JPS607034B2 - Plating method and device - Google Patents

Plating method and device

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JPS607034B2
JPS607034B2 JP18772380A JP18772380A JPS607034B2 JP S607034 B2 JPS607034 B2 JP S607034B2 JP 18772380 A JP18772380 A JP 18772380A JP 18772380 A JP18772380 A JP 18772380A JP S607034 B2 JPS607034 B2 JP S607034B2
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JP
Japan
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plating
conductive strip
plating tank
strip
plating solution
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Application number
JP18772380A
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Japanese (ja)
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JPS57114691A (en
Inventor
グレン・ア−ル・シエア−
辰男 和田
輝昭 山本
二郎 磯村
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Koito Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Koito Manufacturing Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は新規なメッキ方法及びその装置に関する。[Detailed description of the invention] The present invention relates to a novel plating method and apparatus.

詳しくは、略水平な方向に送行される金属帯にメッキを
施すに際して、該金属帯等が摩耗されたり、あるいはそ
の摩耗粉がメッキ液に混入したりすることが無いように
した新規なメッキ方法とその装置を提供しようとするも
のである。水平な方向に送行される金属帯にメッキを施
す従来のメッキ方法及びメッキ装置について第1図によ
って説明する。
Specifically, this is a new plating method that prevents the metal band from being worn out or the abrasion powder mixed into the plating solution when plating is applied to a metal band that is fed in a substantially horizontal direction. and its equipment. A conventional plating method and plating apparatus for plating a metal strip that is fed in a horizontal direction will be explained with reference to FIG.

aは導電性のある金属帯で、水平な方向にかつ矢印で示
す予め定められた一定の方向へ送行される。bはその中
にメッキ液cを収容しているメッキタンクであり、前記
金属帯aはこのメッキタンクb内を横切って送行される
。dはメッキタンクb内に配置されるカソードで略水平
方向に延びる平らな下面eを有している。前託金属帯a
はメッキタンクb内においてカソードdの下面に接触し
ながら送行され、それによって、金属帯aがカソード化
される。fはメッキタンクb内に配置される不熔性アノ
ードで、その上面gと金属帯下面との間に適当な間隔の
極間間隙hが形成されるように配置される。しかして、
前記の極間間隙h内にメッキ液cが図示しない適当な手
段によって供給され、そして、金属帯aの下面にメッキ
が施される。ところが、このような従釆のメッキ方法及
び装置にあっては、金属帯aはカソードdの下面と控接
されるため、この間にかなり大きな抵抗が生じ、金属帯
aあるいはカソードdが摩耗され、それらの消耗が激し
くなる欠点がある。
A is a conductive metal band, which is fed horizontally in a predetermined direction indicated by an arrow. b is a plating tank containing plating solution c therein, and the metal strip a is conveyed across this plating tank b. d is a cathode disposed in the plating tank b, and has a flat lower surface e extending substantially horizontally. Preliminary metal band a
is fed into the plating tank b while contacting the lower surface of the cathode d, thereby converting the metal band a into a cathode. Reference numeral f denotes a non-fusible anode disposed within the plating tank b, and is disposed such that an appropriate gap h is formed between its upper surface g and the lower surface of the metal strip. However,
A plating solution c is supplied into the gap h between the electrodes by an appropriate means (not shown), and the lower surface of the metal strip a is plated. However, in such a secondary plating method and apparatus, since the metal band a is brought into contact with the lower surface of the cathode d, a considerably large resistance is generated between the metal band a and the cathode d, and the metal band a or the cathode d is worn out. The disadvantage is that they are subject to rapid wear and tear.

