JPS607702A - 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS607702A JPS607702A JP58117568A JP11756883A JPS607702A JP S607702 A JPS607702 A JP S607702A JP 58117568 A JP58117568 A JP 58117568A JP 11756883 A JP11756883 A JP 11756883A JP S607702 A JPS607702 A JP S607702A
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- Japan
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- voltage
- mol
- noise
- nonlinear resistor
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は各種電気機器、電子機器において異常電圧吸収
用及びノイズ除去用などに利用される電圧依存性非直線
抵抗体(以下バリスタと呼ぶ)を作るのに好適な電圧依
存性非直−抵抗体磁器組成物に関するものである。
用及びノイズ除去用などに利用される電圧依存性非直線
抵抗体(以下バリスタと呼ぶ)を作るのに好適な電圧依
存性非直−抵抗体磁器組成物に関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、各種電気機器、電子機器における異常高電圧(以
下サージと呼ぶ)の吸収、雑音の除去。
下サージと呼ぶ)の吸収、雑音の除去。
火花消去などのために電圧依存性非直線抵抗特性を有す
るSiCバリスタやZnO系バリスタなどが使用されて
いた。このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に
次式のように表わすことができる。
るSiCバリスタやZnO系バリスタなどが使用されて
いた。このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に
次式のように表わすことができる。
I −(V/cだ
ここで一工は電流、■は電圧−〇はバリスタ固有の定数
であり、巷は電圧非直縁指数である08iOバリスタの
番は2〜7程度−zno系バリスタでは番が50にもお
よぶものがある。このようなバリスタはサージのように
比較的高い電圧の吸収に優れた性能を有しているが、誘
電率が低く固有静電容量が小さいため、バリスタ電圧以
下の低い電圧の吸収(例えばノイズなど)に対してはほ
とんど効果を示さず、また誘電損失角(tanδ)も6
〜1o%と太きい。
であり、巷は電圧非直縁指数である08iOバリスタの
番は2〜7程度−zno系バリスタでは番が50にもお
よぶものがある。このようなバリスタはサージのように
比較的高い電圧の吸収に優れた性能を有しているが、誘
電率が低く固有静電容量が小さいため、バリスタ電圧以
下の低い電圧の吸収(例えばノイズなど)に対してはほ
とんど効果を示さず、また誘電損失角(tanδ)も6
〜1o%と太きい。
一方、これらのノイズなどの除去には組成や焼成条件を
適当に選択することにより、見かけの誘電率が6×10
〜6×1o 程度で伽δが1%前後の半導体磁器コンデ
ンサが利用きれている。しかし、この半導体磁器コンデ
ンサはサージなどによりある限度以上の電流が素子に印
加されると破壊したり、コンデンサとしての機能を果た
きなくなったりする。
適当に選択することにより、見かけの誘電率が6×10
〜6×1o 程度で伽δが1%前後の半導体磁器コンデ
ンサが利用きれている。しかし、この半導体磁器コンデ
ンサはサージなどによりある限度以上の電流が素子に印
加されると破壊したり、コンデンサとしての機能を果た
きなくなったりする。
上記のような理由で電気機器、電子機器においては、サ
ージ吸収やノイズ除去などの目的のためには、通常バリ
スタとコンデンサ及び他の部品(例えばコイル)とを組
