JPS6084870A - Solid-state image pickup device - Google Patents
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は、積層型固体撮像装置の構造に関するもので
ある。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Technical Field of the Invention] The present invention relates to the structure of a stacked solid-state imaging device.
４来、この種の装置として第１図に示すものがあった。 Since 4, there has been a device of this type as shown in FIG.
図において、ｌはｐ型半導体基板、２はＭＯＳ）ランジ
スタ１４のソース、３，４．７は上記ＭＯ３）ランジス
タ１４のドレイン、チャネル、ゲートである。５はフィ
ールド酸化膜、６は垂直信号線、８は透明絶縁膜である
。また９は平坦化膜、１０は色フィルタ、１１は保護膜
、１２は遮光膜である。なお本装置ではＭＯＳ）ランジ
スタ１４のソース２が光電変換部、ソース２と基板１と
の接合面１３が信号電荷蓄積部、となっており、スイッ
チング機能を有する該トランジスタ１４全体及び垂直信
号線６の当該画素部分が当該画素の走査回路部になって
いる。In the figure, 1 is a p-type semiconductor substrate, 2 is the source of the MOS transistor 14, and 3, 4.7 are the drain, channel, and gate of the MO3) transistor 14. 5 is a field oxide film, 6 is a vertical signal line, and 8 is a transparent insulating film. Further, 9 is a flattening film, 10 is a color filter, 11 is a protective film, and 12 is a light shielding film. In this device, the source 2 of the MOS transistor 14 is a photoelectric conversion section, and the junction surface 13 between the source 2 and the substrate 1 is a signal charge storage section, and the entire transistor 14 having a switching function and the vertical signal line 6 The pixel portion of the pixel is the scanning circuit section of the pixel.
第１図は固体撮像装置の１画素内の断面構造を示すもの
であるが、これを配列した装置全体の回路図を第２図に
示す。第２図において、２１は水平走査回路、２２は垂
直走査回路、２３は垂直信号線、２４は水平信号線であ
り、また上記トランジスタ１４を含む破線で囲まれた部
分２５が、第１図で断面を示した１画素部位に相当する
。FIG. 1 shows a cross-sectional structure within one pixel of a solid-state imaging device, and FIG. 2 shows a circuit diagram of the entire device in which this is arranged. In FIG. 2, 21 is a horizontal scanning circuit, 22 is a vertical scanning circuit, 23 is a vertical signal line, and 24 is a horizontal signal line. Also, a portion 25 surrounded by a broken line including the transistor 14 is in FIG. This corresponds to one pixel portion shown in the cross section.
次に動作について説明する。第１図において、色フィル
タ１０で分光されてＭＯＳ）ランジスタ１４のソース２
に達した光はここで吸収され、電子正孔対を発生する。Next, the operation will be explained. In FIG. 1, the source 2 of the MOS) transistor 14 is separated by the color filter 10.
The light that reaches this point is absorbed here, generating electron-hole pairs.
ソース部２にはあらかじめ前回の信号読み出し時に、チ
ャネル４が導通しｐ型基板１との間で逆バイアスがかか
るように垂直信号線６．ドレイン３から定電圧が供給さ
れており、これによりソース部２と基板１との間の接合
部１３にキャリアが蓄積され、ソース部２の電位はフロ
ーティング状態になっている。このような状態でこのソ
ース部２に光励起によって電子正孔対が供給されると、
接合部１３のドリフト電界によって電子と正孔は分離さ
れ、この分離された電子及び正孔はあらかじめ蓄積され
ていたキャリアと再結合し、ソース部２の電位は、光強
度に応して基板ｌ電位に近づいてくる。そして信号読み
出し時にドレイン３からソース部２に流れ込んでくるキ
ャリアの量、即ちゲート７にあるしきい値以上の電圧が
かかった時に垂直信号線６を流れる電流の大きさが、当
該画素内に入射した光の強度に対応している。In the source section 2, the vertical signal line 6. is connected in advance so that the channel 4 is conductive and reverse bias is applied between it and the p-type substrate 1 during the previous signal readout. A constant voltage is supplied from the drain 3, so that carriers are accumulated in the junction 13 between the source part 2 and the substrate 1, and the potential of the source part 2 is in a floating state. When electron-hole pairs are supplied to the source section 2 in this state by photoexcitation,
Electrons and holes are separated by the drift electric field of the junction part 13, and the separated electrons and holes recombine with previously accumulated carriers, and the potential of the source part 2 changes depending on the light intensity. approaching the electric potential. The amount of carriers flowing into the source part 2 from the drain 3 during signal readout, that is, the magnitude of the current flowing through the vertical signal line 6 when a voltage higher than a threshold value is applied to the gate 7, is determined by the amount of carriers flowing into the pixel. It corresponds to the intensity of light.
従来の固体撮像装置は以上のように構成されているので
、読み出し時以外にドレインに流れ込んでくるキャリア
をなくするために、光のあたる開口領域をソース部のみ
に限る必要があった。このため、有効に光電変換される
光量の割合を示す開口率が２０〜３０％と大変低いとい
う欠点があった。Since the conventional solid-state imaging device is configured as described above, in order to eliminate carriers flowing into the drain at times other than readout, it was necessary to limit the aperture region exposed to light to only the source portion. For this reason, there was a drawback that the aperture ratio, which indicates the proportion of the amount of light that is effectively photoelectrically converted, was very low at 20 to 30%.
またキャリアの蓄積部がソース部の下のｐｎ接合容晋だ
けであるので、飽和信号量が低いという欠点があった。Furthermore, since the only carrier accumulation portion is the pn junction below the source portion, there is a drawback that the amount of saturation signal is low.
