JPS6057753A - Modulation-demodulation unit - Google Patents

Modulation-demodulation unit

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JPS6057753A
JPS6057753A JP16600083A JP16600083A JPS6057753A JP S6057753 A JPS6057753 A JP S6057753A JP 16600083 A JP16600083 A JP 16600083A JP 16600083 A JP16600083 A JP 16600083A JP S6057753 A JPS6057753 A JP S6057753A
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JP
Japan
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signal
processing
circuit
modulation
equation
Prior art date
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Pending
Application number
JP16600083A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsunehisa Sukai
須貝 恒久
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6057753A publication Critical patent/JPS6057753A/en
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04LTRANSMISSION OF DIGITAL INFORMATION, e.g. TELEGRAPHIC COMMUNICATION
    • H04L27/00Modulated-carrier systems

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  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Facsimile Image Signal Circuits (AREA)
  • Digital Transmission Methods That Use Modulated Carrier Waves (AREA)

Abstract

PURPOSE:To improve the permissible value for distortion and variation of a transmission characteristics by assigning each unit processing the operating formula by function, performing communication among units through a common memory and connecting the blocks to form plural layers by means of the minute processing and etching method. CONSTITUTION:The plural procesing unit A-C performing modulation-demodulation by operating and processing the smaple value operating formula assigned by function and obtain numerically and a common memory communicating the said units are provided. The block in the processing units A-C are connected by constituting plural layers through the minute processing and etching.

Description

【発明の詳細な説明】 技術分野 本発明は、変復調ユニットに関し、特に電話回線を介し
てデータおよびファクシミリの伝送を行う場合に用いら
れる変復調器(モデム)に関するものである。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a modulation/demodulation unit, and more particularly to a modulation/demodulation unit (modem) used for data and facsimile transmission over a telephone line.

従来技術 音声電話回線を利用して行われるファクシミリ伝送、あ
るいはその他のデータ伝送においては、符号伝送のため
に変復1’l’! 器が用いられている。
BACKGROUND OF THE INVENTION In facsimile transmissions or other data transmissions carried out using voice telephone lines, modulation of 1'l'! utensils are used.

変復調器に対しては、回線に送出する変調波形を作る動
作式、および受信変調波がら変調符号を抽出する動作式
を明確にして、回線の伝送特性、および変動に対する補
償、ならびに変動に追従していくなめの条件を算出する
ことが要求されるが、従来においては、これらの動作式
を導入することかできず、上記の補償および追従が完全
に行われなかった。
For modulators, the operating formula for creating the modulated waveform sent to the line and the operating formula for extracting the modulation code from the received modulated wave have been clarified, and the transmission characteristics of the line, compensation for fluctuations, and tracking of fluctuations have been clarified. Although it is required to calculate diagonal conditions, in the past, it was only possible to introduce these operating formulas, and the above-mentioned compensation and follow-up were not completely performed.

そこで、本発明者は、変復調動作式、自動等化調整動作
式、および復調クロック・タイミングの自動調整動作式
C対して、時間変数にサンプリング・タイミングを代入
し、て得られるサンプル値変復調動作式と、サンプリン
グすることにより生ずる不要波の分布帯と信号分布帯と
を分離するサンプル値フィルタ動作式と、上記不要波を
抑圧するサンプル値自動等化動作式とを、それぞれのサ
ンプリング時刻で演算する手段を具備した変復調ユニッ
トを提案した(特願昭56−147188号明細書参照
)。
Therefore, the present inventor substituted the sampling timing into the time variable for the modulation/demodulation operation formula, automatic equalization adjustment operation formula, and demodulation clock timing automatic adjustment operation formula C, and created a sample value modulation/demodulation operation formula obtained by substituting the sampling timing into the time variable. , a sample value filter operation formula that separates the unnecessary wave distribution band and signal distribution band generated by sampling, and a sample value automatic equalization operation formula that suppresses the unnecessary waves are calculated at each sampling time. proposed a modulation/demodulation unit equipped with means (see Japanese Patent Application No. 56-147188).

しかし、さらに変復調ユニットの小型化、高能率化が要
求されている。
However, there is a demand for further miniaturization and higher efficiency of the modulation/demodulation unit.

目 的 本発明の目的は、このような従来の要求を満足し、融通
性のある配線配置を行って、小さい占有空間により高能
率伝送を可能にした変復調ユニットを提供することにあ
る。
OBJECTIVES An object of the present invention is to provide a modulation/demodulation unit that satisfies such conventional requirements, has flexible wiring arrangement, and enables highly efficient transmission in a small occupied space.

構成 以下、本発明の構成を、原理説明と実施例により説明す
る。
Configuration The configuration of the present invention will be explained below by explaining the principle and examples.

本発明の原理および実施例を次の順序で説明する。α)
変調機能のサンプル値動作式、C2)検波のサンプル値
動作式、ら)同期制御のサンプル値動作式、外)動作確
立機能およびディジタル処理周辺回路、(5)ディジタ
ル信号処理回路、(6)微細加工による構造。
The principles and embodiments of the invention will be explained in the following order. α)
Sample value operation formula for modulation function, C2) Sample value operation formula for detection, et) Sample value operation formula for synchronous control, (ex) Operation establishment function and digital processing peripheral circuit, (5) Digital signal processing circuit, (6) Fine Structure by processing.

本発明の変復調ユニットは、変調波形を作る動作式と、
受信変調波から変調符号を取り出す動作式を処理する各
処理ユニットを、機能別に割当て、各処理ユニット間の
通信を共通メモリを通して行い、各処理ユニットにおけ
るブロック間の接続を微細加工、およびエツチング法で
複数の層を形成することにより、伝送特性の歪と変動の
許容値を大きくするものである。
The modulation/demodulation unit of the present invention has an operation formula that creates a modulation waveform,
Each processing unit that processes the operating formula for extracting the modulation code from the received modulated wave is assigned to each function, communication between each processing unit is performed through a common memory, and connections between blocks in each processing unit are made using microfabrication and etching methods. By forming a plurality of layers, the tolerance for distortion and variation in transmission characteristics is increased.

1変11機能のサンプル値動作式 変復調機能を構成するためC1変復調動作式をサンプル
値処理ユニットによってリアルタイムに処理する。変調
側においては、周波数帯域が音声帯域に制限され、周波
数変動のある回線を伝送できるような変調波形を作るた
めの動作式を作る。
In order to configure a sampled value-based modulation/demodulation function with 1 variable and 11 functions, the C1 modulation/demodulation type is processed in real time by the sampled value processing unit. On the modulation side, an operating formula is created to create a modulation waveform that can be transmitted over a line whose frequency band is limited to the voice band and has frequency fluctuations.

変調波形は次式で表わされる(前記出願明細書参照)。The modulation waveform is expressed by the following equation (see the specification of the above application).

f(t)−A(t)ooss、’t−B(t)sinω
。’ t ・・・(1,0)となる。ここでω。′は搬
送周波数で伝送帯域幅の轢ぼ中心に当り、A(tL B
(t)は包絡線波形である。
f(t)-A(t)ooss,'t-B(t)sinω
. 't...(1,0). Here ω. ' is the carrier frequency, which is the center of the transmission bandwidth, and A(tL B
(t) is an envelope waveform.

これを叩ンブル値処理ユニットによって作る場合におい
ては、サンプリング間隔を機能ごとに適正に配分する必
要がある。先づ、上記動作式のキャリア部分とボー信号
部分のサンプリング間隔を同じにすることは明らかに不
合理である。これらに対してそれぞれT、およびT、な
るサンプリング間隔を配分することとする。さらに、゛
これら部分の境界をどこにするかを考えるには、画部分
の中間にサンプリング間隔T0 なるベースバンド部を
設定して考えるのが妥当である。
When this is created by a sample value processing unit, it is necessary to appropriately allocate sampling intervals for each function. First, it is clearly unreasonable to make the sampling intervals of the carrier part and the baud signal part the same in the above-described operational formula. Suppose that sampling intervals T and T are allocated to these, respectively. Furthermore, when considering where to set the boundaries between these parts, it is appropriate to set a baseband part with a sampling interval T0 in the middle of the image part.

ここで、ボー信号、ベースバンド信号、およびキャリア
信号のサンプリングにおけるサンプリング番号をそれぞ
れi、m、!lとすると、であるとする。ここで、〔X
〕なる記号はXの値を越えない最大の整数であることを
意味する。
Here, the sampling numbers for sampling the baud signal, baseband signal, and carrier signal are i, m, !, respectively. Let l be . Here, [X
] means that it is the largest integer that does not exceed the value of X.

ベースバンドから見た伝送特性によってキャリア部分の
伝送特性の評価ができるようにするには、変調搬送波は
余弦項振幅を実数部、正弦項振幅を虚数部とする複素数
として扱うべきである。これをF (t)と表わす。サ
ン、ブリング間隔の異なる部分の接続によって伝送特性
の変形があり、これを明らかにするために wmmTl とおきF (m Tl )の2変換を考える。即ち、Z
(F (mT、 ) )=F(o)+F (T、) z
−’+F (2T、) Z ”+=Hp(デ) ・・・
(1,2) とする。キャリア信号のサンプリングを行う場合におい
ては、ベースバンドサンプリング間隔T□の間にF(m
T□)なる値が保持されて〆(nT)が得られるものと
すると、 2(〆(nT) )−F(o)H(p)+F (rl)
 H(p)p−に+F (2T、) H(p)p ”+
・・・・−F(p”)Hω)= F’(p)・・・(C
5)ここで pyc−、、xmT、 / T であり F(t)−、L、 、 u (t i Ts ) 6s
 ・・・(1,5)のように表わされる。u(t)は変
調搬送波のスベタトルを角層波数範囲 ”1 ” < w < Ws ’ に限定するための関数であり、di は次のような複素
数である。
In order to be able to evaluate the transmission characteristics of the carrier part using the transmission characteristics seen from the baseband, the modulated carrier wave should be treated as a complex number with the cosine term amplitude as the real part and the sine term amplitude as the imaginary part. This is expressed as F (t). There is a deformation of the transmission characteristics due to the connection of parts with different Sun and bling intervals, and to clarify this, consider two transformations of wmmTl and F (m Tl ). That is, Z
(F (mT, ) )=F(o)+F (T,) z
−'+F (2T,) Z ”+=Hp (de)...
(1, 2). When sampling the carrier signal, F(m
If the value T□) is held and 〆(nT) is obtained, then 2(〆(nT) )−F(o)H(p)+F(rl)
+F (2T,) H(p)p ”+ to H(p)p-
...-F(p”)Hω)=F'(p)...(C
5) Here pyc-,, xmT, / T and F(t)-, L, , u (t i Ts ) 6s
... is expressed as (1, 5). u(t) is a function for limiting the smoothness of the modulated carrier wave to the stratum corneum wave number range "1"< w < Ws ', and di is a complex number as shown below.

dl”’ &1+ j bl a□、b□は変調エレメント1に含まれるデータビット
の論理値組合せのそれぞれに対応して定められるもので
ある。(+、S)式の2変換を行うことによって、 F(z)−、l1lA、 □A 、n (mT、iTm
) eL□−一Σ1−x−M +11.−1’l’、、/Tl、(1) 、、、 (4
,、)これを(1,5)式に代入すると、 F’(,1/[) = Σt −j、t、/l□ u(
1)H(、x/x)1、、、に−M″i″ ・・・(1,7) Hは明らかにF (m Tl)を0次ホールドすること
によってF’(nT)を作る場合における特性の変形を
表わしている。これを補償すると云う考え方から、 なる関数を考え、 F (mT 1) ミ□」、 U’ (mT1−1 T
 s) a□00.(、−p)を宏輪する。そして、F
 (mTt)を。次ホールドする代りにF (mT工)
を0次ホールドすると変形Hω)を補償した元の伝送特
性が得られる。即ち、となることが(1,6)〜(1,
8)式を用いることによって導かれる。(1,10)式
の言変換の逆をとることを考えると、 F ’ (nT) −H(nT) o7(mT 、) 
・・・(1、11)のように表わされる。ここで0は両
辺のフンぎり二−シ目ンを表わす。これは単にF (m
 T > )の値をレジスタに保持しておくことを意味
している。
dl'''&1+ j bl a□, b□ are determined corresponding to each logical value combination of data bits included in modulation element 1. By performing two conversions of equation (+, S), F(z)-, l1lA, □A, n (mT, iTm
) eL□-1Σ1-x-M +11. -1'l', , /Tl, (1) , , (4
,,) Substituting this into equation (1,5), F'(,1/[) = Σt −j, t, /l□ u(
1) H(,x/x)1,... to -M″i″...(1,7) H obviously creates F'(nT) by holding F(m Tl) to the zeroth order. It represents the deformation of the characteristics in the case. From the idea of compensating for this, we consider the function F (mT 1) Mi□'', U' (mT1-1 T
s) a□00. (, -p). And F
(mTt). Next instead of holding F (mT engineering)
By holding 0-order, the original transmission characteristic with compensation for the deformation Hω) can be obtained. That is, (1,6) to (1,
8) is derived by using Eq. Considering the inverse word transformation of equation (1, 10), F' (nT) −H(nT) o7(mT,)
... is expressed as (1, 11). Here, 0 represents the second position between the two sides. This is simply F (m
This means that the value of T > ) is held in the register.

キャリア信号のサンプリング間隔はTである。The sampling interval of the carrier signal is T.

Tは角周波数がω。′である搬送波の一周期より小さく
なければ変調された搬送波を表現することができない。
The angular frequency of T is ω. The modulated carrier wave cannot be expressed unless the period is smaller than one period of the carrier wave.

このことを正確に表わすとサンプリング周波数のまわり
に分布するキャリア信号によってできた側帯波がキャリ
ア信号の帯域に混入してくることである。これはサンプ
リング周波数を大きくすることによってさけられるが、
これとは別にベースバンド信号をサンプリングすること
によって生ずる高次調波による成分が搬送波周波数のま
わりに分布し、これがベースバンド領域に混入してくる
。これはベースバンド信号をキャリア信号の処理部で0
次ホールドして作った? (nT)によるものであって
、この混入をさけるためにFo(nT)−G(nT)0
7′(nT)・・・(1,12)なるフィルタリングを
行う必要がある。G (n T)の遮断周波数はω。′
によって定められるが、通常、1800H,程度となろ
う。第1A図は出力端りに変調搬送波f (nT)を出
力する演算回路である。
To express this accurately, sideband waves generated by the carrier signal distributed around the sampling frequency mix into the band of the carrier signal. This can be avoided by increasing the sampling frequency, but
Apart from this, components due to higher harmonics generated by sampling the baseband signal are distributed around the carrier frequency, and these components mix into the baseband region. This is done by converting the baseband signal to 0 in the carrier signal processing section.
Next hold and made? (nT), and in order to avoid this contamination, Fo(nT)-G(nT)0
It is necessary to perform filtering of 7'(nT)...(1, 12). The cutoff frequency of G (n T) is ω. ′
It is usually about 1800H. FIG. 1A shows an arithmetic circuit that outputs a modulated carrier wave f (nT) at the output end.

、f (nT)は第1A図の右側の部分に示されるよう
に、 f (2LT)−Ao(!IT) oos ω。’ n
T−Bo(nT) sin a+。’ nT・・・(1
,j 3) なる形をなすものである。ここで、 F、 (nT) =A、 (nT) + J Bo(n
T)なる信号を作るには(1,12)式の処理を行う。
, f (nT) is f (2LT)-Ao(!IT) oos ω, as shown in the right part of FIG. 1A. ' n
T-Bo(nT) sin a+. 'nT...(1
, j 3). Here, F, (nT) = A, (nT) + J Bo(n
To create the signal T), the processing of equations (1, 12) is performed.

この処理は第1A図においてG、、G、によって示され
るもので G (nT) G 1 (nT) ”j G @ Cn
T)である。ただ、この形は一般形であって実際的には
G * (nT) −Q とおくのが便利である。第1
A図のHなるブ四ツクは(1,N)式で示される保持作
用を示す。このブロックの入力信号は(1,11)式右
辺第2項である。Hまでの処理ステップを説明するため
に(1,8)式のUを U’ (mT、)−P’(mT、) +JQ’(mT□
) ・・−(1,14)のように表わし、更に、 F (m T l ) −A (m T l ) + 
j B (mT x )とすると、 U’ll、上式テハP′、Q′ハ(1,8)式カラ求メ
ラれるものでυを変形したものである。Uは両側帯波伝
送では虚数部をもつ必要はない。しかし、ホールド処理
による特性の変形を修正するには(1゜15)式に示す
ように実数部のみならず虚数部も必要になることがわか
る。
This process is indicated by G, ,G in FIG. 1A, and G (nT) G 1 (nT) ”j G @ Cn
T). However, this form is a general form, and in practice it is convenient to write it as G * (nT) -Q. 1st
The box labeled H in Figure A indicates the holding effect expressed by the equation (1, N). The input signal of this block is the second term on the right side of equation (1, 11). To explain the processing steps up to H, U in equation (1, 8) is changed to U' (mT,) - P' (mT,) + JQ' (mT□
) ...-(1,14), and furthermore, F (m T l ) -A (m T l ) +
When j B (mT x ), U'll, the above equation P', and Q' are obtained by transforming υ using the (1,8) equation. U does not need to have an imaginary part in double-band transmission. However, it can be seen that in order to correct the deformation of the characteristics due to the hold processing, not only the real part but also the imaginary part is required, as shown in equation (1°15).

第1A図のROMは余弦と正弦間′Ikmを記録した読
取専用メモリである。第1A図のAI、 A、 。
The ROM of FIG. 1A is a read-only memory that stores the cosine and sine distance 'Ikm. AI, A, in Figure 1A.

Bo およびB、はそれぞれ(1g+s)酸第1式の第
1゜第2、および第2式の第1.第2項の演算を行うも
のでこの項の関数の変数は λ(m、 t) I”” m71 ””’ i T @
 ・・・(L 16)であって、これを引数とする表に
よってこの関数をめる。この表の内容はUの所要スペク
トルとその補正式である(1. a)式によってあらか
じめ読取専用メモリなどに計算結果を記録することによ
って用意される。そして、その表を引く引数は第1A図
のλなるプロッタとその周辺記号によって表わされる処
理によってめられる。この処理は(1,16)式を差分
彫に直した λ (重、 t) −1−J G1−1. t) +T
、r λ (’+ i)−λ θt+ 1−1) −T
@1・(1,17) によってめられる。(1,1!l)式の&11 btは
第1A図の表Cによってめられる。この表Cは変調エレ
メントに入る送信データビットの系列から作られる数を
引数として索引される。ベクトルL1−a + j b
lの取り得る離散値の個数をNとすると送信データピッ
Y系列はlog、N個のビットごとに区切られ、一つの
区切の中に入った各ビットの論理値の組合せで作られる
数に1の差分を第1人図のR□なるメモリによってとり
、それを引数としてCの索表が行われる。この表の内容
は復調器における上記d1の離散値の誤識別がより少く
なるように設定される。
Bo and B are the (1g+s) acids 1st and 2nd of the first formula, and 1st and the second of the second formula, respectively. It performs the operation of the second term, and the variable of the function of this term is λ(m, t) I"" m71 ""' i T @
...(L 16), and this function is defined by a table using this as an argument. The contents of this table are prepared by recording the calculation results in a read-only memory or the like in advance based on the required spectrum of U and its correction formula (1.a). The argument for drawing the table is determined by the process represented by the plotter λ and its peripheral symbols in FIG. 1A. This process is λ (weight, t) -1-J G1-1. t) +T
, r λ ('+ i)-λ θt+ 1-1) -T
It is determined by @1・(1,17). &11 bt in the equation (1, 1!l) can be found from Table C in FIG. 1A. This table C is indexed by the number formed from the sequence of transmitted data bits that enter the modulation element. Vector L1-a + j b
If the number of discrete values that l can take is N, the transmitted data bit Y sequence is divided into log N bits, and the number created by the combination of the logical values of each bit in one division is 1. The difference is taken by the memory R□ of the first person figure, and a lookup table of C is performed using it as an argument. The contents of this table are set so that the demodulator is less likely to misidentify the discrete value of d1.

第1B図は第1A図のB、、A□の部分の詳細図で”k
j’に一1’・・・・は表Cの出力;を記憶するシフト
レジスタである。また P# 、 Q/なるブロックは
その人力値によってP’ (mTt) −Q’ (誼T
、)なる関数表を索引する操作を行うことを表わす。
Figure 1B is a detailed view of the parts B, A□ in Figure 1A.
j' to 1'... is a shift register that stores the output of Table C; Also, the blocks P#, Q/ are P' (mTt) -Q' (誼T
, ) represents the operation of indexing the function table.

ボー信号、ベースバンド信号、およびキャリア信号への
サンプリングレイトの配分はそれぞれ1/ T、、1/
TIおよびl/Tとなるが、ボー信号は変調速度から定
まる2、4 KH2によってmiiされることとなるか
ら、その他のサンプリングレイ)は2−4 KHzの整
数恰になる。搬送周波数のまわリニベースバンドサンブ
Vンダによって生ずる一帯波がベースバンド帯に入るの
を紡出するには、上述のようにG(mT) によって行
う。従って、問題はキャリア信号サンプリング周波数、
およびベースバンド信号サンプリング周波数のまわりに
分布する側帯波がさけられる条件を探せばよい。
The sampling rate distribution for the baud signal, baseband signal, and carrier signal is 1/T, , 1/
TI and l/T, but since the baud signal will be mii'd by 2,4 KH2 determined from the modulation rate, the other sampling rays will be integers of 2-4 KHz. In order to spin out the band wave generated by the linear baseband summation of the carrier frequency into the baseband band, G(mT) is used as described above. Therefore, the problem is the carrier signal sampling frequency,
It is sufficient to search for conditions under which sideband waves distributed around the baseband signal sampling frequency can be avoided.

