JPS6058553B2 - バブル複製装置 - Google Patents

バブル複製装置

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JPS6058553B2
JPS6058553B2 JP4250179A JP4250179A JPS6058553B2 JP S6058553 B2 JPS6058553 B2 JP S6058553B2 JP 4250179 A JP4250179 A JP 4250179A JP 4250179 A JP4250179 A JP 4250179A JP S6058553 B2 JPS6058553 B2 JP S6058553B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
bubble
loop
memory
terminal
readout
Prior art date
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Expired
Application number
JP4250179A
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English (en)
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JPS55135386A (en
Inventor
良夫 佐藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS55135386A publication Critical patent/JPS55135386A/ja
Publication of JPS6058553B2 publication Critical patent/JPS6058553B2/ja
Expired legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気バブルメモリにおけるバブル複製装置に
関するもので、特にコンテイギユアス・ディスク・デバ
イス方式(CDD方式)に用いられるバブル複製装置に
関する。
磁気バブルメモリにおいては、メモリループに存在す
るバブルを2分してその1つをメモリループに近接する
読出しループヘ移すことによりバブルの複製を行い、該
読出しループヘ移つたバブルを検出器へ送ることにより
、いわゆるメモリの非破壊的読出しが行われることにな
る。
しかるに、磁気バブルメモリの新しい転送方式の1つで
あるコンテイギユアス・ディスク、デバイス方式(CD
D方式)が提案されているが、この方式においては、バ
ブルの複製が困難であるという問題点がある。 本発明
の目的は、前述の事情にかんがみ、CDD方式の磁気バ
ブルメモリにおいて、メモリループ、読出しループ、お
よび制御パターンの相互関係についての着想にもとづき
、メモリループから読出しループヘのバブルヘの移転を
適切に行わせ、それによりバブルの複製を可能ならしめ
ることにある。
本発明においては、コンテイギユアス・ディスク・デ
バイス方式に用いられるバブル複製装置であつて、制御
パターンは3個の電極を有し、メモリループと読出しル
ープは山部と谷部が向かい合うように対向させられ、該
3個の電極の接続部は該山部と谷部を結ぶ線上に位置さ
せられていることを特徴とするバブル複製装置が提供さ
れる。
添附図面を参照しつつ本発明の実施例を説明する。第
1図にメモリループ1と読出しループ2とが間隔を置い
て対向し、両者間に電極4、5、6が設けられている。
CDD方式のバブルメモリにおいては、メモリループ1
および読出しループ2として、図示されるような形状の
ループが用いられる。第1図におけるメモリループ1と
読出しループ2は、第2図に示すように山部aが谷部を
’と、したがつて谷部をが山部a’と対向するように配
置される。3個の電極4、5、6は、メモリループ1と
読出しループ2との間隔部位置において、接続部7によ
つて接続される。
メモリループ1における一つの転送パターン円の円周
上にバブル3が存在する。
このバブル3は第1図において模式的に円9によつて表
示するような回転磁界(インプレーン磁界)HRによつ
て移動させられる。回転磁界の方向がア、イ、ウ、工、
すの順に変化するのに応じてバブルは円周上を時計方向
に順次移動する。転送パターン円の円周上には、第3図
に示すように、磁荷をもつた磁壁である、いわゆる、チ
ヤージドウオールC.W.が形成され、このチヤージド
ウオールは回転磁界の回転に応じて順次移動し、それに
よりバブルも移動する。
すなわち、バブルはチヤージドウオールに吸引される状
態にある。ところで、メモリループ1と読出しループ2
との間隔が或る大きさ以下であると、第2図に示したよ
うな山部と谷部との対応関係であるために、メモリルー
プ1のチヤージドウオールと読出しループ2のチヤージ
ドウオールがつながる傾向が生ずる。
それにより、バブルも該チヤージドウオールのつながり
線に沿うて伸長されやすくなる。メモリループと読出し
ループが、山部谷部対向関係に配置されており、該山部
と谷部を結ぶ区域に3個の電極の接続部7が位置させら
れているから、電流を5−6の方向に流してバブルの伸
長を行う場合に、前述のバブルが伸長されやすくなつて
いることは有利である。バブルはメモリループと読出し
ループとにまたがつて伸長された後、電極間4→6の方
向の電流により切断される。これによりバブルはメモリ
ループ上のものと、読出しループ上のものとに2分され
、バブルの複製が実現する。以上の過程が、第4図A,
b,c,dの動作説明図に図解的に示される。電極4,
5,6に電流を流すタイミングは第5図の電流波形図に
示される。第4図において、aは複製前のバブル列の状
態を示す。
bのタイミングの時に端子5から6へ電流を流す。端子
4を駆動する電源はダイオード8を介して接続されるか
