JPS60254703A - 電圧依存性非直線低抗体磁器組成物 - Google Patents
電圧依存性非直線低抗体磁器組成物Info
- Publication number
- JPS60254703A JPS60254703A JP59111171A JP11117184A JPS60254703A JP S60254703 A JPS60254703 A JP S60254703A JP 59111171 A JP59111171 A JP 59111171A JP 11117184 A JP11117184 A JP 11117184A JP S60254703 A JPS60254703 A JP S60254703A
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- Japan
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- varistor
- voltage
- nonlinear resistor
- noise
- porcelain composition
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- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子機器や電気機器で発生する異常電圧、ノイ
ズ、静電気などを吸収もしくは除去するSr1. Ba
xTie3(0,001≦X≦0.300)を主成分と
する電圧依存性非直線抵抗体を得るだめの磁器組成物に
関するものである。
ズ、静電気などを吸収もしくは除去するSr1. Ba
xTie3(0,001≦X≦0.300)を主成分と
する電圧依存性非直線抵抗体を得るだめの磁器組成物に
関するものである。
従来例の構成とその問題点
従来、各種電子機器、電気機器における異常高電圧(以
下サージと呼ぶ)の吸収、雑音の除去。
下サージと呼ぶ)の吸収、雑音の除去。
火花消去などのだめに電圧依存性非直線抵抗特性を有す
るSiCバリスタやZnO系バリスタなどが使用されて
いた。このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に
次式のように表わすことができる。
るSiCバリスタやZnO系バリスタなどが使用されて
いた。このようなバリスタの電圧−電流特性は近似的に
次式のように表わすことができる。
I−(V/C)”
ここで、Iは電流、■は電圧、Cはバリスタ固有の定数
であり、αは電圧非直線指数である。
であり、αは電圧非直線指数である。
SiCバリスタのαは2〜7程度、Zno系バリスタで
はαが60にもおよぶものがある。このようなバリスタ
はサージのように比較的高い電圧の吸収には優れた性能
を有しているが、誘電率が低く固有静電容量が小さいた
め、バリスタ電圧以下の低い電圧(例えばノイズなど)
の吸収に対してはほとんど効果を示さず、また誘電損失
角(tanδ)も6〜10%と大きい。
はαが60にもおよぶものがある。このようなバリスタ
はサージのように比較的高い電圧の吸収には優れた性能
を有しているが、誘電率が低く固有静電容量が小さいた
め、バリスタ電圧以下の低い電圧(例えばノイズなど)
の吸収に対してはほとんど効果を示さず、また誘電損失
角(tanδ)も6〜10%と大きい。
一方、これら低電圧のノイズなどの除去には組成や焼成
条件を適当に選択すると、とにより、見かけの誘電率が
6×104〜6×10 程度でtanδが1%前後の半
導体磁器コンデンサが利用されている。しかし、とのよ
うな半導体磁器コンデンサはサージなどによりある限度
以上の電流が素子に印加されると破壊したり、コンデン
サとしての機能を果たさなくなったりする。
条件を適当に選択すると、とにより、見かけの誘電率が
6×104〜6×10 程度でtanδが1%前後の半
導体磁器コンデンサが利用されている。しかし、とのよ
うな半導体磁器コンデンサはサージなどによりある限度
以上の電流が素子に印加されると破壊したり、コンデン
サとしての機能を果たさなくなったりする。
上記のような理由で電気機器、電子機器においては、サ
ージ吸収やノイズ除去などの目的のために通常バリスタ
とコンデンサ及び他の部品(例えばコイルなど)とを組
み合わせて使用され、例えばノイズフィルタはこのよう
な構成罠なっている。
ージ吸収やノイズ除去などの目的のために通常バリスタ
とコンデンサ及び他の部品(例えばコイルなど)とを組
み合わせて使用され、例えばノイズフィルタはこのよう
な構成罠なっている。
第1図は一般的な従来のノイズフィルタ回路を示し、第
2図はバリスタとコンデンサ及びコイルを組み合わせて
構成された従来のノイズフィルタ回路を示している。こ
こで1はコイル、2はコンデンサ、3はバリスタである
。
2図はバリスタとコンデンサ及びコイルを組み合わせて
