JPS6077476A - 導波形レ−ザ−及びその製造方法 - Google Patents
導波形レ−ザ−及びその製造方法Info
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- JPS6077476A JPS6077476A JP18455183A JP18455183A JPS6077476A JP S6077476 A JPS6077476 A JP S6077476A JP 18455183 A JP18455183 A JP 18455183A JP 18455183 A JP18455183 A JP 18455183A JP S6077476 A JPS6077476 A JP S6077476A
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- laser
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- glass
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
- H01S3/06—Construction or shape of active medium
- H01S3/063—Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
- H01S3/0632—Thin film lasers in which light propagates in the plane of the thin film
- H01S3/0635—Thin film lasers in which light propagates in the plane of the thin film provided with a periodic structure, e.g. using distributed feed-back, grating couplers
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- Optics & Photonics (AREA)
- Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は薄膜状のガラス導波路として構成されたレーザ
ー及びその製造方法に関する。
ー及びその製造方法に関する。
従来この種のレーザーは表面に徽細な凹凸の回折格子が
刻まれたガラス基板上にポリウレタンやポリメチルメタ
クリレートなどの透明な樹脂をつけ、この樹脂にローダ
ミン６Ｇなどのレーザー発光色素を含浸させた構造とな
っていた。
刻まれたガラス基板上にポリウレタンやポリメチルメタ
クリレートなどの透明な樹脂をつけ、この樹脂にローダ
ミン６Ｇなどのレーザー発光色素を含浸させた構造とな
っていた。
レーザ一部が樹脂でできているため、熱に弱く、大パワ
ー、早い繰返し、長期の信頼性に乏しいなどの欠点ケ有
していた。また、ガラスにミクロン、サブミクロンピッ
チの微細な回折格子を構成するためにはレジストを用い
て、エツチングなどをしなければならず、多くの工程と
高い技術を要し、更に量産性に欠けるという欠点があっ
た。またこのレーザーでは用いることが可能なレーザー
発光物質はローダミン６Ｇなどの有機発光物質のみであ
シ、ネオジムを始めとした希土類イオンのレーザーは作
れず、劣化しやすいため信頼性が悪いという欠点を有し
ていた。
ー、早い繰返し、長期の信頼性に乏しいなどの欠点ケ有
していた。また、ガラスにミクロン、サブミクロンピッ
チの微細な回折格子を構成するためにはレジストを用い
て、エツチングなどをしなければならず、多くの工程と
高い技術を要し、更に量産性に欠けるという欠点があっ
た。またこのレーザーでは用いることが可能なレーザー
発光物質はローダミン６Ｇなどの有機発光物質のみであ
シ、ネオジムを始めとした希土類イオンのレーザーは作
れず、劣化しやすいため信頼性が悪いという欠点を有し
ていた。
本発明はこれらの欠点を除去するためなされたものであ
シ、その目的はレジストを用いない導波形レーザー及び