実現上妥当と考えられるサンプリングレイトの配分はボ
ー信号、ベースバンド信号、およびキャリア信号に対し
、それぞれ、 α)2.4KH,,2,4KHM、および9−6KH9
−6KH,4KH,、4,8KH,、オJ:ヒ9.6に
H2の2つが考えられる。α)の条件では(1,15)
式においてm=−χとなって F(kT、)−σ(kT、)O1号 なるコンボリューションによって表わされることとなり
、σ(kT、)はディジタルフィルタとして実現できる
。しかし、ベースバンド信号サンプリング周波数のまわ
りに分布する側帯波をベースバンド信号から分離するに
は上記のディジタルフィルタは理想濾波器に近いものと
なる。そして、ベースバンド信号に接近して上記側帯波
があり、α)の条件では実現を不可能にする要因である
。2)の場合は上記側帯波とベースバンド信号の所要帯
域の間にあそびの領域をとることができる。後述のよう
に100 t−t、程度の帯域のベツタワーYチャネル
の設定する余裕を作ることができる。
Sampling rate distributions that are considered appropriate for implementation are α) 2.4KH, 2.4KHM, and 9-6KH9 for the baud signal, baseband signal, and carrier signal, respectively.
-6KH,4KH,,4,8KH,,OJ:H9.6 and H2 are possible. In the condition α) (1, 15)
In the equation, m=-χ, and it is expressed by a convolution of F(kT,)-σ(kT,)O1, and σ(kT,) can be realized as a digital filter. However, in order to separate sideband waves distributed around the baseband signal sampling frequency from the baseband signal, the digital filter described above becomes close to an ideal filter. Furthermore, the above-mentioned sideband waves exist close to the baseband signal, which is a factor that makes it impossible to realize the condition α). In the case of 2), an idle region can be provided between the sideband wave and the required band of the baseband signal. As will be described later, it is possible to create a margin for setting a bettower Y channel with a band of about 100 t-t.

なお、第1人図において、(a)、(1=)、および(
0)はそれぞれサンプリング間隔がT、TI、およびT
In addition, in the first person figure, (a), (1=), and (
0) have sampling intervals of T, TI, and T, respectively.
.

であるサンプル値処理部であることを示、す。また、T
、なる処理部からT1 なる処理部のλなるブロックへ
の入力を示しであるが、これはAの内容をT、ごとにク
リアすることを意味している。λについては(1,1)
式の計算のためのものであることを述べたが、実際に(
1,1S)式などを演算する場合においては現時点をに
−Qとして計算することになる。これに合わせるにはT
、ごとにλを0とすればよい。第1B図において% ”
k# &に−11・・・・・、ak−Mによって@1成
されるシフトレジスタはT、なる間隔で更新されるもの
で第1B図の他の部分と異なる間隔になる。第1B図に
示す回路を全部同じクロックで処理できるようにするに
は、第1B図は第1c図のようにシフトレジスタの各段
にダミーを入れる必要がある。桓し、これはe〕のサン
プリングレイト配分の場合である。第1C図で(c)の
部分は2.4KH,、(b)の部分は4.8KH。
Indicates that the sample value processing unit is . Also, T
The input from the processing unit T1 to the block λ of the processing unit T1 is shown, which means that the contents of A are cleared every T. For λ (1, 1)
I mentioned that it is for formula calculation, but actually (
When calculating the equation 1, 1S), etc., the current time is set to -Q. To match this T
, it is sufficient to set λ to 0. In Figure 1B, %”
The shift register created by k# & -11..., ak-M is updated at an interval of T, which is a different interval from the other parts of FIG. In order to be able to process all the circuits shown in FIG. 1B with the same clock, it is necessary to insert a dummy in each stage of the shift register in FIG. 1B as shown in FIG. 1c. This is the case for the sampling rate distribution e]. In Fig. 1C, the part (c) is 2.4KH, and the part (b) is 4.8KH.

で、それぞれサンプリングする。and sample each.

2検波のサンプル値動作式 変調器から出力された変調搬送波は回線を通して復調器
に受信される。復調器入力の受信波は、もし、回線に周
波数、および位相変動がなけれ喧R’(tl−r、 (
t) eos (alo’ t) −rll(t) t
a in (#o’ t)のような形になる。しかし、
一般に変動があるからこのような形にはならない。検波
のサンプル値動作式をめるには受信側の基準によって受
信波を定義する必要がある。従って、受信波はR(t)
 −r、(t)cos ((11゜を十α、(t))−
r、(t)sin←。1+α、(1))・・・(2,1
) となる。これはω。を中心としてその近にうに分布する
スペクトルでこれをベースバンドに近い信号として取扱
うために、先づ、 −(t)−R(t)a j (”o t+θ(t))−
e(t)ej#(t) 、−(2,2)を作る。ここで e (t)−e 0(t)+ J e 、 (t)。。
The modulated carrier wave output from the sample value operated modulator of dual detection is received by a demodulator through a line. If there are no frequency and phase fluctuations in the line, the received wave at the input of the demodulator is expressed as R'(tl-r, (
t) eos (alo' t) -rll(t) t
It has the form a in (#o' t). but,
In general, it does not take this form because there are fluctuations. To formulate the sample value operation formula for detection, it is necessary to define the received wave based on the standards of the receiving side. Therefore, the received wave is R(t)
−r, (t)cos ((11° to 1α, (t))−
r, (t) sin←. 1+α, (1))...(2,1
) becomes. This is ω. In order to treat this as a signal close to the baseband with a spectrum distributed around the center, first, -(t)-R(t)a j ("o t+θ(t))-
Create e(t)ej#(t), -(2,2). Here e (t) - e 0 (t) + J e , (t). .

0.)−08゜。□t)、 e、(t)−ai。。。、
。、))−(2,5)である。(2,2)の操作を行う
場合においては高調波が発生する。これをさく除して一
2πW〜2πWにスペクトルを限定する必要がある。こ
のために次のようにξ(1)なる単位応答をもつフィル
タリングを行う。
0. ) −08°. □t), e, (t)-ai. . . ,
. , ))-(2,5). When performing the operation (2, 2), harmonics are generated. It is necessary to eliminate this and limit the spectrum to -2πW to 2πW. For this purpose, filtering with a unit response ξ(1) is performed as follows.

M (t)−e(t) *ξ(1) ここで z(t)−x(t)+ j y(t) +ξ(1)−ダ
(t)+jζ(1)であるとすると、 !(t)−17(t) O@0(t)十ζ(t) Oe
、(t)y(・)−η(1)0・8(1)−η(1)0
・。(を己°−゛(2,“)となる。検波の目的はr 
、(t) 、 r 、(t)をめることにあるが、この
ためには(2,2)式のθ(1)をα。(1)に近づけ
る必要がある。このためには制輝が必要でこれについて
は後述する。
M (t)-e(t) *ξ(1) Here, if z(t)-x(t)+j y(t) +ξ(1)-da(t)+jζ(1), then ! (t)-17(t) O@0(t) 10ζ(t) Oe
, (t)y(・)−η(1)0・8(1)−η(1)0
・. ( becomes self°−゛(2, “).The purpose of detection is r
, (t), r, and (t), but for this purpose, θ(1) in equation (2,2) is replaced by α. It is necessary to approach (1). For this purpose, brightness control is required, which will be discussed later.

受信波を検波する動作式をめるには(2,1)式におけ
るα。(1) は測定不可能な量とし、、R(t)が測
定されooeω。t、E+inω。tが復調器で作られ
るものであると考える。これをサンシル値処理回路で発
生させたときのサンプル値によってeQ、esを表わす
と、 のようになる。復調側においても送信側と同じようにキ
ャリア信号部分とボー信号部分があって全部同じサンプ
リング間隔で処理するのは不合理であり、やはり、サン
プリングレイトの適正配分を考える必要がある。しかし
、復調側でマルチレイト系とする場合にはスキップサン
プリンダを行うこの影響がさけられる条件を満足する配
分法があるかどうかが問題である。このため(2,4)
において−先づ一ηなどをη。とηに分割し、?Oには
1/T、η′には1/T、を配分する場合の可能性ある
条件を探してみる。先づ、例として(2,4)式右辺第
1項を x’(t)−y+。(t)Os。(t)+v’(t)O
eo(t) −・−(2,6)のように分割し、右辺第
1項において・t = n Tとし x、 (nT) =+7o(nT) Oe、 (nT)
 ・・−(2,7)とおいて *−Ki (K、iは整数) とおき、U(nT)をunit 5top関数とし、x
、(4T、)=U (nT s n−Ki)xl(nT
) ・・(2,8)なるスキップ信号x、 (tT、)
を考える。ここで、(nT:n=Ki)なる表示法はn
をKで割った値のうち整数となるような1をとることを
意味している0このx、(IT□)にスキップサンプリ
ング定理を適用するとxl(iT□)の2変換は1 λ
ボに−1 XI (a)−; 、J’−v−(pej2”/k) 
・e、(p、52y2/h。
To calculate the operating equation for detecting the received wave, use α in equation (2, 1). (1) is an unmeasurable quantity, and R(t) is measured as ooeω. t, E+inω. Consider that t is produced by the demodulator. If eQ and es are expressed by the sample values generated by the Sansil value processing circuit, the following is obtained. On the demodulating side, there is a carrier signal part and a baud signal part, just like on the transmitting side, and it is unreasonable to process them all at the same sampling interval, so it is still necessary to consider the appropriate allocation of sampling rates. However, when using a multi-rate system on the demodulation side, the question is whether there is a distribution method that satisfies the conditions for avoiding this effect of performing a skip sampler. For this reason (2,4)
In - first η etc. η. and divided into η, ? Let's look for possible conditions when allocating 1/T to O and 1/T to η'. First, as an example, the first term on the right side of equation (2,4) is x'(t)-y+. (t)Os. (t)+v'(t)O
Divide as eo(t) −・−(2,6), and in the first term on the right side, set ・t = n T, x, (nT) = +7o(nT) Oe, (nT)
...-(2,7), *-Ki (K, i are integers), let U(nT) be a unit 5top function, and x
, (4T,)=U (nT s n-Ki)xl(nT
)...(2,8) skip signal x, (tT,)
think of. Here, the representation method (nT:n=Ki) is n
It means to take 1 which is an integer among the values divided by K. Applying the skip sampling theorem to this x, (IT□), the 2 transformation of xl (iT□) is 1 λ
Bo-1 XI (a)-; , J'-v-(pej2”/k)
・e, (p, 52y2/h.

となる。ここで、z m p である。一方、(2,7
)式の2変換をとれば xlo)−η。ω)・ eoω) ・・・(2,10)
となるが、これに対して(2,0武力辺の各項において
pの代りに 、。j2πλ/に とおいた項が現われることになる。これらの式において
p = ejalT とおくことによってスキップ信号
によるスペクトル分布がまる。これらのスペクトル分布
においてλ−〇の成分は所要波であって、このほかλ+
0なる不要波がサンプリング周波数のl/にの間隔で発
生する。従って、ボー信号のサンプリング周波数のまわ
りの不要波とボー信号所要帯域を区別できるためにはポ
ル信号の所要帯域が遮断周波数がボーレイトの半分の理
想濾波器によるもの、即ち、ナイキスト帯域に等しくな
っていなければならない。この条件を送信側で満足させ
るにはサンプリングレイトの配分法が2.4.4.8.
9.6KH,の場合にベースバンドでナイキスト帯域伝
送に近づける必要がある。しかし、復調側においてサン
プリングレイトを配分する場合においては、変調器の配
分と同じにしても意味がないことがスキップサンプリン
グ定理から云えるから、2.4.2.4.9.6KH,
とする必要がある。この場合、変調側のベースバンドに
相当する部分、即ち、(2,6)式のη′のサンプリン
グはボー信号のサンプリングと同じになるからη′の処
理は次の段に接続される自動等什器のトランスパーサル
フィルタで行われることとなる。この場合、トランスパ
ーサルフィルタの入力信号は(2,4)式をサンプル値
で表わした次のような式になる。
becomes. Here, z m p . On the other hand, (2,7
) by taking two transformations of the equation xlo)-η. ω)・eoω) ...(2,10)
However, on the other hand, in each term of the (2,0 force side, instead of p, a term set to .j2πλ/ appears.By setting p = ejalT in these equations, The spectral distribution is perfect.In these spectral distributions, the λ−〇 component is the required wave, and in addition, λ+
Unnecessary waves of 0 are generated at intervals of l/ of the sampling frequency. Therefore, in order to distinguish between unnecessary waves around the sampling frequency of the baud signal and the required band of the baud signal, the required band of the pol signal must be equal to the Nyquist band of an ideal filter with a cutoff frequency half the baud rate. There must be. In order to satisfy this condition on the transmitting side, the sampling rate distribution method is 2.4.4.8.
In the case of 9.6 KH, it is necessary to make the baseband close to Nyquist band transmission. However, when allocating the sampling rate on the demodulation side, it can be said from the skip sampling theorem that there is no meaning in using the same allocation as the modulator, so 2.4.2.4.9.6KH,
It is necessary to do so. In this case, the part corresponding to the baseband on the modulation side, that is, the sampling of η' in equation (2, 6) is the same as the sampling of the baud signal, so the processing of η' is performed by the automatic etc. connected to the next stage. This will be done using a transpersal filter in the fixture. In this case, the input signal of the transpersal filter becomes the following equation, which represents equation (2, 4) using sample values.

L−T、/T として、 x (kT、) −TJ (nT + n−Lk) (
(’7゜(nT) 080(nT) )+(ζ。(nT
) Os、(nT)))y (k’l @) −u (
nT + n−Lk) ((η6 (rL”) Oea
 (nT) )−(ζo (nT) Oe o bT)
 ) )・・・(2,11) 勿論、この信号にはボー信号の所要帯域に不要波が密接
して分布する。しかし、次に接続される自動等化器にお
いてこの不要波をさく除できる。
As L−T, /T, x (kT,) −TJ (nT + n−Lk) (
('7゜(nT) 080(nT) )+(ζ.(nT
) Os, (nT)))y (k'l @) -u (
nT + n-Lk) ((η6 (rL”) Oea
(nT) )−(ζo (nT) Oe o bT)
) )...(2,11) Of course, in this signal, unnecessary waves are closely distributed in the required band of the baud signal. However, this unnecessary wave can be removed by the automatic equalizer connected next.

即ち、後述のように自動等化処理におけるトランスパー
サルフィルタがナイキスト帯域伝送となるように行われ
る。これは帯域外の信号があるかぎり検波信号のエラー
”x (kTl) + 6.(kT、)が発生し、M 
(hT、)−り2(kTお) + 、、s (k’r、
) が小さくなる方向にタップ系数の自動調整が行われ
ることによるものである。
That is, as will be described later, the transparsal filter in automatic equalization processing is performed to provide Nyquist band transmission. This means that as long as there is a signal outside the band, an error in the detected signal x (kTl) + 6.(kT, ) will occur, and M
(hT,)-ri2(kTo) + ,,s (k'r,
) is automatically adjusted in the direction of decreasing the number of taps.

第2A図は、(2,11)式を処理する場合の処理回路
であり、次の段の自動等化処理め入力となる信号x (
kT、)、 y(kTl)は第2A図の9.10なるレ
ジスタの出力を間隔T、ごとに参照することによって得
られる。第2A図の(0)なる区間はサンプリンダ間隔
T、のサンプル値処理回路である。(&)なる区間はサ
ンプリンダ間隔Tのサンプル値処理回路で8なる部分は
(2,11)式の*て示されるコンポリューシ目ンとそ
れに関連する表示の処理を行う。
Figure 2A shows a processing circuit for processing equations (2, 11), and the signal x (
kT, ), y(kTl) can be obtained by referring to the output of register 9.10 in FIG. 2A every interval T. The section (0) in FIG. 2A is a sample value processing circuit with a sampler interval T. The section (&) is a sample value processing circuit with a sampler interval T, and the section 8 processes the conpolution index indicated by * in equation (2, 11) and its related display.

7は受信側の復調回路入力端子で6によって7のアナロ
グ信号がディジタルに変換される。1,2゜3.4.5
で示される回路は(2,5)式を処理するもので養には
s、 (nT)を、δにはθ8(nT)を出力する。以
上は変復調側のサンプリングレイトの配分をそれぞれ2
.4.4.8.9.6KH,、および2.4.2.4.
9.6KHMとし、ナイキスト帯域の伝送を行って全て
ディジタルなサンプル値処理を行う場合であるが、必ず
しもナイキスト帯域の伝送でなくても適用できる回路は
第2B図に示す。
Reference numeral 7 denotes an input terminal of a demodulation circuit on the receiving side, and the analog signal of 7 is converted into a digital signal by 6. 1,2゜3.4.5
The circuit shown by is for processing equations (2, 5) and outputs s, (nT) for input and θ8(nT) for δ. The above shows that the sampling rate on the modulation and demodulation side is distributed by 2.
.. 4.4.8.9.6KH, and 2.4.2.4.
9.6 KHM, Nyquist band transmission is performed, and all digital sample value processing is performed, but a circuit that can be applied even if the Nyquist band transmission is not necessarily performed is shown in FIG. 2B.

第2B図においては6が受信側の復調回路入力端子で1
.2.3.4.5で示される回路は(2,5)式を処理
する。しかし、第2B図(1+)なる部分は線彫なアナ
ログ処理回路でl、ζなどは(2,a)式のそれを示す
。一方、(&)なる区間キャリア信号のサンプル値処理
回路てディジタルな処理回路である。
In Figure 2B, 6 is the receiving side demodulation circuit input terminal and 1
.. The circuit shown in 2.3.4.5 processes equation (2,5). However, the part (1+) in FIG. 2B is a line-carved analog processing circuit, and l, ζ, etc. are those of equation (2, a). On the other hand, the section carrier signal sample value processing circuit (&) is a digital processing circuit.

そして、養、5はアナログ・パイ・ディジタル掛算器で
その入出力はアナ四ダ信号である。第2B図(0)は、
サンプリンダ間隔T、のディジタルなサンプル値処理回
路で(、)のアナ田グ区間の部分は、8.9によって示
されるアナログ・ディジタル変換器によってディジタル
値に変換されて(c)なる自動等化処理に入力される。
Numeral 5 is an analog-pi-digital multiplier whose input and output are analog-pi-digital multipliers. Figure 2B (0) is
In the digital sample value processing circuit with the sampler interval T, the analog section part of (,) is converted into a digital value by the analog-to-digital converter shown by 8.9, and the automatic equalization process becomes (c). is input.

自動等化の動作式は、前述の/fi願WAIIllI書
に述べる式においてt−kT、とおくことによってめる
ことができる。ただ、これを処理回路によって計算する
場合はに−Qとした式を計算することになる。先づ、伝
送路に対して直列に入るトランスバーサルフィルタの場
合にはX (hT、) 、 Y (hT、)をトランス
バーサルフィルタの出力信号の値とすると、 X (kT、) −J (oos# (kT、) (7
,x ((k−1) T、)−δ1ア00 ((k−1) T、) ) −gin# QcTa) (y□y ((k−1) T
、)+δ、! ((k−1) T、)))Y (kT、
)−Σ (a o e# QcT、) (rly ((
k−1) T、) +J、X1冨0 ((k−1) T、) + sin# (kT、) Crux (Ck−1) 
Tl) −a、y (Oe−1) T、)))・・・(
2,12) この式におけるXlFは(2,4)、または(2,10
である。従って、自動等化処理回路は第2C図のように
なるが、この回路の入力は第2A図、または第2B図の
出力になる。第2C図の処理回路には、−などを入力す
る必要がある。この変数は(L12)式にも示されてい
る。これらについては次の項において述べる。第2C図
において、T、なるブpツ★はトランスバーサルフィル
タのタップの信号レジスタでr@w’6伊rzsδl 
# ”” 1141−δト1はタップ係数である。タッ
プ係数をめる式は検波信号の信号エラーからめられる。
The operating formula for automatic equalization can be determined by setting t-kT in the formula described in the above-mentioned application WAIIIll. However, if this is calculated by a processing circuit, an equation with −Q will be calculated. First, in the case of a transversal filter that enters in series with the transmission path, if X (hT,) and Y (hT,) are the values of the output signal of the transversal filter, then X (kT,) −J (oos # (kT,) (7
, x ((k-1) T,)-δ1a00 ((k-1) T,) ) -gin# QcTa) (y□y ((k-1) T
,)+δ,! ((k-1) T,)))Y (kT,
)−Σ (a o e# QcT,) (rly ((
k-1) T,) +J,
Tl) -a,y (Oe-1) T,)))...(
2,12) XIF in this formula is (2,4) or (2,10
It is. Therefore, the automatic equalization processing circuit becomes as shown in FIG. 2C, but the input of this circuit becomes the output as shown in FIG. 2A or 2B. It is necessary to input -, etc. to the processing circuit of FIG. 2C. This variable is also shown in equation (L12). These are discussed in the next section. In Fig. 2C, T is the signal register of the tap of the transversal filter; r@w'6irzsδl
#"" 1141-δto1 is a tap coefficient. The formula for determining the tap coefficient is determined from the signal error of the detected signal.

この場合、検波信号は(2,16)式でめられる値を、
さらに後述のような並列自動等什器の補正を受けたx’
 、 y’である。
In this case, the detected signal has a value calculated by equation (2, 16),
Furthermore, x' has been corrected by parallel automatic fixtures as described below.
, y'.

によってめることができる。即ち、 γ1(k+1)−γ1矩αa □(kT、) ” ((
k’) Ts)+αε、 QcT、)y (0c−1)
 Tl) δ1(k+1)−δ1(k>+a a□QcT、) y
 (Oc−1) T、) +a g、 (kT、1)X
(伽−1)T、) ・・・(2,14) なる差分動作式である。ここで ・1(2,15) である。6Xと81は信号エラー(2,1g)式の予測
値である。(2,1s)〜(2,16)からなる式はト
ランスバーサルフィルタの調整式でその処理回路を第2
D図に示す。第2D図において端子r。δ。、γ、δ、
It can be determined by That is, γ1(k+1)−γ1 rectangle αa □(kT,) ” ((
k') Ts)+αε, QcT,)y (0c-1)
Tl) δ1(k+1)−δ1(k>+a a□QcT,) y
(Oc-1) T,) +a g, (kT, 1)X
This is a differential operation formula: (伽−1)T, ) ...(2, 14). Here, 1 (2, 15). 6X and 81 are predicted values of the signal error equation (2, 1g). The equations (2, 1s) to (2, 16) are the adjustment equations for the transversal filter, and the processing circuit is
Shown in Figure D. In FIG. 2D, terminal r. δ. , γ, δ,
.

