JPS608299A - 5−デ−o−メチルスポラリシンbまたはその塩類の製造法 - Google Patents
5−デ−o−メチルスポラリシンbまたはその塩類の製造法Info
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- JPS608299A JPS608299A JP58117913A JP11791383A JPS608299A JP S608299 A JPS608299 A JP S608299A JP 58117913 A JP58117913 A JP 58117913A JP 11791383 A JP11791383 A JP 11791383A JP S608299 A JPS608299 A JP S608299A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
- Y02P20/55—Design of synthesis routes, e.g. reducing the use of auxiliary or protecting groups
Landscapes
- Saccharide Compounds (AREA)
- Pharmaceuticals Containing Other Organic And Inorganic Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は優れた抗菌作用を有する5−デーローメチル
スポラリシンBまたはその塩類の製造法に関するもので
ある。
スポラリシンBまたはその塩類の製造法に関するもので
ある。
5−デー0−メチルスポラリシンBは次の式で示される
公知物質〔例えば、ザ・ジャーナル・オブ・アンティバ
イオティックス第32巻第187頁(1979)および
米国特許第4,255,421号参照〕である。
公知物質〔例えば、ザ・ジャーナル・オブ・アンティバ
イオティックス第32巻第187頁(1979)および
米国特許第4,255,421号参照〕である。
上記5−デー0−メチルスポラリシンBの塩類としては
、例えは硫酸、硝酸、炭酸、燐酸、塩酸、臭化水素酸、
沃化水素酸、酢酸、フマル酸、りんご酸、くえ−ん酸、
マンデル酸、こは(酸等の無機または有機酸との酸付加
塩が挙げられる。
、例えは硫酸、硝酸、炭酸、燐酸、塩酸、臭化水素酸、
沃化水素酸、酢酸、フマル酸、りんご酸、くえ−ん酸、
マンデル酸、こは(酸等の無機または有機酸との酸付加
塩が挙げられる。
上記5−デー0−メチルスポラリシンB (Ilは次に
示す様な方法によって製造される。
示す様な方法によって製造される。
または保護されたアミノ基、R、Rはヒドロキシ基また
は保護されたヒドロキシ基、技 はアミノ保護基、Xは
ハロゲン、ヒドロキシ基、アシルオキシ基またはアルコ
キシ基をそれぞれ意味する]k 及びXの各記号、或は
上記化合物(6)台よび(2)を!lii造する為の化
学的方法番ご関する後述の説明における2・Tr・Ml
l、A等の各種記号によって種々の置換基を表現してい
るが、ここで表現される各置換基の意味は原則的に同一
であるから、ここにこれらを一括して取上げ、特に上位
概念をもつて示される置換基については代表例を掲げて
説明する。従ってここに説明する置換基は以後説明され
る各反応においてそれぞれ適用されるが、各反応毎に置
換基相互間の影響、原料物質の性状、目的物質の性状等
がそれぞれ異なっているので、各反応毎にそれらを配慮
して最適の置換基を選定することは有意義なことである
。
は保護されたヒドロキシ基、技 はアミノ保護基、Xは
ハロゲン、ヒドロキシ基、アシルオキシ基またはアルコ
キシ基をそれぞれ意味する]k 及びXの各記号、或は
上記化合物(6)台よび(2)を!lii造する為の化
学的方法番ご関する後述の説明における2・Tr・Ml
l、A等の各種記号によって種々の置換基を表現してい
るが、ここで表現される各置換基の意味は原則的に同一
であるから、ここにこれらを一括して取上げ、特に上位
概念をもつて示される置換基については代表例を掲げて
説明する。従ってここに説明する置換基は以後説明され
る各反応においてそれぞれ適用されるが、各反応毎に置
換基相互間の影響、原料物質の性状、目的物質の性状等
がそれぞれ異なっているので、各反応毎にそれらを配慮
して最適の置換基を選定することは有意義なことである
。
まずアミノ基の保護基として用いられるものを例示する
と、アシル基、アルキリデン基、アラルキリデン基、ア
リール基、シリル基等が例示される。ここでアシル基と
しては、例えばアルコキシカルボニル基(例えはメトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカ
ルボニル基、第3級ブトキシカルボニル基等〕、アルカ
ノイル基(例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリ
/L[等)、アラルカッイル基(例えはベンジルカルボ
ニル基、フェネチルカルボニル基等)、アロイル基(例
えばベンゾイル基、トルオイル基等)アルカンスルボニ
ル基(例えばメタンスルホニル基−エタンスルホニル基
等)、アラルカンスルホニル基(IR工はフェニルメタ
ンスルホニル基等)等が例示される。アルキリデン基と
しては例えばメチレン基、エチリデン基、プロピリデン
基等が例示される。アラルキリデン基としては例えはベ
ンジリデン基が例示される。アリール基としては例えは
フェニル基、トリル基、ナフチル基等が例示される。
と、アシル基、アルキリデン基、アラルキリデン基、ア
リール基、シリル基等が例示される。ここでアシル基と
しては、例えばアルコキシカルボニル基(例えはメトキ
シカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカ
ルボニル基、第3級ブトキシカルボニル基等〕、アルカ
ノイル基(例えばアセチル基、プロピオニル基、ブチリ
/L[等)、アラルカッイル基(例えはベンジルカルボ
ニル基、フェネチルカルボニル基等)、アロイル基(例
えばベンゾイル基、トルオイル基等)アルカンスルボニ
ル基(例えばメタンスルホニル基−エタンスルホニル基
等)、アラルカンスルホニル基(IR工はフェニルメタ
ンスルホニル基等)等が例示される。アルキリデン基と
しては例えばメチレン基、エチリデン基、プロピリデン
基等が例示される。アラルキリデン基としては例えはベ
ンジリデン基が例示される。アリール基としては例えは
フェニル基、トリル基、ナフチル基等が例示される。
次にヒドロキシ基の保護基としては上記アミノ保護基と
して例示したもののうち、一般にヒドロキシ保護基とし
て使用されるものが再掲されるが、その他鎖状若しくは
環状の置換または非置換アルキル基例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、第3級ブチル基、シクロヘキシル
基等(尚直換アルキル基としては例えばエトキシエチル
基、エトキシエチル基等のアルコキシアルキル基等)、
更には含酸素環式基(例えはテトラヒドロフリル基、2
−テトラヒドロ−2H−ピラニル基等)等もヒドロキシ
保護基として利用できる。尚前記保護基のうちアシル基
、アルキリデン基及びアラルキリデン基が隣接ヒドロキ
シ基の保護基として利用されるときは5員環状結合を作
ってヒドロキシ基を保護する。又ヒドロキシ基とアミノ
基が隣接している場合においては前記アシル基、アルキ
リデン基及びアラルキリデン基がこれらヒドロキシ基や
アミ7基を包含して5員環状結合を作って保護目的を呆
す場合も本発明に含まれる。
して例示したもののうち、一般にヒドロキシ保護基とし
て使用されるものが再掲されるが、その他鎖状若しくは
環状の置換または非置換アルキル基例えばメチル基、エ
チル基、プロピル基、第3級ブチル基、シクロヘキシル
基等(尚直換アルキル基としては例えばエトキシエチル
基、エトキシエチル基等のアルコキシアルキル基等)、
更には含酸素環式基(例えはテトラヒドロフリル基、2
−テトラヒドロ−2H−ピラニル基等)等もヒドロキシ
保護基として利用できる。尚前記保護基のうちアシル基
、アルキリデン基及びアラルキリデン基が隣接ヒドロキ
シ基の保護基として利用されるときは5員環状結合を作
ってヒドロキシ基を保護する。又ヒドロキシ基とアミノ
基が隣接している場合においては前記アシル基、アルキ
リデン基及びアラルキリデン基がこれらヒドロキシ基や
アミ7基を包含して5員環状結合を作って保護目的を呆
す場合も本発明に含まれる。
Xで示されるハロゲンとしては弗素、塩素、臭素、沃素
等が例示され、又同じ(Xで示されるアシルオキシ基と
しては前記アミノ保護基として説明したアシル基で置換
されたヒドロキシ基をその7:ま再掲示できるが、特、
に代表的なものを例示するとアルカノイルオキシ基(例
えばアセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、第3級
ブチリルオキシ基等〕やアルカンスルホニルオキシ基(
例えばメタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオ
キシ基等)等を挙げることができる。又更に同じくxで
示されるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、第3級ブトキシ基等を例示すること
ができる。
等が例示され、又同じ(Xで示されるアシルオキシ基と
しては前記アミノ保護基として説明したアシル基で置換
されたヒドロキシ基をその7:ま再掲示できるが、特、
に代表的なものを例示するとアルカノイルオキシ基(例
えばアセチルオキシ基、プロピオニルオキシ基、第3級
ブチリルオキシ基等〕やアルカンスルホニルオキシ基(
例えばメタンスルホニルオキシ基、エタンスルホニルオ
キシ基等)等を挙げることができる。又更に同じくxで
示されるアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ
基、プロポキシ基、第3級ブトキシ基等を例示すること
ができる。
以上で代表的な保護基及び置換基を説明したがその他の
保護基や置換基については個々の反応工程の説明におい
て必要により説明を行なう◎−i式(6)で示されたヘ
プトピラノース誘導体と一般式(2)で示されたシクロ
ヘキサン誘導体の縮合反応は次の様にして行なわれる。
保護基や置換基については個々の反応工程の説明におい
て必要により説明を行なう◎−i式(6)で示されたヘ
プトピラノース誘導体と一般式(2)で示されたシクロ
ヘキサン誘導体の縮合反応は次の様にして行なわれる。
ヘプトピラノース誘導体(3)におけるXがハロゲンや
アシルオキシ基であるときは一上記縮合反応が脱酸的に
進行するので酸捕捉剤を併用することが推奨される。酸
捕捉剤としては、ピリジン、トリアルキルアミン(例え
ばトリメチルアミンやトリエチルアミン等)、1.8−
ジアザビシクロ〔5゜4.01−7−ウンデセン等の有
機塩基;炭酸塩(1央詮嵩(炭酸す) IJウムや炭酸
カリウム等)、酸化銀−酸化水銀等の無機塩基;モレ牛
ニラーシーブ等が例示される。又Xがヒドロキシ基でめ
るときp−は上記縮合反応が脱水的に進行するので脱水
剤を使用することが推奨される。脱水剤としては。
アシルオキシ基であるときは一上記縮合反応が脱酸的に
進行するので酸捕捉剤を併用することが推奨される。酸
捕捉剤としては、ピリジン、トリアルキルアミン(例え
ばトリメチルアミンやトリエチルアミン等)、1.8−
ジアザビシクロ〔5゜4.01−7−ウンデセン等の有
機塩基;炭酸塩(1央詮嵩(炭酸す) IJウムや炭酸
カリウム等)、酸化銀−酸化水銀等の無機塩基;モレ牛
ニラーシーブ等が例示される。又Xがヒドロキシ基でめ
るときp−は上記縮合反応が脱水的に進行するので脱水
剤を使用することが推奨される。脱水剤としては。
トリフェニルホスフィンとジエチルアゾジカルボキシレ
ートのコンプレックス;トリフェニルホスフィンと4塩
化炭素のコンプレックス;ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド等が例示される。又Xがアルカノイルオキシ基やア
ルコキシ基のときは、3 弗化硼素、臭化水銀、トリメ
チルシリルトリプルオロメタンスルホネート等のルイス
酸を併用することが推奨される。
ートのコンプレックス;トリフェニルホスフィンと4塩
化炭素のコンプレックス;ジシクロヘキシルカルボジイ
ミド等が例示される。又Xがアルカノイルオキシ基やア
ルコキシ基のときは、3 弗化硼素、臭化水銀、トリメ
チルシリルトリプルオロメタンスルホネート等のルイス
酸を併用することが推奨される。
この縮合反応は一般に溶媒中で行なわれるが、該溶媒と
しては、ジエチルエーテル、テトラヒVロフラン、ジメ
トキシエタン、ジメチルホルムアミドーヘキサメチルホ
スホリツクトリアミジ、クロロホルム、1.2−ジクロ
ロエタン−ベンゼン、トルエン等−あるいはその他この
反応の進行に悪影響を及ぼさない溶媒が用いられる。又
反応は冷却乃至加熱下に行なわれる。
しては、ジエチルエーテル、テトラヒVロフラン、ジメ
トキシエタン、ジメチルホルムアミドーヘキサメチルホ
スホリツクトリアミジ、クロロホルム、1.2−ジクロ
ロエタン−ベンゼン、トルエン等−あるいはその他この
反応の進行に悪影響を及ぼさない溶媒が用いられる。又
反応は冷却乃至加熱下に行なわれる。
縮合反応によって得られた化合物(IV)は次に保護基
の脱離反応に付すことによって5−デーO−メチルスポ
ラリシン13(工jに誘尋する。
の脱離反応に付すことによって5−デーO−メチルスポ
ラリシン13(工jに誘尋する。
この脱H1ヒ反応としては、例えば加水分解、還元等が
挙げられ、これらはヒドロキシ保護基やアミノ保護基の
種類に応じ適宜選択される。
挙げられ、これらはヒドロキシ保護基やアミノ保護基の
種類に応じ適宜選択される。
還元方法としては化学還元および接触還元等が適用でき
、接触還元に用いる適当な触媒としては、白金触媒(例
えば白金板、白金海綿、白金黒、コロイド白金、酸化白
金、白金線等)−パラジウム触媒(例えばパラジウム海
綿、パラジウム黒、酸化パラジウム、パラジウム、炭素
、コロイドパラジウム、パラジウム・硫酸バリウム−パ
ラジウム・炭酸バリウム等)、ニッケル触媒(例えば還
元ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッケル等)、コバ
ルト触媒(例えば還元コバルト、ラネーコバルト等)、
鉄触媒(例えば還元鉄、ラネー鉄等)−銅触媒(例えば
還元銅、ラネー銅、ウルマン鋼等)等が含まれる。接触
還元は常圧または加圧下のいずれでも行なわれる。
、接触還元に用いる適当な触媒としては、白金触媒(例
えば白金板、白金海綿、白金黒、コロイド白金、酸化白
金、白金線等)−パラジウム触媒(例えばパラジウム海
綿、パラジウム黒、酸化パラジウム、パラジウム、炭素
、コロイドパラジウム、パラジウム・硫酸バリウム−パ
ラジウム・炭酸バリウム等)、ニッケル触媒(例えば還
元ニッケル、酸化ニッケル、ラネーニッケル等)、コバ
ルト触媒(例えば還元コバルト、ラネーコバルト等)、
鉄触媒(例えば還元鉄、ラネー鉄等)−銅触媒(例えば
還元銅、ラネー銅、ウルマン鋼等)等が含まれる。接触
還元は常圧または加圧下のいずれでも行なわれる。
また加水分解方法としては、酸または塩基の存在下に行
なうのが好ましい。ここで用い乞酸としては、弗化水素
酸、塩化水素ガス、塩酸等の無機酸;トリフルオロ酢酸
等の有機酸;陽イオン交換樹脂が例示され、又塩基とし
てCX水酸化ナトUウムや水酸化カリウム等の無機塩基
;ピリジン等の有機塩基;陰イオン変換樹脂が例示され
る。そして加水分解を採用するか還元を採用するかは、
化合物(IV)の性状や置換基の種類によって判断すれ
ばよく、又保護基の脱離反応を1工程で一気に行なうか
一2工程以上に分けて行なうか、或は後者の場合どの様
な反欅手段をどの様に組み合わせるか等の選択もその都
度任意に決定すれば良いことである。
なうのが好ましい。ここで用い乞酸としては、弗化水素
酸、塩化水素ガス、塩酸等の無機酸;トリフルオロ酢酸
等の有機酸;陽イオン交換樹脂が例示され、又塩基とし
てCX水酸化ナトUウムや水酸化カリウム等の無機塩基
;ピリジン等の有機塩基;陰イオン変換樹脂が例示され
る。そして加水分解を採用するか還元を採用するかは、
化合物(IV)の性状や置換基の種類によって判断すれ
ばよく、又保護基の脱離反応を1工程で一気に行なうか
一2工程以上に分けて行なうか、或は後者の場合どの様
な反欅手段をどの様に組み合わせるか等の選択もその都
度任意に決定すれば良いことである。
これらの反応は、通常水、メタノール、エタノール、プ
ロパツール、テトラヒドロフラン、 N、N−ジメチル
ホルムアミド、ジオキサン、塩化メチレン−酢酸等のこ
の反応に悪影響を与えない慣用溶媒またはこれらの混合
物中で行なわれる。
ロパツール、テトラヒドロフラン、 N、N−ジメチル
ホルムアミド、ジオキサン、塩化メチレン−酢酸等のこ
の反応に悪影響を与えない慣用溶媒またはこれらの混合
物中で行なわれる。
脱離反工6温度は特に限定されないが、通常冷却下ない
し加温程度の緩和な条件下で行なうことができる。
し加温程度の緩和な条件下で行なうことができる。
上記製造法で得られる目的物質(工月ズ常法により単離
、精製され、また所望の塩に導くことができる。
、精製され、また所望の塩に導くことができる。
本発明に用いる原料物質及び中間物質(C1,([]及
び(1■)のうち一部は新規化合物であるが、それらの
合成ルートについて以下代表的に説明する。
び(1■)のうち一部は新規化合物であるが、それらの
合成ルートについて以下代表的に説明する。
[ヘプトピラノース誘導体(6)の合成](式中Zはア
ミノ保護基を意味する) この反応は化合物(II−1)をアミノ保護基の導入反
応に付すことによって行なわれる。2で示されるアミノ
保護基としては、特にアルキル オキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボ
ニル基が汎用される。
ミノ保護基を意味する) この反応は化合物(II−1)をアミノ保護基の導入反
応に付すことによって行なわれる。2で示されるアミノ
保護基としては、特にアルキル オキシカルボニル基、
アラルキルオキシカルボニル基、アリールオキシカルボ
ニル基が汎用される。
この様なアミノ保護基を導入するに当ってはアルキル
オキシカルボニル化剤、アラルキルオキシカルボニル化
剤、アリールオキシカルボニル化剤等が用いられるが、
更に具体例を示して説明すると、メトキシ力ルポニルハ
ライF、エトキシカルボニルハライド、プロボキシカル
ポニルハライ)″、ベンジルオキシカルボニルハライド
、フエノキシカルボニルハライド等が挙げられ、上記例
示におけるハライド化合物としてはクロリド化合物が例
示される。
オキシカルボニル化剤、アラルキルオキシカルボニル化
剤、アリールオキシカルボニル化剤等が用いられるが、
更に具体例を示して説明すると、メトキシ力ルポニルハ
ライF、エトキシカルボニルハライド、プロボキシカル
ポニルハライ)″、ベンジルオキシカルボニルハライド
、フエノキシカルボニルハライド等が挙げられ、上記例
示におけるハライド化合物としてはクロリド化合物が例
示される。
またアミノ保護基の智、入側としては、上記の他N−[
ベンジルオキシカルボニルオキシ]サクシンイミド等の
活性エステル類を使用することもできる。
ベンジルオキシカルボニルオキシ]サクシンイミド等の
活性エステル類を使用することもできる。
これらの反応は水、メタノール−テトラヒドロフラン、
ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、ある
いはその他この反応の進行を妨げない溶媒の存在下に行
なう。反応温度は特に限定されず冷却〜加熱下に行なう
が、特に0℃〜室温程度で行なうのが好ましい。また反
応には酸捕捉剤を併用することが望ましく、特に上記ハ
ライド化合物を用いるときは一水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチ
ルアミン等の無機または有機アミンを用いることか望ま
れる。尚前記活性エステル類を用いるときは酸捕捉剤を
併用する必要はないが、例えはトリエチルアミン等の有
機塩基は反応の進行に悪影響を与えない限り併用しても
差支えない。
ジオキサン、ジメチルホルムアミド、酢酸エチル、ある
いはその他この反応の進行を妨げない溶媒の存在下に行
なう。反応温度は特に限定されず冷却〜加熱下に行なう
が、特に0℃〜室温程度で行なうのが好ましい。また反
応には酸捕捉剤を併用することが望ましく、特に上記ハ
ライド化合物を用いるときは一水酸化ナトリウム、水酸
化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、トリエチ
ルアミン等の無機または有機アミンを用いることか望ま
れる。尚前記活性エステル類を用いるときは酸捕捉剤を
併用する必要はないが、例えはトリエチルアミン等の有
機塩基は反応の進行に悪影響を与えない限り併用しても
差支えない。
(2)
(II−2) (If−3)
〔式中2は前と同じ意味、kは炭化水素残基を意味する
〕 この反応は化合物(II−2)を1位のヒドロキシ基の
エーテル化反応に付すことによって行なゎtLル。技で
示される炭化水素残基としては、アルキル基(例えはメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等)、アリー
ル基〔フェニル基、トリル基等〕、アラルキル基(ベン
ジル基、フェネチル基等〕等が例示され、反応に際して
はアルカノール、フェノール類、アルカノール等を化合
物(II−2月こ作用させる。反応に際しては、塩化水
素、有機スルホン酸、陽イオン交換樹脂、塩化亜鉛等を
共存させることが推奨される。反応は溶媒中で行なわれ
るが、前記メタノールやエタノールは反応試剤と7g媒
を兼ねることができる。その他の溶媒としてはベンゼン
、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等が例示
される。反応は冷却〜加熱下に行なうが、特に好ましい
ものは0〜100℃である。
〕 この反応は化合物(II−2)を1位のヒドロキシ基の
エーテル化反応に付すことによって行なゎtLル。技で
示される炭化水素残基としては、アルキル基(例えはメ
チル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等)、アリー
ル基〔フェニル基、トリル基等〕、アラルキル基(ベン
ジル基、フェネチル基等〕等が例示され、反応に際して
はアルカノール、フェノール類、アルカノール等を化合
物(II−2月こ作用させる。反応に際しては、塩化水
素、有機スルホン酸、陽イオン交換樹脂、塩化亜鉛等を
共存させることが推奨される。反応は溶媒中で行なわれ
るが、前記メタノールやエタノールは反応試剤と7g媒
を兼ねることができる。その他の溶媒としてはベンゼン
、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等が例示
される。反応は冷却〜加熱下に行なうが、特に好ましい
ものは0〜100℃である。
(3)
(式中Z及びkは前と同じ意味、Tr はヒドロキシ保
護基を意味する〕 この反応は化合物(IF−3)の2位のヒドロキシメチ
ル基に−ヒドロキシ保護基(例えばトリフェニルメチル
基)を尋人することによって行なわれる。この反応にお
いて特に好ましい保護基とされるトリフェニルメチル基
の導入試剤としては、トリフェニルメチルピリジニウム
フロロボレートやトリフェニルメチルクロリド等が例示
され、同時にピリジン、トリエチルアミン、4−N、N
−ジメチルアミノピリジン、モVキュラーシーブス等の
酸捕捉剤を用いることが推奨される。反応は一般に溶媒
中で行なわれ、前記ピリジンは溶媒としても兼用される
が、この他クロロホルム、エーテル、酢酸エチル、ジメ
チルホルムアミド、アセトニトリル、更にはこの反応の
進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反応温度は
特に限定されず、冷却〜加熱下に行なわれるが、特に好
ましい範囲は一20〜50℃である。
護基を意味する〕 この反応は化合物(IF−3)の2位のヒドロキシメチ
ル基に−ヒドロキシ保護基(例えばトリフェニルメチル
基)を尋人することによって行なわれる。この反応にお
いて特に好ましい保護基とされるトリフェニルメチル基
の導入試剤としては、トリフェニルメチルピリジニウム
フロロボレートやトリフェニルメチルクロリド等が例示
され、同時にピリジン、トリエチルアミン、4−N、N
−ジメチルアミノピリジン、モVキュラーシーブス等の
酸捕捉剤を用いることが推奨される。反応は一般に溶媒
中で行なわれ、前記ピリジンは溶媒としても兼用される
が、この他クロロホルム、エーテル、酢酸エチル、ジメ
チルホルムアミド、アセトニトリル、更にはこの反応の
進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反応温度は
特に限定されず、冷却〜加熱下に行なわれるが、特に好
ましい範囲は一20〜50℃である。
(4)
(II−4) CI[−,5)
(式中Z、R及び1゛r は前と同じ意味、M5 はヒ
ドロキシ保護基を意味する〕 この反応は化合物(II−4)の3.4位のヒドロキシ
基に、ヒドロキシ保護基を導入することによって行なわ
れる。Ms で示されるヒドロキシ保護基としては、ア
ルキルスルホニル基(メタンスルホニル基、トリフルオ
ロメタンスルホニル基、エタンスルホニル基等)、アル
キルスルホニル基(ベンゼンスルホニル基−トルエンス
ルホニル基等)アラルカンスルホニル基(フェニルメタ
ンスルホニル基、フェニルエタンスルホニル基S)カ例
示すれる。そしてこの様なヒドロキシ保護基の導入試剤
としては、対応するアルカンスルホニルハライドーアレ
ーンスルホニルハライF1アラルカンスルホニルハライ
ド等が用いられ、上記例示におけるハライr化合物とし
てはクロリド化合物が例示される。
ドロキシ保護基を意味する〕 この反応は化合物(II−4)の3.4位のヒドロキシ
基に、ヒドロキシ保護基を導入することによって行なわ
れる。Ms で示されるヒドロキシ保護基としては、ア
ルキルスルホニル基(メタンスルホニル基、トリフルオ
ロメタンスルホニル基、エタンスルホニル基等)、アル
キルスルホニル基(ベンゼンスルホニル基−トルエンス
ルホニル基等)アラルカンスルホニル基(フェニルメタ
ンスルホニル基、フェニルエタンスルホニル基S)カ例
示すれる。そしてこの様なヒドロキシ保護基の導入試剤
としては、対応するアルカンスルホニルハライドーアレ
ーンスルホニルハライF1アラルカンスルホニルハライ
ド等が用いられ、上記例示におけるハライr化合物とし
てはクロリド化合物が例示される。
このII5はクロロホルム、ピリジン、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、ジクロロメタン、アセトニトリル等
の溶媒中で行なうが、溶媒としては上記の他この反応の
進行に悪影響を与えないものも使用できる。反応には酸
捕捉剤としてピリジンやトリエチルアミンの様な有機塩
基あるいはモノキュラーシーブスが用いられる。尚ピリ
ジンはγ6媒を兼ねることもできる。反応温度は特に限
定さ度範囲は一20〜50℃である。
ラン、ジオキサン、ジクロロメタン、アセトニトリル等
の溶媒中で行なうが、溶媒としては上記の他この反応の
進行に悪影響を与えないものも使用できる。反応には酸
捕捉剤としてピリジンやトリエチルアミンの様な有機塩
基あるいはモノキュラーシーブスが用いられる。尚ピリ
ジンはγ6媒を兼ねることもできる。反応温度は特に限
定さ度範囲は一20〜50℃である。
(式中Z、R及びTrは前と同じ意味)この反応は化合
物(II−5)を脱酸反応に付すことによって行なわれ
る。脱酸反応は亜鉛及びハロゲン化アルカリ金属(例え
ば沃化ナトリウムやの 沃化カリウム等)の存在下浴媒中で行なうが一般△ 的であるが、該溶媒としてはジメチルホルムアミド、ヘ
キサメチルホスホリックトリアミドあるいはその他この
反応の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反応
温度については制限がな(通常室温〜加熱下に行なわれ
るが、特に好ましい温度範囲は50〜150℃である。
物(II−5)を脱酸反応に付すことによって行なわれ
る。脱酸反応は亜鉛及びハロゲン化アルカリ金属(例え
ば沃化ナトリウムやの 沃化カリウム等)の存在下浴媒中で行なうが一般△ 的であるが、該溶媒としてはジメチルホルムアミド、ヘ
キサメチルホスホリックトリアミドあるいはその他この
反応の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反応
温度については制限がな(通常室温〜加熱下に行なわれ
るが、特に好ましい温度範囲は50〜150℃である。
この反応は化合物(IF−6)を接触還元に付すことに
よって行なわれ、2重結合が飽和されると共にアミノ保
護基の脱離反応が進行する。反応試剤としては一般の接
触還元用触媒、例えばPd−C。
よって行なわれ、2重結合が飽和されると共にアミノ保
護基の脱離反応が進行する。反応試剤としては一般の接
触還元用触媒、例えばPd−C。
Pd、Rh等が用いられ、反応系には鉱酸(塩酸等)や
有機酸(アルキルスルホン酸等)を共存させてもさせな
くとも良い。反応は一般に溶媒中で行なわれ、該溶媒と
しては水、メタノール、酢酸、アセトン、ジメチルホル
ムアミF、酢酸エチル、ジオキサンが例示され、この他
この反応の進行に悪影響を与えない溶媒も用いられる。
有機酸(アルキルスルホン酸等)を共存させてもさせな
くとも良い。反応は一般に溶媒中で行なわれ、該溶媒と
しては水、メタノール、酢酸、アセトン、ジメチルホル
ムアミF、酢酸エチル、ジオキサンが例示され、この他
この反応の進行に悪影響を与えない溶媒も用いられる。
反応温度は特に制限されないが、室温〜加温下に行なう
のが一般的である。
のが一般的である。
尚接触還元反応においてアミノ保護基の脱離反応が十分
に進行しなかったり一進行し難い場合には、酢酸エチル
やジオキサン等の溶媒中に塩化水素または臭化水素等を
加えて処理すること力(推奨される。
に進行しなかったり一進行し難い場合には、酢酸エチル
やジオキサン等の溶媒中に塩化水素または臭化水素等を
加えて処理すること力(推奨される。
(式中K及びTrは前と同じ意味、l’hthはアミノ
保護基を意味する] この反応は化合物(n−73をアミノ保護基(例えはフ
タロイル基)の導入反応に付すことによって行なわれる
。この反応において特に汎用されるフタロイル基の導入
に当っては、無水フタJし酸あるいはN−エトキシカル
ボニルフタルイミド等を反応試剤とすることが望ましい
。この場合炭酸ナトリウム、トリエチルアミンージイソ
プロビルエチルアミン等の無機ま゛たは有機塩基を触媒
として利用することが推奨される。反応溶媒としてはク
ロロホノにム、テトラヒドロフラン、水、メタノール、
アセトニトリル等が用いられるが、この他この反応の進
行に悪影響を与えない溶媒を用いることもできる。反応
温度は特に限定されず、一般的に冷却〜加熱下に行なわ
れるが、特に好ましい温度範囲は0〜100℃である。
保護基を意味する] この反応は化合物(n−73をアミノ保護基(例えはフ
タロイル基)の導入反応に付すことによって行なわれる
。この反応において特に汎用されるフタロイル基の導入
に当っては、無水フタJし酸あるいはN−エトキシカル
ボニルフタルイミド等を反応試剤とすることが望ましい
。この場合炭酸ナトリウム、トリエチルアミンージイソ
プロビルエチルアミン等の無機ま゛たは有機塩基を触媒
として利用することが推奨される。反応溶媒としてはク
ロロホノにム、テトラヒドロフラン、水、メタノール、
アセトニトリル等が用いられるが、この他この反応の進
行に悪影響を与えない溶媒を用いることもできる。反応
温度は特に限定されず、一般的に冷却〜加熱下に行なわ
れるが、特に好ましい温度範囲は0〜100℃である。
(It−8) (It−93
(式中k及びTrは前と同じ意味、l’ ht hはア
ミノ保護基を意味する〕 この反応は化合物(II−83をヒドロキシ保護基の脱
離反応に付すことによって行なわれる。反応は鉱酸(塩
酸や臭化水素酸等)、塩化水素、酢酸、トリフルオロ酢
酸等の触媒の存在下溶媒中で行なうのが一般的である。
ミノ保護基を意味する〕 この反応は化合物(II−83をヒドロキシ保護基の脱
離反応に付すことによって行なわれる。反応は鉱酸(塩
酸や臭化水素酸等)、塩化水素、酢酸、トリフルオロ酢
酸等の触媒の存在下溶媒中で行なうのが一般的である。
溶媒としては水、メタノール、酢酸、アセトン、ジメチ
ルホルムアミド、酢酸エチル、アセトニトリルあるいは
この反応の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。
ルホルムアミド、酢酸エチル、アセトニトリルあるいは
この反応の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。
反応温度は特に限定されず、通常冷却〜加熱下に行なわ
れるが、特に好ましい温度範囲は0〜100℃である。
れるが、特に好ましい温度範囲は0〜100℃である。
(I−93(II−10)
(式中K及びpbth i’Xアミノ保護基を意味すQ
この反応は化合物(II−9)を酸化反応に付すことに
よって行なわれる。酸化反応の種類については特に制限
されないが、代表的な方法を示すと、ジメチルスルホキ
シド酸化とクロム酸々化が例示される。前者は、ジシク
ロへキシル力ルボジイミV−トリフルオロ酢酸−ビリジ
ン−ジメチルスルホキシドからなる反応試剤−溶媒系、
あるいは。
この反応は化合物(II−9)を酸化反応に付すことに
よって行なわれる。酸化反応の種類については特に制限
されないが、代表的な方法を示すと、ジメチルスルホキ
シド酸化とクロム酸々化が例示される。前者は、ジシク
ロへキシル力ルボジイミV−トリフルオロ酢酸−ビリジ
ン−ジメチルスルホキシドからなる反応試剤−溶媒系、
あるいは。
ピリジン・三酸化硫黄錯体−トリエチルアミンージメチ
ルスルホキシドからなる反応試剤−溶媒系に化合1fi
(II −9)を加えることによって行なわれる。後
者のクロム峻々化においては、ピリジニウムジクロメー
