JPS609891A - Copper electrodeposition - Google Patents

Copper electrodeposition

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JPS609891A
JPS609891A JP59119716A JP11971684A JPS609891A JP S609891 A JPS609891 A JP S609891A JP 59119716 A JP59119716 A JP 59119716A JP 11971684 A JP11971684 A JP 11971684A JP S609891 A JPS609891 A JP S609891A
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copper
copper plating
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electrodeposition
solution
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ダニエル・ジエイ・コウムス
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OMI International Corp
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D3/00Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38Electroplating: Baths therefor from solutions of copper

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  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明の方法は、広義には導電性素地上に銅皮膜を電着
せしめる方法に関し、さらに詳しくは本発明の方法は印
刷用の輪転グラビア円筒の電気8− めっき方法に関し、引き続く機械彫刻に著しく好適なエ
ンジニアリング用銅めっき膜を提供する方法に関する。
Detailed Description of the Invention [Industrial Application Field] The method of the present invention relates in a broad sense to a method of electrodepositing a copper film on a conductive substrate, and more specifically, the method of the present invention relates to a method of electrodepositing a copper film on a conductive substrate. Electroplating of Cylinders 8 - Concerning a method for providing an engineering copper plating film which is highly suitable for subsequent mechanical engraving.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来、引き続いての彫刻を可能ならしめるのに十分な程
度の膜厚で輪転グラビア円筒の表面に銅めっき膜を析出
させるために、各種の銅めっき浴組成物及び方法が採用
されてきた。明るい装飾用銅めっきを析出させるのに用
いる銅めっき浴は、平滑で延性のある銅めっきを生成す
るが、析出したあとの銅皮膜が自己アニーリング性なの
で、めっき工程のあとで該皮膜が著しく軟化して、ダイ
ヤモンド尖筆を用いるような1.機械彫刻に対しては不
適当な皮膜になるという欠点がある。別法として、自己
アニーリング性のない銅めっき浴が使用されているが、
かかる銅めっきは、曇って、つやのない外観を有し、平
滑性に乏しいので機械的に研磨して、次ぎの彫刻に適す
るように表面仕上げをする必要がある。
In the past, various copper plating bath compositions and methods have been employed to deposit a copper plating film on the surface of a rotogravure cylinder at a thickness sufficient to permit subsequent engraving. The copper plating baths used to deposit bright decorative copper platings produce smooth, ductile copper platings, but the self-annealing nature of the deposited copper film results in significant softening of the film after the plating process. 1. Like using a diamond stylus. The drawback is that it results in a coating that is unsuitable for mechanical engraving. Alternatively, non-self-annealing copper plating baths have been used;
Such copper plating has a cloudy, dull appearance and poor smoothness and must be mechanically polished to provide a surface finish suitable for subsequent engraving.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

〔発明の構成〕 〔問題点を解決するだめの手段〕 この発明の利益と有利性は、ある種の組成をもった水性
・酸性銅めっき浴を使用すると、ある操業条件のもとで
は非常に平滑で延性があり、光輝があって実質的に均一
な硬さをもつエンジニアリング用鋼めっき膜を生成させ
ることができ、この銅めっき膜は自己アニーリング性が
ないのでめっき工程に引き続いて長期間、その硬度を保
つために機械彫刻その他によって該銅めっきを彫刻する
ことができるという事実の発見に基づいている。
[Structure of the Invention] [Means for Solving the Problems] The benefits and advantages of the present invention are such that under certain operating conditions, the benefits and advantages of the present invention are extremely An engineering steel coating can be produced that is smooth, ductile, bright, and of substantially uniform hardness; the copper coating is not self-annealing and can be used for long periods of time following the plating process. It is based on the discovery of the fact that the copper plating can be engraved by mechanical engraving or otherwise in order to preserve its hardness.

この銅めっき浴は、素地上に銅を析出せしめるのに十分
な量の銅成分と、次の(1) 、 (21及び(3)が
包含される浴可溶性・相溶性有機光沢剤の一定の組み合
わせ成分とを含有する水性・酸性溶液から成っている: (1) 有機ポリエーテル化合物及びこれらの混合物; (2) 有機硫化物化合物及びこれらの混合物;並びに (3) 次の(A) 、 (B)及び(G)から成る群
のそれぞれから選択される少なくとも一つの化合物:(
A) 次の一般式Aに概当する化合物。
This copper plating bath contains a copper component in an amount sufficient to deposit copper on the substrate, and a certain amount of a bath-soluble/compatible organic brightener including the following (1), (21) and (3). (1) organic polyether compounds and mixtures thereof; (2) organic sulfide compounds and mixtures thereof; and (3) the following (A), ( At least one compound selected from each of the group consisting of B) and (G): (
A) A compound roughly corresponding to the following general formula A.

(B) 次の一般式Bに相当する置換フタロシアニ11
− ン化合物。
(B) Substituted phthalocyanine 11 corresponding to the following general formula B
- compound.

Pc−(X) 一般式B (G) 四級窒素原子を有するアルキル化ポリエチレン
イミン反応生成物並びに: (A) 、 (B)及び(
(3)の混合物。
Pc-(X) General formula B (G) Alkylated polyethyleneimine reaction product having a quaternary nitrogen atom and: (A) , (B) and (
(3) mixture.

12− この水性・酸性めっき浴中の有機光沢剤は、ポリエーテ
ル化合物濃度が約0.00f〜約511/lの範囲内、
有機硫化物化合物濃度が約0.0005〜約111/L
、及び3種又はそれ以上の混合物としてのグループ(3
)に属する光沢剤濃度が少なくとも約25 W/lない
し約0.5F//を以下になるような量で含まれている
12- The organic brightener in the aqueous/acidic plating bath has a polyether compound concentration in the range of about 0.00f to about 511/l;
Organic sulfide compound concentration is about 0.0005 to about 111/L
, and a group as a mixture of three or more (3
) in an amount such that the brightener concentration is at least about 25 W/l and less than or equal to about 0.5 F/l.

