JPS6063450A - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置Info
- Publication number
- JPS6063450A JPS6063450A JP8178084A JP8178084A JPS6063450A JP S6063450 A JPS6063450 A JP S6063450A JP 8178084 A JP8178084 A JP 8178084A JP 8178084 A JP8178084 A JP 8178084A JP S6063450 A JPS6063450 A JP S6063450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- inspection
- reflected light
- foreign matter
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/94—Investigating contamination, e.g. dust
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は物体表面上に存在する異物を検出するための異
物検査装置に関するもので、主として半導体ウェハ表面
の外観検査をするだめの異物検査装置を対象とするもの
である。たとえば、マスク・等に光を照射して、その反
射光によって、マスクの欠陥を検出する外観検査技術に
ついては、特開昭５４−８５７９３号に示されている。
物検査装置に関するもので、主として半導体ウェハ表面
の外観検査をするだめの異物検査装置を対象とするもの
である。たとえば、マスク・等に光を照射して、その反
射光によって、マスクの欠陥を検出する外観検査技術に
ついては、特開昭５４−８５７９３号に示されている。
半ヰ体装饅の製造工程で半導体ウェハ表面に異物が付着
することが多い。そしてその異物が半導体装置の歩留り
を決定する重要な要素となり、その異物の大きさ、数等
を把握しておくことが工程管理上必要となる。したがっ
て、実際の半導体装置の製造工程間において半導体ウェ
ハ上の異物についての検査が行われている。
することが多い。そしてその異物が半導体装置の歩留り
を決定する重要な要素となり、その異物の大きさ、数等
を把握しておくことが工程管理上必要となる。したがっ
て、実際の半導体装置の製造工程間において半導体ウェ
ハ上の異物についての検査が行われている。
従来における異物検査は一般に第１図（ａ）あるいは（
ｂ）Ｋ示すよ５に金属顕微鏡（倍率１００〜２００倍）
を使用した目視による検査法により行われていた。とこ
ろでこの方法には、異物か否かの判断によって検査員の
主観が入りゃすく、検査員によって検査結果が異なると
いう問題と検査に時間（一枚の半導体ウェハに２〜３時
間）がかかり、工程間の検査結果を迅速に工程管理に反
映させることができず歩留りの低下を有効忙防止し得な
いという問題があった。
ｂ）Ｋ示すよ５に金属顕微鏡（倍率１００〜２００倍）
を使用した目視による検査法により行われていた。とこ
ろでこの方法には、異物か否かの判断によって検査員の
主観が入りゃすく、検査員によって検査結果が異なると
いう問題と検査に時間（一枚の半導体ウェハに２〜３時
間）がかかり、工程間の検査結果を迅速に工程管理に反
映させることができず歩留りの低下を有効忙防止し得な
いという問題があった。
そのため、自動的に異物検査をすることが検討されたが
、半導体ウェハ表面には第２図に示すように半導体装置
に構成する必要な蝕刻が施されているので凹凸があり、
これと異物とを自動的に判別することが極めて困難であ
ることから、異物検査は目視による検査により行わざる
を得なかった。
、半導体ウェハ表面には第２図に示すように半導体装置
に構成する必要な蝕刻が施されているので凹凸があり、
これと異物とを自動的に判別することが極めて困難であ
ることから、異物検査は目視による検査により行わざる
を得なかった。
本発明の目的はかかる問題を解決し、自動的に異物を検
査できるようにすることにある。
査できるようにすることにある。
上記目的を達成するための本発明の一実施態様をま、
観察用光学系と照射光とを同軸にして、被検査板状物九
対して垂直に照射することにより、照射強度の均一化を
可能とした欠陥検査技術である。
対して垂直に照射することにより、照射強度の均一化を
可能とした欠陥検査技術である。
第３図は本発明に関連する異物検査方法を示すものであ
る。
る。
５は検査用ＸＹテーブル、６は焦点合せ用板バネ、７は
自動焦点装置、８はウェハ載置台、９は被検査半導体ウ