トやピリジニウムクロロクロメートを試剤とし、塩化メ
チレン、アセトニトリルーテトラヒrロフラン、あるい
は反応の進行に峙影響を与えない溶媒中に化合物(IT
−9)を加えることによって行なわれる。
ルスルホキシドからなる反応試剤−溶媒系に化合1fi
(II −9)を加えることによって行なわれる。後
者のクロム峻々化においては、ピリジニウムジクロメー
トやピリジニウムクロロクロメートを試剤とし、塩化メ
チレン、アセトニトリルーテトラヒrロフラン、あるい
は反応の進行に峙影響を与えない溶媒中に化合物(IT
−9)を加えることによって行なわれる。
反応温度はいずれの場合も限定されないが、冷却〜加温
下に行なうのが一般的であり、特に好ましい温度範囲を
示すと一70〜40℃である。
下に行なうのが一般的であり、特に好ましい温度範囲を
示すと一70〜40℃である。
(10)
この反応は化合物(n−10)をグリニヤール反応に付
してホルミル基の炭素原子にメチル基を等大することに
よって行なわれる。グリニヤール試薬としてはメチルリ
チウムやメチルマグネシウムハライF等が繁用されるが
これらに限定される訳ではない。反応に利用する溶媒と
してはジエチルエーテル、テトラヒドロフラン−ジメト
キシエタン等が繁用されるが、この他この反応の進行に
悪影響を与えない溶媒も利用できる。反応温度は特に制
限されないが通常は冷却〜加温下に行なわれ、特に好ま
しい範囲を示すと一り0℃〜室温である。
してホルミル基の炭素原子にメチル基を等大することに
よって行なわれる。グリニヤール試薬としてはメチルリ
チウムやメチルマグネシウムハライF等が繁用されるが
これらに限定される訳ではない。反応に利用する溶媒と
してはジエチルエーテル、テトラヒドロフラン−ジメト
キシエタン等が繁用されるが、この他この反応の進行に
悪影響を与えない溶媒も利用できる。反応温度は特に制
限されないが通常は冷却〜加温下に行なわれ、特に好ま
しい範囲を示すと一り0℃〜室温である。
尚この反応では6位の炭素原子について2つの立体配座
〔L−リキノ型(化合物II −11a )とD−リボ
型(化合物1t−11b)]のものが生成して(るが、
カラムクロマトグラフィの様な常法によって分離するこ
とができる。
〔L−リキノ型(化合物II −11a )とD−リボ
型(化合物1t−11b)]のものが生成して(るが、
カラムクロマトグラフィの様な常法によって分離するこ
とができる。
(11)
(式中R、phth及び鴨は前と同じ意味]この反応は
化合物(1−11a) にヒドロキシ保護基を導入する
ことによって行なわれるが一反応試剤及び反応条件等に
ついては、前記(4)項で示した化合物(II−43か
ら化合’t/I(1−53へのヒドロキシ保護基尋人反
応の説明をそのまま参照して選定すれは良い。
化合物(1−11a) にヒドロキシ保護基を導入する
ことによって行なわれるが一反応試剤及び反応条件等に
ついては、前記(4)項で示した化合物(II−43か
ら化合’t/I(1−53へのヒドロキシ保護基尋人反
応の説明をそのまま参照して選定すれは良い。
(12)
ヒドロキシ保護基を意味する)
この反応は化合物(IF−123をヒドロキシ保護基の
交換反応に付すことによって行なわれる。この反応は、
M3で示されるヒドロキシ保護基がアルキルスルホニル
基、アリールスルホニル基、アラルキルスルホニル基等
である場合に採用される反応であって、このとき新たに
導入されるヒドロキシ保護基としては、アシル基(例え
はアセチル基等 やプロピオニル外りアルカノイル基;ベンゾイル基やト
ルオイル基等のアロイル基;ベンジルカルボニル基やフ
ェネチルカルボニル基等のアラルカッイル基等)が繁用
される。この様なアシル基を導入するときに用いられる
アシル化剤としては対応するカルボン酸の塩が示される
が、特に代表的なもの′を示すと、酢酸ナトリウムや安
息香酸ナトリウム、酢酸テトラブチルアンモニウムが例
示される。
交換反応に付すことによって行なわれる。この反応は、
M3で示されるヒドロキシ保護基がアルキルスルホニル
基、アリールスルホニル基、アラルキルスルホニル基等
である場合に採用される反応であって、このとき新たに
導入されるヒドロキシ保護基としては、アシル基(例え
はアセチル基等 やプロピオニル外りアルカノイル基;ベンゾイル基やト
ルオイル基等のアロイル基;ベンジルカルボニル基やフ
ェネチルカルボニル基等のアラルカッイル基等)が繁用
される。この様なアシル基を導入するときに用いられる
アシル化剤としては対応するカルボン酸の塩が示される
が、特に代表的なもの′を示すと、酢酸ナトリウムや安
息香酸ナトリウム、酢酸テトラブチルアンモニウムが例
示される。
反応電媒としては、ジメチルホルムアミド、ジメチルス
ルホキシ)″−ジオキザン、アセトニトリル、更にはこ
の反応の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反
応温度は特に限定されず、・通常は室温〜加熱下に行な
われるが、特に好ましい温度範囲を示すと50〜150
℃である。
ルホキシ)″−ジオキザン、アセトニトリル、更にはこ
の反応の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反
応温度は特に限定されず、・通常は室温〜加熱下に行な
われるが、特に好ましい温度範囲を示すと50〜150
℃である。
(n−13) (n−14)
(式中R= phth 、Bz及びZは前と同じ意味)
この反応は化合物(II−133をアミノ保護基の交換
反応(又はいったん脱離した後で他のアミノ保護基を導
入する反応)を行なった後、ヒドロキシ保護基の脱離反
応に付すことによって行なわれる。
この反応は化合物(II−133をアミノ保護基の交換
反応(又はいったん脱離した後で他のアミノ保護基を導
入する反応)を行なった後、ヒドロキシ保護基の脱離反
応に付すことによって行なわれる。
2位のアミノ保護基(phth)をいったん脱離させる
場合は、ヒドラジンあるいはフェニルヒrラジン等の有
機塩基を用い、エタノール−テトラヒドロフラン2.ア
セトニトリル、水−あるいGi脱離反応の進行に悪影響
を与えない溶媒中で冷却〜加熱下に反応を行なう。尚特
に好ましい温度範囲を示すと0〜100℃である。この
場合は引続いて他のアミノ保護基(Z)を導入するが、
この反応は前記(1)項で示した化合物(II−1)を
化合物(■−2)に置換させる反応の説明に皐じて行な
えば良い。
場合は、ヒドラジンあるいはフェニルヒrラジン等の有
機塩基を用い、エタノール−テトラヒドロフラン2.ア
セトニトリル、水−あるいGi脱離反応の進行に悪影響
を与えない溶媒中で冷却〜加熱下に反応を行なう。尚特
に好ましい温度範囲を示すと0〜100℃である。この
場合は引続いて他のアミノ保護基(Z)を導入するが、
この反応は前記(1)項で示した化合物(II−1)を
化合物(■−2)に置換させる反応の説明に皐じて行な
えば良い。
そして最後にヒドロキシ保護基(Bz )の脱離反応を
行なうが、該脱離反応は、水酸化すI−Uラム、水酸化
カリウム、水酸化バリウム−炭酸カリウム−アンモニア
等の塩基の存在下、水、メタノール、エタノール、アセ
トン、ピリジン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル
、あるいは脱離反応の進行に悪影響を与えない溶媒中で
行なう。この際反応温度は制限されず、一般に冷却〜加
熱下に行なうが、特に好ましい温度範囲は0〜100℃
である。
行なうが、該脱離反応は、水酸化すI−Uラム、水酸化
カリウム、水酸化バリウム−炭酸カリウム−アンモニア
等の塩基の存在下、水、メタノール、エタノール、アセ
トン、ピリジン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル
、あるいは脱離反応の進行に悪影響を与えない溶媒中で
行なう。この際反応温度は制限されず、一般に冷却〜加
熱下に行なうが、特に好ましい温度範囲は0〜100℃
である。
(14)
(n−14+ (If−15)
(式中R,Z及びMsは前と同じ意味)この反応は化合
物([−143をヒrロキシ保護基の導入反応に付すこ
とによって行なわれる。反応試剤及び反応条件等につい
ては、前記(4)項で示した化合@Cn−4)から化合
物(II−53へ導く反応に関する説明に準じて最適の
ものを選択すれば良い。
物([−143をヒrロキシ保護基の導入反応に付すこ
とによって行なわれる。反応試剤及び反応条件等につい
ては、前記(4)項で示した化合@Cn−4)から化合
物(II−53へ導く反応に関する説明に準じて最適の
ものを選択すれば良い。
(l[−153(II−163
(式中R,Z及びMsは前と同じ意味〕この反応は化合
物(n−15)をアジF化反応に付すことによって行な
われる。アジF化反応に用いる試剤としては、ナトリウ
ムアジF、リチウムアジド、テトラブチルアンモニウム
アジド等が用いられる。反応溶媒としては、ジメチルホ
ルムアミ)″、ジメチルスルホキシF、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、アセトニトリル、あるいはこの反応
の進行に悪影響を与えないものが用いられる。
物(n−15)をアジF化反応に付すことによって行な
われる。アジF化反応に用いる試剤としては、ナトリウ
ムアジF、リチウムアジド、テトラブチルアンモニウム
アジド等が用いられる。反応溶媒としては、ジメチルホ
ルムアミ)″、ジメチルスルホキシF、ジオキサン、テ
トラヒドロフラン、アセトニトリル、あるいはこの反応
の進行に悪影響を与えないものが用いられる。
反応温度は特に限定され−ず1通常は室温〜加熱−トに
行なわれるが、特に好ましい温度範囲を示すと50〜1
50℃である。
行なわれるが、特に好ましい温度範囲を示すと50〜1
50℃である。
〔16)
(It−16) (II−173
(式中K及びZは前と同じ意味)
この反応は化合物(n−163を接触還元し、次いでア
ミノ保護基の導入反応に付すことによって行なわれる。
ミノ保護基の導入反応に付すことによって行なわれる。
接触還元反応の条件は前記(6]項に示した化合物(I
I−63の接触還元反応に関する説明に準じて最適の反
応条件を選択ずれば艮(、又アミノ保護基の導入反応に
ついては前記(1)項に示した化合物(n−1)から化
合物(1[−2)へ導(反応に関する説明に準じて最適
の試剤を選択し且つ最適の反応条件を定めればよい。
I−63の接触還元反応に関する説明に準じて最適の反
応条件を選択ずれば艮(、又アミノ保護基の導入反応に
ついては前記(1)項に示した化合物(n−1)から化
合物(1[−2)へ導(反応に関する説明に準じて最適
の試剤を選択し且つ最適の反応条件を定めればよい。
(17)
(IF−17) (1[−18)
(式中K及び2は前と同じ意味)
この反応は化合@(I[−173をアミノ保護基の脱離
反応に付すことによって行なわれる。
反応に付すことによって行なわれる。
アミノ保護基の脱離反応としては接触還元法と加水分解
法が特に有効であるが、接触還元法の場合は前記(6)
項に示した化合物(If−6)の接触還元反応条件に準
じて行なえは良い。加水分解法の場合は、鉱酸(塩酸、
臭化水素酸、沃化水素酸等)、塩化水素、臭化水素、メ
タンスルホン酸等の酸の存在下、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、メタノール、水、クロロホルム、酢酸エチ
ル、酢酸。
法が特に有効であるが、接触還元法の場合は前記(6)
項に示した化合物(If−6)の接触還元反応条件に準
じて行なえは良い。加水分解法の場合は、鉱酸(塩酸、
臭化水素酸、沃化水素酸等)、塩化水素、臭化水素、メ
タンスルホン酸等の酸の存在下、ジオキサン、テトラヒ
ドロフラン、メタノール、水、クロロホルム、酢酸エチ
ル、酢酸。
アセトニトリル、あるいは加水分解反応に悪影響を与え
ない溶媒中で行なう。このときの反応温度は特に制限さ
れず、通常室温〜加熱下に行なわれる。
ない溶媒中で行なう。このときの反応温度は特に制限さ
れず、通常室温〜加熱下に行なわれる。
(IF−18) (n−19)
(式中には前と同じ意味)
この反応は化合物(II−18) を加水分解反応に付
すことによって行なわれる。加水分解反応は鉱酸(塩酸
や臭化水素酸)等の存在下に行なうのがもつとも一般的
であり、反Ja>溶媒としては水、メタノール、テトラ
ヒドロフラン、アセトニトリル等−あるいは加水分解反
応の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反応温
度は特に限定されず、一般に室温〜加熱下に行なわれる
が、特に好ましい温度範囲を示すと50〜150℃であ
る。
すことによって行なわれる。加水分解反応は鉱酸(塩酸
や臭化水素酸)等の存在下に行なうのがもつとも一般的
であり、反Ja>溶媒としては水、メタノール、テトラ
ヒドロフラン、アセトニトリル等−あるいは加水分解反
応の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反応温
度は特に限定されず、一般に室温〜加熱下に行なわれる
が、特に好ましい温度範囲を示すと50〜150℃であ
る。
(式中Acはヒドロキシ保護基を意味する)この反応は
化合物(II−19)をヒドロキシ保護基(例えばアシ
ル基)の導入反応に付すことによって行なわれる。この
反応は公知であり、例えば特開昭57−2282号の記
載に従って遂行させれば良い6 (20) (式中DNPはアミノ保護基を意味する)この反応は化
合物(If−20)をアミノ保護基(例えはジニトロフ
ェニル基)の導入反応に付すことによって行なわれる。
化合物(II−19)をヒドロキシ保護基(例えばアシ
ル基)の導入反応に付すことによって行なわれる。この
反応は公知であり、例えば特開昭57−2282号の記
載に従って遂行させれば良い6 (20) (式中DNPはアミノ保護基を意味する)この反応は化
合物(If−20)をアミノ保護基(例えはジニトロフ
ェニル基)の導入反応に付すことによって行なわれる。
この反応も公知であり、前出の特開昭57−2282号
の記載に従って遂行させれば良い。
の記載に従って遂行させれば良い。
〔シクロへキザシ誘4λ体(III)の合成〕(21)
(]l[−1J 、 (M−;?)
(式中Zは前と同じ意味、Aは隣接ヒドロキシ基の環状
保護基を意味する) この反応に用いる原料物質(II−1)のうち、Zがア
ルコキシカルボニル基である化合物は。
保護基を意味する) この反応に用いる原料物質(II−1)のうち、Zがア
ルコキシカルボニル基である化合物は。
J、 A、C1S、第83巻第2005〜3012頁(
1961年)に記載された公知化合物であって、2で示
されるアミノ保護基としては前記(1)項の説明におい
て例示された置換基をそのまま再掲することができる。
1961年)に記載された公知化合物であって、2で示
されるアミノ保護基としては前記(1)項の説明におい
て例示された置換基をそのまま再掲することができる。
この反応においてAで示される様な隣接ヒドロキシ基の
環状保護基を導入する為の試剤としては、まず第1番目
のグループとしてケトン類やアルデヒド類が例示され、
特に代表的なものとしては、アセトンやベンズアルデヒ
ド等が例示される。アセトンを用いたときは、 で示される置換基が形成され、ベンズアルデヒドを用い
たときは、 で示される置換基が形成され、これらの置換基を一般化
して説明すると、 なって水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル
基を示す。ケトン類やアルデヒド類を反応させるときの
酸触媒としては硫酸、塩化亜鉛、塩化鉄、燐酸−塩化水
素等を挙げることができる。
環状保護基を導入する為の試剤としては、まず第1番目
のグループとしてケトン類やアルデヒド類が例示され、
特に代表的なものとしては、アセトンやベンズアルデヒ
ド等が例示される。アセトンを用いたときは、 で示される置換基が形成され、ベンズアルデヒドを用い
たときは、 で示される置換基が形成され、これらの置換基を一般化
して説明すると、 なって水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル
基を示す。ケトン類やアルデヒド類を反応させるときの
酸触媒としては硫酸、塩化亜鉛、塩化鉄、燐酸−塩化水
素等を挙げることができる。
反応に用いる溶媒としてはアセトン(反応試剤兼用)、
ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド−あるい
はこの反応の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる
。反応温度については特に制限を受けないが、一般的に
は室温〜加熱下に行なわれる。
ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド−あるい
はこの反応の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる
。反応温度については特に制限を受けないが、一般的に
は室温〜加熱下に行なわれる。
反応試剤の第2彷目のグループとしては、2.2−ジメ
トキシプロペン、2−メトキシプロペン等のアルケン類
やα、α−ジメトキシトルエンが用いられ、これらの試
剤は、p−)ルエンスルホン酸及びその有機塩基との塩
1.あるいは第1グループの試剤の反応において説明し
た様な酸触媒との共存下で化合物(III−1)に作用
させるのが良い。
トキシプロペン、2−メトキシプロペン等のアルケン類
やα、α−ジメトキシトルエンが用いられ、これらの試
剤は、p−)ルエンスルホン酸及びその有機塩基との塩
1.あるいは第1グループの試剤の反応において説明し
た様な酸触媒との共存下で化合物(III−1)に作用
させるのが良い。
反応溶媒及び反応温度も第1グループの試剤を用いる反
応と同様に考えれば良い。
応と同様に考えれば良い。
c式中Z、Aは前と同じ意味、Bz はヒドロキシ保護
基を意味する〕 この反応は化合物(ffl−2)をヒドロキシ保護基の
導入反応に付すことによって行なわれる。Bzで示され
るヒドロキシ保護基としては、アルカノイル基(アセチ
ル基やプロピオニル基等)−アロイル基(ベンゾイル基
やトルオイル基等)−アラルカッイル基(ベンジルカル
ボニル基やフェネチルカルボニル基等)等のアシル基が
挙げられ、この様なアシル基を導入するときに用いられ
るアシル化剤としては対応するハライド酸無水物、活性
エステル、活性アミド等が示されるが、特に代表的なも
のを例示すると、酢酸クロリド、無水酢酸、ペンタクロ
ロフェニルアセテ−)、安息香酸りlニアリド等が挙げ
られる。尚酸無水物やハライドを用いるときは、4−N
、N−ジメチルアミノピリジン、ピリジン−トリエチル
アミン等の有機塩基やモレキュラーシーブスを酸捕捉剤
として併用するのが良い。溶媒としては前記酸捕捉剤を
兼ねるこ午のできるピリジンの他−クロロホルム、アセ
トニトリル、ジクロロメタン、テトラヒFロフラン等、
あるいはアシル化反応に悪影響を及ぼさない溶媒が用い
られる。反応温度についても制限はな(、(23) (III−33(III−4) (式中zIA+132及び浦は前と同じ意味)この反応
は化合物CI[−33をヒドロキシ保護基の導入反応に
付すことによって行なわれる。
基を意味する〕 この反応は化合物(ffl−2)をヒドロキシ保護基の
導入反応に付すことによって行なわれる。Bzで示され
るヒドロキシ保護基としては、アルカノイル基(アセチ
ル基やプロピオニル基等)−アロイル基(ベンゾイル基
やトルオイル基等)−アラルカッイル基(ベンジルカル
ボニル基やフェネチルカルボニル基等)等のアシル基が
挙げられ、この様なアシル基を導入するときに用いられ
るアシル化剤としては対応するハライド酸無水物、活性
エステル、活性アミド等が示されるが、特に代表的なも
のを例示すると、酢酸クロリド、無水酢酸、ペンタクロ
ロフェニルアセテ−)、安息香酸りlニアリド等が挙げ
られる。尚酸無水物やハライドを用いるときは、4−N
、N−ジメチルアミノピリジン、ピリジン−トリエチル
アミン等の有機塩基やモレキュラーシーブスを酸捕捉剤
として併用するのが良い。溶媒としては前記酸捕捉剤を
兼ねるこ午のできるピリジンの他−クロロホルム、アセ
トニトリル、ジクロロメタン、テトラヒFロフラン等、
あるいはアシル化反応に悪影響を及ぼさない溶媒が用い
られる。反応温度についても制限はな(、(23) (III−33(III−4) (式中zIA+132及び浦は前と同じ意味)この反応
は化合物CI[−33をヒドロキシ保護基の導入反応に
付すことによって行なわれる。
この反応は、前記(4)項で示したヒドロキシ保護基の
導入反応と実質的に同じ条件で行なうことができる。
導入反応と実質的に同じ条件で行なうことができる。
CM−4) (IIF−5)
(式中Z、A、BZ及びMs は前と同じ意味)この反
応は化合物(N−4)を隣接ヒFロキシ環状保護基の脱
離反応に付すことによって行なわれる。
応は化合物(N−4)を隣接ヒFロキシ環状保護基の脱
離反応に付すことによって行なわれる。
この反応は鉱酸〔塩酸、臭化水素酸、沃化水素等)、有
機スルホン酸(アルキルスルホン酸、アリールスルホン
酸−アラルキルスルホン酸]、有機スルホン酸と有機塩
基の塩、塩化水素、臭化水素、陽イオン父換樹脂等の存
在下に加水分解を行なうことによって行なわれる。反J
r6(8液としては、水−メタノール−アセトン、酢酸
、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド−アセト
ニトリルあるいはこの反応の進行に悪影響を与えない溶
媒が例示される。反応温度は特に制限されず、一般的に
は冷却〜加熱下に反応を行なうが、特に好ましい温度範
囲を示すと0〜100℃である。
機スルホン酸(アルキルスルホン酸、アリールスルホン
酸−アラルキルスルホン酸]、有機スルホン酸と有機塩
基の塩、塩化水素、臭化水素、陽イオン父換樹脂等の存
在下に加水分解を行なうことによって行なわれる。反J
r6(8液としては、水−メタノール−アセトン、酢酸
、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド−アセト
ニトリルあるいはこの反応の進行に悪影響を与えない溶
媒が例示される。反応温度は特に制限されず、一般的に
は冷却〜加熱下に反応を行なうが、特に好ましい温度範
囲を示すと0〜100℃である。
(Ill−5) (][−63
(式中Z、Bz 及びXは前と同じ意味)この反応は化
合物(N−5)をハロゲンとの置換反応に付すことによ
って行なわれる。置換反応に用いる反応試剤としては、
沃化ナトリウム、沃化カリウム、臭化ナトリウム、塩化
カリウム、テトラブチルアンモニウムアイオダイド、テ
トラエチルアンモニウムブロマイド、ベンジルトリメチ
ルアンモニウムクロリド等が例示される。反応溶媒とし
ては、メタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
ジメチルホルムアミド−アセトニトリル、ジメチルスル
ホキシド、あるいはこの反応の進行に悪影響を与えない
溶媒が用いられる。反応温度は特に制限されず、通常冷
却〜加熱−トに行なわれるが、特に好ましい温度範囲を
示すと室温〜150℃である。
合物(N−5)をハロゲンとの置換反応に付すことによ
って行なわれる。置換反応に用いる反応試剤としては、
沃化ナトリウム、沃化カリウム、臭化ナトリウム、塩化
カリウム、テトラブチルアンモニウムアイオダイド、テ
トラエチルアンモニウムブロマイド、ベンジルトリメチ
ルアンモニウムクロリド等が例示される。反応溶媒とし
ては、メタノール、テトラヒドロフラン、ジオキサン、
ジメチルホルムアミド−アセトニトリル、ジメチルスル
ホキシド、あるいはこの反応の進行に悪影響を与えない
溶媒が用いられる。反応温度は特に制限されず、通常冷
却〜加熱−トに行なわれるが、特に好ましい温度範囲を
示すと室温〜150℃である。
(III−6) (III−7)。
(式2及びBzは前と同じ意味]
この反応は化合物(I[−63を脱ハロゲン反応に付す
ことによって行なわれる。
ことによって行なわれる。
この反応は還元的脱離方法によって行なわれ、トリブチ
ル錫ハイドライド、トリフェニル錫ハイドライド等の融
媒が用いられる。溶媒としては、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、ジメチルホルムアミド、あるいはこの反応
の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反応温度
は限定されず一般に室温〜加熱下に行なわれるが、特に
好ましい温度範囲を示すと50〜150℃である。
ル錫ハイドライド、トリフェニル錫ハイドライド等の融
媒が用いられる。溶媒としては、テトラヒドロフラン、
ジオキサン、ジメチルホルムアミド、あるいはこの反応
の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反応温度
は限定されず一般に室温〜加熱下に行なわれるが、特に
好ましい温度範囲を示すと50〜150℃である。
(It−7) (Ill−8)
(式中Z及びBzは前と同じ意味、Tfはヒドロキシ保
護基を意味する) この反応は化合物C,1ff−7)をヒドロキシ保護基
(例えはトリフルオロメタンスルホニル基)尋人反応に
付すことによって行なわれる。
護基を意味する) この反応は化合物C,1ff−7)をヒドロキシ保護基
(例えはトリフルオロメタンスルホニル基)尋人反応に
付すことによって行なわれる。
この反応も前記(4)項で示したヒドロキシ保護基Q>
4人反応と実lx的に同じ条件で行なうことができる
。
4人反応と実lx的に同じ条件で行なうことができる
。
δ
(III−83(1[−9]
(式中Z、Bz及びTfは前と同じ意味)この反応は化
合物(1[−8)を加熱することによって行なわれる。
合物(1[−8)を加熱することによって行なわれる。
この反応は溶媒中で化合物(I[−8)を加熱分解する
ものであり、溶媒としてはジメチルホルムアミF、ジオ
キサン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、テト
ラヒドロフラン、あるいはこの反応の進行に悪影響を与
えない溶媒が用いられる。
ものであり、溶媒としてはジメチルホルムアミF、ジオ
キサン、アセトニトリル、ジメチルスルホキシド、テト
ラヒドロフラン、あるいはこの反応の進行に悪影響を与
えない溶媒が用いられる。
反応温度は特に制限されず、一般に加熱されるが特に好
ましい温度範囲を示すと50〜100℃である。
ましい温度範囲を示すと50〜100℃である。
(1[−9) (II[−103
(式中Z及びBzは前と同じ意味)
この反応は化合物(11−9)をヒドロキシ保護基の脱
離反応に付すことによって行なわれる。
離反応に付すことによって行なわれる。
ヒドロキシ保護基の脱離は塩基の存在下に行なわれ、該
塩基としては、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム、炭酸カ
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウ
ム、陰イオン交換樹脂。
塩基としては、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化
カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム、炭酸カ
リウム、炭酸ナトリウム、炭酸バリウム、炭酸カルシウ
ム、陰イオン交換樹脂。
ナトリウムエトキサイド、ナトリウムメトキサイド等が
利用される。溶媒としては、水、メタノール、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、アセ
トニトリル、あるいはこの反応の進行に悪影響を与えな
い溶媒が用いられる。
利用される。溶媒としては、水、メタノール、テトラヒ
ドロフラン、ジオキサン、ジメチルホルムアミド、アセ
トニトリル、あるいはこの反応の進行に悪影響を与えな
い溶媒が用いられる。
反応温度は特に限定されず、冷却り加熱下に行なわれる
が、特に好ましい温度範囲は0〜100℃である。
が、特に好ましい温度範囲は0〜100℃である。
(JI[−10) (III−113
(式中Zは前と同じ意味、TI(P はヒドロキシ保護
基を意味する〕 この反応は化合物(Ill−103をヒドロキシ保護基
導入反応に付すことによって行なわれる。ヒドロキシ保
護基としては、一般式 %式% て鎖状還式基を結合してもよく、これらにはヒVロキシ
基、アルコキシ基、アラルキル基が置換されていても良
い) で示されるものが小げられる。
基を意味する〕 この反応は化合物(Ill−103をヒドロキシ保護基
導入反応に付すことによって行なわれる。ヒドロキシ保
護基としては、一般式 %式% て鎖状還式基を結合してもよく、これらにはヒVロキシ
基、アルコキシ基、アラルキル基が置換されていても良
い) で示されるものが小げられる。
この様なヒドロキシ保護基の等入試剤としては、ジヒド
ロピラン、エチルビニルエーテル、5−6−シヒドロー
4−メトキシ−2Il−ピラン等が例示され、この場合
はクロロホルム、テトラヒドロフラン、アセトニトリル
、あるいは反応の進行に悪影響を与えない溶媒の存在下
に、酸触媒(例えば有機スルホン酸あるいは該スルホン
酸と有機塩基との塩等〕を加え、室温〜加熱の条件で遂
行する。
ロピラン、エチルビニルエーテル、5−6−シヒドロー
4−メトキシ−2Il−ピラン等が例示され、この場合
はクロロホルム、テトラヒドロフラン、アセトニトリル
、あるいは反応の進行に悪影響を与えない溶媒の存在下
に、酸触媒(例えば有機スルホン酸あるいは該スルホン
酸と有機塩基との塩等〕を加え、室温〜加熱の条件で遂
行する。
この他のヒドロキシ保護基等入試剤としては、メトキシ
エチルオキシメチルクロリV1ベンジルオキシメチルク
ロリF、メトキシメチルクロリド。
エチルオキシメチルクロリV1ベンジルオキシメチルク
ロリF、メトキシメチルクロリド。
メチルチオメチルクロリド等が示され、この場合はジメ
トキシエタン、ジメチルスルホ牛シト、ベンゼン、ジク
ロロメタン、テトラヒドロフラン、あるいは反応の進行
に悪影響を与えない溶媒の存在−トに塩基触媒(例えは
トリエチルアミン、水素化ナトリウム、ジイソプロピル
エチルアミン等]を加え、冷却〜加熱の条件で遂行する
。
トキシエタン、ジメチルスルホ牛シト、ベンゼン、ジク
ロロメタン、テトラヒドロフラン、あるいは反応の進行
に悪影響を与えない溶媒の存在−トに塩基触媒(例えは
トリエチルアミン、水素化ナトリウム、ジイソプロピル
エチルアミン等]を加え、冷却〜加熱の条件で遂行する
。
(I[[−11) (III−12)
C式中Z及びTHPは前と同じ意味)
この反応は化合物(m−11)をアミノ保護基の脱離反
応に付すことによって行なわれる。
応に付すことによって行なわれる。
反応条件は前記(17)項に示した化合物(II−17
)のアミノ保護基を脱離させるときと同一の条件で行な
うことができる。
)のアミノ保護基を脱離させるときと同一の条件で行な
うことができる。
(32)
(III−12) (I[l−13)
(式中TIIPは前と同じ意味)
この反応は化合物(I[−12)をホルミル化反応に付
すことによって行なわれる。
すことによって行なわれる。
ホルミル化反応に用いる反応試剤としては、例えは’1
fbeの活性エステル〔例えばP−ニトロフェニルホル
メート、ペンタクロロフェニルホルメート等〕や蟻酸の
混合酸無水物(例えば蟻酸と酢酸の混合酸無水初等〕等
が例示される。溶媒としては、テトラヒドロフラン、ク
ロロホルム、ジメチルホルムアミ1″−ジメチルスルホ
キシド、アセトニトリル、メタノール、あるいはこの反
応の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反応温
度は特に限定されず、冷却〜加熱下に行なわれるが一般
的には室温が好ましい。
fbeの活性エステル〔例えばP−ニトロフェニルホル
メート、ペンタクロロフェニルホルメート等〕や蟻酸の
混合酸無水物(例えば蟻酸と酢酸の混合酸無水初等〕等
が例示される。溶媒としては、テトラヒドロフラン、ク
ロロホルム、ジメチルホルムアミ1″−ジメチルスルホ
キシド、アセトニトリル、メタノール、あるいはこの反
応の進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反応温
度は特に限定されず、冷却〜加熱下に行なわれるが一般
的には室温が好ましい。
CI[−133CI[−143
(式中THPは前と同じ意味〕
この反応は化合物CM−13)を加水分解することによ
って行なわれる。
って行なわれる。
加水分解反応の条件は前記(29)項で述べた化合物(
ffi−9)のヒドロキシ保護基の脱離反応に準じて選
定すれは良い。
ffi−9)のヒドロキシ保護基の脱離反応に準じて選
定すれは良い。
(34)
またはその塩類 またはその塩類
(式中′■”111)は前と同じ意味〕この反応は化合
物(]II−14)を還元することによって行なわれる
。
物(]II−14)を還元することによって行なわれる
。
還元反応用試剤としては、水素化リチウムアルミニウム
、ジボラン、ボラン/テトラヒドロフラン鉛体、水素化
はう素ナトリウム等が例示される。
、ジボラン、ボラン/テトラヒドロフラン鉛体、水素化
はう素ナトリウム等が例示される。
溶媒としては、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメ
トキシエクンーベンゼン、アセトニトリル、あるいは反
1Bの進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反応
温度は特に制限されず、冷却〜加熱下に行なわれるが、
特に好ましい温度範囲を示すと0〜100℃である。
トキシエクンーベンゼン、アセトニトリル、あるいは反
1Bの進行に悪影響を与えない溶媒が用いられる。反応
温度は特に制限されず、冷却〜加熱下に行なわれるが、
特に好ましい温度範囲を示すと0〜100℃である。
(35)
(II−153(ffi−16)
(式中T及び2は前と同じ意味)
この反応は化合物(II−15)をアミノ保護基の導入
反応に付すことによって行なわれる。
