JPS6071927A - 圧力トランスデユ−サ及びその製造法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明はキャパシタンス代任カドランスデューサ、一層
詳細にはシリコン−ガラス−シリコン（ＳＯ８）・キャ
パシタンス代任カドランスデューサに係る。

背景技術 シリコン・キャパシタンス代任カドランスデューサは公
知であり、米国特許第３．６３４．７２７号明細書に記
載されている。この明細書に記載されている圧力ドラン
スデューサは、各々中央開口を有するキャパシタ板とし
て機能する一対のシリコン円板を含んいてる。二つの円
板は、内部真空チャンバを形成するようにシリコン−金
共融金属ボンドにより周辺に沿って接合されている。二
つの円板は、加えられた圧力に曝される時、互いに相対
的に撓んで、それらの間のキャパシタンス値を変化する
。装置出力キャパシタンスのこの変化が検出された圧力
の表示である。トランスデユーサは静穏出力キャパシタ
ンス値を有するので、検出される圧力の精度は、圧力応
答キャパシタンス対静穏キャパシタンスの変化の大きさ
に関係する。静穏キャパシタンス値は圧力応答キャパシ
タンスの静的キャパシタンス値と非圧力応答キャパシタ
ンス値即ちトランスデユーサの寄生キャパシタンス値と
の双方を含んでいる。

上記明細書による装置は比較的高い寄生キャパシタンス
値を有する。これは、シリコン円板の間の周辺接合の面
積が円板の可撓性（即ち圧力応答）部分の断面積に比べ
て少からざる面積であるというトランスデユーサの構造
によるものである。加えて、円板の接着されている面は
可撓性部分の表面よりも互いに追かに近接しているので
、それらは単位面積当り高いキャパシタンス値を有する
。

その結果、出力キャパシタンス変化（ΔＣＯ）をマスク
する少からざる寄生キャパシタンスが存在し、低いＳＮ
比の原因となる。本願出願人と同一の出願人により１９
８１年１０月１３日に出願された米国特許出願第３１０
．５９７号（静電的接着型シリコン・キャパシタンス代
任カドランスデューサ）及び米国特許出願第３１０．５
９８号（シリコン−ガラス−シリコン・キャパシタンス
代任カドランスデューサ）明細書には、高いＳＮ比が得
られる構造を有するニブレートＳＯＳキャパシタンス代
任カドランスデューサが開示されている。この構造の寄
生キャパシタンスは、接合面の間の間隔よりも大きくな
い間隔を圧力応答シリコン円板の間に置くことにより減
ぜられた。これは、台を形成する内部ホウケイ酸ガラス
スペーサの選択的なトポＤシイ的形状により達成されて
いる。これらの装置は実際圧力の比較的小さい変化に対
して圧力応答キャパシタンスに大きな変化を生ずる。し
かし、それらはまだ有限な寄生キャパシタンスを呈し、
それがニブレート装置に対して実際上達成可能な最小値
を表わす。

＝５− 発明の開示 本発明の一つの目的は、寄生キャパシタンスを公知のニ
ブレート装置で達成可能な値以下に減するキャパシタン
ス代任カドランスデューサ構造を提供することである。

本発明の他の目的は、トランスデユーサ信号出力の処理
中に寄生キャパシタンスのゲイン減衰作用をそれ自体で
消去し得る構造を提供することである。

本発明によれば、キャパシタンス代任カドランスデュー
サはガラス誘電体により間隔を置かれた圧力応答シリコ
ンダイアフラム及びシリコン基板を含んでおり、ガラス
誘電体はダイアフラムと基板との間に配置された電極を
有し、電極はダイアフラムと組合わさってダイアフラム
に与えられた圧力信号の大きさに関係する瞬時値で圧力
応答キャパシタンスを形成するようにダイアフラムから
間隔を置いて圧力応答間隙の反対側の端に位置しており
、トランスデユーサは電極と基板との間及び基板とダイ
アフラムとの間に主要な非圧力応答性寄生キャパシタン
スを有し、従ってトランスデ６− ユーザの静穏出力キャパシタンスは圧力応答キャパシタ
ンス値と並列に寄生キャパシタンス値の直列等価偵を含
んでいる。