ェハ、１０は対物レンズ、１１は観察照明光照射用ミラ
ー、１２はレンズ、１３は観察照明ランプ、１４は視野
切換用プリズム、１５は目視観察用接眼レンズ、１６は
自動検査用接眼レンズ、１７は反射光を検知し、電気信
号に変換するためのフォトダイオードアレイ（デテクタ
）で、この出力が演算処理されて異物検査が自動的に行
われる。
自動焦点装置、８はウェハ載置台、９は被検査半導体ウ
ェハ、１０は対物レンズ、１１は観察照明光照射用ミラ
ー、１２はレンズ、１３は観察照明ランプ、１４は視野
切換用プリズム、１５は目視観察用接眼レンズ、１６は
自動検査用接眼レンズ、１７は反射光を検知し、電気信
号に変換するためのフォトダイオードアレイ（デテクタ
）で、この出力が演算処理されて異物検査が自動的に行
われる。
１８は検査用光源で、被検前半導体ウエノ・の凹凸の段
差面の方向の数（種類）Ｋ対応してそれと同数設置され
、各々が一定の順序で点滅を繰返すことにより半導体ウ
ェハに対する検査用光線の照射方向が変化する機構にな
っている。
差面の方向の数（種類）Ｋ対応してそれと同数設置され
、各々が一定の順序で点滅を繰返すことにより半導体ウ
ェハに対する検査用光線の照射方向が変化する機構にな
っている。
第４図（ａ） 、 （ｂ）はこの異物検査方法の検査原
理を示す説明図である。
理を示す説明図である。
この検査方法は、一般に半導体ウェハの表面に存在する
蝕刻が例として写真第８図に示すように整然としたパタ
ーンを成すように施され、その段差面の方向は一定の数
に限られるという事実を前提とし、凹凸における各方向
の側面はそれぞれそれに対向する角度からの検査用光線
をのみよく反射し、それ以外の角度からの検査用光線を
ほとんど反射しないのに対して異物はその表面があらゆ
る方向に側面を持つ突起体であり、どの角度からの検査
用光線も同じように反射することを利用するものである
。
蝕刻が例として写真第８図に示すように整然としたパタ
ーンを成すように施され、その段差面の方向は一定の数
に限られるという事実を前提とし、凹凸における各方向
の側面はそれぞれそれに対向する角度からの検査用光線
をのみよく反射し、それ以外の角度からの検査用光線を
ほとんど反射しないのに対して異物はその表面があらゆ
る方向に側面を持つ突起体であり、どの角度からの検査
用光線も同じように反射することを利用するものである
。
すなわち第４図（ａ）に示すように段差面の各方向に対
応して検査用光線の照射方向も方向１，２゜３．４の変
化できるようにする。１９が凸面、２０が段差面、２１
が凹面、２２が異物とすると％ＡＩＢ、Ｃ各位置に方同
位置２，３．４の検査用光線を照射した時の反射光は第
４図Φ）に示すようになる。
応して検査用光線の照射方向も方向１，２゜３．４の変
化できるようにする。１９が凸面、２０が段差面、２１
が凹面、２２が異物とすると％ＡＩＢ、Ｃ各位置に方同
位置２，３．４の検査用光線を照射した時の反射光は第
４図Φ）に示すようになる。
すなわち、Ａに示す部分は方向２の検査用光線をのみ反
射し、Ｂに示す部分は方向１の検査用光線をのみ反射す
るのに対して、Ｃに示す部分には異やがあるので方向ｌ
、 ２ ＋ ３ ｅ ４のすべての検査用光線を同様
忙反射する。
射し、Ｂに示す部分は方向１の検査用光線をのみ反射す
るのに対して、Ｃに示す部分には異やがあるので方向ｌ
、 ２ ＋ ３ ｅ ４のすべての検査用光線を同様
忙反射する。
したがって、検査用光線の照射方向を被検査半導体ウェ
ハの凹凸の段差面の方向に対応して変えることによって
複数の検知結果をめ、そのすべての検知結果において共
通に認められた反射光のみを異物からの反射光と判断す
ることＫより異物検量ができる。かかる検査は演算処理
によって自動的に行うことができるので、検査結果に人
の主観が介在することがなく、また、検査時間も極めて
短縮され、検査結果をすみやかに工程管理に反映させる
ことができる。
ハの凹凸の段差面の方向に対応して変えることによって
複数の検知結果をめ、そのすべての検知結果において共
通に認められた反射光のみを異物からの反射光と判断す
ることＫより異物検量ができる。かかる検査は演算処理
によって自動的に行うことができるので、検査結果に人
の主観が介在することがなく、また、検査時間も極めて
短縮され、検査結果をすみやかに工程管理に反映させる
ことができる。
第５図は検査用光線の方向を一定の順序で変化させるた
めの機構の一例を示すものである。
めの機構の一例を示すものである。
２３は光源、２４はレンズ、２５はミラー、２６はミラ
ー２５を回転させるためのモーター、２７は枠体、２８
は検査用光線ガイド孔である。
ー２５を回転させるためのモーター、２７は枠体、２８
は検査用光線ガイド孔である。