、・・+ 1l−16)I−1に接続されているT、な
るレジスタと+なる加算回路は(2,14)式の差分動
作式の処理を示すものである。また、第2D図における
x (kT、) r y ocT、) なる端子から接
続されているレジスタT、からなるシフトレジスタは第
2C図のものを再提したものである。第2D図のしなる
ブロックで示される部分において、3,4,5゜6はそ
の入力端子で(2,15)式の右辺の各項が入力される
。これらの端子からのびる垂直線と水平線の交点に示さ
れるX印は(2,15)武力辺の掛算を行うもので一つ
の水平線上の2つのX印に入力される垂直線の信号が掛
算されて、その水平線上に結果がでてくることを表わす
。また、Lブロックの1.2なる出力端子から下ってい
る2つの垂線&よ(2,1s)式の左辺を表わし、それ
ぞれの線上にある+印に入力される水平線上の信号を加
算する。加算入力に−を付けたものは、引算を行うこと
を表わす。第2C図のMなるブロックにおいても以上の
Lブロックについての処理方法と類似の方法を用いるも
ので、(2,12)武力辺の大きな項の演算を行うもの
である。
, . . + 1l-16) The register T and the adder circuit connected to I-1 represent the processing of the differential operation equation (2, 14). Furthermore, the shift register consisting of the register T connected from the terminal x (kT,) ry ocT, ) in FIG. 2D is a re-presentation of the one shown in FIG. 2C. In the portion shown by the curved block in FIG. 2D, 3, 4, and 5°6 are input terminals, and each term on the right side of equation (2, 15) is input. The X mark shown at the intersection of the vertical line extending from these terminals and the horizontal line is used to multiply the (2, 15) force side, and the signals of the vertical line input to the two X marks on one horizontal line are multiplied. This means that the result appears on the horizontal line. Also, two perpendicular lines descending from the output terminal 1.2 of the L block represent the left side of the (2,1s) equation, and the signals on the horizontal line input to the + marks on each line are added. Addition input with a minus sign (-) indicates that subtraction is to be performed. Block M in FIG. 2C uses a method similar to the processing method for block L described above, and calculates a term with a large force side (2, 12).

なお、以上のようなサンプル値動作式を記述する場合、
サンプリング時刻t −kT、などを連続・な式の変数
に代入した形にしているが、サンプリングク鴛ツクには
位相ずれがあってt−kT、+△。
In addition, when writing a sample value operation formula like the one above,
Although the sampling time t - kT, etc. is substituted into a variable of a continuous equation, there is a phase shift in the sampling clock, so t - kT, +△.

およびt = n T+Δ/L (L−T、 / T 
) とするのが正しい。しかし、処理回路を作る上では
、Δは影響しないので省いて書くことにする。ただ、ボ
ー信号のサンプリングク四ツクの位相は正確に制御する
必要があるので、この制御機能をとり上げる項において
省略した変数を復活することとする。
and t = n T+Δ/L (L-T, /T
) is correct. However, when creating a processing circuit, Δ has no effect, so I will omit it here. However, since it is necessary to accurately control the phase of the sampling clock of the baud signal, the variables omitted in the section dealing with this control function will be restored.

ユニット化の都合でキャリア信号のサンプリングク四ツ
タの位相も上記の制御にともなって変化することになる
が、これは特性に影春しない。
Due to unitization, the phase of the sampling quadruple of the carrier signal also changes with the above control, but this does not affect the characteristics.

変調器においては送信データビットが一定数まとまるご
とに賀1114(88dkを作る。dkは複素数であっ
て与えられた有限個の離散値をもつこれら離散値は複素
平面上に点在する。復調器における検波信号はt −k
T、におけるサンプリング値が変調信号の復元値でこの
値からdkを判定する。
In the modulator, every time a fixed number of transmission data bits are collected, 1114 (88 dk) are generated. dk is a complex number and has a given finite number of discrete values. These discrete values are scattered on the complex plane. Demodulator The detected signal at is t −k
The sampling value at T is the restored value of the modulated signal, and dk is determined from this value.

検波信号のt −kT、におけるサンプリング値をX’
 (hT、) Y’ (kT、) ト、1.、コレラヲ
ソレソレ実数部、虚数部とする複素数を考える。即ち、
Z’(kT、) = X’(kT、) + jY’ (
kT、)であるとする。Z’ (kT、)はdkの各離
散値のまわりに位置するが、歪のためにdkの離散値に
は一致しない。しかし、dkの各離散値に対応する点の
近くに位置するZ’ (kT、)が得られた場合は、そ
のZ’ (kT、)を送った変調信号はZ’ (kT、
)に近いdkの1111敗値であると判定する。従って
、Z’ (kT、)の複素平面上にはdkの各離散値を
中心とする判定領域があり、Z’ (kT、)が入った
判定領域の中心の離散値を判定した変調信号として出力
する。
The sampling value at t - kT of the detection signal is
(hT,) Y' (kT,) t, 1. , consider a complex number whose real part and imaginary part are cholera. That is,
Z'(kT,) = X'(kT,) + jY'(
kT, ). Z′ (kT,) is located around each discrete value of dk but does not coincide with the discrete value of dk due to distortion. However, if Z' (kT,) located near the point corresponding to each discrete value of dk is obtained, the modulation signal that sent that Z' (kT,) will be Z' (kT,
) is determined to be the 1111 loss value of dk. Therefore, there is a judgment area centered on each discrete value of dk on the complex plane of Z' (kT,), and the discrete value at the center of the judgment area containing Z' (kT,) is determined as a modulated signal. Output.

変復調ユニットでは、この判定領域を表として回路化し
ておき、この表の入力にZ’ (hT、) 、即ち、X
’、 Y’を入力することによって上記の離散値が出力
されるようにする。(2,tg)式の&□、bkはこの
表の出力として得られるものである。X’(kT、)。
In the modulation/demodulation unit, this judgment area is circuitized as a table, and the input of this table is Z' (hT,), that is, X
By inputting ', Y', the above discrete values are output. &□, bk in equation (2, tg) are obtained as the output of this table. X'(kT,).

Y’ (kT、)なる検波信号は(2,12)式を処理
して得られるX (kT、) 、 Y (hT、)をさ
らに補正して得られるものである。(2,12)式は伝
送路に直列に入るトランスバーサルフィルタであり、そ
の出力の補正は、伝送路には並列に入るトランスバーサ
ルフィルタによって行われる。これら2種類の自動等化
に対して適正な機能配分を行うものである。即ち、とし
、その右辺第2項は X’ (kT、) −X (gt’に−7−ht bk
−t)!ス0 で表わされ、これを処理するシグナルフローグラフハ第
2 R図に示すようにトランスバーザルフィルタには判
定された変調符号が入力される。この判定帰還用のトラ
ンスバーサルフィルタの糸数は、g / Oc+1)−
g7(”)+α(’z (1cTg) ’に一7’YO
”J bk−4ht (k十〇−h、(k)−α (a
X QcT、)bk 、−gY QcT、)bk 、)
・−(2,19) によってめられる。ε工、8Yは(2,14)式によっ
て与えられるものである。(2,18) 、 (2,1
9)の処理を行うシグナルフ四−グラフを第2F図に示
す。
The detected signal Y' (kT,) is obtained by further correcting X (kT,) and Y (hT,) obtained by processing equations (2, 12). Equation (2, 12) is a transversal filter that enters the transmission line in series, and correction of its output is performed by a transversal filter that enters the transmission line in parallel. Appropriate function allocation is performed for these two types of automatic equalization. That is, the second term on the right-hand side is
-t)! The determined modulation code is input to the transversal filter as shown in the signal flow graph shown in FIG. 2R. The number of threads of this transversal filter for judgment feedback is g/Oc+1)-
g7(”)+α('z (1cTg)' to 7'YO
”J bk-4ht (k10-h, (k)-α (a
X QcT,)bk, -gY QcT,)bk,)
・−(2,19) ε, 8Y is given by equation (2, 14). (2,18) , (2,1
A signal graph for performing the process of 9) is shown in FIG. 2F.

第2E図において、T、なるブロックはサンプリング間
隔T、ごとに更新されるレジスタで、これらによって作
られるシフトレジスタは、(2,18)式右辺各項のa
、およびbを記録している。これはトランスバーサルフ
ィルタを彫成し、そのタップ係数g。11g l gl
hll ”” gM−1hMlを得る回路が第2F図で
ある。第2E図のTAなるブロックは検波信号x’ (
kT、) 、 Y’ (kT、)を入力とし、変調信号
&1.bkを復元する判定領域を記録した表である。X
’ (kT@ ) + Y ’ (kT * )は第2
E図の下に示されるX (kT、) 、 Y (kr、
)が上記のトランスバーサルフィルタの出力によって補
正されて、x′(kT、) 、 Y’ (kT、)が得
られる。
In FIG. 2E, the block T is a register that is updated every sampling interval T, and the shift register created by these is a of each term on the right side of equation (2, 18).
, and b are recorded. This carves a transversal filter and its tap coefficient g. 11g l gl
A circuit for obtaining hll "" gM-1hMl is shown in FIG. 2F. The block TA in FIG. 2E is the detected signal x' (
kT, ), Y' (kT,) are input, and the modulation signal &1. This is a table recording determination areas for restoring bk. X
' (kT@) + Y' (kT *) is the second
X (kT,), Y (kr,
) is corrected by the output of the above transversal filter to obtain x'(kT,) and Y'(kT,).

第2F図は、第2E図の入力となるg。h@+Jh□、
・・・gM、−1hM−1をこれら記号で表わされる端
子に出力し、直列自動等化器の出力信号の信号エラーの
予測値をめるものである。第2F図の下の部分は前者を
行い、上の部分は後者を行うものである。前者において
、]゛、なるブロックはサンプリングごとに更新される
レジスタで、これによって構成されるシフトレジスタは
第2E図のものを再提したものである。また、シフトレ
ジスタの各段に使用されるNなるブロックは、第2G図
に示すもので、このブロックの出力端子に接続されるT
、なるレジスタによる積分回路を除けば第2D図のしな
る部分と同じ記号法が用いられている。次に、後者は(
2,16)式を処理するものである。以上の回路がこの
ような形になったことの根拠については前述の先願明細
書で説明しである。
Figure 2F shows g, which is the input for Figure 2E. h@+Jh□,
. . gM, -1hM-1 are output to the terminals represented by these symbols, and the predicted value of the signal error of the output signal of the series automatic equalizer is calculated. The lower part of Figure 2F does the former, and the upper part does the latter. In the former, the block ``]'' is a register that is updated every sampling, and the shift register constructed by this is a re-presentation of the one shown in FIG. 2E. Further, the block N used in each stage of the shift register is shown in Fig. 2G, and the T block connected to the output terminal of this block is
, the same symbology as in the curved portion of FIG. 2D is used, except for the integrator circuit with registers. Then the latter is (
2, 16). The reason why the above circuit is shaped like this is explained in the above-mentioned specification of the prior application.

なお、直列自動等化器と並列自動等化器とへの機能配分
を行う場合において、並列自動等化器は判定結果への依
存度が大きいので、主として直列自動等什器に依存し、
並列形については伝送特性の周波数分布のように伝送帯
域の両端部分における大きい遅延を受けた歪成分を補正
する役割を持たせるなどの方法があり得る。この場合は
i2F図における判定結果である&)、 r bkを帰
還するトランスバーサルフィルタの係数を作る回路にお
いて、遅延の少ないタップの係数は用いないようにする
Note that when allocating functions to a series automatic equalizer and a parallel automatic equalizer, the parallel automatic equalizer is highly dependent on the judgment result, so it mainly depends on the serial automatic equalizer,
Regarding the parallel type, there may be a method in which the frequency distribution of the transmission characteristic is made to have a role of correcting distortion components that are subject to large delays at both ends of the transmission band. In this case, the determination result in the i2F diagram is &). In the circuit that creates the coefficients of the transversal filter that feeds back r bk, the coefficients of taps with a small delay are not used.

3同期制御のサンプル値動作式 変復刺の総合的な動作を完成するには、同期制御を宝船
しなければならない。復調側では検波信% X’ (k
T、) 、 Y’ (kT、) 請求To、コレラ符号
判定表である第2E図のTAに入力して&□、bkを得
る。
3. To complete the comprehensive operation of the sample value operation type variable prick with synchronous control, the synchronous control must be improved. On the demodulation side, the detected signal %X' (k
T, ), Y' (kT,) Input To and TA in FIG. 2E, which is a cholera code determination table, to obtain &□, bk.

これらの計算を行うためには第2D図、第2C図に示す
ようにθ(kT、)が定まっていなければならないが、
これはまだ未定である。また、前項で述べたように復調
側の動作式をサンプル値形にする場合にサンプリング時
刻t=kT、などを連続な式の変数に代入したのである
が、このサンプリング時刻は変復調ユニットのりaツク
系から得られるもので t=に’I’、+△ の形になり、△は同期ずれのために変化するものである
。復調側では△を自動制御によって変調エレメントの適
正な位置にもってくる必要がある。
In order to perform these calculations, θ(kT,) must be determined as shown in Figures 2D and 2C.
This is still undecided. In addition, as mentioned in the previous section, when the operational equation on the demodulating side is in sample value form, the sampling time t = kT, etc. is substituted into the variable of the continuous equation. It is obtained from the system and has the form t='I', +△, where △ changes due to the synchronization difference. On the demodulation side, it is necessary to bring Δ to the appropriate position of the modulation element by automatic control.

先づ、θ(kT、)の制御は(2,1)式のα。(1)
に近づけれはよいのであるが、ff、(t) は測定不
可能な量であって、別な手段を用いる。これについては
、先願明細書に示すように、検波信号を最適な状態で検
波できる状態からのずれは、 に比例する。この式は、判定結果ak、bkを利用して
計算できる。xo’ (kT、) −Q の状態がθ呻
、)−α。QcT、)であるとは必ずしも云えない。(
3,1)式かられかるように、両方の検波信号が等しく
なるところで、xo(kT、)が0になる。従って7、
X。
First, θ(kT,) is controlled by α in equation (2, 1). (1)
Although it would be good to get close to , ff,(t) is an immeasurable quantity, so another method is needed. Regarding this, as shown in the specification of the prior application, the deviation from the state in which the detection signal can be detected in the optimum state is proportional to. This formula can be calculated using the determination results ak and bk. The state of xo' (kT,) -Q is θ groan, ) - α. QcT, ) cannot necessarily be said to be true. (
As can be seen from equation 3,1), xo(kT,) becomes 0 when both detected signals become equal. Therefore 7,
X.

(kT、)が0になるような制御を行えはよい。先づ、
この信号は x(k−ν)T、) ・・・(g、 2)なるフィルタ
処理に入力し、Xo(kT2)に含まれる高周波成分を
除き制御の安定化をはかる。このフィルタ処理について
Gま50H,以下の変動を通ずようにパラメータを選択
する必要がある。しかし、この処理によってθ(kTり
の制御ループに遅延が入ることになる。この遅延を補償
しなければ、制御は正常に行われない。このため、x 
(kT、)の予測として x、 (kT、) =2 (2X (kT、) −x(
k−i) T、 )−(2x、(k−t) T、) −
x□(k−21) T、 ) ・・(3,5)を考える
。ここで1は予測量のスキップ数であり、1エレメント
先の予測値であることを示す。このような予測がきく範
囲は、(5,2)式のフィルタリンダの動作時定数が変
調エレメント長T、の10数倍以下であろうと考えられ
る。このような条件において、適正な予測が可能である
ように、異なるスキップ数の予測量の線形結合を考え、
これをθ(k’ll’、)とおいて結合係数を最適化す
る。
It would be better to perform control so that (kT,) becomes 0. First,
This signal is input to the filter processing x(k-ν)T, )...(g, 2), and the high frequency components included in Xo(kT2) are removed to stabilize the control. Regarding this filter processing, it is necessary to select parameters such that the following fluctuations are not passed. However, this process introduces a delay of θ(kT) into the control loop.If this delay is not compensated, control will not be performed normally.For this reason, x
As a prediction of (kT,), x, (kT,) = 2 (2X (kT,) −x(
k-i) T, )-(2x, (k-t) T,)-
Consider x□(k-21) T, )...(3,5). Here, 1 is the number of skips in the predicted amount, and indicates that the predicted value is one element ahead. It is considered that the range in which such prediction is possible is that the operating time constant of the filter cylinder of equation (5, 2) is less than ten times the modulation element length T. Under these conditions, in order to make appropriate predictions, we consider a linear combination of the predicted amounts with different numbers of skips.
The coupling coefficient is optimized by setting this as θ(k'll',).

θ(kT、)=−Σ &1”t (kTm) ・・・C
3,4)1冒1 al (k + 1 ) −&1.(k)−ORxl(
k Ts )変調ベクトル1llkの離散値の数を多く
とる必要がなければ、低域濾波器が必要でない場合もあ
り得る。この場合は、制御ループの高周波成分は多重ラ
グフィルタによって除去するものである。この場合、制
御信号をフィードバックするためにサンプリング処理に
よって1変調エレメント分の制御遅延があり、これは θ(kT、) −2(2z QcT、)−x(k−1)
 T、)(2# (k−1) T、)−〇(k−2) 
’]”、 )・・・(3,5)なる予測処理によって補
償する。この人力x (kTs)は x OcT s)
 !Ia s x t (i T s) + o *β
x(k−1)T、)Xl (IcTI) −〇sKB 
(iT、) + amβX1(k−1) T、)x、 
←T、) −〇mXo’(kTs) + 6sβx、 
(kl) Tl)・・・(5,6) なる多重ラグフィルタの処理によって得られるものであ
る。(g、 4)、 (!1.5)式によってめられる
θ(kT、)はあらかじめ用意された三角関数表に入力
することによってoos # (kT、) 、sinθ
(kT、) を得、これを第2C図、第2D図に示す回
路に入力する。
θ (kT,) = -Σ &1”t (kTm) ...C
3, 4) 1 effect 1 al (k + 1) −&1. (k)-ORxl(
k Ts ) If it is not necessary to take a large number of discrete values of the modulation vector 1llk, a low-pass filter may not be necessary. In this case, the high frequency components of the control loop are removed by a multiple lag filter. In this case, there is a control delay of one modulation element due to the sampling process to feed back the control signal, which is θ(kT,) −2(2z QcT,)−x(k−1)
T,)(2# (k-1) T,)-〇(k-2)
']'', )...(3,5) Compensation is performed by the prediction process. This human power x (kTs) is x OcT s)
! Ia s x t (i T s) + o *β
x(k-1)T, )Xl (IcTI) -〇sKB
(iT,) + amβX1(k-1)T,)x,
←T,) −〇mXo'(kTs) + 6sβx,
(kl) Tl)...(5, 6) This is obtained by the processing of a multiple lag filter. (g, 4), θ (kT,) determined by the formula (!1.5) can be calculated as oos # (kT,), sinθ by inputting it into a trigonometric function table prepared in advance.
(kT,) is obtained and inputted into the circuits shown in FIGS. 2C and 2D.

第3A図は、低域濾波器を用いる場合の全体的な回路図
であり、図におけるX□、・・・、γ1のブロックとそ
の出力回路は、(g、4)式の第1.第2式を計算する
ことであり、その入力であるx’ (kT s)は、(
3,1)式と(s、 2)式を処理することによってめ
られる。第3A図のLPなるブロック、およびTIIな
るブロックとその周辺回路により計算されるものである
。第3A図の回路の入力であるX’ (h’r、) 、
 Y’ (k’r、) 、 ak、 bkなどは第2E
図の回路から得られる。第3A図の回路の出力は、θ(
kT、)を図のTCなるクリックで示される三角関数表
に入力することによって得られる。TB、TCなる表は
、あらかじめその内容を計算しておけばよい。第3A図
のLPなるクリックは、(5,2)式のディジタルフィ
ルタの処理を示すもので、その内部回路は第3B図(b
)に示す。また、第3A図のX ・・・xlなるブロッ
クは、(L3)式におい1 て1に数値を与えた場合の処理を行うクリックでその内
部構成は第3B図(〜に示す。なお、第3B図(b)の
低域濾波器は一般形で表わしたものであり、最適化を行
うことによってもっと経済的なディジタルフィルタにす
ることができる。自動位相制御ループに低域濾波器を用
いる必要がなく多重ラグ・フィルタを用いる場合の処理
回路は第3C図のようになる。第3C図において(a)
は多重ラグ・フィルタ回路であり、その出力は(b)な
るlステップ予測回路で処理おくれを補正することによ
ってTCなる三角関数表に入力し、その出力にcosθ
(kT、)1sinθ(kr、)なる信号を作る。また
、制御ループの低域濾波器の遅延を補償する場合、(3
,3)式の予測式において右辺の帰還項を用いるのは(
5,4)式のようなアダプティブな調整を行わない場合
に用いるものであると考えることができ、アダプティブ
な調整を行う場合においては上記の帰還項をなくし、 xt(kT、)−zxQcT、) −x(c−1)T、
) ・・−(s、y)とおいて(L 4)式を用いるの
が適当と考えられる。
FIG. 3A is an overall circuit diagram when a low-pass filter is used, and the blocks X□, . The purpose is to calculate the second equation, and its input x' (kT s) is (
It can be found by processing equations 3, 1) and (s, 2). This is calculated by the block LP and block TII in FIG. 3A and their peripheral circuits. X'(h'r,), which is the input of the circuit of FIG. 3A,
Y'(k'r,), ak, bk, etc. are the second E
Obtained from the circuit shown in figure. The output of the circuit of Figure 3A is θ(
kT, ) can be obtained by inputting it into the trigonometric function table shown by clicking TC in the figure. The contents of the tables TB and TC may be calculated in advance. The click LP in Figure 3A indicates the processing of the digital filter of equation (5, 2), and its internal circuit is shown in Figure 3B (b
). In addition, the blocks X... The low-pass filter in Figure 3B (b) is a general representation, and by optimization it can be made into a more economical digital filter.The need to use a low-pass filter in the automatic phase control loop The processing circuit when a multi-lag filter is used without a multi-lag filter is shown in Figure 3C.
is a multi-lag filter circuit, and its output is inputted into a trigonometric function table TC by correcting the processing delay in the l-step prediction circuit (b), and its output is given cos θ
A signal of (kT,)1sinθ(kr,) is generated. Also, when compensating for the delay of the low-pass filter in the control loop, (3
, 3) The feedback term on the right side of the prediction equation is used as (
It can be considered that it is used when adaptive adjustment such as equation 5, 4) is not performed, and when adaptive adjustment is performed, the above feedback term is eliminated and xt (kT, ) - zxQcT, ) -x(c-1)T,
)...-(s, y), it is considered appropriate to use equation (L4).

