JPS6080287A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
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- JPS6080287A JPS6080287A JP18687383A JP18687383A JPS6080287A JP S6080287 A JPS6080287 A JP S6080287A JP 18687383 A JP18687383 A JP 18687383A JP 18687383 A JP18687383 A JP 18687383A JP S6080287 A JPS6080287 A JP S6080287A
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- Japan
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- layer
- semiconductor
- semiconductor layer
- multilayer
- laser device
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
- H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
- H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
- H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/2054—Methods of obtaining the confinement
- H01S5/2059—Methods of obtaining the confinement by means of particular conductivity zones, e.g. obtained by particle bombardment or diffusion
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜結晶成長に依存して形成する半導体レーザ
装置に関するものである。
装置に関するものである。
従来の横モード制御された半導体レーザの特性は薄膜結
晶成長におけるばらつきとともに、ウェハ処理プロセス
（リングラフィ、エツチング、拡散、イオン注入等）の
ばらつきによって大きく変動していた。第１図は利得導
波形半導体レーザ装置の一例を示す断面図で、プロトン
注入を用いた狭ストライプ構造である。また第２図は屈
折率導波形半導体レーザ装置の例としてリブ光導波路形
構造の断面図を示している。上記各側はｎ −Ｇａ Ａ
ｓ基板１上に１１ 、 （Ｊａｏ、５５ Ａｌｏ、４５
Ａｓクラッド層２、アンドープＧａＯ，８６”０．１
４ ＡＳ活性層６を順次形成し、第１図の利得導波形半
導体レーザ装置ではさらにｐ、Ｇ ａ ｏ 、ｓ ｓ
ｋｌｌ ｏ 、４ｓ Ａ Ｓクラッド層４、ｐ −Ｇａ
Ａｓキャップ層５を形成した後プロトン注入領域６を
設けることによって狭ストライプを形成し、ｐ電極７．
１］電極８を設けている。また第２図の屈折率導波形半
導体レーザ装置では、上ｉ己活性層６の上にリブ光導波
路を形成したｐＧ、ａ ｏ 、ｂ ｓ Ａｌｏ 、３
ｓ Ａ ｓ光ガイド層９を設け、さらにｌ） Ｇ ａ
ｏ、ｓｓ Ａｌｏ、４ｓ ＡＳクラッド層４を形成した
上に突出して設けたｐ−ＧａＡｓキャップ層５を除いて
上記クラッド層４０表面を５１０２絶縁膜１０で蔽い、
キャップ層５を含む表面にｐ電極７を設け、上記ｎ −
Ｑａ Ａｓ基板１造の半導体レーザ装置は膜厚制御性が
良好なＭＯＣＶＤ法（有機金属の熱分解による気相成長
法）アルいｔｉＭＢＥ法（分子線エピタキシャル法）を
用いて製造しても、ウェハ処理プロセスで決まるストラ
イプ幅やリブ幅のウェハ面内でのばらつきが、そのまま
素子特性のばらつきとして反映され特性が一様に揃わな
かった。
晶成長におけるばらつきとともに、ウェハ処理プロセス
（リングラフィ、エツチング、拡散、イオン注入等）の
ばらつきによって大きく変動していた。第１図は利得導
波形半導体レーザ装置の一例を示す断面図で、プロトン
注入を用いた狭ストライプ構造である。また第２図は屈
折率導波形半導体レーザ装置の例としてリブ光導波路形
構造の断面図を示している。上記各側はｎ −Ｇａ Ａ
ｓ基板１上に１１ 、 （Ｊａｏ、５５ Ａｌｏ、４５
Ａｓクラッド層２、アンドープＧａＯ，８６”０．１
４ ＡＳ活性層６を順次形成し、第１図の利得導波形半
導体レーザ装置ではさらにｐ、Ｇ ａ ｏ 、ｓ ｓ
ｋｌｌ ｏ 、４ｓ Ａ Ｓクラッド層４、ｐ −Ｇａ
Ａｓキャップ層５を形成した後プロトン注入領域６を
設けることによって狭ストライプを形成し、ｐ電極７．
１］電極８を設けている。また第２図の屈折率導波形半
導体レーザ装置では、上ｉ己活性層６の上にリブ光導波
路を形成したｐＧ、ａ ｏ 、ｂ ｓ Ａｌｏ 、３
ｓ Ａ ｓ光ガイド層９を設け、さらにｌ） Ｇ ａ
ｏ、ｓｓ Ａｌｏ、４ｓ ＡＳクラッド層４を形成した
上に突出して設けたｐ−ＧａＡｓキャップ層５を除いて
上記クラッド層４０表面を５１０２絶縁膜１０で蔽い、
キャップ層５を含む表面にｐ電極７を設け、上記ｎ −
Ｑａ Ａｓ基板１造の半導体レーザ装置は膜厚制御性が