み合わせて使用され5例えばノイズフィルタはこのよう
な構成になっているO 第1図は一般的な従来のノイズフィルタ回路を示し、第
2図はバリスタとコンデンサ及びコイルを組み合わせて
構成された従来のノイズフィルタ回路を示しており、1
はコイル、2はコンデンサー3はバリスタである。
ージ吸収やノイズ除去などの目的のためには、通常バリ
スタとコンデンサ及び他の部品(例えばコイル)とを組
み合わせて使用され5例えばノイズフィルタはこのよう
な構成になっているO 第1図は一般的な従来のノイズフィルタ回路を示し、第
2図はバリスタとコンデンサ及びコイルを組み合わせて
構成された従来のノイズフィルタ回路を示しており、1
はコイル、2はコンデンサー3はバリスタである。
しかし、このような第2図に示す構成は機器内部におけ
る部品点数が多くなる上に機器の小形化動向に相反する
という欠点を有していた。
る部品点数が多くなる上に機器の小形化動向に相反する
という欠点を有していた。
発明の目的
本発明は上記のような従来のサージ吸収。ノイズ除去に
おける欠点を除去し−バリスタとコンデンサの両方の機
能を有し、1個の素子でサージ吸収、ノイズ除去が可能
な複合機能を有するバリスタを作るのに好適な磁器組成
物を提供することを目的、とじている。
おける欠点を除去し−バリスタとコンデンサの両方の機
能を有し、1個の素子でサージ吸収、ノイズ除去が可能
な複合機能を有するバリスタを作るのに好適な磁器組成
物を提供することを目的、とじている。
発明の構成
本発明は上記のような目的を達成するために。
SrTiO3と一半導体化促進用金属酸化物としてNb
2O5とTa205、さらに添加物としてMnO2と−
Y 、 Cs 、Au 、Mo 、S 、 Be 、A
lからなる群から選択された少なくとも1種類以上の元
素を所定量含有する構成とした電圧依存性非直線抵抗体
磁器組成物を提案するものである。
2O5とTa205、さらに添加物としてMnO2と−
Y 、 Cs 、Au 、Mo 、S 、 Be 、A
lからなる群から選択された少なくとも1種類以上の元
素を所定量含有する構成とした電圧依存性非直線抵抗体
磁器組成物を提案するものである。
実施例の説明
以下に本発明を実施例を挙げて具体的に説明するO
sr’rto3とNb2o、、 Ta205とMnO2
、Y2O5を下記の表に示した組成比になるように秤量
した後、ボールミルなどにより湿式で6時間混合し、乾
燥させた後空気中で10oo〜1260℃、1〜6時間
仮焼する。その後、ボールミルなどにより湿式で4時間
粉砕し、乾燥させた後、有機バインダー(例えばポリビ
ニルアルコールなど)を6wt%加え造粒した後、s、
ommφX 1 、omm tの形状にプレス圧1.0
j/crMで加圧成型した。この成型体を還元雰囲気(
例えばN2:H2=10:1)にて13oo〜1450
’(:、で1〜6時間焼成した。こうして得られた焼成
体の比抵抗は0.1〜0.80・鑞で一平均粒径は20
〜60μmであった。次に、この焼成体を空気中で10
00〜1300’Cで0.6〜6時間焼成し一第3図の
焼結体4を得た。
、Y2O5を下記の表に示した組成比になるように秤量
した後、ボールミルなどにより湿式で6時間混合し、乾
燥させた後空気中で10oo〜1260℃、1〜6時間
仮焼する。その後、ボールミルなどにより湿式で4時間
粉砕し、乾燥させた後、有機バインダー(例えばポリビ
ニルアルコールなど)を6wt%加え造粒した後、s、
ommφX 1 、omm tの形状にプレス圧1.0
j/crMで加圧成型した。この成型体を還元雰囲気(
例えばN2:H2=10:1)にて13oo〜1450
’(:、で1〜6時間焼成した。こうして得られた焼成
体の比抵抗は0.1〜0.80・鑞で一平均粒径は20
〜60μmであった。次に、この焼成体を空気中で10
00〜1300’Cで0.6〜6時間焼成し一第3図の
焼結体4を得た。
さらに、上記焼結体4の側平面をSiCなどの研磨剤で
研磨し+ Agなどの導電性金属を用いて電極6.6を
形成した。上記電極6,6の径は5.0mmφとした。
研磨し+ Agなどの導電性金属を用いて電極6.6を