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、画素毎に形成される光感度を持つ
領域、即ち光電変換領域及びキャリア蓄積領域を、隣接
する画素の走査回路部の上にも形成して上記両頭域をで
きるだけ広くとることにより、開口率及びキャリアの蓄
積能力、即ち飽和光量を大幅に向上できる固体撮像装置
を提供することを目的としている。This invention was made in order to eliminate the above-mentioned drawbacks of the conventional method, and the light-sensitive region formed for each pixel, that is, the photoelectric conversion region and the carrier accumulation region, is connected to the scanning circuit section of the adjacent pixel. It is an object of the present invention to provide a solid-state imaging device that can significantly improve the aperture ratio and carrier storage capacity, that is, the saturation light amount, by forming the double-headed region as wide as possible by forming the double-headed region on the top of the substrate.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第３
図に゛おいて、３１はｐ型半導体基板、３２はＭＯＳト
ランジスタ５ｏのソース、３３は同じくドレイン、３４
．３’５は同じくチャネル、ゲートである。３６は垂直
信号線、３７はトランジスタ５０及び垂直信号線３６を
覆う絶縁膜であり、本装置ではＭＯＳ）ランジスタ５ｏ
のソース３２が第１の光電変換部、ソース３２と基板３
１との接合面５１が第１の信号電荷蓄積領−とな７てお
り、またスイッチング機能を有する該トランジスタ５０
全体及び垂直信号ｉ当該画素部分が当該画素の走査回路
部となっている。また３８．３９は上記走査回路部上に
絶縁膜３７を介して形成されたｐ型半導体層、及びｎ型
半導体層で１．ｎ型半導体層３９は第２の光電変換部を
、両半導体層３８．３９の接合面５２は第２の信号電荷
蓄積領域を形成している。また４ｏはフィールド酸化膜
、４１は絶縁膜、４２は平坦化膜、４３は色フィルタ、
４４は保護膜である。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. Third
In the figure, 31 is a p-type semiconductor substrate, 32 is the source of the MOS transistor 5o, 33 is also the drain, and 34 is the source of the MOS transistor 5o.
．． Similarly, 3'5 is a channel and a gate. 36 is a vertical signal line, 37 is an insulating film that covers the transistor 50 and the vertical signal line 36; in this device, it is a MOS) transistor 5o;
The source 32 is the first photoelectric conversion section, and the source 32 and the substrate 3
The junction surface 51 with 1 serves as a first signal charge storage region 7, and the transistor 50 has a switching function.
Overall and vertical signal i The relevant pixel portion serves as the scanning circuit section of the relevant pixel. Further, 38 and 39 are a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer formed on the scanning circuit portion with an insulating film 37 interposed therebetween. The n-type semiconductor layer 39 forms a second photoelectric conversion section, and the junction surface 52 between both semiconductor layers 38 and 39 forms a second signal charge storage region. Further, 4o is a field oxide film, 41 is an insulating film, 42 is a flattening film, 43 is a color filter,
44 is a protective film.
次にレーザアニールによる再結晶化層を第２の光電変換
部として用いる場合のプロセスフローの一例を第４図（
ａｌ〜（ｈｌに示す。第４図（ａｌではＭＯＳトランジ
スタ５０のゲート３５．ソースミ２．ドレイン３３が形
成されており、同図（ｂ−１で第一層配線、即ち垂直走
査線３６の形成をドレイン３３側に行なう。次に絶縁膜
（例えば５ｉ０２ ） ３７を基板３１上全面に形成し
、そののちＭＯＳ）ランジスタ５０のソース３２上部の
絶縁膜をエツチングにより除去した時の断面図が同図（
Ｃ）である。この同図（Ｃ）において、ソース３２と基
板３１間のｐ−ｎ接合はこのエツチングによって外表面
に露出している必要がある。これにｐ型のポリシリコン
４５を積むと同図＋ｄｌに示したような構造になり、更
にポリシリコン４５のエツチングにより同図（ｅ）に示
すような構造にする。なおこのときｐ型ポリシリコン４
５とｎ型のソース３２とが接触したままであってはなら
ない。同図（ｅ）の状態でレーザアニールにより、ｐ型
ポリシリコン４５をｐ型車結晶シリコンに再結晶化し、
再結晶化層３８．３９を形成する。この際の結晶の種類
は基板３１と同じｐ型シリコンである。更にＡｓなどの
ｎ型不純物の注入及び熱アニールを行ない、当該画素の
ｎ型ソース部３２とこれに隣接する画素の再結晶化層の
表面のｎ型層３９とを電気的に接続させる。この時の断
面図が同図（ｆ）である。これにバンシベーション膜４
１を形成したものが同図（ｇ）であり、平均化膜４２１
色フィルタ４３．保護１５１ｉ４４を形成すると、同図
（ｈｌに示す完成した構造となる。Next, FIG. 4 shows an example of the process flow when a recrystallized layer formed by laser annealing is used as the second photoelectric conversion section.
al ~ (shown in hl). In Figure 4 (al, the gate 35, source 2, and drain 33 of the MOS transistor 50 are formed, and in the same figure (b-1, the first layer wiring, that is, the vertical scanning line 36 is formed. is performed on the drain 33 side.Next, an insulating film (for example, 5i02) 37 is formed on the entire surface of the substrate 31, and then the insulating film on the source 32 of the MOS transistor 50 is removed by etching. (
C). In this figure (C), the pn junction between the source 32 and the substrate 31 must be exposed to the outer surface by this etching. When p-type polysilicon 45 is stacked on this, a structure as shown in +dl in the same figure is obtained, and further, by etching the polysilicon 45, a structure as shown in FIG. 2(e) is obtained. At this time, p-type polysilicon 4
5 and the n-type source 32 must not remain in contact. In the state shown in Figure (e), the p-type polysilicon 45 is recrystallized into p-type crystal silicon by laser annealing,
Form recrystallized layers 38 and 39. The type of crystal at this time is the same p-type silicon as the substrate 31. Further, an n-type impurity such as As is implanted and thermal annealing is performed to electrically connect the n-type source portion 32 of the pixel to the n-type layer 39 on the surface of the recrystallized layer of the adjacent pixel. The cross-sectional view at this time is shown in FIG. To this, bancivation film 4
1 is formed in the same figure (g), and the averaging film 421
Color filter 43. Forming the protection 151i44 results in the completed structure shown in FIG.
次に動作について説明する。第３図において、色フィル
タ４３によって分光された入射光は、透明な平坦化膜４
２．絶縁膜４１を経て第１及び第２の光電変換部、即ち
ソース３２及びｎ型半導体層３９に達する。基板３１と
ソース３２との接合部５１にはドリフト電界が存在し、
上記ソース３２において光によって励起された電子正孔
対はこのドリフト電界によって分離される。他方上記第
２の光電変換部であるｎ型半導体層３９は、単結晶シリ
コン又は多結晶シリコン又は非晶質シリコンで形成され
、この光電変換部で発生した電子正孔対は、ｎ型半導体
層３９と同様にして形成されたｐ型半導体層３８との接
合面５２に存在するドリフト電界により分離される。Next, the operation will be explained. In FIG. 3, the incident light separated by the color filter 43 is separated by a transparent flattening film 4.