良好なＭＯＣＶＤ法（有機金属の熱分解による気相成長
法）アルいｔｉＭＢＥ法（分子線エピタキシャル法）を
用いて製造しても、ウェハ処理プロセスで決まるストラ
イプ幅やリブ幅のウェハ面内でのばらつきが、そのまま
素子特性のばらつきとして反映され特性が一様に揃わな
かった。
本発明の目的はＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢ’Ｅ法を用い
て製造される、ウェハ面内での素子特性の一様性がよい
横モード制御された半導体レーザ装置を得ることにある
。
て製造される、ウェハ面内での素子特性の一様性がよい
横モード制御された半導体レーザ装置を得ることにある
。
上記目的を達成するだめに本発明による半導体レーザ装
置は、膜厚制御性が良好なＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ
法を用い薄膜形成を行って積層された半導体層に段差を
設け、この段差の側壁における屈折率および不純物濃度
分布を利用して横モード制御と電流狭窄を行い、素子特
性が結晶成長以外のプロセスで生じるばらつきに対して
１１とんど影響を受けない構造としたものである。すな
わち、半絶縁性の第１半導体層上に積層された少くとも
第１導電形の第２半導体層と半絶縁性の第６半導体層と
を含む第１多層半導体と、少くとも第１塙電形の第４半
導体層、該第４半導体層に比較して屈折率が大きく禁制
帯幅が小さい第５半導体層、該第５半導体層に比較して
屈折率が小さく禁制帯幅が大きい第２導電形の第６半導
体層を含む積層された第２多層半導体とを備えた半導体
レーザ装置において、第１多層半導体の一部を第１半導
体層の深さまで除去して形成した段差の少くとも側面を
上記第２多層半導体が蔽い、段差の上面を形成する第１
多層半導体または第２多層半導体の表面の一部から第２
半導体層に達するかあるいは貫通する深さまで第１導電
形の不純物を導入して形成した第１導電領域と、該第１
導電領域の上面に形成した第１電極および前記段差の側
面を蔽う第２多層半導体上に形成した第２電極とを設け
たことにより、接合に垂直方向の横モードや水平方向の
横モード、または電流狭窄の各寸法がほとんどすべて結
晶成長の膜厚制御や組成制御だけで決定される構造とし
たものである。第６図は上記半導体レーザ装置の一例を
示す断面図である。半絶縁性の第１半導体層１１に積層
された第１導電形の第２半導体層１２と半絶縁性の第６
半導体層１８を含む第１多層半導体と、第１導電形の第
４半導体層であるクラッド層４、第５半導体層である活
性層３、第６半導体層である第２導電形のクラッド層２
を含む第２多層半導体を備え、上記第１多層半導体の一
部を第１半導体層１１の深さ捷で除去して形成した段差
の側面を含む全面を上記第２多層半導体の各層４．６．
２で蔽い、段差の上面である第２多層半導体の表面の一
部から、第２半導体層１２に達するかあるいは貫通する
深さまで第１導電形の不純物を導入した第１導電領域１
９を設け、該第１導電領域１９の上面に形成した第１電
極２゜と上記段差の側壁を蔽う第２多層半導体の表面に
第２電極２１を設けている。なお第１電極２ｏと第２電
極２１との間には第２多層半導体の表面がら第３半導体
層１８に達する溝１７を設けて無効電流を防止している
。上記半導体レーザ装置において、接合に垂直方向のモ
ードは第１導電形の第２半導体層１２の屈折率および第
１導電形の第４半導体層であるクラッド層４、第５半導
体層である活性層６、第２導電形の第６半導体層である
クラッド層２のそれぞれの屈折率および膜厚によって制
御される。また接合に水平方向のモードは第１導電形の
第２半導体層１２、半絶縁性第１半導体層１１、半絶縁
性の第６半導体層１８、第１導電形の第４半導体層であ
るクラッド層４、第５半導体層である活性層６、第２導
電形の第６半導体層であるクラッド層２におけるそれぞ
れの屈折率および膜厚によって制御される。壕だ電流狭
窄は第１導電形第２半導体層１２および第１導電形の第
４半導体層であるクラッド層４の膜厚によって制御され
る。上記のように本発明による半導体レーザ装置では、
横モード、電流狭窄ともに結晶成長のみによって制御で
きることになる。第６図に示す例は段差の側壁の角度が
直角の場合について記したが、段差の側壁が傾斜してい
ても本質的には同様である。
置は、膜厚制御性が良好なＭＯＣＶＤ法あるいはＭＢＥ
法を用い薄膜形成を行って積層された半導体層に段差を
設け、この段差の側壁における屈折率および不純物濃度
分布を利用して横モード制御と電流狭窄を行い、素子特
性が結晶成長以外のプロセスで生じるばらつきに対して
１１とんど影響を受けない構造としたものである。すな
わち、半絶縁性の第１半導体層上に積層された少くとも
第１導電形の第２半導体層と半絶縁性の第６半導体層と
を含む第１多層半導体と、少くとも第１塙電形の第４半
導体層、該第４半導体層に比較して屈折率が大きく禁制
帯幅が小さい第５半導体層、該第５半導体層に比較して
屈折率が小さく禁制帯幅が大きい第２導電形の第６半導
体層を含む積層された第２多層半導体とを備えた半導体
レーザ装置において、第１多層半導体の一部を第１半導
体層の深さまで除去して形成した段差の少くとも側面を
上記第２多層半導体が蔽い、段差の上面を形成する第１
多層半導体または第２多層半導体の表面の一部から第２
半導体層に達するかあるいは貫通する深さまで第１導電
