JPS606262U - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents

半導体レ−ザ装置

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JPS606262U
JPS606262U JP9988183U JP9988183U JPS606262U JP S606262 U JPS606262 U JP S606262U JP 9988183 U JP9988183 U JP 9988183U JP 9988183 U JP9988183 U JP 9988183U JP S606262 U JPS606262 U JP S606262U
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JP
Japan
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semiconductor laser
laser equipment
case
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utility
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Application number
JP9988183U
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English (en)
Inventor
水口 公秀
Original Assignee
三洋電機株式会社
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Publication date
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Publication of JPS606262U publication Critical patent/JPS606262U/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【図面の簡単な説明】
第1図は従来例を示す断面図、第2図は本考案の一実施
例を示す断面図、第3図A、 Bはビーム広がり特性を
示す特性図である。 1・・・・・・基台、2・・・・・・ケース、7・・・
・・・半導体レーザ素子、20・・・・・・凹凸。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 導電性の基台、該基台の一生面を被覆するケース、該ケ
    ース内に配設された半導体レーザ素子からなり、上記ケ
    ース内面には凹凸が形成されていることを特徴とする半
    導体レーザ装置。
JP9988183U 1983-06-27 1983-06-27 半導体レ−ザ装置 Pending JPS606262U (ja)

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JPS606262U true JPS606262U (ja) 1985-01-17

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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55148482A (en) * 1979-05-08 1980-11-19 Canon Inc Semiconductor laser device
JPS5858368B2 (ja) * 1979-02-22 1983-12-24 旭化成株式会社 圧縮強度の改良されたポリエチレンブレンド発泡体の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5858368B2 (ja) * 1979-02-22 1983-12-24 旭化成株式会社 圧縮強度の改良されたポリエチレンブレンド発泡体の製造方法
JPS55148482A (en) * 1979-05-08 1980-11-19 Canon Inc Semiconductor laser device

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