又、カソ−ドdの下面が摩耗されることは、正しい極間
間隙hの維持を困難とし、そのために非常に度々その再
調整を行なわなければならなくなる。更に、カソードd
と金属帯aとの摺嬢はメッキタンクb内において為され
るため、上記摩耗によって生じる徴粉がメッキ液c内に
混入し易く、メッキに悪い影響を与えるI県れがある。
そこで、本発明は従釆方法や装置における上記の如き欠
点を克服するために為されたもので、その方法は、メッ
キ液が収容されたメッキタンク内を横切って略水平な方
向にかつ予め定められた−定の方向に送行される導電性
のある帯状帯の表面にメッキタンク内にてメッキを施す
方法において、前記導電性帯状体をメッキタンク外でこ
れを陰極化する手段と接触させるようにするとともに、
前記メッキゾーン内を送行する導電性帯状体を漏洩電流
による露着から遮蔽するようにしたことを特徴とし、又
、その装置は、メッキ液が収容されたメッキタンクと、
メッキタンク内を横切って略水平な方向にかつ予め定め
られた一定の方向に送行される導電性のある帯状体と、
該導電性帯状体をメッキタンク外で陰極化する手段と、
メッキタンク内に配置され前記導電性帯状体との間に略
水平な方向に延びる適当な極間間隙を形成する不熔性ア
ノードと、前記極間間隙内にメッキ液を強制的に流すた
めの手段と、そして、前記メッキ液を供給する供給口の
前方であって、陰極化した導電性帯状体との間に該導電
性帯状体を漏洩電流による電着から遮蔽する電気絶縁材
料から成る遮蔽ブロックとを備えていることを特徴とす
るものである。
Also, the wear of the lower surface of the cathode d makes it difficult to maintain the correct interpolar gap h, necessitating its readjustment very often. Furthermore, the cathode d
Since the sliding contact between the metal band a and the metal band a is performed in the plating tank b, particles generated by the above-mentioned abrasion are likely to be mixed into the plating solution c, causing a problem that adversely affects the plating.
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to overcome the above-mentioned drawbacks in the related methods and apparatuses. In a method of plating the surface of a conductive strip fed in a fixed direction within a plating tank, the conductive strip is brought into contact with a means for cathodizing it outside the plating tank. In addition to
The device is characterized in that the conductive strip traveling in the plating zone is shielded from dew due to leakage current, and the device includes a plating tank containing a plating solution;
a conductive strip that is fed in a substantially horizontal direction across the inside of the plating tank in a predetermined direction;
means for cathodizing the conductive strip outside the plating tank;
a non-fusible anode disposed in the plating tank and forming a suitable inter-electrode gap extending in a substantially horizontal direction with the conductive strip; and an anode for forcibly flowing the plating solution into the inter-electrode gap. and a shield made of an electrically insulating material between the means and the cathodized conductive strip in front of the supply port for supplying the plating solution and shielding the conductive strip from electrodeposition due to leakage current. It is characterized by comprising a block.

以下に本発明メッキ方法及びメッキ装置の詳細を図示し
た実施例に従って説明する。
The details of the plating method and plating apparatus of the present invention will be explained below according to illustrated embodiments.

尚、図示したメッキ装置は、これを銅箔の製造に用いる
ものとして説明するが、本発明がこのようなものに限定
されるものでないことは勿論である。このメッキ装置は
、例えば酸性銅〆ッキ液1を収納しているメッキタンク
ないいま容器2を備えている。
Although the illustrated plating apparatus will be described as being used for manufacturing copper foil, it goes without saying that the present invention is not limited thereto. This plating apparatus includes a plating tank or container 2 containing, for example, an acidic copper lacquer 1.

メッキタンク2は鋼で形成されており、そして、酸性溶
液に用いられるので、ポリ塩化ビニルのような耐酸性合
成材料により内面が被覆3されている。導電性材料例え
ばステンレススチ−ルから成る帯状体4がタンク2内に
その入口5から入り出口6から出ることによってタンク
2内を水平方向に通過するようにされており、そして、
この帯状体4の表面に鋼箔あるいは回路パターンが霧着
されるようになっている。尚、導電性帯状体4は適当な
りールからリール(何れのりールも図示されていない。
)へ向って第2図の矢印で示す方向へ送行される。7,
7はメッキタンク2の入口5より手前にて帯状体4の上
下両表面に接触するよう配置されたカソードコンタクト
である。
The plating tank 2 is made of steel and, since it is used for acidic solutions, is coated 3 on the inside with an acid-resistant synthetic material such as polyvinyl chloride. A strip 4 of a conductive material, for example stainless steel, is adapted to pass horizontally through the tank 2 by entering the tank 2 through an inlet 5 and exiting through an outlet 6;
Steel foil or a circuit pattern is sprayed onto the surface of this strip 4. Incidentally, the conductive strip 4 is formed from a suitable reel to a reel (none of the reels are shown).
) in the direction shown by the arrow in FIG. 7,
A cathode contact 7 is placed in front of the inlet 5 of the plating tank 2 so as to be in contact with both the upper and lower surfaces of the strip 4.

カソードコンタクト7は回転軸8と、該回転軸8の両側
端寄りの位置に固定された銅等の導電材料から成る導鰭
ロール9,9とから成り、該導電ロール9,9が適当な
手段によって陰極とされている。しかして、このような
カソードコンタクト7,7の導電ロール9,9及び9,
9が帯状体4の側縁部と上下から接触することによって
、該帯状体4は陰極化される。メッキタンク2内におい
て、帯状体4を挟んで上下に不漁性アノード10u,1
01が配置されている。
The cathode contact 7 consists of a rotating shaft 8 and conductive fin rolls 9, 9 made of a conductive material such as copper that are fixed near both ends of the rotating shaft 8, and the conductive rolls 9, 9 are connected to each other by suitable means. It is considered a cathode by Therefore, the conductive rolls 9, 9 and 9 of such cathode contacts 7, 7,
By contacting the side edges of the strip 4 from above and below, the strip 4 is cathodized. In the plating tank 2, unfishable anodes 10u, 1 are placed above and below with the strip 4 in between.
01 is placed.