形の不純物を導入して形成した第１導電領域と、該第１
導電領域の上面に形成した第１電極および前記段差の側
面を蔽う第２多層半導体上に形成した第２電極とを設け
たことにより、接合に垂直方向の横モードや水平方向の
横モード、または電流狭窄の各寸法がほとんどすべて結
晶成長の膜厚制御や組成制御だけで決定される構造とし
たものである。第６図は上記半導体レーザ装置の一例を
示す断面図である。半絶縁性の第１半導体層１１に積層
された第１導電形の第２半導体層１２と半絶縁性の第６
半導体層１８を含む第１多層半導体と、第１導電形の第
４半導体層であるクラッド層４、第５半導体層である活
性層３、第６半導体層である第２導電形のクラッド層２
を含む第２多層半導体を備え、上記第１多層半導体の一
部を第１半導体層１１の深さ捷で除去して形成した段差
の側面を含む全面を上記第２多層半導体の各層４．６．
２で蔽い、段差の上面である第２多層半導体の表面の一
部から、第２半導体層１２に達するかあるいは貫通する
深さまで第１導電形の不純物を導入した第１導電領域１
９を設け、該第１導電領域１９の上面に形成した第１電
極２゜と上記段差の側壁を蔽う第２多層半導体の表面に
第２電極２１を設けている。なお第１電極２ｏと第２電
極２１との間には第２多層半導体の表面がら第３半導体
層１８に達する溝１７を設けて無効電流を防止している
。上記半導体レーザ装置において、接合に垂直方向のモ
ードは第１導電形の第２半導体層１２の屈折率および第
１導電形の第４半導体層であるクラッド層４、第５半導
体層である活性層６、第２導電形の第６半導体層である
クラッド層２のそれぞれの屈折率および膜厚によって制
御される。また接合に水平方向のモードは第１導電形の
第２半導体層１２、半絶縁性第１半導体層１１、半絶縁
性の第６半導体層１８、第１導電形の第４半導体層であ
るクラッド層４、第５半導体層である活性層６、第２導
電形の第６半導体層であるクラッド層２におけるそれぞ
れの屈折率および膜厚によって制御される。壕だ電流狭
窄は第１導電形第２半導体層１２および第１導電形の第
４半導体層であるクラッド層４の膜厚によって制御され
る。上記のように本発明による半導体レーザ装置では、
横モード、電流狭窄ともに結晶成長のみによって制御で
きることになる。第６図に示す例は段差の側壁の角度が
直角の場合について記したが、段差の側壁が傾斜してい
ても本質的には同様である。
本発明の半導体レーザ装置をＬＰＥ法（液相成長法）で
製造することは、Ｌ Ｐ Ｅ法が凹凸構造では成長速度
に場所的不均一性がかなりあるために難しく、第６図に
おける第４半導体層であるクラッド層４、第５半導体層
である活性層６および第６半導体層であるクラッド層２
の膜厚制御が困難である。しかしＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ
法は凹凸構造をかなりよく再現しながら成長するという
特徴を有しているから、上記第４半導体層４、第５半導
１体層６、第６半導体層２の各層を膜厚制御性よく均一
に成長させることができる。
製造することは、Ｌ Ｐ Ｅ法が凹凸構造では成長速度
に場所的不均一性がかなりあるために難しく、第６図に
おける第４半導体層であるクラッド層４、第５半導体層
である活性層６および第６半導体層であるクラッド層２
の膜厚制御が困難である。しかしＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ
法は凹凸構造をかなりよく再現しながら成長するという
特徴を有しているから、上記第４半導体層４、第５半導
１体層６、第６半導体層２の各層を膜厚制御性よく均一
に成長させることができる。
また段差の形成においては、深さが半絶縁性第１半導体
層１１が半絶縁性第６半導体層１８の膜厚程度以上にエ
ツチングされていればよく、段差の側壁の角度もドライ
エツチングを用いれば容易に制御でき、あるいは結晶面
が出るような化学エツチングを用いてもよい。さらに不
純物拡散を行う第１導電領域１９は第１導電形の第２半
導体層１２に達していればよく、無効電流防止の溝１７
も半絶縁性第６半導体層１８に達していればよい。した
がって結晶成長以外のプロセスでは高い精度が要求され
ず、多少寸法や位置がばらついても素子特性にはほとん
ど影響しないため、上記ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法を用い
てウェハ面内で素子特性の一様性がよい半導体レーザ装
置が得られる。
層１１が半絶縁性第６半導体層１８の膜厚程度以上にエ
ツチングされていればよく、段差の側壁の角度もドライ
エツチングを用いれば容易に制御でき、あるいは結晶面
が出るような化学エツチングを用いてもよい。さらに不
純物拡散を行う第１導電領域１９は第１導電形の第２半
導体層１２に達していればよく、無効電流防止の溝１７
も半絶縁性第６半導体層１８に達していればよい。した
がって結晶成長以外のプロセスでは高い精度が要求され
ず、多少寸法や位置がばらついても素子特性にはほとん
ど影響しないため、上記ＭＯＣＶＤ法やＭＢＥ法を用い
てウェハ面内で素子特性の一様性がよい半導体レーザ装
置が得られる。
つぎに本発明の実施例を図面とともに説明するｂ第４図
は本発明による半導体レーザ装置の第１の実施例におけ
る製造工程を示す断面図で、（ａ）は第１多層半導体、
（ｂ）は上記第１多層半導体に形成した段差、（Ｃ）は