更に本発明によれば、三つのプレート即ちダイアフラム
、基板及び電極のすべては導電性であり、ダイアフラム
及び基板は伝導性シリコンであり、又電極は好ましくは
金属であり、三つのプレートのすべてに電子的信号コン
ディショニング装置を直接に接続して、電極−基板間キ
ャパシタンスを信号コンディショニングにより消去し、
それにより寄生キャパシタンスによるトランスデユーサ
出力減衰を消去することを可能にする、更に本発明によ
れば、中央電極はダイアフラム及び基板の各々の主面に
対して平行な主面を有する中央プラトーを含んでおり、
中央プラトーの直径はダイアフラム及び基板の直径より
も小さい。本発明によるキャパシタンス代任カドランス
デューサは、ダイアフラムと基板との間に位置する中央
電極の追加により三プレート装置である。その結果、圧
力応答キャパシタンス板の間の間隔が減ぜられ、又寄生
キャパシタンスが、信号コンディショニング装置と組合
わせての相殺を可能にするようにセグメントに分割され
ている。電極と基板との間の寄生キャパシタンスは基板
と寄生キャパシタンスとの間の寄生キャパシタンスと直
列であり、それらは共に電極とダイアフラムとの間のダ
イアフラムと並列である。その結果、寄生キャパシタン
スの絶対値が減ぜられている。更に、本願と同日付にて
本願出願人と同一の出願人により出願された特願昭５９
−　号明細書に詳細に記載され ているように、別々の信号をトランスデユーサの電極−
ダイアフラム間接合、電極−基板間接合及び基板−ダイ
アフラム間接合に与えることにより、圧力応答キャパシ
タンスが寄生キャパシタンスの減衰作用から有効に隔離
されている。その結果、本発明によるキャパシタンス式
トランスデユーサの構造はトランスデユーサの出力キャ
パシタンスにより得られる高いゲイン悪疾により低い圧
力用に良（適している。

本発明の上記及び他の目的の特徴及び利点は、添付図面
に示されているその最良の実施態様を以下に詳細に説明
する中で一層明らかになろう。

発明を実施するための最良の形態 第１図は本発明による（ＳＯ８）キャパシタンス代任カ
ドランスデューサ１０の拡大断面図である。ベース側の
金属電極１３を有するシリコン（Ｓｉ）基板１２は取付
は側で、ホウケイ酸ガラス例えばＣｏｒｎｉｎｇ　７０
７０ガラス又は“ｐｙｒｅｘ”の四つの層１４〜１７を
有するガラス誘電体層に接合されている。ガラス誘電体
層は中央電極１８を基板と圧力応答シリコンダイアフラ
ム２６との間の位置に支えている。チャンバ又は間隙２
２が中央電極の中央プラト一部分２４と同心にガラス誘
電体層内に形成されている。チャンバは、ダイアフラム
が圧力検出面２６に与えられる圧力信号に応答して撓む
ことを可能にする。ダイアフラムの撓みはダイアフラム
と電極との間の間隙キャパシタンスとの間の値を変化さ
せ、それが加えられた圧力信号を測定可能な電子的信号
に変換する。

絶対圧力信号用としては、基板電極の外側表面２９− ８が真空に曝されている。差圧測定の場合には、ダイア
フラム及び基板電極の表面２６．２８は測定されるべき
差圧に曝されている。

第２図を参照すると、三プレート・トランスデユーサの
製造はシリコン基板１２を選択された厚みに形成するこ
とで開始される。選択される厚みはトランスデユーサに
より検出される圧力範囲に関係する。０〜５０ＰＳ　Ｉ
の圧力範囲に対しては、基板の厚みは８００μｍのオー
ダーである。ホウケイ酸ガラス誘電体、典型的にはＣｏ
ｒｎｉｎｇ７　Ｑ　７０ガラス又はＰｙｒｅｘ”、の第
一の層１４が基板表面３４の上に高周波スパッタリング
により被着される。スパッタリングは２５％酸素中で行
われる。ホウケイ酸ガラスの特性、即ち誘電率及び膨張
係数の利点を最大限に得るためガラスが十分に酸化され
ることを保証するように、被着された層は１時間に厘り
５５５℃のオーダーに高められた温度で蒸気に−すこと
により焼鈍される。焼鈍は“ウェット″ガラス層を形成
するべくガラスを飽和させる。これはガラスを“リラッ
クス゛′させ、１０− シリコン基板へのガラスの電界作用下の接着を容易にす
る。