尚、この不溶性アノード10u,101とこれに関連し
た部材は上下にそれぞれ同じものが配置されるので、そ
の下側の一方のみを説明し、上側のものについては下側
のものと同一の番号に付加符号「u」を付して図示し、
説明を省略する。不港性アノード101は平らな上面1
1 1を有しており、この上面11 1と帯状体4下
面とが適当な間隔をおいて平行になるようにされ、ここ
に適当な電極間間隙121が保たれる。
Since the insoluble anodes 10u, 101 and related members are the same on the upper and lower sides, only the lower one will be explained, and the upper one will be given the same number as the lower one. Illustrated with the additional symbol “u”,
The explanation will be omitted. The non-portable anode 101 has a flat top surface 1
11, and this upper surface 111 and the lower surface of the strip-shaped body 4 are made parallel to each other with an appropriate distance therebetween, and an appropriate inter-electrode gap 121 is maintained here.

このような不綾性アノード101は、鉛、鈴−錫合金又
は表面を白金で被覆されたチタンや銅によって形成する
ことができる。ポリ塩化ビニルのような電気絶縁材料か
ら成るメッキ液供給ブロック131が不溶性アノードl
olの一端に接して配置されており、そのメッキ液供給
口を通してメッキ液1が電極間間隙121に供給され、
そしてそこを乱流状態になって通過する。
Such an amorphous anode 101 can be formed of lead, a tin-tin alloy, or titanium or copper whose surface is coated with platinum. A plating solution supply block 131 made of an electrically insulating material such as polyvinyl chloride serves as an insoluble anode.
The plating solution 1 is supplied to the inter-electrode gap 121 through the plating solution supply port.
Then, it passes through there in a turbulent state.

ここで、不溶一性アノード101の一端とは導電性帯状
体4の送行方向における手前側の端部のことであり、こ
の後も同様の意味で用いられる。メッキ液供給ブロック
131には切欠が設けられており、その切欠と不落性ア
ノード101の一端面との間に導蟹性帯状体4の幅方向
に延びる溝141が形成される。
Here, one end of the insoluble anode 101 refers to the end on the near side in the feeding direction of the conductive strip 4, and will be used hereinafter with the same meaning. The plating solution supply block 131 is provided with a notch, and a groove 141 extending in the width direction of the crab-conducting strip 4 is formed between the notch and one end surface of the permanent anode 101.

又、メッキ液供給ブロック131には同じく導電性帯状
体4の幅方向に延び幅が前記溝141のそれより狭い別
の溝151が溝141の下方に連続して設けられている
。この2つの溝141及び151によって、そこからメ
ッキ液1が電極間間隙121へ給送される上述したよう
な供給口が構成される。ブロック131には、更に、溝
151の長手方向の中央から下方へ延びるメッキ液通路
161が形成されており、この通路161Gま導管17
1を介してタンク2外に設けられたポンプ181の送出
管191と連結されている。
Further, in the plating solution supply block 131, another groove 151 which extends in the width direction of the conductive strip 4 and whose width is narrower than that of the groove 141 is continuously provided below the groove 141. These two grooves 141 and 151 constitute the above-mentioned supply port through which the plating solution 1 is fed to the inter-electrode gap 121. The block 131 is further formed with a plating liquid passage 161 extending downward from the longitudinal center of the groove 151, and this passage 161G is also formed with a conduit 17.
1 to a delivery pipe 191 of a pump 181 provided outside the tank 2.

ポンプ181は吸入管20(これは下側に一個だけ設け
られている。)を介してメッキタンク2内に収納されて
いるメッキ液1の液面よりも下方の部分でタンク2内部
と連結されている。しかして、メッキ液1は常時メッキ
液供給ブロック131に給送されることになる。拡散板
21 1は適宜の手段によりメッキ液供給ブロック13
1に固定されており、これによって、第1の溝141と
第2の溝151との間が区画されている。
The pump 181 is connected to the inside of the tank 2 at a portion below the level of the plating solution 1 stored in the plating tank 2 via a suction pipe 20 (only one is provided at the bottom). ing. Thus, the plating solution 1 is constantly supplied to the plating solution supply block 131. The diffusion plate 211 is connected to the plating solution supply block 13 by appropriate means.
1, thereby dividing the first groove 141 and the second groove 151.