その製造方法を提供することにある。
シ、その目的はレジストを用いない導波形レーザー及び
その製造方法を提供することにある。
本発明を概説すれば、本発明の第１の発明は導波形レー
ザーの発明であって、基板上にレーザー発光物質と共振
構造を有するガラス薄膜導波路が形成されていることを
特徴とする。
ザーの発明であって、基板上にレーザー発光物質と共振
構造を有するガラス薄膜導波路が形成されていることを
特徴とする。
そして、本発明の第２の発明は導波形レーザーの製造方
法の発明であって、基板上にレーザー発光物質を含むガ
ラス薄膜導波路を形成する工程と、ガラス薄膜導波路に
共振構造を形成する工程の各工程を包含することを特徴
とする。
法の発明であって、基板上にレーザー発光物質を含むガ
ラス薄膜導波路を形成する工程と、ガラス薄膜導波路に
共振構造を形成する工程の各工程を包含することを特徴
とする。
本発明の導波形レーザーを図面に基づいて説明する。第
１図（ａ）〜ωは本発明の導波形レーザーの各側の概略
図である。第１図において符号１はガラス基板、２け回
折格子、３及び３１はガラス薄膜、４はレーザー光、５
はミラーそして６は低屈折率ガラス薄膜を意味する。（
ａ）ではガラス基板１上に回折格子２がつけられている
。
１図（ａ）〜ωは本発明の導波形レーザーの各側の概略
図である。第１図において符号１はガラス基板、２け回
折格子、３及び３１はガラス薄膜、４はレーザー光、５
はミラーそして６は低屈折率ガラス薄膜を意味する。（
ａ）ではガラス基板１上に回折格子２がつけられている
。
その上にはレーザー発光物質を含む高屈折率のガラス薄
膜６があシ、このガラス薄膜３の全面若しくは薄膜面内
に導波方向から励起光を照射することによりレーザー光
４を出すことができる。（ｂ）では、ガラス基板１上に
、回折格子２がつけられたレーザー発光物質を含む高屈
折率のガラス薄膜３がおり、このガラス薄膜３の全面若
しくは薄膜面内に導波方向から励起光を照射することに
よ勺レーザー光４を出すことができる。（Ｃ）では、ガ
ラス基板１に回折格子２と共に溝が切ってあり、そのた
め、レーザー発光物質を含む高屈折率のガラス薄膜３は
面内方向についても導波構造となっている。このガラス
薄膜３の全面若しくは導波方向から励起光を照射するこ
とによりレーザー光４を出すことができる。
膜６があシ、このガラス薄膜３の全面若しくは薄膜面内
に導波方向から励起光を照射することによりレーザー光
４を出すことができる。（ｂ）では、ガラス基板１上に
、回折格子２がつけられたレーザー発光物質を含む高屈
折率のガラス薄膜３がおり、このガラス薄膜３の全面若
しくは薄膜面内に導波方向から励起光を照射することに
よ勺レーザー光４を出すことができる。（Ｃ）では、ガ
ラス基板１に回折格子２と共に溝が切ってあり、そのた
め、レーザー発光物質を含む高屈折率のガラス薄膜３は
面内方向についても導波構造となっている。このガラス
薄膜３の全面若しくは導波方向から励起光を照射するこ
とによりレーザー光４を出すことができる。
（ａ）ではガラス基板１に回折格子２と共に合波回路と
すべき溝が切ってあシ、そのためレーザー発光物質を含
む高屈折率のガラス薄膜３は合波路であり、その一部に
回折格子がついた構造となっている。また、２つの回折
格子は各各のピッチを変えてあシ、同一の励起光を照射
しても２種の異なる波長のレーザー光４を同一の導波路
へ出すことが可能である。また、一方の回折格子部分へ
のみ励起光を照射し、片側のみ励起さすことも可能であ
る。（ｅ）ではガラス基板１に高屈折率のガラス薄膜３
と共にリング状のレーザー発光物質を含むガラス薄膜５
１が存在し、全面への励起光の照射によりガラス薄膜３
１で共振を起したレーザー光４はガラス薄膜３を通し放
射される。（ｆ）では基板１上にレーザー発光物質を含
む高屈折率のガラス薄膜３の両端にミラー５が取付けら
れている。この全面に励起光Ｔｈｆｌｌ射することによ
りレーザー光４を放射することができる。（ハ）では基
板１に三次元的な導波路？構成するガラス薄膜３と低屈
折率のガラス薄膜６を介してガラス薄膜５とがあり、ガ
ラスＮＭｓにはレーザー発光物質が含まれている。
すべき溝が切ってあシ、そのためレーザー発光物質を含