この機構は光源２３からの光線をミラー２５によって一
方向に向け、そのミラー２５をモーター２６によって回
転することによりその方向を変化させるようにしたもの
で、ミラ−２５０回転速度あるいは回転周期はミラー２
５の柄の部分に設けた一つの孔２９からの光をフォトダ
イオード３０によって検知することにより把握しできる
ようになっている。
方向に向け、そのミラー２５をモーター２６によって回
転することによりその方向を変化させるようにしたもの
で、ミラ−２５０回転速度あるいは回転周期はミラー２
５の柄の部分に設けた一つの孔２９からの光をフォトダ
イオード３０によって検知することにより把握しできる
ようになっている。
ガイド孔を通過した光はライトガイドを通じて検査用光
源部１８に到来し、さらに半導体ウエノ・表面に照射さ
れることＫなる。
源部１８に到来し、さらに半導体ウエノ・表面に照射さ
れることＫなる。
第６図は検査用光線の方向を一定の順序で変化させるた
めの機構の他の例を示すものである。
めの機構の他の例を示すものである。
光源２３に対向して回転板３１を設け、その回転板３１
に設けた一個の孔３２を通じて光線を光源部に送るよう
にしたものである。３３ａ〜３３ｄは光線伝播用グラス
ファイバで、回転板３１を回転させることによって孔３
２の位置を変えれば、当然に光線を照射する光源も変る
ことになる。
に設けた一個の孔３２を通じて光線を光源部に送るよう
にしたものである。３３ａ〜３３ｄは光線伝播用グラス
ファイバで、回転板３１を回転させることによって孔３
２の位置を変えれば、当然に光線を照射する光源も変る
ことになる。
第７図は本発明の実施例を示すもので、この実施例は半
導体ウェハの中心部上から検査用光線を照射し、各方向
段差面に対向して設けた複数の反射光検知手段１７によ
って同時に反射光の検知を行い、すべての検知手段１７
によって検知されたもののみを異物からの反射光と判断
する検査方法である。段差面での反射光は方向性を持つ
のでその方向によって特定の検知手段のみにおいて反射
光が検知できるのに対して異物においてはすべての方向
に反射するのですべての検知手段で反射光を検出できる
からである。血眼レンズ１５．ミラー１１よりなる観察
用光学系は、ランプ１３．レンズ１２．ミラー１１より
なる光照射機構と同軸にされている。
導体ウェハの中心部上から検査用光線を照射し、各方向
段差面に対向して設けた複数の反射光検知手段１７によ
って同時に反射光の検知を行い、すべての検知手段１７
によって検知されたもののみを異物からの反射光と判断
する検査方法である。段差面での反射光は方向性を持つ
のでその方向によって特定の検知手段のみにおいて反射
光が検知できるのに対して異物においてはすべての方向
に反射するのですべての検知手段で反射光を検出できる
からである。血眼レンズ１５．ミラー１１よりなる観察
用光学系は、ランプ１３．レンズ１２．ミラー１１より
なる光照射機構と同軸にされている。
これらのことにより、高速スキャンおよび照度の均一性
により、高速かつ高精度の欠陥検査技術を提供すること
ができる。
により、高速かつ高精度の欠陥検査技術を提供すること
ができる。
それに対して、異物はその表面が異なる方向をもつ微少
側面の集積と考えることかでき、どの方向からの照射光
に対してもほぼ同じように反射するので、本発明によれ
ば、異物を半導体ウェハに意図的に設けられた凹凸から
なるパターンと区別して検知することができる。
側面の集積と考えることかでき、どの方向からの照射光
に対してもほぼ同じように反射するので、本発明によれ
ば、異物を半導体ウェハに意図的に設けられた凹凸から
なるパターンと区別して検知することができる。
本発明は半導体ウェハに限らず一般的に整然とした形態
の凹凸を有する物体表面に付着する異物の検査方法に適
用できる。
の凹凸を有する物体表面に付着する異物の検査方法に適
用できる。
第１図（ａ）、υ）はそれぞれ従来の異や検査方法を示
す説明図、第２図は半導体ウェハの表面状態を示す復ｊ
面図である。第３図は本発明に関連する異物検査方法を
示す説明図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は上記例の原理
を説明するための説明図で、（ａ）は検査対象部分の平
面図、（ｂ）は検査用光線の方向を変えた場合における
各位置における反射光検知結果を示すものである。第５
図及び第６図は上記の例に用いる光源の機構例を示す断
面図である。第７図は不発明の実施例を示す説明図であ
る。隼滲咽→手黄１．２，３，４・・・検査用光線の方
向、５・・・ＸＹテーブル、６・・・焦点合せ用板バネ
、７・・・自動焦点装置、８・・・ウェハ載置台、９・
・・被検査半導体ウェハ、１０・・・対物レンズ、１１