この拡散板21 1にはメッキ液を通すための無数の小
孔が形成配列されている。シーリングュニット221は
導電性帯状体4とァノード101との間に配置されてい
る。シーリングュニット221は平面形状で略U字状を
為しており、互いに間隔をあげて平行にかつ電極間間隙
121の両側に沿って配列される一対の封止村231.
231と、この封止杵231,231の上手側(帯状体
4の送行方向に関して手前側の意。以下同じ。)端間に
架設された遮蔽ブロック241とから成る。シーリング
ュニット221は、すべり性、耐摩耗性及び耐化学薬品
性のある電気絶縁材料、例えば「テフロン」(フッ素樹
脂の商標)のような電気絶縁材料により一体に成形され
るのが好ましい。シーIJングュニット221の一対の
封止村231,231の上面251,251は横断面形
状で凸曲面を為しており、これによって、導電性帯状体
4の両側部下面と摺薮可能かつ水密に接触される。
This diffusion plate 211 has numerous small holes formed and arranged for passing the plating solution. The sealing unit 221 is arranged between the conductive strip 4 and the anode 101. The sealing unit 221 has a substantially U-shape in plan view, and includes a pair of sealing units 231.
231, and a shielding block 241 installed between the upper ends (meaning the front side with respect to the feeding direction of the strip 4; the same applies hereinafter) of the sealing punches 231, 231. The sealing unit 221 is preferably integrally molded from an electrically insulating material that is slippery, abrasion resistant, and chemical resistant, such as "Teflon" (trademark for fluoropolymer). The upper surfaces 251, 251 of the pair of sealing villages 231, 231 of the sea IJ unit 221 have a convexly curved cross-sectional shape, so that they can be slid onto the lower surfaces of both sides of the conductive strip 4 and are watertight. be contacted.

シーリングュニット221の遮蔽ブロック241は正確
に平らな上面261を備えており、該上面261は常に
封止杵231,231の曲面状上面251,251の頂
部より僅かに下方にあるようにされる。遮蔽ブロック2
41の下手(帯状体4の送行方向に関して進行側の意。
以下同じ。)側の端面271は第2図に最も良く示され
ているように下向きの凹曲面とされている。不燃性アノ
ード101の上面はその幅が他の部分より狭くされて両
側に一対の水平方向に延びる支持だな281,281が
形成される。第2図から解るように、これらの支持だな
281,281はメッキ液供給ブロック131のU字状
の上面と同一平面内にあるようにされている。アノード
101の一対の支持だな281,281上及びメッキ液
供給ブロック131のU字状上面には合成ゴムのような
弾性材料から成る押し上げ管291が配置されている。
この押し上げ管291は第5図に示すようにU字状に折
り曲げられており、そして、この押し上げ管291の上
にU字状のシーリングュニット221が載遣されている
。第4図で良く解るように、シーリングュニツト221
の一対の封止村231,231は、不溶性アノード10
1の幅が狭くされた頂部の両側面301,301に摺接
するように配置されている。
The shielding block 241 of the sealing unit 221 has a precisely flat upper surface 261 which is always slightly below the top of the curved upper surface 251, 251 of the sealing punch 231, 231. . shield block 2
41 lower hand (meaning the advancing side with respect to the feeding direction of the strip 4).
same as below. ) side end surface 271 is a downward concave curved surface, as best shown in FIG. The width of the upper surface of the non-flammable anode 101 is made narrower than the other portions, and a pair of horizontally extending support racks 281, 281 are formed on both sides. As can be seen from FIG. 2, these support racks 281, 281 are arranged to be in the same plane as the U-shaped upper surface of the plating solution supply block 131. A push-up tube 291 made of an elastic material such as synthetic rubber is arranged on the pair of support racks 281, 281 of the anode 101 and on the U-shaped upper surface of the plating solution supply block 131.
This push-up tube 291 is bent into a U-shape as shown in FIG. 5, and a U-shaped sealing unit 221 is placed on top of this push-up tube 291. As can be clearly seen in Figure 4, the sealing unit 221
The pair of sealing villages 231, 231 are connected to the insoluble anode 10.
1 is arranged so as to be in sliding contact with both side surfaces 301, 301 of the narrowed top part.

シーリングュニット221の遮蔽ブロック241はメッ
キ液供給ブロック131の上方をほとんど覆うように配
置される。押し上げ管291はエアー導管311を介し
てコンブレッサー321と連結されている。
The shielding block 241 of the sealing unit 221 is arranged so as to almost cover the upper part of the plating solution supply block 131. The push-up pipe 291 is connected to the compressor 321 via an air conduit 311.