本発明の方法の提案では、この水性・酸性銅めっき浴は
約60°〜約100〒(16〜38℃)で用い、カソー
ド電流密度は少なくとも約6OASF (6,4A/D
mi)であって約300 ASF (32A / Dm
’ )以下又はそれ以上であって少なくとも約0.00
1インチ(0,025α)膜厚のエンジニアリング用銅
皮膜が析出するようにする。整合アノード又は複数のア
ノードを用いて約6OASF (6,4k/Dtr? 
)以下の低電流密度領域が発生しないようにし、これに
よってさらに素地上に実質的に均一な膜厚の銅が析出す
るようにする。
In the proposed method of the present invention, the aqueous acidic copper plating bath is used at a temperature of about 60° to about 100°C (16-38°C) and a cathode current density of at least about 6OASF (6,4A/D
mi) and approximately 300 ASF (32A/Dm
) or less than or equal to at least about 0.00
A 1 inch (0.025α) thick engineering grade copper coating is deposited. Approximately 6OASF (6,4k/Dtr?) using matched anodes or multiple anodes.
) to prevent low current density regions from occurring, which further ensures that a substantially uniform thickness of copper is deposited on the substrate.

〔好ましい実施態様の記載〕[Description of preferred embodiments]

本発明の方法を実施するには、典型例として約180〜
約2501!/lの硫酸銅、及び約30〜約80g/l
の硫酸を含む硫酸塩型の水性・酸性めっき浴を準備する
。変形として典型例として約200〜約600g/lの
フン化ホウ素酸銀及び約6097を以下のフッ化ホウ素
酸を含むフン化ホウ素酸塩型の浴を準備してもよい。ま
た硫酸銅に対して約当量割合の硝酸銅又は銅スルファメ
ート塩を用いて、当量のりん酸、硝酸、スルファミン酸
又は硫酸で浴を酸性化してもよい。本発明の好ましい実
施態様においては硫酸塩型銅浴を用いた。
To practice the method of the invention, typically from about 180 to
About 2501! /l copper sulfate, and about 30 to about 80 g/l
Prepare a sulfate type aqueous/acid plating bath containing sulfuric acid. Alternatively, a fluoroborate type bath may be prepared, typically containing about 200 to about 600 g/l of silver fluoroborate and about 6097 g/l of fluoroboric acid. The bath may also be acidified with an equivalent amount of phosphoric acid, nitric acid, sulfamic acid or sulfuric acid using copper nitrate or copper sulfamate salt in about an equivalent proportion to copper sulfate. In a preferred embodiment of the invention, a sulfate type copper bath was used.

この水性めっき浴には、さらに塩素及び/又は臭素イオ
ンのようなハロゲンイオンを約0.297を以下の量で
含むこともできる。0.2EI/を以上のハロゲンイオ
ン濃度では、ある場合には銅めつき膜の延性が低下する
ので好ましくない。
The aqueous plating bath may further contain halogen ions, such as chlorine and/or bromide ions, in amounts up to about 0.297. A halogen ion concentration of 0.2 EI/or more is not preferable because the ductility of the copper-plated film decreases in some cases.

所望する好ましい膜物性を有すると同時に、自己アニー
リング性がないというユニークな特性は、前記したよう
な型の有機光沢剤の特殊な組み合わせを用いることによ
って達成される。好ましい有機ポリエーテル化合物は少
なくとも4個のエーテル性酸素と、平均分子量が約18
0〜1,000,000の浴可溶性で相溶性のポリエー
テルである。ポリプロピレングリコール及びポリエチレ
ングリコール並びに平均分子量約600〜約6,000
のこれらの混合物、平均分子量約300〜2500の芳
香族アルコールアルコキシレート及び平均分子量約10
00〜約50.000のアミンのアルコキシレートを用
いると特に満足な結果が得られる。満足できるポリエー
テル光沢化合物を例示すると、平均分子量約400〜約
1,000,000のポリエチレンクリコール;エチレ
ンオキシド基5〜45モルを含むナフトールエトキシレ
ート;プロピレンオキシド基5〜15モルを含むナフト
ールプロポキシレート;エチレンオキシド基5〜30モ
ルヲ含trノニルフェノールエトキシレート;平均分子
量約350〜約1,000のプロピレングリコール;平
均分子量約350〜250,000のポリオキシエチレ
ン・ポリオキシプロピレンクリコールのブロックポリマ
ー;エチレンオキシド基5〜100モルを含むフェノー
ルエトキシレート;プロピレンオキシド基5〜15モル
を含むフェノールプロポキシレート及び平均分子量約1
600〜約30,000のエチレンジアミンブロックポ
リマーが挙げられ15− る。その他のポリエーテル化合物としては、米国特許第
4,272,335号公報に開示のようなものがあり、
\ これらも有用である。
The unique property of not self-annealing while having the desired favorable film physical properties is achieved by using a special combination of organic brighteners of the type described above. Preferred organic polyether compounds have at least 4 etheric oxygen atoms and an average molecular weight of about 18
0 to 1,000,000 bath-soluble and compatible polyethers. Polypropylene glycol and polyethylene glycol and average molecular weight of about 600 to about 6,000
A mixture of these aromatic alcohol alkoxylates having an average molecular weight of about 300 to 2,500 and an average molecular weight of about 10
Particularly satisfactory results are obtained with alkoxylates of amines ranging from 0.00 to about 50.000. Examples of satisfactory polyether luster compounds include: polyethylene glycols having an average molecular weight of about 400 to about 1,000,000; naphthol ethoxylates containing from 5 to 45 moles of ethylene oxide groups; naphthol propoxylates containing from 5 to 15 moles of propylene oxide groups. ; tr-nonylphenol ethoxylate containing 5 to 30 moles of ethylene oxide group; propylene glycol having an average molecular weight of about 350 to about 1,000; block polymer of polyoxyethylene/polyoxypropylene glycol having an average molecular weight of about 350 to 250,000; ethylene oxide group Phenol ethoxylates containing from 5 to 100 moles; Phenol propoxylates containing from 5 to 15 moles of propylene oxide groups and having an average molecular weight of about 1
600 to about 30,000 ethylenediamine block polymers. Other polyether compounds include those disclosed in U.S. Pat. No. 4,272,335,
\ These are also useful.