上記段差の上面、側面、底面に積層した第２多層半導体
、（ｄ）は上記第２多層半導体の表面から設けた溝、（
ｅ）は第１導電領域を形成した状態、（ｆ）は第１電極
と第２電極とを設けた状態を示し、第５図は本発明によ
る半導体レーザ装置の第２の実施例を示す断面図、第６
図は上記半導体レーザ装置の第６の実施例を示す断面図
、第７図は上記半導体レーザ装置の第４の実施例を示す
断面図である。第４図に示す第１０実施例はＧａ Ａ７
Ａｓ系利得導波形半導体レーザ装置の製造工程で、同
図（ａ）に示すように半絶縁性（以下ｌ−と記す）の第
１半導体層としてｉ −ＧａＡｓ基板１１にＭＯＣＶＤ
法によりｌ Ｇ ａ、ｏ、ｓｓ Ａｌ ｏ、４ｓ ＡＳ
層１８′、第２半導体層であるｐＧ ａ ｏ、５５ Ａ
ｌｏ、４５Ａｓ層１２オヨび第６半導体層である’ −
ＧａＯ，５５”’０．４５Ａｓ層１８を順次成長させて
第１多層半導体を形成した。つぎに同図（ｂ）に示すよ
うにドライエツチングによシ上記第１多層半導体の表面
の一部から第１半導体層１１の深さに達するまで除去し
て、垂直な側面を有する段差を形成した。その後再びＭ
ＯＣｖＤ法を用いて、第４半導体層であろｐ−Ｇａ 、
ｋｌ Ａｓクラッド層４、第５半導体層であ０．５５
０．４５ るアンドープＧ ａｏ、ｅｂ Ａｌｏ、ｔ４Ａ Ｓ活性
層６および第６半導体層であるｎＧａ０．５５ ”０．
４５ Ａｓクラッド層２を含む第２多層半導体を、同図
（Ｃ）に示すように上記段差の側面および底面を含む第
１多層半導体の表面に形成した。一つぎにレーザ発振に
寄与しない電流（無効電流）が流れないように、第２多
層半導体の表面から第６半導体層であるＩ Ｇ ａ ｏ
、ｓｓＡｌｏ、ａｓ ＡＳ層１８に達する深す＋７）溝
１７ 全同図Ｃｄ）に示すように１１２ＳＯ４系のエツ
チング液でエツチングして形成し、第２多層半導体の第
６半導体層であるｎ Ｇａｏ、ｓｓ Ａｌ□、４５ Ａ
ｓ層２の表面の一部からｉ’３ａＯ，５５”０．４５
Ａｓ層１８′に達するまでＺｎ拡散を行い、同図（ｅ）
に示すようにＺｎ拡散領域１９を形成した。同図（ｄ）
に示すように上記Ｚｎ拡散領域１９の表面にｒｉ −Ｍ
ｏ−Ａｕを蒸着してｐ電極２０を、また前記段差の側面
を蔽う第２多層半導体の表面にＡｕＧｅＮｉ −Ｃｒ−
Ａｕを蒸着してｎ電極２１を設は半導体レーザ装置とし
た。上記実施例によって同一ウエバ面内でしきい電流が
４０±Ｑ、 ５ ｍＡ、効率０．２０±Ｑ、 Ｑ １ｍ
Ｗ／＋ｎ Ａ、またビーム広がシ角θ↓／θ１１が３
０±１°／２５±２°という非常に均一な素子特性の半
導体レーザ装置が得られた。
は本発明による半導体レーザ装置の第１の実施例におけ
る製造工程を示す断面図で、（ａ）は第１多層半導体、
（ｂ）は上記第１多層半導体に形成した段差、（Ｃ）は
上記段差の上面、側面、底面に積層した第２多層半導体
、（ｄ）は上記第２多層半導体の表面から設けた溝、（
ｅ）は第１導電領域を形成した状態、（ｆ）は第１電極
と第２電極とを設けた状態を示し、第５図は本発明によ
る半導体レーザ装置の第２の実施例を示す断面図、第６
図は上記半導体レーザ装置の第６の実施例を示す断面図
、第７図は上記半導体レーザ装置の第４の実施例を示す
断面図である。第４図に示す第１０実施例はＧａ Ａ７
Ａｓ系利得導波形半導体レーザ装置の製造工程で、同
図（ａ）に示すように半絶縁性（以下ｌ−と記す）の第
１半導体層としてｉ −ＧａＡｓ基板１１にＭＯＣＶＤ
法によりｌ Ｇ ａ、ｏ、ｓｓ Ａｌ ｏ、４ｓ ＡＳ
層１８′、第２半導体層であるｐＧ ａ ｏ、５５ Ａ
ｌｏ、４５Ａｓ層１２オヨび第６半導体層である’ −
ＧａＯ，５５”’０．４５Ａｓ層１８を順次成長させて
第１多層半導体を形成した。つぎに同図（ｂ）に示すよ
うにドライエツチングによシ上記第１多層半導体の表面
の一部から第１半導体層１１の深さに達するまで除去し
て、垂直な側面を有する段差を形成した。その後再びＭ
ＯＣｖＤ法を用いて、第４半導体層であろｐ−Ｇａ 、
ｋｌ Ａｓクラッド層４、第５半導体層であ０．５５
０．４５ るアンドープＧ ａｏ、ｅｂ Ａｌｏ、ｔ４Ａ Ｓ活性
層６および第６半導体層であるｎＧａ０．５５ ”０．
４５ Ａｓクラッド層２を含む第２多層半導体を、同図
（Ｃ）に示すように上記段差の側面および底面を含む第
１多層半導体の表面に形成した。一つぎにレーザ発振に
寄与しない電流（無効電流）が流れないように、第２多
層半導体の表面から第６半導体層であるＩ Ｇ ａ ｏ
、ｓｓＡｌｏ、ａｓ ＡＳ層１８に達する深す＋７）溝
１７ 全同図Ｃｄ）に示すように１１２ＳＯ４系のエツ
チング液でエツチングして形成し、第２多層半導体の第
６半導体層であるｎ Ｇａｏ、ｓｓ Ａｌ□、４５ Ａ
ｓ層２の表面の一部からｉ’３ａＯ，５５”０．４５
Ａｓ層１８′に達するまでＺｎ拡散を行い、同図（ｅ）
に示すようにＺｎ拡散領域１９を形成した。同図（ｄ）
に示すように上記Ｚｎ拡散領域１９の表面にｒｉ −Ｍ
ｏ−Ａｕを蒸着してｐ電極２０を、また前記段差の側面
を蔽う第２多層半導体の表面にＡｕＧｅＮｉ −Ｃｒ−
Ａｕを蒸着してｎ電極２１を設は半導体レーザ装置とし
た。上記実施例によって同一ウエバ面内でしきい電流が
４０±Ｑ、 ５ ｍＡ、効率０．２０±Ｑ、 Ｑ １ｍ
Ｗ／＋ｎ Ａ、またビーム広がシ角θ↓／θ１１が３
０±１°／２５±２°という非常に均一な素子特性の半
導体レーザ装置が得られた。
第５図に示す第２の実施例は屈折率導波形半導体レーザ
装置である。ｉ −Ｇａ Ａｓ基板１１（第１半導体層
