corresponding boot loop for each block to be accessed, so after accessing one block on one chip, other blocks are accessed, and then Even if one block is accessed multiple times with accesses to other blocks, such as accessing one block again, the defective loop data on the boot loop must be read each time, and the defective loop There is a problem that it takes a long time to read data.
本発明は上記の問題点を解決し、不良ループデータの読
出し時間を短縮することを目的とし、そのために、磁気
バブルメモリデバイスのチップに対する最初のアクセス
時に、全ブロックの不良ループデータをすべて読出して
全ブロックの不良ループデータを格納できるRAMに格
納し、次いでコントローラによる制御の下に各ブロック
の不良ループを除くマイナーループ上のデータを読出す
ようにして、1つのブロックに対するアクセスが複数回
に及んでも、ブートループに対する最初のアクセス以外
にブートループをアクセスする必要をなくした磁気バブ
ルメモリデバイスの不良ループデータ処理方法が提供さ
れる。An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems and shorten the reading time of defective loop data, and for this purpose, all defective loop data of all blocks are read out at the first access to a chip of a magnetic bubble memory device. One block is accessed multiple times by storing the bad loop data of all blocks in a RAM that can store it, and then reading out the data on minor loops other than the bad loops of each block under the control of the controller. However, a method for processing bad loop data in a magnetic bubble memory device is provided that eliminates the need to access the boot loop other than the first access to the boot loop.
〔作 用〕
全ブロックの不良ループデータを予めRAMに読出すの
で、各ブロックのアクセス毎に不良ループデータを読出
す必要はなくなり、不良ループデータの読出し時間は短
縮される。[Operation] Since the defective loop data of all blocks is read out to the RAM in advance, there is no need to read the defective loop data every time each block is accessed, and the time for reading the defective loop data is shortened.
本発明の一実施例を第1図及び第4図により説明する。 An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 4.
第1図は本発明の一実施例による不良ループデータ処理
方法を示す流れ図、第4図は第1図に示した方法を実施
するための装置を示すブロック図である。本実施例にお
いても、第2図に示した4メガビツトで1チツプを構成
する磁気バブルメモリデバイス1を使用するものとする
。FIG. 1 is a flowchart showing a method for processing bad loop data according to an embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a block diagram showing an apparatus for implementing the method shown in FIG. In this embodiment as well, it is assumed that the magnetic bubble memory device 1 shown in FIG. 2, which constitutes one chip with 4 megabits, is used.
第1図及び第4図において、ステップAで、ホストシス
テム5の制御の下に磁気バブルメモリデバイス1に対す
る最初のアクセス時に全ブロック#0〜#3のブートル
ープB L (#O)〜B L (13)に記憶されて
いる不良ループデータを全て続出し、直接周辺回路2及
び間接周辺回路(コントローラ)3及びデータ線りを介
してシリアルにRAM4に格納される。この場合、コン
トローラ3はタイミング制御線Tを介してRAM4に対
する書込みタイミングを制御する。RAM4は4ブロツ
ク分の不良ループデータを格納するだけの容量を持つ。1 and 4, in step A, during the first access to the magnetic bubble memory device 1 under the control of the host system 5, the boot loop of all blocks #0 to #3 is performed B L (#O) to B L All the defective loop data stored in (13) is outputted and serially stored in the RAM 4 via the direct peripheral circuit 2, indirect peripheral circuit (controller) 3, and data line. In this case, the controller 3 controls the write timing for the RAM 4 via the timing control line T. The RAM 4 has a capacity sufficient to store four blocks of defective loop data.
次いでステップBで、コントローラ3が不良ループデー
タを参照しながら、マイナーループML(0)〜M L
(583)の全部で2048ページうち不良ループを
除く全てのループのデータから必要なデータを読出して
、ホストシステム5に送出する。次いで、ステップCで
、従来の如くブロック#2から不良ループデータを読出
すことなく、直ちにブロック#2の通常のデータがホス
トシステム5に読出される。以下、ステップD、E及び
Fでも、不良ループデータはブロック#0.ブロック#
l及びブロック#3から読出されることなく、通常のデ
ータがホストシステム5に続出される。こうして、ブロ
ック#0が2回アクセスされるにも拘わらず、不良ルー
プデータの読込みは最初の1回で済む。Next, in step B, the controller 3 refers to the defective loop data and executes the minor loops ML(0) to ML.
(583), out of a total of 2048 pages, the necessary data is read out from the data of all loops excluding the defective loop and sent to the host system 5. Next, in step C, the normal data of block #2 is immediately read to the host system 5 without reading the defective loop data from block #2 as in the conventional case. Hereinafter, in steps D, E, and F, the defective loop data is block #0. block#
Normal data is continuously output to the host system 5 without being read from block #1 and block #3. In this way, even though block #0 is accessed twice, the defective loop data only needs to be read once the first time.