焼鈍に続いて、薄いホウケイ酸ガラス層１５が“ウェッ
ト″ガラスの上に高周波スパッタリングにより約０．１
μｍの厚みに被着される。焼鈍されないこの第二の層（
“°ドライ″ガラス）は中央金属電極１６の金属化を可
能にするべくウェット・ガラスをシールする。

金属電極１８（第３図）は、クローム、アルミニウム又
は銅のような金属又はシリコンのような￥導体を含む導
電性材料をデポジットすることにより層１５の露出面の
上に形成される。電極は高周波スパッタリング、真空蒸
着又は化学的蒸着のような公知の技術を用いて０．５μ
−のオーダーの厚みにデポジットされる。電極岡は、一
端にプラトー２４形成するべく標準的なリトグラフィ及
びエツチング法を用いて幾何学的パターンを付ける。プ
ラトーはキャパシタ板を形成し、ダイアフラムと組合わ
さって圧力応答キャパシタ要素を形成する。

円形であってよいプラトー表面は基板表面と実質的に同
心である。上記の方法より望ましくはないが電極をデポ
ジットし且パターン付けする代替的な方法は金属マスク
の使用を含んでいる。これはフォトレジスト・エツチン
グ過程を省略し得るが精度は低い。完全な電極の形成に
続いて、ホウケイ酸ガラスの第三の層１６が電極及び層
１５の露出面の上にデポジットされる。この第三のガラ
ス層は同様に高周波スパッタリングにより２μ−のオー
ダーの厚みにデポジットされる。

第４図には、次のステップで電極のプラトー２４の表面
と同心に層１６に開口又はウェル２２が形成され且この
開口がガラス層１７でシールされた結果が示されている
。開口は、ガラス誘電体層を侵蝕するが電極は侵蝕しな
い選択的エツチング化合物例えばフッ化水素酸を用いて
公知のフォトリトグラフ法により形成される。層１６の
露出面に於けるウェル直径はプラトーの直径Ｊ：りも大
きく、拘束されているウェルの上側周縁に直接隣接する
ダイアフラムの部分が撓み得ないようにする。

プラトー表面をダイアフラムの″“フリンジ”面の中に
延ばすことは寄生キャパシタンスを僅かに大きくするだ
けである。電極自体の露出された金属は、真空キャビテ
ィの臨界的な寸法を制御するためのエッチ・ストップと
して作用する。電極の周りの小さい環状面内のガラスの
オーバー・エツチングは装置の特性に殆ど影豐しない。

次いでホウケイ酸ガラスの層１７が、エッチされた表面
、即ち層１６の残余の表面、つＩルの底に於ける電極プ
ラトー２４の露出された表面及び層１５の露出された表
面、の上にスパッタされる。

他の方法もガラス層のすべてをデポジットするために用
いられ得るがスパッタリングは正確な寸法制御を可能に
する。この［１１７の厚みが同様に０゜５μｍのオーダ
ーである。これは後で行われる電界作用下の接着ステッ
プの間に電弧を阻止するように電極表面をシールし又大
きな偏れのもとで電極にダイアフラム（２０第１図）内
側表面が電気的に短絡するのを阻止する。

第５図及び第６図には残りの製造ステップが示１３− されてる。シリコン・ダイアフラム１２０が選択された
厚みに形成される。０〜５０　ｐｌｓ　Ｉの圧力検出範
囲に対しては、ダイアフラムの厚みは２００μ霧の可撓
性を与えるように選択される。次いでダイアフラムが、
ダイアフラムをホウケイ酸ガラス層１７の露出された周
縁面３４に密着させておくことにより、構造に電界作用
下に接着される。

次いでダイアフラム及び構造が５〜１０分間に亙りダイ
アフラム２０　（＋）からガラス層１７（−）へ７５〜
１２５ｖの直流電圧を掛けて約１０　Ｔｏｒｒの圧力の
真空チャンバ内で５００℃の範囲の潤度に加熱される。

上記の自流電圧により生ずる静電界はダイアフラム及び
ガラス層１７を互いに吸引させ、ウェル２２を真空チャ
ンバ内へ変形させる。

完成された構造の上に基板電極１３が、露出された外側
基板表面を高周波スパッタリングにより金属化すること
によって形成される。金属化は二つの層で行われ得る。

第一の層はシリコン基板表面の上に直接にデポジットさ
れた５００オンゲス１４− トロームのオーダーのニッケルの層であり、又第二の層
は電気的接続のためのワイヤー・ボンディングを可能に
するようにニッケルの上にデポジットされた約５０００
オングストロームの厚みの金の層である。しかし、ニッ
ケル層へのりコースなしに金を合金するような他の方法
が用いられることは理解されよう。このような方法のす
べては当業者に知られている。

