JPS6065531A - 薄片状基板の固定方法 - Google Patents
薄片状基板の固定方法Info
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- JPS6065531A JPS6065531A JP58172981A JP17298183A JPS6065531A JP S6065531 A JPS6065531 A JP S6065531A JP 58172981 A JP58172981 A JP 58172981A JP 17298183 A JP17298183 A JP 17298183A JP S6065531 A JPS6065531 A JP S6065531A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、薄片状基板を薄片基板保持固定台に接着・固
定する方法に関するものである。
定する方法に関するものである。
集積回路を製造する際、半導体ウエノ・の表面にフォト
レジスト物質の層を付着し、フォトレジストの上にマス
クを介してパターンを感光させる方法が一般に行なわれ
ている。
レジスト物質の層を付着し、フォトレジストの上にマス
クを介してパターンを感光させる方法が一般に行なわれ
ている。
従来、紫外光線を使用したパターン焼付においては、マ
スクとウェハとを密着させたコンタクトアライナやマス
クとウェハとを２０〜５０μｍ程度近接させたグロキシ
ミティアライナが使用されていた。近年になっては、マ
スクとウェハとを完全に離した投影（プロジェクション
）型アライナが主流となっており、鏡を使った反射型と
レンズを使ってマスクパターンをウェハ上に転写する縮
小投影のステップ＆リピートの２通りがある。これらア
ライナの転写能力は、使用される紫外光の波長により制
限される為、解像力の点から見ると１μｍ前後パターン
が限界とされている。
スクとウェハとを密着させたコンタクトアライナやマス
クとウェハとを２０〜５０μｍ程度近接させたグロキシ
ミティアライナが使用されていた。近年になっては、マ
スクとウェハとを完全に離した投影（プロジェクション
）型アライナが主流となっており、鏡を使った反射型と
レンズを使ってマスクパターンをウェハ上に転写する縮
小投影のステップ＆リピートの２通りがある。これらア
ライナの転写能力は、使用される紫外光の波長により制
限される為、解像力の点から見ると１μｍ前後パターン
が限界とされている。
これに対し、Ｘ線露光は軟Ｘ線を使用し、使用波長が短
いことにより回折・干渉の影響が少ない為、サブミクロ
ン領域の転写が可能である。
いことにより回折・干渉の影響が少ない為、サブミクロ
ン領域の転写が可能である。
Ｘ線露光装置は、一括露光方式とステップ＆リピート方
式に分けられ、基本的には紫外光金利用したプロキシミ
テイアライナの光源をＸ線源に置き換えたものである。
式に分けられ、基本的には紫外光金利用したプロキシミ
テイアライナの光源をＸ線源に置き換えたものである。
即ち、マスクとウェハを近接状態に保持してＸ線源によ
り焼付けを行なうものである。
り焼付けを行なうものである。
これら露光装置は、第１図のように薄片状基板１（以下
、半導体ウェハと呼ぶ）を薄片状基板保持固定台２（以
下、ウェハチャックと呼ぶ）上に載せ真空により半導体
ウェハ１を吸着保持していた。そしてマスクパターンの
像をウェハ表面上に転写し、大気圧にて露光を行なって
いた。
、半導体ウェハと呼ぶ）を薄片状基板保持固定台２（以
下、ウェハチャックと呼ぶ）上に載せ真空により半導体
ウェハ１を吸着保持していた。そしてマスクパターンの
像をウェハ表面上に転写し、大気圧にて露光を行なって
いた。
パターンの微細化が進むにつれ、Ｘ線露光技術によるパ
ターン焼付けが脚光を浴び、次期転写技術として研究・
開発が進められている。Ｘ線露光技術に関しては数多く
の問題点が存在し解決策が望まれている。その中の１つ
にＸ線源の発生効率の低さという問題がある。これによ
り露光時１ｉ１１が−かかり過ぎ、スループットの低下
を招いている。その原因としては、大気圧においての露
光の為、Ｘ線が減衰して露光エネルギーが低下する事が
挙げられる。これを解消する方法には、Ｘ線が真空中な
らば減衰しないという事に着目し、真空中においての焼
付けを考えればよい。こうすると、半導体ウェハ及びマ
スク、駆動ステージなどを真空中で制御する技術が必要
となり新たな課題が生じてくる。
ターン焼付けが脚光を浴び、次期転写技術として研究・
開発が進められている。Ｘ線露光技術に関しては数多く
の問題点が存在し解決策が望まれている。その中の１つ
にＸ線源の発生効率の低さという問題がある。これによ