・・・ミラー、１２・・・レンズ、１３・・・ランプ、
１４・・・プリズム、１５．１６・・・レンズ、１７・
・・フォトダイオードアレイ（デテクタ）、１８・・・
光源、１９・・・凸面、２０・・・段差面、２１・・・
凹面、２２・・・異物、２３・・・光源、２４・・・レ
ンズ、２５・・ベラ−１２６・・・モーター、２７・・
・枠体、２８・・・検査用光線ガイド孔、２９・・・孔
、３０・・・フォトダイオードアレイ、３１・・・回転
板、３２・・・孔、３３ａ〜３３ｄ・・・光線伝播用グ
ラスファイバ。 １、＼ 代理人 弁理士 高 橋 明 夫＜、シ第 ＩＩ￥１ （ｏ−）ｃＡ） 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 （ＩｌｌＬ） ２ （ｂ） 第 ５ 図 第 ６ 図 １Ｎ開昭［ｉｏ−Ｇ３４５０（５） ／’／ ／／
す説明図、第２図は半導体ウェハの表面状態を示す復ｊ
面図である。第３図は本発明に関連する異物検査方法を
示す説明図、第４図（ａ） 、 （ｂ）は上記例の原理
を説明するための説明図で、（ａ）は検査対象部分の平
面図、（ｂ）は検査用光線の方向を変えた場合における
各位置における反射光検知結果を示すものである。第５
図及び第６図は上記の例に用いる光源の機構例を示す断
面図である。第７図は不発明の実施例を示す説明図であ
る。隼滲咽→手黄１．２，３，４・・・検査用光線の方
向、５・・・ＸＹテーブル、６・・・焦点合せ用板バネ
、７・・・自動焦点装置、８・・・ウェハ載置台、９・
・・被検査半導体ウェハ、１０・・・対物レンズ、１１
・・・ミラー、１２・・・レンズ、１３・・・ランプ、
１４・・・プリズム、１５．１６・・・レンズ、１７・
・・フォトダイオードアレイ（デテクタ）、１８・・・
光源、１９・・・凸面、２０・・・段差面、２１・・・
凹面、２２・・・異物、２３・・・光源、２４・・・レ
ンズ、２５・・ベラ−１２６・・・モーター、２７・・
・枠体、２８・・・検査用光線ガイド孔、２９・・・孔
、３０・・・フォトダイオードアレイ、３１・・・回転
板、３２・・・孔、３３ａ〜３３ｄ・・・光線伝播用グ
ラスファイバ。 １、＼ 代理人 弁理士 高 橋 明 夫＜、シ第 ＩＩ￥１ （ｏ−）ｃＡ） 第 ２ 図 第 ３ 図 第 ４ 図 （ＩｌｌＬ） ２ （ｂ） 第 ５ 図 第 ６ 図 １Ｎ開昭［ｉｏ−Ｇ３４５０（５） ／’／ ／／
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、（ａ）被検査板状物を載置するための載置台と（ｂ
）上記板状物に光を照射するための光照射機構と （Ｃ）上記板状物よりの反射光を検出するための光検知
器と （ｄ）上記光照射機構とその光軸が実質的に同軸とされ
た部分を有する観察用光学系 よりなることを特徴とする欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8178084A JPS6063450A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8178084A JPS6063450A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 欠陥検査装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP727678A Division JPS54101389A (en) | 1978-01-27 | 1978-01-27 | Foreign matter inspecting method |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6063450A true JPS6063450A (ja) | 1985-04-11 |
Family
ID=13755989
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8178084A Pending JPS6063450A (ja) | 1984-04-25 | 1984-04-25 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6063450A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018143208A1 (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 株式会社島津製作所 | 前処理システム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120865A (en) * | 1974-08-13 | 1976-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | Hyomenkensasochi |