コンブレッサー321から圧搾空気が押し上げ管291
に給送されると、押し上げ管291の直径が大きくなり
、その結果シーリングュニツト221を押し上げること
になる。一対の四角形の板331,331が押えねじ3
41によってアノード101及びメッキ液供給ブロック
131の両側面に固定され、これによって押し上げ管2
91,291を所定の位置に保持すると共にシーリング
ュニツト221の上下動を案内する。シーリングュニッ
ト221が押し上げ管291によって押し上げられると
、封止村231,231の曲面状上面251,251は
導電性帯状体4の下面両側部と沼接するようになる。
Compressed air from the compressor 321 pushes up the pipe 291
When the sealing unit 221 is fed upward, the diameter of the push-up tube 291 becomes larger, and as a result, the sealing unit 221 is pushed up. A pair of square plates 331, 331 are the cap screws 3
41 to both sides of the anode 101 and the plating solution supply block 131, and thereby the push-up tube 2
91, 291 in a predetermined position and guides the vertical movement of the sealing unit 221. When the sealing unit 221 is pushed up by the push-up tube 291, the curved upper surfaces 251, 251 of the sealing villages 231, 231 come into contact with both sides of the lower surface of the conductive strip 4.

このように、一対の封止杵231,231が電極間間隙
121の幅方向における両側を限定しかつ封止するので
、メッキ液は電極間間隙121を導電性帯状体4の長手
方向にのみ沿って流れることになる。シーリングュニッ
ト221の遮蔽ブロック241は陰極化された帯状体4
の下に部分的に横たわり、かつ不糟性アノード101の
上方を部分的に覆うように配置され、これによって、導
電性帯状体4の電極間間隙121内に進入した部分に連
続している部分をアノード101から遮蔽している。し
かして、この遮蔽ブロック241によって導電性帯状体
4に漏洩電流による早すぎる露着が為されることが防止
される。.遮蔽ブロック241は導電性帯状体4を漏洩
電流から遮蔽しなければならないものではあるが、又、
その上面261が導電性帯状体4の表面やあるいはその
表面に形造られたレジストマスクと接触するようなこと
があってはならない。
In this way, the pair of sealing punches 231, 231 limit and seal both sides of the inter-electrode gap 121 in the width direction, so that the plating solution passes through the inter-electrode gap 121 only along the longitudinal direction of the conductive strip 4. It will flow. The shielding block 241 of the sealing unit 221 is a cathodized strip 4
A portion that is disposed so as to partially lie below and partially cover the upper part of the impurity anode 101, thereby being continuous with the portion of the conductive strip 4 that has entered the inter-electrode gap 121. is shielded from the anode 101. Thus, the shielding block 241 prevents premature exposure of the conductive strip 4 due to leakage current. .. Although the shielding block 241 must shield the conductive strip 4 from leakage current,
The upper surface 261 must not come into contact with the surface of the conductive strip 4 or the resist mask formed on the surface.

これは、かかる接触によって導電性帯状体の表面が汚さ
れたり、あるいは又、レジストマスクが損傷されたりす
ることがないようにするためである。このような相反す
る2つの要求を満たすことは、封止村231,231の
曲面状上面251,251が導電性帯状体4と正しく摺
接したときに遮蔽ブロック241の上面261と導電性
帯状体4の下面との間に0.1mノm以下の間隙が保た
れるようにすることによって可能である。第2図におい
て良く解るように、遮蔽ブロック241の凹曲面状の下
手側端面271は不溶性アノード101の上手側端面の
上端緑351と対向するように配置されている。この端
縁351は曲面にされており、遮蔽ブロック241の曲
面状下手側端面271との間でメッキ液を供給溝141
から電極間間隙121へ導び〈ための曲路361が形成
されている。以上に述べたような不溶性ァノード101
とこれに関連した種々の都材と同様の構成のものが導電
性帯状体4を挟んで上側にも設けられ(上側のもの(付
加符号「u」が付されたもの。
This is to prevent such contact from staining the surface of the conductive strip or damaging the resist mask. Satisfying these two contradictory requirements means that when the curved upper surfaces 251, 251 of the sealing villages 231, 231 are in proper sliding contact with the conductive strip 4, the upper surface 261 of the shielding block 241 and the conductive strip This is possible by maintaining a gap of 0.1 mm or less between the base plate and the lower surface of the base plate. As can be clearly seen in FIG. 2, the concavely curved lower end surface 271 of the shielding block 241 is arranged to face the upper green end 351 of the upper end surface of the insoluble anode 101. This edge 351 has a curved surface, and the plating liquid is supplied to the supply groove 141 between it and the curved lower end surface 271 of the shielding block 241.
A curved path 361 is formed to lead from the electrode gap 121 to the electrode gap 121. Insoluble anode 101 as described above
and various related materials having the same structure are also provided on the upper side with the conductive strip 4 in between (the upper one (the one with the additional symbol "u")).

)はその上下関係だけが今まで述べてきた下側のもの(
付加符号「1」が付されたもの。)と反対になる。)、
これらによってメッキゾーンが形成される。37は上記
〆ッキゾーンの側部及び下側をメッキタンク2内におい
て覆うカバーで、その下側壁38には略中央に孔39が
形成されており、そして、下側壁38は孔39の形成箇
所が最も低くなるように傾斜せしめられている。
) is the lower one whose only hierarchical relationship has been described so far (
Items with an additional code “1”. ) is the opposite. ),
These form a plating zone. Reference numeral 37 denotes a cover that covers the sides and lower side of the finishing zone in the plating tank 2, and the lower wall 38 has a hole 39 formed approximately in the center. It is slanted to the lowest point.