り露光時１ｉ１１が−かかり過ぎ、スループットの低下
を招いている。その原因としては、大気圧においての露
光の為、Ｘ線が減衰して露光エネルギーが低下する事が
挙げられる。これを解消する方法には、Ｘ線が真空中な
らば減衰しないという事に着目し、真空中においての焼
付けを考えればよい。こうすると、半導体ウェハ及びマ
スク、駆動ステージなどを真空中で制御する技術が必要
となり新たな課題が生じてくる。
例えば、第１図に示しだようにして半導体ウェハ１を真
空吸着しようとしても、この装置が真空中に設けられて
いると真空吸着ができない。
空吸着しようとしても、この装置が真空中に設けられて
いると真空吸着ができない。
こうした事情により、真空中露光を行なうためには真空
吸着に代る半導体ウェハ固定方法の開発が望まれる。
吸着に代る半導体ウェハ固定方法の開発が望まれる。
本発明の目的は、従来実施されていた半導体ウェハの真
空吸着固定に代り、真空中において半導体ウェハを保持
してその表面を平坦度良く高精度に固定する方法を提供
することにある。
空吸着固定に代り、真空中において半導体ウェハを保持
してその表面を平坦度良く高精度に固定する方法を提供
することにある。
上記の目的を達成するため、本発明の固定方法は、基板
保持固定台上に接着用ワックスを用いて半導体ウェハを
固定する方法において、上部基準平面上に複数個の凸部
を形成した基板保持内１定台を用い、該保持固定台及び
半導体ウェハの少なくとも何れが一方に接着用ワックス
の被膜を形成して接着状態をつくり、上記半導体ウェハ
全保持固定台に設けた複数個の凸部に当接させ、接着用
ワックスの収縮同化を利用して該半導体ウェハを保持固
定台上に接着・固定することを特徴とする。
保持固定台上に接着用ワックスを用いて半導体ウェハを
固定する方法において、上部基準平面上に複数個の凸部
を形成した基板保持内１定台を用い、該保持固定台及び
半導体ウェハの少なくとも何れが一方に接着用ワックス
の被膜を形成して接着状態をつくり、上記半導体ウェハ
全保持固定台に設けた複数個の凸部に当接させ、接着用
ワックスの収縮同化を利用して該半導体ウェハを保持固
定台上に接着・固定することを特徴とする。
次に、本発明の１実施例全第２図乃至第５図について説
明する。第３図に示すごとく、ウェハチャック１１の表
面には多数の凸部１２が形成され、凸部上面によりつく
られた基準平面の外周付近には溝１３を設けである。
明する。第３図に示すごとく、ウェハチャック１１の表
面には多数の凸部１２が形成され、凸部上面によりつく
られた基準平面の外周付近には溝１３を設けである。
半導体ウェハ１５をウェハチャック１１に仮接着するに
は、まずウェハチャック１１と半導体ウェハ１５の裏面
を洗浄することから始める。次に、半導体ウェハ１５及
びウェハチャック１１の少なくとも一方に接着用ワック
ス１６を塗布する。塗布する方法には次の２通りがある
。一つは、加熱器（ホットプレート）上にウェハチャッ
ク１１を瞳せ、その上に接着用ワックス（固形）１６ヲ
置く。加熱器によりウェハチャック１１の温度が上昇し
接着用ワックス１６の融点に達すると、接着用ワックス
１６は融は始めウェハチャック１１上で液体状のペース
トとなる。もう一つの方法は、接着ワックス（液状）を
直接ウェハチャック１１上に塗布あるいは、半導体ウェ
ハ１５の裏面に塗布する。ここで用いられる接着用ワッ
クス１６はホットメルト系接着剤が一般的である。
は、まずウェハチャック１１と半導体ウェハ１５の裏面
を洗浄することから始める。次に、半導体ウェハ１５及
びウェハチャック１１の少なくとも一方に接着用ワック
ス１６を塗布する。塗布する方法には次の２通りがある
。一つは、加熱器（ホットプレート）上にウェハチャッ
ク１１を瞳せ、その上に接着用ワックス（固形）１６ヲ
置く。加熱器によりウェハチャック１１の温度が上昇し
接着用ワックス１６の融点に達すると、接着用ワックス
１６は融は始めウェハチャック１１上で液体状のペース
トとなる。もう一つの方法は、接着ワックス（液状）を
直接ウェハチャック１１上に塗布あるいは、半導体ウェ
ハ１５の裏面に塗布する。ここで用いられる接着用ワッ
クス１６はホットメルト系接着剤が一般的である。
次に半導体ウエノ・を載置機構（１留示せず）で静カに
ウェハチャック１１上に置き、接着用ワックス１６を利
用して接着及び位置決めをする。通常、接着用ワックス
１６の膜厚Δｔ＝１〜２μｍ程度が良好に接着させるの
に適している。膜厚が非常に薄い為、密着性が優れた接
着と々る。
ウェハチャック１１上に置き、接着用ワックス１６を利
用して接着及び位置決めをする。通常、接着用ワックス
１６の膜厚Δｔ＝１〜２μｍ程度が良好に接着させるの
に適している。膜厚が非常に薄い為、密着性が優れた接
着と々る。