| JPS56112183A (en) * | 1980-01-25 | 1981-09-04 | Philips Nv | Circuit for correcting phase deviation between linear deflection drive signal linear synchronization signals for television receiver |
-
1984
- 1984-04-25 JP JP8178084A patent/JPS6063450A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5120865A (en) * | 1974-08-13 | 1976-02-19 | Mitsubishi Electric Corp | Hyomenkensasochi |
| JPS56112183A (en) * | 1980-01-25 | 1981-09-04 | Philips Nv | Circuit for correcting phase deviation between linear deflection drive signal linear synchronization signals for television receiver |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018143208A1 (ja) * | 2017-02-03 | 2018-08-09 | 株式会社島津製作所 | 前処理システム |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5032114B2 (ja) | パターン化ウェハまたは非パターン化ウェハおよびその他の検体の検査システム | |
| US4595289A (en) | Inspection system utilizing dark-field illumination | |
| TWI625519B (zh) | 表面檢驗方法及系統 | |
| JPS6330570B2 (ja) | ||
| CN111638226A (zh) | 检测方法、图像处理器以及检测系统 | |
| JP2003017536A (ja) | パターン検査方法及び検査装置 | |
| CN113075216B (zh) | 检测装置及检测方法 | |
| JPS6342222B2 (ja) | ||
| JPS6063450A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JP2000337823A (ja) | 表面検査装置及び表面検査方法 | |
| JPS6063449A (ja) | 欠陥検査装置 | |
| US6690460B2 (en) | Real time detection of cracked quartz window | |
| JPH01143904A (ja) | 薄膜検査装置 | |
| KR20090053274A (ko) | 웨이퍼 디펙트 검사장치 및 그 방법 | |
| JP3338118B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2603078B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
| JPH046898B2 (ja) | ||
| GB2292603A (en) | Testing systems for counting contaminant particles | |
| JP2001264262A (ja) | 表面異物検査方法および表面異物検査装置 | |
| JPH08226899A (ja) | 半導体シリコンベアウエハの表面検査方法及びその表面検査装置 | |
| JPH10221270A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH08136465A (ja) | 板状部材の表面検査装置 | |
| CN118369568A (zh) | 区分存在于透明基板的正面的缺陷与存在于背面的缺陷的方法和系统 | |
| JPS60122359A (ja) | 光学検査装置 | |
| CN114047190A (zh) | 一种表面缺陷的检测装置及检测方法 |