第６図には、電極１Ｂの接触面３６を露出させるようガ
ラス層１６．１７を通じてシリコン・ダイアフラム２０
からトランスデユーサ構造をエツチングする最終ステッ
プが示されている。次いでニッケル、金のような導電性
金属層が中心電極への電気的接続を再び形成するように
デポジットされ得る。ニッケルー金は静電ボンディング
の前にはデポジットされ得ない。何故ならば、ボンディ
ング温度が金−シリコン共融潤度よりも高く、又ニッケ
ル層がそれらを隔離しないからである。

本発明による三プレートＳＧＳキャパシタンス式圧力ド
ランスデューサでは、圧力応答キャパシタンス板、即ち
電極プラトー２４及びダイアフラム２０（第１図）は、
寄生キャパシタンスにりも圧力応答キャパシタンスに対
して単位面積当り高いキャパシタンスを形成するように
ダイアフラム−基板間又は電極−基板間の間隔よりも密
に近接している。Ｏ〜５０ＰＳＩトランスデューザに対
しては、プラトー断面積及びダイアプラムの対向面の断
面積は０．１１４ノのオーダーである。ダイアフラム及
び基板の表面は電極プラトー表面によりマスクされない
。即ちパフリンジ面積″はプラトーの面積の約２倍であ
り、０．２５ａｍ９のオーダーである。しかしプレート
間隔（ｄ　＞には約４５０：１の相違がある。プラトー
とダイアフラムとの間の間隔はＰ＝ＯＰＳＩに於て約２
．０μ観であり、ダイアフラムと基板との闇の間隔は８
゜０μＩのオーダーである。勿論、ダイアフラム−基板
間キャパシタンスは、真空（Ｋ＝１．０＞中にある圧力
応答キャパシタンスよりも高い比誘電率（４，２５＞を
有するホウケイ酸ガラス誘雷体を有する。

次に、第８図を参照しながら、下記の数値例を説明する
。

数値例 ここで： ε〇−真空誘電率 一／ダ （＝　８，８５ｘ　１０　Ｆ　／　ｃｍ）Ｋ−比誘電率 Ｋｐ　ｌ　Ｋｓ　”１．Ｏ ＫＩ　ＫＩ　Ｋ４　Ｋ６−４．２５ Ａ−キャパシタ板面積： ＡＰ　＝０．１１４０１” Ａｌ−０，１１４ｃ＋ａｌ Ａｇ　−０，１１４ｃａｌ Ａｓ　−０，０６９ＣＩ” Ａ４　＝０．０６９０１１Ｉ ＡＳ　＝０，２５３　ｅｌｌ” ｄ−キャパシタ板間隔： ｄｌｌ（Ｐ−０）　−２，０μ− ４ ｄ　１　−０，５ｘｌＯｃ＋ｓ １７− ｄ　２−６．０ｘ１０　ａｍ ｄ　ａ　＝２．３ｘｌＯｃｍ ｄ　４　−６．５Ｘ１０”０１１ ｄ　６　−８，８ｘ１０　ｃａｒ キャバシタン値： Ｃｐ　（Ｐ：Ｏ）＝　５０，４４ｘ１０　ＦＧ　＋　−
８５７，６ｘｌＯＦ Ｃｔ　−７１，５ｘ　１０　Ｆ Ｃｓ　−２６，５ｘ　１０　Ｆ ０４　＝３９，９ｘ　１０　Ｆ Ｇ　ｓ　−１０８，２ｘｌＯＦ Ｏｘ　−５ｅｘ　１０　Ｆ Ｃｙ　−１２４，１３ｘ　１０　Ｆ 合成寄生キャパシタンス ｘ−ｅｙ Ｃ’　−ｏ、　、　ｃ、　＝４３　Ｘ　１０Ｆ出力キャ
バシタンスＣｏ： Ｐ−ＯｋｍＭで； Ｃｐ　−５０，４４ｘ１０　Ｆ Ｃｏ　＝Ｃｐ　＋Ｃ’　＝９４，２ｘ　１０　ＦＰ−５
０ＰＳＩに、て； ＝１８− Ｃｐ　＝１４０，４４ｘ　１０　Ｆ Ｃｏ　−１８３，５ｘ１０　Ｆ へＣｏ　＝８９，３ｘ　１０　Ｆ　（０−５０ＰＳ　Ｅ
　）第８図の（１）にはトランスデユーサの分布キャパ
シタンスが解図的に示されている。圧力応答キャパシタ
ンスＣｐは電極（Ｅ）−ダイアフラム（Ｄ）間接合のキ
ャパシタンスである。電極（Ｅ）一基板（Ｓ）ＩＩｌ接
合は寄生キャパシタンスＣ１（ガラス誘電体層１７と電
極プラトー２４の表面との間に生ずる）及びＣ１！（電
極プラトーと電極との間に生ずる）を含んでいる。寄生
キャパシタンスＣ８〜Ｃ５がダイアフラム（Ｄ）と基板
（Ｓ）との間に存在している。キャパシタンスＣａはダ
イアフラムとプラトーの外側のチャンバの底との間のチ
ャンバ２２（第１図）の真空（比誘電率は１．０）内に
存在している。キャパシタンスＣ４はチャンバと基板と
の間の誘電体内に存在している。最後にキャパシタンス
Ｃ６はダイアフラム（Ｄ＞のマスクされていない表面と
基板（Ｓ）との闇に存在している。