所定時間Ａｌ ｉＡ％後、ウェハチャック１１と半導体
ウェハ１５を接着用ワックス１６の融点以下まで除冷す
る。本発明は、ウエハチギソク１１表面の凸部１２の接
着ワックス１６が固まる時、収縮を起こすことを利用し
て、半導体ウェハ１５がウニハチナック１１に接着・固
定するものである。又、一般に市販されている仮接着用
ワックス１６は融点が５０°Ｃと低く、接着用ワックス
１６の体膨張係数が１０ Ｘ １０−４ ／ ０Ｃであ
る事と、本発明に用いるウェハチャック１１表面が複数
の凸部形状ゆえ半導体ウェハ１５との接触面積が少ない
事の２つを考慮すると、接着の際の接着歪は少ない。更
にこのウェハチャック１１でＪｒ、１：、塵埃、半導体
ウェハ裏面に付着している異物、ウェハチャック１１上
に付着する異物に影響されることなく接着できる為、半
導体ウェハ表面を高精度に保持できる点、侵九ている１
、 接着された２に導体ウェハ１５は、露光ステーションへ
搬送される。処理後、再びウェハチャック１１ヲ温めて
接着用ワックス１６ ｆ融かし、半導体ウェハ１５ヲウ
エハチヤツク１１から剥離させる。
ウェハ１５を接着用ワックス１６の融点以下まで除冷す
る。本発明は、ウエハチギソク１１表面の凸部１２の接
着ワックス１６が固まる時、収縮を起こすことを利用し
て、半導体ウェハ１５がウニハチナック１１に接着・固
定するものである。又、一般に市販されている仮接着用
ワックス１６は融点が５０°Ｃと低く、接着用ワックス
１６の体膨張係数が１０ Ｘ １０−４ ／ ０Ｃであ
る事と、本発明に用いるウェハチャック１１表面が複数
の凸部形状ゆえ半導体ウェハ１５との接触面積が少ない
事の２つを考慮すると、接着の際の接着歪は少ない。更
にこのウェハチャック１１でＪｒ、１：、塵埃、半導体
ウェハ裏面に付着している異物、ウェハチャック１１上
に付着する異物に影響されることなく接着できる為、半
導体ウェハ表面を高精度に保持できる点、侵九ている１
、 接着された２に導体ウェハ１５は、露光ステーションへ
搬送される。処理後、再びウェハチャック１１ヲ温めて
接着用ワックス１６ ｆ融かし、半導体ウェハ１５ヲウ
エハチヤツク１１から剥離させる。
剥離した半導体ウェハ１５とウェハチャック１１は化学
洗浄剤で十分洗浄した後、乾燥させる。
洗浄剤で十分洗浄した後、乾燥させる。
尚、本発明の比較例として、高精度に仕上げた平面を有
するウェハチャック２１で実験した所第４図に示す様に
半導体ウェハ１５は、中門状に接着された。この原因は
ウェハチャック２１面の面積が広いのとウェハチャツク
２１外周より冷却を始めるので冷却分布が不均一である
との理由により、接着用ワックス層１６の厚さが不均一
になること、である。中央部の膜厚１〜２μｍに対し、
外周部は３〜４μｍとなっている。
するウェハチャック２１で実験した所第４図に示す様に
半導体ウェハ１５は、中門状に接着された。この原因は
ウェハチャック２１面の面積が広いのとウェハチャツク
２１外周より冷却を始めるので冷却分布が不均一である
との理由により、接着用ワックス層１６の厚さが不均一
になること、である。中央部の膜厚１〜２μｍに対し、
外周部は３〜４μｍとなっている。
本発明による半導体ウェハの接着方法に用いるウェハチ
ャック１１上には、例えば領竣：πＲ２／４ ＝ Ｉ
Ｘ １０−’ｃｕｔ、凸部間隔； Ｐ ＝０．２〜１０
ｍｍ、深す； ０．０８ｍ で多数の凸部が形成されて
いる。この凸部表面は、エツチング加工で製作可能であ
り、上記の形状寸法の領域二πＲ２／４、はエツチング
加工限界を表わし、深す及び凸部間隔は接着・固定する
際の接着歪全十分小さくすることのできる数値である。
ャック１１上には、例えば領竣：πＲ２／４ ＝ Ｉ
Ｘ １０−’ｃｕｔ、凸部間隔； Ｐ ＝０．２〜１０
ｍｍ、深す； ０．０８ｍ で多数の凸部が形成されて
いる。この凸部表面は、エツチング加工で製作可能であ
り、上記の形状寸法の領域二πＲ２／４、はエツチング
加工限界を表わし、深す及び凸部間隔は接着・固定する
際の接着歪全十分小さくすることのできる数値である。
本発明のウェハチャックによる接着・固定後の半導体ウ
ェハ表面の平坦度は０５μｍと高精度を得、前記ウェハ
チャック２１の平坦度の悪さを改善し得た。
ェハ表面の平坦度は０５μｍと高精度を得、前記ウェハ
チャック２１の平坦度の悪さを改善し得た。
第５図は本発明の固定方法を実施するために構成したＸ
線露光装置の１例の垂直断面図である。この装置は上下
に６室に仕切られ、上室Ａ中室Ｂ、下室Ｃが構成されて
いる。Ｘ線の減衰を防ぐためには上記Ａ、Ｂ、Ｃ５室を
真空にすることが望首しい。
線露光装置の１例の垂直断面図である。この装置は上下
に６室に仕切られ、上室Ａ中室Ｂ、下室Ｃが構成されて