構成された従来のノイズフィルタ回路を示している。こ
こで1はコイル、2はコンデンサ、3はバリスタである
。
しかし、第1図に示しだノイズフィルタはサージに弱く
、第2図に示したノイズフィルタは部品点数が多く、比
較的大型となるだめ機器全体の小形化動向に相反し、コ
スト高になるといった欠点を有していた。
、第2図に示したノイズフィルタは部品点数が多く、比
較的大型となるだめ機器全体の小形化動向に相反し、コ
スト高になるといった欠点を有していた。
発明の目的
本発明は上記のような従来のサージ吸収、ノイズ除去に
おける欠点を除去し、バリスタとコンデンサの両方の機
能を有し、1個の素子でサージ吸収及びノイズ除去が可
能な複合機能を有するバリスタを作るのに好適な電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物を提供することを目的とし
ている。
おける欠点を除去し、バリスタとコンデンサの両方の機
能を有し、1個の素子でサージ吸収及びノイズ除去が可
能な複合機能を有するバリスタを作るのに好適な電圧依
存性非直線抵抗体磁器組成物を提供することを目的とし
ている。
発明の構成
本発明は上記のような目的を達成するために、5r1−
! BaxTie3(0,001≦X≦0.300 )
を96.000〜99.997mo1%と、Y2O2を
0.001〜2.OOomO1%と、CO2O3をo、
oo1〜2.000 mo1%と、CuOを0.oo1
〜1.oo。
! BaxTie3(0,001≦X≦0.300 )
を96.000〜99.997mo1%と、Y2O2を
0.001〜2.OOomO1%と、CO2O3をo、
oo1〜2.000 mo1%と、CuOを0.oo1
〜1.oo。
mol!% 含有してなる電圧依存性非直線抵抗体磁器
組成物、及び5r1−xBa、TiO3(0,001≦
X≦0.300 )を92.000〜99.996mo
1%と、Y2O2を0.001〜2.000 mo1%
と、C02o3を0.001〜2.000mo1%と、
CuOを0.Oo1〜1.000 mo1%と、Aq2
0.Al2O3のうち少なくとも1種類以上を0.00
1〜3.000 mo1%含有してなる電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物に係わるものである。
組成物、及び5r1−xBa、TiO3(0,001≦
X≦0.300 )を92.000〜99.996mo
1%と、Y2O2を0.001〜2.000 mo1%
と、C02o3を0.001〜2.000mo1%と、
CuOを0.Oo1〜1.000 mo1%と、Aq2
0.Al2O3のうち少なくとも1種類以上を0.00
1〜3.000 mo1%含有してなる電圧依存性非直
線抵抗体磁器組成物に係わるものである。
実施例の説明
以下に本発明を実施例を挙げて具体的に説明する。
5tCOBaC0及びT i O2をS r o 、9
B a o 、13’ 3 T 10 sになるようにそれぞれ秤量配合し、ボール
ミルなどで16時間攪拌混合し、これを乾燥し、粉砕し
、その後1200℃で3時間焼成し、再び粉砕してS
r o 、9B a o 、 1T 103を合成した
。
B a o 、13’ 3 T 10 sになるようにそれぞれ秤量配合し、ボール
ミルなどで16時間攪拌混合し、これを乾燥し、粉砕し
、その後1200℃で3時間焼成し、再び粉砕してS
r o 、9B a o 、 1T 103を合成した
。
次に、上記S r o 、9B a o 、1T 10
sにY2O2゜Co 203. Cuo 、 Ag
20 、 A A’ 203 を下記の第1表の組成比
になるように秤量配合し、ボールミルなどで16時間攪
拌、混合した。次に、これを乾燥した後粉砕し、10〜
16重量%のポリビニルアルコールなどの有機結合剤を
加えて造粒し、成型圧力1.0t77で10φ龍X 1
t 龍の円板状に成形した。
sにY2O2゜Co 203. Cuo 、 Ag
20 、 A A’ 203 を下記の第1表の組成比
になるように秤量配合し、ボールミルなどで16時間攪
拌、混合した。次に、これを乾燥した後粉砕し、10〜
16重量%のポリビニルアルコールなどの有機結合剤を
加えて造粒し、成型圧力1.0t77で10φ龍X 1
t 龍の円板状に成形した。
これらの円板をN2< 95容積%)+H2(5容積%
)の還元雰囲気中で約1350℃、4時間焼成した。
)の還元雰囲気中で約1350℃、4時間焼成した。
次に、空気中で1100℃、3時間の熱処理を行った。
こうして得られた第3図に示す焼成体4は出発原料とほ
ぼ同じ組成であった。
ぼ同じ組成であった。
次に、上記焼成体40両平面にAqなどの導電性ペース
トを塗布し、55C)Cで焼付けることにより電極5.
6を形成した。
トを塗布し、55C)Cで焼付けることにより電極5.
