JPS6065061A - ポリチェニレンもしくはその誘導体フィルム - Google Patents
ポリチェニレンもしくはその誘導体フィルムInfo
- Publication number
- JPS6065061A JPS6065061A JP17340883A JP17340883A JPS6065061A JP S6065061 A JPS6065061 A JP S6065061A JP 17340883 A JP17340883 A JP 17340883A JP 17340883 A JP17340883 A JP 17340883A JP S6065061 A JPS6065061 A JP S6065061A
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- Japan
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- film
- derivative
- polythenylene
- electrical conductivity
- dopant
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- Organic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、電子デバイスの分野に利用される導電性のポ
リチェニレンもしくはその誘導体フィルムに関する。
リチェニレンもしくはその誘導体フィルムに関する。
従来例の構成とその問題点
従来、たとえば山水ほか、高分子学会予稿集、υ（３）
、 ５３１ （１ｇＢ□ ）、やと（３） 、 ａ ７
７（１９８２）、などにヨウ素を含むポリチェニレンや
その誘導体であるポリ（３−メチルチェニレン）の例が
挙げられている。しかし、これらは導電率が低いかある
いは粉体であるため実際の使用に当たっては加圧成形し
て用いる必要があるなどの難点があった。
、 ５３１ （１ｇＢ□ ）、やと（３） 、 ａ ７
７（１９８２）、などにヨウ素を含むポリチェニレンや
その誘導体であるポリ（３−メチルチェニレン）の例が
挙げられている。しかし、これらは導電率が低いかある
いは粉体であるため実際の使用に当たっては加圧成形し
て用いる必要があるなどの難点があった。
発明の目的
本発明は、導電率が高く、フィルム状のポリチェニレン
もしくはその誘導体を提供することを目的とする。
もしくはその誘導体を提供することを目的とする。
発明の構成
本発明のポリチェニレンおよびその誘導体は、フィルム
状であり、かつハロゲン化された周期律表第三族元素ま
たは第五族元素−あるいはハロゲンのうち少なくとも１
つを含むことを特徴とする。
状であり、かつハロゲン化された周期律表第三族元素ま
たは第五族元素−あるいはハロゲンのうち少なくとも１
つを含むことを特徴とする。
これらのフィルムは、導電率が高く、導電材料や電極材
料に適する。
料に適する。
ポリチェニレンおよびその誘導体フィルムは、ハロゲン
化された周期律表第三族元素または第五族元素、あるい
はハロゲンのうち少なくとも１つを含むことによシ導電
率が３〜７桁上昇する。これは、これらのドーパントが
負に強く帯電し、ポリチェニレンおよびその誘導体の分
子鎖にこれを中和する大きな正電荷を与えてキャリア密
度を増大させることによるものと思われる。これらドー
パントとしては、たとえば、三フッ化ホウ素、三フッ化
リン、五フッ化ヒ素、三フッ化アンチモンなどのフッ化
物、三塩化アルミニウム、三塩化アンチモンなどの塩化
物あるいはフッ素、塩素・臭素、ヨウ素などのハロゲン
がある。これらのドーパント濃度むポリチェニレンおよ
びその誘導体フィルムは、ポリチェニレンなどのフィル
ムを上記ドーパントの雰囲気にさらすことによシ得られ
る。
化された周期律表第三族元素または第五族元素、あるい
はハロゲンのうち少なくとも１つを含むことによシ導電
率が３〜７桁上昇する。これは、これらのドーパントが
負に強く帯電し、ポリチェニレンおよびその誘導体の分
子鎖にこれを中和する大きな正電荷を与えてキャリア密
度を増大させることによるものと思われる。これらドー
パントとしては、たとえば、三フッ化ホウ素、三フッ化
リン、五フッ化ヒ素、三フッ化アンチモンなどのフッ化
物、三塩化アルミニウム、三塩化アンチモンなどの塩化
物あるいはフッ素、塩素・臭素、ヨウ素などのハロゲン
がある。これらのドーパント濃度むポリチェニレンおよ
びその誘導体フィルムは、ポリチェニレンなどのフィル
ムを上記ドーパントの雰囲気にさらすことによシ得られ
る。
したがって、導電率の調節されたフィルムは、ドーパン
ト濃度を調節することにより容易に得られる。
ト濃度を調節することにより容易に得られる。
実施例の説明
実施例１
チオフェンＡｆ、過塩素酸テトラエチルアンモニウム１
．６ｙ−およびフタロニトリル６ｙ−をアセトニトル２
００−に溶解させ、電流密度２ｍム／Ｃａで３０分間通
電してＩＴＯ陽極上に重合体フィルムを調製した０次に
、このフィルムを過塩素酸テトラエチルアンモニウム１
，６５Ｆ−ｉ溶解したアセトニトリル２０〇−中に移し
、電流密度４ ｍＡ ／ ｃイで３０分間電解還元した
後、メタノールで洗浄し、−昼夜真空乾燥してポリチェ
ニレンフィルムを得た０このフィルム’ｉｌｏ Ｍヨウ