む高屈折率のガラス薄膜３は合波路であり、その一部に
回折格子がついた構造となっている。また、２つの回折
格子は各各のピッチを変えてあシ、同一の励起光を照射
しても２種の異なる波長のレーザー光４を同一の導波路
へ出すことが可能である。また、一方の回折格子部分へ
のみ励起光を照射し、片側のみ励起さすことも可能であ
る。（ｅ）ではガラス基板１に高屈折率のガラス薄膜３
と共にリング状のレーザー発光物質を含むガラス薄膜５
１が存在し、全面への励起光の照射によりガラス薄膜３
１で共振を起したレーザー光４はガラス薄膜３を通し放
射される。（ｆ）では基板１上にレーザー発光物質を含
む高屈折率のガラス薄膜３の両端にミラー５が取付けら
れている。この全面に励起光Ｔｈｆｌｌ射することによ
りレーザー光４を放射することができる。（ハ）では基
板１に三次元的な導波路？構成するガラス薄膜３と低屈
折率のガラス薄膜６を介してガラス薄膜５とがあり、ガ
ラスＮＭｓにはレーザー発光物質が含まれている。
この両端面にミラーと取付け（図中では省略）全面に励
起光を照射することによりレーザー光４を出すことがで
きる。なおこの場合、２つのガラス薄膜３のレーザー発
光物質を変えるか、又は広い波長範囲のレーザー発振ケ
起し得るレーザー発光物質の場合にはミラー間の光路長
を屈折率によシ変えるなどにより異なる発振波長を得る
こともできる。
起光を照射することによりレーザー光４を出すことがで
きる。なおこの場合、２つのガラス薄膜３のレーザー発
光物質を変えるか、又は広い波長範囲のレーザー発振ケ
起し得るレーザー発光物質の場合にはミラー間の光路長
を屈折率によシ変えるなどにより異なる発振波長を得る
こともできる。
このように本発明による導波形レーザーではすべての部
分がガラスでできているため、熱に強く、パワーを大き
くすることも可能である。
分がガラスでできているため、熱に強く、パワーを大き
くすることも可能である。
第２図は本発明による導波形レーザーの製造方法の一実
施例を示す工程図であり、多孔質ガラスとしてゾル−ゲ
ル法によるものを用いる場合を説明しである。第２図に
おいて、符号１及び３け２Ｉ￥１図と同義、７及び７１
け溶液、８は型、９けゲルを意味する。加水分解してゲ
ル化可能な金属アルコラード、水及びアルコールを主成
分とする溶液７ｆｔ、用意する。全屈アルコラードとし
てはメトキンンラン、エトキン７ラン、メトキンゲルマ
ニウム、トリットキンアルミニウムなどがあシ、アルコ
ールとしては、メタノール、エタノールなどがある。溶
液７に回折格子又は回折格子と導波路が一体となった型
８をっけ、溶液７が流動しない程度まで固まったゲル９
を作る。次に型８ケはずしゲル９の上に溶液７よりも高
屈折率でかつレーザー発光物質を含んだ溶液７１を注ぎ
、ゲル９と共に固化させ、乾燥加熱することにより導波
形レーザーを得る。
施例を示す工程図であり、多孔質ガラスとしてゾル−ゲ
ル法によるものを用いる場合を説明しである。第２図に
おいて、符号１及び３け２Ｉ￥１図と同義、７及び７１
け溶液、８は型、９けゲルを意味する。加水分解してゲ
ル化可能な金属アルコラード、水及びアルコールを主成
分とする溶液７ｆｔ、用意する。全屈アルコラードとし
てはメトキンンラン、エトキン７ラン、メトキンゲルマ
ニウム、トリットキンアルミニウムなどがあシ、アルコ
ールとしては、メタノール、エタノールなどがある。溶
液７に回折格子又は回折格子と導波路が一体となった型
８をっけ、溶液７が流動しない程度まで固まったゲル９
を作る。次に型８ケはずしゲル９の上に溶液７よりも高
屈折率でかつレーザー発光物質を含んだ溶液７１を注ぎ
、ゲル９と共に固化させ、乾燥加熱することにより導波
形レーザーを得る。
この時ゲル９け溶液７．７１の成分比により一定の決っ
た割合で収縮する。そのため型８は一定の割合で大きく
作っておくことができ、本来微細な型８の準備も容易で
ある。溶液７及び７１は収縮率ができるだけ同一のもの
を用いることが好ましい。溶液７１のように高屈折率と
するにはゲルマニウムのアルコキシドなどを混入するか
、チタンなどのイオンを混入すれば良い。
た割合で収縮する。そのため型８は一定の割合で大きく