）上にＭＯＣＶＤ法によ” １−ＧａＯ，４５”’０．
５５Ａｓ層２２′、Ｉ Ｇａ ｏ、ｓｓ Ａｌｏ、４ｓ
ＡＳ層１８′、ｐ−Ｇａｏ、５５Ａ７ｉｏ、４ｓ Ａ
５層１２（第２半導体層）、ｌ −Ｇａｏ、５ｓＡＮ
ｏ、ａｓ Ａｓ層１８′および’ −ＧａＯ，４５Ａ
１０．５５λＳ層２２（第３半導体層）の５層を順次積
層して第１多層半導体を形成し、化学エツチングによっ
て上記第１多層半導体の表面から第１半導体層であるｉ
−ＧａＡｓ基板１１に達する深さの段差を形成した後
、ｐＧａ ｏ、ｓｓ Ａｌｏ、４ｓ ＡＳクラッド層４
（第４半導体層）、アンドープＧａＯ，８６ＡｌＯ，１
４”’活性層６（第５半導体層）およびｎ Ｇ ａ ｏ
、ｓｓ ｋｌ ｏ、４ｓ Ａ Ｓクラッド層２（第６半
導体層）よりなる第２多層半導体をＭＯＣＶＤ法により
それぞれ成長させる。その後無効電力を除くため段差上
面の第２多層半導体の一部からｌ Ｇａｏ、ａｓ ”’
０．５５ Ａｓ層２２（第６半導体層）に達する深さま
でＺｎを注入してｐ形導電領域２６を形成し、該ｐ形導
電領域２６の上記段差と反対側における第２多層半導体
の一部から同じ深さまで８ｉを注入してｎ形導電領域２
４を形成する。
装置である。ｉ −Ｇａ Ａｓ基板１１（第１半導体層
）上にＭＯＣＶＤ法によ” １−ＧａＯ，４５”’０．
５５Ａｓ層２２′、Ｉ Ｇａ ｏ、ｓｓ Ａｌｏ、４ｓ
ＡＳ層１８′、ｐ−Ｇａｏ、５５Ａ７ｉｏ、４ｓ Ａ
５層１２（第２半導体層）、ｌ −Ｇａｏ、５ｓＡＮ
ｏ、ａｓ Ａｓ層１８′および’ −ＧａＯ，４５Ａ
１０．５５λＳ層２２（第３半導体層）の５層を順次積
層して第１多層半導体を形成し、化学エツチングによっ
て上記第１多層半導体の表面から第１半導体層であるｉ
−ＧａＡｓ基板１１に達する深さの段差を形成した後
、ｐＧａ ｏ、ｓｓ Ａｌｏ、４ｓ ＡＳクラッド層４
（第４半導体層）、アンドープＧａＯ，８６ＡｌＯ，１
４”’活性層６（第５半導体層）およびｎ Ｇ ａ ｏ
、ｓｓ ｋｌ ｏ、４ｓ Ａ Ｓクラッド層２（第６半
導体層）よりなる第２多層半導体をＭＯＣＶＤ法により
それぞれ成長させる。その後無効電力を除くため段差上
面の第２多層半導体の一部からｌ Ｇａｏ、ａｓ ”’
０．５５ Ａｓ層２２（第６半導体層）に達する深さま
でＺｎを注入してｐ形導電領域２６を形成し、該ｐ形導
電領域２６の上記段差と反対側における第２多層半導体
の一部から同じ深さまで８ｉを注入してｎ形導電領域２
４を形成する。
つぎにｎ形導電領域２４の上記段差と反対側の第２多層
半導体の表面の一部からｉ −Ｇａ Ａｓ基板１１（第
１半導体層）に達する深さまでＺｎを拡散してＺｎ拡散
領域１９を形成し、該Ｚｎ拡散領域１９上と段差の側面
を蔽ン第２多層半導体の表面部分とに、前記実施例と同
様の方法でｐ電極２ｏとｎ電極２１を設けて半導体レー
ザ装置とした。上記実施例のように第２半導体層である
Ｇａｏ、５５Ａｌｏ、４５Ａｓ層１２およびｑａＯ，５
５Ａ１１Ｏ，４５Ａｓ層１８′の屈折率はＧａ０．４５
ＡｌＯ，５Ｓ Ａｓ層２２．２２′の屈折率より大き
いので、屈折率導波形となシ、高い光出力まで基本横モ
ードで発振させることができる。まだ電流はｐ、 Ｇａ
ｏ、ｓ５ Ａｌｏ、４ｓＡ５層１２を流れるので電流狭
窄の効果が大きくなり、よりしきい値を下げることがで
きる。上記第２の実施例にょシ同−ウエバ面内で・しき
い電流′５５十〇、５ｍＡ、効率０．３’０±０．０１
ｍＷ／ｍＡ、ヒー ム広カｂ 角θ↓／ θｎ ｔｒｉ
３０ｆ １°／１５±２°、基本横モードが安定に維
持される最大光出力が１５上１ｍＷという非常に均一な
素子特性が得られた。
半導体の表面の一部からｉ −Ｇａ Ａｓ基板１１（第
１半導体層）に達する深さまでＺｎを拡散してＺｎ拡散
領域１９を形成し、該Ｚｎ拡散領域１９上と段差の側面
を蔽ン第２多層半導体の表面部分とに、前記実施例と同
様の方法でｐ電極２ｏとｎ電極２１を設けて半導体レー
ザ装置とした。上記実施例のように第２半導体層である
Ｇａｏ、５５Ａｌｏ、４５Ａｓ層１２およびｑａＯ，５
５Ａ１１Ｏ，４５Ａｓ層１８′の屈折率はＧａ０．４５
ＡｌＯ，５Ｓ Ａｓ層２２．２２′の屈折率より大き
いので、屈折率導波形となシ、高い光出力まで基本横モ
ードで発振させることができる。まだ電流はｐ、 Ｇａ
ｏ、ｓ５ Ａｌｏ、４ｓＡ５層１２を流れるので電流狭
窄の効果が大きくなり、よりしきい値を下げることがで
きる。上記第２の実施例にょシ同−ウエバ面内で・しき
い電流′５５十〇、５ｍＡ、効率０．３’０±０．０１
ｍＷ／ｍＡ、ヒー ム広カｂ 角θ↓／ θｎ ｔｒｉ
３０ｆ １°／１５±２°、基本横モードが安定に維
持される最大光出力が１５上１ｍＷという非常に均一な
素子特性が得られた。
第６図に示す第６の実施例は吸収を利用した屈折率導波
形半導体レーザ装置である。ｉ”ＧａＡｓ基板１１（第
１半導体層）上に’ −ＧａＯ，５５”’０．４５Ａｓ
層１８″、ｐＧａ ｏ、ｓｓ Ａ１０．４５ Ａ ８層
１２（第２半導体層）、ｌ −ＧａＯ，５５Ａ’０．４
５ Ａｓ層１８ および １−Ｇａ Ａｓ層２５（第６
半導体層）よ石なる第１多層半導体をＭ ＯＣＶ Ｄ法
により順次成長させる。つぎにｉ−Ｇ’ａＡｓ基板１１
にオイテ上記１−ＧａＡｓ層２５の膜厚以上の深さに達
するまで、第１多層半導体の一部の表面から化学エツチ
ングにより除去して段差を形成する。その後再びＭｏｃ
ｖＤ法によ＃）ｐ−Ｇａ ＡＩ Ａｓ クラッド層４（