数値例にはＯ〜５０ＰＳ　Ｉ　ｌ−ランスデｊ−サに対
してキャパシタの比誘電率（Ｋ）、プレート面積（Ａ）
及びプレート間隔（Ｄ）の典型的な値が示されている。

寄生キャパシタンスは、第８図の（１）に示されている
ように、二つの主要な値即ちＣＸ　＝Ｃ＋　−０２／　
（ＣＩ　＋ＣＩ！　）及びＣｙ＝Ｃ５十〇１Ｉ−Ｃ４／
（Ｃ３十Ｃ４）に分解されている。二つの値はＣｘ＝６
６ｘｌＯＦ及びＣＶ＝１２４．１３ｘ１０　Ｆである。

二つの寄生キャパシタンスは電気的に直列であり、合成
寄生キャパシタンスはそれらの積と和との比即ちＣ′−
４３Ｘ１０　Ｆである。

圧力応答キャパシタンスＣｐの値はＰ＝ＯではＣｐ＝５
０．４４ｘ１０　Ｆであり、又Ｐ−５０Ｑ ＰＳＩではＣｐ−１４０，４４Ｘ１０　Ｆである。

０〜５０ＰＳ　ｒまでの出力キャパシタンスの変化（Δ
Ｃｏ）はＰ＝Ｏに於ける静穏値の２倍のオーダーである
。

第７図の曲線３８は圧力信号の大きさの関数としてキャ
パシタンスＯｐの変化を示している。この曲線は非直線
であるが、参照符号４０を付されている最大値Ｃｐ　ｍ
ｏ−Ｈまでは連続的に上昇し、その先ではダイアフラム
と電極との接触のために感度が低くなる。

三プレートキャパシタンス代任カドランスデューサ構造
は、検出キャパシタンスのプレートが非圧力応答キャパ
シタンスよりも密に近接していることを許す。これは単
位面積当り比較的高いキャパシタンスを許し、検出キャ
パシタ静穏値と寄生キャパシタンスの値との等化を助け
る。加えて、三つのプレートのすべてが導電性であるこ
と、即ちダイアフラム及び基板が導電性シリコン（直接
電気接続を許すようなＮドーピング・レベルを有する。

）であり、又電極が導電性シリコン又は金属であること
から、先に引用した特１１［５９−号明細書に記載さ−
れている信号コンディショニング回路が直接に接続され
得る。上記明細書に説明されているように、又本明細書
の第８図の（３）に簡単に示されているように、コンデ
ィショニング回路は電極（Ｅ）及び基板（Ｓ）に同２１
− 一位相及び大きさの電流信号（１０，１，Ｚ）を与え、
それにより寄生キャパシタンスＣ×を通る電流をＯにす
る。検出電流（■０）のすべては圧力応答キャパシタン
スＣｐを通って流れ、奇生キャパシタンス（ＣＸ）を等
価的に０にする。その結果、静穏キャパシタンスは圧力
応答キャパシタンスに等しくなる。Ｐ＝５０ＰＳＩでは
、Ｃｏ＝Ｃｐ　＋Ｃ’　＝１８３．５ｘ１０　Ｆである
。信号コンディショニングなしの約０．９５のゲインと
比較して、１．８のゲインが得られる。こうして、三プ
レート・トランスデユーサは、非常に高いゲイン感度が
必要とされる非常に低い圧力の検出にも使用され得る。