反応に付すことによって行なわれる。
アミノ保護基導入反応の条件については、前記(1)項
で示した化合物(II−1)に対するアミノ保護基導入
反応の説明に従って選択すれは良い。
で示した化合物(II−1)に対するアミノ保護基導入
反応の説明に従って選択すれは良い。
(式中Tf(P及び2は前と同じ意味〕この反応は化合
物CM−16)をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すこ
とによって行なわれる。
物CM−16)をヒドロキシ保護基の脱離反応に付すこ
とによって行なわれる。
ヒドロキシ保護基の脱離反応条件については。
前記(24)項で述べ1こ化合物(11−14)におけ
る隣接ヒドロキシ環状保護基の脱離反応条件に準じて選
定すれは良い。
る隣接ヒドロキシ環状保護基の脱離反応条件に準じて選
定すれは良い。
(Ill−17) (ME−18)
(式中Z及びAcは前と同じ意味)
この反応は化合物CM−17)の立体配座を確認する為
に行なったものであり、該化合物(III−17)をヒ
ドロキシ保護基導入反応に付して得られた化合物(II
I−18)は、この発明の目的物質である5−ゾー0−
メチルスポラリシンBの加水分解物から誘導される化合
物と一致した。
に行なったものであり、該化合物(III−17)をヒ
ドロキシ保護基導入反応に付して得られた化合物(II
I−18)は、この発明の目的物質である5−ゾー0−
メチルスポラリシンBの加水分解物から誘導される化合
物と一致した。
反応条件については前記(22〕項で説明した化合m(
II−2)、のヒドロキシ保護基の導入反応に阜(I[
−173 (式中2は前と同じ意味、A′は隣接したアミノ基とヒ
ドロキシ基の環状保護基を意味する〕この反応は化合物
(I[−11を隣接したアミノ基とヒドロキシ基の環状
保護基(例えはインプロピリデン基〕導入反応に付すこ
とによって行なわれる。
II−2)、のヒドロキシ保護基の導入反応に阜(I[
−173 (式中2は前と同じ意味、A′は隣接したアミノ基とヒ
ドロキシ基の環状保護基を意味する〕この反応は化合物
(I[−11を隣接したアミノ基とヒドロキシ基の環状
保護基(例えはインプロピリデン基〕導入反応に付すこ
とによって行なわれる。
反応条件は前記(21)項で述べた化合物(ffl−1
〕の隣接ヒドロキシ基の環状保護基′導入反応条件につ
いての説明に従って選択すれば良い。
〕の隣接ヒドロキシ基の環状保護基′導入反応条件につ
いての説明に従って選択すれば良い。
(39)
(II−19) (N−20)
C式中Z 、 A’及びAcは前と同じ意味〕この反応
は化合物(III−19)をヒドロキシ保護基尋人反応
に付すことによって行なわれる。
は化合物(III−19)をヒドロキシ保護基尋人反応
に付すことによって行なわれる。
反応条件は前記(22)項で述べた化合物(III−2
)のヒドロキシ保&基尋人反応条件に準じて選定すれば
良い。
)のヒドロキシ保&基尋人反応条件に準じて選定すれば
良い。
(40)
(m−20) (1[[−21)
(式中Z、A’及びAcは前と同じ意味]この反応は化
合物(I[[−20)を隣接アミノ・ヒFロキシ環状保
護基の脱離反応に付すことによって行なわれる。
合物(I[[−20)を隣接アミノ・ヒFロキシ環状保
護基の脱離反応に付すことによって行なわれる。
反応は鉱酸(塩酸や硫酸等ン、アルキルスルホン酸、ア
リールスルホン酸、アラルキルスルホン酸、またはこれ
らスルホン酸と有機塩基との塩等の酸触媒の存在下に行
なう。反応に用いる溶媒としては水、メタノール、テト
ラヒV口フラン、ジメチルホルムアミF、アセトニトリ
ル等が例示されるが、この他この反応の進行に悪影響を
与えない電媒も用いられる。反応温度は特に限定されず
、冷却〜加熱下に行なわれるが、特に好ましい温度範囲
を示すと一20〜100℃である。
リールスルホン酸、アラルキルスルホン酸、またはこれ
らスルホン酸と有機塩基との塩等の酸触媒の存在下に行
なう。反応に用いる溶媒としては水、メタノール、テト
ラヒV口フラン、ジメチルホルムアミF、アセトニトリ
ル等が例示されるが、この他この反応の進行に悪影響を
与えない電媒も用いられる。反応温度は特に限定されず
、冷却〜加熱下に行なわれるが、特に好ましい温度範囲
を示すと一20〜100℃である。
次にこの発明に用いる原料物質の製造例、並びに本発明
の詳細な説明する。
の詳細な説明する。
〔ヘプトピラノース誘導体(5)の製造例〕製造例(1
) 2−アミノ−2−デオキシ−D−4ルコース塩酸塩C2
16りと炭酸水素ナトリウム(185iを水21に溶解
し、これにベンジルオキシカルボニルクロライド(18
81を氷冷下加えた。反応混合物を室温にて3時間撹拌
し、その後3時間冷蔵庫に放置した。クロロホルム(2
1りを反応混合物に加え、生じた析出物をF取し、水お
よびクロロホルムで洗浄後乾燥した。これを水−メタノ
ール(7:3容量比)混合物1より再結晶して2−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−2−デオキシ−D−グル
コース(2411をiた。
) 2−アミノ−2−デオキシ−D−4ルコース塩酸塩C2
16りと炭酸水素ナトリウム(185iを水21に溶解
し、これにベンジルオキシカルボニルクロライド(18
81を氷冷下加えた。反応混合物を室温にて3時間撹拌
し、その後3時間冷蔵庫に放置した。クロロホルム(2
1りを反応混合物に加え、生じた析出物をF取し、水お
よびクロロホルムで洗浄後乾燥した。これを水−メタノ
ール(7:3容量比)混合物1より再結晶して2−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−2−デオキシ−D−グル
コース(2411をiた。
mp: 21s−cC
NMR(d、−DMSO,δ):5.00(2H,i)
、7.33(5H,5) IR(Nujol)3350〜3270.1670cm
’Fo Mass: 314(M+) 製造例(2) 2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2−デオキシ−
D−グルコース(51,44F )と44.5%(w/
v )メタノール性塩酸(21F)とを無水メタノール
(1,31に懸濁させ11時間加熱還流させ、室温にて
一夜放置した。反応混合物を減圧上濃縮して固体を得、
これを酢酸エチルで洗浄し、乾燥した。メチル2−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−2−デオキシ−α−〇−
グルコピラノシド(26,99g)を得た。この化合物
はさらに精製することなく次の反応に用いた。
、7.33(5H,5) IR(Nujol)3350〜3270.1670cm
’Fo Mass: 314(M+) 製造例(2) 2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2−デオキシ−
D−グルコース(51,44F )と44.5%(w/
v )メタノール性塩酸(21F)とを無水メタノール
(1,31に懸濁させ11時間加熱還流させ、室温にて
一夜放置した。反応混合物を減圧上濃縮して固体を得、
これを酢酸エチルで洗浄し、乾燥した。メチル2−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−2−デオキシ−α−〇−
グルコピラノシド(26,99g)を得た。この化合物
はさらに精製することなく次の反応に用いた。
NMR(d、−DMSO,δ) :3.24 (3H,
I ) 、 4.60 (1、H,d、J=4H2)、
5.04(2Ht8)、7.34(5H。
I ) 、 4.60 (1、H,d、J=4H2)、
5.04(2Ht8)、7.34(5H。
5)
IR(Nujol):3300,1660CI11−”
製造例(31−1 メチル 2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2−デ
オキシ−α−D−グルコピラノシド(2227y)とト
リフェニルメチルクロライドC28,459)を無水ピ
リジン(200mN)中i o oocで2時間撹拌し
た。反応混合物を減圧上濃縮しトルエンで2度共沸した
。残有を酢酸エチルとテトラヒドロフランとの混合液で
抽出し、抽出液を希塩酸っづいて飽和食塩水で洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥後減圧上濃縮した。濃縮残有を
シリカゲルカラム(溶出液、クロロホルム−エタノール
30:1(容積比〕〕で精製して、メチル2−ベンジル
オキシカルボニルアミノ−2−デオキシ−6−〇−トリ
フェニルメチルーα−D−グルコピラノシド(38,3
5F)を得た。
製造例(31−1 メチル 2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2−デ
オキシ−α−D−グルコピラノシド(2227y)とト
リフェニルメチルクロライドC28,459)を無水ピ
リジン(200mN)中i o oocで2時間撹拌し
た。反応混合物を減圧上濃縮しトルエンで2度共沸した
。残有を酢酸エチルとテトラヒドロフランとの混合液で
抽出し、抽出液を希塩酸っづいて飽和食塩水で洗浄し、
硫酸マグネシウムで乾燥後減圧上濃縮した。濃縮残有を
シリカゲルカラム(溶出液、クロロホルム−エタノール
30:1(容積比〕〕で精製して、メチル2−ベンジル
オキシカルボニルアミノ−2−デオキシ−6−〇−トリ
フェニルメチルーα−D−グルコピラノシド(38,3
5F)を得た。
〔α)D +19.9°(C=1.00 CHCl、)
IR(Nujol);3350,1720〜1680c
m ’NMR(CDCl2.δ) ”13.30 (3
H,S ) 、 4.67 (IH。
IR(Nujol);3350,1720〜1680c
m ’NMR(CDCl2.δ) ”13.30 (3
H,S ) 、 4.67 (IH。
d、J=3H1)、5.03(2H,fi)、7.14
〜7.53(29H,m) FD Mass: 569(M+−1)製造例(31−
2 塩化Tセチル(21d)を氷冷上無水メタノール(25
0d)jこ滴下する。滴下後室温にてこの反応混合物を
撹拌した。2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2−
デオキシ−〇−グルコース(10f〕を先の反応混合液
に室温で加え、その後5時間50分加熱還流した。冷却
後、無水ピリジン(21m/)を水冷下加えた。この反
応液を減圧上濃縮し、ピリジンで2度共沸した。残有を
無水ピリジン(20”Om/)にとかし、トリフェニル
メチルクロライド(13,35f )を加え5.5時間
室温で撹拌後100°Cで2時間撹拌した。反応混合物
を減圧上濃縮しトルエンで共沸した。残有をメチレンク
ロライドで2度抽出し、抽出液を希塩酸。
〜7.53(29H,m) FD Mass: 569(M+−1)製造例(31−
2 塩化Tセチル(21d)を氷冷上無水メタノール(25
0d)jこ滴下する。滴下後室温にてこの反応混合物を
撹拌した。2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2−
デオキシ−〇−グルコース(10f〕を先の反応混合液
に室温で加え、その後5時間50分加熱還流した。冷却
後、無水ピリジン(21m/)を水冷下加えた。この反
応液を減圧上濃縮し、ピリジンで2度共沸した。残有を
無水ピリジン(20”Om/)にとかし、トリフェニル
メチルクロライド(13,35f )を加え5.5時間
室温で撹拌後100°Cで2時間撹拌した。反応混合物
を減圧上濃縮しトルエンで共沸した。残有をメチレンク
ロライドで2度抽出し、抽出液を希塩酸。
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、飽和食塩水の順に洗浄
し、硫酸マグネシウムで乾燥微減圧下濃縮した。残有を
シリカゲルカラム〔溶出液メチレンクロライド次にメチ
レンクロライド−エタノール30:1(容積比ン〕で鞘
部してメチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2
−デオキシ−6−〇−トリフェニルメチルーα−D−グ
ルコピラノシド(7,99g)を得た。
し、硫酸マグネシウムで乾燥微減圧下濃縮した。残有を
シリカゲルカラム〔溶出液メチレンクロライド次にメチ
レンクロライド−エタノール30:1(容積比ン〕で鞘
部してメチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2
−デオキシ−6−〇−トリフェニルメチルーα−D−グ
ルコピラノシド(7,99g)を得た。
製造例(41
メチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2−デオ
キシ−6−0−)リフェニルメチルーα−D−グルコピ
ラノシド(27,31の無水ピリジン(250m/)溶
液にメタンスルホニルクロライド(16:5SF)を一
度に加え、室温にて一夜撹拌した。反応混合物を氷水(
2,5I!月こ滴下し、析出物をろ取し、水洗後、五酸
化リン上で減圧乾燥シ、メチル2−ベンジルオキシカル
ボニルアミノ−2−デオキシ−3,4−ビス−ローメタ
ンスルホニル−6−0−トリフェニルメチル−α−D
−グルコピラノシド(2B、07g)を得た。
キシ−6−0−)リフェニルメチルーα−D−グルコピ
ラノシド(27,31の無水ピリジン(250m/)溶
液にメタンスルホニルクロライド(16:5SF)を一
度に加え、室温にて一夜撹拌した。反応混合物を氷水(
2,5I!月こ滴下し、析出物をろ取し、水洗後、五酸
化リン上で減圧乾燥シ、メチル2−ベンジルオキシカル
ボニルアミノ−2−デオキシ−3,4−ビス−ローメタ
ンスルホニル−6−0−トリフェニルメチル−α−D
−グルコピラノシド(2B、07g)を得た。
mp 162−3°C
〔dID +B2.9° (C=1.00 CHCl、
)NMR(CDCIs、δ);2.66(3H,8)、
2.90(3H。
)NMR(CDCIs、δ);2.66(3H,8)、
2.90(3H。
8)?3.24〜3.60(2H,m)、3.44(3
H,8)、3゜78〜4.25(2H,m)、4.56
〜4.92(3H,In)5.05〜5.35 (IH
,111) 、 5.09 (2H、II ) 、 7
.0G〜7.48(20H,m) IR(Nulol): 3320,1690.1540
,1180、l−1 FD Mas+; 725(M+−1)製造例(5) 亜鉛末(5,41)を95°CでN、N−ジメチルホル
ムアミド(120rd)に窒素雰囲気下加える。
H,8)、3゜78〜4.25(2H,m)、4.56
〜4.92(3H,In)5.05〜5.35 (IH
,111) 、 5.09 (2H、II ) 、 7
.0G〜7.48(20H,m) IR(Nulol): 3320,1690.1540
,1180、l−1 FD Mas+; 725(M+−1)製造例(5) 亜鉛末(5,41)を95°CでN、N−ジメチルホル
ムアミド(120rd)に窒素雰囲気下加える。
5分径ヨウ化ナトリウム(ssf)をはげしく撹拌しな
がら反応混合物に加え、さらにメチル2−ベンジルオキ
シカルボニルアミノ−2−デオキシ−3,4−ビス−ロ
ーメタンスルホニル−6−0−トリフェニルメヂルーα
−D−グルコピラノシド(5ダ)を加え、この反応混合
物を95°C窒素雰囲気下5,5時間撹拌した。反応混
合物を氷水(200d)にあけさらにクロロホルム(2
00W4)を加え、不溶物をろ別後有機層を分離した。
がら反応混合物に加え、さらにメチル2−ベンジルオキ
シカルボニルアミノ−2−デオキシ−3,4−ビス−ロ
ーメタンスルホニル−6−0−トリフェニルメヂルーα
−D−グルコピラノシド(5ダ)を加え、この反応混合
物を95°C窒素雰囲気下5,5時間撹拌した。反応混
合物を氷水(200d)にあけさらにクロロホルム(2
00W4)を加え、不溶物をろ別後有機層を分離した。
水層をさらにクロロホルム(200m/)で抽出し、先
の抽出液と合せ水で2度、飽和食塩水で2度洗浄後、硫
酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。残有はエタノールよ
り結晶化し、メチル2−ベンジルオキシカルボニルアミ
ノ−2,3,4−)リゾオキシ−6−0−1−’Jフェ
ニルメチルーα−D−エリスローヘキサ−3−エフピラ
ノシ下(2,41g)を得た。
の抽出液と合せ水で2度、飽和食塩水で2度洗浄後、硫
酸マグネシウムで乾燥し濃縮した。残有はエタノールよ
り結晶化し、メチル2−ベンジルオキシカルボニルアミ
ノ−2,3,4−)リゾオキシ−6−0−1−’Jフェ
ニルメチルーα−D−エリスローヘキサ−3−エフピラ
ノシ下(2,41g)を得た。
mp135−7°C
〔σ]’D’ −14,1°(C=1.g□ CMCI
、)IR(Nujol ); 3300 、1680
、1530011 ”NMRtCDCll、II):3
.13〜3.30(2H,m)、3.40(3H+1)
、4.00〜4.67 (2Hrrn) 、4.85
(1i−i 。
、)IR(Nujol ); 3300 、1680
、1530011 ”NMRtCDCll、II):3
.13〜3.30(2H,m)、3.40(3H+1)
、4.00〜4.67 (2Hrrn) 、4.85
(1i−i 。
d、J−=4Hz)、5.00〜5.30(IH,br
oad)。
oad)。
5.10(2H,#)、5.58(IH,d、J=12
1−12)5.83(IH,d+J=12H2)、7.
10〜7.60(20H,m) 製造例(6) メチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2,3,
4−)リゾオキシ−6−0−)リフェニルメチルーα−
り一エリスローヘキサー3−エノピラノシドC5,35
9)の酢酸エチル(120d)溶液に活性炭(0,8N
)を加え、室温30分撹拌後ろ別し、ろ液に酢酸(10
mZ)を加え、10%パラジウム炭素co、sp)存在
下常圧接触還元を2時間行った。10チパラジウム炭素
(0,8iを追加してさらに4時間常圧接触還元を行っ
た。触媒をろ別し、希塩酸で洗浄した。ろ液と洗液を希
水酸化ナトリウム水溶液でpH9としたのち酢酸エチル
層を分離し飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥微減圧下濃縮してメチル2−アミノ−2,3,4−)
リゾオキシ−43−0−)リフエニルメチルーα−D−
グルコピラノシド<3,741)を得た。
1−12)5.83(IH,d+J=12H2)、7.
10〜7.60(20H,m) 製造例(6) メチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2,3,
4−)リゾオキシ−6−0−)リフェニルメチルーα−
り一エリスローヘキサー3−エノピラノシドC5,35
9)の酢酸エチル(120d)溶液に活性炭(0,8N
)を加え、室温30分撹拌後ろ別し、ろ液に酢酸(10
mZ)を加え、10%パラジウム炭素co、sp)存在
下常圧接触還元を2時間行った。10チパラジウム炭素
(0,8iを追加してさらに4時間常圧接触還元を行っ
た。触媒をろ別し、希塩酸で洗浄した。ろ液と洗液を希
水酸化ナトリウム水溶液でpH9としたのち酢酸エチル
層を分離し飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾
燥微減圧下濃縮してメチル2−アミノ−2,3,4−)
リゾオキシ−43−0−)リフエニルメチルーα−D−
グルコピラノシド<3,741)を得た。
〔α)D 31.2°(C= 1.Q Q 、 ClI
C1s)IR(Nujol)、3360,3050.a
olo、2940゜1950.1B80,1810,1
600,1490,1450゜1220.1080,1
050.760,740,700GIl ’NMR(C
DCI、、δ ); 1.40〜1.76(4H,m)
3.42t3H+s)4.54(II−11dlJ=
4Hり7.08〜7.52(15H,m) 製造例(7) メチル2−アミノ−2,3,4−トリデオキシ−6−0
−)!Jフェニルメチルーα−D−グルコピラノシドC
35,36f)をメチレンクロライド(250m/ )
に溶解させ、N−エトキシカルボニルフタルイミド(2
1,26g)を加え、室温にて2時間撹拌した。トリエ
チルアミン(12,3,J)を反応混合物に加え、室温
で一夜撹拌後5時間加熱還流した。冷却後希塩酸、飽和
食塩水で洗浄後硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧上濃縮
し、残炎をメタノールで結晶化させ、メチル2.3.4
−トリデオキシ−2−1りロイルアミノ−6−0−)リ
フェニルメチルーα−〇−グルコピラノシド(39,2
,19)を結晶として得た。
C1s)IR(Nujol)、3360,3050.a
olo、2940゜1950.1B80,1810,1
600,1490,1450゜1220.1080,1
050.760,740,700GIl ’NMR(C
DCI、、δ ); 1.40〜1.76(4H,m)
3.42t3H+s)4.54(II−11dlJ=
4Hり7.08〜7.52(15H,m) 製造例(7) メチル2−アミノ−2,3,4−トリデオキシ−6−0
−)!Jフェニルメチルーα−D−グルコピラノシドC
35,36f)をメチレンクロライド(250m/ )
に溶解させ、N−エトキシカルボニルフタルイミド(2
1,26g)を加え、室温にて2時間撹拌した。トリエ
チルアミン(12,3,J)を反応混合物に加え、室温
で一夜撹拌後5時間加熱還流した。冷却後希塩酸、飽和
食塩水で洗浄後硫酸マグネシウムで乾燥し、減圧上濃縮
し、残炎をメタノールで結晶化させ、メチル2.3.4
−トリデオキシ−2−1りロイルアミノ−6−0−)リ
フェニルメチルーα−〇−グルコピラノシド(39,2
,19)を結晶として得た。
mP; 221−222°C
〔α売;50.1°(C刊、Q Q CHC1,)IR
(NuJ”); 1765*1705.1100−10
50cm ”NMR(CDCI、、δ):1.38〜1
.94(3H,m)、2.92〜3.28 (3B、m
) 、 3.38 (3H、8) 、 3.84〜4.
16(IH,m)、4.34(IH,dt、J=2.6
t13H2)4.74(IH,d、J=2.6Hz)+
7.08〜7.80(19H。
(NuJ”); 1765*1705.1100−10
50cm ”NMR(CDCI、、δ):1.38〜1
.94(3H,m)、2.92〜3.28 (3B、m
) 、 3.38 (3H、8) 、 3.84〜4.
16(IH,m)、4.34(IH,dt、J=2.6
t13H2)4.74(IH,d、J=2.6Hz)+
7.08〜7.80(19H。
m)
FD Mass: 533(M士−1)製造例(8)
メチル2,3.4− トリデオキシ−2−フタロイルア
ミノ−6−0−)リフェニルメチルーα−D −グルコ
ピラノシド(10,Og)を80%酢酸(15〇−)と
100°Cにて30分間撹拌した。反応混合物を氷水で
冷却し、析出物をろ別した。ろ液を減圧上濃縮しトルエ
ンで共沸した。残炎をクロロホルムで抽出し、抽出液を
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液次に飽和食塩水で洗浄し
、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧上濃縮した。残炎をシ
リカゲルカラム〔溶出液n−ヘキサン−酢酸エチル3:
1(容積比)次いで、n−ヘキサン−酢酸エチル1:1
(容積比)〕で精製し、メチル2.3.4− )リゾオ
キシ−2−フタロイルアミノ−α−D−グルコピラノシ
ドC4,399)を結晶として得た。
ミノ−6−0−)リフェニルメチルーα−D −グルコ
ピラノシド(10,Og)を80%酢酸(15〇−)と
100°Cにて30分間撹拌した。反応混合物を氷水で
冷却し、析出物をろ別した。ろ液を減圧上濃縮しトルエ
ンで共沸した。残炎をクロロホルムで抽出し、抽出液を
飽和炭酸水素ナトリウム水溶液次に飽和食塩水で洗浄し
、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧上濃縮した。残炎をシ
リカゲルカラム〔溶出液n−ヘキサン−酢酸エチル3:
1(容積比)次いで、n−ヘキサン−酢酸エチル1:1
(容積比)〕で精製し、メチル2.3.4− )リゾオ
キシ−2−フタロイルアミノ−α−D−グルコピラノシ
ドC4,399)を結晶として得た。
mp: 144−5°C
〔α〕ド;171.2°(C=1.00 CHCl、)
IR(Nujol): 3530,1765.1710
cm”NMR(CDCIs、δ) ; 1.50〜1.
96 (3H、m) 、 2.24〜2.50 (IH
broad ) 、 3.34(3H,S)、3.20
””3,42(IH9m)+3.62(2H,broa
d s)。
IR(Nujol): 3530,1765.1710
cm”NMR(CDCIs、δ) ; 1.50〜1.
96 (3H、m) 、 2.24〜2.50 (IH
broad ) 、 3.34(3H,S)、3.20
””3,42(IH9m)+3.62(2H,broa
d s)。
3.82〜4.08(IH,m)、4.34(IH,d
t、J=3゜13H2) 、4.74(IH+deJ=
3H1)、7.60〜7.84(4H,m) FD Mass 29.ICM+) 製造例(9) メチル2.3.4− )リゾオキシ−2−フタロイルア
ミノ−α−D−グルコピラノシド(121をジメチルス
ルホキシド(33rn1.)に溶解し無水ピリジン(3
,ltlりを加え、水冷下トリフルオロ酢酸(1,65
m/)を加えた。さらに室温にてジシクロへキシルカル
ボジイミドC25,59)を加え一夜撹拌した。反応混
合物を406Cで30分間撹拌後氷冷下修酸二水和物C
10,4f)のメタノール溶液(15,d)を加えた。
t、J=3゜13H2) 、4.74(IH+deJ=
3H1)、7.60〜7.84(4H,m) FD Mass 29.ICM+) 製造例(9) メチル2.3.4− )リゾオキシ−2−フタロイルア
ミノ−α−D−グルコピラノシド(121をジメチルス
ルホキシド(33rn1.)に溶解し無水ピリジン(3
,ltlりを加え、水冷下トリフルオロ酢酸(1,65
m/)を加えた。さらに室温にてジシクロへキシルカル
ボジイミドC25,59)を加え一夜撹拌した。反応混
合物を406Cで30分間撹拌後氷冷下修酸二水和物C
10,4f)のメタノール溶液(15,d)を加えた。
析出物をろ別し、酢酸エチルとテトラヒドロフランで洗
浄した。ろ液と洗浄液を合せ水で洗浄し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥後減圧上濃縮した。残炎をシリカゲルカラム
〔溶出液クロロホルム−エタノール100:1(容81
(比)次いでクロロホルム−エタノール50:1(容積
比)〕で精製し、80°Cで五酸化リン上で減圧上乾燥
してメチル2t3t4− トIJデオキシ2−フタロイ
ルアミノ−α−D−エリスローへキンジアルドピラノン
ド−(1,5)(9,26y)を得た。
浄した。ろ液と洗浄液を合せ水で洗浄し、硫酸マグネシ
ウムで乾燥後減圧上濃縮した。残炎をシリカゲルカラム
〔溶出液クロロホルム−エタノール100:1(容81
(比)次いでクロロホルム−エタノール50:1(容積
比)〕で精製し、80°Cで五酸化リン上で減圧上乾燥
してメチル2t3t4− トIJデオキシ2−フタロイ
ルアミノ−α−D−エリスローへキンジアルドピラノン
ド−(1,5)(9,26y)を得た。
mP 155−6’C
IR(Nujol) 1760,1730.1700
cmNMR(CDCI、、δ);3.40(3H,II
)、4.90(1B。
cmNMR(CDCI、、δ);3.40(3H,II
)、4.90(1B。
d+ J” 3H” ) 、7.73〜7.97 (4
H+ m) + 9.70(IH,8) FD も(a!Is 289(八i+。
H+ m) + 9.70(IH,8) FD も(a!Is 289(八i+。
製造例(101
メチル2.3.4− )リゾオキシ−2−フタロイルア
ミノ−α−1)−エリスローへキンジアルドピラ/シt
’−(1,5)(1g)を無水テトラヒドロフラン(2
5ml )に溶解させ、−20°Cから一150Qこ保
ちながら窒素雰囲気下で1.26Nメチルマグネシウム
ブロマイドのテトラヒドロフラン溶液(439、nt)
を滴下した。、−59Cから0°Cで20分間撹拌した
。当量のIN水酸化ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチ
ルで抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグ
ネシウムで乾燥し減圧上濃縮した。残ををシリカゲルカ
ラム(MerckArt 11695月こ付し、クロロ
ホルム−メタノール[100:1(容積比)〕で展開し
た。先に溶出される両分を集め減圧上濃縮することによ
りメチル2,3.4.7−テトラデオキシ−2−フタロ
イルアミノ−β−L−リキソ−ヘプトピラノシド(41
3mW )を得た。
ミノ−α−1)−エリスローへキンジアルドピラ/シt
’−(1,5)(1g)を無水テトラヒドロフラン(2
5ml )に溶解させ、−20°Cから一150Qこ保
ちながら窒素雰囲気下で1.26Nメチルマグネシウム
ブロマイドのテトラヒドロフラン溶液(439、nt)
を滴下した。、−59Cから0°Cで20分間撹拌した
。当量のIN水酸化ナトリウム水溶液を加え、酢酸エチ
ルで抽出した。抽出液を飽和食塩水で洗浄後、硫酸マグ
ネシウムで乾燥し減圧上濃縮した。残ををシリカゲルカ
ラム(MerckArt 11695月こ付し、クロロ
ホルム−メタノール[100:1(容積比)〕で展開し
た。先に溶出される両分を集め減圧上濃縮することによ
りメチル2,3.4.7−テトラデオキシ−2−フタロ
イルアミノ−β−L−リキソ−ヘプトピラノシド(41
3mW )を得た。
mp; !22−123°C
(α〕p 、 +146°(c==i、oo CHCI
a)IR(Nujol); 3500,1770.17
10cm”NMR,(CDCI、、δ);1.20(I
II、d、J =5Hz)1.67〜2.07(3H,
m3 2.53(IH,broad s)3.23〜3
.93(3H,m)、3.33(3H,8)、4.37
(IHr”J=3.13Hz)+4.77(IH,d。
a)IR(Nujol); 3500,1770.17
10cm”NMR,(CDCI、、δ);1.20(I
II、d、J =5Hz)1.67〜2.07(3H,
m3 2.53(IH,broad s)3.23〜3
.93(3H,m)、3.33(3H,8)、4.37
(IHr”J=3.13Hz)+4.77(IH,d。
J=3Hz)17.60〜7.97 (4H,m)FD
Mass: 306 (へ什+1)つづいて溶出され
る両分を集め、減圧上濃縮することによりメチル2.3
.4.7−テトラデオキシ−2−フタロイルアミノ−α
−D−リボ−ヘプトピラノシド(122”iをシロップ
として得た。
Mass: 306 (へ什+1)つづいて溶出され
る両分を集め、減圧上濃縮することによりメチル2.3
.4.7−テトラデオキシ−2−フタロイルアミノ−α
−D−リボ−ヘプトピラノシド(122”iをシロップ
として得た。
〔α−+M : 139°(Cm1.OOCHCl、)
IR(CHCIs):3470.1780.1710c
m’NMR(c I)Cl、、δ ) ;1.20(3
H,d 、J=5Hz) 11.67〜2.07 (3
H+ m) + 2.17 (IH、broad ’
)3.23〜4.10(3Htm)、3.33(3H,
g)、4.37cIH,dt、J=a、13H2)、4
.77(IH,d。
IR(CHCIs):3470.1780.1710c
m’NMR(c I)Cl、、δ ) ;1.20(3
H,d 、J=5Hz) 11.67〜2.07 (3
H+ m) + 2.17 (IH、broad ’
)3.23〜4.10(3Htm)、3.33(3H,
g)、4.37cIH,dt、J=a、13H2)、4
.77(IH,d。
J=3Hz)?7.60〜7.97(4H,m)製造例
0υ メチル2.3.4.7−テトラデオキシ−2−フタロイ
ルアミノ−β−L−リキソ−へブトピラノシド(413
’i(1) ノビリジ:/ (4mA ) ニ溶解させ
、メタンスルホニルクロライド(0,157i)を室温
にて加えた。同温にで一夜撹拌後、減圧上濃縮した。残
炎をクロロホルムで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧上濃縮した。残査をシリカゲルカラム〔
溶出液クロロホルム、次いでクロロポルム−メタノール
100:1(容積比)〕で精製して、メチル2,3,4
.7−テトラデオキシ−6−O−メタンスルホニル−2
−フタロイルアミノ−β−L−リキソ−へブトピラノシ
ド(314■)を得た。
0υ メチル2.3.4.7−テトラデオキシ−2−フタロイ
ルアミノ−β−L−リキソ−へブトピラノシド(413
’i(1) ノビリジ:/ (4mA ) ニ溶解させ
、メタンスルホニルクロライド(0,157i)を室温
にて加えた。同温にで一夜撹拌後、減圧上濃縮した。残
炎をクロロホルムで抽出し、水洗後、硫酸マグネシウム
で乾燥し、減圧上濃縮した。残査をシリカゲルカラム〔
溶出液クロロホルム、次いでクロロポルム−メタノール
100:1(容積比)〕で精製して、メチル2,3,4
.7−テトラデオキシ−6−O−メタンスルホニル−2
−フタロイルアミノ−β−L−リキソ−へブトピラノシ
ド(314■)を得た。
mp; 152−3°C
〔α’:]D、120°(Cm1.00 CHCl、)
IR(Nujol ) :1780 、1720 、1
180cm ”NN1R(CDCI、、δ):1.47
(3H,d、J=7Hz)。
IR(Nujol ) :1780 、1720 、1
180cm ”NN1R(CDCI、、δ):1.47
(3H,d、J=7Hz)。
1.67〜2.13(3Htfll) 、3.07(3
1−118) 。
1−118) 。
3.20 N3.60(11(、m) 、3.37(3
H,+1) 13.63〜4,97(4H,m)、7.
