JPS6065590A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS6065590A JPS6065590A JP17352183A JP17352183A JPS6065590A JP S6065590 A JPS6065590 A JP S6065590A JP 17352183 A JP17352183 A JP 17352183A JP 17352183 A JP17352183 A JP 17352183A JP S6065590 A JPS6065590 A JP S6065590A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- frequency
- semiconductor laser
- output
- mirror
- laser
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/139—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明は外部共振器形半導体レーザ装前の出力安定化
と単−縦モード発振の安定化に関するものである。
と単−縦モード発振の安定化に関するものである。
第１図は従来の外部共振器形半導体レーザ装置を示す構
成図であり９図において（１）は外部鏡、（２）は半導
体レーザ、（３）は低周波発振器、（４）は圧電素子１
（５）はホトダイオード、（６）は増幅器、（７）は同
期検波器、（８）は差動増幅器、（９）は電流制御器で
ある。
成図であり９図において（１）は外部鏡、（２）は半導
体レーザ、（３）は低周波発振器、（４）は圧電素子１
（５）はホトダイオード、（６）は増幅器、（７）は同
期検波器、（８）は差動増幅器、（９）は電流制御器で
ある。
なおｆｉ＋はグレーティング等を用いてもよい。
外部共振器形半導体レーザ装置では外部鏡（１）を設け
て半導体レーザ（２）の端面とで外部共振器な構成し、
外部鏡＋１１の位置を適切に設定し同調条件を満足させ
ることによって単−縦モード発振を実現している。しか
し実際には温度等の変動によって上記同調条件がくずれ
多モード発振になることがある。
て半導体レーザ（２）の端面とで外部共振器な構成し、
外部鏡＋１１の位置を適切に設定し同調条件を満足させ
ることによって単−縦モード発振を実現している。しか
し実際には温度等の変動によって上記同調条件がくずれ
多モード発振になることがある。
そこで従来の外部共振器形半導体レーザ装置では安定な
単−縦モード発振な実現するために外部鏡（１１の同調
がとれ単−縦モード発振をしたときレーザ出力が極大と
なることを利用している。以下第１図を基に具体的に説
明する。周波数ｆｍの低周波発振器（３）の出力電圧を
外部鏡（１）に取付けた圧電素子（４）に印加し外部鏡
（１）と半導体レーザ（２）で形成される共振器長を変
調する。このときレーザ出力はｆｍで変調を受け、その
変調の振幅と極性は、前記最大レーザ出力を与える外部
鏡（１）の同調位置からのずれの大きさと極性に対応し
ている。したがってレーザ出力をホトダイオード（５）
で検出し周波数ｆｍの電気信号を増幅器（６ａ）で増幅
した後同期検波器（７）で同期検波すれば外部鏡ｆｉ＋
の位置変化に対応した誤差信号が得られる。この誤差信
号を増幅器（６ｂ）で増幅した後圧電素子（４）に帰還
すれば単−縦モード発振の安定化をはかることができる
。
単−縦モード発振な実現するために外部鏡（１１の同調
がとれ単−縦モード発振をしたときレーザ出力が極大と
なることを利用している。以下第１図を基に具体的に説
明する。周波数ｆｍの低周波発振器（３）の出力電圧を
外部鏡（１）に取付けた圧電素子（４）に印加し外部鏡
（１）と半導体レーザ（２）で形成される共振器長を変
調する。このときレーザ出力はｆｍで変調を受け、その
変調の振幅と極性は、前記最大レーザ出力を与える外部
鏡（１）の同調位置からのずれの大きさと極性に対応し
ている。したがってレーザ出力をホトダイオード（５）
で検出し周波数ｆｍの電気信号を増幅器（６ａ）で増幅
した後同期検波器（７）で同期検波すれば外部鏡ｆｉ＋
の位置変化に対応した誤差信号が得られる。この誤差信
号を増幅器（６ｂ）で増幅した後圧電素子（４）に帰還
すれば単−縦モード発振の安定化をはかることができる
。
さらにレーザ出力を一定に保つためにレーザ出力に比例
する増幅器（６ａ）の出力電圧を差動増幅器（８）で基
準電圧と比較し、差動増幅器（８）の出力として得られ
る差電圧で半導体レーザ（２）の駆動電流を電流制御器