2. The light passes through the insulating film 41 and reaches the first and second photoelectric conversion sections, that is, the source 32 and the n-type semiconductor layer 39. A drift electric field exists at the junction 51 between the substrate 31 and the source 32,
Electron-hole pairs excited by light in the source 32 are separated by this drift electric field. On the other hand, the n-type semiconductor layer 39, which is the second photoelectric conversion section, is formed of single crystal silicon, polycrystalline silicon, or amorphous silicon, and the electron-hole pairs generated in this photoelectric conversion section are transferred to the n-type semiconductor layer. They are separated by a drift electric field existing at a junction surface 52 with a p-type semiconductor layer 38 formed in the same manner as 39.
ここで上記ＭＯ３）ランジスタ５０のゲート３５、ドレ
イン３３、フィールド４０の上層部に絶縁膜３７を介し
て形成されている第２の光電変換部、即ち光電変換膜３
９は、十分可視光を吸収するべく厚くつくられている必
要がある。光電変換膜３９の材料が単結晶又は多結晶シ
リコンの場合、その禁制帯幅以上のエネルギーの光に対
する吸収係数が１０ ｃｓ 以上であるので、２μｍ以
上の膜厚であれば、９０％以上の光を吸収する。また非
晶質シリコンの場合、その禁制帯幅以上のエネルギーの
光に対する吸収係数が１０ ａｍ 程度であるので、光
電変換膜の厚みは０．２μｍ以上あればその禁制帯幅以
上のエネルギーの入射光を９０％以上吸収できる。これ
に対しこの部分の膜厚が不充分であると、透過光がＭｏ
３）ランジスタ５ｏのチャネル３４やドレイン３３まで
達し、そこで発生したキャリアが、ドレイン３３を通じ
て垂直信号線３６に流れだし、疑信号となる可能性があ
る。Here, the MO3) second photoelectric conversion unit, that is, the photoelectric conversion film 3, is formed on the gate 35, drain 33, and field 40 of the transistor 50 with an insulating film 37 interposed therebetween.
9 must be made thick enough to absorb visible light. When the material of the photoelectric conversion film 39 is single crystal or polycrystalline silicon, the absorption coefficient for light with energy above the forbidden band width is 10 cs or more, so if the film thickness is 2 μm or more, 90% or more of the light is absorbed. absorb. In addition, in the case of amorphous silicon, the absorption coefficient for light with energy above the forbidden band width is about 10 am, so if the thickness of the photoelectric conversion film is 0.2 μm or more, it will absorb the incident light with energy above the forbidden band width. It can absorb more than 90% of On the other hand, if the film thickness in this part is insufficient, the transmitted light
3) The carriers that reach the channel 34 and drain 33 of the transistor 5o and are generated there may flow into the vertical signal line 36 through the drain 33 and become a suspicious signal.
信号読み出し時には、第１図で説明したのと同じく、ｎ
型半導体３２及び３９には、ｐ型半導体３１及び３８に
対して充分逆バイアスになるよう高電位が与えられ、次
にチャネル３４を非導通状態にすることによって、ｎ型
半導体部３２及び３９の電位はフローティング状態にな
る。この状態に対して光励起によって接合部５１．５２
に電子正孔対が発生すると、接合容量に逆バイアスによ
って蓄積されているキャリアは再結合によって減少する
。これによりｎ型半導体部３２及び３９の電位はしだい
に下がり、ｐ型半導体部３１及び３８の電位に接近する
。この時の電位低下分が、入射光量に対応している。従
って次の信号読み出し時にドレイン３３からソース３２
へ流れ込む電荷量が、入射光量の大きさとなる。When reading the signal, n
A high potential is applied to the type semiconductors 32 and 39 so as to sufficiently reverse bias the p-type semiconductors 31 and 38, and then the channel 34 is made non-conductive, so that the n-type semiconductor parts 32 and 39 are turned off. The potential becomes floating. For this state, the junction 51, 52 is
When electron-hole pairs are generated, the carriers accumulated in the junction capacitance due to the reverse bias are reduced by recombination. As a result, the potentials of the n-type semiconductor parts 32 and 39 gradually decrease and approach the potential of the p-type semiconductor parts 31 and 38. The potential drop at this time corresponds to the amount of incident light. Therefore, when reading the next signal, from the drain 33 to the source 32
The amount of charge that flows into the radiator corresponds to the amount of incident light.
このように、本実施例では画素毎に形成される光電変換
部及び信号電荷蓄積部を当該画素に隣接する画素の走査
回路部の上にも形成したので、有効に光電変換される光
量の割合を示す開口率及び信号電荷蓄積領域によるキャ
リアのＭ積能カが大幅に向上した。In this way, in this example, the photoelectric conversion section and signal charge storage section formed for each pixel are also formed on the scanning circuit section of the pixel adjacent to the pixel, so that the proportion of the amount of light that is effectively photoelectrically converted is reduced. The aperture ratio and the carrier M product capacity due to the signal charge storage region have been significantly improved.
なお、上記実施例では、基板をｐ型とし、この上にｎチ
ャネルＭｏ３）ランジスタを形成したがこれは、ｎ型基
板上にｐ型の層をイオン注入等によって形成したものに
ｎチャネルＭｏｓトランジスタを形成してもよく、また
、上記実施例と導電型がすべて逆であってもよく、同様
の効果を奏する。In the above embodiment, the substrate is a p-type, and an n-channel Mo3) transistor is formed on the substrate. However, in this case, an n-channel Mos transistor is formed by forming a p-type layer on an n-type substrate by ion implantation or the like. Alternatively, the conductivity type may be reversed from that of the above embodiment, and the same effect can be obtained.