素メタノール溶液に′２４時間浸漬し、ヨウ素を含んだ
導電性ポリチェニレンフィルムを調製した。後記の表に
室温での四端子法による導電率を示した。なお、比較の
ために電解還元したポリチェニレンフィルムの電圧降下
法による導電率を示した。
．６ｙ−およびフタロニトリル６ｙ−をアセトニトル２
００−に溶解させ、電流密度２ｍム／Ｃａで３０分間通
電してＩＴＯ陽極上に重合体フィルムを調製した０次に
、このフィルムを過塩素酸テトラエチルアンモニウム１
，６５Ｆ−ｉ溶解したアセトニトリル２０〇−中に移し
、電流密度４ ｍＡ ／ ｃイで３０分間電解還元した
後、メタノールで洗浄し、−昼夜真空乾燥してポリチェ
ニレンフィルムを得た０このフィルム’ｉｌｏ Ｍヨウ
素メタノール溶液に′２４時間浸漬し、ヨウ素を含んだ
導電性ポリチェニレンフィルムを調製した。後記の表に
室温での四端子法による導電率を示した。なお、比較の
ために電解還元したポリチェニレンフィルムの電圧降下
法による導電率を示した。
実施例２
３−メチルチオフェン４．Ｆ５ｆ、過塩素酸テトラ−ｎ
−ブチルアンモニウム１．ｅｙｆ：ニトロベンゼン２０
０ゴに溶解させ２ｍム／Ｃ本 ３０分の通電でＩＴＯ陽
極上に重合体フィルムを調整した０次に、このフィルム
を過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム１−ｅｙｔ
ｇ解ｔ、たニトロベンセン２００ ｍＡ中に移し、１ｍ
ム７．４で２０分間電解還元した後、メタノールで洗浄
し一昼夜真空乾燥してポリ（３−メチルチェニレン）フ
ィルムラ得た。
−ブチルアンモニウム１．ｅｙｆ：ニトロベンゼン２０
０ゴに溶解させ２ｍム／Ｃ本 ３０分の通電でＩＴＯ陽
極上に重合体フィルムを調整した０次に、このフィルム
を過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム１−ｅｙｔ
ｇ解ｔ、たニトロベンセン２００ ｍＡ中に移し、１ｍ
ム７．４で２０分間電解還元した後、メタノールで洗浄
し一昼夜真空乾燥してポリ（３−メチルチェニレン）フ
ィルムラ得た。
このフィルムｆ： １６’Ｍヨウ素メタノール溶液に２
４時間浸漬しヨウ素を含んだ導電性ポリ（３−メチルチ
ェニレン）フィルムを調製した。実施例１と同様に導電
率を測定した。
４時間浸漬しヨウ素を含んだ導電性ポリ（３−メチルチ
ェニレン）フィルムを調製した。実施例１と同様に導電
率を測定した。
実施例３
実施例２と同様にして重合し電解還元して得たホｌＪ
（３−７チルチエニレン）フィルムｔ １ｏ ”’ １
Ｍ臭素メタノール溶液に２４時間浸漬し、臭素を含ンだ
導電性ポリ（３−メチルチェニレン）フィルムを調製し
た。実施例１と同様にして導電率を測定した。
（３−７チルチエニレン）フィルムｔ １ｏ ”’ １
Ｍ臭素メタノール溶液に２４時間浸漬し、臭素を含ンだ
導電性ポリ（３−メチルチェニレン）フィルムを調製し
た。実施例１と同様にして導電率を測定した。
実施例４
実施例２と同様にして重合し電解還元して得たポＵ（３
−メチルチェニレン）フィルムｉ１Ｍ三フッ化ホウ素メ
タノール溶液に２４時間浸漬し、三フフ化ホウ素を含ん
だ導電性ポリ（３−メチルチェニレン）フィルムを調製
した０実施例１と同様にして導電率を測定した０ 但し、各試料に含まれるドーパントの値は、重量増加量
よりチオフェンあるいは３−メチルチオフェン１分子に
対するモル比であられした。
−メチルチェニレン）フィルムｉ１Ｍ三フッ化ホウ素メ
タノール溶液に２４時間浸漬し、三フフ化ホウ素を含ん
だ導電性ポリ（３−メチルチェニレン）フィルムを調製
した０実施例１と同様にして導電率を測定した０ 但し、各試料に含まれるドーパントの値は、重量増加量
よりチオフェンあるいは３−メチルチオフェン１分子に
対するモル比であられした。
表のように、これらのドーパント濃度んだフィルムの導
電率は一３〜７桁上昇し、ポリチェニレンおよびポリ（
３−メチルチェニレン）に高い導電性を与える。中でも
ヨウ素の効果が大きい。このことは、フィルム調製後フ
ィルム雰囲気のドーパント濃度の調節により巾広くフィ
ルムの導電率が調節できるということである。
電率は一３〜７桁上昇し、ポリチェニレンおよびポリ（
３−メチルチェニレン）に高い導電性を与える。中でも
ヨウ素の効果が大きい。このことは、フィルム調製後フ
ィルム雰囲気のドーパント濃度の調節により巾広くフィ
ルムの導電率が調節できるということである。
以上のように、ハロゲンあるいはハロゲン化物を含むポ
リチェニレンおよびその誘導体フィルムは、導電率が高
く、導電材料や電極材料として有用である。また、フィ
ルム調製後にドーピングにより巾広く導電率を調節でき
るので、本発明のポリチェニレンおよびその誘導体フィ
ルムの用途は著しく広汎になる。
リチェニレンおよびその誘導体フィルムは、導電率が高
く、導電材料や電極材料として有用である。また、フィ
ルム調製後にドーピングにより巾広く導電率を調節でき
るので、本発明のポリチェニレンおよびその誘導体フィ
ルムの用途は著しく広汎になる。
発明の効果
以上のように、本発明のポリチェニレンおよびその誘導
体フィルムは、導電率が高く、導電材料や電極材料とし
て有用であり、かつ大面積化も容易である。
体フィルムは、導電率が高く、導電材料や電極材料とし
て有用であり、かつ大面積化も容易である。
Claims (3)