作っておくことができ、本来微細な型８の準備も容易で
ある。溶液７及び７１は収縮率ができるだけ同一のもの
を用いることが好ましい。溶液７１のように高屈折率と
するにはゲルマニウムのアルコキシドなどを混入するか
、チタンなどのイオンを混入すれば良い。
またレーザー発光物質としてｔよネオジムなどの希土類
と、マンガンなどの増感剤のイオン、又はローダミン６
Ｇなどの有機色素がある。
と、マンガンなどの増感剤のイオン、又はローダミン６
Ｇなどの有機色素がある。
第５図は製造方法の他の実施例を示す工程図である。第
３図において符号１．３．９は第２図と同義であシ、１
０は多孔質ガラス、１１はドーピング液を意味する。第
２図と同様に回折格子のパターンがついたゲル９を作製
する。若しくけ市販の多孔質ガラス１０ｉ用意する。こ
のゲル９若しくは多孔質ガラス１０ｉ高屈折率ノイオン
及びレーザー発光物質を含むドーピング液１１に漬ける
。これを取出し、乾燥加熱することにより導波形レーザ
ーを得る。
３図において符号１．３．９は第２図と同義であシ、１
０は多孔質ガラス、１１はドーピング液を意味する。第
２図と同様に回折格子のパターンがついたゲル９を作製
する。若しくけ市販の多孔質ガラス１０ｉ用意する。こ
のゲル９若しくは多孔質ガラス１０ｉ高屈折率ノイオン
及びレーザー発光物質を含むドーピング液１１に漬ける
。これを取出し、乾燥加熱することにより導波形レーザ
ーを得る。
以下本発明を実施例にょシ更に具体的に説明するが本発
明はこれらに限定されない。
明はこれらに限定されない。
実施例１
第２図の方法によシ、溶液７としてテトラメトキシシラ
ン、水及びメタノールを１：４：４のモル比で混合した
ものを用い、溶液７１として、溶液７にテトラメトキシ
ゲルマニウム、ローダミン６Ｇの混入したものを用い、
第１図（ａ）の導波形レーザーを得た。回折格子のピッ
チは０６μｍでちり、これを窒素レーザーで励起して５
８０ ｎｍのレーザー発振を得た。
ン、水及びメタノールを１：４：４のモル比で混合した
ものを用い、溶液７１として、溶液７にテトラメトキシ
ゲルマニウム、ローダミン６Ｇの混入したものを用い、
第１図（ａ）の導波形レーザーを得た。回折格子のピッ
チは０６μｍでちり、これを窒素レーザーで励起して５
８０ ｎｍのレーザー発振を得た。
実施例２
第３図の方法によシ、溶液７としてテトラエトキシシラ
ン、水及びエタノールｉ１：１５：８のモル比で混合し
たもの？用い、ドーピング液としてエタノールと水の混
合液に硝酸ネオジム及び硝酸マンガンを溶かしたものを
用い、第１図（ｂ）の導波形レーザーを得た。回折格子
のピッチは０７３μｍであ、す、これをキセノンフラッ
シュで胛射し、１１０６０ｎ のレーザー発振を得た。
ン、水及びエタノールｉ１：１５：８のモル比で混合し
たもの？用い、ドーピング液としてエタノールと水の混
合液に硝酸ネオジム及び硝酸マンガンを溶かしたものを
用い、第１図（ｂ）の導波形レーザーを得た。回折格子
のピッチは０７３μｍであ、す、これをキセノンフラッ
シュで胛射し、１１０６０ｎ のレーザー発振を得た。
実施例３
第２図の方法によシ溶液７としてテトラメトキシシラン
、エトキシナトリウム、水及びメタノールを０．８５
： ０．１５ ： ４ ： ４のモル比で混合したもの
を用い、溶液７１として溶液７に塩化リン及び塩化ネオ
ジムの混合したものケ用い、第１図（ｂ）の導波形レー
ザーを得た。回折格子のピッチけ１．１μｍであシ、こ
れをエキシマレーザ−で励起して１０６０ ｎｍのレー
ザー発振を得た。
、エトキシナトリウム、水及びメタノールを０．８５
： ０．１５ ： ４ ： ４のモル比で混合したもの
を用い、溶液７１として溶液７に塩化リン及び塩化ネオ
ジムの混合したものケ用い、第１図（ｂ）の導波形レー
ザーを得た。回折格子のピッチけ１．１μｍであシ、こ
れをエキシマレーザ−で励起して１０６０ ｎｍのレー
ザー発振を得た。
実施例４
第２図の方法によシ溶液７としてテトラメトキシシラン
、水及びメタノールを１：６：６０モル比で混合したも
のを用い、溶液７１として溶液７にテトラメトキシゲル
マニウム及びローダミン６Ｇの混入したものを用い、第