このポリエーテル光沢剤の使用量は約0.001〜約5
11/lの範囲であって、分子量が高くなる程、低濃度
で使用するのが一般的である。
The amount of polyether brightener used is about 0.001 to about 5
11/l, and the higher the molecular weight, the lower the concentration is generally used.

本発明の浴に用いて有効な有機硫化物光沢化合物(2)
には、米国特許第3,267,010号公報に記載のよ
うな種々の有機硫化物スルホン酸化合物、特に同明細書
第1表に挙げられているもの;米国特許第4.181,
582号公報の第■表に挙げられているような有機硫黄
化合物;及び米国特許第3,328,273号の第1表
の有機ポリ硫化物化合物が包含される。
Organic sulfide brightening compound (2) effective for use in the bath of the present invention
Various organosulfide sulfonic acid compounds such as those described in U.S. Pat. No. 3,267,010, particularly those listed in Table 1 of that specification; U.S. Pat.
Included are organic sulfur compounds such as those listed in Table 1 of the '582 publication; and organic polysulfide compounds as listed in Table 1 of US Pat. No. 3,328,273.

スルホン基又はホスホン基を有する有機硫化物化合物は
また、その分子中、特にその芳香族及び異節環硫化物−
スルホン酸又はホスホン酸上にメチル、クロロ、ブロモ
、メトキシ、エトキシ、カルボキシ又はヒドロキシのよ
うな各種の置換基が含まれていてもよい。これらの化合
物は遊離酸、アルカリ金属塩、有機アミン塩又はその他
の形態−16= で使用される。
Organic sulfide compounds having sulfonic or phosphonic groups may also contain in their molecules, especially their aromatic and heterocyclic sulfides.
Various substituents may be included on the sulfonic acid or phosphonic acid such as methyl, chloro, bromo, methoxy, ethoxy, carboxy or hydroxy. These compounds are used in the form of free acids, alkali metal salts, organic amine salts or other forms.

好適な他の有機2価硫黄化合物中には、HO,P−(C
tH2)3−8−8−(OH,)3−PO,H,並びに
メルカプタン、チオカルバメート、チオールカルバメー
ト、チオゼンセート及び少なくともスルホン基又はホス
ホン基を1個有するチオカルボネートが包含される。
Other suitable organic divalent sulfur compounds include HO, P-(C
tH2)3-8-8-(OH,)3-PO,H, as well as mercaptans, thiocarbamates, thiol carbamates, thiozensates and thiocarbonates having at least one sulfonic or phosphonic group.

米国特許第3,328,273号公報に記載されていて
、特に好ましい有機2価硫黄化合物群は、一般式%式% 及びR2は炭素数1〜6の同種又は異種のアルキレン基
、Xは水素、So、H又はPO3Hであシ、nは約2〜
5の数である〕で示される有機ポリ硫化物化合物である
。これらの有機2価硫黄化合物は、少なくとも2個の2
価硫黄原子が隣接していて、分子中に1個又は2個の末
端スルホン酸基又はホスホン酸基を有する脂肪族ポリ硫
化物である。分子のアルキレン部分は、メチル、エチル
、クロロ、ブロモ、エトキシ、ヒドロキシ及びその他の
基で置換されていてもよい。これらの化合物は遊離酸又
はアルカリ金属塩又はアミン塩として添加できる。
A particularly preferred group of organic divalent sulfur compounds described in U.S. Pat. , So, H or PO3H, n is about 2~
It is an organic polysulfide compound represented by the number 5]. These organic divalent sulfur compounds contain at least two divalent sulfur compounds.
It is an aliphatic polysulfide having adjacent valent sulfur atoms and one or two terminal sulfonic acid groups or phosphonic acid groups in the molecule. The alkylene portion of the molecule may be substituted with methyl, ethyl, chloro, bromo, ethoxy, hydroxy, and other groups. These compounds can be added as free acids or alkali metal or amine salts.

この有機硫化物光沢化合物又はこれらの混合物は浴中で
約0.0005〜約I El/lの濃度範囲で含まれて
いる。
The organic sulfide brightening compound or mixture thereof is included in the bath at a concentration ranging from about 0.0005 to about I El/l.

ポリエーテル化合物(11及び硫化物化合物(2)から
成る光沢剤に加えて、このめっき浴はさらに必須の光沢
剤として化合物(A) 、 (B) 、及び(G)から
成る少なくとも三種の光沢化合物(3)を含有している
。一般式Aに相当する光沢化合物(A)は典型的には米
国特許第2,882,209号公報、特にその第■表に
記載のものである。かかる光沢剤の代表としては、ジエ
チルサフラニンアゾジメチルアニリン−Janus G
re−en B、 ’)エチルサフラニンアゾフェノー
ル=Ja−nus Black、サフラニンアゾナフト
ール−JanusBlue、Janus Gray (
C1olor Index 137.5ociety 
of Dyers &Co1ourists、 by 
F、M、 Rowe、 (1924))、ジメチルサフ
ラニンアゾジメチルアニリン、フエノサフラニン、Fu
chsia、 Amethystバイオレットその他で
ある。
In addition to the brighteners consisting of the polyether compound (11) and the sulfide compound (2), this plating bath also contains as essential brighteners at least three brightening compounds consisting of the compounds (A), (B) and (G). (3). Gloss compounds (A) corresponding to general formula A are typically those described in U.S. Pat. Representative agents include diethylsafranine azodimethylaniline - Janus G
re-en B, ') Ethyl safranin azophenol = Ja-nus Black, Safranin azonaphthol - Janus Blue, Janus Gray (
C1olor Index 137.5ociety
of Dyers & Colourists, by
F. M. Rowe, (1924)), dimethylsafranine, azodimethylaniline, phenosafranine, Fu
chsia, Amethyst violet and others.