この場合、第3A図のNなる部分の代りに第3D図を用
い、第3C図の処理よりも簡単にすることができる。@
3D図において、1,2.・・・Lなる番号をつげたT
、なるブロックはサンプリング間隔T、で更新されるレ
ジスタで、これらはシフトレジスタを構成している。シ
フトレジスタの各段から引かれた垂直線と、!、、X、
、・・・r Xbなる水平線との交点の十印は、それに
接続される垂直線からの入力と同じ水平線上の他の十印
の垂直線との入力との和をとることによってその水平線
上に出力することを意味する。
In this case, the process shown in FIG. 3D can be used instead of the part N in FIG. 3A, making the process simpler than the process shown in FIG. 3C. @
In the 3D diagram, 1, 2. ...T with the number L added on
, are registers that are updated at sampling intervals T, and these blocks constitute a shift register. Vertical lines drawn from each stage of the shift register and! ,,X,
, ... r Xb, the cross point with the horizontal line means to output to.

1〜3項までの記述において変調エレメントごとのサン
プリング時刻をt −kT、とおいたのであるが、りp
ツタのタイミングずれがある場合にはt −kT、十へ
とおく必要がある。自動位相制御においては、検波搬送
波ω。nTの位相ずれθQc7ρを検波信号からめた(
3.1)式によって制御できることを述べた。従って、
△−0でない場合の検波搬送波ω。(nT+△/L)の
補正も同じ動作式で可能である。これと似た方法によっ
てタイミングずれへの調整も可能である。このためには
検波信号をもとにしたタイミング処理回路のほかに、マ
スタクルツク発振回路を第3E図のような形にする必要
がある。第3E図においてD E Mは、第2A図〜第
2F図、第3A図〜第3C図および上記タイミング処理
回路などを処理する復調回路であって、第3E図のCL
は上記D E Mにサンプリングク四ツクを供給するク
リック作成回路である。CLの出力線のうち2なる複線
はクロック間隔がT。
In the description of sections 1 to 3, the sampling time for each modulation element was set as t −kT, but
If there is a timing shift in the ivy, it is necessary to set it to t-kT, 10. In automatic phase control, the detected carrier wave ω. The phase shift θQc7ρ of nT was determined from the detection signal (
3.1) It was mentioned that it can be controlled by equation. Therefore,
Detected carrier wave ω when not Δ−0. Correction of (nT+Δ/L) is also possible using the same operation formula. It is also possible to adjust for timing deviations using a method similar to this. For this purpose, in addition to a timing processing circuit based on the detected signal, it is necessary to configure a master clock oscillation circuit as shown in FIG. 3E. In FIG. 3E, D E M is a demodulation circuit that processes the timing processing circuits shown in FIGS. 2A to 2F, FIGS. 3A to 3C, and the above timing processing circuits.
is a click generation circuit that supplies sampling clicks to the above DEM. Two of the output lines of CL have a clock interval of T.

の多相クロック、lなる複線はクロック間隔がTの多相
クロックである。DEMは次に述べるようなタイミング
処理回路の出力も作るもので、これは3なる出力線に得
られる。これはクロックずれΔに比例するものである。
The double line l is a multiphase clock with a clock interval of T. The DEM also produces the output of the timing processing circuit described below, which is available on output line 3. This is proportional to the clock deviation Δ.

同図VCOは電圧制御発ti器で、その出力11114
に上記クロックの整数倍の周波数の周期波を得、これに
よってCLを駆動する。■COの入力3は上記クロック
ずれΔに比例する信号で、この信号がある限り■COは
発振周波数をずらし、この信号がOに近い状態に発振周
波数を保持するものである。発振周波数を変える制御を
行う場合はり四ツクずれは △(k−H)−Δ(k)−o z (kTffi) m
 H6(3,s)なる式に従って制御されることとなる
。ここでZ(kT、)は第3E図のDEM出力3であっ
て、アナログ信号である。このアナログ信号は次のより
なt’ll!l整動作式をディジタル処理し、その出力
を0人変換したものである。
The VCO in the figure is a voltage controlled oscillator, and its output is 11114
A periodic wave having a frequency that is an integral multiple of the above clock is obtained, and CL is driven by this. The input 3 of the CO is a signal proportional to the clock deviation Δ, and as long as this signal is present, the CO shifts the oscillation frequency, and this signal maintains the oscillation frequency in a state close to O. When performing control to change the oscillation frequency, the four-way deviation is △(k-H) - Δ(k)-oz (kTffi) m
It will be controlled according to the formula H6 (3, s). Here, Z(kT,) is the DEM output 3 in FIG. 3E and is an analog signal. This analog signal is more than t'll! This is the result of digitally processing the l adjustment equation and converting the output to zero.

Z (kT、)−glX’(k−1) T、)十g〆(
k’r、) + g’、Y’(c−1) T、)+ g
’、Y’ (kT B) ・・・(5,9)g 1=1
72 ’に−1t gs−1/2ak、 g′、−’1
 /2bk、 g’、−b、。
Z (kT,)-glX'(k-1) T,) 10g〆(
k'r,) + g', Y'(c-1) T,) + g
', Y' (kT B) ... (5,9)g 1=1
72' to -1t gs-1/2ak, g', -'1
/2bk, g', -b,.

/2ゎ2 ・・・(3,10) 第3F図は(L 9) 、 (L 10)式を処理する
回路で、TD工、TD、は(5,10)式をあらかじめ
計算して内容を設定した表である。
/2ゎ2...(3,10) Figure 3F is a circuit that processes equations (L9) and (L10), and TD, TD calculates equations (5, 10) in advance and calculates the contents. This is a table with the following settings.

タイミング情報であるZ (kT、)は第3F図に示し
た回路の出力として得られ、それはDA変換されて第3
E図のDEMの出力の一つとして得られ、クロック用主
発振器である■COの周波数制御端子に加えられる。こ
の方法は■COがクリック用の主発振器である場合に可
能であって、クロツタが第3E図の■COからではなく
、外部から入力する必要がある場合には、上記の方法を
用いることはできない。この場合には、主クロツク発t
% 4Mでなく伝送路の遅延を自動調整する必要がある
Timing information Z (kT,) is obtained as the output of the circuit shown in Figure 3F, which is DA converted and sent to the third
It is obtained as one of the outputs of the DEM in Figure E, and is applied to the frequency control terminal of CO, which is the main clock oscillator. This method is possible when the ■CO is the main oscillator for the click, and if the crotch requires input from the outside rather than from the ■CO in Figure 3E, the above method cannot be used. Can not. In this case, the main clock
% It is necessary to automatically adjust the delay of the transmission path instead of 4M.

この場合においても、第3F図の出力Z (kT、)は
0となるから、第3F図は変える必要はない。
Even in this case, since the output Z (kT,) in FIG. 3F is 0, there is no need to change FIG. 3F.

伝送路の遅延を自動調整するには自動等什器のために使
用されているトランスバーザルフィルタを用いることが
できる。自動等化動作は、(2,12)式におけるγ1
.δ□を(2,14)式によって調整するものであるが
、このトランスバーサルフィルタによってクロックのタ
イミングを行うためには、(2゜14)式の調整動作式
は変形する必要がある。トランスバーサルフィルタの調
整は、検波信号(2,17)式の信号エラーの2東を小
さくする方向に行うが、タイミングの調整も行う場合に
おいては、E(kT、)=ε、s QcT、) 十g−
(kT、) 十z” (kT、) ・−(3,11)と
する。ここでε工r axは(2,1g)式で与えられ
る。 。
To automatically adjust the delay of the transmission path, a transversal filter used for automatic fixtures can be used. The automatic equalization operation is based on γ1 in equation (2, 12)
.. δ□ is adjusted using equation (2, 14), but in order to perform clock timing using this transversal filter, the adjustment operation equation (2° 14) needs to be modified. The transversal filter is adjusted in the direction of reducing the signal error of the detection signal (2, 17), but if the timing is also adjusted, E(kT,) = ε, s QcT,) 10 grams
(kT,) 10z'' (kT,) ・−(3,11).Here, ε-axis is given by the equation (2,1g).

この場合、 なる処理によって調整し、Z (kT、)は(3,9)
式を用いる。(3,12)式で調整する場合には検波信
号のエラー、即ち、(111)武力辺の第1.第2項に
基づくタップ係数の調整項は(2,14)式右辺第2.
第3項と同じであって、これにタイミンク゛調整のため
の項が付加される形になる。この項をめるためには 1・(g、1g) をめる必要がある。この式においてax′/aγ1など
については(2,12)式、および(2,17)式から
aX’(hr、) / 811w o o eθQcT
、) x (k−1) T、) −sinθ(kT、)
y(k i)Tg) ax′(kTs) /aJ □−−c o s tl 
(kT s) y (k−1) T s) −s 1n
II (kT s)x (k−i) T s ) aY′(kT”) / aγi= o o s# Qc
T、) y(k−1) T、) + s 1n19 (
kT、)x (k−1) T * ) ay’(hT、)/aδ、7 o 611θ(kT、)
 X(k−1) T、)−sinθQcT、)y(k−
1) T、) がまる。この式と、この式のkの代りにに−1を代入し
たものを用いて計算すればよい。今、A(n、k)=g
、−nooe#(IC−n)T、) 十g’2−nsi
nθ(k−n) T、)B (n、 k) mg2.i
in#(k−n) T、)−g′!、oosθ(k−n
) Ts)とすると、 B (0* h) y(k−1) T、 )am” (
kTi+)−2゜(kTs)(El (1* k)x(
k 11) TJ +A (b k)aδi y(k−
1−1)T、)+B(0,k)X(k−1)T、)+A
 (Oe h) y(k−t) ’r、 )・・・(5
,14) のようになる。トランスバーザルフィルタのタップ係数
を調整する動作式(2,14)式のに辺の調整項に何加
されるタイミング調整用の項は(5,14)式に比例す
るものとなり、この項の処理回路は第3G図のようにな
り、その出力は第2D図の出力端子roδ。、・・・、
γ8−4δN−1にそれぞれ加算される。
In this case, Z (kT,) is (3,9)
Use the formula. When adjusting using equation (3, 12), the error of the detected signal, that is, the first . The tap coefficient adjustment term based on the second term is the second term on the right side of equation (2,14).
This is the same as the third term, with a term for timing adjustment added to it. In order to calculate this term, we need to calculate 1・(g, 1g). In this formula, for ax'/aγ1 etc., from formulas (2, 12) and (2, 17), aX'(hr,) / 811w o o eθQcT
,) x (k-1) T,) -sinθ(kT,)
y(k i)Tg) ax'(kTs) /aJ □--co s tl
(kT s) y (k-1) T s) -s 1n
II (kT s) x (ki) T s ) aY′(kT”) / aγi= o s# Qc
T,) y(k-1) T,) + s 1n19 (
kT,)x (k-1) T*) ay'(hT,)/aδ,7 o 611θ(kT,)
X(k-1) T,)-sinθQcT,)y(k-
1) T,) Gamaru. Calculation can be performed using this formula and the one obtained by substituting -1 in place of k in this formula. Now, A(n,k)=g
, -nooe#(IC-n)T,) 10g'2-nsi
nθ(k-n) T, )B (n, k) mg2. i
in#(k−n) T, )−g′! , oosθ(k−n
) Ts), then B (0*h) y(k-1) T, )am” (
kTi+)-2゜(kTs)(El (1*k)x(
k 11) TJ +A (b k)aδi y(k-
1-1)T,)+B(0,k)X(k-1)T,)+A
(Oe h) y(k-t) 'r, )...(5
, 14). The term for timing adjustment that is added to the side adjustment term in the operation equation (2, 14) for adjusting the tap coefficient of the transversal filter is proportional to equation (5, 14), and this term is The processing circuit is as shown in FIG. 3G, and its output is the output terminal roδ in FIG. 2D. ,...,
are added to γ8-4δN-1, respectively.

第3G図において、ABなる一点鎖線より上部はトラン
スバーサルフィルタのタップに共通して用いられるもの
で、1,2,3.4なる端子にはそれぞれ(3,14)
式のA (or h) + B (or k) + A
 (1tk) + B (1r k)を出力する。AB
より下の部分は、(114)武力辺の各項を計算する。
In Fig. 3G, the portions above the dashed-dotted line AB are commonly used for transversal filter taps, and the terminals 1, 2, and 3.4 have terminals (3, 14), respectively.
Formula A (or h) + B (or k) + A
(1tk) + B (1r k) is output. AB
The lower part calculates each term on the (114) force side.

C□は(3,14)式の第1.D□は(5,14)式の
第2式の計算結果を出力する。この部分は、’−011
+ ・・・、N−1に応じて各タップごとに計算される
。以上の処理の全体的な流れを画くと第3H図のように
なる。
C□ is the first . D□ outputs the calculation result of the second equation of equations (5, 14). This part is '-011
+..., calculated for each tap according to N-1. The overall flow of the above processing is shown in Figure 3H.

この図のT、なるレジスタからなるシフFレジスタは第
2C図のトランスバーサルフィルタの再提であり、Aは
第3G図のABがら上の部分であり、タップごとに設け
られている。
The shift F register consisting of the register T in this figure is a re-presentation of the transversal filter in FIG. 2C, and A is the part above AB in FIG. 3G, and is provided for each tap.

プVツタの内部回路は、第3G図のABなる線より下の
部分を表わしている。また、第3H図のaovlI (
kr、) 、 sin # (kT、)なる端子には第
3A図、または第3C図の同名の端子から接続される。
The internal circuit of the V-shaped vine is shown below the line AB in FIG. 3G. Also, aovlI (
The terminals kr, ) and sin # (kT,) are connected to the terminals with the same name in FIG. 3A or 3C.

gl * gl’+ gl + glZ !’ (kT
s)なる端子には第3F図の同名の端子から接続される
gl * gl'+ gl + glZ! '(kT
The terminal named s) is connected from the terminal with the same name in FIG. 3F.

養動作確立機能、およびディジタル処理周辺回路有限個
の離散値をとる変調ベクトルの伝送を行う変復調方式で
は、受信復調側の機能を高能率伝送が可能なように作る
には、検波信号から判定された変調ベクトルを用いて最
適化を行うことが必要であり、これは2,3項に述べた
通りである。
In modulation and demodulation systems that transmit modulation vectors that take a finite number of discrete values, it is necessary to make a function on the reception and demodulation side that can be determined from the detected signal to enable highly efficient transmission. It is necessary to perform optimization using the modulation vector, as described in Sections 2 and 3.

この最適化動作が正常に行われるためには、上記の判定
が正しくなければならない。しかし、この判定が正しく
行なわれるためには、各種の最適化動作が正常でなけれ
ばならないと云う、一種のジレンマがある。実際に装置
化においては、バックワードチャネルを用い復調側でキ
ャリア断があったとき、変調側にOFF信号を送り、断
が回復することによってON信号を送るとともにスター
ト動作を始める。そして、スタートシーケンスを送受規
定しておく。判定に依存する最適化機能は、第2C図〜
第2F図の自動等化、第3A図〜第3D図の自動位相制
御、□および第3E図〜第3H図の自動タイミング制御
などである。命、判定が正しくないと仮定すると、これ
らの機能はそれぞれ異常状態を走査することとなる。こ
の走査は、正常状態が見付からなけれdいつまでも続く
ことになる。王者が同時に無作為の走査を行うのでは、
正常状態を見付けるのに時間がかかる。従って、先づ、
自動等化機能を停止させ、自動位相制御と自動タイ之ン
グ制御の動作を正常にもっていく必要がある。今、伝送
路の歪に許容される値が自動等化を行わない2相、また
は4相位相変調方式程度であると仮定する。この場合、
自動等化を行わなくても充分の適用領域が得られるはず
であるから、先づ、この条件で自動位相制御と自動タイ
ミング制御機能の動作だけを正常動作にもっていく。
In order for this optimization operation to be performed normally, the above determination must be correct. However, in order for this determination to be made correctly, there is a kind of dilemma in that various optimization operations must be normal. In actual device implementation, when a carrier disconnection occurs on the demodulation side using a backward channel, an OFF signal is sent to the modulation side, and when the disconnection is recovered, an ON signal is sent and a start operation is started. Then, a start sequence is specified for transmission and reception. The optimization function depending on the judgment is shown in Figure 2C~
These include automatic equalization shown in FIG. 2F, automatic phase control shown in FIGS. 3A to 3D, and automatic timing control shown in □ and FIGS. 3E to 3H. Assuming that the judgment is incorrect, each of these functions will scan for abnormal conditions. This scanning will continue indefinitely unless a normal condition is found. If the champion performs random scanning at the same time,
It takes time to find normalcy. Therefore, first of all,
It is necessary to stop the automatic equalization function and restore the automatic phase control and automatic tying control to normal operation. Now, it is assumed that the permissible value for the distortion of the transmission path is about the two-phase or four-phase phase modulation system that does not perform automatic equalization. in this case,
Since a sufficient application area should be obtained without performing automatic equalization, first, under these conditions, only the automatic phase control and automatic timing control functions are brought to normal operation.

タイミングずれ、および位相ずれがある値よりも大きく
なった場合には符号の判定が正しく行われなくなるよう
なずれの範囲がある。もし、伝送路の歪がなけれけ、上
記のようなずれの範囲が2相、および4相の場合にはO
に近くなる。8相以上になれけ、このようなことにはな
らない。従って、2相、および4相の場合は、どんな状
態で動作が開始されても、異常状態を走査することなく
制御の中心にもって行ける。伝送路の歪によって符号量
干渉が起これば、符号の判定が正しく行われないずれの
範囲が発生して来て、正常状態にもっていくのが困難に
なる。逆に、2相、および4相で容易に正常な制御状態
にもっていける伝送路の歪を許容歪とすることができる
。これは自動等化を用いない2相、および4相の適用領
域を定める。
If the timing shift and phase shift are larger than a certain value, there is a range of shift where the sign cannot be determined correctly. If there is no distortion in the transmission line, if the deviation range is 2-phase or 4-phase, O
It becomes close to. Become more than 8-phase, you won't end up like this. Therefore, in the case of two-phase and four-phase, no matter what state the operation is started in, it can be brought to the center of control without scanning for abnormal states. If code amount interference occurs due to distortion in the transmission path, a range in which code determination is not performed correctly will occur, making it difficult to return to a normal state. On the contrary, the distortion of the transmission line that can be easily brought to a normal control state in two-phase and four-phase can be set as the allowable distortion. This defines the application area for 2-phase and 4-phase without automatic equalization.

従って、スタートシーケンスは、2相、または4相伝送
を行い、自動等化を停止する状態を第1相とし、第2相
において自動等化を入れ、第3相で変調状態を増す。こ
のように行うことによって2相、および各相位相変調方
式の適用領域によって、その8倍、または4倍の情報速
度の伝送が可能となる。スタートシーケンスで第1相、
第2相の夕イミングが、変復11Re1間でほぼ一致す
る必要がある。これは前述のように、バックワードチャ
ネルを用いる信号伝送によって可能となる。
Therefore, in the start sequence, two-phase or four-phase transmission is performed, the first phase is a state where automatic equalization is stopped, the automatic equalization is turned on in the second phase, and the modulation state is increased in the third phase. By doing so, it becomes possible to transmit information at eight times or four times the two-phase and four-times higher information rate, depending on the application area of each phase modulation method. The first phase in the start sequence,
It is necessary that the evening timing of the second phase is almost the same between the modulation units 11Re1. This is made possible by signal transmission using a backward channel, as described above.

次に、バックワードチャネルを用いて動作確立を行う場
合の変調側と復調側での状態係列を明らかにする。
Next, we will clarify the state relationships on the modulation and demodulation sides when establishing operation using a backward channel.

第4A図は、復調側におけるスタートシーケンスの状態
転移図である。状態数は5個であって第4B図のSなる
レジスタに示すように3ビツトで区別される。111,
110,101,100゜011はそれぞれキャリア断
、スタートシーケンスの第1相、第2相、第3相、およ
び通信中の状態を示す。これに対し、これら状態間の転
移の原因となる事象は、キャリアのOFF、ON、第1
〜3相にある時間を定めるクロツタカウンタの出力が所
定のカウント数を計数し終ったことを示す信号である。
FIG. 4A is a state transition diagram of the start sequence on the demodulation side. The number of states is five, and they are distinguished by three bits as shown in the register S in FIG. 4B. 111,
110, 101, and 100°011 indicate carrier disconnection, the first phase, second phase, third phase of the start sequence, and communication status, respectively. On the other hand, the events that cause the transition between these states are carrier OFF, ON, first
This is a signal indicating that the output of the crotter counter that determines the time in phase 3 has finished counting a predetermined number of counts.

キャリア断の状態を作るのは通信を開始するために変調
側で人為的に行う場合もあり、また、回線が障害となる
ことによって発生することもある。キャリアがONとな
ることによって、状態は111から110に転じ、4相
の形で受信するために第2E図のTA、第3A図のTB
、および第3F図のT D、およびT D、のアドレッ
シングを変更する。同時に、第4B図に示すCなるレジ
スタによって構成されるカウンタによって時間監視を行
い、所定時間が経過したことを示すON信号を得ること
によって状態は110から101へ転じ、自動等化を開
始する。110では自動等化用トランスバーサルフィル
タの係数を第2DEDの出力のT、のうち、適当に選択
された係数γ1のものにだけ1を、他に0を入力する。
A carrier disconnection state may be artificially created on the modulation side in order to start communication, or it may also occur due to line failure. When the carrier is turned on, the state changes from 111 to 110, and in order to receive in 4-phase form, TA in Fig. 2E and TB in Fig. 3A
, and T D and T D in FIG. 3F. At the same time, time is monitored by a counter constituted by a register C shown in FIG. 4B, and by obtaining an ON signal indicating that a predetermined time has elapsed, the state changes from 110 to 101 and automatic equalization is started. At step 110, among the coefficients of the transversal filter for automatic equalization, 1 is input only to the appropriately selected coefficient γ1 among the output T of the second DED, and 0 is input to the others.

δ1はすべてOとする。101では、上記各テーブルの
アドレッシングの変更は続行する。上記カウンタ出力が
ONとなることによって、状態は100に転じ、上記各
テーブルのアドレッシングの変更を復旧し、再びカウン
タ出力がONとなることによってOllなる通信状態に
入る。第4B図は上述の制御を実現する回路である。こ
の回路の処理は各変調エレメントごとに行うものである
。第4B図のCはレジスタで1変調エレメントごとに1
を累積することによって時間計測を行う。Kは所定の値
で、Cによって引算される。この結果は、T&なる表に
よって結果が正であるか負であるかが判定され、ON、
OFFで示される出力線にそれぞれカウント数が一定値
以上になったか否かの表示を行う。
δ1 is all O. At 101, the addressing change of each of the above tables continues. When the counter output turns ON, the state changes to 100, the addressing change of each table is restored, and when the counter output turns ON again, the communication state Oll is entered. FIG. 4B shows a circuit implementing the above-mentioned control. The processing of this circuit is performed for each modulation element. C in Figure 4B is a register, one for each modulation element.
Time is measured by accumulating. K is a predetermined value and is subtracted by C. This result is determined by the table T& whether the result is positive or negative, and ON,
Whether or not the count has exceeded a certain value is displayed on each output line indicated by OFF.