１図（ｄ）の導波形レーザーを得た。回折格子のピッチ
は１．０μｍと１，０５μｍ であった。この両方を窒
素レーザーで励起し、５８０ ｎｍ と６００ ｎｍの
２つのレーザー光の同時発振を得、一方ずつを励起した
場合、各各一方の波長の発振を得た。
、水及びメタノールを１：６：６０モル比で混合したも
のを用い、溶液７１として溶液７にテトラメトキシゲル
マニウム及びローダミン６Ｇの混入したものを用い、第
１図（ｄ）の導波形レーザーを得た。回折格子のピッチ
は１．０μｍと１，０５μｍ であった。この両方を窒
素レーザーで励起し、５８０ ｎｍ と６００ ｎｍの
２つのレーザー光の同時発振を得、一方ずつを励起した
場合、各各一方の波長の発振を得た。
実施例５
第６図の方法によ勺、多孔質ガラス９牙ローダミン６Ｇ
と塩化ゲルマニウムの溶液１１に浸した後、乾燥加熱し
、第１図（ｆ）の導波形レーザーを得た。これにミラ−
５ｆｔ蒸着し、キセノンフラッシュで励起し、５９０ｎ
ｍ のレーザー発振を得た。
と塩化ゲルマニウムの溶液１１に浸した後、乾燥加熱し
、第１図（ｆ）の導波形レーザーを得た。これにミラ−
５ｆｔ蒸着し、キセノンフラッシュで励起し、５９０ｎ
ｍ のレーザー発振を得た。
実施例６
第２図の方法を用い、溶液７としてテトラメトキシシラ
ン、水及びメタノールを１ ：６：６のモル比で混合し
たものを用い、型８として平坦なものを用い、ゲル９を
得た。次にこの上に溶液７１として溶液７［テトラメト
キシゲルマニウム及びローダミン６Ｇの混入したものを
流しゲル化させ、次に溶液７を流し込み、ゲル化させる
。これを３回繰返し、レーザー発光物質を含む層が３層
のものを得た。これを乾燥、加熱したものにミラー５を
取付け、キセノンフラッシュで励起した。各科の層のゲ
ルマニラＡｆｔを変えることにより、５８５．５９２又
は６０９ｎｍ のレーザー発振を得た。
ン、水及びメタノールを１ ：６：６のモル比で混合し
たものを用い、型８として平坦なものを用い、ゲル９を
得た。次にこの上に溶液７１として溶液７［テトラメト
キシゲルマニウム及びローダミン６Ｇの混入したものを
流しゲル化させ、次に溶液７を流し込み、ゲル化させる
。これを３回繰返し、レーザー発光物質を含む層が３層
のものを得た。これを乾燥、加熱したものにミラー５を
取付け、キセノンフラッシュで励起した。各科の層のゲ
ルマニラＡｆｔを変えることにより、５８５．５９２又
は６０９ｎｍ のレーザー発振を得た。
以上説明したように本発明による導波形レーザーは、ガ
ラスですべてができているため、熱による劣化が少ない
という特徴がある。また、本発明による導波形レーザー
の製造方法によればレジストなどを用いることなく回折
格子が得られ、また高熱の処理などが不要であシ、簡単
な装置で容易に製造できることから経済性に富むという
利点がある。更に本発明方法によれば従来得られなかっ
たガラスの色素レーザーが得られるという特徴がある。
ラスですべてができているため、熱による劣化が少ない
という特徴がある。また、本発明による導波形レーザー
の製造方法によればレジストなどを用いることなく回折
格子が得られ、また高熱の処理などが不要であシ、簡単
な装置で容易に製造できることから経済性に富むという
利点がある。更に本発明方法によれば従来得られなかっ
たガラスの色素レーザーが得られるという特徴がある。
第１図は本発明の導波形レーザーの各側の概略図、第２
図及び第３図は本発明による導波形レーザーの製造方法
の例の工程図である。 １ニガラス基板、２：回折格子、３及び３１ニガラス薄
膜、４：レーザー光、５：ミラー、６：低屈折率ガラス
薄膜、７及び７１：溶液、ｓ：Ｗｓ ９ニゲル、１０：
多孔質ガラス、１１ニド−ピング液 特許出願人 日本電信電話公判 代理人 中 本 宏 同 井 上 昭 （α） （Ｃ） 勇 ／ （１）） （ｄ） 図 （ｅ） （ｑ） 第 ７１ （ｆ〕 図 第 ２ 図 第 ３ 図 口ｉｉＩ回 手続補正書（自発補正） 昭和５９年 ２月 ８日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １事件の表示 昭和５８年特許願第１８４５５１、発明
の名称 導波形レーザー及びその製造方法５補正金する