上述したメッキ装置によって銅箔ないしは回路パターン
を連続的に製造する方法について述べる。
A method for continuously manufacturing copper foil or circuit patterns using the above-mentioned plating apparatus will be described.

尚、上述の実施例では、導電性帯状体4の上下両面に同
時にメッキを施すことができるが、ここでは、導電性帯
状体4の下面へのメッキについてのみ述べ、上面につい
ては下面の場合と略同様であるので、説明を省略する。
先ず、導電性帯状体4が矢印で示される方向(第2図に
おいて右方向)へ一定の速度で送行され〆ッキタンク2
内を通過して行くようにする。尚、プリント回路パター
ンを製造する場合には導電性帯状体4の表面にレジスト
剤により予めマスキングを施す必要があるが金属箔を製
造する場合にはそのような必要はない。そして、導電性
帯状体4はカソードコンタクト7,7によりカソード化
(陰極化)されなから送行される。ポンプ181が作動
されると、メッキ液がカソード化された導電性帯状体4
と不溶性アノード101との間の電極間間隙121を乱
流状態で流れて行く。
In the above-mentioned embodiment, plating can be applied to both the upper and lower surfaces of the conductive strip 4 at the same time, but here, only the plating on the lower surface of the conductive strip 4 will be described, and the plating on the upper surface will be the same as the lower surface. Since they are almost the same, the explanation will be omitted.
First, the conductive strip 4 is fed at a constant speed in the direction indicated by the arrow (to the right in FIG.
Let it pass through the inside. Note that when manufacturing a printed circuit pattern, it is necessary to mask the surface of the conductive strip 4 with a resist agent in advance, but when manufacturing a metal foil, there is no need for such masking. Then, the conductive strip 4 is fed without being made into a cathode (cathode) by the cathode contacts 7, 7. When the pump 181 is activated, the plating solution is applied to the cathodized conductive strip 4.
and the insoluble anode 101 in a turbulent state.

そして、この電極間間隙121を流れるメッキ液の乱流
の程度は導電性帯状体4の幅方向において一様であるこ
とが必要である。この目的のためには拡散板211がメ
ッキ液供給ブロック131の第1の溝141と第2の溝
151との間に配置されていることが寄与する。メッキ
液は、ポンプでメッキ液供給ブロック131へ給送され
ると、先ず溝151内に充ち、それから無数の小孔を有
する拡散板21 1を通過して別の溝141へ流入する
The degree of turbulence of the plating solution flowing through this inter-electrode gap 121 needs to be uniform in the width direction of the conductive strip 4. The fact that the diffusion plate 211 is disposed between the first groove 141 and the second groove 151 of the plating solution supply block 131 contributes to this purpose. When the plating solution is supplied by a pump to the plating solution supply block 131, it first fills the groove 151, then passes through the diffusion plate 211 having numerous small holes and flows into another groove 141.

それから、メッキ液は曲路361を経て電極間間隙12
1内へと流入する。この曲路361の存在も、電極間間
隙121を流れるメッキ液の乱流状態を幅方向において
一様にするのに役立つ。そして、シーリングュニット2
21の封止杵231,231があるので、メッキ液は導
電性帯状体4の長手方向に沿ってのみ流れることになる
。本発明における電気的な構成はどちらかと云えば普通
の良く知られた種類のものであるため図示していないが
、不溶性アノード101を通して加えられる直流電流密
度は約3A/のまでのものである。
Then, the plating solution passes through the curved path 361 to the inter-electrode gap 12.
Flow into 1. The existence of this curved path 361 also helps to make the turbulent flow of the plating solution flowing through the inter-electrode gap 121 uniform in the width direction. And Sealing Unit 2
Since there are 21 sealing punches 231, 231, the plating solution flows only along the longitudinal direction of the conductive strip 4. Although the electrical arrangement in the present invention is not shown as it is of a rather conventional and well known type, the direct current density applied through the insoluble anode 101 is up to about 3 A/V.