一般式Bに相当する光沢剤は置換フタロシアニン基から
成り、この基は金属を伴わないものでもよく、又は分子
中のイソインドール窒素原子の配位によって結ばれてい
る2価又は3価の安定な金属を含んでいるものでもよく
、該金属としてはコバルト、ニッケル、クロム、鉄又は
銅並び如これらの混合物から選択されたものであって、
なかでも銅が典型的な好ましい金属である。
Brighteners corresponding to general formula B consist of substituted phthalocyanine groups, which may be metal-free or are divalent or trivalent stable groups linked by coordination of the isoindole nitrogen atoms in the molecule. It may contain a metal selected from cobalt, nickel, chromium, iron or copper, and mixtures thereof,
Among these, copper is a typical preferred metal.

本発明の実施に当って使用するのに適した、かかるフタ
ロシアニン化合物は少なくとも約0.1119/Lの浴
溶解度のものであって、約0.5g/を以下、好ましく
は約25〜約5On9/lで用いる。好適なフタロシア
ニン化合物は次の構造式に概当する:(X)b Φ −1、」=、 そ−Iコ (X)bN−<z)a−食(X)。
Such phthalocyanine compounds suitable for use in the practice of the present invention have a bath solubility of at least about 0.1119/L and less than about 0.5 g/L, preferably from about 25 to about 5 On9/L. Used in l. Suitable phthalocyanine compounds conform to the following structural formula: (X)bΦ-1,''=, so-Ico(X)bN-<z)a-food(X).

8゛ 19一 本発明の実施に際して使用するのに好適な置換フタロシ
アニン化合物には、さらに米国特許第4゜272.33
5号公報に開示のものが包含される。特に好ましいフタ
ロシアニン化合物はアルシアンブルー (Alcian
 Blue)である。
8'191 Substituted phthalocyanine compounds suitable for use in the practice of the present invention further include U.S. Pat.
The disclosure in Publication No. 5 is included. A particularly preferred phthalocyanine compound is Alcian blue (Alcian blue).
Blue).

有機光沢化合物(Ci)はポリエチレンイミンと有機化
合物との反応生成物であって、該有機化合物はポリエチ
レンイミンの窒素をアルキル化して四級窒素を生成せし
めるようなものである。
The organic luster compound (Ci) is a reaction product of polyethyleneimine and an organic compound that alkylates the nitrogen of the polyethyleneimine to produce quaternary nitrogen.

本発明の実施において使用できる前記の化合物は米国特
許第3,770,598号に開示されている。このアル
キル化剤は飽和又は不飽和のいずれかの脂肪族及び芳香
族化合物である。特尾有用であることが判明した化合物
はハロゲン化アラルキル、ハロ(X)。
Such compounds that can be used in the practice of this invention are disclosed in US Pat. No. 3,770,598. The alkylating agents are either saturated or unsaturated aliphatic and aromatic compounds. Compounds that have been found to be particularly useful are aralkyl halides, halo(X).

一ニジ0− ゲン化アルキル、ハロゲン化アルケニル及ヒハロゲン化
アルキニル、酸ハロゲン化物、ハロゲン化アシルその他
のような活性ハロゲンを含んでいる有機化合物である。
Organic compounds containing active halogens such as alkyl halides, alkenyl halides and alkynyl hyhalides, acid halides, acyl halides, and the like.

またそのほか、硫酸アルキル、アルキルスルトン、アル
デヒド、ケトン、イソシアナート、チオイソシアナート
、エポキシド、アシルアミド、酸、酸無水物、尿素、シ
アナミ゛ド、グアニジンその他も使用できる。ある場合
には反応基がアルキル鎖ではなくて、寧ろ芳香族核に直
接結合しているような有機化合物も使用することができ
る。かかる有機物質の例としては2.4−ジニトロクロ
ロベンゼン、がらり、これはポリエチレンイミンの一級
又は二級窒素のいずれかと反応し、かつ/又は三級窒素
を四級化する。したがって、ポリエチレンイミンの窒素
の“アルキル化”なる用語には、窒素がアリール又は芳
香族核に直接、結合している場合も、脂肪族基に結合し
ている場合と同様に包含されることを意味している。
In addition, alkyl sulfates, alkyl sultones, aldehydes, ketones, isocyanates, thioisocyanates, epoxides, acylamides, acids, acid anhydrides, urea, cyanamide, guanidine, and others can be used. In some cases organic compounds may also be used in which the reactive group is not attached to the alkyl chain, but rather directly to the aromatic nucleus. An example of such an organic material is 2,4-dinitrochlorobenzene, which reacts with either the primary or secondary nitrogen of the polyethyleneimine and/or quaternizes the tertiary nitrogen. Therefore, the term "alkylation" of the nitrogen of polyethyleneimine includes cases where the nitrogen is bonded directly to an aryl or aromatic nucleus as well as cases where the nitrogen is bonded to an aliphatic group. It means.

特に良好な結果が得られることが判った化合物は、塩化
ベンジル、臭化アリル、ジメチル硫酸及びプロパンスル
トンである。しかし、これらの化合物はポリエチレンイ
ミンの窒素をアルキル化しうる有機化合物のほんの一例
にすぎない。できればこのアルキル化剤は芳香族ハロゲ
ン化物であるのが好ましい。
Compounds which have been found to give particularly good results are benzyl chloride, allyl bromide, dimethyl sulfate and propane sultone. However, these compounds are only examples of organic compounds that can alkylate the nitrogen of polyethyleneimine. Preferably, the alkylating agent is an aromatic halide.

アルキル化剤が一級又は二級アミンと反応する際には、
それぞれ二級アミン及び三級アミンに変化する。−級及
び/又は二級窒素にアルキル化が生起する場合、有機化
合物−ヒのアルキル化基、すなわちハロゲン、サルフェ
ートその他の脱離が起こる。しかし、三級窒素の場合に
は四級塩を形成する四級化が起こる。
When alkylating agents react with primary or secondary amines,
They change to secondary amines and tertiary amines, respectively. When alkylation occurs on the -class and/or secondary nitrogen, elimination of the alkylated groups of the organic compound -H, ie, halogens, sulfates, etc., occurs. However, in the case of tertiary nitrogens, quaternization occurs to form quaternary salts.