また、上記実施例では、可視域に感度をもっ撮像素子を
想定して光電変換材料にシリコン系材料を用いているが
、用途に応じ他の大きさのバンドギャップを持つ材料を
用いてもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。Furthermore, in the above embodiment, a silicon-based material is used as the photoelectric conversion material assuming an image sensor sensitive to the visible range, but materials with band gaps of other sizes may be used depending on the application. , the same effect as the above embodiment is achieved.
以上のように、この発明に係る固体撮像装置によれば、
画素毎に形成される光電変換部及び信号電荷蓄積部を、
当該画素に隣接する画素の走査回路部の上にも形成する
ようにしたので、開口率及び飽和信号量を大幅に向上で
きる効果がある。As described above, according to the solid-state imaging device according to the present invention,
The photoelectric conversion section and signal charge storage section formed for each pixel are
Since it is also formed on the scanning circuit section of the pixel adjacent to the pixel, there is an effect that the aperture ratio and the amount of saturation signal can be significantly improved.
第１図は従来の固体撮像装置を示す断面図、第２図は第
１図の装置の動作を示すための電気的な回路構成図、第
３図はこの発明の一実施例による固体撮像装置を示す断
面図、第４図（ａｌ〜（ｈｌは第３図の装置の製造工程
の流れの一例を示す図である。
３１・・・ｐ型半導体基板、３２・・・ソース（第１の
光電変換部）５１・・・接合面（第１の信号電荷蓄積部
）、３３・・・ドレイン、３４・・・チャネル、３５・
・・ゲート、３６・・・垂直信号線（走査回路部）、３
７・・・絶縁膜、３８・・・ｐ型半導体層、３９・・・
ｎ型半導体層（第２の光電変換部）、５２・・・接合面
（第２の信号電荷蓄積部）、５０・・・ＭＯ３Ｉ−ラン
ジスタ（走査回路部）。
なお図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
代理人 大岩増雄
第１図
第２図
第４図
第４図
手続補正書（自発）
２１発明の名称
固体撮像装置
３、補正をする者
代表者片山仁へ部
４、代理人
／６ｏ’〜」−７゛＼
５、補正の対象
明細書全文及び図面（第１図、第２図、第３図）６、補
正の内容
（１） 明細書全文を別紙の通り訂正する。
（２） 第１図、第２図、及び第３図を別紙の通り訂正
する。
以 上
明 細 書
１、発明の名称
固体撮像装置
２、特許請求の範囲
４す期間１の
３、発明の詳細な説明
〔発明の技術分野〕
この発明ば、稍屓型固体撮像装置の構造に関するもので
ある。
〔従来技術〕
従来、この種の装置として第１図に示すものがあった。
図において、ｌはｐ型半導体基板、２はＭＯＳ＋−ラン
ジスタ１４のソース、３，４．７は上記ＭＯ３Ｉ−ラン
ジスタ１４のドレイン、チャネル、ゲートである。５は
フィールド酸化膜、６は垂直信号線、８は透明絶縁膜で
ある。また９は平坦化膜、１０は色フィルタ、１１は保
護膜、１２ば遮光膜である。なお本装置ではＭＯＳ）ラ
ンジスタ１４のソース２が光電変換部、ソース２と基板
ｌとの接合面１３に形成されたキャパシタンスが信号電
荷蓄積部となっており、以下、光電変換部２及び信号電
荷蓄積部１３を合わ−Ｖ・て単に光電変換部６０と呼称
する。そしてスイッチング機能を有する該トランジスタ
１４及び垂直信号線６によって画素の蓄積電荷量を外部
に読み出すようになっている。
第１図は固体撮像装置の１画素内の断面構造を示すもの
であるが、これを配列した装置全体の回路図を第２図に
示す。第２図において、２１は水平走査回路、２２は垂
直走査回路、２３は垂直信号線、２４は水平信号線であ
り、これは各ＭＯＳトランジスタのゲートに接続されて
いる。また上記トランジスタ１４を含む破線で囲まれた
部分２５が、第１図でその断面を示した１画素単位に相
当する。
次に動作について説明する。第１図において、ソース部
２にはあらかじめ前回の信号読み出し時に、チャネル４
が導通しｐ型基板１との間で逆バイアスがかかるように
垂直信号線６．ドレイン３から定電圧が供給されており
、これにより該ソース部２と基板１との間の接合部１３
にキャリアがＷｆ １１され、ソース部２の電位はフロ
ーティング状態になっている。このような状態で色フィ
ルタｌＯで分光されてＭＯ３Ｉ−ランジスタ１４のソー
ス２に達した光はここで吸収され、このとき発生した電
子正孔対は接合部１３のドリフト電界によって電子と正
孔とに分離され、この分離された電子及び正孔はあらか
じめ蓄積されていたキャリアと再結合し逆バイアス電圧
の大きさを減少さセる結果、ソース部２の電位は光強度
に応じて基板ｌ電位に近づいてくる。そして信号読み出
し時にドレイン３からソース部２に流れ込んでくるキャ
リアの量、即ちゲート７にあるしきい値以上の電圧がか
かった時に垂直信号線６を流れる電流の大きさが、当該
画素内に入射した光の強度に対応している。即ち、光信
号が蓄積される時間はＭＯ３Ｉ−ランジスタ１４が非導
通状態にある時間であり、基板ｌの一定電位に対してフ
ローティング状態のソース２の電位が変化した大きさが
蓄積時間内の入射総光量に相当する。
従来の固体撮像装置は以上のように構成されているので
、読み出し時以外にドレインに流れ込んでくるキャリア
をなくすために、光のあたる開口領域をソース部のみに
限る必要があった。このため、有効に光電変換される光
量の割合を示す開口率が２０〜３０％と大変低いという
欠点があった。
また゛キャリアの蓄積部がソース部の下のｐｎ接合容量
だけであるので、飽和信号量が低いという欠点があった
。
（発明の概要〕
この発明は上記のような従来のものの欠点を除去するた
めになされたもので、画素毎に形成される光感度を持つ
光電変換部を、隣接する画素の読み出しスイッチング素
子上にも形成することにより、光電変換部を従来に比し
著しく参参舎＃替広くすることができ、開口率及びキャ
リアの蓄積能力、即ち飽和光量を大幅に向上できる固体
撮像装置を提供することを目的としている。
〔発明の実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第３
図は本発明の一実施例による固体撮像装置を示し、図に
おいて、３１はｐ型半導体基板、３２ばＭＯＳトランジ
スタ５０のソース、３３は同じくドレイン、３４．３５
は同じくチャネル。
ゲートである。３６は垂直信号線、３７はトランジスタ
５０及び垂直信号線３６を覆う絶縁膜である。そして本
装置ではＭＯ３Ｉ−ランジスタ５ｏのソース３２が第１