63〜B、0O(4H,m)FD Mass ; 38
3(”) 製造例(12) メチル2,3.4.7−テトラデオキシ−6−〇−メタ
ンスルホニル−2−フタロイルアミノ−β−L−リキン
ーへブトピラノシド(1g)と安息香酸ナトリウム(1
,94g)とのジメチルホルムアミド(30rnl)の
懸濁液を18時間加熱還流した。
H,+1) 13.63〜4,97(4H,m)、7.
63〜B、0O(4H,m)FD Mass ; 38
3(”) 製造例(12) メチル2,3.4.7−テトラデオキシ−6−〇−メタ
ンスルホニル−2−フタロイルアミノ−β−L−リキン
ーへブトピラノシド(1g)と安息香酸ナトリウム(1
,94g)とのジメチルホルムアミド(30rnl)の
懸濁液を18時間加熱還流した。
冷却後クロロホルム<50nl)を加え析出物をろ別し
た。ろ液を減圧上濃縮し、残炎をクロロホルムで抽出し
た。抽出液を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧上
濃縮した。残炎をシリカゲルカラムCm出液、クロロホ
ルム、次いでクロロホルム−エタノール100:1(容
積比〕〕でN製しメチル6−0−ベンゾイル−2,3,
4,7−テトラデオキシ−2−フタロイルアミノ−α−
D−Jdf−ヘプトピラノシド(559#)を得た。
た。ろ液を減圧上濃縮し、残炎をクロロホルムで抽出し
た。抽出液を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後減圧上
濃縮した。残炎をシリカゲルカラムCm出液、クロロホ
ルム、次いでクロロホルム−エタノール100:1(容
積比〕〕でN製しメチル6−0−ベンゾイル−2,3,
4,7−テトラデオキシ−2−フタロイルアミノ−α−
D−Jdf−ヘプトピラノシド(559#)を得た。
mp: 116−7°C(クロロホルム−石油エーテル
)〔“’JD、117.9°(Cm 1.00 、 C
HC1,)IR(NujOl);1770,1720,
1705,1040゜710cm” NMR,(CDCls、δ):1.41(3H,d、J
=6Hz)。
)〔“’JD、117.9°(Cm 1.00 、 C
HC1,)IR(NujOl);1770,1720,
1705,1040゜710cm” NMR,(CDCls、δ):1.41(3H,d、J
=6Hz)。
1.71(IH,mLl、93(2H1tn)、3.3
3(3)I、l)。
3(3)I、l)。
3.30〜3.50 (lHt ” ) + 3.83
〜4.17 (IHlm) 14.40(IH,dt
、J=3.13Hz)、4.78(IH。
〜4.17 (IHlm) 14.40(IH,dt
、J=3.13Hz)、4.78(IH。
d、J=3Hz)、5.18 (xH,(1,J=6H
117,40〜8.13(9H1m) FD Mass ; 409(M士) 製造例(13) メチル6−o−ベンゾイル−2,3,4,7;−テトラ
デオキシ−2−フタロイルアミノ−α−D−リボーヘプ
トピラノシドC323T9)と抱水ヒドラジン(43”
iとのエタノールC5m1)溶液を2時間加熱還流した
。冷却後析出物をろ別し、ろ液を減圧上濃縮した。残有
をアセトン(5m1)と、水(3rnl)とIN水酸化
ナトリウム水溶液(2,6m/)とに溶解し、冷却下に
ベンジルオキシカルボニルクロライド(404”lを加
えた。反応混合物を30分間室温で撹拌し、アセトンを
減圧下貿去し、クロロポルムで2度抽出した。抽出液を
飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
上濃縮した。残有をメタノール(4d)に溶解させ、水
酸化カリウム(180り)を加え、室温で2時間撹拌し
た。反応混合物を水にあけ、クロロホルムで3度抽出し
な。抽m液を硫酸マグネシウムで乾燥後減圧上濃縮した
。残有をシリカゲルカラム〔溶出液クロロホルム〕で精
製してメチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2
,3,4,7−チトラデオキシーα−D−リボ−ヘプト
ピラノシド(2261nf)を得た。
117,40〜8.13(9H1m) FD Mass ; 409(M士) 製造例(13) メチル6−o−ベンゾイル−2,3,4,7;−テトラ
デオキシ−2−フタロイルアミノ−α−D−リボーヘプ
トピラノシドC323T9)と抱水ヒドラジン(43”
iとのエタノールC5m1)溶液を2時間加熱還流した
。冷却後析出物をろ別し、ろ液を減圧上濃縮した。残有
をアセトン(5m1)と、水(3rnl)とIN水酸化
ナトリウム水溶液(2,6m/)とに溶解し、冷却下に
ベンジルオキシカルボニルクロライド(404”lを加
えた。反応混合物を30分間室温で撹拌し、アセトンを
減圧下貿去し、クロロポルムで2度抽出した。抽出液を
飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧
上濃縮した。残有をメタノール(4d)に溶解させ、水
酸化カリウム(180り)を加え、室温で2時間撹拌し
た。反応混合物を水にあけ、クロロホルムで3度抽出し
な。抽m液を硫酸マグネシウムで乾燥後減圧上濃縮した
。残有をシリカゲルカラム〔溶出液クロロホルム〕で精
製してメチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2
,3,4,7−チトラデオキシーα−D−リボ−ヘプト
ピラノシド(2261nf)を得た。
mp;toooC
〔αID−+76.5°(C=1.0OCHCl8)I
R(Nujol)、3500,3330,1665.1
540゜1305.1265.1060.1010αN
MR(CDC1,、δ); 1.15(3H+d+J=
i)(Z)。
R(Nujol)、3500,3330,1665.1
540゜1305.1265.1060.1010αN
MR(CDC1,、δ); 1.15(3H+d+J=
i)(Z)。
1.47〜2.07 (4Ii、m) 、 3.37
(3H、+1 ) 、 3.37〜4.03(4)11
m) +4.(i3(lI4+(’+J=3H2)。
(3H、+1 ) 、 3.37〜4.03(4)11
m) +4.(i3(lI4+(’+J=3H2)。
4.80〜5.03(IH,m) 、 5.10(21
(、S ) 、7.30(5H,sン FD Mass 310(M++1) 製造例04) 製造例01)と同様にして下記化合物を合成した。
(、S ) 、7.30(5H,sン FD Mass 310(M++1) 製造例04) 製造例01)と同様にして下記化合物を合成した。
メチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2、3,
4,7−テトラデオキシ−6−0−メタンスルホニル−
α−D−リボ−ヘプトピラノシド(2031り) mp: 73−74°C 〔α〕ド: 63,8°(C=3.62 、 CHCl
、)IR(Film); 3340.1710.151
0,1340゜1170.1040G NMR1040GN、δ):1.40(3H,d、J=
7Hz)。
4,7−テトラデオキシ−6−0−メタンスルホニル−
α−D−リボ−ヘプトピラノシド(2031り) mp: 73−74°C 〔α〕ド: 63,8°(C=3.62 、 CHCl
、)IR(Film); 3340.1710.151
0,1340゜1170.1040G NMR1040GN、δ):1.40(3H,d、J=
7Hz)。
1.57〜2.13 (4H,m) 、 3.00 (
3HI 8 ) 、 3.37(3H,S ) 、 3
.57〜4.00 (2H,m) 、 4.47〜5.
03(3H,m) 、 5.07 (2H,8) 、
7.33 (5H11)製造例(151 メチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2,3,
4,7−テトラデオキシ−6−〇−メタンスルホニル−
α−D−リボ−ヘプトピラノシド(180〃り〕のジメ
チルホルムアミド(8−)溶液にアジ化ナト’Jウム(
91mL)を加え100°Cで1.5時間撹−拌した。
3HI 8 ) 、 3.37(3H,S ) 、 3
.57〜4.00 (2H,m) 、 4.47〜5.
03(3H,m) 、 5.07 (2H,8) 、
7.33 (5H11)製造例(151 メチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2,3,
4,7−テトラデオキシ−6−〇−メタンスルホニル−
α−D−リボ−ヘプトピラノシド(180〃り〕のジメ
チルホルムアミド(8−)溶液にアジ化ナト’Jウム(
91mL)を加え100°Cで1.5時間撹−拌した。
反応混合物を減圧上濃縮して残有をクロロホルムで抽出
した。抽出液を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し減圧
上濃縮した。残有を薄層シリカゲルカラム〔展開液クロ
ロホルム−エタノール30:1(容積比〕〕で精製しメ
チル6−アジド−2−ベンジルオキシカルボニルアミノ
−2,3,4,6,7−ベンタゾオキシーβ−L−リキ
ンーヘプトピラノシド(146■)を得た。
した。抽出液を水洗後、硫酸マグネシウムで乾燥し減圧
上濃縮した。残有を薄層シリカゲルカラム〔展開液クロ
ロホルム−エタノール30:1(容積比〕〕で精製しメ
チル6−アジド−2−ベンジルオキシカルボニルアミノ
−2,3,4,6,7−ベンタゾオキシーβ−L−リキ
ンーヘプトピラノシド(146■)を得た。
mp; 90−91°C
〔α〕甘せ 63.2°(C=1.88 、CHCl、
)IR(Nujol): 3300,2080.168
0,1530゜1310.1270,1250.106
0,1040゜1000cm’ NMR(CDCI、、δ);1.20(3H,d、J=
7H1)。
)IR(Nujol): 3300,2080.168
0,1530゜1310.1270,1250.106
0,1040゜1000cm’ NMR(CDCI、、δ);1.20(3H,d、J=
7H1)。
1.43〜2.07 (4H,m) 、 3.20〜4
.00 (3H,m)。
.00 (3H,m)。
3.37(3H,B)、4.63(IH,dlJ=3H
z)4.73〜5.13(IHIm)、5.03(2H
,8)、7.27(5H−→ FD Mass 335 (M++1 )製造例(2) メチル6−アジド−2−ベンジルオキシカルボニルアミ
ノ−2,3,4,6,7−ベンタゾオキシーβ−L−リ
キンーヘプトビラノシド(94”L)を酢酸エチル(1
0rn!、)と氷酢酸(1d)とに溶解しパラジウム黒
(90η17ン存在下中圧(50pst)接触還元を5
時間行った。触媒をろ別し、ろ液を減圧上濃縮した。残
有をテトラヒドロフラン(5d〕と水(3−〕とIN水
酸化ナトリウム水溶液(2ml)とに溶解し、OoCに
てベンジルオキシカルボニルクロライド(191■)を
加えた。反応混合物を1.5時間室温にて撹拌殺減圧下
濃縮した。
z)4.73〜5.13(IHIm)、5.03(2H
,8)、7.27(5H−→ FD Mass 335 (M++1 )製造例(2) メチル6−アジド−2−ベンジルオキシカルボニルアミ
ノ−2,3,4,6,7−ベンタゾオキシーβ−L−リ
キンーヘプトビラノシド(94”L)を酢酸エチル(1
0rn!、)と氷酢酸(1d)とに溶解しパラジウム黒
(90η17ン存在下中圧(50pst)接触還元を5
時間行った。触媒をろ別し、ろ液を減圧上濃縮した。残
有をテトラヒドロフラン(5d〕と水(3−〕とIN水
酸化ナトリウム水溶液(2ml)とに溶解し、OoCに
てベンジルオキシカルボニルクロライド(191■)を
加えた。反応混合物を1.5時間室温にて撹拌殺減圧下
濃縮した。
残有をクロロホルムで抽出し、抽出液を水洗後、硫酸マ
グネシウムで乾燥し、濃縮した。残有をシリカゲルカラ
ム〔溶出液クロロホルム〕で精製してメチル2.6−ビ
ス(ベンジルオキシカルボニルアミノ) −2,3,4
,6,7−ベンタゾオキシーβ−L−リキンーヘプトビ
ラノシド(93”’li’)を得た。
グネシウムで乾燥し、濃縮した。残有をシリカゲルカラ
ム〔溶出液クロロホルム〕で精製してメチル2.6−ビ
ス(ベンジルオキシカルボニルアミノ) −2,3,4
,6,7−ベンタゾオキシーβ−L−リキンーヘプトビ
ラノシド(93”’li’)を得た。
mp: 128 9°C(エーテル−n−ヘキサン)C
” ) F ; + 42.5°(c=2,5 cxi
ci、)IR(Nujol): 3300 、1680
+ 1550.15’30cmNMR(CDCI、、
δ):1.17(3H,d、J==6.5I−IZ)1
1.43−2.00 (4H,m) 、 3.27 (
3)I、 s ) 、 3.40〜4.07(3H,m
)、4.57(LH,d、J=3Hz)、4゜77〜4
.93(2H,m)、5.03(4H,R)、7.23
(10H,g) FD Mass 443(”) 製造例(17) メチル2.6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ
) −2,3,4,6,7−ベンタゾオキシーβ−り一
すキンーへブトビラ/シト〔メチル2,6−ジーN−ベ
ンジルオキシカルボニル−6−エビーα−フルフo+
ミニトB ’:] (2,41Fl 、 5.26mm
ol)を、メタノール(30m!、)、酢酸エチル(3
0+J)および濃塩酸(6−)の混合溶媒に溶解したの
ち、10%パラジウム−炭素(0,50g)を加え、1
気圧の水素雰囲気下、室温にて4時間撹拌した。
” ) F ; + 42.5°(c=2,5 cxi
ci、)IR(Nujol): 3300 、1680
+ 1550.15’30cmNMR(CDCI、、
δ):1.17(3H,d、J==6.5I−IZ)1
1.43−2.00 (4H,m) 、 3.27 (
3)I、 s ) 、 3.40〜4.07(3H,m
)、4.57(LH,d、J=3Hz)、4゜77〜4
.93(2H,m)、5.03(4H,R)、7.23
(10H,g) FD Mass 443(”) 製造例(17) メチル2.6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ
) −2,3,4,6,7−ベンタゾオキシーβ−り一
すキンーへブトビラ/シト〔メチル2,6−ジーN−ベ
ンジルオキシカルボニル−6−エビーα−フルフo+
ミニトB ’:] (2,41Fl 、 5.26mm
ol)を、メタノール(30m!、)、酢酸エチル(3
0+J)および濃塩酸(6−)の混合溶媒に溶解したの
ち、10%パラジウム−炭素(0,50g)を加え、1
気圧の水素雰囲気下、室温にて4時間撹拌した。
触媒を戸別後、p液を減圧下に濃縮した。得られたシラ
ツブを水(2〇−月こ溶解し、2Nアンモニア水でpI
(5に調製し、アンIく−ライトIRC50(NH4+
)イオン交換樹脂(商標、ローム・アンド・ハース社製
) (3o mt )を充填したカラムに通過吸着した
。0.INついで0.2Nアンモニア水で溶出分離した
。目的物質を含む分画を集め、減圧丁約30−まで濃縮
した。この水溶液を凍結乾燥すると、メチル2,6−ジ
アミツー2.3.4.6.7−ベンタゾオキシーβ−L
−リキンーヘプトピラノシド〔メチル6−ニビーα−プ
ルプロサミニドB)(0,44g、48.0襲)がシラ
ツブとして得られた。
ツブを水(2〇−月こ溶解し、2Nアンモニア水でpI
(5に調製し、アンIく−ライトIRC50(NH4+
)イオン交換樹脂(商標、ローム・アンド・ハース社製
) (3o mt )を充填したカラムに通過吸着した
。0.INついで0.2Nアンモニア水で溶出分離した
。目的物質を含む分画を集め、減圧丁約30−まで濃縮
した。この水溶液を凍結乾燥すると、メチル2,6−ジ
アミツー2.3.4.6.7−ベンタゾオキシーβ−L
−リキンーヘプトピラノシド〔メチル6−ニビーα−プ
ルプロサミニドB)(0,44g、48.0襲)がシラ
ツブとして得られた。
NMR(D20−T S P 、δ);1.08(3H
+d、Ja、y =6.5Hz 、I(−7) 、 3
.44 (3H、s 、NCH,)製造例(18) メチル2.6−ジアミツー2,3,4,6.7−ベンタ
ゾオキシーβ−L−リキソ−ヘプトピラノシド〔メチル
6−ニビーα−プルプロサミニドB’](420r、r
y 、 2.4 tn rno 1 )を2N塩酸(2
0d)に溶解し、16時1F℃加熱還υICを続けた。
+d、Ja、y =6.5Hz 、I(−7) 、 3
.44 (3H、s 、NCH,)製造例(18) メチル2.6−ジアミツー2,3,4,6.7−ベンタ
ゾオキシーβ−L−リキソ−ヘプトピラノシド〔メチル
6−ニビーα−プルプロサミニドB’](420r、r
y 、 2.4 tn rno 1 )を2N塩酸(2
0d)に溶解し、16時1F℃加熱還υICを続けた。
溶液を減圧上濃縮して、2,6−ジ“rミノ−2,3,
4,6,7−ペンクデオキシーL−リキソーヘプトース
・2塩酸塩〔6−ニビーa−プルプロサミニドB・2塩
酸塩] (610η、10B、5%)を固体として得た
。
4,6,7−ペンクデオキシーL−リキソーヘプトース
・2塩酸塩〔6−ニビーa−プルプロサミニドB・2塩
酸塩] (610η、10B、5%)を固体として得た
。
製造例(l(2)〜■
特開昭57−2282に従い、中間体を単離精製するこ
となく1−o−アセチル−2,6−ビス(2,4−ジニ
トロフェニルアミノ) −2,3,4,6,7−ペンタ
デオキシ−L−リキンーへブトピラノース〔1−O−ア
セチル−2,6−ビス−N−(2,4−ジニトロフェニ
ル〕−6−ニビープルプロサミニドB〕を合成した。
となく1−o−アセチル−2,6−ビス(2,4−ジニ
トロフェニルアミノ) −2,3,4,6,7−ペンタ
デオキシ−L−リキンーへブトピラノース〔1−O−ア
セチル−2,6−ビス−N−(2,4−ジニトロフェニ
ル〕−6−ニビープルプロサミニドB〕を合成した。
〔シクロへ牛すン銹導体(m)の製造例〕製造例(21
1 1,4−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミ/)−1
,4−ジデオキシ−ネオ−イノシトール(9,21とp
−)ルエンスルホン酸・1 水和= (784”f)の
無水ジメチルスルホキサイド(270m/)溶液に、?
、2−ジメトキシプロパン(3,8ml /を加え、そ
の混液を室温下−夜反応させた。反応終了後水(IIり
に投入し析出物を吸引p取し、水(500d)で洗浄し
た。さらに、析出物をエタノールに懸濁させ氷水中に3
時間放置した後、吸引戸数し、冷エタノール(50d)
で洗浄後、減圧乾燥し1.4−ビス(ベンジルオキシカ
ルボニルアミ/)−1,4−ジデオキシ−2,3−0−
インプロピリデン−D、L−ネオ−イノシトール(5,
48g)を得た。
1 1,4−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミ/)−1
,4−ジデオキシ−ネオ−イノシトール(9,21とp
−)ルエンスルホン酸・1 水和= (784”f)の
無水ジメチルスルホキサイド(270m/)溶液に、?
、2−ジメトキシプロパン(3,8ml /を加え、そ
の混液を室温下−夜反応させた。反応終了後水(IIり
に投入し析出物を吸引p取し、水(500d)で洗浄し
た。さらに、析出物をエタノールに懸濁させ氷水中に3
時間放置した後、吸引戸数し、冷エタノール(50d)
で洗浄後、減圧乾燥し1.4−ビス(ベンジルオキシカ
ルボニルアミ/)−1,4−ジデオキシ−2,3−0−
インプロピリデン−D、L−ネオ−イノシトール(5,
48g)を得た。
mP: >1858C(dec、)
IR(Nujol):3360,3260,1700,
1,550゜1520.1265,1220.1035
cm ’NMR(CI)C13,δ):1.31+1
.54(6fI、each、s。
1,550゜1520.1265,1220.1035
cm ’NMR(CI)C13,δ):1.31+1
.54(6fI、each、s。
(ci’%)2C:) 、 3.40〜4.50 (g
H,tn) 、 5.10 (4H。
H,tn) 、 5.10 (4H。
8) 、5.40〜5.80(2I(、IYI)製造例
@ −1,4−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−
1,4−ジデオキシ−2,3−0−インプロピリデン−
D、L−ネオ−イノシトール(8,581を無水ビリデ
ン(170rn!、)に溶解させ、水冷下、塩化ベンゾ
イル(2,67m1)を滴下し、その反応液を室温にも
どして7時間反応させた。さらに反応液に塩化ベンゾイ
ル(0,62,n!、)を追加した後、14時間反応さ
せた。反応終了後、水(5d)を加え、反応液を減圧濃
縮して得られた残液をクロロホルム(100rnl)に
溶解させ、その溶液を炭酸水素ナトリウム水溶液と水で
洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧濃縮した
。得られた残液にインプロピルエーテルを加えて粉末化
し、吸引戸数し風乾することにより6−0−ベンゾイル
−1,4−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)
−1,4−ジデオキシ−2,3−0−インプロピリデン
−D、L−ネオ−イノシトール(8,76g)を固体と
して得た。
@ −1,4−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−
1,4−ジデオキシ−2,3−0−インプロピリデン−
D、L−ネオ−イノシトール(8,581を無水ビリデ
ン(170rn!、)に溶解させ、水冷下、塩化ベンゾ
イル(2,67m1)を滴下し、その反応液を室温にも
どして7時間反応させた。さらに反応液に塩化ベンゾイ
ル(0,62,n!、)を追加した後、14時間反応さ
せた。反応終了後、水(5d)を加え、反応液を減圧濃
縮して得られた残液をクロロホルム(100rnl)に
溶解させ、その溶液を炭酸水素ナトリウム水溶液と水で
洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ、減圧濃縮した
。得られた残液にインプロピルエーテルを加えて粉末化
し、吸引戸数し風乾することにより6−0−ベンゾイル
−1,4−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)
−1,4−ジデオキシ−2,3−0−インプロピリデン
−D、L−ネオ−イノシトール(8,76g)を固体と
して得た。
mP: 210〜211°C
IR(Nujol):3660〜3100.1700.
1505゜1270.1210,1110.1050ロ
ー1NMR(CDCI、、δ) ; l、35 C3H
、8、(OH3)、C−’]。
1505゜1270.1210,1110.1050ロ
ー1NMR(CDCI、、δ) ; l、35 C3H
、8、(OH3)、C−’]。
1.60(3H,6)、8.30〜3.60(IH,m
)、4.60〜5.60(IOH,m) FD Mass; 591(M十) 製造例(2) 5−0− ベンゾイル−1,4−ビス(ベンジルオキシ
カルボニルアミノ) −1,4−ジデオキシ−2゜3−
0−インプロピリデン−D、L−ネオ−イノシトール(
2,01のピリジンC20m1)溶液にメタンスルホニ
ルクロライド(0,79,7)を加えた後室温で一夜反
応させた。反応終了後、反応液に水(1rn!、)を加
え、減圧濃縮し、得られた残液からクロロホルム(20
m/)で3回抽出し、その抽出液を炭酸水素ナトリウム
水溶液と水で洗浄1、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後
減圧濃縮して残渣を得た。その残渣をシリカゲルクロマ
トグラフィー<509)に付し、クロロホルム−酢酸エ
チル(5:1v/v)の混液で溶出分離した。目的物を
含む分画を集め減圧上濃縮乾固すると6−〇−ベンゾイ
ルー1,4−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)
−1,4−ジデオキシ−2,3−0−インプロピリデン
−5−0−メタンスルホニル−へL−ネオ−イノシトー
ル(1,59g)をシロップとして得た。
)、4.60〜5.60(IOH,m) FD Mass; 591(M十) 製造例(2) 5−0− ベンゾイル−1,4−ビス(ベンジルオキシ
カルボニルアミノ) −1,4−ジデオキシ−2゜3−
0−インプロピリデン−D、L−ネオ−イノシトール(
2,01のピリジンC20m1)溶液にメタンスルホニ
ルクロライド(0,79,7)を加えた後室温で一夜反
応させた。反応終了後、反応液に水(1rn!、)を加
え、減圧濃縮し、得られた残液からクロロホルム(20
m/)で3回抽出し、その抽出液を炭酸水素ナトリウム
水溶液と水で洗浄1、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後
減圧濃縮して残渣を得た。その残渣をシリカゲルクロマ
トグラフィー<509)に付し、クロロホルム−酢酸エ
チル(5:1v/v)の混液で溶出分離した。目的物を
含む分画を集め減圧上濃縮乾固すると6−〇−ベンゾイ
ルー1,4−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)
−1,4−ジデオキシ−2,3−0−インプロピリデン
−5−0−メタンスルホニル−へL−ネオ−イノシトー
ル(1,59g)をシロップとして得た。
IR(Nujol):3460〜3150.1700.
1510゜1360.1175,1100.1060c
mNMR(C106O,、δ);1.3611.56(
6I11eaCh、8(CI−I8)2Cノ、3.02
(3H,II 、C見、30.)3.9(1〜4.50
(4H,m) 、 4.98 、5.10 (4I(
、cacllS) EI Mass; 668(M+ 1)製造例(至) 6−0−ベンゾイル−1,4−ビス(ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ) −1,4−ジデオキシ−2゜3−0
−インプロピリデン−5−〇−メタンスルホニルーD、
L−ネオ−イノシトール〔2g〕を酢酸(32m/)“
と水(8−〕の混液に溶解させ800Cで2時間撹拌し
ながら反応させた。反応終了後反応液を氷水中(200
ml)に投入し、析出した固体を吸引戸数し、母液がp
H〜7になるまで水洗した後、風乾することにより6−
0−ベンゾイル−1,4−ビス(ベンジルオキシカルボ
ニルアミノ) −1,4−ジデオキシ−5−0−メタン
スルホニル−D、L−ネオ−イノシトール(,1,78
y)を結晶として得た。
1510゜1360.1175,1100.1060c
mNMR(C106O,、δ);1.3611.56(
6I11eaCh、8(CI−I8)2Cノ、3.02
(3H,II 、C見、30.)3.9(1〜4.50
(4H,m) 、 4.98 、5.10 (4I(
、cacllS) EI Mass; 668(M+ 1)製造例(至) 6−0−ベンゾイル−1,4−ビス(ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ) −1,4−ジデオキシ−2゜3−0
−インプロピリデン−5−〇−メタンスルホニルーD、
L−ネオ−イノシトール〔2g〕を酢酸(32m/)“
と水(8−〕の混液に溶解させ800Cで2時間撹拌し
ながら反応させた。反応終了後反応液を氷水中(200
ml)に投入し、析出した固体を吸引戸数し、母液がp
H〜7になるまで水洗した後、風乾することにより6−
0−ベンゾイル−1,4−ビス(ベンジルオキシカルボ
ニルアミノ) −1,4−ジデオキシ−5−0−メタン
スルホニル−D、L−ネオ−イノシトール(,1,78
y)を結晶として得た。
mp; 217−219°C
IR(Nujol ):3600〜3100,1720
,169α1530,1270,1180,1115.
915cmNムーR(oMsO−d6. δ) : 3
.02 (3H、s 、CH,5o2−)3.50−4
.25(5H,m)、7.91(2B、broad、d
。
,169α1530,1270,1180,1115.