窒素原子の5係程度だけが四級化されても、なお好結果
をうむし、10係ではさらに好ましく、20チでは一層
好結果を生むが、ポリエチレンイミン光沢剤中の窒素原
子はできるだけ多く四級化されていることが好ましい。
Even if only about 5 atoms of the nitrogen atoms are quaternized, good results are still obtained, 10 atoms are more preferable, and 20 atoms are even better, but if as many nitrogen atoms as possible in the polyethyleneimine brightener are quaternized, good results are obtained. Preferably, it is graded.

光沢添加剤を形成せしめるために用いるポリエチレンイ
ミンは広範な分子量を有しうる。典型的には、約300
〜数百万の範囲の分子量のものである。しかし多くの場
合では、分子量は約300〜1.000,000の範囲
以内であることが好ましい。この有機光沢化合物(0)
は約0.59/を以下、好1しくけ約35〜約1oow
/Lの量で使用するのがよい。
The polyethyleneimine used to form the gloss additive can have a wide range of molecular weights. Typically around 300
of molecular weight in the range of ~several million. However, in many cases it is preferred that the molecular weight is within the range of about 300 to 1.000,000. This organic luster compound (0)
is about 0.59/or less, preferably about 35 to about 1 oow
It is best to use the amount of /L.

有機光沢剤(A) 、 (B)及び(0)は少なくとも
三つの組み合わせで、少なくとも約25 TR9/l、
好捷しくけ約30〜90q/lの量で用いる。
organic brighteners (A), (B) and (0) in combination of at least three, at least about 25 TR9/l;
It is used in an amount of about 30 to 90 q/l.

この発明の実施に際しては、導電性素地をカソードとし
て前記組成の浴中に浸漬して所望厚の銅が析出するまで
通電する。めっき操作中、浴温は約600〜約100″
’F(16〜38℃)以内に、好ましくは約70°〜約
90’F(21〜32℃)に制御する。100″F(3
8℃)以上になると、多くの場合に延性の少ない銅皮膜
が生成する傾向があるので好ましくない。
In carrying out the present invention, a conductive substrate is immersed as a cathode in a bath having the above composition, and electricity is applied until a desired thickness of copper is deposited. During the plating operation, the bath temperature is about 600 to about 100"
'F (16-38°C), preferably about 70'F to about 90'F (21-32°C). 100″F (3
If the temperature exceeds 8°C, a copper film with low ductility tends to be formed in many cases, which is not preferable.

この銅の電着は少なくとも約60 ASF (6,4A
/Dぜ)の電流密度であって約30OASF (32A
/Dぜ)まで、特殊な場合には300 ASF (32
A/Da)以上の電流密度で実施する。好ましいカソー
ド電流密度は約100〜約20OASF (11〜22
 A/Dぜ)である。実質的に均一な膜厚の銅を素地上
に析出せしめるだめには、23− アノードの配列を工夫してカソードの実質的全表面に亘
って均一な電流密度が提供されるようにする。この目的
には、輪転グラビア円筒のめつきにおいて慣用されるよ
うに、整合アノード又は複数のアノードを一定距離をお
いて配置して実質的に均一なカソード電流密度が得られ
るよってする。
This copper electrodeposition is at least about 60 ASF (6,4A
/Dze) with a current density of approximately 30OASF (32A
/Dze), and in special cases 300 ASF (32
A/Da) or higher current density. Preferred cathode current densities are from about 100 to about 20 OASF (11-22
A/Dze). In order to deposit a substantially uniform thickness of copper on the substrate, the arrangement of the anodes is designed to provide a uniform current density over substantially the entire surface of the cathode. For this purpose, a matched anode or a plurality of anodes are spaced apart to provide a substantially uniform cathode current density, as is conventionally used in rotogravure cylinder plating.

本発明の実施によって析出されたユニークなとの銅めっ
きは、光輝性で平滑で延性があり、実質的に純銅から成
っていて、電気鋳造、オーデオ及びピテオデイスク製作
、輪転グラビア円筒その他の各種のエンジニアリング的
応用に対して著しく適性がある。この銅めっきは、比較
的均一な硬度を有しているという他の特性があり、通常
は100グラム負荷でダイヤモンド・ピラミッド硬度数
200以上であり、極めて均質で同軸性の結晶構造をと
り、粒子径は約1ミクロン以下であるという特長がある
。この発明によって作ったエンジニアリング用銅皮膜は
膜厚が少なくとも約0.001インチ(Q、0025c
m)ないし約0.050インチ(0,127国)あるい
はそれ以上であって、それと同時に自己アニ24− 一リング性がないというユニークな特性を有する点にお
いて、普通の装飾用銅めっきとは著しく異なっている。
The unique copper plating deposited by the practice of the present invention is bright, smooth, ductile, and consists of substantially pure copper, and can be used in electroforming, audio and piteo disc manufacturing, rotogravure cylinders, and various other engineering applications. It is eminently suitable for various applications. Other properties of this copper plating include a relatively uniform hardness, typically a Diamond Pyramid hardness number of 200 or higher at a 100 gram load, a highly homogeneous, coaxial crystal structure, and a grain It has the feature that the diameter is approximately 1 micron or less. Engineering copper coatings made in accordance with the present invention have a coating thickness of at least about 0.001 inch (Q, 0025c).
m) to about 0.050 inches (0.127 mm) or more, and is significantly different from ordinary decorative copper plating in that it has the unique property of not having self-animation properties. It's different.

本発明の方法は、60 ASF (6,4A/Dゴ)以
下の平均カソード電流密度のようなすべての低電流密度
領域で暗色の縞が発生するので、いわゆる装飾用鋼めっ
きを生成せしめる目的には適用できない。
The method of the present invention is not suitable for the purpose of producing so-called decorative steel platings since dark streaks occur in all low current density regions, such as average cathode current densities below 60 ASF (6,4 A/D). is not applicable.