の光電変換部、ソース３２と基板３１との接合面５１が
第１の信号電荷蓄積領域となっており、以下光電変換部
３２及び信号電荷蓄積領域５１を合せて単に第１の光電
変換部６゜と呼称する。またスイッチング機能を有する
トランジスタ５０全体が上記第１の光電変換部６ｏの電
荷を読み出すスイン）ング素子となっており、このスイ
ッチング素子と垂直信号線３６とにより走査回路部が構
成されている。
また３８．３９は上記走査回路部上に絶縁膜３７を介し
て形成されたｐ型半導体層、及びｎ型半導体層で、ｎ型
半導体［３９は第２の光電変換部を、両生導体Ｊｆ＃３
Ｂ、３９の接合面５２は第２の信号電荷蓄積領域を形成
している。以下光電変換部３９及び信号電荷Ｍ積領域５
２を合−Ｕて単に第２の光電変換部７０と呼称する。ま
た４０はフィールド酸化膜、４１は絶縁膜、４２は平用
化膜、４３は色フィルタ、４４は保護膜である。
このように、本実施例装置における１画素は、各色フイ
ルタ下方のＭＯＳ）ランジスタ５０及び第１の光電変換
部６０と、その隣の色フイルタ下方の第２の光電変換部
７０により構成されており、またｆａｔ図に示した従来
装置の遮光膜は形成されていない。
次にレーザアニールによる再結晶化層を第２の光電変換
部として用いる場合のプロセスフローの一例を第４図（
ａ） 〜（Ｉｌｌに示す。第４図＋ａ）ではＭＯ３！−
ランジヌ、り５０のゲート３５．ソース３２．ドレイン
３３が形成されており、同図（ｂ）で第一層配線、即ち
垂ｊｈ走査線３６の形成をドレイン３３側に行う。次に
絶縁膜（例えば５ｉＯ２）３７を基板３１上全面に形成
し、そののちＭＯ３Ｌランジスタ５０のソース３２上部
の絶縁Ｎ＊３７をエツチングにより除去する。この時の
断面図が同図（Ｃ３であり、この図に示すように、絶縁
膜３７をエツチングした時点で、ソース３２と基板３１
間のｐ−ｎ接合は外表面に露出している必要がある。こ
れにｐ型のポリシリコン４５を堆積すると同図＋ｄ）に
示したような構造になり、更にポリシリコン４５のエツ
チングにより同図（ｅｌに示すような構造にする。なお
このときｐ型ポリシリコン４５とｎ型のソース３２とが
接触したままであっζはならない。
同図（ｅ）の状態でレーザアニールにより、ｐ型ポリシ
リコン４５をｐ型車結晶シリコンに再結晶化し、再結晶
化層３Ｂを形成する。この際の結晶の種類は基板３１と
同じｐ型シリコンである。更にＡ９等のｎ型不純物の注
入及び熱アニールを行うことにより、再結晶化したシリ
コン層４５０表面及び。
表面に露出しているｐ型半導体部３１の表面をｎ型半導
体に変化させる。この時の断面図が同図（ｆｌである。
同図（ｆｌでは、ｎ型半導体Ｉ′Ｆｊ３２とｎ型半導体
層３９とが電気的に接続され、またｐ型半導体層３８は
、再結晶化によって基板３１のｐ型半導体と電気的に接
続される。従ってそれらの昇面であるｐ ｎ接合面５１
及び５２は連続して形成されている。これにパッシベー
ション膜４１を形成したものが同図（［１であり、平坦
化膜４２１色フィルタ４３．保護膜４４を形成すると、
同図（１＋）に示す完成した構造となる。
次に動作について説明する。第３図において、色フィル
タ４３によって分光された入射光は、透明な平坦化膜４
２．絶縁１！！４１を経て第１及び第゛２の光電変換部
、即ぢソース３２及びｎ型半導体層３９に達する。基板
３１とソース３２との接合０１Ｓ５１にはドリフ１−Ｉ
ＬＬＳ界が存在し、上記ソース３２において光によって
励起された電子正孔対はこのドリフ！・電界によって分
子ｉｌｌされる。他方上記第２の光電変換部であるｎ型
半導体層３９は、単結晶シリコン又は多結晶シリコン又
は非晶質シリコンで形成され、この光電変換部で発生し
た電子正孔対は、ｎ型半導体層３９と同様にして形成さ
れたｐ型半導体層３８との接合面５２に存在するドリフ
ト電界により分離される。
ここで」二記ＭＯＳトランジスタ５０のゲート３５、ド
Ｌ・イン３３、フィールド酸化膜４０の上層部に絶縁膜
３７を介して形成されている光電変換膜３９は、十分可
視光を吸収するべく厚くつくられている必要がある。光
電変換膜３９の材料が単結晶又は多結晶シリコンの場合
、その禁制帯幅以上のエネルギーの光に対する吸収係数
がｌ Ｑ ４ ｃｍ−以上であるので、２μｍ以上の１
！厚であれば、９０％以上の光を吸収する。また非晶質
シリコンの場合、その禁制帯幅以上のエネルギーの光に
対する吸収係数がｌ Ｑ ５ ｃｍ−’程度であるので
、光電変換膜の厚めは０．２μＩＩＩ以上あればその禁
制帯幅以上のエネルギーの入射光を９”０％以上吸収で
きる。
これに対しこの部分の膜厚が不充分であると、透過光が
ＭＯＳ）ランジスタ５０のチャネル３４やドレイン３３
まで達し、そこで発生したキャリアが、ドレイン３３を
通じて垂直信号線３６に流れだし、擬信号となる可能性
がある。
信号読み出し時の動作は第１図で説明したのと同様であ
り、ｎ型半導体部３２及び３９には、ｐ型半導体部３１
及び３８に対して充分逆バイアスになるよう高電位が与
えられ、次にチャネル３４を非導通状態にすることによ
って、ｆｌ型半導体部３２及び３９の電位はフローティ
ング状態になる。
この状態に対して光励起によって接合部５１，５２に電
子正孔対が発生ずると、接合容量に逆バイアスによって
ＭＭされているキャリアは再結合によって減少する。こ
れによりｎ型半導体部３２及び３９の電位はしだいに下
がり、ｐ型半導体部３１及び３８の電位に接近する。こ
の時の電位低下分が、入射光量に対応している。従って
次の信号読み出し時にドレイン３３からソース３２へ流
れ込む電荷けが、入射光量の大きさとなる。
このように、本実施例では画素毎に形成される充電変換
部を当該画素に隣接する画素の読み出しスイッチング素
子上にも形成したので、有効に光重変換される光ｑの割
合を示す開口率及びキャリアのＷＨＲ能力を大幅に向上
できる。
なお、」二記実施例では、基板をｐ型とし、この十に１
１チャネルＭＯ３＋・ランジスタを形成したがこれは、
１１型基板上にｐ型の府をイオン注入等によって形成し
たものにｎチャネルＭＯ３）ランジスタを形成してもよ
く、また、上記実施例と導電型がすべて逆であってもよ
く、上記実施例と同様のすＪ果を奏する。
また、上記実施例では、可視域に感度をもつ撮像素子を
想定して光重変換材料にシリコン系材料を用いているが
、用途に応じ他の大きさのバンドギャツプを持つ材料を
用いてもよく、上記実施例と同様の効果を奏する。
〔発明の効果〕
以上のように、この発明に係る固体撮像装置によれば、
画素毎に形成される光電変換部を、当該画素に隣接する
画素の読み出しスイッチング素子上にも形成するように
したので、開口率及び飽和信号ｍを大幅に向上できる効
果がある。
４、図面の簡単な説明
第１図は従来の固体撮像装置を示す断面図、第２図は第
１図の装置の動作を示すだめの電気的な回路構成図、第
３図はこの発明の一実施例による固体撮像装置を示す断
面図、第４図＋ａｌ〜０１）は第３図の装置の製造工程
の流れの一例を示す図である。
３１・・・ｐ型半導体基板、３２・・・ソース、３３・
・・１ルイン、３４・・・チャネル、３５・・・ゲーＩ
・、３６・・・垂直信号線、３７・・・絶縁膜、３８・
・・ｐ型半導体層、３９・・・ｎ型半導体層、５１．．
５２・・・接合面、５０・・・Ｍｏ５ｆ−ランジスタ（
続々出しスイッチング素子）、６０・・・第１の光電変
換部、７０・・・第２の光電変換部。
なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
代理人 大 岩 増 雄
第１図