- （１）ハロゲン化された周期律表第三族元素、軸ハロゲ
ン化された周期律表第五族元素及びハロゲンよりなる群
から選んだ少なくとも１つを含むことを特徴とするポリ
チェニレンｌ Ｌ＜ ｌｊその誘導体フィルム（ただし
、ハロゲンは、フッ素、塩素、臭素またはヨウ素である
）。 - （２）周期律表第三族元素がホウ素またはアルミニウム
である特許請求の範囲第１項記載のポリチェニレンもし
くはその誘導体フィルム。 - （３）周期律表第五族元素がリン、ヒ素またはアンチモ
ンである特許請求の範囲第１項記載のポリチェニレンも
しくはその誘導体フィルム。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17340883A JPS6065061A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | ポリチェニレンもしくはその誘導体フィルム |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17340883A JPS6065061A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | ポリチェニレンもしくはその誘導体フィルム |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6065061A true JPS6065061A (ja) | 1985-04-13 |
Family
ID=15959872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17340883A Pending JPS6065061A (ja) | 1983-09-19 | 1983-09-19 | ポリチェニレンもしくはその誘導体フィルム |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6065061A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987005914A1 (en) * | 1986-03-24 | 1987-10-08 | The Regents Of The University Of California | Self-doped polymers |
| US5342912A (en) * | 1987-12-14 | 1994-08-30 | Fred Wudl | Self-doped zwitterionic aniline polymers |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715369A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Ryuichi Yamamoto | Battery and storage battery provided with electrode made of polymer compound having iodine holding capability |
| JPS58147426A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Tokyo Inst Of Technol | 線状ポリ（３−アルキル２、５−チエニレン）重合体およびその製造方法 |
-
1983
- 1983-09-19 JP JP17340883A patent/JPS6065061A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5715369A (en) * | 1980-07-01 | 1982-01-26 | Ryuichi Yamamoto | Battery and storage battery provided with electrode made of polymer compound having iodine holding capability |
| JPS58147426A (ja) * | 1982-02-26 | 1983-09-02 | Tokyo Inst Of Technol | 線状ポリ（３−アルキル２、５−チエニレン）重合体およびその製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1987005914A1 (en) * | 1986-03-24 | 1987-10-08 | The Regents Of The University Of California | Self-doped polymers |
| US5569708A (en) * | 1986-03-24 | 1996-10-29 | The Regents Of The University Of California | Self-doped polymers |
| US5342912A (en) * | 1987-12-14 | 1994-08-30 | Fred Wudl | Self-doped zwitterionic aniline polymers |
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