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号名 称
（４２２） 日本電信電話公社代表者 真 藤 恒 住 所 東京都港区西新橋６丁目１５番８号西新橋中央
ビル５０２号 電話（４５７）−５４６７氏 名 弁理
士（７８５０） 中 本 宏Ｃ１１か１名） ５、補正命令の日月 自発補正 ＆補正により増加する発明の斂 ０ Ｚ補正の対象 （１） 明細書の発明の詳１）ｌｌｌな説明の相ａ補正
の内容 （１） 明＃ＩＩＩ沓の発明の詳細な説明の榴を以下の
とおシ補正する。 （イ） 明細ヤ３の第１２頁下から８行のＩｆ得た。」
の次に改行して以下の文を加入する。 ［実施例７ 第２図の方法により、浴液７としてテ トラメトキシシラン、水及びメタノールに＋：６二６の
モル比で６？、合したもの葡用い、浴液７１として浴液
７にテトラメトキシケルマニウム及びトリブトキシネオ
ジムの５％アルコールｍ液の混入したものを用い、第１
図（ＯＪの導波形レーザーを得た。回折格子のピッチは
０．７５μｍであす、これをキセノンフラッシュで照射
し、１０６０ ｎｍ のレーザー発振を得た。」
図及び第３図は本発明による導波形レーザーの製造方法
の例の工程図である。 １ニガラス基板、２：回折格子、３及び３１ニガラス薄
膜、４：レーザー光、５：ミラー、６：低屈折率ガラス
薄膜、７及び７１：溶液、ｓ：Ｗｓ ９ニゲル、１０：
多孔質ガラス、１１ニド−ピング液 特許出願人 日本電信電話公判 代理人 中 本 宏 同 井 上 昭 （α） （Ｃ） 勇 ／ （１）） （ｄ） 図 （ｅ） （ｑ） 第 ７１ （ｆ〕 図 第 ２ 図 第 ３ 図 口ｉｉＩ回 手続補正書（自発補正） 昭和５９年 ２月 ８日 特許庁長官 若 杉 和 夫 殿 １事件の表示 昭和５８年特許願第１８４５５１、発明
の名称 導波形レーザー及びその製造方法５補正金する
者 事件との関係 特許出願人 住 所 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号名 称
（４２２） 日本電信電話公社代表者 真 藤 恒 住 所 東京都港区西新橋６丁目１５番８号西新橋中央
ビル５０２号 電話（４５７）−５４６７氏 名 弁理
士（７８５０） 中 本 宏Ｃ１１か１名） ５、補正命令の日月 自発補正 ＆補正により増加する発明の斂 ０ Ｚ補正の対象 （１） 明細書の発明の詳１）ｌｌｌな説明の相ａ補正
の内容 （１） 明＃ＩＩＩ沓の発明の詳細な説明の榴を以下の
とおシ補正する。 （イ） 明細ヤ３の第１２頁下から８行のＩｆ得た。」
の次に改行して以下の文を加入する。 ［実施例７ 第２図の方法により、浴液７としてテ トラメトキシシラン、水及びメタノールに＋：６二６の
モル比で６？、合したもの葡用い、浴液７１として浴液
７にテトラメトキシケルマニウム及びトリブトキシネオ
ジムの５％アルコールｍ液の混入したものを用い、第１
図（ＯＪの導波形レーザーを得た。回折格子のピッチは
０．７５μｍであす、これをキセノンフラッシュで照射
し、１０６０ ｎｍ のレーザー発振を得た。」
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 基板上にレーザー発光物質と共振構造を有するガ
ラス薄膜導波路が形成されていることを特徴とする導波
形Ｖ−ザー。 ２、 該共振のだめの構造がミラー、回折格子又はリン
グ状の導波路を有しているものである特許請求の範囲第
１項記載の導波形レーザー。 五 導波路が、二次元又は三次元構造である特許請求の
範囲第１項記載の導波形レーザー。 ４、導波路が複数積層されている特許請求の範囲第１項
記載の導波形レーザー。 １ 基板上にレーザー発光物質を含むガラス薄膜導波路
を形成する工程と、ガラス薄膜導波路に共振構造を形成
する工程の各工程を包含することを特徴とする導波形レ
ーザーの製造方法。 ３ ＆ 該基板が多孔質ガラスである特許請求の範囲第５項
記載の導波形レーザーの製造方法。 Ｚ 該多孔質ガラス基板上に高屈折率物質とレーザー発
光物質を拡散させる特許請求の範囲第５項記載の導波形
レーザーの製造方法。 ａ 該導波路が加水分解してゲル化可能な金属アルコラ