6を形成した。
上記の操作によって得られた素子の特性を以下の第2表
に示す。
に示す。
以下余白
ここで、素子のバリスタとしての特性評価は上述した電
圧−電流特性式 %式%)( (ただしIは電流、■は電圧、Cはバリスタ固有の定数
、αは非直線指数)におけるαとCによって行うことが
可能である。しかし、Cの正確な測定は困難であるため
、本発明においては1 mAのバリスタ電流を流した時
の単位厚み当りのバリスタ電圧(以下v1.nA/II
IIKと呼ぶ)の値と、α−1/1oq(Vl。rrL
A/v1rrLA)(ただし、vl。mAは1o1rL
Aのバリスタ電流を流した時のバリスタ電圧、vlmA
は1rrLAのバリスタ電流を流した時のバリスタ電圧
)の値によりバリスタとしての特性評価を行っている。
圧−電流特性式 %式%)( (ただしIは電流、■は電圧、Cはバリスタ固有の定数
、αは非直線指数)におけるαとCによって行うことが
可能である。しかし、Cの正確な測定は困難であるため
、本発明においては1 mAのバリスタ電流を流した時
の単位厚み当りのバリスタ電圧(以下v1.nA/II
IIKと呼ぶ)の値と、α−1/1oq(Vl。rrL
A/v1rrLA)(ただし、vl。mAは1o1rL
Aのバリスタ電流を流した時のバリスタ電圧、vlmA
は1rrLAのバリスタ電流を流した時のバリスタ電圧
)の値によりバリスタとしての特性評価を行っている。
また、コンデンサとしての特性評価は測定周波数1’
KHzにおける誘電率ε、誘電損失角tanδで行って
いる。
KHzにおける誘電率ε、誘電損失角tanδで行って
いる。
以上に述べたように、S r o、 9B a o 、
、T i OsとY2O3のみの場合は誘電率は大き
いがαが小さく、tanδも大きいため実用には適さな
い。
、T i OsとY2O3のみの場合は誘電率は大き
いがαが小さく、tanδも大きいため実用には適さな
い。
しかし、その上にC02o3とCuOを加えると誘電率
はやや小さくなるが、αが大きくなると共にtanδが
小さくなり、コンデンサとバリスタの特性を同時に持つ
ことになる。この効果はCO2O3とCuOが同時に存
在する時に現われる。
はやや小さくなるが、αが大きくなると共にtanδが
小さくなり、コンデンサとバリスタの特性を同時に持つ
ことになる。この効果はCO2O3とCuOが同時に存
在する時に現われる。
さらに、A q 20 、 A IJ 203 のうち
少なくとも1種類以りを加えることにより、αをさらに
大きくすることができる。
少なくとも1種類以りを加えることにより、αをさらに
大きくすることができる。
このような効果があるのは、Y2O3が0.001〜2
.OoomOA1%の範囲であり、0.001 moA
!%未満では半導体化が促進されず比抵抗が大きくなる
ため、v1mA//、lIが大きくなると共に誘電率が
小さくなる。また、2.○○Omo4g%を超えるとY
2O3が粒内に固溶せずに粒界に偏析するだめX−界が
効果的に高抵抗化されないため、αが小さくなると共に
誘電率が小さくなる。
.OoomOA1%の範囲であり、0.001 moA
!%未満では半導体化が促進されず比抵抗が大きくなる
ため、v1mA//、lIが大きくなると共に誘電率が
小さくなる。また、2.○○Omo4g%を超えるとY
2O3が粒内に固溶せずに粒界に偏析するだめX−界が
効果的に高抵抗化されないため、αが小さくなると共に
誘電率が小さくなる。
また、CO2O3は0.001 mo4%未満では効果
を示さず、2.000 mo1%を超えると粒界に偏析
し、粒界を低抵抗化するためαが小さくなり、tanδ
が大きくなシ実用に適さない。
を示さず、2.000 mo1%を超えると粒界に偏析
し、粒界を低抵抗化するためαが小さくなり、tanδ
が大きくなシ実用に適さない。
また、Cu Oは0.001 mai1%未満では効果
を示さず、1.000 mo1%を超えるとvl mA
””が大きくなり、aは大きくなるが誘電率が小さく
なるため実用に適さない。
を示さず、1.000 mo1%を超えるとvl mA
””が大きくなり、aは大きくなるが誘電率が小さく
なるため実用に適さない。
捷だ、Ag2O,Ag2O3は0.001m01%未満
では効果を示さず、3.000 mo 1%を超えると
v1mA/”が大きくなり、αは大きくなるが誘電率が
小さくなるため実用に適さAい。
では効果を示さず、3.000 mo 1%を超えると
v1mA/”が大きくなり、αは大きくなるが誘電率が
小さくなるため実用に適さAい。
まだ、SrをBaで置換することにより、素体自体の持
つ誘電率が大きくなるため、コンデンサ特性の改善に効
果がある。
つ誘電率が大きくなるため、コンデンサ特性の改善に効
果がある。
実施例ではS r o 、 913 a o 、 1T
10 sについてのみ述べだが、S r 1x Ba
x T x O3のXの範囲が0.001≦X≦0.