本発明をその最良の実施態様について図示し説明してき
たが、本発明の範囲内でその形態及び細部に前記及び他
の種々の変更及び省略が行われ得ることは当業者に理解
されよう。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明のＳＯＳキャパシタンス式圧方圧力ドラ
ンスデューサ構造面図である。 ２２− 第２図〜第６図は第１図の構造と同一の断面で製造過程
を順次に示す図である。 第７図は第１図のトランスデユーサの実施例の作動特性
を示すグラフである。 第８図は分布キャパシタンス及びその等価回路を示す図
である。 １０・・・キャパシタンス代任カドランスデューサ。 １２・・・シリコン基板、１３・・・金属電極、１４〜
１７・・・ガラス誘電体層、１８・・・中央電極、２０
・・・圧力応答シリコンダイアフラム、２２・・・チャ
ンバ。 ２４・・・中央プラト一部分、２６・・・検出面、２８
・・・基板電極の外側表面 特許出願人　ユナイテッド・チクノロシーズ・コーポレ
イション 代　理　人　弁　理　士　明　石　昌　毅２３− 冒　８ − ト、 も （ Ｆ／６．２ （自　発） 手続補正書 １、事件の表示　昭和５９年特許願第１８０２６１号２
、発明の名称　圧力ドランデューサ及びその製造港３、
補正をする者 事件との関係　特許出願人 住　所　アメリカ合衆国コネチカット州、ハートフォー
ド、フィナンシャル・プラグ　１ 名　称　ユナイテッド・チクノロシーズ・］−ポレイシ
ョン４、代理人 居　所　〒１０４東京都中央区新川１丁目５番１９号茅
場町長岡ビル３＠　電話５５１−４１７１６、補正によ
り増加する発明の数　０ ７、補正の対象　明細書 明細書第８頁第９行乃至第１０行及び同第２１頁第１５
行乃至第１６行の［特願昭５９−号］をそれぞれｒ特願
［５９−１８０２６０号」と補正する。 Ｅ７−

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）圧力検出面に与えられる圧力信号の大きさの表示
   を与えるための圧力ド・ランスデューサに於て、 第−及び第二のシリコン・ピースを含んでおり、前記第
   一のシリコン・ピースは圧力検出面を含んでおり、 前記第−及び第二のシリコン・ピースに互いに反対側の
   端で取付けられており、又それぞれ前記第−及び第二の
   シリコン・ピースと重ね合わされて配置され、互いに反
   対の第−及び第二の主面を有する電極を有している誘電
   体ボディを含んでおり、前記電極の第一の主面及び前記
   第一のシリコン・ピースが前記誘電体ボディ内に形成さ
   れた開口の互いに反対側の端に配置されており、それに
   より前記第一のシリコン・ピースの圧力検出面に与えら
   れた圧力信号の大きさに関係し又その人きさを表わす瞬
   時値を有する圧力応答キャパシタンスが形成されている
   、 ことを特徴とする圧力ドランスデューサ。
2. （２）検出面に加えられた圧力信号の大きさをキャパシ
   タンスにより指示する形式の圧力ドランスデューサの製
   造法に於て、 導電性シリコン基板の上にホウケイ酸ガラスの幾つかの
   予備的層をデポジットする過程と、前記予備的層の露出
   された面の上に導電性の電極を形成する過程と、 前記の形成された電極及び前記のガラスの予備的層の上
   にホウケイ酸ガラスの幾つかの二次的層をデポジットす
   る過程と、 前記電極と同心に前記のガラスの二次的層の中に開口を
   形成する過程と、 前記開口と重ね合わせて、露出されている主面に検出面
   を有する導電性のシリコン・ダイアフラムにより前記の
   ガラスの二次的層及び前記開口の露出されている表面を
   真空中でシールし、前記ダイアフラムが前記電極と組合
   わさって、前記ダイアフラム検出面に与えられた圧力信
   号の大きさを相応のキャパシタンスにより指示し得るよ
   うにするための過程と、 を含んでいることを特徴とする圧力ドランスデューサの
   製造法。