915cmNムーR(oMsO−d6. δ) : 3
.02 (3H、s 、CH,5o2−)3.50−4
.25(5H,m)、7.91(2B、broad、d
。
J=5Hz)
製造例(至)
6−0−ベンゾイル−1,4−ビス(ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ) −1,4−ジデオキシ−5−〇−メ
タンスルホニルー〇、L−ネオーイ/シトール<5.0
f/)のジメチルホルムアミド(150−〕溶液にヨウ
化ナトリウム(50g)を加え、その混合物を100°
Cで窒素雰囲気下、8時間反応させた。反応終了後、反
応液を氷水中(500d)に投入し、析出した固体を吸
引戸数し、水洗した後、クロロホルム(100m/)l
こ溶解させた。
ルボニルアミノ) −1,4−ジデオキシ−5−〇−メ
タンスルホニルー〇、L−ネオーイ/シトール<5.0
f/)のジメチルホルムアミド(150−〕溶液にヨウ
化ナトリウム(50g)を加え、その混合物を100°
Cで窒素雰囲気下、8時間反応させた。反応終了後、反
応液を氷水中(500d)に投入し、析出した固体を吸
引戸数し、水洗した後、クロロホルム(100m/)l
こ溶解させた。
その有機層を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後
減圧下、濃縮乾固するとり、L −(112,3,57
4,6) −4−0−ベンゾイル−3,6−ビス(ベン
ジルオキシカルボニルアミノ)−5−ヨード−1、2,
4−シクロヘキサントリオール(5,1211R(Nu
jol );1720,1690.1520.1280
゜1180.1110cm NMR(DMSO−d、、δ):3.10〜4.70(
7H,m)。
減圧下、濃縮乾固するとり、L −(112,3,57
4,6) −4−0−ベンゾイル−3,6−ビス(ベン
ジルオキシカルボニルアミノ)−5−ヨード−1、2,
4−シクロヘキサントリオール(5,1211R(Nu
jol );1720,1690.1520.1280
゜1180.1110cm NMR(DMSO−d、、δ):3.10〜4.70(
7H,m)。
6.80〜B、10(15H,m)
FD Mass; 660(”)
製造例(イ)
D、L −(1,2,3,5/4.6 ) −4−0−
ベンゾイル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニル
アミノ〕−5−ヨード−1,2,4−シクロヘキサント
リオール(0,81のテトラヒドロフラン(16m/)
溶液に、トリブチルチンハイドライド(0,8rn/〕
と、α、α′−アゾビスインブチロニトリル(8ny
)を加え、その混合液を窒素雰囲気下5.5時間加熱還
流した。反応終了後反応液を減圧下で濃縮し、残渣を得
た。その残渣をヘキサン(10,rJ)で洗浄し、粉末
化させた後、吸引戸数し、得られた固体を風乾してり、
L −(1,2,3/4.6 ) −4−0−ベンゾイ
ル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)
−1,2,4−シクロヘキサントリオール(5604)
を得た。
ベンゾイル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニル
アミノ〕−5−ヨード−1,2,4−シクロヘキサント
リオール(0,81のテトラヒドロフラン(16m/)
溶液に、トリブチルチンハイドライド(0,8rn/〕
と、α、α′−アゾビスインブチロニトリル(8ny
)を加え、その混合液を窒素雰囲気下5.5時間加熱還
流した。反応終了後反応液を減圧下で濃縮し、残渣を得
た。その残渣をヘキサン(10,rJ)で洗浄し、粉末
化させた後、吸引戸数し、得られた固体を風乾してり、
L −(1,2,3/4.6 ) −4−0−ベンゾイ
ル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)
−1,2,4−シクロヘキサントリオール(5604)
を得た。
mp; 182〜189°C(dec、)IR(Nuj
ol):3500,3330,1720,1700゜1
680.1525,1280.1235,1170゜1
110cm” NMR(1)MSO−d、、δ) : 1.15〜2.
30 (2H、m 、 −CH,−)4.60〜4.8
5 (IH、broad、d 、−0H)FD Mas
s; 534(M十) 製造例(資) D、L −(1,2,3/4,6 ) −4−0−ベン
ゾイル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミ
ノ) −1,2,4−シクロヘキサントリオール(1g
〕のピリジン(20ml )溶液を0°Cに冷却し無水
トリフルオロメタンスルホン酸(0,38m/)を加え
、氷水中で3時間撹拌しながら反応させた。反応終了後
、反応液に水(1d)を加えた後減圧下で濃縮し残渣を
得た。その残液をクロロホルム(80m/)に溶解させ
、その溶液を水と炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下で濃縮すると
凰)、L (1,2+3 / 4+6)−4−0−ベン
ゾイル−3,6−ビス(ベンジル、t−t−ジカルボニ
ルアミノ)−1−0−トリフルオロメタンスルホン酸−
1,2,4−シクロヘキサントリオール(1,18F)
を結晶で得た。
ol):3500,3330,1720,1700゜1
680.1525,1280.1235,1170゜1
110cm” NMR(1)MSO−d、、δ) : 1.15〜2.
30 (2H、m 、 −CH,−)4.60〜4.8
5 (IH、broad、d 、−0H)FD Mas
s; 534(M十) 製造例(資) D、L −(1,2,3/4,6 ) −4−0−ベン
ゾイル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミ
ノ) −1,2,4−シクロヘキサントリオール(1g
〕のピリジン(20ml )溶液を0°Cに冷却し無水
トリフルオロメタンスルホン酸(0,38m/)を加え
、氷水中で3時間撹拌しながら反応させた。反応終了後
、反応液に水(1d)を加えた後減圧下で濃縮し残渣を
得た。その残液をクロロホルム(80m/)に溶解させ
、その溶液を水と炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下で濃縮すると
凰)、L (1,2+3 / 4+6)−4−0−ベン
ゾイル−3,6−ビス(ベンジル、t−t−ジカルボニ
ルアミノ)−1−0−トリフルオロメタンスルホン酸−
1,2,4−シクロヘキサントリオール(1,18F)
を結晶で得た。
mP; 138〜139°C
IR(Nujol);3300.1710.1685,
1505゜1400.1260,1240,1200,
1170.1130.1050+1015.940cm
!NMR(DMSO−d、、δ) ;5.05 (4
H,s CH,C,H,)7.20〜8.10 (15
H、m 、 cH,c、H,)製造例(社) D、L −(1,2,3/ 4,6ノー4−0−ベンゾ
イル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ
)−1−0−1リフルオロメタンスルホニル−1゜2.
4−シクロヘキサントリオール(500叩)をジメチル
ホルムアミド(10njりに溶解させ、60〜65°C
に加温し撹拌しながら2.5時間、窒素雰囲気下で反応
させた。反応終了後反応液を氷水(50ml)中へ投入
し、その水溶液からクロロホルム(30d)で2回、酢
酸エチル(30ml )で2回抽出した。これらの抽出
液を合せ、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後減圧下で
濃縮しシロップ状残渣を得た。その残液をシリカゲルカ
ラム(シリカゲル20!7)に付し、クロロホルムとテ
トラヒドロフラン(3: I V/V )の混液で溶出
分離した。まず、目的物質を含む分画を集め減圧下に濃
縮乾固すると、D、L −(1,4,6/ 2.3 )
−6−アミノ−4−0−ベンゾイル−3−ペンジルオ
キシ力ルポテルアミノー1−0.6−N−カルボニル−
12,4−シクロヘキサントリオール(192ry )
を得た。
1505゜1400.1260,1240,1200,
1170.1130.1050+1015.940cm
!NMR(DMSO−d、、δ) ;5.05 (4
H,s CH,C,H,)7.20〜8.10 (15
H、m 、 cH,c、H,)製造例(社) D、L −(1,2,3/ 4,6ノー4−0−ベンゾ
イル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ
)−1−0−1リフルオロメタンスルホニル−1゜2.
4−シクロヘキサントリオール(500叩)をジメチル
ホルムアミド(10njりに溶解させ、60〜65°C
に加温し撹拌しながら2.5時間、窒素雰囲気下で反応
させた。反応終了後反応液を氷水(50ml)中へ投入
し、その水溶液からクロロホルム(30d)で2回、酢
酸エチル(30ml )で2回抽出した。これらの抽出
液を合せ、無水硫酸ナトリウムで乾燥させた後減圧下で
濃縮しシロップ状残渣を得た。その残液をシリカゲルカ
ラム(シリカゲル20!7)に付し、クロロホルムとテ
トラヒドロフラン(3: I V/V )の混液で溶出
分離した。まず、目的物質を含む分画を集め減圧下に濃
縮乾固すると、D、L −(1,4,6/ 2.3 )
−6−アミノ−4−0−ベンゾイル−3−ペンジルオ
キシ力ルポテルアミノー1−0.6−N−カルボニル−
12,4−シクロヘキサントリオール(192ry )
を得た。
mP; 77−78°G
IR(Nujol):3600〜3100,1740,
1710゜1520.1280,1180.1110.
11OOCIII ”NMR(DMSO−d、、δ)
: 5.04 (2H、s 、 CH、C,H,)7.
28〜8.10 (10H、m 、 C6H,)EI
Mar、s ; 42GCM+)さらに溶出すると、副
生成物の分画が得られ、この分画を集め、減圧下で濃縮
乾固するとり、L −(1,2,3/4.6 )−6−
アミノ−4−0−ベンゾイル−3−ベンジルオキシカル
ボニルアミ/−1−o、6−N−カルボニル−1,2,
4−シクロヘキサントリオール(29π2)を得た。
1710゜1520.1280,1180.1110.
11OOCIII ”NMR(DMSO−d、、δ)
: 5.04 (2H、s 、 CH、C,H,)7.
28〜8.10 (10H、m 、 C6H,)EI
Mar、s ; 42GCM+)さらに溶出すると、副
生成物の分画が得られ、この分画を集め、減圧下で濃縮
乾固するとり、L −(1,2,3/4.6 )−6−
アミノ−4−0−ベンゾイル−3−ベンジルオキシカル
ボニルアミ/−1−o、6−N−カルボニル−1,2,
4−シクロヘキサントリオール(29π2)を得た。
mP; 101〜103°C
IR(Nujol>;3600〜3100.1740,
1720゜1520.1275,1180.1095.
910印−1i’JMR(DM S O−d、、δ);
5.03(2)1.8)、7.30〜alO(IOH
,m) EI Mass; 426(M士) 製造例(2)) D、L −(1,4,6/ 2.3 ) −6−アミノ
−4−。
1720゜1520.1275,1180.1095.
910印−1i’JMR(DM S O−d、、δ);
5.03(2)1.8)、7.30〜alO(IOH
,m) EI Mass; 426(M士) 製造例(2)) D、L −(1,4,6/ 2.3 ) −6−アミノ
−4−。
−ベンゾイル−3−ベンジルオキシカルボニルアミノ−
1−0,6−N−カルボニル−1,2,4−シクロヘキ
サントリオール(150”fJをず農rンモニア水(1
ff+/)とメタノール(6,5,+7)の混液に溶解
させ室温下撹拌しながら10時間反応せしめた。反応終
了後反応液を減圧下で濃縮した。得られた残液をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(ワコーゲルC−200
シリカゲル69)に付し、クロロホルムとメタノール(
9: 1 v/v )の混液で溶出分離した。目的物質
を含む分画を集め減圧下テa縮’Ii 固t 71とり
、L −(11416/2.3 )−6−アミ/−3−
ベンジルオキシカルボニルアミノ−1−o、6−N−カ
ルボニル−1,2,4−シクロヘキサンl−’Jオール
C72m?)を結晶として得た。
1−0,6−N−カルボニル−1,2,4−シクロヘキ
サントリオール(150”fJをず農rンモニア水(1
ff+/)とメタノール(6,5,+7)の混液に溶解
させ室温下撹拌しながら10時間反応せしめた。反応終
了後反応液を減圧下で濃縮した。得られた残液をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー(ワコーゲルC−200
シリカゲル69)に付し、クロロホルムとメタノール(
9: 1 v/v )の混液で溶出分離した。目的物質
を含む分画を集め減圧下テa縮’Ii 固t 71とり
、L −(11416/2.3 )−6−アミ/−3−
ベンジルオキシカルボニルアミノ−1−o、6−N−カ
ルボニル−1,2,4−シクロヘキサンl−’Jオール
C72m?)を結晶として得た。
mll; 213〜214°G
IR(rqujOI);3400〜3100.1730
,16175゜1520.1310.1250,122
0.1115cm ”NMR(DMSO−d、、δ);
5.05(21(,8) 、7.35(5iI、5) EI Mass : 322(”) 製造例(濁 1)、L −(1,4,6/ 2,3 ) −6−アミ
ノ−3−ベンジルオキシカルボニルアミノ−1−096
−N−カルボニル−1,2,4−シクロヘキサントリオ
ール(llkジメナルホルムアミド(20,nl)に溶
解キぜ、ピリジニウム[1−)ルエンスルホネート(7
81n! )を加え、さらに、2.3−ジヒドロピラン
(1,13,、X)を加えた。この混合物を室温下撹拌
し、−夜装置した。さらに、この反応液にP−トルエン
スルポン酸(20rR? ) ’i: 加エタ?R16
0〜70°Cに加温して撹拌しながら4時間反応させた
。反応終了後、反応液を氷水(100rnl)中へ投入
し、析出した固体を吸引P取した。その固体をクロロホ
ルム(80rnl)に溶解させ、その溶液を水洗し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥銑、減圧下で濃縮した。得られ
た残液をシリカゲルカラム(シリカゲル、ワコーゲルC
−200,20f)に付し、クロロホルムとメタノール
(9: IV/1の混液で溶出分離した。目的物質を含
む分画を集めて、減圧下で濃縮乾固すると、D、L −
(1,4,6/2,3)−6−アミノ−3−ベンジルオ
キシカルボニルアミノ−1−0,6−N−カルボニル−
2゜4−ジー0−テトラヒドロピラニル−1,2,4−
シクロヘキサントリオール(1,1;l)をシロップと
して得た。
,16175゜1520.1310.1250,122
0.1115cm ”NMR(DMSO−d、、δ);
5.05(21(,8) 、7.35(5iI、5) EI Mass : 322(”) 製造例(濁 1)、L −(1,4,6/ 2,3 ) −6−アミ
ノ−3−ベンジルオキシカルボニルアミノ−1−096
−N−カルボニル−1,2,4−シクロヘキサントリオ
ール(llkジメナルホルムアミド(20,nl)に溶
解キぜ、ピリジニウム[1−)ルエンスルホネート(7
81n! )を加え、さらに、2.3−ジヒドロピラン
(1,13,、X)を加えた。この混合物を室温下撹拌
し、−夜装置した。さらに、この反応液にP−トルエン
スルポン酸(20rR? ) ’i: 加エタ?R16
0〜70°Cに加温して撹拌しながら4時間反応させた
。反応終了後、反応液を氷水(100rnl)中へ投入
し、析出した固体を吸引P取した。その固体をクロロホ
ルム(80rnl)に溶解させ、その溶液を水洗し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥銑、減圧下で濃縮した。得られ
た残液をシリカゲルカラム(シリカゲル、ワコーゲルC
−200,20f)に付し、クロロホルムとメタノール
(9: IV/1の混液で溶出分離した。目的物質を含
む分画を集めて、減圧下で濃縮乾固すると、D、L −
(1,4,6/2,3)−6−アミノ−3−ベンジルオ
キシカルボニルアミノ−1−0,6−N−カルボニル−
2゜4−ジー0−テトラヒドロピラニル−1,2,4−
シクロヘキサントリオール(1,1;l)をシロップと
して得た。
IR(Nujol +1−タンール):3300.17
50.1700゜1320.1270C+++ NMR(CI)C13,δ): 5.15(2H,3)
、7.30(51−I、す製造例(31) D、L −(L4,6/2,3 ) −6−7ミノー3
−ペンジルオヘーシカルボニルアミノ−1−0,6−N
−カルボニル−2,4−ジー0−テトラヒドロピラニル
−1,2,4−シクロヘキサントリオール(1,1g)
をメタノール(20i)、水(4,1/)と酢酸(0,
04m/)の混液に溶解させ10%パラジウムカーボン
C500m?)存在下水素雰囲気中4温で4時間接触還
元を行った。反応終了後、触媒を戸別し、P液を減圧下
で濃縮乾固してり、L −(1,4゜6/2,3 )−
3,6−ジアミツー2,4−ジー0−テトラヒドロピラ
ニル−1−0,6−N−カルボニル−1,2,4−シク
ロヘキサントリオ−ルー酢酸塩(771”? )を得た
。
50.1700゜1320.1270C+++ NMR(CI)C13,δ): 5.15(2H,3)
、7.30(51−I、す製造例(31) D、L −(L4,6/2,3 ) −6−7ミノー3
−ペンジルオヘーシカルボニルアミノ−1−0,6−N
−カルボニル−2,4−ジー0−テトラヒドロピラニル
−1,2,4−シクロヘキサントリオール(1,1g)
をメタノール(20i)、水(4,1/)と酢酸(0,
04m/)の混液に溶解させ10%パラジウムカーボン
C500m?)存在下水素雰囲気中4温で4時間接触還
元を行った。反応終了後、触媒を戸別し、P液を減圧下
で濃縮乾固してり、L −(1,4゜6/2,3 )−
3,6−ジアミツー2,4−ジー0−テトラヒドロピラ
ニル−1−0,6−N−カルボニル−1,2,4−シク
ロヘキサントリオ−ルー酢酸塩(771”? )を得た
。
I R(Nujol−1−エタノール):1740.1
720.1660゜1570、!275,1210c+
x ”EI N1ass : 357(M十)製造例(
3冴 1)、L −(1,4,6/ 2.3 )−3,゛6−
ジアミツー10、6 N hル;Jiニル2+4 9
0 r)ラヒドロピラニルー1.2.4〜シクロへ牛サ
ントリオールー酢酸塩(671〜)をメタノール(15
m!、)と水(15rn1.)の混液に溶解させ、アニ
オン交換樹脂、ダウエックス1×2(商標、ロームアン
ド・ハス社製)(li)を加え、その混合溶液を室温で
1分間撹拌した。樹脂をp別後、P液を減圧下に濃縮乾
固し、D、L −(1,4,6/ 2,3 ) −3,
6−ジアミツー1−0.6−N−カルボニル−2,4−
ジ−ローテトラヒドロピラニル−1,2,4−シクロヘ
キサントリオール(574’η)をシロップとして得た
。
720.1660゜1570、!275,1210c+
x ”EI N1ass : 357(M十)製造例(
3冴 1)、L −(1,4,6/ 2.3 )−3,゛6−
ジアミツー10、6 N hル;Jiニル2+4 9
0 r)ラヒドロピラニルー1.2.4〜シクロへ牛サ
ントリオールー酢酸塩(671〜)をメタノール(15
m!、)と水(15rn1.)の混液に溶解させ、アニ
オン交換樹脂、ダウエックス1×2(商標、ロームアン
ド・ハス社製)(li)を加え、その混合溶液を室温で
1分間撹拌した。樹脂をp別後、P液を減圧下に濃縮乾
固し、D、L −(1,4,6/ 2,3 ) −3,
6−ジアミツー1−0.6−N−カルボニル−2,4−
ジ−ローテトラヒドロピラニル−1,2,4−シクロヘ
キサントリオール(574’η)をシロップとして得た
。
上記化合物をメタノール(15rn1.)に溶解させ、
P−ニトロフェニルフォルメート(485”j ) ヲ
加え、その反応液を室温下で1時間撹拌させた。
P−ニトロフェニルフォルメート(485”j ) ヲ
加え、その反応液を室温下で1時間撹拌させた。
そして、さらにトリエチルアミン(0,工5rnl)と
P−ニトロフェニルフォルメート<200mV)を加え
た後、同温で2.5時間撹拌し、反応させた。
P−ニトロフェニルフォルメート<200mV)を加え
た後、同温で2.5時間撹拌し、反応させた。
反応終了後減圧下で濃縮し、得られた残液をクロロホル
ム(80−)4こ溶解させ、その溶液をIN水酸化ナト
リウム水溶液、IN塩酸と水で順次洗汀し、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した後、減圧濃縮してミー液を得た。そ
の残液をシリカゲルカラム(ワコーゲルC−200、2
CNJ)に付し、クロロホルムとアセトン(2:IV/
V)の混液で溶出分離し、目的物質を含む分画を集め減
圧下で濃縮乾固し、I)+L<、 L4+ 6 / 2
+3 ) 3+6−ジアミの−1−0,5−N−カルボ
ニル−3−N−ホルミル−2,4−ジー()−テトラヒ
ドロピラニル11゜2.4−シクロヘキサントリオール
(412”9)を得ブこ。
ム(80−)4こ溶解させ、その溶液をIN水酸化ナト
リウム水溶液、IN塩酸と水で順次洗汀し、無水硫酸ナ
トリウムで乾燥した後、減圧濃縮してミー液を得た。そ
の残液をシリカゲルカラム(ワコーゲルC−200、2
CNJ)に付し、クロロホルムとアセトン(2:IV/
V)の混液で溶出分離し、目的物質を含む分画を集め減
圧下で濃縮乾固し、I)+L<、 L4+ 6 / 2
+3 ) 3+6−ジアミの−1−0,5−N−カルボ
ニル−3−N−ホルミル−2,4−ジー()−テトラヒ
ドロピラニル11゜2.4−シクロヘキサントリオール
(412”9)を得ブこ。
IR(N+弓ol 十CHCl3);3250,174
0.1660.1520’!1210G+1 NIL I R(CI I C13T δ ):8.2
0(IH,s CHO)FD λ(ass : 385
(M++1)製造例幻 り、L −(1,4,6/ 2.3 ) −3,6−ジ
アミツー1−0.5−N−カルボニル−3−N−ホルミ
ル−2,4−ジー0−テトラヒドロピラニル−1,2,
4−シクryヘキサンt・リオール(80F21のジオ
キサン(2J ) 溶液に、水酸化バリウム(63#)
を含む水溶液(2d)を加え、その混合溶液を窒素雰囲
気下55〜60’Cで7時間撹拌させた。反応終了後、
反応液に炭酸ガスを吸込み反応液の声を7とした後、セ
ライト濾過し、F液を減圧下で濃縮した。得られた残渣
を水(20rnl)に溶解させ、アンバーライトIRC
−50カチオン交換樹脂(商標、ローム・アンド・ハス
社M)(1omt)を充填したカラ利こ通過吸着させ、
水とINアンモニア水の濃度勾配法により展開し、目的
物質を含む分画を集め減圧下で濃縮乾固させ、D、L−
(1゜4.6 / 2,3 ) −3,6−ジアミツー
3−N−ホルミル−2,4−ジ−ローテトラヒドロピラ
ニル−1,2゜4−シクロヘキサントリオール(35”
P)を得た。
0.1660.1520’!1210G+1 NIL I R(CI I C13T δ ):8.2
0(IH,s CHO)FD λ(ass : 385
(M++1)製造例幻 り、L −(1,4,6/ 2.3 ) −3,6−ジ
アミツー1−0.5−N−カルボニル−3−N−ホルミ
ル−2,4−ジー0−テトラヒドロピラニル−1,2,
4−シクryヘキサンt・リオール(80F21のジオ
キサン(2J ) 溶液に、水酸化バリウム(63#)
を含む水溶液(2d)を加え、その混合溶液を窒素雰囲
気下55〜60’Cで7時間撹拌させた。反応終了後、
反応液に炭酸ガスを吸込み反応液の声を7とした後、セ
ライト濾過し、F液を減圧下で濃縮した。得られた残渣
を水(20rnl)に溶解させ、アンバーライトIRC
−50カチオン交換樹脂(商標、ローム・アンド・ハス
社M)(1omt)を充填したカラ利こ通過吸着させ、
水とINアンモニア水の濃度勾配法により展開し、目的
物質を含む分画を集め減圧下で濃縮乾固させ、D、L−
(1゜4.6 / 2,3 ) −3,6−ジアミツー
3−N−ホルミル−2,4−ジ−ローテトラヒドロピラ
ニル−1,2゜4−シクロヘキサントリオール(35”
P)を得た。
夏R(Nujol );1650.1570〜1540
.1200CI11” NMR(D、O、δ):8.15(IH,s、CHO)
FD Mass: 358(”) 製造例(34) D、L −(114#6 / 213 ) −316−
ジアミツー3−N−ホルミル−2,4−ジー0−テトラ
ヒドロピラニルー1.2.4−シクロヘキサントリオー
ル(33’I’li’ )を無水のテトラヒドロフラン
(1,5d)に溶解させ、そこへ、リチウムアルミニウ
ムハイドライド(14q)を加え、その混合物を1.5
時間加熱還流させた。反応終了後、反応液を氷水で冷却
し、酢酸エチル(2m/)を加えた。その混合液を濾過
し不溶物を除き、P液を減圧下で濃縮した。
.1200CI11” NMR(D、O、δ):8.15(IH,s、CHO)
FD Mass: 358(”) 製造例(34) D、L −(114#6 / 213 ) −316−
ジアミツー3−N−ホルミル−2,4−ジー0−テトラ
ヒドロピラニルー1.2.4−シクロヘキサントリオー
ル(33’I’li’ )を無水のテトラヒドロフラン
(1,5d)に溶解させ、そこへ、リチウムアルミニウ
ムハイドライド(14q)を加え、その混合物を1.5
時間加熱還流させた。反応終了後、反応液を氷水で冷却
し、酢酸エチル(2m/)を加えた。その混合液を濾過
し不溶物を除き、P液を減圧下で濃縮した。
得られた残渣を水(5ml)に溶解させアンバーライト
IRC−5Qカチオン交換樹脂(商標、ローム・アンド
・ハース社製)Cloml)を充填したカラムに通過吸
着させた抜水で洗浄後、2Nアンモニア水で溶出させ、
目的物質を含む分画を集めて減圧上濃縮乾固させり、L
−(1,4,6/ 2.3 ) −3,6−ジアミツ
ー3−N−メチル−2,4−ンー〇−テトラヒドロピラ
ニル−1,2,4−シクロヘキサントリオール(15”
lを得た。
IRC−5Qカチオン交換樹脂(商標、ローム・アンド
・ハース社製)Cloml)を充填したカラムに通過吸
着させた抜水で洗浄後、2Nアンモニア水で溶出させ、
目的物質を含む分画を集めて減圧上濃縮乾固させり、L
−(1,4,6/ 2.3 ) −3,6−ジアミツ
ー3−N−メチル−2,4−ンー〇−テトラヒドロピラ
ニル−1,2,4−シクロヘキサントリオール(15”
lを得た。
製造例印)
D、L−(1,4,6/2,3〕−3,6−ジアミツー
3−N−メチル−2,4−ジ−ローテトラヒドロピラニ
ル−1,2,4−シクロヘキサントリオール(258り
)をアセトン(4d)とIN水酸化ナトリウム水溶液(
2,d)の混液に溶解させ、氷水中で冷却し、そこへ、
ペンジルオキシカルボニルクロッイド(0,38mj)
を滴下し、この混合液を同温で2時間撹拌した。反応終
了後、反応液を減圧下で濃縮し、得られた残液をクロロ
ホルム(40rnl)に溶解させ、その溶液を水洗した
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。
3−N−メチル−2,4−ジ−ローテトラヒドロピラニ
ル−1,2,4−シクロヘキサントリオール(258り
)をアセトン(4d)とIN水酸化ナトリウム水溶液(
2,d)の混液に溶解させ、氷水中で冷却し、そこへ、
ペンジルオキシカルボニルクロッイド(0,38mj)
を滴下し、この混合液を同温で2時間撹拌した。反応終
了後、反応液を減圧下で濃縮し、得られた残液をクロロ
ホルム(40rnl)に溶解させ、その溶液を水洗した
後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、減圧下で濃縮した。
得られた残渣をシリカゲルカラム(ワコーゲルC−20
0゜2of)に付し、クロロホルムとメタノール(50
: I V/V)の混液で展開し、目的物質を含む分画
を集めて減圧下で濃縮乾固してり、L −(1,4,6
/2.3 ) −3,6−ビス(ベンジルオキシカルボ
ニルアミノ〕−計N−メチルー2.4−ジーO−テトラ
ヒドロピラニル−1,2,4−シクロヘキサントリオー
ル(211ダ)を得た。
0゜2of)に付し、クロロホルムとメタノール(50
: I V/V)の混液で展開し、目的物質を含む分画
を集めて減圧下で濃縮乾固してり、L −(1,4,6
/2.3 ) −3,6−ビス(ベンジルオキシカルボ
ニルアミノ〕−計N−メチルー2.4−ジーO−テトラ
ヒドロピラニル−1,2,4−シクロヘキサントリオー
ル(211ダ)を得た。
IR(Nujol−エタノール):1680.1500
,1320゜1200C11” NMR(C:DCl、、δ) ; 2.97 (3f(
、’ + N−C)!8 )FD Mass : 61
3 (M士)製造例(36) D、L −(1,416/ 2.3 ) −3,6−ビ
ス(ベンジルオキ7カルポニルアミノ)−3−N−メチ
ル−2,4−ジー0−テトラヒドロピラニル−1,2,
4−シクロヘキサントリオール(2001n?)のエタ
ノk (6ml ) fl液にピリジニウムp−トルエ
ンスルホネート(48/q〕を加えその混合溶液を55
〜60°Cに加温、撹拌しながら一夜反応させた。
,1320゜1200C11” NMR(C:DCl、、δ) ; 2.97 (3f(
、’ + N−C)!8 )FD Mass : 61
3 (M士)製造例(36) D、L −(1,416/ 2.3 ) −3,6−ビ
ス(ベンジルオキ7カルポニルアミノ)−3−N−メチ
ル−2,4−ジー0−テトラヒドロピラニル−1,2,
4−シクロヘキサントリオール(2001n?)のエタ
ノk (6ml ) fl液にピリジニウムp−トルエ
ンスルホネート(48/q〕を加えその混合溶液を55
〜60°Cに加温、撹拌しながら一夜反応させた。
反応終了後反応液を減圧下で濃縮し、得られた残液をシ
リカゲルカラム(シリカゲル、ワコーゲルC−300,
IOS’)に付し、クロロホルムとメタノール(9:
1 v/v )の混液で展開し目的物質を含む分画を集
めて、減圧下で濃縮乾固してり、L−(1,4,6/2
.3 ) −3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニル
アミノ)−3−N−メチル−1,2,4−シクロヘキサ
ントリオール(98”r)を固体として得た。
リカゲルカラム(シリカゲル、ワコーゲルC−300,
IOS’)に付し、クロロホルムとメタノール(9:
1 v/v )の混液で展開し目的物質を含む分画を集
めて、減圧下で濃縮乾固してり、L−(1,4,6/2
.3 ) −3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニル
アミノ)−3−N−メチル−1,2,4−シクロヘキサ
ントリオール(98”r)を固体として得た。
製造側割
り、L −(1,416/ 2.3 ) −3,6−ビ
ス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−3−N−メチ
ル−1,2t4=−シクロヘキサントリオール(901
’f)をピリジン(2−)に溶解させそこへ熱水酢酸(
0,5d?を加えた後、反応液を80°Cに加熱撹拌し
ながら4時間反応させた。反応終了後反応液にメタノー
ル(1rnl)を加えた後、減圧下で濃縮し得られた残
渣をクロロホルム(10rnl)に溶解させ、その溶液
を水と飽和炭酸水素ナトリウムで洗浄後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、減圧上濃縮した。
ス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−3−N−メチ
ル−1,2t4=−シクロヘキサントリオール(901
’f)をピリジン(2−)に溶解させそこへ熱水酢酸(
0,5d?を加えた後、反応液を80°Cに加熱撹拌し
ながら4時間反応させた。反応終了後反応液にメタノー
ル(1rnl)を加えた後、減圧下で濃縮し得られた残
渣をクロロホルム(10rnl)に溶解させ、その溶液
を水と飽和炭酸水素ナトリウムで洗浄後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、減圧上濃縮した。
得られた残渣をシリカゲルカラム(シリカゲルワコーゲ
ルC−200,10g)に付し、クロロホルムと酢酸エ
チル(10: I V/V )の温度テ展開して目的物
を含む分画を集めて、減圧下で濃縮乾固してり、L −
(1,416/ 2.3 )−1,2,4−トリー〇−
アセチルー3.6−ビス(ベンジルオキ7カルポニルア
ミノ)−3−N−メチル−1,2,4−シクロヘキサン
トリオール(871% )を得た。
ルC−200,10g)に付し、クロロホルムと酢酸エ
チル(10: I V/V )の温度テ展開して目的物
を含む分画を集めて、減圧下で濃縮乾固してり、L −
(1,416/ 2.3 )−1,2,4−トリー〇−
アセチルー3.6−ビス(ベンジルオキ7カルポニルア
ミノ)−3−N−メチル−1,2,4−シクロヘキサン
トリオール(871% )を得た。
mP; 59〜63°C
IR(Nujol);1740〜1710.1680a
l’C”−NMR(CDCI、、δ);20.87.3
0.34,45.81゜54.06 EI Mass ; 571(M十) 」−記で得られた化合物を常法により5体と0体に光学
分割した。
l’C”−NMR(CDCI、、δ);20.87.3
0.34,45.81゜54.06 EI Mass ; 571(M十) 」−記で得られた化合物を常法により5体と0体に光学
分割した。
製造例冊
I L −(1,4,6/2.3 ) −3,6−ビス
(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−3−N−メチル
−1,2,4−シクロヘキサントリオール(7,10p
。
(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−3−N−メチル
−1,2,4−シクロヘキサントリオール(7,10p
。
16、Of薗o1) と2,2−ジメトキシプロパン(
20rnl)をジメチルホルムアミド(80ff1/)
に溶解し、p−トルエンスルホン酸・1Jll物(1,
009)を加え5O−558Cにて20時間加熱撹拌し
た。
20rnl)をジメチルホルムアミド(80ff1/)
に溶解し、p−トルエンスルホン酸・1Jll物(1,
009)を加え5O−558Cにて20時間加熱撹拌し
た。
室温下トリエチルアミン(5d)を反応混合物に加えた
のち、減圧上濃縮した。得られたシラツブをシリカゲル
カラム(ワコーゲルC−200)(250りにて、クロ
ロホルムついでメタノール−クロロポルム(1: 99
V/V )を用いて溶出分離した。目的物質を含む分
画を集め、減圧下に濃縮すると、L L−(1,4,6
/2.3 )−3,6−ゼス(ベンジルオキシカルボニ
ルアミノ)−1−0,6−N−インプロピリデン−3−
N−メチル−1,2゜4−シルクロヘキサントリオール
(4,699,60,6%ンがグラスとして得られた。
のち、減圧上濃縮した。得られたシラツブをシリカゲル
カラム(ワコーゲルC−200)(250りにて、クロ
ロホルムついでメタノール−クロロポルム(1: 99
V/V )を用いて溶出分離した。目的物質を含む分
画を集め、減圧下に濃縮すると、L L−(1,4,6
/2.3 )−3,6−ゼス(ベンジルオキシカルボニ
ルアミノ)−1−0,6−N−インプロピリデン−3−
N−メチル−1,2゜4−シルクロヘキサントリオール
(4,699,60,6%ンがグラスとして得られた。
mP: 52〜56°C
〔α〕D 、+1.6°(C1,0,メタノール)IR
(Film);3400〜3300.1670〜166
0an ”NMR(CDCI、−TMS 、δ) :
1.53 (3H、s 、 C−CH5) 。
(Film);3400〜3300.1670〜166
0an ”NMR(CDCI、−TMS 、δ) :
1.53 (3H、s 、 C−CH5) 。
1.65(3)(+ s 、C−CH5) 、3.08
(3H,8、N−CH,)。
(3H,8、N−CH,)。
5、IQ (2H、I 、CHtP h) t 7.3
3 (5H9’ 、C15)製造例(至) I L −(1,4,6/2.3 ) −3,6−ビス
(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−0,6−N
−インプロピリデン−3−N−メチル−1,2,4−
シクロヘキサントリオール(4,53gt 9.35m
mol)をピリジン(100mj)に溶解し、無水酢酸
(20m/)を水冷下撹拌しながら滴下する。反応混合
物を同温度で1時間ついで室温で60時間撹拌した。
3 (5H9’ 、C15)製造例(至) I L −(1,4,6/2.3 ) −3,6−ビス
(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1−0,6−N
−インプロピリデン−3−N−メチル−1,2,4−
シクロヘキサントリオール(4,53gt 9.35m
mol)をピリジン(100mj)に溶解し、無水酢酸
(20m/)を水冷下撹拌しながら滴下する。反応混合
物を同温度で1時間ついで室温で60時間撹拌した。
水冷下、エタノール(20m/)を加え、同温度で1時
間撹拌したのち、減圧上濃縮した。得られたシラツブを
シリカゲルカラム(ワコーゲルC−200)(200i
にて、クロロホルムついでメタノール−クロロホルム(
1: 99 v/v )を用いて溶出分離した。目的物
質を含む分画を集め、減圧下に濃縮すると、I L−(
1,4,6/2.3 )−2,4−ジー0−アセチル−
3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1
−0,6−N−インプロピリデン−3−N−メチル−1
,2,4−シクロヘキサントリオール2,5−ビス−N
−メチルC4,75f。
間撹拌したのち、減圧上濃縮した。得られたシラツブを
シリカゲルカラム(ワコーゲルC−200)(200i
にて、クロロホルムついでメタノール−クロロホルム(
1: 99 v/v )を用いて溶出分離した。目的物
質を含む分画を集め、減圧下に濃縮すると、I L−(
1,4,6/2.3 )−2,4−ジー0−アセチル−
3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1
−0,6−N−インプロピリデン−3−N−メチル−1
,2,4−シクロヘキサントリオール2,5−ビス−N
−メチルC4,75f。
89.3%)がグラスとして得られた。
mp: 47〜49°C
〔αID 、十54.1° (C1,01クロロホルム
)IR(Nujol):1740,1680cm ”N
MR(CDCla−’rMS 、δ) ; 1.54
(3H、s 、 C−CHa)。
)IR(Nujol):1740,1680cm ”N
MR(CDCla−’rMS 、δ) ; 1.54
(3H、s 、 C−CHa)。
1.68 (38,s 、C−OH,) + 1.94
(3H,s 、C0CH8)。
(3H,s 、C0CH8)。
2.08 (3H,s 、C0CH,) 、 2.80
(3H,s 、NCH8)。
(3H,s 、NCH8)。
5.11 (2H,3、CH2Ph ) 、 5.17
(2H,@、CH/h)。
(2H,@、CH/h)。
7.34 (IOH,11、C誹i、x2)製造例(4
0) I L −(1,4,6/2.3 ) −2,4−ジ−
ローアセチル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニ
ルアミノ)−1−0,6−N−インプロピリデン−3−
N−メチル−1,2,4−シクロヘキサントリオール(
2,63y* 4.62 mmol )を、水(、6m
l、)と氷酢酸(24d)の混合溶媒に溶解し、80−
8506に24時間加熱撹拌した。反応混合物を水(1
00mA)に注ぎ、クロロホルム(20rnl)で5回
抽出した。
0) I L −(1,4,6/2.3 ) −2,4−ジ−
ローアセチル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニ
ルアミノ)−1−0,6−N−インプロピリデン−3−
N−メチル−1,2,4−シクロヘキサントリオール(
2,63y* 4.62 mmol )を、水(、6m
l、)と氷酢酸(24d)の混合溶媒に溶解し、80−
8506に24時間加熱撹拌した。反応混合物を水(1
00mA)に注ぎ、クロロホルム(20rnl)で5回
抽出した。
クロロホルム層を集め、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
、ついで水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥したのち
、減圧上濃縮した。得られたシラツブをシリカゲルカラ
ム(ワコーゲルC−200)(50y)にて、クロロホ
ルムついでメタノール−クロロホルム(1:99V/v
)で溶出分離した。
、ついで水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥したのち
、減圧上濃縮した。得られたシラツブをシリカゲルカラ
ム(ワコーゲルC−200)(50y)にて、クロロホ
ルムついでメタノール−クロロホルム(1:99V/v
)で溶出分離した。
目的物質を含む分画を集め、減圧下に濃縮乾固すると、
I L−(1,4,6/2.3 )−2,4−ジー〇−
アセf)シー3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニル
アミノ) −3−N−メチル−1,2,4−シクロヘキ
サントリオール(1,66″f、68.2%)が得られ
た。
I L−(1,4,6/2.3 )−2,4−ジー〇−
アセf)シー3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニル
アミノ) −3−N−メチル−1,2,4−シクロヘキ
サントリオール(1,66″f、68.2%)が得られ
た。
mp: 50〜53°C
〔α]p++66.8° cci、o、クロロホルム〕
IR(Nujol ):3400〜3300.1740
〜1660(?m” NMR(CDに 1.−1’MS 、δ) : 1.9
7 (3H、s 、 C−CH,22,0s(3H,s
、C−CD5)、2.83(3H,s 、NCH,)
。
IR(Nujol ):3400〜3300.1740
〜1660(?m” NMR(CDに 1.−1’MS 、δ) : 1.9
7 (3H、s 、 C−CH,22,0s(3H,s
、C−CD5)、2.83(3H,s 、NCH,)
。
5.13 (4H、s 、Cti、p h X 2 )
、7−40(10Hl” TCC10X2ン 〔ヘットピラノース誘導体(n)とシクロヘ−t−サン
誘導体からスポラリシンC)を製造する実施例〕実施例
(1) 1−〇−アセチルー2.6−ビス(2,4−ジニトロフ
ェニルアミノ) −2,3,4,6,7−ベンタゾオキ
シーL−リキンーへブトピラノース〔1−o−アセチル
−2,6−ビス−N−(2,4−ジニトロフェニル)−
6−ニピープルプロスアミンB〕(0,549+ 1.