そして、導電性帯状体4の表面に銅が析出される。尚、
メッキ液が電極間間隙121を乱流状態となって流れる
ことは、導電性帯状体4に近接して分極層(銅イオン濃
度が過度に減少した部分)の発生を効果的に防ぎ、そし
て、このことが導電’性帯状体4への銅の堆積速度を促
進せしめることとなる。又、シーリングュニツト221
の遮蔽ブロック241は導電性帯状体4の正規のメッキ
ゾーンへ入る前の部分に漏洩電流による銅の析出が為さ
れるのを防止し、正規のメッキゾーンにおいてのみ導電
性帯状体4の電着が為されるようにする。従って、ピン
ホールやその他の欠点を生ずることなく、17ミクロン
あるいはそれ以下の厚さの銅箔や回路パターンを導電性
帯状体4の表面に連続的に形成することができる。以上
に記載したように、本発明においては、略水平な方向に
送行される導電性帯状体をメッキタンクの外においてこ
れを陰極化する手段と接触せしめるようにしたので、導
電性帯状体等が摩耗され、その摩耗粉がメッキ液の中に
混入するというような不都合を無くすことができるとと
もに、メッキ液供給口の前方であって導電性帯状体と電
極との間に遮蔽ブロックを配置したので、導電性帯状体
に漏洩電流による早すぎる雷着が為されることはなく、
メッキむらを皆無にすることができる。
Then, copper is deposited on the surface of the conductive strip 4. still,
The turbulent flow of the plating solution through the electrode gap 121 effectively prevents the formation of a polarized layer (a portion where the copper ion concentration is excessively reduced) in the vicinity of the conductive strip 4, and This accelerates the rate of copper deposition onto the conductive strip 4. Also, sealing unit 221
The shielding block 241 prevents copper deposition due to leakage current in the part of the conductive strip 4 before entering the regular plating zone, and prevents the electrodeposition of the conductive strip 4 only in the regular plating zone. ensure that this is done. Therefore, copper foil or circuit patterns with a thickness of 17 microns or less can be continuously formed on the surface of the conductive strip 4 without producing pinholes or other defects. As described above, in the present invention, the conductive strip conveyed in a substantially horizontal direction is brought into contact with the means for cathodizing it outside the plating tank, so that the conductive strip etc. This eliminates the inconvenience of abrasion particles being mixed into the plating solution, and a shielding block is placed between the conductive strip and the electrode in front of the plating solution supply port. , the conductive strip will not be prematurely struck by leakage current, and
Plating unevenness can be completely eliminated.

又、前述の実施例に示したように、メッキタンク内にお
いて導電性帯状体の両面側に電極間間隙を形成すること
が可能となり、能率の良いメッキ装置を得ることができ
る。尚、本発明は、銅の雷着だけでなく、ニッケル及び
コバルトの如き他の金属、並びにニッケル−コバルト合
金の如き合金の露着にも応用することができること勿論
である。
Further, as shown in the above-mentioned embodiments, it is possible to form inter-electrode gaps on both sides of the conductive strip in the plating tank, making it possible to obtain a highly efficient plating apparatus. It goes without saying that the present invention can be applied not only to copper deposition, but also to other metals such as nickel and cobalt, and alloys such as nickel-cobalt alloys.

第6図及び第7図は本発明に係るメッキ装置の別の実施
例を示すものである。
6 and 7 show another embodiment of the plating apparatus according to the present invention.

この実施例によるメッキ装置は導電性帯状体4の両面に
ではなく、下面にのみメッキを施すようにしたものであ
り、そのため、上側のアノード10uとそれに関連した
各部材が除かれており、その替りにスベリ性が良くかつ
耐摩耗性が良い材料から成る押えブロック40が配置さ
れている。押えブロック40はスベリ性及び耐摩耗性が
共に良好な材料例えば「テフロン」によって形成される
The plating apparatus according to this embodiment is designed to plate only the bottom surface of the conductive strip 4, not both sides, and therefore the upper anode 10u and related members are removed. Instead, a holding block 40 made of a material with good sliding properties and good wear resistance is arranged. The presser block 40 is made of a material having good sliding properties and wear resistance, such as Teflon.

押えブロック40は水平方向に延びる平らな下面41を
有している。押えブロック40の下面にはいくつかの凹
部42が形成されており、そして、その凹部42はブロ
ック40を垂直に貫通して設けられたいくつかの通路4
3と個別的に運遠されている。これらの通路43は導管
44を介して真空ポンプ45と連結されている。しかし
て、導電性帯状体4が送行されている間真空ポンプ45
によって押えブロック40の下面41に形成された凹部
42内が局部的に真空とされ、その結果導電性帯状体4
は押えブロック40の側に吸引される。
The presser block 40 has a flat lower surface 41 that extends in the horizontal direction. Several recesses 42 are formed on the lower surface of the presser block 40, and the recesses 42 are provided with several passages 4 vertically passing through the block 40.
3 and individually have been out of luck. These passages 43 are connected via conduits 44 to a vacuum pump 45 . Thus, while the conductive strip 4 is being fed, the vacuum pump 45
As a result, the inside of the recess 42 formed on the lower surface 41 of the holding block 40 is locally evacuated, and as a result, the conductive strip 4
is attracted to the presser block 40 side.