（９）によって制御している。ここで差動増幅器（８）
は周波数ｆｍには応答しないように所要帯域が設定され
ている。したがってレーザ出力は平均値として一定に保
たれるが９周波数ｆｍの変調成分を含んでいる・これは
外部鏡（１）の位置制御用の誤差信号をレーザ出力の周
波数ｆｍの変調成分から得る必要があるからである。こ
のように従来の装置では単−縦モード発振を安定に維持
しようとするとレーザ出力は平均的にしか一定に保てず
周波数ｆｍの変動分が残るという欠点があった。
する増幅器（６ａ）の出力電圧を差動増幅器（８）で基
準電圧と比較し、差動増幅器（８）の出力として得られ
る差電圧で半導体レーザ（２）の駆動電流を電流制御器
（９）によって制御している。ここで差動増幅器（８）
は周波数ｆｍには応答しないように所要帯域が設定され
ている。したがってレーザ出力は平均値として一定に保
たれるが９周波数ｆｍの変調成分を含んでいる・これは
外部鏡（１）の位置制御用の誤差信号をレーザ出力の周
波数ｆｍの変調成分から得る必要があるからである。こ
のように従来の装置では単−縦モード発振を安定に維持
しようとするとレーザ出力は平均的にしか一定に保てず
周波数ｆｍの変動分が残るという欠点があった。
この発明は、かかる欠点を改善する目的でなされたもの
で、差動増幅器（８）を周波数ｆｍに応答するようにす
ると共に半導体レーザ（２）の駆動電流の周波数ｆｍ成
分から単−縦モード発振を安定に維持するだめの誤差信
号を取出すように構成することによりレーザ出力の安定
化をはかった外部共振器形半導体レーザ装置を提案する
ものである。
で、差動増幅器（８）を周波数ｆｍに応答するようにす
ると共に半導体レーザ（２）の駆動電流の周波数ｆｍ成
分から単−縦モード発振を安定に維持するだめの誤差信
号を取出すように構成することによりレーザ出力の安定
化をはかった外部共振器形半導体レーザ装置を提案する
ものである。
第２図はこの発明の実施例を示す構成図であり。
差動増幅器ａＣｊは周波数ｆＩ′ｒｌに応答するように
構成されている。周波数ｆｍの低周波発振器（３）の出
方電圧を外部鏡＋１１を取付けた圧電素子（４）に印加
゛し外部鏡（１）と半導体レーザ（２）間の共振器長を
変調するっこの結果半導体レーザ（２）の出力が周波数
ｆｒｎで変調を受ける。レーザ出力なホトダイオード（
５）で検出し増幅器（６ａ）で増幅した後差動増幅器Ｑ
ｌに入力するっ差動増幅器＋１１の他の入力端にはレー
ザ出力を一定に保つための基準電圧が入力されており両
者の差電圧に比例した差出力が得られる。差動増幅器ａ
１は従来の装置における差動増幅器（８）とは異なり周
波数ｆｍにも応答するように構成されているから。
構成されている。周波数ｆｍの低周波発振器（３）の出
方電圧を外部鏡＋１１を取付けた圧電素子（４）に印加
゛し外部鏡（１）と半導体レーザ（２）間の共振器長を
変調するっこの結果半導体レーザ（２）の出力が周波数
ｆｒｎで変調を受ける。レーザ出力なホトダイオード（
５）で検出し増幅器（６ａ）で増幅した後差動増幅器Ｑ
ｌに入力するっ差動増幅器＋１１の他の入力端にはレー
ザ出力を一定に保つための基準電圧が入力されており両
者の差電圧に比例した差出力が得られる。差動増幅器ａ
１は従来の装置における差動増幅器（８）とは異なり周
波数ｆｍにも応答するように構成されているから。
前記差出力を電流制御器（９）に入力すれば差出力に比
例して半導体レーザ（２）の駆動電流も周波数ｆｍで変
調される。電流制御器（９）は前記差出力が零に近づく
ように半導体レーザ（２）の駆動電流を制御しレーザ出
力を一定にする働きをする。したがって外部鏡（１）に
よって形成される前記共振器長を変調することによって
生じた半導体レーザ（２）の出力の周波数ｆｍの変調成
分は抑圧され１代わりに半導体レーザ（２）の駆動電流
が周波数ｆｍで変調されることになる。
例して半導体レーザ（２）の駆動電流も周波数ｆｍで変
調される。電流制御器（９）は前記差出力が零に近づく
ように半導体レーザ（２）の駆動電流を制御しレーザ出
力を一定にする働きをする。したがって外部鏡（１）に
よって形成される前記共振器長を変調することによって
生じた半導体レーザ（２）の出力の周波数ｆｍの変調成
分は抑圧され１代わりに半導体レーザ（２）の駆動電流
が周波数ｆｍで変調されることになる。
一方、前記駆動電流の周波数ｆｍの変調成分の振幅と極
性は従来の装置におけるレーザ出力の周波数ｆｍの変調
成分と同じように外部鏡（１）を同調位置に設定するた
めの情報を含んでいる。したがって電流制御器（９）の
出力の周波数ｆｍ成分を同期検波器（７）で同期検波す
ることによって外部鏡（１）を前記同調位置に制御する