〔実施例〕〔Example〕

次に実施例により、本発明をさらに詳しく説明するが、
本発明の要旨を逸脱しない限り、これらの実施例に限定
されるものではない。
Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples.
The invention is not limited to these examples unless it departs from the gist of the invention.

実施例 1 硫酸銅・5水和物約1959/l、硫酸759/l、塩
素イオン約20〜約10(119/4及び約120■/
lのポリプロピレンオキシド(分子量750)から成る
光沢剤(1)、約21111fT/lのビス(3−スル
ホプロビルジ硫化物・2Na塩)から成る光沢剤(2)
、約15ψ′tのJanuSグリーンBから成る一般式
(A)に相当する光沢剤(3)、約15■/lのMet
hic Turquoiseがら成る一般式(B)に相
当する光沢剤(3)及び塩化ペンジルによって四級化し
た約12 タ/L のポリエチレンイミンから成る一般
式(C)に相当する光沢剤(3)から構成される有機光
沢剤の組み合わせを含有している水性・酸性鋼めっき浴
を調製した。
Example 1 Copper sulfate pentahydrate approximately 1959/l, sulfuric acid 759/l, chlorine ion approximately 20 to approximately 10 (119/4 and approximately 120/l)
brightener (1) consisting of about 21,111 fT/l of polypropylene oxide (molecular weight 750); brightener (2) consisting of about 21111 fT/l of bis(3-sulfoprobyl disulfide, 2Na salt);
, a brightener (3) corresponding to the general formula (A) consisting of JanuS Green B of about 15ψ′t, Met of about 15μ/l
A brightening agent (3) corresponding to the general formula (B) consisting of hic Turquoise and a brightening agent (3) corresponding to the general formula (C) consisting of polyethyleneimine of about 12 Ta/L quaternized with penzyl chloride. An aqueous and acidic steel plating bath containing a combination of organic brighteners was prepared.

浴温を約80’F(27℃)に制御して、輪転グラビヤ
円筒を浴中に浸漬して整合銅アノードで取り囲み、11
00rpで回転しながらアノードとカソードとしての作
業部品間に通電して約15OASF (16A/Drr
? )の電流密度になるように【また。
The rotogravure cylinder was immersed in the bath and surrounded by a matched copper anode, with the bath temperature controlled at about 80'F (27C);
Approximately 15OASF (16A/Drr.
? ) so that the current density becomes [Also.

生成した銅めっき膜は完全光輝性で良好な平滑性と延性
を有L、かつ100グラム負荷においてダイヤモンド硬
度数200 (DPI )以上の実質的に均一な硬度の
ものであることが観察された。この銅皮膜は実質的に非
自己アニーリング性のものであることは、銅めっきの析
出後、48時間放置したあとでも目だった硬度の減少が
みられないことによって証明された。
It was observed that the produced copper plating film was completely bright, had good smoothness and ductility, and had a substantially uniform hardness of 200 on the diamond hardness number (DPI) or higher at a load of 100 grams. The copper coating was substantially non-self-annealing as evidenced by the fact that there was no noticeable decrease in hardness even after standing for 48 hours after the copper plating was deposited.

実施例 2 約195g/lの硫酸銅・5水和物、75g/lの硫酸
、約20〜約100m9/lの塩素イオン及び約60m
y/lのポリエチレンオキシド(分子量3350 )か
ら成る光沢剤(1)、約30my/lのビス(3−スル
ホプロビルジ硫化物・2Na塩)から成る光沢剤(2)
、約10即/lのJanusグリーンBから成る一般式
(A)に相当する光沢剤(3)、1om9/Lの一般式
(B)に相当するMethia Turquoise及
び塩化ベンジルで四級化したポリエチレンイミンから成
る一般式(C) K相当する光沢剤(3)から構成され
る有機光沢剤の組み合わせを含有する水性・酸性鋼めっ
き浴を調製した。
Example 2 About 195 g/l copper sulfate pentahydrate, 75 g/l sulfuric acid, about 20 to about 100 m/l chloride ions and about 60 m
Brightener (1) consisting of polyethylene oxide (molecular weight 3350) of y/l, brightener (2) consisting of bis(3-sulfoprobyl disulfide/2Na salt) of about 30 my/l
, a brightener (3) corresponding to the general formula (A) consisting of about 10 om/l of Janus Green B, 1 om9/l of Methia Turquoise corresponding to the general formula (B) and polyethyleneimine quaternized with benzyl chloride. An aqueous acidic steel plating bath was prepared containing a combination of organic brighteners consisting of a brightener (3) corresponding to the general formula (C) K.

浴温を約75’F(24℃)に制御し、輪転グラビヤ円
筒を浴に浸漬して整合銅アノードで取り囲み、300r
pmで円筒を回転しながら作業品をカソードとして通電
して約10OASF (1,OA/Dゴ)の電流密度に
なるようにした。
The bath temperature was controlled at approximately 75'F (24°C) and the rotogravure cylinder was immersed in the bath and surrounded by a matched copper anode for 300 r.
While rotating the cylinder at pm, current was applied to the work piece as a cathode to obtain a current density of about 10 OASF (1, OA/D).

生成した銅めっき膜は完全光輝性で良好な平滑性と延性
を有し、100グラム負荷において約200DPI以上
の硬度を有していた。この銅めっき膜は実質的に非自己
アニーリング性であった。
The produced copper plating film was completely bright, had good smoothness and ductility, and had a hardness of about 200 DPI or more at a load of 100 grams. This copper plating film was substantially non-self-annealing.