Cの内容は1゛5 なる表出力によってリセットされる
。リセット信号、即ち、0がTb なる表によってゲー
トされてCに入力される。Tbに加わるゲート信号は第
4B図のSなるレジスタが111、および011のとき
に加えられる。これによって、この状態でCはリセット
されている。カウントは第1〜3相において行うものと
し、110、即ち、第1相に入ると同時にCのリセット
は外されて計数を開始する。101,100の各状態で
も同様であるが、Cの計数値がKを越えることによって
M、なるマトリックスによって検出されてCにリセット
信号が送られる。Mo なるダイオードマトリックスは
、Sなるレジスタの状態を検出するもので、Mo なる
ダイオードマトリックスはSなるレジスタが次にとるべ
き状態を検出する。これらは、第4A図の状態図によっ
て定められる0この転移はDRなる結線によって実行さ
れる。第4B図の1なる入力は、後述の自動利得調整回
路によって作られ、変調信号が受信されているかどうか
を示す。また、2.3なる出力信号はすでに述べたテー
ブルアドレス変更、および自動等化用トランスバーサル
フィルタ係数の変更を行う信号である。なお、第4B図
においては、Cの組数値かに以上になったときT、出力
がONとなるようにT。
The contents of C are reset by a table output of 1゛5. The reset signal, ie 0 is gated by the table Tb, is input to C. The gate signal applied to Tb is applied when the register S in FIG. 4B is at 111 and 011. As a result, C is reset in this state. Counting is performed in the first to third phases, and at the same time as entering phase 110, that is, the first phase, the reset of C is removed and counting is started. The same goes for states 101 and 100, but when the count value of C exceeds K, it is detected by the matrix M and a reset signal is sent to C. The diode matrix Mo detects the state of the register S, and the diode matrix Mo detects the state that the register S should take next. These are defined by the state diagram of FIG. 4A. This transition is carried out by the connection DR. The 1 input in FIG. 4B is produced by the automatic gain adjustment circuit described below and indicates whether a modulated signal is being received. Further, the output signal 2.3 is a signal for changing the table address and the automatic equalization transversal filter coefficient as described above. In addition, in FIG. 4B, T is set so that the output is turned ON when the set value of C is greater than or equal to K.

内容が設定されるが、Sが110,101,100の状
態では、T、出力がONとなることによってCがリセッ
トされる。一方、このON信号によって110→101
,101→100.あるいは100→011なる転移を
起こさなければならない。ONとなったことの効果を現
わすための時間を充分にとるには、Cをリセットするの
は任意の変調エレメントにおける第4B図の処理の最終
ステップにおく。このために処理のワークメモリにリセ
ット信号の一時的な記録を行っておく必要がある。第4
B図においては、複線の処理と単線の処理を示しである
が、複線の処理はバイト単位の信号処理であるのに対し
、単線の処理は論理処理で一ビット単位のものである。
The contents are set, but when S is 110, 101, or 100, C is reset by turning T and output ON. On the other hand, due to this ON signal, 110 → 101
, 101→100. Alternatively, a transition from 100 to 011 must occur. To allow sufficient time for the effects of being turned ON to take effect, reset C at the final step of the processing of FIG. 4B in any modulation element. For this purpose, it is necessary to temporarily record the reset signal in the processing work memory. Fourth
Figure B shows double-line processing and single-line processing; double-line processing is signal processing in byte units, whereas single-line processing is logical processing in 1-bit units.

また、第1,2相ではff12F図のT、なる各ブロッ
クの内容を0とし並列の等化を停止する。
Further, in the first and second phases, the contents of each block T in the ff12F diagram are set to 0, and parallel equalization is stopped.

次に、上述の復調側に対する変調側のスタートシーケン
スを定める。
Next, a start sequence on the modulation side for the demodulation side described above is determined.

変調側のスタートシーケンスは、復調側のスタートシー
ケンスに対応して定められ、状態図は第4C図のように
なる。即ち、バックワードチャネルを通して復調側から
返送されて来たバックワード信号信号によって第1相の
状態になる。バックワードがONになったことは復調側
ではすでに2相、または4相の受信状態になっているこ
とを意味する。変調側では第1相でやはり2相、または
4相変調の送信を行う。第4D図のCとその付属回路に
示すように復調側と同じカウント数の計数を行う。復調
側と同じカウント数を計数し、第1相から第2相、第2
相から第5相、第3相から通信状態への変化を行う。第
1相と第2相は、特に動作上は区別する必要はないが、
復調側との時間調整のために2つに分けたものである。
The start sequence on the modulation side is determined corresponding to the start sequence on the demodulation side, and the state diagram is as shown in FIG. 4C. That is, it enters the first phase state due to the backward signal signal returned from the demodulation side through the backward channel. When the backward signal is turned ON, it means that the demodulation side is already in a 2-phase or 4-phase reception state. On the modulation side, the first phase also performs two-phase or four-phase modulation transmission. As shown in C of FIG. 4D and its attached circuit, the same number of counts as on the demodulation side is performed. Count the same number of counts as on the demodulation side, from the 1st phase to the 2nd phase,
A change is made from the phase to the fifth phase and from the third phase to the communication state. There is no need to distinguish between the first phase and the second phase in terms of operation, but
It is divided into two parts for time adjustment with the demodulation side.

第1.2相ではデータ信号を禁止し、変調器入力にある
データ符号のスクランブラだけを動作させ、第1A図の
Cに示す変調符号を作る表のアドレスを変更し、Cの2
つの出力端子にそれぞれ2追打号が出力されるようにす
る。第3相では復調側では自動等什器を動作させており
、また、多状態で復調を行う態勢ができている時刻であ
ることから、第2相までに行っていた第1A図のCのア
ドレス変更を解除し、データ信号を禁止したままで多状
態で変調を行う。
1. In the second phase, the data signal is prohibited, only the data code scrambler at the modulator input is operated, and the address of the table that creates the modulation code shown in C in Figure 1A is changed,
Two additional hit numbers are output to each of the two output terminals. In the third phase, the demodulation side operates the automatic equalizer, and since this is the time when demodulation is ready in multiple states, the address C in Figure 1A that was used up to the second phase is changed. Cancel the change and perform multi-state modulation while keeping the data signal inhibited.

第4D図のCがカウントアウトすることによって通信状
態に入る。勿論、復調側はすでに通(i態勢に入ってい
る。このように復調側が先に状態転移を起こすのは、パ
ックワードチャネルによって0N−OFF信号を伝送す
るのに遅延がともない、さらにデータチャネルの伝送遅
延が加わることを考慮したものである。この遅れは動作
確立上望ましいものである。第4D図は第4C図の状態
転移図に従って作った処理回路図である。これは第4B
図の復調側のスタートシーケンス回路とほぼ同じ機能を
実行する。第4D図の記号の中で第4B図の記号と同じ
ものは同じ役割、または機能を実行するものである。第
4D図の入力信号であるバックワード信号は、0N−O
FF形式のもので、第4D図のバックワード信号端子の
近ぼうの回路は上記信号の立上りを検出するもので、T
、なるレジスタを用い1変■エレメント前の籠との差分
を取り、To なる表によって差分信号をスライスして
0N−OFFに変換する。ONとなるのはバックワード
信号の立上り時間だけとし、他はOFFとなるようにす
る。また、第4D図のテーブルアドレス変更端子は第1
A図のCなる表の入力側に加えられて、アドレスを変更
する動きをする。
The communication state is entered by C in FIG. 4D counting out. Of course, the demodulating side has already entered the normal state.The reason why the demodulating side causes the state transition first is that there is a delay in transmitting the 0N-OFF signal using the packed word channel, and there is also a delay in transmitting the 0N-OFF signal on the data channel. This takes into account the addition of transmission delay. This delay is desirable for establishing operation. Figure 4D is a processing circuit diagram created according to the state transition diagram of Figure 4C.
It performs almost the same function as the start sequence circuit on the demodulation side shown in the figure. The symbols in FIG. 4D that are the same as the symbols in FIG. 4B perform the same role or function. The backward signal, which is the input signal in FIG. 4D, is 0N-O
It is an FF type circuit, and the circuit near the backward signal terminal in Figure 4D detects the rising edge of the above signal.
, is used to calculate the difference from the previous basket by 1 change element, and the difference signal is sliced using a table called To to convert it to 0N-OFF. It is set to be ON only during the rise time of the backward signal, and to be OFF at other times. In addition, the table address change terminal in Fig. 4D is the first
It is added to the input side of table C in figure A, and moves to change the address.

また、データ入力禁止端子は、データ信号が入力される
端子を禁止し、データ符号スクランブラ−だけを動作さ
せるものである。
Further, the data input inhibit terminal inhibits the terminal to which a data signal is input, and operates only the data code scrambler.

キャリア0N−OFF(1号は、第4人図において述べ
たようにスタートシーケンスを開発するものとなるが、
この信号の検出は自動利得調整機能と密接な関連がある
。自動利得調整機能、即ち、AGCは復調回路入力に入
る信号を増幅するもので、AGCの信号の増幅率は検波
信号のレベルが適切な値になるように自動的に調整され
る。AGCに関連する処理回路とアナログ的な増幅回路
との関連は、次のようになる。先づ、AGCf)信号利
得をα伽)とするとαk)の調整動作式はとなる。ここ
で B (kT、) −sX” (kT、) +g、’ (
kT、) −・・(4,2)であり、 ・・・(4,5) である。第4E図のAGCなる一点鎖線のブロックは、
INなる端子に加わる受信変調波をA/Dなるアナログ
・ディジタル変換器によって、ディジタル量に変換する
。人/Dの変換特性は、入力アナログ値に対して対応の
出力ディジタル値の対数が比例するように設計されてい
る。A/DI)fi力によって、ROMなる読取専用メ
モリをアドレスする。このROMにおいては、アドレス
値とそれによって出力バスに読出される出方値の関係が
、アドレス値の対数と出力値が正比例するようにROM
の記録内容が定められている。これは入力アナログ値の
微小信号において、A/D出カの量子化雑音が増加しな
いようにする公知の方法である。
Carrier 0N-OFF (No. 1 will develop the start sequence as described in the 4th person diagram,
Detection of this signal is closely related to the automatic gain adjustment function. The automatic gain adjustment function, ie, AGC, amplifies the signal input to the demodulation circuit, and the amplification factor of the AGC signal is automatically adjusted so that the level of the detected signal becomes an appropriate value. The relationship between the processing circuit related to AGC and the analog amplifier circuit is as follows. First, if the AGCf) signal gain is αk), then the adjustment operation formula for αk) is as follows. Here B (kT,) −sX” (kT,) +g,’ (
kT, ) −...(4,2), and...(4,5). The block indicated by the dashed dotted line AGC in Fig. 4E is
The received modulated wave applied to the terminal IN is converted into a digital quantity by an analog-to-digital converter called A/D. The conversion characteristics of the Human/D are designed such that the logarithm of the corresponding output digital value is proportional to the input analog value. The A/DI) fi power addresses a read-only memory called ROM. In this ROM, the relationship between the address value and the output value read out to the output bus is such that the logarithm of the address value and the output value are directly proportional.
The contents of the record are stipulated. This is a known method for preventing the quantization noise of the A/D output from increasing in a small input analog value signal.

AGCブ四ツクックける処理ビット、Bは、AGC’以
外の部分よりも3〜4ビット多くとっである。
The processing bits B used in the AGC block are 3 to 4 bits more than the parts other than AGC'.

このブロックにおける■は、TI の出方によってRO
M出力値が増惰されて、この処理ブロック、以降に接続
される復調動作式の処理に適当なレベルとなって、OU
T端子に出方される。OUT端子以降の処理ブロックで
はaブ四ツク出カ論理値の低位の3〜4ビツトを除して
動作式の処理を行う。
■ in this block is RO depending on how TI comes out.
The M output value is increased to a level suitable for this processing block and the demodulation operation type processing connected thereafter, and the OU
It is output to the T terminal. In the processing block after the OUT terminal, the lower 3 to 4 bits of the output logic value of block a are removed to perform operational processing.

ディジタル信号処理位、論理デバイスからなる処理ユニ
ツFによって行われるもので、その入出力信号はアナ四
グ・ディジタル、あるいはディジタル・アナ資グ変換を
行う必要がある。特に、入力信号については低レベルで
受信される場合にも、量子化雑音がでないように上述の
第4E図におけるAGCに関して述べた方法を用いる必
要がある。
Digital signal processing is performed by a processing unit F consisting of logic devices, and its input/output signals must be converted from analog to digital or digital to analog. In particular, even when the input signal is received at a low level, it is necessary to use the method described with respect to AGC in FIG. 4E above to avoid quantization noise.

1〜4項に説明した各処理回路は、ディジタル信号処理
によって実行されるものであり、さらに、線路におiJ
る送信・受信のインタフェースにおけるバックワードチ
ャネルとデータチャネルを分離するためのフィルタ処理
、および2線式回線を4線式に変換する場合において起
る不平衡による送信と受信の漏話をなくすための平衡処
理も同様にディジタル信号処理によって機能実現を行う
。これらの処理ブロック間、およびディジタル信号処理
のために必要な周辺回路との間のつながりを第4F図に
示す。
Each of the processing circuits explained in sections 1 to 4 is executed by digital signal processing, and furthermore,
Filter processing to separate the backward channel and data channel at the transmitting/receiving interface, and balancing to eliminate crosstalk between transmitting and receiving due to unbalance that occurs when converting a 2-wire line to a 4-wire system. Functions are similarly realized through digital signal processing. The connections between these processing blocks and the peripheral circuits necessary for digital signal processing are shown in FIG. 4F.

先づ、変調側では (イ)送信符号回路:第4F図のSで示される。これは
第1A図のに1 を作る回路で、第4F図のSD端子か
らデータ端末装置の出方である送信符号を受け入れる。
First, on the modulation side, (a) transmission code circuit: denoted by S in FIG. 4F. This is the circuit that creates 1 in FIG. 1A, and receives the transmission code from the data terminal device from the SD terminal in FIG. 4F.

Sの内部は、sD符号のスクランプリングとに□信号を
第4D図の「データ入力禁止」信号によってSD傷信号
禁止される。
Inside the S, the □ signal is inhibited by the ``data input inhibit'' signal shown in FIG. 4D during scrambling of the sD code.

(ロ)送信波送出回路:送信波を作るディジタル信号処
理は、第4F図のMODによって行われ、その出力信号
はバックワード信号との結合のための送信浦波処理を行
うSFDに入力される。BLは、後述のように、LIN
Eなる2線式回線の2線と4線との変換を行う回路であ
って、これは2→養なるブロックにおける不平衡によっ
て生ずる送信受信間のリターンロスの不足を補償するた
めに平衡処理を行うもので、SFDの出力信号BLの4
端子から入力され、2端子に出力される。この信号はア
ナリグ信号に変換されて、2←4を経てLINBに送信
される。
(b) Transmission wave sending circuit: Digital signal processing to create the transmission wave is performed by the MOD shown in Figure 4F, and its output signal is input to the SFD that performs transmission wave processing for combination with the backward signal. . BL is LIN, as described below.
This is a circuit that converts a 2-wire line E from 2 wires to 4 wires, and this circuit performs balancing processing to compensate for the lack of return loss between transmitting and receiving caused by unbalance in the 2 → feed block. 4 of the SFD output signal BL
Input from one terminal and output from two terminals. This signal is converted into an analysis signal and sent to LINB via 2←4.

(/Jバックワード回路寡受信データチャネルとRFD
、およびRFBなるフィルタのディジタル信号処理によ
・つて周波数分割方式によって作る。
(/J Backward circuit low reception data channel and RFD
, and RFB by a frequency division method through digital signal processing of filters.

RFBはまたバックワードチャネルから受信されるFM
信号の検波をやはりディジタル信号処理によって行い、
その出方をMODの2なる端子に加える。
RFB is also the FM received from the backward channel.
Signal detection is also performed using digital signal processing,
Add the output to the MOD's 2nd terminal.

次に、復調側では (イ)変調波受信回路:受信変調波から検波信号を検出
し、変調符号を再生する処理は第4F図のDBMにおい
て行う。その入力信号は、LINEなる2線式回線から
2→4によって抑圧された自局送信信号と共にAGCに
入力される。AGCの内部は第4E図のAGCに示す通
・りで第4F図のAGCにDEMの3端子から入力され
る端子には、。
Next, on the demodulation side, (a) Modulated wave receiving circuit: The process of detecting a detection signal from the received modulated wave and reproducing the modulation code is performed in the DBM shown in FIG. 4F. The input signal is input to the AGC from a two-wire line called LINE together with the local station transmission signal suppressed by 2→4. The inside of the AGC is as shown in the AGC in Fig. 4E, and the terminals input from the 3 terminals of the DEM to the AGC in Fig. 4F are as follows.

第4E図のAGC以外の処理をDEMで行った出力が加
えられる。AGCの処理ビットのうち低位桁3〜4ビツ
トを除いてBLの1の端子に加えられ、BLにおいて送
信側からもれて来た自局変調信号を削除され、RFDな
るデータチャネル用のフィルタリングによって、バック
ワードチャネルと分離してデータ変調波をDEMに入力
する。
The output obtained by performing processing other than AGC in the DEM in FIG. 4E is added. Of the AGC processing bits, the low-order 3 to 4 bits are added to the BL 1 terminal, the local modulation signal leaked from the transmitting side is removed in the BL, and the signal is filtered by data channel filtering called RFD. , the data modulated wave is input to the DEM separately from the backward channel.

(→バックワード回路:第4F図のFMSなるブロック
の処理によって構成される。FMSではDEMにおける
第4B図の処理におけるキャリア検出信号によってバッ
クワード信号を作るFM変調を行うディジタル信号処理
を行い、この信号をFht sにおけるフィルタのディ
ジタル信号処理によってSFD出力と加算を行って、B
Lの送信端子4に加えられる。
(→Backward circuit: Constructed by the processing of the FMS block shown in Fig. 4F. The FMS performs digital signal processing that performs FM modulation to create a backward signal using the carrier detection signal in the processing of Fig. 4B in the DEM. The signal is added to the SFD output through the digital signal processing of the filter in Fht s, and B
It is added to the transmission terminal 4 of L.

(ハ)受信符号回路:第4F図のRによって示される回
路で第2F図のPLkHbkの差分をとって送信符号を
再生する。この部分は、第4F図の1なる線で示すよう
に、第4B図の自動等化変更端子と接続する必要がある
。これは、スタートシーケンスにおいて動作が確立され
る前に、データ受信出力を禁止するためである。
(c) Reception code circuit: The circuit indicated by R in Fig. 4F takes the difference between PLkHbk in Fig. 2F and reproduces the transmission code. This part needs to be connected to the automatic equalization change terminal in FIG. 4B, as shown by the line 1 in FIG. 4F. This is to inhibit data reception and output before operation is established in the start sequence.

送信・受信間のリターンロスを充分に保つための回路と
して、第4F図のBLをあげたのであるが、この部分の
機能の動作式は次のようである。
The BL shown in FIG. 4F is used as a circuit for maintaining a sufficient return loss between transmission and reception, and the operational formula for the function of this part is as follows.

第4G図(a)はこの信号処理の原理図で、2−4なる
変換器に加えられるxj なる送信信号をTR8なるト
ランスバーサルフィルタに加える。T、3 は2→40
回路の出力で、Xj からもれた成分が含まにもれた値
に等しくなるように、トランスバーサルフィルタのタッ
プが調整される。この■整アルゴリズムは、次のように
して作られる。送信信号をXj とし第4q図(a)の
TR3のタップ係数をC!1(j)とすると、TR8の
出力はX −Σ C(j) −xj、 −−−(4,4
)j n=1 ” なる関数となる。ここで、 神)=(y −x’)・xj(τ) j なる相関関数を作り、この関数の2乗平均が最小になる
条件をめるアルゴリズムを考えると、第4G図(&)の
7.1−1j′にXj の成分が含まれないことになる
。ここでXj(τ)はxjをτ秒遅延させた関数である
。この場合、τを同定したままで63 を最小にする場
合、次の点に注意する必要がある。
FIG. 4G (a) is a diagram showing the principle of this signal processing, in which a transmission signal xj applied to a converter 2-4 is applied to a transversal filter TR8. T, 3 is 2 → 40
The taps of the transversal filter are adjusted so that at the output of the circuit, the component that leaks from Xj is equal to the value that is included. This ∎ well-ordered algorithm is created as follows. Let the transmission signal be Xj and the tap coefficient of TR3 in Fig. 4q (a) be C! 1(j), the output of TR8 is X −Σ C(j) −xj, ---(4, 4
) j n = 1 ”. Here, the algorithm creates a correlation function such as ) = (y − x') x Considering that, 7.1-1j' in Figure 4G (&) does not include the component of Xj. Here, Xj (τ) is a function of xj delayed by τ seconds. In this case, When minimizing 63 while keeping τ identified, it is necessary to pay attention to the following points.

即ち、y −x′からXj に比例する成分を削除すj る場合において、τを固定したままであればトランスバ
ーサルフィルタで遅延されるように制御されたときも−
が0となり行る。このとき、リタンリスは少しもよくな
らない。この不安を除くには、トランスバーサルフィル
タで起り得る遅延より大きいτの範囲で、−を積分した
関数を考える必要がある。即ち、 を最小にするアルゴリズムを考える。先ず、となる。こ
こで、 ax ’/ a c鋳ドXj−ユ となるから、 となる。ここで α−fXj(τtdτ 一〇 は常数と考えてよいのであって、結局、τはアルゴリズ
ムには影響してこない。従って、タップ係数の調整動作
式は、 0□(j+t)−a、(j)−一(ya −Xj’) 
Xj−ユ ・・(4,7)のようになる。第4G図(b
)は、第4F図のBLなるプルツタの内部構成とAGC
,D/人のつながりを示すものである。第4G図(b)
のMは、1,2゜3.4なる端子、およびTR8,およ
びTAPなる処理ユニットによって共用されるメモリで
あって、これらの間の情報用バイトの交換を行うもので
、それぞれの交換はMをアクセスするスロットが時分割
的に配分されることによって行われる。
That is, when removing the component proportional to
becomes 0. At this time, Litanris does not get any better. To eliminate this concern, it is necessary to consider a function that integrates - within a range of τ that is larger than the delay that may occur in the transversal filter. That is, consider an algorithm that minimizes . First of all, it becomes. Here, since it becomes ax'/ac casting de Xj-yu, it becomes. Here, α−fXj(τtdτ 10 can be considered a constant, and after all, τ does not affect the algorithm. Therefore, the adjustment operation formula for the tap coefficient is 0□(j+t)−a, ( j)-1(ya-Xj')
Xj-yu...(4,7). Figure 4G (b
) is the internal structure of the pull-outer BL in Figure 4F and the AGC.
, D/It shows the connection between people. Figure 4G (b)
M is a memory shared by the terminals 1,2°3.4 and the processing units TR8 and TAP, and is used to exchange information bytes between them. This is done by allocating slots for accessing in a time-sharing manner.