第２図FIG. 1 is a sectional view showing a conventional solid-state imaging device, FIG. 2 is an electrical circuit configuration diagram showing the operation of the device in FIG. 1, and FIG. 3 is a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention. 4 (al to hl are diagrams showing an example of the flow of the manufacturing process of the device in FIG. 3. 31...p-type semiconductor substrate, 32... source (first Photoelectric conversion unit) 51... Junction surface (first signal charge storage unit), 33... Drain, 34... Channel, 35...
...Gate, 36...Vertical signal line (scanning circuit section), 3
7... Insulating film, 38... P-type semiconductor layer, 39...
n-type semiconductor layer (second photoelectric conversion section), 52... junction surface (second signal charge storage section), 50... MO3I-transistor (scanning circuit section). In the drawings, the same reference numerals indicate the same or equivalent parts. Agent Masuo Oiwa Figure 1 Figure 2 Figure 4 Figure 4 Procedural amendment (voluntary) 21 Title of invention Solid-state imaging device 3, Person making the amendment Representative Hitoshi Katayama Department 4, Agent/6 o'~ -7゛＼ 5. The entire text of the specification to be amended and the drawings (Figures 1, 2, and 3) 6. Contents of the amendment (1) The entire text of the specification will be corrected as shown in the attached sheet. (2) Figures 1, 2, and 3 are corrected as shown in the attached sheet. Description 1, Name of the invention, solid-state imaging device 2, Claims 4, Period 1-3, Detailed description of the invention [Technical field of the invention] This invention relates to the structure of a small-scale solid-state imaging device. It is something. [Prior Art] Conventionally, there has been a device of this type as shown in FIG. In the figure, l is a p-type semiconductor substrate, 2 is the source of the MOS+- transistor 14, and 3, 4.7 are the drain, channel, and gate of the MO3I- transistor 14. 5 is a field oxide film, 6 is a vertical signal line, and 8 is a transparent insulating film. Further, 9 is a flattening film, 10 is a color filter, 11 is a protective film, and 12 is a light shielding film. In this device, the source 2 of the MOS transistor 14 serves as a photoelectric conversion section, and the capacitance formed at the junction surface 13 between the source 2 and the substrate l serves as a signal charge storage section. The storage section 13 is collectively referred to as a photoelectric conversion section 60. Then, the amount of charge accumulated in the pixel is read out to the outside by the transistor 14 having a switching function and the vertical signal line 6. FIG. 1 shows a cross-sectional structure within one pixel of a solid-state imaging device, and FIG. 2 shows a circuit diagram of the entire device in which this is arranged. In FIG. 2, 21 is a horizontal scanning circuit, 22 is a vertical scanning circuit, 23 is a vertical signal line, and 24 is a horizontal signal line, which is connected to the gate of each MOS transistor. Further, a portion 25 surrounded by a broken line including the transistor 14 corresponds to one pixel unit whose cross section is shown in FIG. Next, the operation will be explained. In FIG. 1, the source section 2 has previously been loaded with channel 4 at the time of previous signal readout.