第４半導体層）、０．５５ ０．４５ アンドープｑａＯ，８６ＡｌＯ，１４Ａｓ活性層６（第
５半導体層）および” Ｇａ（１，５５Ａｌ□、４５
Ａｓクラノじ層２（第６半導体層）よりなる第２多層半
導体を順次成長させる。無効電流を除くため第２多層半
導体の一部の表面から１−ＧａＡｓ層２５に達する深さ
までプロトン注入を行って半絶縁性領域２６を形成し、
前記実施例と同様にＺｎ拡散領域１９と、ｐ電極２゜お
よびｎ電極２１とを形成して半導体レーザ装置とした。
形半導体レーザ装置である。ｉ”ＧａＡｓ基板１１（第
１半導体層）上に’ −ＧａＯ，５５”’０．４５Ａｓ
層１８″、ｐＧａ ｏ、ｓｓ Ａ１０．４５ Ａ ８層
１２（第２半導体層）、ｌ −ＧａＯ，５５Ａ’０．４
５ Ａｓ層１８ および １−Ｇａ Ａｓ層２５（第６
半導体層）よ石なる第１多層半導体をＭ ＯＣＶ Ｄ法
により順次成長させる。つぎにｉ−Ｇ’ａＡｓ基板１１
にオイテ上記１−ＧａＡｓ層２５の膜厚以上の深さに達
するまで、第１多層半導体の一部の表面から化学エツチ
ングにより除去して段差を形成する。その後再びＭｏｃ
ｖＤ法によ＃）ｐ−Ｇａ ＡＩ Ａｓ クラッド層４（
第４半導体層）、０．５５ ０．４５ アンドープｑａＯ，８６ＡｌＯ，１４Ａｓ活性層６（第
５半導体層）および” Ｇａ（１，５５Ａｌ□、４５
Ａｓクラノじ層２（第６半導体層）よりなる第２多層半
導体を順次成長させる。無効電流を除くため第２多層半
導体の一部の表面から１−ＧａＡｓ層２５に達する深さ
までプロトン注入を行って半絶縁性領域２６を形成し、
前記実施例と同様にＺｎ拡散領域１９と、ｐ電極２゜お
よびｎ電極２１とを形成して半導体レーザ装置とした。
上記実施例に示すように第１半導体層１１および第６半
導体層２５の禁制帯幅は上記第５半導体層乙の活性層の
禁制帯幅と同程度がまたは小さいので、屈折率導波形と
なシ横モードが制御される。また電流は第２半導体層１
２を流れるので電流が狭窄され、低いしきい値のレーザ
が得られる。上記第６の実施例によシ同一つエノ・面内
で、Ｌ きいｔｉ３３±０．５ｍＡ、効率０．５０±０
．０１ｍＷ／１１Ａ、ビーム広がり角θ↓／θ１１が６
０±１°／１３±１°、基本横モードが安定に維持され
る最大光出力１８±１＋ｎＷ、波長７８２±Ｑ、５ｎｍ
という均一な素子特性が得られた。
導体層２５の禁制帯幅は上記第５半導体層乙の活性層の
禁制帯幅と同程度がまたは小さいので、屈折率導波形と
なシ横モードが制御される。また電流は第２半導体層１
２を流れるので電流が狭窄され、低いしきい値のレーザ
が得られる。上記第６の実施例によシ同一つエノ・面内
で、Ｌ きいｔｉ３３±０．５ｍＡ、効率０．５０±０
．０１ｍＷ／１１Ａ、ビーム広がり角θ↓／θ１１が６
０±１°／１３±１°、基本横モードが安定に維持され
る最大光出力１８±１＋ｎＷ、波長７８２±Ｑ、５ｎｍ
という均一な素子特性が得られた。
第７図に示す第４の実施例は狭ストライプレーザな６連
にしたフェーズド・アレイレーザ装置である。ｉ −Ｑ
ａ Ａｓ基板１１上にｌ Ｇ ａ ｏ、５５４１ｏ、ａ
ｓ Ａｓ層１８、ｐ−Ｇａｏ、５５Ａｌｏ、４５ＡＳ層
１２、ｌ ’ Ｇａｏ、５ｓＡ、／ Ａｓ層１２、ｌ
Ｇａ ｏ、５５ Ａｌｏ、４ｓ ＡＳ層１８、ｐＯ１４
５ −ＧａＯ，５５ＡｌＯ，４５Ａ５層１２． ｌ Ｇａ
ｏ、５５ Ａｌｏ、４ｓ Ａｓ層１８の各半導体層をＭ
ＯＣＶＤ法によって順次成長させて第１多層半導体を形
成し、上記第１多層半導体の表面の一部から１−ＧａＡ
ｓ基板１１に達する深さまで化学エツチングによって除
去し段差を形成する。その後再びＭＯＣＶＤ法によりｐ
−Ｇａ０．５５ＡｌＡＳクラッド層４、アンドープＧａ
Ｏ，８６”’０．１４０．４５ Ａｓ活性層３およびｎ Ｇ ａ ｏ、５５ｋｌ ｏ、４
ｓ Ａｓり゛ラッド層２よシなる第２多層半導体を順次
成長させる。
にしたフェーズド・アレイレーザ装置である。ｉ −Ｑ
ａ Ａｓ基板１１上にｌ Ｇ ａ ｏ、５５４１ｏ、ａ
ｓ Ａｓ層１８、ｐ−Ｇａｏ、５５Ａｌｏ、４５ＡＳ層
１２、ｌ ’ Ｇａｏ、５ｓＡ、／ Ａｓ層１２、ｌ
Ｇａ ｏ、５５ Ａｌｏ、４ｓ ＡＳ層１８、ｐＯ１４
５ −ＧａＯ，５５ＡｌＯ，４５Ａ５層１２． ｌ Ｇａ
ｏ、５５ Ａｌｏ、４ｓ Ａｓ層１８の各半導体層をＭ
ＯＣＶＤ法によって順次成長させて第１多層半導体を形
成し、上記第１多層半導体の表面の一部から１−ＧａＡ
ｓ基板１１に達する深さまで化学エツチングによって除
去し段差を形成する。その後再びＭＯＣＶＤ法によりｐ
−Ｇａ０．５５ＡｌＡＳクラッド層４、アンドープＧａ
Ｏ，８６”’０．１４０．４５ Ａｓ活性層３およびｎ Ｇ ａ ｏ、５５ｋｌ ｏ、４
ｓ Ａｓり゛ラッド層２よシなる第２多層半導体を順次
成長させる。
無効電流を除くだめの溝２７を■゛■２ＳＯ４系のエソ
チンダ液でエツチングして形成し、前記実施例と同様に
Ｚｎ拡散域１９を形成する。つぎに上記溝２７０表面を
含み段差上面の両端部以外をＣＶＤ法によりＳ ｉ ０
２絶縁膜２８で蔽い、上記Ｚ１１拡散域１９を蔽い一端
が絶縁膜２８に達するｐ電極２０と、段差の側面を蔽う
第２多層半導体の表面に形成し一端が上記絶縁膜２８に
達する１１電極２１とを前記実施例と同様の方法で設け
て半導体レーザ装置とした。上記第４の実施例では同一
ウエノ・面内で、しきい電流１０５±２ｍＡ、最大光出
力５００±１０ｍＷと非常に均一な高出力レーザ装置が
得られた。
チンダ液でエツチングして形成し、前記実施例と同様に