以上の実施例では1チツプを4ブロツクで構成した例に
ついて説明したが、本発明はこれに限らず、lチップが
任意の数のブロックで構成される場合についても勿論適
用可能である。また、プロ・ツク#0〜#3のいずれの
ブロックが複数回アクセスされる場合でも、本発明によ
る効果は同様に得られる。In the above embodiments, an example in which one chip is composed of four blocks has been described, but the present invention is not limited to this, and can of course be applied to a case in which one chip is composed of any number of blocks. Further, the same effects of the present invention can be obtained even if any of blocks #0 to #3 is accessed multiple times.
以上の説明から明らかなように、本発明によれば(■気
バブルメモリデバイスに対する最初のアクセス時に全ブ
ロックの不良ループデータを全て予め読出すようにした
ので、アクセスがブロック間にまたがる場合でもブート
ループ上の不良ループデータをその都度読出す必要はな
くなり、不良ループデータの続出し時間が短縮される。As is clear from the above explanation, according to the present invention, (■) All defective loop data of all blocks are read in advance at the first access to the bubble memory device, so even if the access spans between blocks, booting is possible. It is no longer necessary to read out defective loop data on a loop each time, and the time required to continuously read defective loop data is shortened.
特に、同一ブロックを複数回アクセスする場合でも、不
良ループデータの読込みは最初の1回で済む。In particular, even if the same block is accessed multiple times, the bad loop data only needs to be read the first time.
第1図は本発明の一実施による不良ループデータ処理方
法を示す流れ図、第2図は周知の4メガビツトの磁気バ
ブルメモリデバイスの構成例を示すブロック図、第3図
は第2図に示した磁気バブルメモリデバイスの1ブロツ
クを示す回路図、第4図は第1図に示した方法を実施す
るための装置を示すブロック図、そして第5図は従来の
不良ループデータ処理方法を示す流れ図である。
ML(0) 、 MLTI) 、−・・、ML(511
)・・・マイナーループ、2・・・直接周辺回路、
BL (#0) 、■(Ill) 、BL(j12)
、BL(13)・・・ブートループ、10、ltl、#
2.#3・・・ブロック、■・・・ 磁気バブルメモリ
デバイス、3・・・間接周辺回路、
4・・・RAM。
5・・・ホストシステム。FIG. 1 is a flowchart showing a method for processing defective loop data according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing an example of the configuration of a well-known 4-megabit magnetic bubble memory device, and FIG. FIG. 4 is a circuit diagram showing one block of a magnetic bubble memory device; FIG. 4 is a block diagram showing an apparatus for carrying out the method shown in FIG. 1; and FIG. 5 is a flow chart showing a conventional defective loop data processing method. be. ML(0), MLTI), -..., ML(511
)... Minor loop, 2... Direct peripheral circuit, BL (#0), ■ (Ill), BL (j12)
, BL(13)...boot loop, 10, ltl, #
2. #3...Block, ■...Magnetic bubble memory device, 3...Indirect peripheral circuit, 4...RAM. 5...Host system.
Claims (1)
いずれのマイナーループが不良かを記憶するブートルー
プとを備えた磁気バブルメモリデバイスを複数ブロック
用意し、 該複数ブロックのいずれか1つに対するアクセスが該複
数ブロックに対する最初のアクセスである場合、該複数
ブロックのすべてのブートループから不良ループデータ
を読出してRAMに格納し、次いで該複数ブロックの各
々のマイナーループ上のデータを読出し、 この場合、既に該RAMに格納されている不良ループデ
ータに基づいて不良マイナーループからのデータは読出
さないようにすることを特徴とする磁気バブルメモリデ
バイスの不良ループデータ処理方法。[Claims] 1. Prepare a plurality of blocks of magnetic bubble memory devices each including a plurality of minor loops and a boot loop for storing which minor loop among the minor loops is defective, and If the access to any one is the first access to the plurality of blocks, the bad loop data is read from all the boot loops of the plurality of blocks and stored in RAM, and then the data on the minor loops of each of the plurality of blocks is read. A method for processing defective loop data in a magnetic bubble memory device, characterized in that: in this case, data from a defective minor loop is not read out based on defective loop data already stored in the RAM.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59220449A JPS61104388A (en) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | Defective loop data processing method of magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59220449A JPS61104388A (en) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | Defective loop data processing method of magnetic bubble memory device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS61104388A true JPS61104388A (en) | 1986-05-22 |
Family
ID=16751290
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59220449A Pending JPS61104388A (en) | 1984-10-22 | 1984-10-22 | Defective loop data processing method of magnetic bubble memory device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS61104388A (en) |
-
1984
- 1984-10-22 JP JP59220449A patent/JPS61104388A/en active Pending
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