ード溶液をゲル化し、その上に組成の異なる金属アルコ
ラード溶液を流し込み、ゲル化させ、乾燥、加熱して製
作するものである特許請求の範囲第５項記載の導波形レ
ーザーの製造方法。 ９ 少なくとも一方の金属アルコラード溶液を所定の型
と一定時間接触させながらゲル化させたのち離型する工
程を有する特許請求の範囲第８項記載の導波形レーザー
の製造方法。 １［１該ゲル上に組成の異なる金属アルコラード溶液を
流し込む工程を複数回繰返す特許請求の範囲第８項記載
の導波形レーザーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18455183A JPS6077476A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 導波形レ−ザ−及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18455183A JPS6077476A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 導波形レ−ザ−及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6077476A true JPS6077476A (ja) | 1985-05-02 |
Family
ID=16155175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18455183A Pending JPS6077476A (ja) | 1983-10-04 | 1983-10-04 | 導波形レ−ザ−及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6077476A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0225083A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ガラス導波路レーザおよび増幅器の製造方法 |
| JPH0465886A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 分布反射型色素セル及び分布反射型色素レーザ装置 |
| US10197804B2 (en) | 2016-04-25 | 2019-02-05 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Refractive coating for diffractive optical elements |
-
1983
- 1983-10-04 JP JP18455183A patent/JPS6077476A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0225083A (ja) * | 1988-07-14 | 1990-01-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ガラス導波路レーザおよび増幅器の製造方法 |
| JP2708793B2 (ja) * | 1988-07-14 | 1998-02-04 | 日本電信電話株式会社 | ガラス導波路レーザおよび増幅器の製造方法 |
| JPH0465886A (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-02 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 分布反射型色素セル及び分布反射型色素レーザ装置 |
| US10197804B2 (en) | 2016-04-25 | 2019-02-05 | Microsoft Technology Licensing, Llc | Refractive coating for diffractive optical elements |
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