TR5では(4,4)式の処理を行い、TAPでは 。TR5 processes the equation (4, 4), and TAP.

(4,7)式を計算する。■なる東線は籟θ)(+−1
〜N)の転送を行うことを表わしている。
Calculate equation (4, 7). ■The eastern line is 籟θ)(+-1
~N) is transferred.

なお、第4G図(b)の共通メモリMの周辺の構成の詳
細は、後述するDEM、MODの場合と同様であってこ
こでは詳細説明は行わない。
Note that the details of the peripheral configuration of the common memory M in FIG. 4G(b) are the same as in the case of DEM and MOD, which will be described later, and will not be described in detail here.

次に、第4F図のRFD、SFDの構成法は、公知のデ
ィジタルフィルタの方法を用いるものて、これにより6
00〜3000Hzのデータ信号用の伝送チャネルを構
成する。バックワードチャネル用のFM8とRFBは、
フィルタリングと低速のFM変復調方式の動作式の処理
を行う。このうちフィルタリングでは、300〜600
Hzのバックワード用の伝送チャネルを構成するもので
ある。このうちFM変復調方式の動作式は、変調側即ち
、FMSでは、送信変調波はサンプル値動作式 fo“
) −QQ“φ0“′)) φ(nT’)−φ(n−1) T’ ) 十m’n o
τ′+μ′−′(]!LT′)・・・(4,8) で作る。ここでs’(nT’)は第4F図のDEMから
同図FMSへの入力線の信号を現わfものである。
Next, the method of constructing the RFD and SFD shown in FIG. 4F uses a known digital filter method, and thereby
Configure a transmission channel for data signals from 00 to 3000 Hz. FM8 and RFB for backward channel are
Performs filtering and processing of low-speed FM modulation/demodulation method. Of these, 300 to 600 are used for filtering.
This constitutes a Hz backward transmission channel. Among these, the operation formula of the FM modulation and demodulation method is that on the modulation side, that is, FMS, the transmitted modulated wave is sampled value operation formula fo "
) -QQ"φ0"')) φ(nT')-φ(n-1) T') 10m'no
Create by τ′+μ′−′(]!LT′)...(4,8). Here, s'(nT') represents the signal on the input line from the DEM to the FMS in FIG. 4F.

この式のサンプリング間隔はC4−7) P <c J
のものと同様になり、ではTの整数分の1になる。町。
The sampling interval of this formula is C4-7) P <c J
It becomes the same as that of T, and then it becomes an integer fraction of T. town.

は、パックワードチャネルの搬送周波数である。is the carrier frequency of the packed word channel.

復調側の動作式はVCO形とするのが適当であり、検波
信号5(nl’)は次のサンプル値動作式で作る。
It is appropriate that the operating formula on the demodulation side be a VCO type, and the detection signal 5 (nl') is generated using the following sample value operating equation.

受信波、即ち、RFBのフィルタリングの出力波を/(
nT’)とすると、 となる。(4,11) l (4,9)式を処理フ四−
グラフに現わすと、第4H図(→、(b)のようになる
The received wave, that is, the output wave of RFB filtering is /(
nT'), it becomes. (4,11) l Processing formula (4,9)
When expressed in a graph, it looks like Figure 4H (→, (b)).

第4F図のRFD、SFD、およびFMS、RFBのデ
バイス回路構成については、第4q図(b)の場合と同
様の構成となるが、これらの構成法については後述する
DEM、MODの場合と同様であるから省略する。
The device circuit configurations of the RFD, SFD, FMS, and RFB in Figure 4F are the same as those in Figure 4Q (b), but the configuration method for these is the same as in the case of DEM and MOD described later. Therefore, it is omitted.

第4F図に示すCLは、同図■COなる電圧制御発振器
からクロックを供給されることによって、その他のプル
ツクにディジタル信号処理、および論理処理用のクロッ
クを供給する。これらり四ツクについては、それぞれ時
間表を定める必要がある。これら時間表は、相当数にの
ほる。これら時間表を、少数のLSI素子によって実現
することができる。第41図にOSC,およびVCOの
ように高周波の主クリック源を設ける。これは、第4F
図のVCOに相当する。その出力を計数する計数器を設
け、その出力論理値をアドレス信号として読取専用メモ
リから読、取った出力値において、各桁のビットの論理
値の時間割が第4F図のDEM、あるいはMODに加え
られるクロックの時間表が得られるように読取専用メモ
リの内容を設定することが可能である。第4■図のBC
は上記の主発振器の計数器であり、ROMは読取り専用
メモリ、RRは出力レジスタ、端子l、2.・・・Nは
RRの各桁ビットから取出されたクロック線である。1
調器の場合は、主クロツク源は電圧制御発振器vCOを
用い、り四ツタ端子l、2.・・・Nの中の変調エレメ
ントごとに発生するクロックが相手側変調器の変調エレ
メントクリックと位相同期するように制御されることと
なる。第4F図のCLの1、および2のクロツタは変調
エレメントの周期をもつ多相クロックであり、5のり四
ツクはより高い周波数の多相クロックである。
CL shown in FIG. 4F is supplied with a clock from a voltage controlled oscillator indicated by CO in the same figure, thereby supplying clocks for digital signal processing and logic processing to other pulls. It is necessary to establish timetables for each of these four tasks. There are quite a number of these timetables. These timetables can be realized using a small number of LSI elements. In FIG. 41, a high frequency main click source such as an OSC and a VCO is provided. This is the 4th F
This corresponds to the VCO in the figure. A counter is provided to count the output, and the output logical value is read from the read-only memory as an address signal.In the output value taken, the timetable of the logical value of the bit of each digit is added to the DEM or MOD shown in Figure 4F. It is possible to set the contents of the read-only memory so that a timetable of clocks is obtained. BC in Figure 4
is the counter of the above-mentioned main oscillator, ROM is a read-only memory, RR is an output register, and terminals l, 2. ...N is a clock line taken out from each digit bit of RR. 1
In the case of a regulator, the main clock source is a voltage controlled oscillator vCO, and four terminals l, 2. . . . The clock generated for each modulation element in N is controlled to be phase-synchronized with the modulation element click of the opposite modulator. The clocks 1 and 2 of CL in FIG. 4F are polyphase clocks with the period of the modulation element, and the clocks 5 and 4 are polyphase clocks with a higher frequency.

6デイジタル信号処理回路 変復調方式の動作については、前記先願明細書に示すよ
うな解析によって動作方程式と云う形に表わすことがで
きる。変復調機能はこのような動作方程式を処理するこ
とによって実行される。一応、変復調器の部品やデバイ
ス回路による実現性を無視して考えることにより、これ
ら動作式を数学的な手段によって合理化する必要がある
。次に、これら動作式の処理によって変復調機能の実現
なはかる場合には、各種の手段が考えられる。音声電話
回線への応用を考えた場合は、上記の処理は特に高速で
ある必要がなく、動作式の実行を融通性をもって可能と
なる計算機形式の処理ユニットを用いるのが有利である
。この場合は上述の動作方程式はそのままでは使用でき
ない、サンプル値動作式に直す必要がある。これについ
ては前述の各項に述べた通りである。
The operation of the 6-digital signal processing circuit modulation/demodulation system can be expressed in the form of an operational equation by analysis as shown in the specification of the prior application. Modulation and demodulation functions are performed by processing such operating equations. It is necessary to rationalize these operating equations by mathematical means, ignoring the feasibility of using modulator/demodulator components and device circuits. Next, various means can be considered if the modulation/demodulation function is to be realized by processing these operational formulas. When considering an application to a voice telephone line, the above processing does not need to be particularly fast, and it is advantageous to use a computer-type processing unit that can flexibly execute the operational formula. In this case, the above-mentioned operating equation cannot be used as is; it is necessary to convert it into a sample value operating equation. This is as described in each section above.

変復調機能をサンプル値動作式の演算によって実行する
場合には第5A図に示す装置化を行う必要がある。第5
A図は第4F図のMODの内部構成を示す。第5A図の
1.2,3.4なる端子は第4F図の同じ数字の端子に
相当する。第5A図の3なる端子は(C15)式によっ
てめられる送信波t−インタフェース回路5を通して出
力する。
If the modulation/demodulation function is to be performed by calculating the sample value operation formula, it is necessary to implement the apparatus shown in FIG. 5A. Fifth
Figure A shows the internal configuration of the MOD in Figure 4F. Terminals 1.2 and 3.4 in FIG. 5A correspond to the same numbered terminals in FIG. 4F. Terminal 3 in FIG. 5A outputs a transmission wave through the t-interface circuit 5 determined by equation (C15).

1なる端子には、第4C図に示す送信側のスタートシー
ケンスの状態図に従って、送信符号回路の禁止と開放を
行う信号を出力する。Dなるプルツクは、この信号の中
継を行う。4の端子は、送信符号回路の出力信号、即ち
、(1,15)式の111 r biをDEMに入力す
る端子である。また、2なる端子は、第4C図の送信側
スタートシーケンスを制御するのに必要なバックワード
チャネルの0N−OFF信号を入力する端子である。
A signal for inhibiting and opening the transmission code circuit is outputted to the terminal 1 in accordance with the state diagram of the start sequence on the transmission side shown in FIG. 4C. The pull pull D relays this signal. Terminal 4 is a terminal for inputting the output signal of the transmission code circuit, that is, 111 r bi of equation (1, 15) to the DEM. Further, the terminal 2 is a terminal for inputting the ON-OFF signal of the backward channel necessary for controlling the transmitting side start sequence shown in FIG. 4C.

#!5A図のA、B、Cなるブロックは第1A図に示す
変調波作成フローグラフを実行するもので、Aは第1A
図の(a)、Bは(b)、Cは(、)と第4C図に示す
送信側のスタートシーケンスの処理を行うものである。
#! Blocks A, B, and C in Figure 5A execute the modulated wave creation flow graph shown in Figure 1A, and A is the block A, B, and C in Figure 1A.
In the figure, (a), B (b), and C (,) perform the processing of the start sequence on the transmitting side shown in FIG. 4C.

第5A図の6なる東線は第4F図に示すCLなるクブツ
ク発生回路の出力1IJ5を示すもので、第5A図のA
NGまでの各ブロックに動作クロックを供給すると共に
、A、B、Cにそれぞれ9.6.4.8.2−4 KH
z のリアルタイム割込みり四ツクを供給する。第5A
図のRESなるブロックは、共通メモリでA−Gなる各
ブロック間で情報のやり取りを行うための情報の一時メ
モリである。A、Gの各ブロックが、他のブロックと情
報の交換を行うためにRESをアクセスするには、MP
Xなる動作クロックによって動作するスシット配分器に
よって、アクセススロットの配分を受けて行う。MPX
の出力線は数ビットがらなり、その符号構成によって各
ブロックを指定する。
The east line 6 in FIG. 5A indicates the output 1IJ5 of the kubuk generation circuit CL shown in FIG. 4F, and the line A in FIG.
In addition to supplying the operating clock to each block up to NG, 9.6.4.8.2-4 KH is supplied to A, B, and C respectively.
Provides four real-time interrupts for z. 5th A
The block RES in the figure is a common memory and is a temporary memory for information for exchanging information between the blocks A to G. In order for each block A and G to access the RES in order to exchange information with other blocks, the MP
Access slots are allocated by a ssit allocator that operates according to an operating clock X. MPX
The output line consists of several bits, and each block is designated by its code configuration.

BO2なる共通線は、それぞれのブロックが与えられた
タイムスロットにRESをアドレスして、その内容のや
りとりを行うためのものである。
The common line BO2 is used for each block to address the RES in a given time slot and exchange its contents.

RESをアドレスする線は、MPXの出力線で、BUS
は情報の転送に用いられるものである。
The line that addresses RES is the output line of MPX, and BUS
is used to transfer information.

第5A図のA、B、Cなるクロックは、それぞれ計算機
形式の処理ユニットであって、先ず、Aは9.6KH,
のリアルタイムクロック割込みが行われるたびにRES
の特定のアドレスに記録されている第1A図のHなるブ
ロックに相当する情報内容を読取って、第1A図(a)
の部分の処理を行い、結果のf(、T)をRESの別の
特定アドレスに記録する。この記録内容は、第5A図の
Gがスロットな与えられたときに読出されて、アナ四グ
信号ニ変換すれて、線路に送出される。Aにおいテハ、
最後の命令が実行されることによって、次の9.6KH
オ リアルタイムクロックの待合せ状卯に入る。
The clocks A, B, and C in FIG. 5A are computer-type processing units, and first, A is 9.6KH,
RES every time a real-time clock interrupt occurs.
By reading the information content corresponding to block H in Figure 1A recorded at a specific address in Figure 1A (a)
Then, the result f(,T) is recorded in another specific address of the RES. This recorded content is read out when slot G in FIG. 5A is given, converted into an analog/4G signal, and sent out to the line. A smells good,
By executing the last instruction, the next 9.6KH
Enter the real-time clock waiting list.

次に、Bは4−8 K Hzのリアルタイムクロック割
込が行われることによって、第1A図の(b)なる部分
を計算するプログラムを実行する。実行した結果は第1
A図のHなるクロックに相当するが、この内容は、RE
SのHのために指定されたアドレスに記録される。この
プログラムが使用する入力データは、第1A図のAと第
1C図の&□′、bk′であって、これらのデータに対
して指定されたRESのアドレスはm5A図のCなるク
ロックの処理によって更新される。Bにおける上記の処
理のプログラムの最後の命令は、次の4.8KH,り四
ツクの割込待を行うものである。
Next, B executes a program that calculates part (b) of FIG. 1A by being interrupted by a 4-8 KHz real-time clock. The execution result is the first
This corresponds to the clock H in figure A, but its contents are RE
It is recorded at the address specified for H of S. The input data used by this program are A in Figure 1A and &□', bk' in Figure 1C, and the RES address specified for these data is C in Figure 1A, clock processing. updated by. The last command of the above processing program in B is to wait for the next 4.8 KH, or four interrupts.

次に、箔δへ図のCは、2.4KH,クロックの割込み
によって第1A図の(、)なる部分、および第4C図な
る状態図で表わされるスタートシーケンスを実行するブ
Uグラムを実行する。このプログラムの機能を論理処理
、および演算処理のフローで表わしたものが、第4D図
である。第yA図のCが実行するプログラムのうち第1
A図(t3)のに10入力は、第4F図では4端子に相
当するものであり、第5A図の端子手からGなるブロッ
クに受入れられ、MPXからGに与えられたスロットに
おいてRESの指定アドレスに記録されるものである。
Next, to the foil δ, C in the figure executes a program that executes the start sequence represented by the part (, ) in Figure 1A and the state diagram in Figure 4C by the 2.4KH clock interrupt. . FIG. 4D shows the functions of this program in the form of logical processing and arithmetic processing flows. The first of the programs executed by C in Figure yA
The 10 inputs in Figure A (t3) correspond to 4 terminals in Figure 4F, and are accepted by the block from the terminal to G in Figure 5A, and the RES designation is made in the slot given to G from MPX. It is recorded in the address.

次に、復調側のディジタル処理回路について述べる。第
5B図は第4F図のDEMの内部構成を示す。第5B図
の1.2,3,4.5.6なる端子は第4F図の同じ数
字の端子に相当する。第5B図の端子4には第4F図の
RFDで示されるデータチャネル用受信瀘波器の出力が
加えられる。
Next, the digital processing circuit on the demodulation side will be described. FIG. 5B shows the internal structure of the DEM of FIG. 4F. Terminals 1.2, 3, 4.5.6 in FIG. 5B correspond to the same numbered terminals in FIG. 4F. The output of the data channel reception filter indicated by RFD in FIG. 4F is applied to terminal 4 in FIG. 5B.

また、2なる端子から出力される信号は、第5B図のA
、C,〜3 なる計算機形式の処理ユニットで計算され
たタイミング信号、即ち、第3F図のZ(k T、)が
Fによってアナログに変換されて出力される。第4F図
に示すSなるスイッチは、上記2(kT、)が、第3G
図、第3H図に示すように、自動等化フィルタの遅延を
調整するために使用する場合は切断される。第5B図の
1なる端子は、第4A図で示される受信側のスタートシ
ーケンスを実行することによって生ずる第1,2相にお
いて、即ち、第4B図の2なる出力によって受信データ
を禁止する信号を出す。第5B図の5なる端子は、上記
のスタートシーケンスを開始させる信号、即ち、第4E
図のキャリア断を表示するAくなる記号の端子に接続さ
れる。第4E図のキャリア断、およびAGC制御信号を
作る処理は第5B図のA。
Also, the signal output from terminal 2 is A in Figure 5B.
, C, ~3 The timing signal calculated by the computer-type processing unit, ie, Z(k T,) in FIG. 3F, is converted into an analog signal by F and output. In the switch S shown in FIG. 4F, the above 2(kT,) is
As shown in Figure 3H, it is disconnected when used to adjust the delay of the automatic equalization filter. The terminal 1 in FIG. 5B transmits a signal for inhibiting received data in the first and second phases generated by executing the start sequence on the receiving side shown in FIG. 4A, that is, by the output 2 in FIG. 4B. put out. Terminal 5 in FIG.
It is connected to the terminal with the symbol A, which indicates carrier disconnection in the figure. The carrier disconnection in FIG. 4E and the process for creating the AGC control signal are shown in A in FIG. 5B.

C4〜3 の処理ユニットで計算される。第5B図の6
なる端子にはA、C4〜3 における復調処理によって
判定された変調符号、即ち、第2E図の% pbk な
る信号が出力される。また、3なる端子は、A、01〜
3 なる処理ユニットで行われるもので、このうち第4
E図のAGC以外の部分の処理結果を出力するものであ
って、この信号はf64F図のAGCなるAD変換を含
も受信利得の自動調整回路に入力される。上記の端子に
直接に接続される0、 E、F、G、H,Jなどは、上
記の端子に入U)力する信号の一時レジスタを含むもの
である。
Calculated by processing units C4-3. 6 in Figure 5B
The modulation code determined by the demodulation processing in A and C4-3, ie, the signal % pbk in FIG. 2E, is output to the terminal . In addition, the terminal numbered 3 is A, 01~
It is performed in three processing units, of which the fourth
It outputs the processing results of parts other than the AGC in Figure E, and this signal is input to the automatic reception gain adjustment circuit including the AD conversion called AGC in Figure f64F. The 0, E, F, G, H, J, etc. directly connected to the above terminals contain temporary registers for the signals input to the above terminals.

これら中継レジスタと処理ユニットA、C□、ClC5
は、IIESなる共通レジスタを時分割的に共有し、相
互の間のバイト信号の転送を可能とするものである。上
記各クロックが、他ブロックと情報の交換を行うために
、RESをアクセスするには、第5B図のMPXによっ
て行う。この方法は、第5A図の場合と同じである。
These relay registers and processing units A, C□, ClC5
The two systems share a common register called IIES in a time-division manner and enable mutual transfer of byte signals. Each of the clocks accesses the RES to exchange information with other blocks using the MPX shown in FIG. 5B. The method is the same as in FIG. 5A.

第5B図のAには、9.6KH,のリアルタイムクロッ
ク割込が行われる。この度にRESの特定アドレスに記
録されている第2A図の6なる点の信号を読取って、第
2A図の(a)なる部分の処理を行い、結果である第2
A図の9と10の信号をRESの別の特定アドレスに記
録する。この記録内容は、@5B図のC0がスロットを
与えられたときに読出される。第5B図のAにおいては
、最後の命令が実行されることによって、次の9.5K
H。
At A in FIG. 5B, a real-time clock interrupt of 9.6KH is performed. This time, read the signal at point 6 in Figure 2A that is recorded at a specific address in the RES, process the part (a) in Figure 2A, and then
Signals 9 and 10 in Figure A are recorded in another specific address of the RES. This recorded content is read when C0 in diagram @5B is given a slot. At A in Figure 5B, the last instruction is executed, resulting in the next 9.5K
H.

リアルタイムクロックの待合せ状態に入る。次に、15
B図のC0は、2.4KH,のりアルタイムクロック割
込が行われることによって、第2C図〜第2F図の部分
を計算するプログラムを実行する。
Enters real-time clock waiting state. Next, 15
C0 in FIG. B executes a program that calculates the portions in FIGS. 2C to 2F when a 2.4 KH real-time clock interrupt is performed.

実行した結果は、i2E図の&kr bkなる信号値を
記録するRESの指定アドレスに入力する。
The execution result is input to the designated address of the RES that records the signal value &kr bk in the i2E diagram.

C0がRESをアクセスするスロットが与えられたとき
は、第2C図〜第2F図の処理に必要なcooθとsi
nθをそれぞれ記録するRBSの指定アドレスから読取
る。この記録は、C9の処理によって作られるものであ
る。C0における上記の処理の最後の命令は、その2.
4KH,の割込時を行うものである。
When C0 is given a slot to access the RES, cooθ and si necessary for the processing in FIGS. 2C to 2F are
Read nθ from the designated address of the RBS where each is recorded. This record is created by the processing of C9. The last instruction in the above process at C0 is 2.
It is used for interrupts of 4KH.