01 mmol )とI L−(1,4,6/2.3
) −2゜4−ジーO−アセチルー3.6−ビス(ベン
ジルオキシカルボニルアミノ)−N−メチル−1,2,
4−シクロヘキサントリオール(0,53y、1.01
mmol )を1,2−ジクロロエタン(20ml)に
溶解し、これに無水硫酸ナトリウム<4.Of)とモレ
キュラーシーブ(4,OL)を加えた。さらに、この混
合物らトリフロロメタンスルホン酸のトリメチルシリル
エステル(0,4d)を室温下撹拌しながら加えた。反
応混合物を室温下1日間撹拌したのち、不溶物を戸別し
た。P液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、硫
酸マグネシウムで乾燥したのち、減圧下に濃縮した。得
られた残液をシリカゲルカラム(50L)!こて、クロ
ロホルムを用いて溶出分離した。目的物質を含む分画を
集め減圧下に濃縮乾固すると、3.5−ジーO−アセチ
ルー1.4−ビス−N−ベンジルオキシカルボニル−2
f6′−ビス−N−(2,4−ジニトロフェニルクー5
−デー0−メチルスポラリシンB (345■、34.
0%)が粉末として得られた。
、7−40(10Hl” TCC10X2ン 〔ヘットピラノース誘導体(n)とシクロヘ−t−サン
誘導体からスポラリシンC)を製造する実施例〕実施例
(1) 1−〇−アセチルー2.6−ビス(2,4−ジニトロフ
ェニルアミノ) −2,3,4,6,7−ベンタゾオキ
シーL−リキンーへブトピラノース〔1−o−アセチル
−2,6−ビス−N−(2,4−ジニトロフェニル)−
6−ニピープルプロスアミンB〕(0,549+ 1.
01 mmol )とI L−(1,4,6/2.3
) −2゜4−ジーO−アセチルー3.6−ビス(ベン
ジルオキシカルボニルアミノ)−N−メチル−1,2,
4−シクロヘキサントリオール(0,53y、1.01
mmol )を1,2−ジクロロエタン(20ml)に
溶解し、これに無水硫酸ナトリウム<4.Of)とモレ
キュラーシーブ(4,OL)を加えた。さらに、この混
合物らトリフロロメタンスルホン酸のトリメチルシリル
エステル(0,4d)を室温下撹拌しながら加えた。反
応混合物を室温下1日間撹拌したのち、不溶物を戸別し
た。P液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、硫
酸マグネシウムで乾燥したのち、減圧下に濃縮した。得
られた残液をシリカゲルカラム(50L)!こて、クロ
ロホルムを用いて溶出分離した。目的物質を含む分画を
集め減圧下に濃縮乾固すると、3.5−ジーO−アセチ
ルー1.4−ビス−N−ベンジルオキシカルボニル−2
f6′−ビス−N−(2,4−ジニトロフェニルクー5
−デー0−メチルスポラリシンB (345■、34.
0%)が粉末として得られた。
mP: 82−84°C
IR(Nujol ):1740−1710CIl ”
NMR(CDCI3.δ) : 2−82 (3H、s
、 NCH8)実施例(2) 3.5−ジー0−アセチル−1,4−ビス−N−ベンジ
ルオキシカルボニル−2:e’−ビス−N−(2゜4−
ジニトロフェニル)−5−デーO−メチルスボラリシ7
B (920’r t O,92mm01 )をジオキ
サン(10ml )とメタノール(30n/)に溶解し
、1Mナトリウムメトキシドのメタノール溶液(1−)
を加え、室温下2時間撹拌を続けた。室温上氷酢酸(3
rnりを加えたのち、減圧上濃縮した。得られたシラツ
ブをクロロホルムに溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥したのち、減圧下
に濃縮した。得られたタラップをシリカゲルカラム(ワ
コーゲル(−200)(25iにて、メタノール−クロ
ロホルム(1: 99 v/v )の混合溶媒を用いて
溶出分離した。目的物質を含む分画を集め減圧下、濃縮
乾固すると、1.4−ビス−N−ベンジルオキシカルボ
ニル−2:6′−ビス−N−(2,4−ジニトロフェニ
ルクー5−デーO−メチルスポラリシンB(395η、
46.9%)が粉末として得られた。
NMR(CDCI3.δ) : 2−82 (3H、s
、 NCH8)実施例(2) 3.5−ジー0−アセチル−1,4−ビス−N−ベンジ
ルオキシカルボニル−2:e’−ビス−N−(2゜4−
ジニトロフェニル)−5−デーO−メチルスボラリシ7
B (920’r t O,92mm01 )をジオキ
サン(10ml )とメタノール(30n/)に溶解し
、1Mナトリウムメトキシドのメタノール溶液(1−)
を加え、室温下2時間撹拌を続けた。室温上氷酢酸(3
rnりを加えたのち、減圧上濃縮した。得られたシラツ
ブをクロロホルムに溶解し、飽和炭酸水素ナトリウム水
溶液で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥したのち、減圧下
に濃縮した。得られたタラップをシリカゲルカラム(ワ
コーゲル(−200)(25iにて、メタノール−クロ
ロホルム(1: 99 v/v )の混合溶媒を用いて
溶出分離した。目的物質を含む分画を集め減圧下、濃縮
乾固すると、1.4−ビス−N−ベンジルオキシカルボ
ニル−2:6′−ビス−N−(2,4−ジニトロフェニ
ルクー5−デーO−メチルスポラリシンB(395η、
46.9%)が粉末として得られた。
IR(Nujol): 1710−1670am ”N
MR(CDCI、、δ) ; 1.07 (3H、d
、J11’、?’= 7H2゜H−7’ ) +3.4
2(3H,s 、NCHs)実施例(3) 1.4−ビス−N−ベンジルオキシカルボニル−2、′
6 ’−ビスーN−(2,4−ジニトロフエニルンー5
−デーO−メチルスポラリシンB(340■。
MR(CDCI、、δ) ; 1.07 (3H、d
、J11’、?’= 7H2゜H−7’ ) +3.4
2(3H,s 、NCHs)実施例(3) 1.4−ビス−N−ベンジルオキシカルボニル−2、′
6 ’−ビスーN−(2,4−ジニトロフエニルンー5
−デーO−メチルスポラリシンB(340■。
Q、 37 mmol )を、水(30m!、)、アセ
トン(70rd)とメタノール(100i)の混合溶媒
に溶解し、アンバーライトIRA400(OH)イオン
交換樹脂(商O,ローム・アンド・)1−ス社製〕(1
00m!、)を加えたのち、室温下20時間撹拌を続け
た。樹脂を戸別後、p液を減圧下に濃縮した。イ$られ
たシラツブをIN塩酸(10rnl)に溶かしたのち、
10%パラジウム−炭素(300”’7)を加え1気圧
の水素雰囲気下、室温にて7時間撹拌した。//l!l
l陛を戸別後。p液を減圧上濃縮した。
トン(70rd)とメタノール(100i)の混合溶媒
に溶解し、アンバーライトIRA400(OH)イオン
交換樹脂(商O,ローム・アンド・)1−ス社製〕(1
00m!、)を加えたのち、室温下20時間撹拌を続け
た。樹脂を戸別後、p液を減圧下に濃縮した。イ$られ
たシラツブをIN塩酸(10rnl)に溶かしたのち、
10%パラジウム−炭素(300”’7)を加え1気圧
の水素雰囲気下、室温にて7時間撹拌した。//l!l
l陛を戸別後。p液を減圧上濃縮した。
残液をQ、 3 M水酸化バリウム水溶液に溶かし、5
0−55°Cで5時間加熱撹拌を続けた。室温に放冷後
、炭酸ガスを吹き込む。析出した炭酸バリウムを戸別し
、戸液を減圧下に濃縮した。得られた残渣を水(10m
l)に溶かし、IN塩酸でpH5にfdl’J整し、C
M−セファデックスC−25(NH41−)イオン交4
LIUI(商標、ファルマシア・ファン・ケミカルズ社
製)(30ml)を充填したカラムに通過吸着した。水
とINアンモニア水の濃度勾配法により展開し、目的物
を含む分画を集め、減圧下、約10−まで濃縮し、凍結
乾燥を行なうと、5−デー0−メチルスポラリシンB
(60m? 、55.6%)が固体として得られた。こ
の生成物の”I” L C(17%アンモニア水−メタ
ノール−クロロホルム1 : 8 : 3 v/v )
におけるに+値NMRおよびマススペクトルは標品のス
ポラリシンBのそれらと一致した。
0−55°Cで5時間加熱撹拌を続けた。室温に放冷後
、炭酸ガスを吹き込む。析出した炭酸バリウムを戸別し
、戸液を減圧下に濃縮した。得られた残渣を水(10m
l)に溶かし、IN塩酸でpH5にfdl’J整し、C
M−セファデックスC−25(NH41−)イオン交4
LIUI(商標、ファルマシア・ファン・ケミカルズ社
製)(30ml)を充填したカラムに通過吸着した。水
とINアンモニア水の濃度勾配法により展開し、目的物
を含む分画を集め、減圧下、約10−まで濃縮し、凍結
乾燥を行なうと、5−デー0−メチルスポラリシンB
(60m? 、55.6%)が固体として得られた。こ
の生成物の”I” L C(17%アンモニア水−メタ
ノール−クロロホルム1 : 8 : 3 v/v )
におけるに+値NMRおよびマススペクトルは標品のス
ポラリシンBのそれらと一致した。
実施例(4)
3.5−ジーO−アセチルー1.4−ビス−N−ベンジ
ルオキシカルボニル−z;e’−ビス−N−(2゜4−
ジニトロフェニル)−5−チー0−/ fルスポラリシ
ンB (340Q 、 0.34 mtnol )を水
(20ml)、アセトン(80,j)とメタノール(1
20−)の混合溶媒に溶解し、アンバーライトIRA
400 (OH’−)イオン交換樹脂(商標、ローム・
アント・ハース社製)(100m/)を加えたのち、室
温下3日間撹拌を続けた。樹脂を戸別後、p液を減圧下
に濃縮した。得られたシラツブを濃塩酸(5ml )に
溶かしたのち、10%パラジウム−炭素(100mlを
加え、1気圧の水素雰囲気下、室温にて1日間撹拌した
。触媒を戸別後、P液を減圧下に濃縮した。得られたシ
ラツブを水〔5−〕に溶かし、2Nアンモニア水でPH
6に調整し、CM−セファデックスC25(NH+)イ
オン交換樹脂([i、ファルマシア・ファイン・ケミカ
ルズ社製)(20Inりを充填したカラムに通過吸着し
た。水と0.8Nアンモニア水の濃度勾配法により展開
し、目的物質を含む分画を集め、減圧下約5 mlまで
濃縮した。得られた水溶液に0.IN塩酸(5−)を加
え、減圧下濃縮乾固した。残嫉を水(10m/)に溶か
したのち凍結乾燥を行なうと5−デー0−メチルスポラ
リシンB・4塩酸塩(20”?、12.7%〕が固体と
して得られた。この生成物の1’LC(17%アンモニ
ア水−メタノール−クロロホルム1 : 8 : 3
V/V )におけるに士値、NMRおよびマススペクト
ルは標品のものと一致した。
ルオキシカルボニル−z;e’−ビス−N−(2゜4−
ジニトロフェニル)−5−チー0−/ fルスポラリシ
ンB (340Q 、 0.34 mtnol )を水
(20ml)、アセトン(80,j)とメタノール(1
20−)の混合溶媒に溶解し、アンバーライトIRA
400 (OH’−)イオン交換樹脂(商標、ローム・
アント・ハース社製)(100m/)を加えたのち、室
温下3日間撹拌を続けた。樹脂を戸別後、p液を減圧下
に濃縮した。得られたシラツブを濃塩酸(5ml )に
溶かしたのち、10%パラジウム−炭素(100mlを
加え、1気圧の水素雰囲気下、室温にて1日間撹拌した
。触媒を戸別後、P液を減圧下に濃縮した。得られたシ
ラツブを水〔5−〕に溶かし、2Nアンモニア水でPH
6に調整し、CM−セファデックスC25(NH+)イ
オン交換樹脂([i、ファルマシア・ファイン・ケミカ
ルズ社製)(20Inりを充填したカラムに通過吸着し
た。水と0.8Nアンモニア水の濃度勾配法により展開
し、目的物質を含む分画を集め、減圧下約5 mlまで
濃縮した。得られた水溶液に0.IN塩酸(5−)を加
え、減圧下濃縮乾固した。残嫉を水(10m/)に溶か
したのち凍結乾燥を行なうと5−デー0−メチルスポラ
リシンB・4塩酸塩(20”?、12.7%〕が固体と
して得られた。この生成物の1’LC(17%アンモニ
ア水−メタノール−クロロホルム1 : 8 : 3
V/V )におけるに士値、NMRおよびマススペクト
ルは標品のものと一致した。
参考例(イ)−1
D、L −(1,2,3/4,6 ) −4−0−ベン
ゾイル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミ
ノ) −1,2,4−シクロヘキサントリオール(15
0〜)をピリジン(3ml)に溶解させ、メタンスルホ
ニルクロライド(0,065mj)と4−ジメチルアミ
ノピリジン(10Q )を加えた後、室温で撹拌し、−
夜装置させた。さらに反応液を80〜90°Cに加熱し
、6時間反応させた。反応終了後反応液に水(0,1m
1)を加え、過剰のメタンスルホニルクロライドをつぶ
した後、減圧下で濃縮した。
ゾイル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミ
ノ) −1,2,4−シクロヘキサントリオール(15
0〜)をピリジン(3ml)に溶解させ、メタンスルホ
ニルクロライド(0,065mj)と4−ジメチルアミ
ノピリジン(10Q )を加えた後、室温で撹拌し、−
夜装置させた。さらに反応液を80〜90°Cに加熱し
、6時間反応させた。反応終了後反応液に水(0,1m
1)を加え、過剰のメタンスルホニルクロライドをつぶ
した後、減圧下で濃縮した。
得られた残渣をクロロホルム(30rn!、〕に溶解さ
せ、その溶液を水と飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下で濃縮し、
得られた残液をシリカゲルカラム(シリカゲル、ワコー
ゲル(−200)(10flに付ジクロロホルムとアセ
トン(5: 1 v/v ) ノ混液で展開し、目的物
質を含む分画を集め減圧下で濃縮乾固すると、D、L
−(1,2,3/ 4.6 ) −4−〇−ベンゾイル
ー3.6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)
−1,2−ビスー〇−メタンスルボニル−1,2,4−
シクロへ牛サントリオール(73!・J7)をイ1仝た
。
せ、その溶液を水と飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗
浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下で濃縮し、
得られた残液をシリカゲルカラム(シリカゲル、ワコー
ゲル(−200)(10flに付ジクロロホルムとアセ
トン(5: 1 v/v ) ノ混液で展開し、目的物
質を含む分画を集め減圧下で濃縮乾固すると、D、L
−(1,2,3/ 4.6 ) −4−〇−ベンゾイル
ー3.6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)
−1,2−ビスー〇−メタンスルボニル−1,2,4−
シクロへ牛サントリオール(73!・J7)をイ1仝た
。
IR(Nujol ):3300.1700.1520
,1270゜1230.1170C++1 NMit (CDCI、、δ) ;2.94(3fIl
8 、Cu2S 02)3.12(3H,S 、Cす
、5O2)FD Mass ; 691(M+) 参考例(イ)−2 1)、L−(1,213/ 4.G ) −4−0−ベ
ンゾイル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルア
ミノ) −1,2,4−シクロヘキサントリオール(5
21m9 )をピリジン(10ml )に溶解させ、0
〜5°Gに冷却後、メタンスルホニルクロライド(0,
094)を滴下し、四但で4時間撹拌させた。反応終了
せb、水(0,1ml )を加え、その混合物を減圧下
濃縮した。得られた残渣をクロロホルム(50m7りに
溶解させ、その溶液を飽和炭酸水素ナトIJウム水溶液
と水で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下で濃
縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム(ワコーゲル
C−200)(201に付し、クロロホルムとテトラヒ
ドロフラン(5: I V/V〕の混液で展開さぜ、目
的物質を含む分画を集め、減圧下で濃縮乾固させ、D、
L −(1,2,3/ 4.0 )−4−0−ベンゾイ
ル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)
−1−o−メタンスルホニル−1,2,4−シクロヘキ
サントリオール(325mg)を得た。
,1270゜1230.1170C++1 NMit (CDCI、、δ) ;2.94(3fIl
8 、Cu2S 02)3.12(3H,S 、Cす
、5O2)FD Mass ; 691(M+) 参考例(イ)−2 1)、L−(1,213/ 4.G ) −4−0−ベ
ンゾイル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルア
ミノ) −1,2,4−シクロヘキサントリオール(5
21m9 )をピリジン(10ml )に溶解させ、0
〜5°Gに冷却後、メタンスルホニルクロライド(0,
094)を滴下し、四但で4時間撹拌させた。反応終了
せb、水(0,1ml )を加え、その混合物を減圧下
濃縮した。得られた残渣をクロロホルム(50m7りに
溶解させ、その溶液を飽和炭酸水素ナトIJウム水溶液
と水で洗浄し無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下で濃
縮した。得られた残渣をシリカゲルカラム(ワコーゲル
C−200)(201に付し、クロロホルムとテトラヒ
ドロフラン(5: I V/V〕の混液で展開さぜ、目
的物質を含む分画を集め、減圧下で濃縮乾固させ、D、
L −(1,2,3/ 4.0 )−4−0−ベンゾイ
ル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)
−1−o−メタンスルホニル−1,2,4−シクロヘキ
サントリオール(325mg)を得た。
IR(Nujol);3300,1?20,1690,
1530゜1280.1180,1120,1o60,
1025.970♂1 NMR(DMSO−d6.δ) ; 3.15 (3H
、s 、 CI(、、S O,)FD Mass ;
512(M十) 参考例(イ)−3 D、L −(1,2,3/ 4.6 ) −4−0−ベ
ンゾイル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルア
ミノ)−1,2,4−シクロヘキサントリオール(1g
)を無水ジメチルホルムアミド(20mJりに溶解させ
、水浴で冷却し、水素化ナトリウム(270ff196
0%オイル〕を加え1時間同温で撹拌させた。
1530゜1280.1180,1120,1o60,
1025.970♂1 NMR(DMSO−d6.δ) ; 3.15 (3H
、s 、 CI(、、S O,)FD Mass ;
512(M十) 参考例(イ)−3 D、L −(1,2,3/ 4.6 ) −4−0−ベ
ンゾイル−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルア
ミノ)−1,2,4−シクロヘキサントリオール(1g
)を無水ジメチルホルムアミド(20mJりに溶解させ
、水浴で冷却し、水素化ナトリウム(270ff196
0%オイル〕を加え1時間同温で撹拌させた。
反応終了後、反応液に酢酸(0,5c+7りを加えた後
その反応液を氷水(100m/)中へ投入した。その混
合水溶液からクロロポルム(200+nt )と酢酸エ
ナル(、5Q ++J )とで抽出し、抽出液の混液を
飽オF1食塩水で洗浄後無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
減圧下で濃縮した。得られた残液をシリカゲルカラム(
ワコーゲルC−200)(15g)に付し、クロロホル
ムと干トラヒドロフラン(3: 1 v/v)の混液で
匹υ14シて、目的物質を含む分画を集め減圧下で濃縮
し、t)、t −(1,2,3/ 4.6 ) −3−
アミノ−4−0−ベンゾイル−6−ベンジルオキシカル
ボニルアミノ−3−N、2−o−カルボニル−1,2,
4−シクロヘキサントリオール(371〃11)をイU
た。
その反応液を氷水(100m/)中へ投入した。その混
合水溶液からクロロポルム(200+nt )と酢酸エ
ナル(、5Q ++J )とで抽出し、抽出液の混液を
飽オF1食塩水で洗浄後無水硫酸ナトリウムで乾燥し、
減圧下で濃縮した。得られた残液をシリカゲルカラム(
ワコーゲルC−200)(15g)に付し、クロロホル
ムと干トラヒドロフラン(3: 1 v/v)の混液で
匹υ14シて、目的物質を含む分画を集め減圧下で濃縮
し、t)、t −(1,2,3/ 4.6 ) −3−
アミノ−4−0−ベンゾイル−6−ベンジルオキシカル
ボニルアミノ−3−N、2−o−カルボニル−1,2,
4−シクロヘキサントリオール(371〃11)をイU
た。
IR(Nujol);3320,1760,1690.
1530゜1315.1290,1230,1180.
1140,1110cm′1 NMI’、(DMSO−d、、δ) ;1.40〜1.
90(211,n1l) 。
1530゜1315.1290,1230,1180.
1140,1110cm′1 NMI’、(DMSO−d、、δ) ;1.40〜1.