いる。Ｘ線の減衰を防ぐためには上記Ａ、Ｂ、Ｃ５室を
真空にすることが望首しい。
電子線２５をターゲット２６に照射して、ここから発生
したＸ線は中室Ｂ内に降り注き゛、ステージ２８上のマ
スク２９ヲ通過後、ウェハ１５の表面にマスクパターン
を転写する。
したＸ線は中室Ｂ内に降り注き゛、ステージ２８上のマ
スク２９ヲ通過後、ウェハ１５の表面にマスクパターン
を転写する。
中室Ｂは前記のごとく真空にすることが望ましいが）Ｉ
ｌ、ｅを導入してもよい。
ｌ、ｅを導入してもよい。
本発明の固定方法はＸ線露光装置のみでなくＳＯＲ錐光
や゛遊子ビーム露光装置にも適用して同様の効果が有る
。
や゛遊子ビーム露光装置にも適用して同様の効果が有る
。
以上詳述したように、本発明の固定方法によれば、従来
技術における半導体ウェハの真空吸着固定方法に代えて
、具窒雰囲気甲において半導体ウェハを保持し、その表
面を平坦度良く固定することができる。
技術における半導体ウェハの真空吸着固定方法に代えて
、具窒雰囲気甲において半導体ウェハを保持し、その表
面を平坦度良く固定することができる。
第１図は従来の半導体ウェハの真空吸着方法の説明図、
第２図は本発明の半導体ウェハ固定方法を説明するため
の垂直断面図、第５図は同じく一部破断乎面図、第４図
は平面板に半導体ウェハを接着した状態の説明図、第５
図は本発明方法を実施するために構成したＸ線露光装置
の垂直断面図である。 １１・・薄片状基板保持固定台 １２・・凸部 １５・・・薄片状基板 １６・・・接着用ワックス 鞘１図 鞘２図 消コ図 第４図
第２図は本発明の半導体ウェハ固定方法を説明するため
の垂直断面図、第５図は同じく一部破断乎面図、第４図
は平面板に半導体ウェハを接着した状態の説明図、第５
図は本発明方法を実施するために構成したＸ線露光装置
の垂直断面図である。 １１・・薄片状基板保持固定台 １２・・凸部 １５・・・薄片状基板 １６・・・接着用ワックス 鞘１図 鞘２図 消コ図 第４図
Claims (1)
- 基板保持固定台上に接着用ワックスを用いて薄片状基板
を固定する方法において、上部基準平面上に複数個の凸
部を形成した基板保持固定台を用い、該保持固定台及び
薄片状基板の少なくとも何れか一方に接着用ワックスの
被膜を形成して接着状態をつくり、上記薄片状基板を保
持固定台に設けた複数個の凸部に当接させ、接着用ワッ
クスの収縮同化を利用して該薄片状基板を保持固定台上
に接着・固定することを特徴とする薄片状基板の固定方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172981A JPS6065531A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄片状基板の固定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58172981A JPS6065531A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄片状基板の固定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065531A true JPS6065531A (ja) | 1985-04-15 |
Family
ID=15951951
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58172981A Pending JPS6065531A (ja) | 1983-09-21 | 1983-09-21 | 薄片状基板の固定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065531A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237727A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置およびその方法 |
-
1983
- 1983-09-21 JP JP58172981A patent/JPS6065531A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62237727A (ja) * | 1986-04-09 | 1987-10-17 | Hitachi Ltd | Ｘ線露光装置およびその方法 |
| JPH0588534B2 (ja) * | 1986-04-09 | 1993-12-22 | Hitachi Ltd |
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