ための誤差信号が得られ、この誤差信号を増幅器（６ｂ
）で増幅した後圧電素子（４）に帰還すれば単−縦モー
ド発振の安定化を達成できる。
性は従来の装置におけるレーザ出力の周波数ｆｍの変調
成分と同じように外部鏡（１）を同調位置に設定するた
めの情報を含んでいる。したがって電流制御器（９）の
出力の周波数ｆｍ成分を同期検波器（７）で同期検波す
ることによって外部鏡（１）を前記同調位置に制御する
ための誤差信号が得られ、この誤差信号を増幅器（６ｂ
）で増幅した後圧電素子（４）に帰還すれば単−縦モー
ド発振の安定化を達成できる。
以上のようにこの発明に係る半導体レーザ装置は外部鏡
（１）を同調位置に制御するための信号を半導体レーザ
（２）の駆動電流の変調成分から取り出すように構成し
たことにより、レーザ出力が一定で安定な単−縦モード
発振を実現できる利点がある。
（１）を同調位置に制御するための信号を半導体レーザ
（２）の駆動電流の変調成分から取り出すように構成し
たことにより、レーザ出力が一定で安定な単−縦モード
発振を実現できる利点がある。
第１図は従来の半導体レーザ装置の構成図、第２図はこ
の発明の実施例を示す構成図である。図中、（１）は外
部鏡、（２）は半導体レーザ、（３）は低周波発振器、
（４；は圧電素子、（６；はホトダイオード、（６）は
増幅器、（力は同期検波器、（８）は差動増幅器、（９
）は電流制御器、 ＱＱは差動増幅器である０なお１図
中、同一あるいは相当部分には同一符号を付しである。 代理人大岩増雄 第 １ 図 ａ−
の発明の実施例を示す構成図である。図中、（１）は外
部鏡、（２）は半導体レーザ、（３）は低周波発振器、
（４；は圧電素子、（６；はホトダイオード、（６）は
増幅器、（力は同期検波器、（８）は差動増幅器、（９
）は電流制御器、 ＱＱは差動増幅器である０なお１図
中、同一あるいは相当部分には同一符号を付しである。 代理人大岩増雄 第 １ 図 ａ−
Claims (1)
- 外部鏡等で構成される外部共振器を有する半導体レーザ
装置において、前記外部鏡等の位置を周波数ｆｍで変調
する手段と、レーザ出力を電気信号に変換する検出手段
と、前記検出手段によって得られた電圧と基準電圧とを
比較し両者の差電圧に比例した信号を発生する手段とを
備え、前記信号によって半導体レーザの駆動電流を制御
し前記基準電圧に相当するレベルにレーザ出力を一定に
すると共に、その結果生じた前記駆動電流中の周波数ｆ
ｍの電流成分を前記外部鏡等の位置を変調する駆動信号
で同期検波することによって得られる誤差信号で前記外
部鏡等の位置を制御するように構成したことを特徴とす
る半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17352183A JPS6065590A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17352183A JPS6065590A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065590A true JPS6065590A (ja) | 1985-04-15 |
Family
ID=15962065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17352183A Pending JPS6065590A (ja) | 1983-09-20 | 1983-09-20 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065590A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4819240A (en) * | 1985-06-28 | 1989-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light modulator |
-
1983
- 1983-09-20 JP JP17352183A patent/JPS6065590A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4819240A (en) * | 1985-06-28 | 1989-04-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light modulator |
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