90(211,n1l) 。
7.20(5H、@) 、7.20〜8.00(5H,
m)EI Mas@: 426(M+3 参考例(イ)−4 D、L −(1,2,3/ 4.6 ) −3−アミノ
−4−〇−ベンゾイルー6−ペンジルオキシカルポニル
アミ/−2−0,3−N−カルボニル−1,2,4−シ
クロヘキサントリオール(2631”f)をピリジン(
8−)に溶解させ、4−ジメチルアミノピリジン(15
1”g)と、メタンスルホニルクロライド(0,2m/
)を加えた後、反応液を60°Cに加温し、10時間撹
拌させた。反応終了後、反応液に水(0,01mZ)を
加えた後、減圧下で濃縮した。得られた残渣をクロロホ
ルム(40mZ)に溶解させ、その溶液を水と飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液で洗浄後無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、減圧下で濃縮した。得られた残液をシリカゲルカ
ラム(ワコーゲルC−C−200)(15に付し、クロ
ロホルムとテトラヒドロフラン(3: 1 v/v )
の混液で展開し、目的物質を含む分画を集め、減圧下で
濃縮し、D、L −(1,2,3/ 4.6 ) −3
−アミノ−4−0−ベンゾイル−6−ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ−2−0,3−N−カルボニル−1−〇
−メタンスルホニルー1,2*4−シクロヘキサン−ト
リオール(210〃’P)を得た。
m)EI Mas@: 426(M+3 参考例(イ)−4 D、L −(1,2,3/ 4.6 ) −3−アミノ
−4−〇−ベンゾイルー6−ペンジルオキシカルポニル
アミ/−2−0,3−N−カルボニル−1,2,4−シ
クロヘキサントリオール(2631”f)をピリジン(
8−)に溶解させ、4−ジメチルアミノピリジン(15
1”g)と、メタンスルホニルクロライド(0,2m/
)を加えた後、反応液を60°Cに加温し、10時間撹
拌させた。反応終了後、反応液に水(0,01mZ)を
加えた後、減圧下で濃縮した。得られた残渣をクロロホ
ルム(40mZ)に溶解させ、その溶液を水と飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液で洗浄後無水硫酸ナトリウムで乾
燥後、減圧下で濃縮した。得られた残液をシリカゲルカ
ラム(ワコーゲルC−C−200)(15に付し、クロ
ロホルムとテトラヒドロフラン(3: 1 v/v )
の混液で展開し、目的物質を含む分画を集め、減圧下で
濃縮し、D、L −(1,2,3/ 4.6 ) −3
−アミノ−4−0−ベンゾイル−6−ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ−2−0,3−N−カルボニル−1−〇
−メタンスルホニルー1,2*4−シクロヘキサン−ト
リオール(210〃’P)を得た。
rR<Nujot):3340.3300,1765,
1710゜1530.1280.1240,1180,
1115.1100゜930♂1 NMR(CDCI、、δ) : 3.10 (3H、s
、 CIH,So、)EI Mass; 504CM
+) 参考例(イ)−5 ジメチルホルムアミド(3m1.)にD+L(L2+3
/4,6 ) −4−0−ベンゾイル−3,6−ビス(
ベンジルオキシカルボニルアミノ) −1,2,4−シ
クロヘキサントリオール(300〜、 0.56 mm
ol)とP−1−ルエンスルホン酸(20g等、0.1
1mmol )を溶かし、オルト酢酸トリメチルエステ
ル(1,5m!、? 12.0 mmol )を加えた
のち、x部下75分間撹拌した。反応混合物にトリエチ
ルアミン(0,5rn1.)を加えたのち、減圧下に濃
縮を行ないシラツブを得た。このシラツブを氷酢酸(1
2−〕と水(3rnりの混合溶媒に溶かし室温下20分
間撹拌したのち、水(150rnl)に注いだ。生イビ DL−(1,2,3/4.6 )−2−0−アセチル−
4−〇−ベンゾイルー3,6−ビス(ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ)−1,2,4−シクロヘキサントリオ
ール(277”り、85.6%)が固体として得られた
。
1710゜1530.1280.1240,1180,
1115.1100゜930♂1 NMR(CDCI、、δ) : 3.10 (3H、s
、 CIH,So、)EI Mass; 504CM
+) 参考例(イ)−5 ジメチルホルムアミド(3m1.)にD+L(L2+3
/4,6 ) −4−0−ベンゾイル−3,6−ビス(
ベンジルオキシカルボニルアミノ) −1,2,4−シ
クロヘキサントリオール(300〜、 0.56 mm
ol)とP−1−ルエンスルホン酸(20g等、0.1
1mmol )を溶かし、オルト酢酸トリメチルエステ
ル(1,5m!、? 12.0 mmol )を加えた
のち、x部下75分間撹拌した。反応混合物にトリエチ
ルアミン(0,5rn1.)を加えたのち、減圧下に濃
縮を行ないシラツブを得た。このシラツブを氷酢酸(1
2−〕と水(3rnりの混合溶媒に溶かし室温下20分
間撹拌したのち、水(150rnl)に注いだ。生イビ DL−(1,2,3/4.6 )−2−0−アセチル−
4−〇−ベンゾイルー3,6−ビス(ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ)−1,2,4−シクロヘキサントリオ
ール(277”り、85.6%)が固体として得られた
。
IR(Nujol);1730−1670cmNMR(
Dfvf S Oda eδ) : 2.07 (3)
1. s 、 C0CHB) 。
Dfvf S Oda eδ) : 2.07 (3)
1. s 、 C0CHB) 。
5.00 (4H,s 、CHtAr x 2) 、
7.0−7.9 (15H。
7.0−7.9 (15H。
m 、 C6HIIX 3 )
参考例幹ン−1
D、L −(1,4,6/ 2.3 ) −6−アミノ
−4−〇−ベンゾイルー3−ベンジルオキシカルボニル
アミノ−1−0,6−N−カルボニル−1,2,4−シ
クロヘキサントリオール(171rnfりと水酸化バリ
ウム8水和物(315”f)をジオキサン(1〇−)と
水(7rnl)の混液に溶解させ、その溶液を60〜6
2°Cに加温し5時間撹拌させた。反応終了後、反応液
に炭酸ガスを吹込み反応液を中和した後、不溶物を戸別
し、P液を減圧下で濃縮してり、L −(1,4,6/
2,3 ) −6−アミノ−3−ベンジルオキシカル
ボニルアミノ−1,2,4−シクロヘキサントリオール
(100”f)を得た。この化合物と炭酸ナトリウム(
102”lをアセトン(9rn!、)と水(3rnl)
の混液に溶解させ冷浴で冷却後ベンジルオキシカルボニ
ルクロライド(0,17rnりを滴下した。その反応混
合物を室温で2時間撹拌させた。反応終了後、反応液に
水(10rn1)を加えた。その結果、析出した物質を
戸数し、析出物をジエチルエーテルで洗浄後、風乾し、
D、L−(1,4,6/ 2,3 ) −3,6−ビス
(ベンジルオキシカルボニルアミノ リオール(1 0 0 rrly )を固体として得た
。
−4−〇−ベンゾイルー3−ベンジルオキシカルボニル
アミノ−1−0,6−N−カルボニル−1,2,4−シ
クロヘキサントリオール(171rnfりと水酸化バリ
ウム8水和物(315”f)をジオキサン(1〇−)と
水(7rnl)の混液に溶解させ、その溶液を60〜6
2°Cに加温し5時間撹拌させた。反応終了後、反応液
に炭酸ガスを吹込み反応液を中和した後、不溶物を戸別
し、P液を減圧下で濃縮してり、L −(1,4,6/
2,3 ) −6−アミノ−3−ベンジルオキシカル
ボニルアミノ−1,2,4−シクロヘキサントリオール
(100”f)を得た。この化合物と炭酸ナトリウム(
102”lをアセトン(9rn!、)と水(3rnl)
の混液に溶解させ冷浴で冷却後ベンジルオキシカルボニ
ルクロライド(0,17rnりを滴下した。その反応混
合物を室温で2時間撹拌させた。反応終了後、反応液に
水(10rn1)を加えた。その結果、析出した物質を
戸数し、析出物をジエチルエーテルで洗浄後、風乾し、
D、L−(1,4,6/ 2,3 ) −3,6−ビス
(ベンジルオキシカルボニルアミノ リオール(1 0 0 rrly )を固体として得た
。
IR(Nujol):3300,1800,1720,
1680。
1680。
1650、1520,1310.1260,1230.
1180。
1180。
1160、1055cm
参考例(口)−2
1)、L − ( 1.416 / 2.3 ) −3
16ービス(ベンジルオキシカルボニルアミノ) −
1.2.4−シクロへ゛キサントリオール(76”#)
をピリジン( 4,n!.)に溶解させ、無水酢酸(0
.2ml)を加えた後、その混合物を80°Cに加熱し
、4.5時間撹拌させた。
16ービス(ベンジルオキシカルボニルアミノ) −
1.2.4−シクロへ゛キサントリオール(76”#)
をピリジン( 4,n!.)に溶解させ、無水酢酸(0
.2ml)を加えた後、その混合物を80°Cに加熱し
、4.5時間撹拌させた。
反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、得られた残液を
クロロホルム( 1 0rn1.)に溶解させ、その溶
液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と水で洗浄し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下で濃縮した。得られた
残液をシリカゲルカラム(ワコーゲルC−200)(1
0g)に付し、クロロホルムと酢酸エチル( 5 :
1 v/v )の混液で展開し、目的物質を含む分画を
集めて減圧下で濃縮乾固して、D,L − (、 1,
4,6 / 2,・3)−1.2.4−トリーローアセ
チル−3.6ービス(ベンジルオキシカルボニルアミノ
) − 1.2.4−シクロヘキサントリオール(62
キ)を得た。
クロロホルム( 1 0rn1.)に溶解させ、その溶
液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と水で洗浄し、無水
硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下で濃縮した。得られた
残液をシリカゲルカラム(ワコーゲルC−200)(1
0g)に付し、クロロホルムと酢酸エチル( 5 :
1 v/v )の混液で展開し、目的物質を含む分画を
集めて減圧下で濃縮乾固して、D,L − (、 1,
4,6 / 2,・3)−1.2.4−トリーローアセ
チル−3.6ービス(ベンジルオキシカルボニルアミノ
) − 1.2.4−シクロヘキサントリオール(62
キ)を得た。
IR(Nujol );3200,1740,1710
.1520。
.1520。
1220、1210.1080cm ”NMR(CDC
I,、δ);1.90(3H,II,CH3Co eq
)2、Q5(5H,broad s,G(3Co ox
)FD Mass; 556(M+) 参考例(ロ)−3 D、L −(I4,6 /2.3 ) −6−アミノ−
4−〇−ベンゾイルー3−ベンジルオキシカルボニルア
ミノ−1−0,6−N−カルボニル−1,2,4−シク
ロヘキサントリオール(100IIiをジメチルホルム
アミド(2d)に溶解させ、p−トルエンスルホン酸(
4,1l711)と、2.3−ジヒドロピラン(0,0
7,d)を加えた後、その混合物を室温で一夜放置した
。反応終了後、反応液を氷水(10rnt)に投入し、
その結果析出した物質をt戸数した後、析出物をクロロ
ホルム(20rn!、〕に溶解させた。
I,、δ);1.90(3H,II,CH3Co eq
)2、Q5(5H,broad s,G(3Co ox
)FD Mass; 556(M+) 参考例(ロ)−3 D、L −(I4,6 /2.3 ) −6−アミノ−
4−〇−ベンゾイルー3−ベンジルオキシカルボニルア
ミノ−1−0,6−N−カルボニル−1,2,4−シク
ロヘキサントリオール(100IIiをジメチルホルム
アミド(2d)に溶解させ、p−トルエンスルホン酸(
4,1l711)と、2.3−ジヒドロピラン(0,0
7,d)を加えた後、その混合物を室温で一夜放置した
。反応終了後、反応液を氷水(10rnt)に投入し、
その結果析出した物質をt戸数した後、析出物をクロロ
ホルム(20rn!、〕に溶解させた。
その溶液を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、
減圧下で濃縮した。得られた残液をプレパラーテイブシ
リカゲル力ラム〔メルク社〕に付し、クロロホルムとテ
トラヒドロフラン(3: l v/v〕の混液で展開し
、目的物1(を含む部分のシリカゲルをかきとり、アセ
トンで溶出した。溶出液を減圧下で濃縮乾固し、f)、
L −(1,4,6/ 2.3 ) −6−アミノ−4
−0−ベンゾイル−3−ベンジルオキシカルボニルアミ
ノ−1−0,6−N−カルボニル−2−0−テトラヒド
ロピラニル−1,2,4−シクロヘキサントリオール(
57mfl )を結晶として得た。
減圧下で濃縮した。得られた残液をプレパラーテイブシ
リカゲル力ラム〔メルク社〕に付し、クロロホルムとテ
トラヒドロフラン(3: l v/v〕の混液で展開し
、目的物1(を含む部分のシリカゲルをかきとり、アセ
トンで溶出した。溶出液を減圧下で濃縮乾固し、f)、
L −(1,4,6/ 2.3 ) −6−アミノ−4
−0−ベンゾイル−3−ベンジルオキシカルボニルアミ
ノ−1−0,6−N−カルボニル−2−0−テトラヒド
ロピラニル−1,2,4−シクロヘキサントリオール(
57mfl )を結晶として得た。
mP; 142−143°C
IR(Nujol):1760.1740.1710〜
1680゜1520〜1510.127O NMR(CDCI、、δ) ;5.03 (2H,S
、C顎C,H,)7.22 (5H、s 、 C)I2
Ca’s )FD Mass ; 511(M十J 参考例(ロ)−4 D、L −(1,4,6/ 2,3 ) −6−アミノ
−4−〇−ベンゾイルー3−ベンジルオキシカルボニル
アミノ−1−0,6−N−カルボニル−2−〇−テトラ
ヒドロピラニルー1.2.4−シクロヘキサントリオー
ル(220キ)をピリジン(6,61n1)に溶解させ
、無水酢酸((116,d)を加えた後、その溶液を9
0°Cに加熱し、7時間撹拌させた。さらに無水酢酸(
(108d)を加え、その混合溶液を808Cに加熱し
、−夜撹拌させた。反応終了後、反応液を減圧下で沼1
縮し、得られたシロップをクロロホルム(30d)に溶
解さぜ、その溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と水
で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下で濃縮
してシロップをイリだ。このシロップをシリカゲルカラ
ム(商標フコ−ゲルCニー200)(20iに付しクロ
ロホルムと酢〔欧エナル(5: 1 v/v )で展開
し、目的物質を含む分画を集め、減圧下で痕縮乾固し、
1)、L−(1,4,6/ 2.3 〕−−〕6−アセ
チルアミノー4−0−ベンゾイル3−ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ−1−0,6−N−カルボニル−2−〇
−テトラヒドロピラニルー1.2.4−シクロヘキサン
トリオール(115”i )を得た。
1680゜1520〜1510.127O NMR(CDCI、、δ) ;5.03 (2H,S
、C顎C,H,)7.22 (5H、s 、 C)I2
Ca’s )FD Mass ; 511(M十J 参考例(ロ)−4 D、L −(1,4,6/ 2,3 ) −6−アミノ
−4−〇−ベンゾイルー3−ベンジルオキシカルボニル
アミノ−1−0,6−N−カルボニル−2−〇−テトラ
ヒドロピラニルー1.2.4−シクロヘキサントリオー
ル(220キ)をピリジン(6,61n1)に溶解させ
、無水酢酸((116,d)を加えた後、その溶液を9
0°Cに加熱し、7時間撹拌させた。さらに無水酢酸(
(108d)を加え、その混合溶液を808Cに加熱し
、−夜撹拌させた。反応終了後、反応液を減圧下で沼1
縮し、得られたシロップをクロロホルム(30d)に溶
解さぜ、その溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と水
で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下で濃縮
してシロップをイリだ。このシロップをシリカゲルカラ
ム(商標フコ−ゲルCニー200)(20iに付しクロ
ロホルムと酢〔欧エナル(5: 1 v/v )で展開
し、目的物質を含む分画を集め、減圧下で痕縮乾固し、
1)、L−(1,4,6/ 2.3 〕−−〕6−アセ
チルアミノー4−0−ベンゾイル3−ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ−1−0,6−N−カルボニル−2−〇
−テトラヒドロピラニルー1.2.4−シクロヘキサン
トリオール(115”i )を得た。
IR(Nu3o1) ;3310+1780+1700
.1515+1270.1115(浦 Nへ4R(GoCI、、δ): 2.46(3[(、s
、C0CH5)FD )t(、象85: 554(M士
+13診考例(I:J) −5 D、L−(1,4,6/2.3 )−6−7セチルアミ
ノー4−o−ベンゾイル−3−ベンジルオキシカルボニ
ルアミノ−1−0,6−N−カルボニル−2−〇−テト
ラヒドロピラニルー1.2.4−シクロヘキサントリオ
ール(25■)をジメチルホルムアミド(1ml)に溶
解させヨウ化メチル(1d)を加え、0〜56Cに冷却
し、その溶ソ反に酸化銀(128・’g)を加えた後、
その混合物を室温で一夜撹拌させた。さらに、反応液に
ヨウ化メチル(0゜5 m/ )と酸化銀(75”’1
/)を加え、室温で一夜撹拌させた1、反応終了後、反
応混合物にクロロホルム(、20ml )を加え、セラ
イトで濾過した。P液を減圧下で濃縮し、得られた残渣
をプレパラーテイブ力ラムクロマトグラフイー(シリカ
ゲルプレート メルク社製)に付しクロロホルムと酢酸
エチル(5: I V/V )の混液て展開し、目的物
質を含む部分のシリカゲルをかき取り、シリカゲルより
クロロホルム(50mA)で抽出した。抽出液を減圧下
で濃縮乾固し、DIL−(1,4,6/ 2.3 )
−6−アセチルアミノ−4−o−ベンゾイル−3〜ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−1−0,6−N−カルボ
ニル− ジヒドロビラニル−1,2,4−シクロヘキサントリオ
ール(1011′Li)を得た。
.1515+1270.1115(浦 Nへ4R(GoCI、、δ): 2.46(3[(、s
、C0CH5)FD )t(、象85: 554(M士
+13診考例(I:J) −5 D、L−(1,4,6/2.3 )−6−7セチルアミ
ノー4−o−ベンゾイル−3−ベンジルオキシカルボニ
ルアミノ−1−0,6−N−カルボニル−2−〇−テト
ラヒドロピラニルー1.2.4−シクロヘキサントリオ
ール(25■)をジメチルホルムアミド(1ml)に溶
解させヨウ化メチル(1d)を加え、0〜56Cに冷却
し、その溶ソ反に酸化銀(128・’g)を加えた後、
その混合物を室温で一夜撹拌させた。さらに、反応液に
ヨウ化メチル(0゜5 m/ )と酸化銀(75”’1
/)を加え、室温で一夜撹拌させた1、反応終了後、反
応混合物にクロロホルム(、20ml )を加え、セラ
イトで濾過した。P液を減圧下で濃縮し、得られた残渣
をプレパラーテイブ力ラムクロマトグラフイー(シリカ
ゲルプレート メルク社製)に付しクロロホルムと酢酸
エチル(5: I V/V )の混液て展開し、目的物
質を含む部分のシリカゲルをかき取り、シリカゲルより
クロロホルム(50mA)で抽出した。抽出液を減圧下
で濃縮乾固し、DIL−(1,4,6/ 2.3 )
−6−アセチルアミノ−4−o−ベンゾイル−3〜ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−1−0,6−N−カルボ
ニル− ジヒドロビラニル−1,2,4−シクロヘキサントリオ
ール(1011′Li)を得た。
IR(Nu jo l 十C2H,OH) ; 332
0 、1750 、1700゜1650.1445,1
270σ NMR(CI)CI、、δ) : 2.46 (3H、
s 、 N−C0Cす、)2.95 (、3i−I 、
s 、 N−C■3〕FD Mass: 557(M
十) 参考例(0)−6 水酸化カリウム(1,83p)をメタノール(50rn
りに溶解させた溶液に、D、L −(1,4t6 /
2,3)−6−アミノ−4−0−ベンゾイル−3−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−1−0,6−N−カルボ
ニル2−0−テトラヒドロピラニル−1,2,4−シク
ロヘキサントリオール(4,76g)を溶解させその溶
液を窓部で4時間撹拌させた。反応終了後、反応液をI
N−塩酸水でpH=7に調整後減圧下で濃縮し得られた
残渣をクロロホルム(50tn1月こ溶解さぜ、その溶
液を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下で濃
縮させた。得られた残渣をシリカゲルカラム(商標ワコ
ーゲルC−200)(,1501iこ付し、クロロホル
ムとメタノール(20: 1 v/v )の混液で展開
し、目的物質を含む分画を集めて、減圧下で濃縮乾固し
、DIL −(1,4,6/ 2.3 ) −6−アミ
ノ−3−ベンジルオキシカルボニルアミノ−1−o、6
−N−カルボニル−2−o−テトラヒドロピラニル−1
゜2.4−シクロヘキサントリオール(1,821を得
た。
0 、1750 、1700゜1650.1445,1
270σ NMR(CI)CI、、δ) : 2.46 (3H、
s 、 N−C0Cす、)2.95 (、3i−I 、
s 、 N−C■3〕FD Mass: 557(M
十) 参考例(0)−6 水酸化カリウム(1,83p)をメタノール(50rn
りに溶解させた溶液に、D、L −(1,4t6 /
2,3)−6−アミノ−4−0−ベンゾイル−3−ベン
ジルオキシカルボニルアミノ−1−0,6−N−カルボ
ニル2−0−テトラヒドロピラニル−1,2,4−シク
ロヘキサントリオール(4,76g)を溶解させその溶
液を窓部で4時間撹拌させた。反応終了後、反応液をI
N−塩酸水でpH=7に調整後減圧下で濃縮し得られた
残渣をクロロホルム(50tn1月こ溶解さぜ、その溶
液を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下で濃
縮させた。得られた残渣をシリカゲルカラム(商標ワコ
ーゲルC−200)(,1501iこ付し、クロロホル
ムとメタノール(20: 1 v/v )の混液で展開
し、目的物質を含む分画を集めて、減圧下で濃縮乾固し
、DIL −(1,4,6/ 2.3 ) −6−アミ
ノ−3−ベンジルオキシカルボニルアミノ−1−o、6
−N−カルボニル−2−o−テトラヒドロピラニル−1
゜2.4−シクロヘキサントリオール(1,821を得
た。
IR(Nujol):3300,1750,1690,
1510゜1250♂1 NMR(CDCI、、δ) ; 5,10 (2H、s
、 C:H,C:、H,)7.3 Q (5H、s
、 CH2CB見、)参考例じ)−7 D、L −(1,4,6/ 2.3 ) −6−アミノ
−3−ベンジルオキシカルボニルアミノ− −カルボニル−1.2.4−シクロヘキサントリオール
(43”’?)をピリジン(L2i)に溶解させ、無水
酢酸(0.05ml)を加え、その溶液を60°Cに加
温し、2時間撹拌させた。反応終了後反応液を減圧下で
濃縮した。得られた残渣をクロロホルム( 1 0n/
)に溶解させ、その溶液をlN−塩酸水と飽和炭酸水素
す) IJウム水溶液と水で順次洗浄後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、減圧下で濃縮乾固し、D,L − (
1,4.6 / 2.3 ) − 2.4−ジー〇−
丁セチル−6−アミノ−3−ベンジルオキシカルボニル
アミノ−1−0.6−N−カルボニル−1.2.4−シ
クロヘキサントリオール(55■)を固体として得た。
1510゜1250♂1 NMR(CDCI、、δ) ; 5,10 (2H、s
、 C:H,C:、H,)7.3 Q (5H、s
、 CH2CB見、)参考例じ)−7 D、L −(1,4,6/ 2.3 ) −6−アミノ
−3−ベンジルオキシカルボニルアミノ− −カルボニル−1.2.4−シクロヘキサントリオール
(43”’?)をピリジン(L2i)に溶解させ、無水
酢酸(0.05ml)を加え、その溶液を60°Cに加
温し、2時間撹拌させた。反応終了後反応液を減圧下で
濃縮した。得られた残渣をクロロホルム( 1 0n/
)に溶解させ、その溶液をlN−塩酸水と飽和炭酸水素
す) IJウム水溶液と水で順次洗浄後、無水硫酸ナト
リウムで乾燥し、減圧下で濃縮乾固し、D,L − (
1,4.6 / 2.3 ) − 2.4−ジー〇−
丁セチル−6−アミノ−3−ベンジルオキシカルボニル
アミノ−1−0.6−N−カルボニル−1.2.4−シ
クロヘキサントリオール(55■)を固体として得た。
mP; 193 〜195°C
IR(Nujol):3250.1740,1730.
1700。
1700。
1515、1220.1035cm ”NMR(CDC
I,、δ) ;1.96(3H, s 、COCH,
eq)。
I,、δ) ;1.96(3H, s 、COCH,
eq)。
2、11(3H,s,COCH3ox)、5.31(2
H,s。
H,s。
CHzCe )lIl) + 7.3 3 ( 5H*
’ g CHICaHs )EI Mass; 4Q
5(Mモ) 参考例&i−1 D.L − ( 1,2,3 / 4.6 ) − 4
−0−ベンゾイル−3,6ービス(ベンジルオキシカル
ボニルアミノ)−1.2.4−シクロヘキサントリオー
ル(760’9 11. 4 2 mmol )と2,
2−ジメトキシプロハン(1、 0 ml t 8,、
1 3 rnmol )をジメチルスルホキシド(5r
d)に溶解し、p−トルエンスルホン酸1水和物(20
〜+ 0. 1 1 mmol )を加え室温下20時
間撹拌したのち、50°Cに4時間加熱をした。反応混
合物を氷水(50,d)に注ぎ、生じた不溶物をp取、
風乾した。得られた固体をシリカゲルカラム(ワコーゲ
ルC−200)(15y〕にて、クロロホルムついでメ
タノール−クロロホルム(に9 9 v/v)を用いて
溶出分離した。目的物質を含む分画を集め、減圧下に濃
縮すると、D,L−(1、2,3 / 4.6 ) −
4−0−ベンゾイル−3.6ービス(ベンジルオキシ
カルボニルアミノ) − 1.2 −0−インプロピリ
デン−1,2t4−シクロヘキサントリオール(635
’F,77、7%)がシラツブとして得られた。
’ g CHICaHs )EI Mass; 4Q
5(Mモ) 参考例&i−1 D.L − ( 1,2,3 / 4.6 ) − 4
−0−ベンゾイル−3,6ービス(ベンジルオキシカル
ボニルアミノ)−1.2.4−シクロヘキサントリオー
ル(760’9 11. 4 2 mmol )と2,
2−ジメトキシプロハン(1、 0 ml t 8,、
1 3 rnmol )をジメチルスルホキシド(5r
d)に溶解し、p−トルエンスルホン酸1水和物(20
〜+ 0. 1 1 mmol )を加え室温下20時
間撹拌したのち、50°Cに4時間加熱をした。反応混
合物を氷水(50,d)に注ぎ、生じた不溶物をp取、
風乾した。得られた固体をシリカゲルカラム(ワコーゲ
ルC−200)(15y〕にて、クロロホルムついでメ
タノール−クロロホルム(に9 9 v/v)を用いて
溶出分離した。目的物質を含む分画を集め、減圧下に濃
縮すると、D,L−(1、2,3 / 4.6 ) −
4−0−ベンゾイル−3.6ービス(ベンジルオキシ
カルボニルアミノ) − 1.2 −0−インプロピリ
デン−1,2t4−シクロヘキサントリオール(635
’F,77、7%)がシラツブとして得られた。
IR(Nujol);1720−1690CI ”NM
R(CDCI,TM5,δ) ; 1.33 (3Hl
8 tc−OH,)。
R(CDCI,TM5,δ) ; 1.33 (3Hl
8 tc−OH,)。
1−5 3 ( 3HT ’ @ C”HS) + 4
.9 7 ( 2H 、 s + CH2F h)。
.9 7 ( 2H 、 s + CH2F h)。
5、0 9 (2H r s * CHtP h )
+ 7.15 (5 H,’ + C鶴C6!!17、
3 0 ( 5H 、 m 、 CH,C,すs)、7
.2 7.6 、7.9 8. 2 (51−I 、m
、 COCl!H5)参考例(ハ)−2 水酸化カリウム(200mP+ 3.56mmol)を
メタノール(5m!、)に溶かし、D、L −(1,2
,3/4.6)−4−0−ベンゾイル−3,6−ビス(
ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1,2−0−イン
プロピリデン−1、2,4−シクロヘキサントリオ−/
l/ (635mf 、 l、 l l mmol)を
加え、室温下2時間撹拌を続けた。反応混合物を水(5
0rd)に注ぎ、クロロホルム(30rn!、)で3回
抽出し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧上
溶媒を留去後、得られた残液をシリカゲルカラム(ワコ
ーゲルCC−200)(10〕にて、クロロホルムつい
でメタノール−クロロホルム(3:97λ)を用いて溶
出分離した。目的物質を含む分画を隼め、減圧下に濃縮
すると、D、L −(1,2,3/ 4゜6)−3,6
−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ) −1,2
−0−インプロピリデン−1,2,4−シクロヘキサン
トリオール(487’9,93.7%)が粉末として得
られた。
+ 7.15 (5 H,’ + C鶴C6!!17、
3 0 ( 5H 、 m 、 CH,C,すs)、7
.2 7.6 、7.9 8. 2 (51−I 、m
、 COCl!H5)参考例(ハ)−2 水酸化カリウム(200mP+ 3.56mmol)を
メタノール(5m!、)に溶かし、D、L −(1,2
,3/4.6)−4−0−ベンゾイル−3,6−ビス(
ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1,2−0−イン
プロピリデン−1、2,4−シクロヘキサントリオ−/
l/ (635mf 、 l、 l l mmol)を
加え、室温下2時間撹拌を続けた。反応混合物を水(5
0rd)に注ぎ、クロロホルム(30rn!、)で3回
抽出し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧上
溶媒を留去後、得られた残液をシリカゲルカラム(ワコ
ーゲルCC−200)(10〕にて、クロロホルムつい
でメタノール−クロロホルム(3:97λ)を用いて溶
出分離した。目的物質を含む分画を隼め、減圧下に濃縮
すると、D、L −(1,2,3/ 4゜6)−3,6
−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ) −1,2
−0−インプロピリデン−1,2,4−シクロヘキサン
トリオール(487’9,93.7%)が粉末として得
られた。
mP: 101.5〜103°C
IR(Nujol ):3600〜3100.1710
〜1640cm” NMR(CDC1s−TMS、δ) : 1.32 (
3H、a 、 C−CH5)。
〜1640cm” NMR(CDC1s−TMS、δ) : 1.32 (
3H、a 、 C−CH5)。
1.48(3H,m 、C−CH5) 、5.11(2
H,s 、CH2Ph)。
H,s 、CH2Ph)。
5.14 (2H,s 、Cl−1,Ph )、7.3
9 (1Q)(、、s 、C,)l。
9 (1Q)(、、s 、C,)l。
×2〕
El−MS; 471(M++1)
参考例(ハ)−3
D、L −(1,2,3/ 4.6 ) −3,6−ビ
ス(ベンジルオキシカルボニルアミノ) −1,2−0
−インプロピリデン−1,2,4−シクロヘキサントリ
オール(487’W 、 1.04mmol)ヲジメチ
ルホルムアミド(7rnlンに溶解させ、水素化ナトリ
ウム(250岬、油に60チ懸濁+ 6.25 mmo
l )を窒素気流下0°Cにて撹拌しながら加えた。1
5分後、反応温度を室温にし、さらに4時間撹拌を続け
た。水冷下、氷酢酸(1−)を加えたのち、反応混合物
を水(20,d)に注ぎ、クロロホルム(20rnりで
2回抽出した。クロロホルム層を集め、水(20−〕で
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥したのち、減圧下に濃
縮した。得られた残液をシリカゲルカフ ム(ワml−
ゲルC−C−2oo)(15にて、メタノール−クロロ
ホルム(2:98v/v)を用いて溶出分離した。目的
物質を含む分画を集め、減圧下に濃ei1乾固すると、
I)、L −(1,213/ 4.Qン−3−アミノ−
6−ベンジルオキシカルボニルTミ/ 3 N+4 0
−力にホニル1+2 ’0ーインプロピリデンー1.2
.4−シクロヘキサントリオール(328q,87.5
%〕が固体として得られた。
ス(ベンジルオキシカルボニルアミノ) −1,2−0
−インプロピリデン−1,2,4−シクロヘキサントリ
オール(487’W 、 1.04mmol)ヲジメチ
ルホルムアミド(7rnlンに溶解させ、水素化ナトリ
ウム(250岬、油に60チ懸濁+ 6.25 mmo
l )を窒素気流下0°Cにて撹拌しながら加えた。1
5分後、反応温度を室温にし、さらに4時間撹拌を続け
た。水冷下、氷酢酸(1−)を加えたのち、反応混合物
を水(20,d)に注ぎ、クロロホルム(20rnりで
2回抽出した。クロロホルム層を集め、水(20−〕で
洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥したのち、減圧下に濃
縮した。得られた残液をシリカゲルカフ ム(ワml−
ゲルC−C−2oo)(15にて、メタノール−クロロ
ホルム(2:98v/v)を用いて溶出分離した。目的
物質を含む分画を集め、減圧下に濃ei1乾固すると、
I)、L −(1,213/ 4.Qン−3−アミノ−
6−ベンジルオキシカルボニルTミ/ 3 N+4 0
−力にホニル1+2 ’0ーインプロピリデンー1.2
.4−シクロヘキサントリオール(328q,87.5
%〕が固体として得られた。
mP; 86−87°C
IR(Nujol);1780−1680ca ”叉
NMR ( CD C Is Th4slδ) ; 1
.3 3 ( 3H 、 s 、 C −CH3) 。
.3 3 ( 3H 、 s 、 C −CH3) 。
1、5 2 ( 3H+ S+ C CHJ * 5.
08 (28 * ’ r CI(2Ph)+7、30
(5H,s 、C,H,) 参考例(ハ)−4 D,L − ( 1.2.3 / 4.6 ) −3−
アミノ−6−ベンジルオキシカルボニルアミノ−3 −
N 、 4 −0−カルボニル−1.2−0−インプロ
ピリデン−1。
08 (28 * ’ r CI(2Ph)+7、30
(5H,s 、C,H,) 参考例(ハ)−4 D,L − ( 1.2.3 / 4.6 ) −3−
アミノ−6−ベンジルオキシカルボニルアミノ−3 −
N 、 4 −0−カルボニル−1.2−0−インプロ
ピリデン−1。
2、4−シクロヘキサントリオール(47πf,0.1
3mmol )を乾燥ジメチルホルムアミド(2m!.
月こ溶解し、水冷下ヨウ化メチル( 2 ml 、 3
2, 1mmol)、酸化バリウム(200”f,1
.31mmol) と水酸化バリウム・1水和物(23
0’l’f.1.22mmol )を加え、光をしゃ断
しながら0〜5°Cにて3時間撹拌を続けた。クロロホ
ルム(20,nl)を加え、不溶物を戸別し、p液をI
N塩酸(20−)ついで水(20d)で洗浄した。クロ
ロホルム層を硫酸マグネシウムで乾燥したのち、溶媒を
減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲル(ワコーゲ
ルC−200)(1og)にて、9 o o ホルムつ
いでメタノール−クロロホルム(2 : 98v/v
)を用いて溶出分離した。まず、D,L−(1。
3mmol )を乾燥ジメチルホルムアミド(2m!.