300で同様の効果があることを確認した。
10 sについてのみ述べだが、S r 1x Ba
x T x O3のXの範囲が0.001≦X≦0.
300で同様の効果があることを確認した。
以上述べたように本発明によれば、バリスタとコンデン
サの両方の機能を同時に得ることができる。
サの両方の機能を同時に得ることができる。
第1図に示しだ従来のフィルタ回路では、第5図に示し
だノイズ入力Aに対して出力状況曲線Cとなり七分にノ
イズを除去していない。
だノイズ入力Aに対して出力状況曲線Cとなり七分にノ
イズを除去していない。
第2図に示しだ従来のバリスタを含むノイズフィルタ回
路では、第6図に示したノイズ入力Aに対して出力状況
曲線Bとなりノイズは除去されるが部品点数が多く、比
較的大型でコスト高となる。
路では、第6図に示したノイズ入力Aに対して出力状況
曲線Bとなりノイズは除去されるが部品点数が多く、比
較的大型でコスト高となる。
そこで本発明による素子を使用して第4図に示すような
回路を作ったところ、第5図に示したノイズ入力Aに対
して出力状況曲線Bとなり、ノイズを1−分に除去する
ことができた。
回路を作ったところ、第5図に示したノイズ入力Aに対
して出力状況曲線Bとなり、ノイズを1−分に除去する
ことができた。
なお、第4図で7は本発明による素子、8はコイルであ
る。
る。
発明の効果
以上述べたように本発明による磁器組成物を利用した素
子は、従来にないバリスタとコンデンサの複合機能を有
し、しかも従来のノイズフィルタ回路を簡略化し、小形
、高性能、低コスト化に寄与するものであり、各種電気
機器、電子機器のサージ吸収、ノイズ除去に利用可能で
あり、その実用上の価値は極めて大きい。
子は、従来にないバリスタとコンデンサの複合機能を有
し、しかも従来のノイズフィルタ回路を簡略化し、小形
、高性能、低コスト化に寄与するものであり、各種電気
機器、電子機器のサージ吸収、ノイズ除去に利用可能で
あり、その実用上の価値は極めて大きい。
第1図、第2図はそれぞれ従来のノイズフィルタ回路を
示す図、第3図は本発明による磁器組成物を用いた素子
の断面図、第4図は第3図の素子を用いたノイズフィル
タ回路を示す図、第6図は従来及び本発明による素子を
用いたノイズフィルタ回路による入力ノイズと出力状況
を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第3図 第4図
示す図、第3図は本発明による磁器組成物を用いた素子
の断面図、第4図は第3図の素子を用いたノイズフィル
タ回路を示す図、第6図は従来及び本発明による素子を
用いたノイズフィルタ回路による入力ノイズと出力状況
を示す特性図である。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか1名第1
図 第3図 第4図
Claims (2)
- (1) Sr、−xBa、 TiO3(0,001≦x
≦0.300)を96.000〜99.997 mo1
%と、Y2O3を0.001〜2.000mo1%と、
Co2o3を0.Oo1〜2.000 mo1%と、C
uOを0.001〜1.000mo1%含有してなる電
圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。 - (2) S r 1x B a x T z o3(0
,001≦X≦0.300 )を92.000〜99.
996 mo1%と、Y2O3を0 、OOl 〜2.
000 mai1%と、C02o3を0.001〜2
、OOQ mo1%と、Cuoを0.001〜1.00
0 mo1%と、Aq2o、Al2O3のうち少なくと
も1種類以上を0.001〜3.○oomoA!%含有
してなる電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59111171A JPS60254703A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 電圧依存性非直線低抗体磁器組成物 |
DE8585103135T DE3563610D1 (de) | 1984-03-30 | 1985-03-18 | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition |
EP85103135A EP0157276B1 (en) | 1984-03-30 | 1985-03-18 | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition |
US06/930,995 US4781859A (en) | 1984-03-30 | 1986-11-14 | Voltage-dependent non-linear resistance ceramic composition |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59111171A JPS60254703A (ja) | 1984-05-31 | 1984-05-31 | 電圧依存性非直線低抗体磁器組成物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60254703A true JPS60254703A (ja) | 1985-12-16 |
Family
ID=14554277
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59111171A Pending JPS60254703A (ja) | 1984-03-30 | 1984-05-31 | 電圧依存性非直線低抗体磁器組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60254703A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6348802A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
-
1984
- 1984-05-31 JP JP59111171A patent/JPS60254703A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6348802A (ja) * | 1986-08-19 | 1988-03-01 | 松下電器産業株式会社 | 電圧依存性非直線抵抗体磁器組成物 |
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