このようにして、導電性帯状体4は押えブロック40の
水平方向に延びる平らな下面41と摺接し、メッキゾ−
ンにおいてアノード101との間の正しい間隙を保つよ
うに走行されることになる。尚、この実施例において不
溶性アノード101とそれに関連した部村については、
前記実施例におけるものと同様であるので、同じ符号を
付したのみで説明は省略する。
In this way, the conductive strip 4 comes into sliding contact with the horizontally extending flat lower surface 41 of the holding block 40, and the plating zone
The anode 101 will be run while maintaining the correct gap between the anode 101 and the anode 101 at the same time. In this example, regarding the insoluble anode 101 and its related parts,
Since it is the same as that in the previous embodiment, the same reference numerals are given and the explanation will be omitted.

【図面の簡単な説明】 第1図は従来のメッキ装置の一例を示す概略図、第2図
乃至第5図は本発明に係るメッキ装置の実施の一例を示
し、第2図は部分的に破断して示す縦断側面図、第3図
は第2図のm−m線に沿う拡大断面図、第4図は第2図
のW−W線に沿う拡大断面図、第5図はシーリングュニ
ットとその下に配置された押し上げ管とを拡大して示す
斜視図、第6図及び第7図は本発明に係るメッキ装置の
別の実施例を示し、第6図は部分的に被断して示す縦断
側面図、第7図は第6図の肌一皿線に沿う拡大断面図で
ある。 符号の説明、1・・・・・・メッキ液、2・・・・・・
メッキタンク、4・・・・・・帯状体、9・・・・・・
陰極化手段、10・・・・・・不落性アノード、12・
・・・・・極間間隙、24・・・・・・遮蔽ブロック。 第1図第3図 第4図 第5図 図 N 蟻 図 糠 第7図
[Brief Description of the Drawings] Fig. 1 is a schematic diagram showing an example of a conventional plating apparatus, Figs. 2 to 5 show an example of implementation of the plating apparatus according to the present invention, and Fig. 2 partially shows 3 is an enlarged sectional view taken along line mm in FIG. 2, FIG. 4 is an enlarged sectional view taken along line W-W in FIG. FIGS. 6 and 7 are enlarged perspective views showing the knitted fabric and the push-up tube disposed below it, and FIGS. 6 and 7 show another embodiment of the plating apparatus according to the present invention, and FIG. FIG. 7 is an enlarged sectional view taken along the skin line in FIG. 6. Explanation of symbols, 1...Plating solution, 2...
Plating tank, 4... Band-shaped body, 9...
Cathodeization means, 10... Impermeable anode, 12.
...Pole gap, 24...Shielding block. Fig. 1 Fig. 3 Fig. 4 Fig. 5 Fig. N Ant drawing bran Fig. 7

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 メツキ液が収容されたメツキタンク内を横切って略
水平な方向にかつ予め定められた一定の方向に送行され
る導電性のある帯状体の表面にメツキタンク内にてメツ
キを施す方法において、前記導電性帯状体をメツキタン
ク外でこれを陰極化する手段と接触させるようにすると
ともに、メツキタンク内を送行する導電性帯状体を漏洩
電流による電着から遮蔽するようにしたことを特徴とす
るメツキ方法。 2 メツキ液が収容されたメツキタンクと、メツキタン
ク内を横切って略水平な方向にかつ予め定られた一定の
方向に送行される導電性のある帯状体と、該導電性帯状
体をメツキタンク外で陰極化する手段と、メツキタンク
内に配置され前記導電性帯状体との間に略水平な方向に
延びる適当な極間間隙を形成する不溶性アノードと、前
記極間間隙内にメツキ液を強制的に流すための手段と、
そして、前記メツキ液を供給する供給口の前方であって
、陰極化した導電性帯状体との間に該導電性帯状体を漏
洩電流による電着から遮蔽する電気絶縁材料から成る遮
蔽ブロツクとを備えていることを特徴とするメツキ装置
[Scope of Claims] 1. Plating is applied in the plating tank to the surface of a conductive strip that is fed in a substantially horizontal direction and in a predetermined direction across the plating tank containing the plating liquid. In the method, the conductive strip is brought into contact with a means for cathodizing it outside the plating tank, and the conductive strip traveling inside the plating tank is shielded from electrodeposition due to leakage current. Features the Metsuki method. 2. A plating tank containing plating liquid, a conductive strip that is fed across the plating tank in a substantially horizontal direction and in a predetermined direction, and the conductive strip being used as a cathode outside the plating tank. an insoluble anode arranged in a plating tank and forming a suitable inter-electrode gap extending in a substantially horizontal direction between the conductive strips; and a means for forcibly flowing a plating liquid into the inter-electrode gap. and means for
In front of the supply port for supplying the plating solution, a shielding block made of an electrically insulating material is provided between the cathodic conductive strip and the conductive strip to shield the conductive strip from electrodeposition caused by leakage current. A matsuki device characterized by comprising:
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