Ｚｎ拡散域１９を形成する。つぎに上記溝２７０表面を
含み段差上面の両端部以外をＣＶＤ法によりＳ ｉ ０
２絶縁膜２８で蔽い、上記Ｚ１１拡散域１９を蔽い一端
が絶縁膜２８に達するｐ電極２０と、段差の側面を蔽う
第２多層半導体の表面に形成し一端が上記絶縁膜２８に
達する１１電極２１とを前記実施例と同様の方法で設け
て半導体レーザ装置とした。上記第４の実施例では同一
ウエノ・面内で、しきい電流１０５±２ｍＡ、最大光出
力５００±１０ｍＷと非常に均一な高出力レーザ装置が
得られた。
上記各実施例ではそれぞれの半導体層を形成するのにＭ
ＯＣＶＤ法を用いたが、ＭＢＥ法を用いてもほぼ同様の
効果が得られる。また上記各実施例における第１多層半
導体および第２多層半導体の各半導体層の屈折率、不純
物濃度あるいは禁制帯幅のいずれかが、各半導体層の膜
厚方向に連続的に変化している場合は、光の分布がガウ
ス分布を示す。なお本発明は実施例に示した波長０．７
８μ！ｎ前後に限らず、波長０．６８〜０．８９ ｔｔ
ｍのＧ’ａ Ａ４ Ａｓ系半導体レーザ装置で、室温
連続発振できる全範囲にわたり同様の結果が得られた。
ＯＣＶＤ法を用いたが、ＭＢＥ法を用いてもほぼ同様の
効果が得られる。また上記各実施例における第１多層半
導体および第２多層半導体の各半導体層の屈折率、不純
物濃度あるいは禁制帯幅のいずれかが、各半導体層の膜
厚方向に連続的に変化している場合は、光の分布がガウ
ス分布を示す。なお本発明は実施例に示した波長０．７
８μ！ｎ前後に限らず、波長０．６８〜０．８９ ｔｔ
ｍのＧ’ａ Ａ４ Ａｓ系半導体レーザ装置で、室温
連続発振できる全範囲にわたり同様の結果が得られた。
本発明によモ半導体レーザ装置はＧａＡｌＡｓ系以外の
レーザ材料、例えばＩｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ系やＩｎＧａ
Ｐ系の材料に対しても同様に適用できる。またレーザの
構造としては上記各実施例で示しだ６層導波路を基本に
するものに限らず、活性層の片側に隣接して光ガイド層
を設けるＬＯＧ構造や、活性層の両側にそれぞれ隣接し
て光ガイド層を設ける５ＣＩ−Ｉ構造およびこれらの光
ガイド層の屈折率および禁制帯幅が膜厚方向に分布して
いる（３ＲＩＮ−８ＣＨ構造等に対しても同様に適用す
ることができる。さらに活性層が量子井戸構造をしてい
るものに対しても有効であり、また上記各実施例におい
て導電形を全べて反対にした構造（ｐをｎに、ｎｔｆ：
ｐに置換えた構造）においても同様の結果が得られた。
レーザ材料、例えばＩｎ Ｇａ Ａｓ Ｐ系やＩｎＧａ
Ｐ系の材料に対しても同様に適用できる。またレーザの
構造としては上記各実施例で示しだ６層導波路を基本に
するものに限らず、活性層の片側に隣接して光ガイド層
を設けるＬＯＧ構造や、活性層の両側にそれぞれ隣接し
て光ガイド層を設ける５ＣＩ−Ｉ構造およびこれらの光
ガイド層の屈折率および禁制帯幅が膜厚方向に分布して
いる（３ＲＩＮ−８ＣＨ構造等に対しても同様に適用す
ることができる。さらに活性層が量子井戸構造をしてい
るものに対しても有効であり、また上記各実施例におい
て導電形を全べて反対にした構造（ｐをｎに、ｎｔｆ：
ｐに置換えた構造）においても同様の結果が得られた。
上記のように本発明による半導体レーザ装置は、半絶縁
性の第１半導体層上に積層された少くとも第１導電形の
第２半導体層と半絶縁性の第６半導体層とを含む第１多
層半導体と、少くとも第１導電形の第４半導体層、該第
４半導体層に比較して屈折率が大きく禁制帯幅が小さい
第５半導体層、該第５半導体層に比較して屈折率が小さ
く禁制帯幅が大きい第２導電形の第６半導体層を含む積
層された第２多層半導体とを備えた半導体レーザ装置に
おいて、第１多層半導体の一部を第１半導体層の深さま
で除去して形成した段差の少くとも側面を上記第２多層
半導体が蔽い、段差の上面を形成する第１多層半導体ま
たは第２多層半導体の表面の一部から第２半導体層に達
するかあるいは貫通する深さまで第１導電形の不純物を
導入して形成した第１導電領域と、該第１導電領域の上
面に形成した第１電極および前記段差の側面を蔽う第２
多層半導体上に形成した第２電極とを設けたことにより
、接合に垂直方向の横モードや水平方向の横モードまだ
は電流狭窄の各寸法がほとんどすべて結晶成長の膜厚制
御や組成制御だけで決定される構造としたため、膜厚制
御性が良好なＭＯＣＶ１７法あるいはＭＢＥ法を用いて
薄膜形成を行えば、ウェハ面内での素子特性の一様性が
よい、横モード制御された半導体レーザ装置を得ること
ができる。
性の第１半導体層上に積層された少くとも第１導電形の
第２半導体層と半絶縁性の第６半導体層とを含む第１多
層半導体と、少くとも第１導電形の第４半導体層、該第
４半導体層に比較して屈折率が大きく禁制帯幅が小さい
第５半導体層、該第５半導体層に比較して屈折率が小さ
く禁制帯幅が大きい第２導電形の第６半導体層を含む積
層された第２多層半導体とを備えた半導体レーザ装置に
おいて、第１多層半導体の一部を第１半導体層の深さま
で除去して形成した段差の少くとも側面を上記第２多層
半導体が蔽い、段差の上面を形成する第１多層半導体ま
たは第２多層半導体の表面の一部から第２半導体層に達
するかあるいは貫通する深さまで第１導電形の不純物を
導入して形成した第１導電領域と、該第１導電領域の上
面に形成した第１電極および前記段差の側面を蔽う第２
多層半導体上に形成した第２電極とを設けたことにより