形成した。上記電極6,6の径は5.0mmφとした。
このようにして得られた素子の特性を下記の表に併せて
示す。
示す。
ここで、素子のバリスタとしての特性評価は上述した電
圧−電流特性式 %式%) (ただし、工は電流、■は電圧、Cはバリスタ固って行
うことが可能である。しかし、Cの正確な測定が困難で
あるため1本発明においては1mAのバリスタ電流を流
した時の単位厚み当りのバリスタ電圧(以下V 1mA
/’111mと呼ぶ)の値と一4=1/logV 1o
mA/ V +mA ) (ただし−VlomAは10
mAのパリ’A mA のバリスタ電流を流した時のバ
リスタ電圧): の値によりバリスタとしての特性評価
を行ってぃ■ る。また、コンデンサとしての特性評価
は測定周波数1に■2における誘電率ε、誘電損失角−
δで行っている。上記のデータは還元雰囲気における焼
成温度3時間を1400℃、2時間、空気中での焼成温
度1時間i1200°C33時間で行ったものである。
圧−電流特性式 %式%) (ただし、工は電流、■は電圧、Cはバリスタ固って行
うことが可能である。しかし、Cの正確な測定が困難で
あるため1本発明においては1mAのバリスタ電流を流
した時の単位厚み当りのバリスタ電圧(以下V 1mA
/’111mと呼ぶ)の値と一4=1/logV 1o
mA/ V +mA ) (ただし−VlomAは10
mAのパリ’A mA のバリスタ電流を流した時のバ
リスタ電圧): の値によりバリスタとしての特性評価
を行ってぃ■ る。また、コンデンサとしての特性評価
は測定周波数1に■2における誘電率ε、誘電損失角−
δで行っている。上記のデータは還元雰囲気における焼
成温度3時間を1400℃、2時間、空気中での焼成温
度1時間i1200°C33時間で行ったものである。
以上述べたようにNb2O5、Ta2Q5は還元焼成時
に5rTiOs f主体とする結晶中に固溶し、原子価
制御により焼結体の比抵抗ヲ1.0Ω・口前後に下げる
ことができるため、空気中で再焼成することによシ焼結
体粒子境界に高抵抗層が形成されバリスタ特性を示す。
に5rTiOs f主体とする結晶中に固溶し、原子価
制御により焼結体の比抵抗ヲ1.0Ω・口前後に下げる
ことができるため、空気中で再焼成することによシ焼結
体粒子境界に高抵抗層が形成されバリスタ特性を示す。
また+ Nb2O5は原料中のTlO2中に混存して含
まれるものであり、通常工業的に精製される原料中には
0.001〜0.200モル%含まれる。Nb2O5だ
けでsr’rto3を半導体化した場合、比抵抗はやや
高くなりバリスタ特性は示すものの特性が不安定である
。しかし、Nb2O5にTa205 k加えると比抵抗
を低くすることができ、安定した特性が得られる。Ta
205の添加量は多過ぎると他の添加物の固溶を阻害す
るため0.001〜5−000モル%が適当である。
まれるものであり、通常工業的に精製される原料中には
0.001〜0.200モル%含まれる。Nb2O5だ
けでsr’rto3を半導体化した場合、比抵抗はやや
高くなりバリスタ特性は示すものの特性が不安定である
。しかし、Nb2O5にTa205 k加えると比抵抗
を低くすることができ、安定した特性が得られる。Ta
205の添加量は多過ぎると他の添加物の固溶を阻害す
るため0.001〜5−000モル%が適当である。
さらに+ MnO2ff:添加するとバリスタ特性を示
すようになるが一誘電皐が小さく−δも大きくなる。し
かし+ Y2O6に同時に添加するとα、誘電率共に大
きくなり−tanδは小さくなるため、特性は大幅に改
善される。ここで、MnO2は添加量が多くなると論δ
が大きくなり、特性が劣化するため、0.001〜2.
000モル%が適当である。また−Y2O6は添加量が
多くなると誘電率が小烙くなるため−0,001〜2,
000モル%が適当である。
すようになるが一誘電皐が小さく−δも大きくなる。し
かし+ Y2O6に同時に添加するとα、誘電率共に大
きくなり−tanδは小さくなるため、特性は大幅に改
善される。ここで、MnO2は添加量が多くなると論δ
が大きくなり、特性が劣化するため、0.001〜2.