実施例 3 約1959/lの硫酸鋼・5水和物、75g/lの硫酸
、27− 約20〜約100m9/l の塩素イオン及び約120
万9/1のポリプロピレンオキシド(分子量750 )
から成る光沢剤(+1、約30my/Lのビス(3−ス
ルホプロビルジ硫化物・2Na塩)から成る光沢剤(2
)、及び約8即/lのJanusグリーンBから成る一
般式(A)に相当する光沢剤(3)、約22#/lのM
ethic Turquoiseから成る一般式(B)
に相当する光沢剤(3)及び塩化ベンジルによって四級
化したポリエチレンイミンから成る一般式(C)に相当
する光沢剤(3)から構成される有機光沢剤の組み合わ
せを含有する水性・酸性鋼めっき浴を調製した。
Example 3 About 1959/l of steel sulfate pentahydrate, 75 g/l of sulfuric acid, 27- about 20 to about 100 m9/l of chloride ions and about 120
Polypropylene oxide (molecular weight 750)
A brightener consisting of (+1, approximately 30 my/L of a brightener consisting of bis(3-sulfoprobyl disulfide, 2Na salt) (2
), and a brightener (3) corresponding to general formula (A) consisting of about 8 #/l of Janus Green B, about 22 #/l of M
General formula (B) consisting of ethical Turquoise
Aqueous/acidic steel plating containing a combination of an organic brightener consisting of a brightener (3) corresponding to the formula (3) and a brightener (3) corresponding to the general formula (C) consisting of polyethyleneimine quaternized with benzyl chloride. A bath was prepared.

浴温を約70〒(21℃)に制御し、輪転グラビヤ円筒
を浴に浸漬して整合銅アノードで取り囲み、150rp
mで円筒を回転しながら作業品をカソードとして通電し
て約150 ASF (16A/Da’)の電流密度に
なるようにした。
The bath temperature was controlled at approximately 70°C (21°C), the rotogravure cylinder was immersed in the bath and surrounded by a matched copper anode, and the rotogravure cylinder was heated at 150 rpm.
While rotating the cylinder at m.m, current was applied to the work piece as a cathode to achieve a current density of about 150 ASF (16 A/Da').

生成した銅めっき膜は完全光輝性で良好な平滑性と延性
を有し、100グラム負荷において約200(DPI)
以上の硬度を有していた。この銅めっき膜は実質的に非
自己アニーリング性であった。
The produced copper plating film is completely bright, has good smoothness and ductility, and has a DPI of about 200 (DPI) at a load of 100 grams.
It had a hardness of This copper plating film was substantially non-self-annealing.