月こ溶解し、水冷下ヨウ化メチル( 2 ml 、 3
2, 1mmol)、酸化バリウム(200”f,1
.31mmol) と水酸化バリウム・1水和物(23
0’l’f.1.22mmol )を加え、光をしゃ断
しながら0〜5°Cにて3時間撹拌を続けた。クロロホ
ルム(20,nl)を加え、不溶物を戸別し、p液をI
N塩酸(20−)ついで水(20d)で洗浄した。クロ
ロホルム層を硫酸マグネシウムで乾燥したのち、溶媒を
減圧下留去した。得られた残渣をシリカゲル(ワコーゲ
ルC−200)(1og)にて、9 o o ホルムつ
いでメタノール−クロロホルム(2 : 98v/v
)を用いて溶出分離した。まず、D,L−(1。
2、3/4.6 ) −6−N−ベンジルオキシカルボ
ニル−3−N+4 0−カルボニル−1.2−0−イン
プロピリデン−3,6ービス(メチルアミノ〕−1、2
.4−シクロヘキサントリオールが溶出され、減圧上濃
縮すると、結晶<xlvq.26%)として得られた。
ニル−3−N+4 0−カルボニル−1.2−0−イン
プロピリデン−3,6ービス(メチルアミノ〕−1、2
.4−シクロヘキサントリオールが溶出され、減圧上濃
縮すると、結晶<xlvq.26%)として得られた。
rnp; 122.5〜124°C
IR(Nujol ):1760.1690〜1610
CII+NMR(CI)C; I、−”rMs 、δ)
:1.38(3H,gνC−CH8)+ 1.52(3
1(I S Ic−CII、) 、2.70(3i1.
s lN−Cl−13) 、3.tJO(3H,8,
NCH,) 、5.14(2H,8。
CII+NMR(CI)C; I、−”rMs 、δ)
:1.38(3H,gνC−CH8)+ 1.52(3
1(I S Ic−CII、) 、2.70(3i1.
s lN−Cl−13) 、3.tJO(3H,8,
NCH,) 、5.14(2H,8。
C)I2Ph ) 、 7.33 (5H、s 、 C
,I′Ll)El−MS ; 390(M+)、375
(M+−CI(、)、299゜241.167 つぎに、DIL−(1,2,374,6)−6−ベンジ
ルオキジカルボニルアミノ−3−rq、4−o−カルボ
ニル−1,2−0−インプロピリデン−3−メチルアミ
ノ−1,2,4−シクロヘキサントリオールが1容出さ
れ、減圧上濃縮すると、固体(a emv 。
,I′Ll)El−MS ; 390(M+)、375
(M+−CI(、)、299゜241.167 つぎに、DIL−(1,2,374,6)−6−ベンジ
ルオキジカルボニルアミノ−3−rq、4−o−カルボ
ニル−1,2−0−インプロピリデン−3−メチルアミ
ノ−1,2,4−シクロヘキサントリオールが1容出さ
れ、減圧上濃縮すると、固体(a emv 。
73.5チ)として得られた。
mp; 146〜147°C
1R(Nujol):1750.1720aiNMR(
、CI)C:13−T!lIS 、δ):1.38(3
H,s、C−CH。
、CI)C:13−T!lIS 、δ):1.38(3
H,s、C−CH。
) 、 2.87 (311,s 、N−OH,) 、
5.12(2I(、s 。
5.12(2I(、s 。
CIちPh) 17.36(5H,s、C,H,)El
−MS: 376(M+) 361(M±−cIt、)
、2B5゜253.225 参考例(ハ)−5 D、L −(1,2,3/ 4.6 ) −6−ベンジ
ルオキジカルボニルアミノ−3−N、4−0−カルボニ
ル−1,2−0−インプロピリデン−3−メチルアミノ
−i、2.4−シクロヘキサントリオール(2,061
)をジオキサン(80mJ)と0. I N−水酸化バ
リウム水溶液(80d)の混液に溶解させ、その混合物
を60°Cに加温し、3時間撹拌させた。反応終了後、
反応液に、炭酸ガスを吹込み、反応液を中性にし、不溶
物をp別した。P液を減圧下で濃縮し、得られた残液か
らクロロホルム(100mJ)で抽出し、抽出液を減圧
下で濃縮してり、L −(1,2,3/4.6 > −
6−ベンジルオキシカルボニルアミノ− チルアミノ−1.2.4−シクロヘキサントリオール(
1.77g)を得た。
−MS: 376(M+) 361(M±−cIt、)
、2B5゜253.225 参考例(ハ)−5 D、L −(1,2,3/ 4.6 ) −6−ベンジ
ルオキジカルボニルアミノ−3−N、4−0−カルボニ
ル−1,2−0−インプロピリデン−3−メチルアミノ
−i、2.4−シクロヘキサントリオール(2,061
)をジオキサン(80mJ)と0. I N−水酸化バ
リウム水溶液(80d)の混液に溶解させ、その混合物
を60°Cに加温し、3時間撹拌させた。反応終了後、
反応液に、炭酸ガスを吹込み、反応液を中性にし、不溶
物をp別した。P液を減圧下で濃縮し、得られた残液か
らクロロホルム(100mJ)で抽出し、抽出液を減圧
下で濃縮してり、L −(1,2,3/4.6 > −
6−ベンジルオキシカルボニルアミノ− チルアミノ−1.2.4−シクロヘキサントリオール(
1.77g)を得た。
IR(Nujol)3600−3100,1700,1
520。
520。
1340、128011240.1220.1140。
1040cm”
NMR(CDC13,δ):1.35+1.53(6H
1each 8。
1each 8。
C巧−C ) 、2.5 5 ( 3B 、s 、N−
CH,)EI Mass; 351(λ(士十1)参考
例(ハ)−6 1)、L − ( 1,2.3 / 4.6 ) −
6−ベンジルオキジカルボニルアミノ−1.2−0−イ
ンプロピリデン−3−メチルアミノ−1.、2.4−シ
クロヘキサントリオール(1.75g)をアセトン(
3 0n/)とIN水酸化ナトリウム(15nI)の混
液に溶解させ、水浴中で冷却し、ベンジルオキシカルボ
ニルクロライド(1.7r+1.)を滴下し、その混合
物を室温で1、5時間Jー,It拌1,た。反応終了後
反応液を減圧下で濃縮し、得られた残渣をクロロホルム
(50mZ)に溶解させ、その溶液を飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下で濃縮した。
CH,)EI Mass; 351(λ(士十1)参考
例(ハ)−6 1)、L − ( 1,2.3 / 4.6 ) −
6−ベンジルオキジカルボニルアミノ−1.2−0−イ
ンプロピリデン−3−メチルアミノ−1.、2.4−シ
クロヘキサントリオール(1.75g)をアセトン(
3 0n/)とIN水酸化ナトリウム(15nI)の混
液に溶解させ、水浴中で冷却し、ベンジルオキシカルボ
ニルクロライド(1.7r+1.)を滴下し、その混合
物を室温で1、5時間Jー,It拌1,た。反応終了後
反応液を減圧下で濃縮し、得られた残渣をクロロホルム
(50mZ)に溶解させ、その溶液を飽和食塩水で洗浄
し、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下で濃縮した。
得られた残渣をシリカゲルカラム(ワコーゲルC−20
0)(5CNl)に付し、クロロホルムとアセトン(
9 : 1 v,/v )の混液で展開し、目的物質を
含む分画を集めて減圧下で濃縮し、D,L − (1、
2,3/4,6 )−3.6ービス(ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ)−1.2−0−インプロピリデン−3
−N−メチル−1.2.4−シクロヘキサントリオール
(1.30iを得た。
0)(5CNl)に付し、クロロホルムとアセトン(
9 : 1 v,/v )の混液で展開し、目的物質を
含む分画を集めて減圧下で濃縮し、D,L − (1、
2,3/4,6 )−3.6ービス(ベンジルオキシカ
ルボニルアミノ)−1.2−0−インプロピリデン−3
−N−メチル−1.2.4−シクロヘキサントリオール
(1.30iを得た。
IR(Nujol):3700〜3100,1670,
1530。
1530。
1310、1280,1220.1130cm ”NM
R(CDCI,、δ):1.30+1.53(6H,e
ach,s。
R(CDCI,、δ):1.30+1.53(6H,e
ach,s。
C)!a CL3.05(3H,s,N−CH,)EI
Mass : 485(M+) 参考例(ハ)−7 D.L −( 1,2.3 / 416 ) − 3.
6ービス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1.2
−0−インプロピリデン−3−N−メチル−1.2.4
−シクロヘキサントリオール(1.071を塩化メチレ
ン(11d)に溶解させ、室温で撹拌しながら、フッ化
ホウ素エーテルコンプレックス(04,7)を加え、さ
らにジアゾメタン( 5 0 0Tnりを少しずつ滴下
した。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、得られた
残渣をクロロホルム(50m/)に溶解させた。その溶
液を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後減圧下で
濃縮乾固してり,L − ( 1.2.3/4,6 )
−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)
−1,2−0−インプロピリデン−4−〇−メチルー3
−N−メチルー1.2.4−シクロヘキサントリオール
<424m’i)を結晶として得られた。
Mass : 485(M+) 参考例(ハ)−7 D.L −( 1,2.3 / 416 ) − 3.
6ービス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)−1.2
−0−インプロピリデン−3−N−メチル−1.2.4
−シクロヘキサントリオール(1.071を塩化メチレ
ン(11d)に溶解させ、室温で撹拌しながら、フッ化
ホウ素エーテルコンプレックス(04,7)を加え、さ
らにジアゾメタン( 5 0 0Tnりを少しずつ滴下
した。反応終了後、反応液を減圧下で濃縮し、得られた
残渣をクロロホルム(50m/)に溶解させた。その溶
液を水洗し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後減圧下で
濃縮乾固してり,L − ( 1.2.3/4,6 )
−3,6−ビス(ベンジルオキシカルボニルアミノ)
−1,2−0−インプロピリデン−4−〇−メチルー3
−N−メチルー1.2.4−シクロヘキサントリオール
<424m’i)を結晶として得られた。
mP: 134−135°C
JR<Nujox);3700〜aooo、1710,
1680゜1525.1320,1300.1270+
124L1220.1140,1090.1040cm
NMR(104O,、δ) :1,3041.53(6
H+ each、s。
1680゜1525.1320,1300.1270+
124L1220.1140,1090.1040cm
NMR(104O,、δ) :1,3041.53(6
H+ each、s。
C)!8 G)、3.00 (3H,s 、N−CH,
)3.33 (3H、s 、 O−C見、)FD Ma
ss; 499(M+) 参考例(ハ)−8 I)lL−(1,2,3/4,6)−3,6−ビス(ベ
ンジルオキシカルボニルアミノ)−1,2−0−インプ
ロピリデン−4−0−メチル−3−N−メチル−1,2
,4−シクロヘキサントリオール(400キ]を酢酸(
6,4m1)と水(1,6rnl)の混液に溶解さぜ、
s o’cに加熱し2.5時間撹拌させた。反応終了後
、反応液を減圧下に濃縮し、トルエンと水で共沸させ酢
酸を除き、減圧乾固させ、D、L −C,1゜2.3
/ 4.6 ) −3,6−ビス(ベンジルオキシカル
ボニルアミノ)−4−0−メチル−3−N−メチル−1
,2,4−シクロヘキサン計りオール(311■)を得
た。
)3.33 (3H、s 、 O−C見、)FD Ma
ss; 499(M+) 参考例(ハ)−8 I)lL−(1,2,3/4,6)−3,6−ビス(ベ
ンジルオキシカルボニルアミノ)−1,2−0−インプ
ロピリデン−4−0−メチル−3−N−メチル−1,2
,4−シクロヘキサントリオール(400キ]を酢酸(
6,4m1)と水(1,6rnl)の混液に溶解さぜ、
s o’cに加熱し2.5時間撹拌させた。反応終了後
、反応液を減圧下に濃縮し、トルエンと水で共沸させ酢
酸を除き、減圧乾固させ、D、L −C,1゜2.3
/ 4.6 ) −3,6−ビス(ベンジルオキシカル
ボニルアミノ)−4−0−メチル−3−N−メチル−1
,2,4−シクロヘキサン計りオール(311■)を得
た。
IRcNujol):5aoo 〜aioo、1720
,1670゜1530.1340,1290,1265
,1235゜1180+1140+1100+1020
cm ”NMR((:D(:I3.δ):3.03(3
H,II N−C巧]3.28 (3H、s 、 D−
CH8)EI Mass: 453(M+) 参考例(ハ)−9 D、L −(1,213/ 4.6 ) −6−ベンジ
ルオキジカルボニルアミノ−3−N、4−0−カルボニ
ル−1,2−0−インプロピリデン−3−メチルアミノ
−1,2,4−シクロヘキサントリオール(4,38y
)を酢酸と水(4,1v/v )の混液(130m/)
に溶解させ806Cに加熱し、5時間撹拌させた。
,1670゜1530.1340,1290,1265
,1235゜1180+1140+1100+1020
cm ”NMR((:D(:I3.δ):3.03(3
H,II N−C巧]3.28 (3H、s 、 D−
CH8)EI Mass: 453(M+) 参考例(ハ)−9 D、L −(1,213/ 4.6 ) −6−ベンジ
ルオキジカルボニルアミノ−3−N、4−0−カルボニ
ル−1,2−0−インプロピリデン−3−メチルアミノ
−1,2,4−シクロヘキサントリオール(4,38y
)を酢酸と水(4,1v/v )の混液(130m/)
に溶解させ806Cに加熱し、5時間撹拌させた。
反応終了後、反応液を減圧下に濃縮し、トルエンと水を
加えて共沸した後減圧下に濃縮乾固し、D。
加えて共沸した後減圧下に濃縮乾固し、D。
L−(1,2,3/4,6 )−6−ベンジルオキジカ
ルボニルアミノ−3−N、4−0−カルボニル−3−メ
チルアミノ−1,2,4−シクロヘキサントリオール(
3,32Fi)を固体として得た。
ルボニルアミノ−3−N、4−0−カルボニル−3−メ
チルアミノ−1,2,4−シクロヘキサントリオール(
3,32Fi)を固体として得た。
mP; 197〜198°C
IR(Nujol):3340,1745,1680,
1520゜1285.1255,1220.11100
8 ”NMR(DMSO−へ、δ);2.65(3H1
’*N−Cへ)EI Mass; 335(M±) 参考例(’−3−i。
1520゜1285.1255,1220.11100
8 ”NMR(DMSO−へ、δ);2.65(3H1
’*N−Cへ)EI Mass; 335(M±) 参考例(’−3−i。
D、L −(1,2,3/ 4.6 ) −6−ベンジ
ルオキジカルボニルアミノ−3−N、4−0−カルボニ
ル−3−メチルアミノ−1,2,4−シクロヘキサント
リオール(150”V)とP−)ルエンスルホン酸CB
、5’Q)をジメチルホルムアミド(1,5i)に溶解
させ、オルン酢酸トリメチルエステル(0,17rn/
)を加えた後、その混合溶液を室温で1時間撹拌させた
。反応終了後、反応液をトリエチルアミンで中和し、減
圧下に濃縮した。得られた残渣を酢酸と水(4: 1
v/v )の混液(3m!、)に溶解させその溶液を室
温で20分間撹拌させた。反応終了後、反応液を減圧下
で濃縮し、得られた残渣をクロロホルム(10,d)に
溶解させた。その溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
と水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧
下で濃縮乾固し、D、L −(1,2,3/4.6 )
−2−0−アセチル−6−ベンジルオキジカルボニルア
ミノ−3−N、4−0−カルボニル−3−メチルアミノ
−1,2,4−シクロヘキサントリオール(1481r
9)を結晶として得た。
ルオキジカルボニルアミノ−3−N、4−0−カルボニ
ル−3−メチルアミノ−1,2,4−シクロヘキサント
リオール(150”V)とP−)ルエンスルホン酸CB
、5’Q)をジメチルホルムアミド(1,5i)に溶解
させ、オルン酢酸トリメチルエステル(0,17rn/
)を加えた後、その混合溶液を室温で1時間撹拌させた
。反応終了後、反応液をトリエチルアミンで中和し、減
圧下に濃縮した。得られた残渣を酢酸と水(4: 1
v/v )の混液(3m!、)に溶解させその溶液を室
温で20分間撹拌させた。反応終了後、反応液を減圧下
で濃縮し、得られた残渣をクロロホルム(10,d)に
溶解させた。その溶液を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液
と水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、減圧
下で濃縮乾固し、D、L −(1,2,3/4.6 )
−2−0−アセチル−6−ベンジルオキジカルボニルア
ミノ−3−N、4−0−カルボニル−3−メチルアミノ
−1,2,4−シクロヘキサントリオール(1481r
9)を結晶として得た。
mp; 160〜161°C
IRcNujol);3350,1?75,1740.
1680゜1520.1350.1B30,1285,
1240゜1220.1165.1100011 NMRl100011N、δ);2.16(3H,s
CH8Co)2.60(3B、@、N−Cす、) EI Mass ; 378(M”) 参考例e→−11 D、L −(1,2,3/ 4.6 ) −6−ペンジ
ルオキシカルボニルアミノ−3−N、4−0−カルボニ
ル−3−メチルアミノ−1,2,4−シクロヘキサント
リオール(100F−j)をピリジン(3m1.)に溶
解させ、無水酢酸(−0,038i)を加えた後、水冷
下で3時間撹拌した。反応終了後、反応液に水(Q、0
1rn1.、)を加え、その混合物を減圧下に濃縮した
。得られた残渣をクロロホルム(10d)に溶解し、そ
の溶液を飽和炭酸水素ナトリウムと水で洗浄し、無水硫
酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下で濃縮乾固してDI
L−(1121374,6) −1−〇−アセチルー6
−ペンジルオキジカルポニルアミ/−3−N、4−0−
カルボニル−3−メチルアミノ−1,2,4−シクロヘ
キサントリオール(158”・7)の結晶を得た。
1680゜1520.1350.1B30,1285,
1240゜1220.1165.1100011 NMRl100011N、δ);2.16(3H,s
CH8Co)2.60(3B、@、N−Cす、) EI Mass ; 378(M”) 参考例e→−11 D、L −(1,2,3/ 4.6 ) −6−ペンジ
ルオキシカルボニルアミノ−3−N、4−0−カルボニ
ル−3−メチルアミノ−1,2,4−シクロヘキサント
リオール(100F−j)をピリジン(3m1.)に溶
解させ、無水酢酸(−0,038i)を加えた後、水冷
下で3時間撹拌した。反応終了後、反応液に水(Q、0
1rn1.、)を加え、その混合物を減圧下に濃縮した
。得られた残渣をクロロホルム(10d)に溶解し、そ
の溶液を飽和炭酸水素ナトリウムと水で洗浄し、無水硫
酸ナトリウムで乾燥した後、減圧下で濃縮乾固してDI
L−(1121374,6) −1−〇−アセチルー6
−ペンジルオキジカルポニルアミ/−3−N、4−0−
カルボニル−3−メチルアミノ−1,2,4−シクロヘ
キサントリオール(158”・7)の結晶を得た。
mP; 222〜223°C
”R(Nujol):a360*3280.1750.
1720゜1680.1540.1420.1300,
1260゜1230♂1 NMR(DMSO−d6.δ);1.90(3H,s、
0H8GO)2.65 (3H、s 、 N CHj〕
EI Mass ; 37B (M+)参考例(ハ)−
12 D、L −(1,2,3/4.6 )−6−ベンジルオ
キ7カルポニルアミノー1.2−0−インプロピリデン
−3−メチルアミノ−1,2,4−シクロヘキサントリ
オール(3,531iF)をジオキサン(52,5mA
)と水(17,5rnl)の混液に溶解し、2−t−ブ
トキシカルボニルイミノ−2−フェニルアセトニトリル
(3f)を加えた。その混合溶液を室温で3時間撹拌さ
せ、さらにトリエチルアミン(0,5mJ)を加えた後
、4.5時間撹拌させた。そして、その反応液を506
Cに加温してさらに1時間反応させた。反応終了後、反
応液を減圧下で濃縮し、得られた残渣をクロロホルム(
200rnt)に溶解させ、その溶液を水洗し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下で濃縮した。得られ
た残液をシリカゲルカラム(ワコーゲルc−200)(
150if)に付し、クロロホルムとアセトン(5:l
v/v )の混液で展開し、目的物質を含む分画を集
め、減圧下で濃縮乾固して、υ、L −(1,2,3/
4.6)−6−ベンジルオキジカルボニルアミノ−3−
ブトキシカルボニル−1,2−0−インプロピリデン−
3−メチルアミノ−1,2,4−シクロヘキサントリオ
ール(3,40g)を結晶として得た。
1720゜1680.1540.1420.1300,
1260゜1230♂1 NMR(DMSO−d6.δ);1.90(3H,s、
0H8GO)2.65 (3H、s 、 N CHj〕
EI Mass ; 37B (M+)参考例(ハ)−
12 D、L −(1,2,3/4.6 )−6−ベンジルオ
キ7カルポニルアミノー1.2−0−インプロピリデン
−3−メチルアミノ−1,2,4−シクロヘキサントリ
オール(3,531iF)をジオキサン(52,5mA
)と水(17,5rnl)の混液に溶解し、2−t−ブ
トキシカルボニルイミノ−2−フェニルアセトニトリル
(3f)を加えた。その混合溶液を室温で3時間撹拌さ
せ、さらにトリエチルアミン(0,5mJ)を加えた後
、4.5時間撹拌させた。そして、その反応液を506
Cに加温してさらに1時間反応させた。反応終了後、反
応液を減圧下で濃縮し、得られた残渣をクロロホルム(
200rnt)に溶解させ、その溶液を水洗し、無水硫
酸マグネシウムで乾燥させ、減圧下で濃縮した。得られ
た残液をシリカゲルカラム(ワコーゲルc−200)(
150if)に付し、クロロホルムとアセトン(5:l
v/v )の混液で展開し、目的物質を含む分画を集
め、減圧下で濃縮乾固して、υ、L −(1,2,3/
4.6)−6−ベンジルオキジカルボニルアミノ−3−
ブトキシカルボニル−1,2−0−インプロピリデン−
3−メチルアミノ−1,2,4−シクロヘキサントリオ
ール(3,40g)を結晶として得た。
mP; 111〜112°C
IR(Nujol);3300,1685,1650,
1545゜1380.1340.1310,1240.
1220゜1170.1140.1050cm ”NM
R(DMSO−a6.δ):1.21(12H,eac
h s。
1545゜1380.1340.1310,1240.
1220゜1170.1140.1050cm ”NM
R(DMSO−a6.δ):1.21(12H,eac
h s。
Cすs ’ ) + 1.19 (3H,’ t C)
!II Cン、2.81(3H。
!II Cン、2.81(3H。
s、N−CR2)
FD Mass ; 451(M+)
参考例に)−1
メチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ−2−デオ
キシ−α−D−グルコピラノシド(327■)を無水ピ
リジン(5−)に溶解させ氷冷下無水酢酸C460m’
りを加え、室温にて一夜撹拌した。反応混合物を氷水(
201nl)にあけ、酢酸エチルで抽出した。抽出液を
希塩酸で3度、水で1度洗浄後、硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧上濃縮した。残渣をベンゼン−エーテルより
再結晶してメチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ
−2−デオキシ−3,4,5−トリー〇−アセチルーα
−D−グルコピラノシド(405M’)を得た。
キシ−α−D−グルコピラノシド(327■)を無水ピ
リジン(5−)に溶解させ氷冷下無水酢酸C460m’
りを加え、室温にて一夜撹拌した。反応混合物を氷水(
201nl)にあけ、酢酸エチルで抽出した。抽出液を
希塩酸で3度、水で1度洗浄後、硫酸マグネシウムで乾
燥し、減圧上濃縮した。残渣をベンゼン−エーテルより
再結晶してメチル2−ベンジルオキシカルボニルアミノ
−2−デオキシ−3,4,5−トリー〇−アセチルーα
−D−グルコピラノシド(405M’)を得た。
mp: 104.5−105.56C
〔α〕j”; +97.2° (C:=1.0 CI(
CI、〕IR(Nujol);3350,1730.1
230(J ’”R(CDC’s* δ) ; 1,8
8 (3H+ ’ ) 、1.98 (3H18)、2
.08(3H,8)、3.38(3H,A)、3.80
〜4.23(4H,m)、4.72(IH,d、J=3
iiZ)14.90〜5.23 C5H,m) 、 1
.2’! (5II、 11 )EI Mass 45
3(M+)1421(M+−32)参考例(ホ)−1 製造例(15)の方法とほぼ同様にして合成した。
CI、〕IR(Nujol);3350,1730.1
230(J ’”R(CDC’s* δ) ; 1,8
8 (3H+ ’ ) 、1.98 (3H18)、2
.08(3H,8)、3.38(3H,A)、3.80
〜4.23(4H,m)、4.72(IH,d、J=3
iiZ)14.90〜5.23 C5H,m) 、 1
.2’! (5II、 11 )EI Mass 45
3(M+)1421(M+−32)参考例(ホ)−1 製造例(15)の方法とほぼ同様にして合成した。
メチル−6−アジド−2−フタルイミド−2,3゜4、
6.7−ベンタゾオキシーα−D−リボ−ヘプトピラノ
シド(180mg) mP; 119−121°C 〔“)D、142°(C=1.OOCHCl、)IR(
NuJ’l);2080+1760.17’00an
’NMR(CDCl2.δ):1.30(3H,d、J
=6H2)11.57〜2.20 (3H,m) 、
3.07〜3.97 (3Jm) 。
6.7−ベンタゾオキシーα−D−リボ−ヘプトピラノ
シド(180mg) mP; 119−121°C 〔“)D、142°(C=1.OOCHCl、)IR(
NuJ’l);2080+1760.17’00an
’NMR(CDCl2.δ):1.30(3H,d、J
=6H2)11.57〜2.20 (3H,m) 、
3.07〜3.97 (3Jm) 。
3.30(3H,8)、4.33(IH,d、t 、J
=3.13Hz)4.73(IH,dlJ=3H2)、
7.50〜7.87(4H,m)EI Mass; 3
30(”) 参考例(カー2 メチル 6−アジド−2−フタルイミド−2,3゜4.
6.7−ベンタゾオキシーα−D−リボーヘフトピラノ
シド(180m2)を酢酸エチル(20d)に溶解させ
、パラジウム黒(90〜)存在下室温で6時間常圧接触
還元を行った。融媒をろ別し、ろ液を減圧上濃縮した。
=3.13Hz)4.73(IH,dlJ=3H2)、
7.50〜7.87(4H,m)EI Mass; 3
30(”) 参考例(カー2 メチル 6−アジド−2−フタルイミド−2,3゜4.
6.7−ベンタゾオキシーα−D−リボーヘフトピラノ
シド(180m2)を酢酸エチル(20d)に溶解させ
、パラジウム黒(90〜)存在下室温で6時間常圧接触
還元を行った。融媒をろ別し、ろ液を減圧上濃縮した。
残渣をエタノール(10d)に溶解させ、抱水ヒドラジ
ン(30”’?)を加え2時間加熱還流した。冷却後、
析出物をろ別し、ろ液を減圧上濃縮した。残液をテトラ
ヒドロフラン(5,5,、+7)とIN水酸化ナトリウ
ム水溶液(2,73m1)とにとかし、水冷下ベンジル
オキシカルボニルクロライド<372m’i)を加えた
。反応混合物を室温下2時間撹拌後酢酸エチルで2度抽
出した。抽出液を希塩酸、飽和食塩水、希水酸化ナトリ
ウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄イ交、硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、減圧上濃縮した。残渣をシリカゲルカラ
ム(溶出液;クロロホルム−メタノール200:1(容
積比))で精製してメチル 2,6−ビス−ベンジルオ
キシカルボニルアミノ−2,3,4,6,7−ベンタゾ
オキシーα−D−リボ−ヘプトピラノシド(128”f
)を得た。
ン(30”’?)を加え2時間加熱還流した。冷却後、
析出物をろ別し、ろ液を減圧上濃縮した。残液をテトラ
ヒドロフラン(5,5,、+7)とIN水酸化ナトリウ
ム水溶液(2,73m1)とにとかし、水冷下ベンジル
オキシカルボニルクロライド<372m’i)を加えた
。反応混合物を室温下2時間撹拌後酢酸エチルで2度抽
出した。抽出液を希塩酸、飽和食塩水、希水酸化ナトリ
ウム水溶液、飽和食塩水で順次洗浄イ交、硫酸マグネシ
ウムで乾燥し、減圧上濃縮した。残渣をシリカゲルカラ
ム(溶出液;クロロホルム−メタノール200:1(容
積比))で精製してメチル 2,6−ビス−ベンジルオ
キシカルボニルアミノ−2,3,4,6,7−ベンタゾ
オキシーα−D−リボ−ヘプトピラノシド(128”f
)を得た。
mp:iosoC(エーテル−n−ヘキサ7)〔α〕y
+66.0° (C=3.0 、 CHCl、)IR
(Nujol):3330,1680.1520cm
”NMR(CDC:1.、δ) 1.13 ca)I、
d 、 J =5.5Hz ) 。
+66.0° (C=3.0 、 CHCl、)IR
(Nujol):3330,1680.1520cm
”NMR(CDC:1.、δ) 1.13 ca)I、
d 、 J =5.5Hz ) 。
1.40〜2.00 (4H,m) 、 3.27 (
3H、s ) 。
3H、s ) 。
3.43〜4.00(3H,m)、4.60(IH,d
、J=3H2)4.87〜5.07 (2H,m) 、
5.10(4H,8) 、7.33(IOH,g) FD Mass : 443(M+) 出願人 藤沢薬品工業株式会社
、J=3H2)4.87〜5.07 (2H,m) 、
5.10(4H,8) 、7.33(IOH,g) FD Mass : 443(M+) 出願人 藤沢薬品工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 (式中、R、R、Rはアミノ基または保護されたアミ7
基、R,Rはヒドロキシ基または保護されたヒドロキシ
基、技 はアミノ保護基をそれぞれ意味する) で示される保護された5−デー0−メチルスポラリシン
Bまたはその塩類を保護基の脱離反応に付して、式 %式% で示される5−デー0/チルスポラリシンBまたはその
塩類を得ることを特徴とする5−デー0/チルスポラリ
シンBまたはその塩類の製造法。 (2)一般式 〔式中−k・Kはアミノ基または保護されたアミノ基、
xはハ□ロゲンーヒドロキシ基、アシルオキシ基または
アルコキシ基をそれぞれ意味する〕で示されるヘプトピ
ラノース誘導体またはその塩と、一般式 (式中技はアミノ基または保護されたアミノ基に、k
はヒドロキシ基または保護されたヒドロキシ基、k は
アミノ保護基をそれぞれ意味する)で示されるシクロへ
牛すン誘尋体またはその塩類を縮合させて一般式 C式中R、R、R、It 、 R、Rはそれぞれ前と同
じ意味) で示される保護された5−デー0−メチルスポラリシン
B′il:たはその塩類を得−さらにこれを保護基の脱
離反応に付して、式 で示される5−デー0−メチルスポラリシンBまたはそ
の塩類を得ることを特徴とする5−デーローメチルスポ
ラリシンBf:たはその塩類の製造法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58117913A JPS608299A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 5−デ−o−メチルスポラリシンbまたはその塩類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58117913A JPS608299A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 5−デ−o−メチルスポラリシンbまたはその塩類の製造法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS608299A true JPS608299A (ja) | 1985-01-17 |
Family
ID=14723271
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58117913A Pending JPS608299A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 5−デ−o−メチルスポラリシンbまたはその塩類の製造法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS608299A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017078097A1 (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | Meiji Seikaファルマ株式会社 | アミノグリコシド系抗生物質の製造方法 |
WO2017078098A1 (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | Meiji Seikaファルマ株式会社 | アミノグリコシド系抗生物質の製造方法 |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP58117913A patent/JPS608299A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017078097A1 (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | Meiji Seikaファルマ株式会社 | アミノグリコシド系抗生物質の製造方法 |
WO2017078098A1 (ja) * | 2015-11-02 | 2017-05-11 | Meiji Seikaファルマ株式会社 | アミノグリコシド系抗生物質の製造方法 |
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