000モル%が適当である。また−Y2O6は添加量が
多くなると誘電率が小烙くなるため−0,001〜2,
000モル%が適当である。
従って、上記組成範囲で得た焼結体はバリスタとコンデ
ンサの両方の機能を持つことができる。
ンサの両方の機能を持つことができる。
なお、実施例ではY2O3についてのみ単独で用いる場
合について説明したが、これに代えてC8゜Au 、M
o 、 S 、Be 、A/ の酸化物をそれぞれ単独
で上記所定量の範囲で用いても同様の効果が得られるこ
とを確認した。また−これらy、as、Au。
合について説明したが、これに代えてC8゜Au 、M
o 、 S 、Be 、A/ の酸化物をそれぞれ単独
で上記所定量の範囲で用いても同様の効果が得られるこ
とを確認した。また−これらy、as、Au。
Mo 、 S 、 Be 、 AAの酸化物を2種類以
上、合計での添加量が上記所定量の範囲になるようにし
て用いても同様の効果が得られることを確認した。
上、合計での添加量が上記所定量の範囲になるようにし
て用いても同様の効果が得られることを確認した。
上記の素子を使用して第4図に示すような回路を作り、
第6図に示すようなノイズ入力Aに対して出力状況を調
べた結果、第6図の出力状況曲線Bに示すようにノイズ
をおさえることができた。
第6図に示すようなノイズ入力Aに対して出力状況を調
べた結果、第6図の出力状況曲線Bに示すようにノイズ
をおさえることができた。
第6図で7は本発明の素子、8はコイルである。
なお、第1図に示す従来のフィルタ回路の出力状況は第
6図の出力状況的mCの通りであり、十分にノイズを除
去していない。また−第2図に示すバリスタを含む従来
のフィルタ回路では一本発明による素子を用いた第4図
の回路に類似した効果が得られるが、バリスタを別個に
必要とするだけ部品点数が多くなる。
6図の出力状況的mCの通りであり、十分にノイズを除
去していない。また−第2図に示すバリスタを含む従来
のフィルタ回路では一本発明による素子を用いた第4図
の回路に類似した効果が得られるが、バリスタを別個に
必要とするだけ部品点数が多くなる。
発明の効果
以上述べたように本発明による磁器組成物を利用した素
子は従来にない複合機能を有し、バリスタとコンデンサ
の2つの役割を同時に果たすことが可能であり一従来の
ノイズフィルタ回路を簡略化し、小形、高性能、低コス
ト化に寄与するものであシ、各種電気機器、電子機器の
サージ吸収。
子は従来にない複合機能を有し、バリスタとコンデンサ
の2つの役割を同時に果たすことが可能であり一従来の
ノイズフィルタ回路を簡略化し、小形、高性能、低コス
ト化に寄与するものであシ、各種電気機器、電子機器の
サージ吸収。
ノイズ除去へと広げることができ、その実用上の価値は
極めて大きい。
極めて大きい。
第1図、第2図はそれぞれ従来におけるノイズフィルタ
回路を示す回路図、第3図は本発明による磁器組成物を
用いた素子の断面図、第4図は第3図の素子を用いたノ
イズフィルタ回路を示す回路図−第5図は本発明と従来
のノイズフィルタ回路による入力ノイズと出力ノイズの
状況を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3図 、ダ 第4図 第5図 一周液数(tfH句
回路を示す回路図、第3図は本発明による磁器組成物を
用いた素子の断面図、第4図は第3図の素子を用いたノ
イズフィルタ回路を示す回路図−第5図は本発明と従来
のノイズフィルタ回路による入力ノイズと出力ノイズの
状況を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第2図 第3図 、ダ 第4図 第5図 一周液数(tfH句
Claims (1)
- 5rTi03を99,996〜90,800モル%、半
導体化促進用金属酸化物としてNb2O5を0 、00
1〜0.2ooモル%+Ta405を0.001〜6,
000モル%含み、MnをMnO2(D形にして0.0
01〜2−000モル%、Y 、 Os 、Au 、M
o 、S 、Be 、Al からなる群から選択された
少なくとも1種類以上の元素を酸化物の形にして0.0
01〜2,000モル%含有することを特徴とする電圧
依存性非直線抵抗体磁器組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58117568A JPS607702A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58117568A JPS607702A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS607702A true JPS607702A (ja) | 1985-01-16 |
Family
ID=14715034
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58117568A Pending JPS607702A (ja) | 1983-06-28 | 1983-06-28 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS607702A (ja) |
-
1983
- 1983-06-28 JP JP58117568A patent/JPS607702A/ja active Pending
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