28− この発明の精神と範囲に反することなしに、広範に異る
実施態様を構成することができることは明白なので、こ
の発明は前記の特許請求の範囲に限定した以外は、その
特定の実施態様て制約されるものではない。
28- Since it is clear that widely different embodiments may be constructed without departing from the spirit and scope of the invention, this invention is not limited to the specific embodiments thereof, except as limited to the claims below. There are no restrictions.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 (1)著しく平滑で延性があシ、光輝性で、実質的に均
一な硬度を有し、かつ非自己アニーリング性を示すエン
ジニアリング用の銅めっき膜を導電性素地上に電着せし
める方法であって、素地上に銅を析出せしめるのに十分
な量の銅成分と、(1) 有機ポリエーテル化合物及び
これらの混合物; (2)有機硫化物化合物及びこれらの混合物;並びに (3) 次の(A) 、 (B)及び(Ct)から成る
群のそれぞれから選択される少なくとも一つの化合物=
(A) 次の一般弐Aに概当する化合物。 (B) 次の一般弐Bに相当する置換フタロシアニン化
合物。 一般式B Pc−(X)。 (C) 四級窒素原子を有するアルキル化ポリエチレン
イミン反応生成物並びに(A)、(B)及び(C)の混
合物; が包含される浴可溶性・相溶性有機光沢剤の一定の組み
合わせとを含有する水性・酸性溶液を準備する工程と、
該溶液中にカソードとしての導電性素地を浸漬し、少な
くとも60 ASF (6,4A / Di )の平均
カソード電流密度において該溶液を通して通電し、少な
くとも0.001インチ(0,0025cm )の膜厚
になるまで該素地上にエンジニアリング用銅めっきを電
着せしめる工程とから成る方法。 (2)該光沢剤(11が0.001〜51!/lの量で
存在することを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の方法。 (3)該光沢剤(2)が0.0005〜1g/lの量で
存在することを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の方法。 (4) 該光沢剤(3)が少なくとも25■/l−0,
5El/lの量で存在することを特徴とする特許請求の
範囲第1項に記載の方法。 (5)該光沢剤(3)が30〜90o/lの量で存在す
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方法
。 (6)銅めっきの電着の間、該水性・酸性溶液の温度を
60°〜100″T’(16〜38℃)の範囲以内に制
御する工程をさらに包含することを特徴とする特許請求
の範囲第1項に記載の方法。 3− (力 銅めっきの電着の間、該水性・酸性溶液の温度を
70°〜90丁(21〜32℃)の範囲以内に制御する
工程をさらに包含することを特徴とする特許請求の範囲
第1項に記載の方法。 (8) 素地上えの銅めっき電着工程が平均電流密度3
00 ASF (32A / Dm’ )以下で実施さ
れることを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載の方
法。 (9) 素地上えの銅めっき電着工程が平均電流密度1
00〜200 ASF (11〜22A/Di)におい
て実施されることを特徴とする特許請求の範囲第1項に
記載の方法。 (II 該水性・酸性溶液が、さらに0.29/を以下
のハロゲンイオンを含有することを特徴とする特許請求
の範囲第1項に記載の方法。 θυ 該溶液中に浸漬されているアノードの該素地に対
する相対位置を調節して60〜300 ASF (6,
4〜32 A / Di )範囲以内の実質的に均一な
カソード電流密度が提供されるようにする工程をさらに
包含することを特徴とする特許請求の範囲第1項に記載
の方法。 4− (I2 該導電性素地が該溶液中に浸漬されている輪転
グラビア円筒から成り、かつ該銅めつきの電着工程の間
、実質的に均一な膜厚の銅めっきを生成せしめるために
該円筒を回転させる工程をさらに包含することを特徴と
する特許請求の範囲第1項に記載の方法。 a3 著しく平滑で延性があシ、光輝性で、実質的に均
一な硬度を有し、かつ非自己アニーリング性を示すエン
ジニアリング用の銅めっき膜を導電性素地上に電着せし
める方法であって、素地上に銅を析出せしめるのに十分
な量の銅成分と、(1) 有機ポリエーテル化合物及び
これらの混合物; (2) 有機硫化物化合物及びこれらの混合物;並びに (3) 次の(A) 、 (B)及び(0)から成る群
のそれぞれから選択される少なくとも一つの化合物:(
A) 次の一般弐Aに概当する化合物。 (B) 次ノー 般式Bに相当する置換フタロシアニン
化合物。 Pc−(X)n 一般式B (0) 四級窒素原子を有するアルキル化ポリエチレン
イミン反応生成物並びに(A)、(B)及び(0)の混
合物; が包含される浴可溶性・相溶性有機光沢剤の一定の組み
合わせとを含有する水性・酸性溶液を準備する工程と、
該溶液中にカソードとしての導電性素地を浸漬し、少な
くとも60 ASF (6,4A / D−)の7− 平均カソード電流密度において該溶液を通して通電し、
少なくとも0.001インチ(0,0025儂)の膜厚
になるまで該素地上にエンジニアリング用銅めっきを電
着せしめる工程とから成る方法を用いて生成させたエン
ジニアリング用の銅めっき膜であって、光輝があり平滑
で延性を有し、実質的に非自己アニーリング性で、実質
的純銅から成る均一硬度の銅めっき膜。 (14) 著しく均一で、均質で、同軸性の約1ミクロ
ン以下の平均粒子径の結晶構造から成る光輝性で、平滑
で延性があり、実質的に非自己アニーリング性の、実質
的純銅から成るめっき膜であって、該結晶構造が電着後
に再結晶化する傾向なく安定であることをさらに特徴と
するエンジニアリング用鋼めっき膜。
[Claims] (1) An engineering copper plating film that is extremely smooth, ductile, shiny, has substantially uniform hardness, and exhibits non-self-annealing properties on a conductive substrate. A method of electrodeposition, comprising a copper component in an amount sufficient to deposit copper on a substrate, (1) an organic polyether compound and a mixture thereof; (2) an organic sulfide compound and a mixture thereof; and (3) At least one compound selected from each of the group consisting of the following (A), (B) and (Ct) =
(A) Compounds generally falling under the following general 2A. (B) A substituted phthalocyanine compound corresponding to the following general 2B. General formula B Pc-(X). (C) an alkylated polyethyleneimine reaction product having a quaternary nitrogen atom; and a mixture of (A), (B) and (C); and certain combinations of bath-soluble and compatible organic brighteners, including: a step of preparing an aqueous/acidic solution for
A conductive substrate as a cathode is immersed in the solution and current is passed through the solution at an average cathode current density of at least 60 ASF (6,4 A/Di) to a film thickness of at least 0.001 inch (0,0025 cm). A method consisting of the step of electrodepositing engineering copper plating on the substrate until it is coated. (2) A method according to claim 1, characterized in that the brightener (11) is present in an amount of 0.001 to 51!/l. (3) The brightener (2) is present in an amount of 0.001 to 51!/l. A method according to claim 1, characterized in that the brightener (3) is present in an amount of at least 25 g/l-0,
Process according to claim 1, characterized in that it is present in an amount of 5 El/l. 5. Process according to claim 1, characterized in that the brightener (3) is present in an amount of 30 to 90 o/l. (6) A patent claim further comprising the step of controlling the temperature of the aqueous/acidic solution within the range of 60° to 100″T' (16 to 38°C) during electrodeposition of copper plating. The method according to item 1. 3- (During the electrodeposition of copper plating, the temperature of the aqueous/acidic solution is further controlled within the range of 70° to 90° C. (21° C. to 32° C.). The method according to claim 1, characterized in that the step of electrodeposition of copper plating on the substrate has an average current density of 3.
The method according to claim 1, characterized in that it is carried out at less than 00 ASF (32 A/Dm'). (9) The copper plating electrodeposition process on the substrate has an average current density of 1
The method according to claim 1, characterized in that it is carried out at 00-200 ASF (11-22 A/Di). (II) The method according to claim 1, characterized in that the aqueous/acidic solution further contains halogen ions of 0.29% or less. θυ of the anode immersed in the solution. Adjust the relative position to the base material to 60 to 300 ASF (6,
4. The method of claim 1, further comprising the step of providing a substantially uniform cathode current density within the range of 4 to 32 A/Di. 4-(I2) consisting of a rotogravure cylinder in which the conductive substrate is immersed in the solution, and during the electrodeposition step of the copper plating, the conductive substrate is The method of claim 1, further comprising the step of rotating the cylinder.a3 The cylinder is extremely smooth, ductile, shiny, has a substantially uniform hardness, and A method for electrodepositing an engineering copper plating film exhibiting non-self-annealing properties on a conductive substrate, comprising: a copper component in an amount sufficient to deposit copper on the substrate; and (1) an organic polyether compound. and mixtures thereof; (2) organic sulfide compounds and mixtures thereof; and (3) at least one compound selected from each of the group consisting of the following (A), (B), and (0): (
A) Compounds that generally fall under the following general 2A. (B) A substituted phthalocyanine compound corresponding to the following general formula B. Pc-(X)n general formula B (0) alkylated polyethyleneimine reaction product having a quaternary nitrogen atom and a mixture of (A), (B) and (0); preparing an aqueous acidic solution containing a combination of brighteners;
immersing a conductive substrate as a cathode in said solution and passing current through said solution at a 7-average cathode current density of at least 60 ASF (6,4 A/D);
an engineering copper plating film produced using a method comprising electrodepositing an engineering copper plating onto the substrate to a film thickness of at least 0.001 inch (0,0025 儂), A copper plating film of uniform hardness that is bright, smooth, ductile, substantially non-self-annealing, and made of substantially pure copper. (14) Comprised of substantially pure copper that is lustrous, smooth, ductile, substantially non-self-annealing, and has a crystalline structure with an average grain size of approximately 1 micron or less that is highly uniform, homogeneous, and coaxial. An engineering steel plating film, further characterized in that the crystal structure is stable without a tendency to recrystallize after electrodeposition.
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