次に、第5B図のC1憾、やはり2.4KH,のリアル
タイムクロック割込みによって処理が行われる。処理内
容は第3A図〜第3b図の自動位相制御、および第3F
図あるいは第3F図〜第3H図のクロックタイミングの
自動制御処理を行うものである。自動位相制御の入出力
信号は、第3A図に示すようにX’(kT、) 、 Y
’(kT、)と&2.bkt−RESの特定アドレスを
介してC0から転送され、colIθとsinθをやは
りRESO別の特定アドレスを介してC0へと転送され
る。また、タイミングの自動制御を行うプログラムは、
上記のようにして入力したX’ 、 Y’、 ak、 
bkによって作った2(k ’I’ 、)を、RESの
特定アドレスを介して第5B図の17端子に連なるHな
るブロックに転送される。第5B図のC3も、2.4K
H2クロツクの割込みによって処理が行われ、第4A図
なる状態図で表わされるスタートシーケンスと、第4E
図なるAGC機能のうち、一点鎖線以外の部分を実行す
る□第4A図のプログラムの機能を論理処理、および演
算処理のフローで表わしたものが、第4B図である。E
、F、G、Jなるブロックと処理ユニット間の連絡につ
いての上述の説明の処理ユニットはC,である。このほ
か、C,からX’、Y’。
Next, processing is performed by the real-time clock interrupt of C1 in FIG. 5B, which is also 2.4 KH. The processing contents are automatic phase control shown in Figures 3A to 3B, and 3F.
3F to 3H. The input/output signals of automatic phase control are X'(kT,), Y as shown in Figure 3A.
'(kT,) and &2. It is transferred from C0 via a specific address of bkt-RES, and colIθ and sinθ are also transferred to C0 via another specific address of RESO. In addition, the program that automatically controls timing is
X', Y', ak, input as above,
2 (k'I',) created by bk is transferred to the block H connected to terminal 17 in FIG. 5B via a specific address of RES. C3 in Figure 5B is also 2.4K
Processing is performed by an interrupt of the H2 clock, and the start sequence shown in the state diagram shown in FIG.
FIG. 4B shows the functions of the program shown in FIG. 4A, which executes the parts other than the one-dot chain line of the AGC functions shown in FIG. E
, F, G, J and the processing unit in the above description of the communication between the processing units is C. In addition, C, to X', Y'.

ak、bk が転送される。ak, bk are transferred.

第5C図は第5A図のA、B、C,第5B図のA、 C
,、C,、C1なる各処理ユニットの内部構成を示すも
のである。第5C図に示す処理ユニットの構成は、蓄積
プ四ダラム形の汎用コンピュータと基本的には同じであ
る。処理ユニットを第6A図、および第5B図のような
使い方をする場合には、いわゆるI10装置は汎用コン
ピュータの場合のような使い方は行わないのであるが、
第5C図の左にある外部データバスや制御線から接続す
る。第5A図、および第5B図の場合、これらI10装
置は、変復調器として動作させる前に、何等かの処置を
行うために一時的に接続されることとなる。
Figure 5C shows A, B, and C in Figure 5A, and A, C in Figure 5B.
, , C, , C1 shows the internal configuration of each processing unit. The configuration of the processing unit shown in FIG. 5C is basically the same as that of a general-purpose computer of the storage type. When the processing unit is used as shown in FIGS. 6A and 5B, the so-called I10 device is not used like a general-purpose computer.
Connect from the external data bus and control line on the left side of Figure 5C. In the case of Figures 5A and 5B, these I10 devices will be temporarily connected to perform some processing before operating as a modem.

従来のシステム構成法では、第5C図のマイクルコード
ブロック、コントローラ・ブロック、データバスブロッ
ク、メモリ管理ブロック、およびシステムバスインタフ
ェースなどは、それぞれLSIデツプ、およびそれに付
随するメモリチップとMSIデツプなどから構成されて
いるものである。
In the conventional system configuration method, the microcode block, controller block, data bus block, memory management block, system bus interface, etc. in FIG. This is what is being done.

従って、従来方式では、第5C図に示すように、各ブロ
ック間の接続線が多くの交叉点を作る。しかし、これら
配線は、各モノリシック構造物の外側の配線によって行
うので問題はなかった。
Therefore, in the conventional system, the connecting lines between each block create many intersections, as shown in FIG. 5C. However, since these wirings were performed by wiring outside each monolithic structure, there was no problem.

本発明は、第5C図に示す全てのブロックをモノリシッ
クな構造によって実現する。この状況を、従来の集積回
路技術によって実現するには上記の交叉点のために極め
て困難になる。本発明においては、第6A図〜第6I図
に示すような方法によって第5C図の各ブロックの内部
構成においては勿簡、上記各ブロック間の配線に対して
も上記本発明方法を適用するものである。即ち、第6A
図〜@6■図に示す方法は、第1のウェハのエツチング
によって取り来られた部分を、その他の材料によって埋
め合わせすることによって形成するものであって、例え
は、第6C図に示す各ブロックは、同一の層において接
続を行うものではなく、各ブロックの接続線を異なる加
工層まで成長させ、その層においてブロック間の接続の
ため上記のようなエツチング処理を行うものである。も
し、この接続の際に、再び交夏が発生するような場合が
あれば、その配線だけ取り止めて、さらに層を重ね、配
線できなかった端子をこの層まで成長させて接続を行う
。この方法によれば、第5C図の各ブロックを同一の層
に形成する必要はなく、上記の如1!異なる加工層に形
成してもダシツク間の接続な行うことが可能である。第
6A図〜第6■図の方法によれば、従来の方法よりも歩
出りを向上できると考えられるが、従って、一層におり
る集積回路デバイスの数を増すことができる。さらに、
各プ四ツタを異なる層に分けて形成すれば、一層のデバ
イス数を減少させることが可能となり、より多くのデバ
イスをモノリシックな集積回路に収容することができる
The present invention implements all blocks shown in FIG. 5C in a monolithic structure. This situation becomes extremely difficult to realize with conventional integrated circuit technology due to the above-mentioned intersections. In the present invention, the method of the present invention is applied not only to the internal configuration of each block in FIG. 5C by the method shown in FIGS. 6A to 6I, but also to the wiring between the blocks. It is. That is, the 6th A
The method shown in Figures ~ @ 6■ is to fill in the portion removed by etching of the first wafer with another material. For example, each block shown in Figure 6C is In this method, the connections are not made in the same layer, but the connection lines of each block are grown to different processed layers, and the above-mentioned etching process is performed in that layer to connect the blocks. If overlapping occurs again during this connection, only that wiring is canceled, another layer is layered, and the terminals that could not be wired are grown up to this layer and then connected. According to this method, it is not necessary to form each block in FIG. 5C on the same layer, and as described in 1! It is possible to connect the dashes even if they are formed in different processing layers. The method of FIGS. 6A to 6-6 is believed to improve the yield rate over the conventional method, and therefore allows for a further increase in the number of integrated circuit devices. moreover,
By forming each quadruple in a different layer, the number of devices per layer can be reduced, allowing more devices to be accommodated in a monolithic integrated circuit.

第5C図の各ブロックの機能概要は、次のようである。The functional outline of each block in FIG. 5C is as follows.

データ・バス・ブロックは処理ユニットで必要なデータ
操作機能を備え、マイク四フードプ四ツクのメモリから
取り出された一連のマイクロ命令によって動作する。こ
の場合、取り出すべきメモリのアドレスは、フント胃−
ラブロックが指定する。データ・バス・ブロックの主な
サブ・システムとしては、レジスタ、アレイシフタ、算
術論理回路などがある。
The data bus block provides the data manipulation functions required by the processing unit and is operated by a series of microinstructions retrieved from the memory of the mic 4 hood. In this case, the address of the memory to be retrieved is
Lovelock specifies. The major subsystems of the data bus block include registers, array shifters, and arithmetic logic circuits.

コントローラ・ブロックは、マイクロコード・メモリの
アドレスを記憶するマイクロプログラムカウンタと、マ
イク賞プUグラムのループに関する制御を行うカウンタ
を含んでいる。また、マイクロプログラムカウンタや、
ループ制御カウンタの値を記憶するためのスタックも含
んでいる。
The controller block includes a microprogram counter that stores the address of the microcode memory and a counter that provides control over the loop of the microphone program. Also, micro program counter,
It also includes a stack for storing the value of the loop control counter.

メモリ管理ブロックは、データメモリのアドレスを指定
したり、データ・バス上のブロック間の通信の管理を行
う。また、データ・メモリにはいくつかの簡単なデータ
構造を形成することもできる。この場合、このブロック
はメモリをいくつかの領域に分割し、それぞれの領域に
おいて異なったデータ構造を実現することができる。そ
こではスタック、キュー、リンクリスト、アレイと云っ
た4つの基本的なデータ構造が実現できる。トランスバ
ーザル形の処理を行う場合はアレイをデータ構造として
もつメモリとしマイクロコードは管理ブロックにデータ
をアレイ上をシフトするか、アレイ上の要素の値を読取
るなどを指定することによって、管理ブロックはシフト
レジスタの各種操作を行うこととなる。
The memory management block specifies data memory addresses and manages communication between blocks on the data bus. Also, some simple data structures can be formed in the data memory. In this case, this block can divide the memory into several areas and implement different data structures in each area. Four basic data structures can be implemented: stacks, queues, linked lists, and arrays. When performing transversal processing, an array is used as a memory as a data structure, and the microcode uses the management block to shift data on the array or read the value of an element on the array. performs various operations on the shift register.

システム・バス・インタフェースは、図のシステムバス
を通して他の処理システムと通信を行う。
The system bus interface communicates with other processing systems through the illustrated system bus.

第5−A図の各ブシツクとBUSとの間の接続を表わし
ており、第5C図のシステム・バスはff15A図のB
USに、また、第5C図のシステム・バスイネーブルは
、第6A図のMPXの出力のうち、各処理ユニットに配
線されるものに相当させることができる。15A図のり
、E、F、G、および第5B図のり、E、F、G、H,
I、JなどのブロックのBUS側は、第5C図のシステ
ム・バス・インタフェースブロックのシステム−パス側
と同じ構造となる。以上のことは、第5B図についても
同様である。
The system bus in Figure 5C represents the connection between each bus in Figure 5-A and the BUS in Figure 5-A.
Also, the system bus enable in FIG. 5C can correspond to the outputs of the MPX in FIG. 6A that are wired to each processing unit. Figure 15A glue, E, F, G, and Figure 5B glue, E, F, G, H,
The BUS side of blocks such as I and J has the same structure as the system-path side of the system bus interface block in FIG. 5C. The above also applies to FIG. 5B.

クロックブロックは、システムで必要な動作クロック信
号を作るが、第5A図〜第5B図の動作クロック線のよ
うに各部からの駆動が可能であるとき、第5C図の外部
フラッグ端子は、i5A図における2、 4 、4.8
 、9.6KH,端子、および第5B図における2、4
,9.6KH,端子に接続されるものである。
The clock block generates the operating clock signal necessary for the system, but when it can be driven from each part as shown in the operating clock lines in Figs. 5A to 5B, the external flag terminal in Fig. 5C is connected to the external flag terminal in Fig. i5A. 2, 4, 4.8 in
, 9.6KH, terminal, and 2, 4 in Figure 5B.
, 9.6KH, is connected to the terminal.

次に、本発明の各処理ユニットにおけるブ四ツク間の接
続に適用される微細加工方法、およびエツチング方法に
ついて説明する。
Next, a microfabrication method and an etching method applied to connections between blocks in each processing unit of the present invention will be explained.

6微細加工による構造 集積回路を作る場合における工程には、膜状の林料をエ
ツチングすることが含まれる。エツチングを行うには、
レジスト画像を仰るためにマスクと呼ばれる原板が必要
である。マスクは写真乾板のような働きをするもので加
工目的物の10〜100倍の描き易い大きさに拡大して
描いた原図から写真を得る方法で、縮小して製作する。
6. The steps involved in making a structural integrated circuit by microfabrication include etching a film-like forest material. To perform etching,
An original plate called a mask is required to obtain a resist image. A mask works like a photographic plate, and is produced by reducing the size of the object to be processed by obtaining a photograph from an original drawing that has been enlarged to a size that is 10 to 100 times larger than the object to be processed.

この加工を行うには、先づ、ウェハの表面に均一な厚さ
にレジスト剤を塗布し、硬化させる処理を行ったあと、
マスクを通して光、電子線、あるいは一般に放射線の照
射を行う。レジスト剤は放射線の照射によって特定の化
学溶剤に対する溶堺度が変化する材料である。マスクに
は公知の電子ビーム描画法などによって特定の加工デバ
イスのパターンに対応した窯が画かれている。次に、放
射線、あるいは電子ビーム転写法などによってマスクの
窓を通り抜けた放射、あるいは電子線で照射されたレジ
スト剤の部分を変質させる。ポジ形の現像を行った場合
は、変質した部分だけが溶は去り、ウニへ上にレジスト
剤の膜パターンを作る。次に、ウェハを溶解、あるいは
除去するウェットな、あるいはドライなエツチング処理
によってレジスト剤の付着していないウェハの部分を取
り1去り目的とするデバイスの平面的な微細構造の一部
を形成する。
To perform this processing, first apply a resist agent to a uniform thickness on the surface of the wafer, harden it, and then
Irradiation of light, electron beams, or generally radiation through a mask. A resist agent is a material whose solubility with respect to a specific chemical solvent changes when irradiated with radiation. A kiln corresponding to a pattern of a specific processing device is drawn on the mask using a well-known electron beam writing method or the like. Next, the portions of the resist agent that have been irradiated with radiation or electron beams that have passed through the window of the mask are altered by radiation or electron beam transfer. When positive development is performed, only the altered parts are dissolved away, creating a film pattern of resist agent on the sea urchin. Next, by a wet or dry etching process that dissolves or removes the wafer, the portion of the wafer to which the resist agent is not attached is removed to form part of the planar fine structure of the intended device.

本発明では層をなす微細構造を可能とするもので、この
ために必要な条件は上述の如き第1のウェハのエツチン
グによって取り去られた部分をうめる形で第2のウェハ
を形成する処理が可能である必要がある。今、エツチン
グの完了した第1のウェハの上に別の材料を成長させて
上記の第2のウェハの林料を形成したとすると、この第
2の材料の面は第1のウェハの材料が取り去られた部分
にくにみが生ずる。このくほみ以外の第2ウエハの部分
の材料が取り去られるものである。このため次のような
処理を行う。第2の材料の上に再びレジスト剤を塗布し
、第1のウェハを加工するときに用いたマスクを通して
第2のウェハ上のレジスト剤を照射する現像工程を行う
。これはネガ形の現像となる。即ち、照射されず変質し
てない部分のレジスト剤が除去され、除去された部分の
材料をエツチングする。その後、レジスト剤は除去され
る。このとき第1のウェハに用いたマスクの逆のパター
ンを用いるとポジ形の現像工程となる。
The present invention enables layered microstructures, and the necessary conditions for this are the above-described process of forming a second wafer to fill in the portions removed by etching of the first wafer. It needs to be possible. Now, suppose that another material is grown on the etched first wafer to form the material for the second wafer, and the surface of this second material is different from the material of the first wafer. A tingling sensation appears in the removed area. The material on the second wafer other than this edge is removed. For this reason, the following processing is performed. A resist agent is again applied onto the second material, and a developing step is performed in which the resist agent on the second wafer is irradiated through the mask used when processing the first wafer. This results in negative development. That is, the resist agent in the portions that have not been irradiated and has not changed in quality is removed, and the material in the removed portions is etched. Thereafter, the resist agent is removed. At this time, if a reverse pattern of the mask used for the first wafer is used, a positive developing process is performed.

即ち、照射されて変質した部分のレジスト剤が除去され
、その部分の材料がエツチングされる。
That is, the resist agent in the portion that has been altered by irradiation is removed, and the material in that portion is etched.

第6A図は、上記の方法によって2つの異なる材料の立
体的な分布からなる構造を形成する例を示すもので、半
導体ウェハ100表面には微細加工技術などを用いてデ
バイス20が形成されてお ・す、その表面には通常、
保護膜30が形成されている。第6A図(へ)はこの様
子を示すものである。
FIG. 6A shows an example of forming a structure consisting of a three-dimensional distribution of two different materials by the above method, in which devices 20 are formed on the surface of a semiconductor wafer 100 using microfabrication technology or the like.・Usually, on its surface,
A protective film 30 is formed. FIG. 6A shows this situation.

保護膜30には、810Hなどの酸化膜が用いられるが
、樹脂等の絶縁を用いることができる。次に、第6A図
(13)で示されるように、保護膜30の所望の部分に
、上記の方法によって開口部40を形成する。しかる後
に、第6A図C)で示すように、その他の材料50を開
口部40を含む保護膜30の上面に形成する。次に、第
6A図υ)に示すように、この材料50を第6A図0)
で形成した開口部40のみ残してエツチング除去する。
Although an oxide film such as 810H is used for the protective film 30, an insulating film such as resin can also be used. Next, as shown in FIG. 6A (13), an opening 40 is formed in a desired portion of the protective film 30 by the method described above. Thereafter, another material 50 is formed on the top surface of the protective film 30 including the opening 40, as shown in FIG. 6A-C). Next, as shown in FIG. 6A υ), this material 50 is
The etching process is performed leaving only the opening 40 formed in .

このとき、材料50と共に保護膜30が同時にエツチン
グされないよう、保護膜30と材料50の組合せを考え
る必要がある。次に、第6A図(E)に示すように、再
び表面に保護膜31を形成する。以下、この保護膜31
に対して第6A図(A)〜(D)に用いたのと同じ工程
を繰り返し、第6A図(F)に示されるような構造を得
ることができる。
At this time, it is necessary to consider the combination of the protective film 30 and the material 50 so that the protective film 30 and the material 50 are not etched at the same time. Next, as shown in FIG. 6A (E), a protective film 31 is again formed on the surface. Below, this protective film 31
By repeating the same steps used in FIGS. 6A-6D, a structure as shown in FIG. 6A-F can be obtained.

第6A図に示す多層工程における各加工層は、それぞれ
厚さをもっている。このことによって、サイドエツチン
グが起る。第6A図においては、このサイドエツチング
とサイドにおける盛り上り現像を無視して画いである。
Each processed layer in the multilayer process shown in FIG. 6A has its own thickness. This causes side etching. In FIG. 6A, this side etching and raised development on the sides are ignored.

サイドエツチングが行われる場合は、レジストの縁辺か
ら加工層パターンの側面がエツチングされ、仕上り寸法
L はレジスト寸法L8 より小さくなる。第6B図(
A) 。
When side etching is performed, the side surface of the processed layer pattern is etched from the edge of the resist, and the finished dimension L is smaller than the resist dimension L8. Figure 6B (
A).

(B)はこの様子を示すもので、Oはレジスト、■は加
工層、■は基板である。(A)はエツチング前、(B)
はエツチング後の様子を示す。サイドエツチングの大き
さは変換差り、 −Lpによって表わされ、これは加工
層の膜の厚さに比例して大きくなる。従って、本発明の
工程の場合、材料の継ぎ目において隆起が生ずる可能性
があるが、この大きさはこのサイドエツチングの大きさ
によって左右される。マスクの寸法は、これらサイドエ
ツチングを利用して隆起をなくすための大きさな見込ん
で定めることとなる。第6B図(C) 、(D)。
(B) shows this situation, where O is the resist, ■ is the processed layer, and ■ is the substrate. (A) before etching, (B)
shows the appearance after etching. The magnitude of side etching is expressed by the conversion difference, -Lp, which increases in proportion to the thickness of the processed layer. Therefore, with the process of the present invention, bulges may occur at the seams of the material, the magnitude of which depends on the magnitude of this side etching. The dimensions of the mask are determined based on the size required to eliminate protrusions using these side etchings. Figure 6B (C), (D).

(E)は、第6A図(B)、(C)、(D)に示す工程
を上記のようなサイドエツチングと、それによって材料
の継ぎ目に生ずる隆起が調整された結果を示すものであ
る。従って、第OA図(F)に示す2なる構造の界面は
、実際には図のように滑らかではなくなる。このことか
ら、これらの立体的構成の寸法の精度は、サイドエツチ
ングの大きさによって定まることとなる。
(E) shows the results of the steps shown in FIGS. 6A, (B), (C), and (D) by performing side etching as described above, and thereby adjusting the protrusions that occur at the joints of the materials. Therefore, the interface between the two structures shown in FIG. OA (F) is actually not as smooth as shown. From this, the dimensional accuracy of these three-dimensional structures is determined by the size of the side etching.

上記の方法によれば、複数種類の材料の立体的な分布を
作ることができる。本発明では、これらの方法を複数の
平面を重ねる形式をとる多層システムを構成することを
可能とするものであって、第6A図は下層平面の電子回
路デバイスのシステA20に対して、第6A図(F)の
2なる構造によってさらに上面に積層して作られる電子
回路デバイシステムとの結合を行うことが可能である。
According to the above method, it is possible to create a three-dimensional distribution of multiple types of materials. In the present invention, these methods can be used to construct a multilayer system in which a plurality of planes are stacked, and FIG. The two structures shown in Figure (F) allow connection with an electronic circuit device system that is further laminated on the top surface.

第6A図(F)の2なる構造の材料は、先導性のものと
すれば、上下層システムの光による結合が可能であり、
導電性の材料ならば電気的結合が可能である。
If the material of the structure 2 in FIG. 6A (F) is conductive, it is possible to couple the upper and lower layer systems by light,
Electrical coupling is possible with conductive materials.

次に、デバイスの内部の構造については、p形およびn
形半導体の分布が必要である。このために第6A図の方
法をそのまま用いることはできないが、これらの方法を
用いられる材料に応じて変形することによって、pn接
合の立体的な分布を作ることができる。先づ、単結晶シ
リコンなど単結晶半導体を用いる場合においては、導体
基板上に単結晶半導体を気相成長させ、更にその上に酸
化膜の気相成長を行う。その上にレジスト膜を塗布し、
n形半導体とする部分に粒子線照射を行い、照射されな
い酸化膜をエツチングしn形の不純物の熱拡散を行う。
Next, regarding the internal structure of the device, p-type and n-type
distribution of shaped semiconductors is required. For this reason, the method shown in FIG. 6A cannot be used as is, but by modifying these methods depending on the material used, a three-dimensional distribution of pn junctions can be created. First, when using a single-crystal semiconductor such as single-crystal silicon, the single-crystal semiconductor is grown in vapor phase on a conductor substrate, and then an oxide film is grown in vapor phase thereon. Apply a resist film on top of it,
Particle beam irradiation is performed on the portion to be made into an n-type semiconductor, the oxide film that is not irradiated is etched, and n-type impurities are thermally diffused.