Vertical signal line 6. is conductive and a reverse bias is applied between it and p-type substrate 1. A constant voltage is supplied from the drain 3, which causes the junction 13 between the source section 2 and the substrate 1 to
Carriers are converted to Wf 11, and the potential of the source section 2 is in a floating state. In this state, the light that is separated by the color filter lO and reaches the source 2 of the MO3I-transistor 14 is absorbed there, and the electron-hole pairs generated at this time are converted into electrons and holes by the drift electric field of the junction 13. The separated electrons and holes recombine with previously accumulated carriers and reduce the magnitude of the reverse bias voltage.As a result, the potential of the source section 2 changes to the substrate potential depending on the light intensity. approaches. The amount of carriers flowing into the source part 2 from the drain 3 during signal readout, that is, the magnitude of the current flowing through the vertical signal line 6 when a voltage higher than a threshold value is applied to the gate 7, is determined by the amount of carriers flowing into the pixel. It corresponds to the intensity of light. That is, the time during which the optical signal is accumulated is the time during which the MO3I-transistor 14 is in a non-conducting state, and the magnitude of the change in the potential of the floating source 2 with respect to the constant potential of the substrate l is the incident time within the accumulation time. Corresponds to the total amount of light. Since the conventional solid-state imaging device is configured as described above, in order to eliminate carriers flowing into the drain at times other than readout, it was necessary to limit the aperture region exposed to light to only the source portion. For this reason, there was a drawback that the aperture ratio, which indicates the proportion of the amount of light that is effectively photoelectrically converted, was very low at 20 to 30%. In addition, since the carrier accumulation portion is only the pn junction capacitance under the source portion, there is a drawback that the amount of saturation signal is low. (Summary of the Invention) This invention has been made to eliminate the drawbacks of the conventional ones as described above, and is to replace the photoelectric conversion section with photosensitivity formed for each pixel with the readout switching element of the adjacent pixel. It is an object of the present invention to provide a solid-state imaging device that can greatly increase the aperture ratio and carrier accumulation ability, that is, the saturation light amount, by forming a photoelectric conversion part that is significantly wider than the conventional one. [Embodiment of the Invention] An embodiment of the invention will be described below with reference to the drawings.
The figure shows a solid-state imaging device according to an embodiment of the present invention. In the figure, 31 is a p-type semiconductor substrate, 32 is a source of a MOS transistor 50, 33 is a drain, and 34.35
is also a channel. It is a gate. 36 is a vertical signal line, and 37 is an insulating film that covers the transistor 50 and the vertical signal line 36. In this device, the source 32 of MO3I-transistor 5o is the first
The junction surface 51 between the source 32 and the substrate 31 is the first signal charge accumulation region, and hereinafter the photoelectric conversion section 32 and the signal charge accumulation region 51 are simply referred to as the first photoelectric conversion section 6. It is called ゜. Further, the entire transistor 50 having a switching function serves as a swinging element for reading out the charge of the first photoelectric conversion section 6o, and this switching element and the vertical signal line 36 constitute a scanning circuit section. Reference numerals 38 and 39 denote a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer formed on the scanning circuit section via an insulating film 37, and numerals 39 and 39 denote a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer formed on the scanning circuit section through an insulating film 37, respectively. 3
The bonding surface 52 of B, 39 forms a second signal charge accumulation region. Photoelectric conversion section 39 and signal charge M product region 5 below
2 will be collectively referred to as a second photoelectric conversion section 70. Further, 40 is a field oxide film, 41 is an insulating film, 42 is a flattening film, 43 is a color filter, and 44 is a protective film. In this way, one pixel in the device of this embodiment is composed of the MOS transistor 50 and the first photoelectric conversion section 60 below each color filter, and the second photoelectric conversion section 70 below the adjacent color filter. , and the light shielding film of the conventional device shown in the fat diagram is not formed. Next, FIG. 4 shows an example of the process flow when a recrystallized layer formed by laser annealing is used as the second photoelectric conversion section.
a) ~ (shown in Ill. Figure 4+a) MO3! −
Ranjinu, Ri50 Gate 35. Source 32. A drain 33 is formed, and as shown in FIG. 3B, a first layer wiring, that is, a vertical jh scanning line 36 is formed on the drain 33 side. Next, an insulating film (for example, 5iO2) 37 is formed on the entire surface of the substrate 31, and then the insulating layer N* 37 above the source 32 of the MO3L transistor 50 is removed by etching. The cross-sectional view at this time is the same figure (C3), and as shown in this figure, when the insulating film 37 is etched, the source 32 and the substrate 31 are etched.
The p-n junction between them must be exposed on the outer surface. When p-type polysilicon 45 is deposited on this, a structure as shown in +d in the same figure is obtained, and further, by etching the polysilicon 45, a structure as shown in (el) in the same figure is obtained. 45 and the n-type source 32 should remain in contact with each other. In the state shown in FIG. 3B.The type of crystal at this time is p-type silicon, which is the same as that of the substrate 31. Furthermore, by implanting n-type impurities such as A9 and thermal annealing, the surface of the recrystallized silicon layer 450 and the surface of the silicon layer 450 are formed. The surface of the p-type semiconductor part 31 exposed in 39, and the p-type semiconductor layer 38 is electrically connected to the p-type semiconductor of the substrate 31 by recrystallization.
and 52 are formed continuously. A passivation film 41 is formed on this as shown in the figure ([1], and a flattening film 421, a color filter 43, and a protective film 44 are formed.
The completed structure is shown in (1+) in the same figure. Next, the operation will be explained. In FIG. 3, the incident light separated by the color filter 43 is separated by a transparent flattening film 4.
2. Insulation 1! ! 41, it reaches the first and second photoelectric conversion parts, namely the source 32 and the n-type semiconductor layer 39. Drift 1-I is present at the junction 01S51 between the substrate 31 and the source 32.
An LLS field exists, and the electron-hole pairs excited by light in the source 32 form this drift! - Molecules are illuminated by an electric field. On the other hand, the n-type semiconductor layer 39, which is the second photoelectric conversion section, is formed of single crystal silicon, polycrystalline silicon, or amorphous silicon, and the electron-hole pairs generated in this photoelectric conversion section are transferred to the n-type semiconductor layer. They are separated by a drift electric field existing at a junction surface 52 with a p-type semiconductor layer 38 formed in the same manner as 39. Here, the photoelectric conversion film 39, which is formed on the gate 35, the dowel/in 33, and the field oxide film 40 of the MOS transistor 50 via the insulating film 37, is thick enough to absorb visible light. It needs to be created. When the material of the photoelectric conversion film 39 is single-crystal or polycrystalline silicon, the absorption coefficient for light with energy greater than the forbidden band width is l Q 4 cm- or more.