、接合に垂直方向の横モードや水平方向の横モードまだ
は電流狭窄の各寸法がほとんどすべて結晶成長の膜厚制
御や組成制御だけで決定される構造としたため、膜厚制
御性が良好なＭＯＣＶ１７法あるいはＭＢＥ法を用いて
薄膜形成を行えば、ウェハ面内での素子特性の一様性が
よい、横モード制御された半導体レーザ装置を得ること
ができる。
第１図は従来の利得導波形半導体レーザ装置の断面図、
第２図は従来の屈折率導波形半導体レーザ装置の断面図
、第６図は本発明による半導体レーザ装置の一例を示す
断面図、第４図は本発明による半導体レーザ装置の第１
の実施例における製造工程を示す断面図で、（ａ）は第
１多層半導体、（ｂ）は上記第１多層半導体に形成した
段差、（Ｃ）は上記段差の上面、側面、底面に積層した
第２多層半導体、（ｄ、）は上記第２多層半導体の表面
から設けた溝、（ｅ）は第１導電領域を形成した状態、
（ｆ）は第１電極と第２電極とを設けた状態を示し、第
５図は本発明による半導体レーザ装置の第２の実施例を
示す断面図、第６図は上記半導体レーザ半導体レーザ装
置の第４の実施例を示す断面図である。 ２・・・第６半導体層 ６・・・第５半導体層４・・・
第４半導体層 １１・・・第１半導体層１２・・・第２
半導体層 １８．２２．２５・・・第６半導体層 １９・・・第１導電領域（Ｚｎ拡散領域）２０・・・第
１電極（ｐ電極） ２１・・・第２電極（１］電極） 代理人弁理士 中村純之助 矛１ 図 卆２図 １′Ｆ３図 卆４図 第１頁の続き 央研究所内
第２図は従来の屈折率導波形半導体レーザ装置の断面図
、第６図は本発明による半導体レーザ装置の一例を示す
断面図、第４図は本発明による半導体レーザ装置の第１
の実施例における製造工程を示す断面図で、（ａ）は第
１多層半導体、（ｂ）は上記第１多層半導体に形成した
段差、（Ｃ）は上記段差の上面、側面、底面に積層した
第２多層半導体、（ｄ、）は上記第２多層半導体の表面
から設けた溝、（ｅ）は第１導電領域を形成した状態、
（ｆ）は第１電極と第２電極とを設けた状態を示し、第
５図は本発明による半導体レーザ装置の第２の実施例を
示す断面図、第６図は上記半導体レーザ半導体レーザ装
置の第４の実施例を示す断面図である。 ２・・・第６半導体層 ６・・・第５半導体層４・・・
第４半導体層 １１・・・第１半導体層１２・・・第２
半導体層 １８．２２．２５・・・第６半導体層 １９・・・第１導電領域（Ｚｎ拡散領域）２０・・・第
１電極（ｐ電極） ２１・・・第２電極（１］電極） 代理人弁理士 中村純之助 矛１ 図 卆２図 １′Ｆ３図 卆４図 第１頁の続き 央研究所内
Claims (3)
- （１）半絶縁性の第１半導体層上に積層された少くとも
第１導電形の第２半導体層と半絶縁性の第６半導体層と
を含む第１多層半導体と、少くとも第１導電形の第４半
導体層、該第４半導体層に比較して屈折率が大きく禁制
帯幅が小さい第５半導体層、該第５半導体層に比較して
屈折率が小さく禁制帯幅が大きい第２導電形の第６半導
体層を含む積層された第２多層半導体とを備えた半導体
レーザ装置において、第１多層半導体の一部を第１半導
体層の深さまで除去して形成した段差の少くとも側面を
上記第２多層半導体が蔽い、その際第６半導体層より第
４半導体層が側面に近くなるように配置し、段差の上面
を形成する第１多層半導体または第２多層半導体の表面
の一部から第２半導体層に達するかあるいは貫通する深
さまで、第１導電形の不純物を導入して形成した第１導
電領域と、該第１導電領域の上面に形成した第１電極お
よび前記段差の側面を蔽う第２多層半導体上に形成した
第２電極とを設けたことを特徴とする半導体レニザ装置
。 - （２）上記°第２半導体層は屈折率が第１半導体層およ
び第６半導体層の屈折率よりも相対的に大きいことを特
徴とする特許請求の範囲第１項に記載した半導体レーザ
装置。 - （３）上記第１半導体層および第６半導体層は禁制帯幅
が第５半導体層の禁制帯幅に比較して同じかあるいは小
さいことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載した
半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18687383A JPS6080287A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18687383A JPS6080287A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6080287A true JPS6080287A (ja) | 1985-05-08 |
Family
ID=16196165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18687383A Pending JPS6080287A (ja) | 1983-10-07 | 1983-10-07 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6080287A (ja) |
-
1983
- 1983-10-07 JP JP18687383A patent/JPS6080287A/ja active Pending
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