ら端子5から端子6へ流れる電流は端子4の方へは流れ
込まない。それによ.り、端子5から端子6への電流が
作る磁界によりバブル3が伸長(ストレッチ)する。こ
のとき、転送パターンの山部と谷部が向かい合うように
対向してメジャーループと読出しループが配置してある
ため、チヤージドウオールC.W.が制御パターンに沿
つて生ずる。バブルはチヤージドウオール下でトラップ
されるので、バブルの伸長が補助される(t=T2)。
さらに、回転磁界が進み、c状態となつたとき、バブル
は2分割するための電流Lを端子4から端子6へ流す。
ダイオード8″が端子5に接続されているため、端子5
の方へ電”流は流れ込まない。カットのための電Ti.
l4が遮断するとき、時点T2から流していた伸長用電
流15も同時に遮断し、バブルの複製を完了する(t=
T3)。以後、dのように、2つの分割されたバブルの
一方はメジャーループへ、他方は検出器へと転送される
。前述のように、本発明においては、電極電流によるバ
ブル伸長が行われる。
一般にバブルメモリにおいては、バイアス磁界(HB)
が大になるとバブルが伸長されにくくなる傾向があつた
が、本発明におけるような電極電流によるバブル伸長の
制御を行うことにより、バブルの伸長が容易になる。こ
のことは、HR−HB特性における動作領域、いわゆる
マージンを拡大させることになる。本発明によれば、メ
モリループから読出しループへのバブルの移転が適切に
行われ、それによりバブルの複製が可能となり、CDD
方式のバブルメモリの有用性を高めることに役立つもの
である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例としてのバブル複製装置の概
略図、第2図および第3図は第1図装置の説明用図、第
4図は第1図装置の動作説明図、第5図は電極電流波形
図である。 1・・・メモリループ、2・・・読出しループ、3・・
・バブル、4,5,6・・・電極、7・・・電極接続部
、8,8″・・・ダイオード、9・・・回転磁界表示。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 コンテイギユアス・ディスク・デバイス方式に用い
    られるバブル複製装置であつて、制御パターンは3個の
    電極を有し、メモリループと読出しループは山部と谷部
    が向かい合うように対向させられ、該3個の電極の接続
    部は該山部と谷部を結ぶ区域に位置させられていること
    を特徴とするバブル複製装置。
JP4250179A 1979-04-10 1979-04-10 バブル複製装置 Expired JPS6058553B2 (ja)

Priority Applications (1)

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JP4250179A JPS6058553B2 (ja) 1979-04-10 1979-04-10 バブル複製装置

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JP4250179A JPS6058553B2 (ja) 1979-04-10 1979-04-10 バブル複製装置

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Publication Number Publication Date
JPS55135386A JPS55135386A (en) 1980-10-22
JPS6058553B2 true JPS6058553B2 (ja) 1985-12-20

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ID=12637807

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60134044U (ja) * 1984-02-20 1985-09-06 市光工業株式会社 電動格納式ミラ−の制御回路

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US4253159A (en) * 1979-12-03 1981-02-24 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Ion-implanted bubble memory with replicate port
JPS57141090A (en) * 1981-02-23 1982-09-01 Nec Corp Contiguous disc bubble divider and eraser
FR2529369A1 (fr) * 1982-06-29 1983-12-30 Commissariat Energie Atomique Memoire a bulles magnetiques a motifs non implantes, son utilisation pour la duplication de bulles et son application a la duplication par element binaire et par bloc d'elements binaires

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JPS60134044U (ja) * 1984-02-20 1985-09-06 市光工業株式会社 電動格納式ミラ−の制御回路

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JPS55135386A (en) 1980-10-22

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