! If it is thick, it absorbs more than 90% of the light. In addition, in the case of amorphous silicon, the absorption coefficient for light with energy greater than the forbidden band width is about l Q 5 cm-', so if the thickness of the photoelectric conversion film is 0.2 μIII or more, the absorption coefficient for light with energy greater than the forbidden band width is approximately It can absorb more than 9"0% of energy incident light. On the other hand, if the film thickness in this part is insufficient, the transmitted light will be absorbed by the channel 34 and drain 33 of the MOS transistor 50.
There is a possibility that the carriers generated there flow into the vertical signal line 36 through the drain 33 and become a pseudo signal. The operation during signal readout is the same as that described in FIG.
and 38 are applied with a high potential so as to be sufficiently reverse biased, and then the channel 34 is rendered non-conductive, so that the potentials of the fl-type semiconductor portions 32 and 39 are brought into a floating state. In this state, when electron-hole pairs are generated in the junction portions 51 and 52 by photoexcitation, the carriers that have been subjected to MM due to the reverse bias in the junction capacitance are reduced by recombination. As a result, the potentials of the n-type semiconductor parts 32 and 39 gradually decrease and approach the potential of the p-type semiconductor parts 31 and 38. The potential drop at this time corresponds to the amount of incident light. Therefore, the amount of charge flowing from the drain 33 to the source 32 during the next signal readout increases the amount of incident light. In this way, in this example, the charge conversion section formed for each pixel is also formed on the readout switching element of the pixel adjacent to the pixel, so that the aperture ratio indicating the proportion of light q that is effectively converted and the carrier's WHR capability can be greatly improved. In addition, in the second embodiment, the substrate is p-type, and 1 in 10
A 1-channel MO3+ transistor was formed, but this
An n-channel MO3) transistor may be formed on a 11-type substrate with p-type regions formed by ion implantation or the like, or the conductivity types may be reversed from those in the above embodiments. It plays the same effect as J. In addition, in the above embodiment, a silicon-based material is used as the light weight conversion material assuming an image sensor sensitive to the visible range, but materials with band gaps of other sizes may be used depending on the application. In many cases, the same effects as in the above embodiment can be achieved. [Effects of the Invention] As described above, according to the solid-state imaging device according to the present invention,
Since the photoelectric conversion section formed for each pixel is also formed on the readout switching element of the pixel adjacent to the pixel, there is an effect that the aperture ratio and the saturation signal m can be significantly improved. 4. Brief description of the drawings Fig. 1 is a sectional view showing a conventional solid-state imaging device, Fig. 2 is an electrical circuit configuration diagram showing the operation of the device shown in Fig. 1, and Fig. 3 is a diagram showing the structure of the present invention. A sectional view showing a solid-state imaging device according to an embodiment, FIG. 4+al~01) is a diagram showing an example of the flow of the manufacturing process of the device shown in FIG. 3. 31... p-type semiconductor substrate, 32... source, 33...
...1 Ruin, 34...Channel, 35...Game I
・, 36... Vertical signal line, 37... Insulating film, 38...
...p-type semiconductor layer, 39...n-type semiconductor layer, 51. ．．
52...Joint surface, 50...Mo5f-transistor (
), 60...first photoelectric conversion section, 70...second photoelectric conversion section. Note that the same reference numerals in the figures indicate the same or equivalent parts. Agent Masuo Oiwa Figure 1 Figure 2
Claims (1)
蓄積する第１の信号電荷蓄積部、及び光の照射により電
子正孔対を発生する第１の光電変換部と、上記半導体基
板内に画素毎に形成され上記第１の光電変換部で発生し
分離した電子又は正孔が上記第１の信号電荷蓄積部に蓄
積された信号電荷と再結合して生ずる電流を読出す走査
回路部と、上記半導体基板の当該画素に隣接する画素の
走査回路部上にこれと絶縁されかつ当該画素の上記第１
の光電変換部、第１の信号電荷蓄積部に電気的に接続さ
れて形成された第２の光電変換部及び第２の信号電荷蓄
積部とを備えたことを特徴とする固体撮像装置。 （２）上記第２の光電変換部及び第２の信号電荷蓄積部
を、レーザアニールによる再結晶化層により形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の固体撮像装
置。 （３）上記第２の光電変換部及び第２の信号電荷蓄積部
を、非晶質材料により形成したことを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の固体撮像装置。[Claims] 11) A first signal charge storage section that accumulates signal charges formed for each pixel in a semiconductor substrate, and a first photoelectric conversion section that generates electron-hole pairs by irradiation with light. , which is formed for each pixel in the semiconductor substrate, and generates a current when electrons or holes generated and separated in the first photoelectric conversion section recombine with signal charges accumulated in the first signal charge accumulation section. A scanning circuit section to be read out and a scanning circuit section of a pixel adjacent to the pixel of the semiconductor substrate, the first scanning circuit section being insulated from the scanning circuit section and the first scanning circuit section of the pixel adjacent to the pixel of the semiconductor substrate.
What is claimed is: 1. A solid-state imaging device comprising: a photoelectric conversion section; a second photoelectric conversion section formed electrically connected to the first signal charge accumulation section; and a second signal charge accumulation section. (2) The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the second photoelectric conversion section and the second signal charge storage section are formed by a recrystallized layer formed by laser annealing. (3) The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the second photoelectric conversion section and the second signal charge storage section are formed of an amorphous material.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192878A JPS6084870A (en) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | Solid-state image pickup device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58192878A JPS6084870A (en) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | Solid-state image pickup device |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60001826A Division JPS60167366A (en) | 1985-01-08 | 1985-01-08 | Manufacture of solid-state image pickup device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6084870A true JPS6084870A (en) | 1985-05-14 |
Family
ID=16298475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58192878A Pending JPS6084870A (en) | 1983-10-14 | 1983-10-14 | Solid-state image pickup device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6084870A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5274224A (en) * | 1991-07-26 | 1993-12-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Apparatus for the detection of non-focusable radiation formed by joining a plurality of image displays or shooting matrixes in a side by side arrangement |
-
1983
- 1983-10-14 JP JP58192878A patent/JPS6084870A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5274224A (en) * | 1991-07-26 | 1993-12-28 | Commissariat A L'energie Atomique | Apparatus for the detection of non-focusable radiation formed by joining a plurality of image displays or shooting matrixes in a side by side arrangement |
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