歿った酸化膜を溶解して再び全面に酸化膜の気相成長を
行い、p影領域とする部分に同様の処理を行ってpV拡
散を行う。この方法は、後述のように上記導体基盤をエ
ツチングによって除去する必要から立体化の上で融通性
に欠ける点がある。構成法に融通性をもたせるには、基
板が絶縁物となる場合がある。この場合、上記のような
方法でpn接介を作ろうとすると、半導体部分は多結晶
となり、不純嘘を拡散させることができない。単結晶を
用いずに不純物を混入し、所要のph接合の立体的分布
を作るには、単結晶半導体ではなく、アモルファス半導
体を用いる。これは直流のグ四−放電分解により形成さ
れるもので、n形不純物としてPHa、、形不純物とし
てB、H,などが用いられ、これらをドーピングするに
は単結晶シリコンの場合と同様、SH,にPHs、ある
いはB。
The lost oxide film is dissolved and an oxide film is again grown in a vapor phase over the entire surface, and a similar process is performed on the portion to be the p shadow region to perform pV diffusion. This method lacks flexibility in terms of three-dimensional construction because the conductive base must be removed by etching, as will be described later. To provide flexibility in construction methods, the substrate may be an insulator. In this case, if an attempt is made to create a pn junction using the method described above, the semiconductor portion will become polycrystalline and impurities cannot be diffused. In order to create the required three-dimensional distribution of pH junctions by mixing impurities without using a single crystal, an amorphous semiconductor is used instead of a single crystal semiconductor. This is formed by DC discharge decomposition, and PHa is used as an n-type impurity, and B, H, etc. are used as type impurities. , PHs, or B.

Hlを混合することにより行う。This is done by mixing H1.

第6C,eD図は、第6A図の方法をアモルファスシリ
コンなどの半導体を材料としMOSデバイスを構成する
場合に適用するものである。第6C図において、(A)
は10なる絶縁物基板上に上記のグロー放電によって2
0なるp形の不純物を含も半導体を形成する工程の結果
を示す。次に(B)は(A)の20をエツチングするこ
とにょつて得られるものである。これはレジスト像によ
るドライエツチング法などによるものでエツチングガス
としてCF4. CF、+0.、 CF、+N、などを
利用する。(C)においては(B)の全面に酸化物の気
相成長を行い、11なる絶縁膜を形成する。(D)では
、11の20の上の部分をエツチングする。この場合、
絶縁膜がS、O,である場合、エツチングガスとしてH
F“ガスを用いるなど、半導体をエツチングする場合に
用いるものとは異なるものが用いられる。(E)では(
D)の#lj造の全面に酸化膜などの気相成長を行い、
(F)において20なるp形半導体の上に窓をあけ、(
G)のように21なる同じp形半導体を上記の方法で成
長エツチングし、(H)なる構成とする。ここで、(1
−[)において、MOSデバイスのn形半導体を形成す
べく12なる絶縁物の20なるp形半導体の上の部分を
エツチングする。このとき用いたレジスト膜をそのまま
とし、(J)のように30なるn形半導体をpff牛導
体の方法と同種の方法によって成長させ、エツチングレ
ジスト膜を除去することによって、(K)の構成とする
。第6C図(b)(L)〜(0)まての処理は、40な
る絶縁膜と50なる導体材料によってMOSデバイスと
その電極を作る工程を示すものである。第6C図C〕け
、上記の工程で構成されたMOSデバイスで、@、θ、
■は同図(0)にも示すようにその電極である。9)の
■、@は例えば第°6A図(F)の2で示される導体で
あって、より下層の電子回路デバイスに接続される。(
P)の■とのを作る工程については、第00図(A)〜
(0)には含まれていない。上記電極工程を含めれば(
A)〜(0)のほかに4つの工程が増加する。
6C and 6D show that the method of FIG. 6A is applied to the case where a MOS device is constructed using a semiconductor such as amorphous silicon. In Figure 6C, (A)
is 2 on the insulating substrate 10 by the above glow discharge.
The results of the process of forming a semiconductor containing p-type impurity 0 are shown. Next, (B) is obtained by etching 20 of (A). This is done using a dry etching method using a resist image, using CF4. CF, +0. , CF, +N, etc. In (C), an oxide is vapor-phase grown on the entire surface of (B) to form an insulating film 11. In (D), the part above 20 of 11 is etched. in this case,
When the insulating film is S, O, etc., H is used as the etching gas.
In (E), a method different from that used for etching semiconductors is used, such as using a "F" gas.
D) Vapor phase growth of an oxide film etc. is performed on the entire surface of the #lj structure,
In (F), a window is opened above the p-type semiconductor of 20, and (
The same p-type semiconductor 21 as shown in G) is grown and etched by the above method to form a structure shown in (H). Here, (1
- In [), the portion of the insulator 12 above the p-type semiconductor 20 is etched to form the n-type semiconductor of the MOS device. The resist film used at this time was left as it was, an n-type semiconductor of 30 was grown as shown in (J) by a method similar to that of the PFF conductor, and the structure of (K) was obtained by removing the etching resist film. do. The process shown in FIG. 6C (b) (L) to (0) shows the process of making a MOS device and its electrodes using an insulating film 40 and a conductive material 50. [Fig. 6C] In the MOS device constructed by the above steps, @, θ,
2 is the electrode as shown in (0) of the same figure. 9) ■ and @ are conductors shown by 2 in FIG. 6A (F), for example, and are connected to lower-layer electronic circuit devices. (
For the process of making ■ and P), see Figure 00 (A) ~
Not included in (0). If the above electrode process is included (
There are four additional steps in addition to A) to (0).

本発明では、上述のように第1のウェハのエツチングに
よって取り去られた部分を、第2のウェハでうめるよう
に加工を行うものであって、p形、およびn形半導体の
空間的な分布を層によって制御するものである。第6A
図(F)の10.20のように、従来の微細加工技術に
よって作られたデバイスに適用すれば複数の層からなる
集積回路を相互に接続することが可能である。この場合
、・最下層以外の層は第6C図CP)に示すようなデバ
イスからなるシステムによる集積回路となる。
In the present invention, as described above, processing is performed so that the portion removed by etching of the first wafer is filled with a second wafer, and the spatial distribution of p-type and n-type semiconductors is is controlled by layers. 6th A
As shown in 10.20 of Figure (F), when applied to devices made by conventional microfabrication techniques, it is possible to interconnect integrated circuits made up of multiple layers. In this case, layers other than the bottom layer become an integrated circuit including a system of devices as shown in FIG. 6C (CP).

第6C図(P)に示すデバイスによって集積回路を作る
には、次のような方法を例としてあげることができる。
An example of the method for making an integrated circuit using the device shown in FIG. 6C (P) is as follows.

即ち、同図(P)を上部から見た構成は、同図(Q)上
段のようになる(Q)の■。
That is, the configuration of the figure (P) viewed from the top is as shown in the upper row of the figure (Q) (■).

@、θ、■、@は、(P)の同じ記号が示す構成に対応
し、さらに(Q)のθ、■、■、■はCP)と同時に作
られたデバイスの電極である。このデバイスは、例えば
ダイオードであるとすると、このダイオードのpn接合
部分の構造祉、第6C図の(F)〜(0)までの各工程
と同時に作られるものであり、この構造より下の層の部
分は、第6C図の(A)〜(E)なる工程に並行して行
われるが、この工程における半導体部分20以外の部分
と同様に絶縁物の成長によって構成される。
@, θ, ■, @ correspond to the configuration indicated by the same symbol in (P), and θ, ■, ■, ■ in (Q) are electrodes of a device made at the same time as CP). If this device is a diode, for example, the structure of the pn junction part of this diode is manufactured simultaneously with each step from (F) to (0) in Figure 6C, and the layers below this structure are This portion is performed in parallel with the steps (A) to (E) in FIG. 6C, and is formed by growing an insulator similarly to the portions other than the semiconductor portion 20 in this step.

また、MO3彰素子を用いる電子回路図において、抵抗
に相当する素子は、第6C図CP)と同じ要素からなっ
ており、第6C図の各工程において構成され、その端子
は(Q)ののtoeθIO9■と同じ構成となる。これ
らのデバイス間の接続は、第6C図(Q)に示す端子間
を導体によって接続することによって行うもので、(Q
)に示すような接続面に保1111膜と端子導体の一層
だけの成長を行い、その上面に金属導体の蒸着を行い、
(Q)に示す端子を接続する配線パターンを室とするマ
スクによってエツチングを行う。交叉配線が生ずる場合
には、その端子と保護膜の成長をもう一層構成して、同
様の処理によって配線を行う。
In addition, in the electronic circuit diagram using the MO3A element, the element corresponding to the resistor is composed of the same elements as in Fig. 6C (CP), and is constructed in each step of Fig. 6C, and its terminal is as shown in (Q). It has the same configuration as toeθIO9■. Connections between these devices are made by connecting the terminals shown in Figure 6C (Q) with conductors.
), a single layer of the 1111 film and the terminal conductor is grown on the connection surface, and a metal conductor is deposited on the top surface.
Etching is performed using a mask whose chamber is the wiring pattern connecting the terminals shown in (Q). If cross-wiring occurs, the terminals and the protective film are grown in another layer, and the wiring is performed in the same manner.

本発明によれば、デバイス間の接続を接続面をなす層を
設けて行う。接続線が交叉するような事態が起これば、
さらに接続面をなす層を作ればよいので、従来の集積回
路の場合のようにいわゆるトポマジカルな問題は起って
来ない。しかし、工程をできるかぎり少くするには、デ
バイス間の接続は一層の内部で行われるようにする必要
がある。
According to the present invention, connections between devices are made by providing a layer that serves as a connection surface. If a situation occurs where the connecting lines cross,
Furthermore, since it is only necessary to create a layer that forms a connection surface, the so-called topomagic problem that occurs in conventional integrated circuits does not occur. However, in order to reduce the number of steps as much as possible, connections between devices need to be made internally.

工程を少くするもう一つの配慮は、それぞれの層に含ま
れるデバイスの数を多くシ、シかも用いられる材料を少
くする必要がある。特に、第6C図の40なる層、即ち
、MO8構造における絶縁層のように層の厚さを小さく
する必要がある場合には、その他のデバイスについても
層を合わせる必要がある。MaD図は、このような工程
の例な示すもので、図の1,2.・・・0は層の番号で
あり、の、[相]、θはそれぞれバイポーラトランジス
タとそれを用いる回路で抵抗の役割をもつデバイス。
Another step reduction consideration is the need to increase the number of devices included in each layer, which in turn requires less material to be used. In particular, when it is necessary to reduce the thickness of a layer such as layer 40 in FIG. 6C, ie, the insulating layer in the MO8 structure, it is necessary to match the layers for other devices as well. The MaD diagram shows an example of such a process, and 1, 2. ...0 is the layer number, and , [phase], and θ are a bipolar transistor and a device that plays the role of a resistor in a circuit using it, respectively.

ダイオード、およびアナログ回路における巣算を行うM
OSデバイスである。3層は、MOSデバイスθでは、
ベースとなる絶縁層であり、■ではバイボー5F4#造
におけるベースとなるP形半導体の部分になる。Oなる
ダイオードはθ、■のように特に厚さの小さい層な必要
としないが、他のデバイスと工程を合わせるために、p
形半導体の層の工程を入れている。1なる層は相縁物と
p形半導体、2は導体、p形半導体、n形半導体、およ
び絶縁物からなり、その他の層は2層よりは材料の数は
少い。従って、第6E図の工程は、第6D図の(P)の
場合と同じになる。以上のような考え方によって、NA
ND回路をベースにした論理回路を作るに必要な基本的
なデバイスの構成法は、第6F、6G図のようになる。
M that performs calculations in diodes and analog circuits
It is an OS device. The three layers are, in the MOS device θ,
It is an insulating layer that becomes the base, and in ① it becomes a P-type semiconductor part that becomes the base of the Bibo 5F4# structure. The diode O does not require a particularly thin layer like θ, ■, but in order to match the process with other devices, the p
The process of forming a semiconductor layer is included. The layer 1 consists of a phase analog and a p-type semiconductor, the layer 2 consists of a conductor, a p-type semiconductor, an n-type semiconductor, and an insulator, and the other layers have fewer materials than the two layers. Therefore, the process shown in FIG. 6E is the same as that shown in FIG. 6D (P). With the above thinking, NA
The basic device construction method required to create a logic circuit based on an ND circuit is shown in FIGS. 6F and 6G.

(A)、(B)。(A), (B).

(C)は、それぞれインバータ、NAND、およびNO
R回路であり、それぞれの図において■。
(C) are inverter, NAND, and NO
It is an R circuit, and is marked ■ in each figure.

O,Oはそれぞれ回路図、多層構成の平面図、および同
じ多層構成の側面図を示す。側面図の右側の数字は層の
番号であり、これらのデバイスは同一工程において構成
され、その上面に接続面を構成し配線のためのエツチン
グ工程によって配線される。接続面は交叉が生ずる場合
は、2層以上になる。また、フリップ・フリップなどの
記憶回路についても同様にして構成され、第6C図(D
)のようになる。ここでQ、〜Q6は第6D図CP)の
ようなMOSデバイスであり、■、[相]、Oはそれぞ
れ回路図、平面図、側面図である。この回路の場合、第
01図(A)〜(C)と層を合わせるために、交叉配線
をう回させる構成とした。
O, O respectively show a circuit diagram, a top view of a multilayer arrangement, and a side view of the same multilayer arrangement. The numbers on the right side of the side view are layer numbers, and these devices are constructed in the same process, with a connection surface formed on the top surface and wired by an etching process for wiring. If crossover occurs, the connecting surface will have two or more layers. Furthermore, memory circuits such as flip-flip are configured in the same manner, and are shown in FIG. 6C (D
)become that way. Here, Q, to Q6 are MOS devices as shown in FIG. 6D (CP), and ■, [phase], and O are a circuit diagram, a plan view, and a side view, respectively. In the case of this circuit, in order to match the layers with those shown in FIGS. 01 (A) to (C), a configuration was adopted in which the crossover wiring was routed around.

バイポーラトランジスタについても、同様の論理回路用
基本回路を考えることができる。これは、第6E図(イ
)なるデバイスを素子として用いるもので、同図左側に
示す層番号のうち、5層を用いて配線を行うもので、も
し、第OE図Oなる乗算デバイスを用いなければ、MO
Sデバイスより少い4層で基本回路を作ることができる
。第6H961図は、第6F、6G図のMOS形のNA
ND基本回路に対応したバイポーラトランジスタによる
NAND基本回路である。
A similar basic circuit for logic circuits can be considered for bipolar transistors as well. This uses the device shown in Figure 6E (a) as an element, and performs wiring using five layers among the layer numbers shown on the left side of the figure. If not, M.O.
A basic circuit can be created with four layers, which is fewer than the S device. Figure 6H961 shows the NA of the MOS type in Figures 6F and 6G.
This is a basic NAND circuit using bipolar transistors compatible with the basic ND circuit.

以下第6H,6層図に関する説明は、第6F、6G図に
関する説明において、MOSデバイスをバイポーラデバ
イスと読み替えたものとなる。
In the following explanation regarding the 6th layer diagrams 6H and 6th layer diagram, the MOS device in the explanation regarding the 6F and 6G diagrams is replaced with a bipolar device.

効果 以上説明したように、本発明によれば、変復調ユニット
内の融通性のある配線配置が可能となり、変復調方式(
おける部分的機能を効率的に接続するので、比較的小さ
い占有空間てユニットを実現でき、また各機能の最適化
が簡単となって、高能率伝送が可能となる。
Effects As explained above, according to the present invention, flexible wiring arrangement within the modulation/demodulation unit is possible, and the modulation/demodulation method (
By efficiently connecting partial functions in the system, a unit can be realized with a relatively small space, and each function can be easily optimized, allowing high-efficiency transmission.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1A図は本発明の実施例を示す変復調ユニットに用い
る演算回路のブロック図、第1B図、第1C図は第1A
図のシフトレジスタA、、B、の部分の詳細図、第2A
図、第2B図は(2,11)式を処理する回路のブロッ
ク図、第2C図は自動等化処理回路のブロック図、第2
D図はトランスバーサル・フィルタの調整処理回路のブ
ロック図、第2E図は(2,1e) 、 (2,19)
式の処理回路のブロック図、第2F図は直列形自動等化
器の出力エラーの予測値をめる回路の図、第2G図はシ
フトレジスタのブリックNの回路図、第3A図は低域通
過フィルタを用いる回路の図、第3B図はディジタル・
フィルタの処理回路の図、第3C図は多重ラグ・フィル
タ回路の構成図、第3D図は第2G図のプ四ツクNのか
わりの回路の構成図、第3E図はマスタ・クロック発振
回路のブロック図、第3F図は(5,9)、 (3,1
o)式を処理する回路の図、第3G図はタイミング調整
処理回路の図、第3H図は(3゜14)式の計算処理回
路の図、第4A図は復調側のスタート・シーケンスの状
態転移図、M4B図は復調部の制御回路のブロック図、
第4C図は変調側のスタート・シーケンスの状態転移図
、第4 D図は第4C図の制御を行う処理回路のブロッ
ク図、第4E図は受信変調波AGC回路のブロック図、
第4F図は、処理回路と周辺回路の全体系統図、第4G
図は送受信間のリターン・ロスを保つ回路の信号処理図
、第+H図は(4,8) 、 (4,9)式の処理フロ
ー図、2641図はクロック供給回路のブロック図、第
5A図は第4F図の変調部(’MOD)の内部構成図、
第5B図は第4F図の復調部(DEM)の内部構成図、
第5C図は第5A図と第5B図のA、B、C,C□〜C
8の各処理ユニットの内部構成図、mQA図は異なる材
料の立体的分布からなる構造の断面図、第6B図はエツ
チング前後の多層工程図、第6C図、第6D図は第6A
図において、アモルファス・シリコン等の半導体を材料
としてMOSデバイスを構成する場合の図、第6E図は
O抵抗トランジスタ、@ダイオード、θ乗算デバイスの
交叉配線の断面411遣図、第6F図第6G図は(A)
インバータ、(B)NAND。 (C)NOR,(D)記憶デバイスについての多層構成
の平面、側面図、第60図、第6I図は(A)インバー
タ、(B)NAND、(C)NOR,(D)記憶デバイ
スについてのバイポーラ・トランジスタによる回路構成
図である。 10:半導体ウェハ、20:デバイス、30=保護膜、
40=開口部。 1 l I 1 区 。 1+l’1 m 、、+ + 1 、’ + ++ 第 2 G 図 OhO 第 3 A 図 X’(kT、、) Y’(kT2) 第 3 B 図 (a) 第 3 D 図 1 2 − −− −、 I。 第 3 E 図 第 4 E 図 QE−1ρト 匡 匡 ■ ■ 第 4 G 図 (a) 第 4 H図 (a) 図面の1710(内容1こ変更なし) 第 41 図 第 6 A 図 30 第 6 B 図 第 6 C図 第6D図 0 し−−−−j 第 6 第 6 H図 第 6 I 図 [F] 手続補正書(方式) 16事件の表示 昭和 58年 特 許願第166000号2・発明の名
称 変復調ユニノ1〜 3 補正をする者 事件との関係 特nr出願人 4、代理人
FIG. 1A is a block diagram of an arithmetic circuit used in a modulation/demodulation unit showing an embodiment of the present invention, and FIGS.
Detailed view of the shift registers A, B, part 2A of the figure.
Figure 2B is a block diagram of the circuit that processes equation (2, 11), Figure 2C is a block diagram of the automatic equalization processing circuit, and Figure 2C is a block diagram of the automatic equalization processing circuit.
Figure D is a block diagram of the transversal filter adjustment processing circuit, and Figure 2E is (2, 1e), (2, 19).
Figure 2F is a block diagram of the equation processing circuit, Figure 2F is a diagram of the circuit that calculates the predicted value of the output error of the serial automatic equalizer, Figure 2G is the circuit diagram of brick N of the shift register, and Figure 3A is the low frequency A circuit diagram using a pass filter, Figure 3B, is a digital
Figure 3C is a diagram of the filter processing circuit, Figure 3C is a configuration diagram of a multi-lag filter circuit, Figure 3D is a diagram of a circuit that replaces the circuit N in Figure 2G, and Figure 3E is a diagram of the master clock oscillation circuit. The block diagram and Figure 3F are (5, 9), (3, 1
o) A diagram of the circuit that processes the equation, Figure 3G is a diagram of the timing adjustment processing circuit, Figure 3H is a diagram of the calculation processing circuit of the equation (3°14), and Figure 4A is the state of the start sequence on the demodulation side. The transition diagram and M4B diagram are block diagrams of the control circuit of the demodulator,
FIG. 4C is a state transition diagram of the start sequence on the modulation side, FIG. 4D is a block diagram of a processing circuit that performs the control in FIG. 4C, and FIG. 4E is a block diagram of a received modulated wave AGC circuit.
Figure 4F is an overall system diagram of the processing circuit and peripheral circuits, and Figure 4G
The figure is a signal processing diagram of a circuit that maintains return loss between transmission and reception, Figure +H is a processing flow diagram of equations (4, 8) and (4, 9), Figure 2641 is a block diagram of a clock supply circuit, and Figure 5A is the internal configuration diagram of the modulation unit ('MOD) in Figure 4F,
Figure 5B is an internal configuration diagram of the demodulator (DEM) in Figure 4F;
Figure 5C is A, B, C, C□~C of Figure 5A and Figure 5B.
8, the mQA diagram is a cross-sectional view of a structure consisting of three-dimensional distribution of different materials, Figure 6B is a diagram of the multilayer process before and after etching, and Figures 6C and 6D are diagrams of 6A.
In the figure, a MOS device is constructed using a semiconductor such as amorphous silicon, FIG. 6E is a cross-sectional diagram of an O resistance transistor, an @ diode, and a θ multiplication device. is (A)
Inverter, (B) NAND. (C) NOR, (D) Multilayer structure plan and side view for storage device, Figures 60 and 6I are for (A) inverter, (B) NAND, (C) NOR, (D) storage device. FIG. 2 is a circuit configuration diagram using bipolar transistors. 10: semiconductor wafer, 20: device, 30 = protective film,
40 = opening. 1 l I 1 ward. 1+l'1 m,, + + 1,' + ++ 2nd G Figure OhO 3rd A Figure X'(kT,,) Y'(kT2) 3rd B Figure (a) 3rd D Figure 1 2 - --- -, I. Figure 3E Figure 4E Figure QE-1ρTo匡匡 ■ ■ Figure 4G (a) Figure 4H (a) 1710 of the drawing (content 1 unchanged) Figure 41 Figure 6 A Figure 30 Figure 6 Figure B Figure 6 Figure C Figure 6D Figure 6 Name Modulation/Demodulation Unino 1-3 Relationship with the person making the amendment Patent No. R applicant 4, agent

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)機能別に割当てられた複数の処理ユニットと、該
処理ユニット間の通信を行う共通メモリとを具備し、か
つ上記各処理ユニット内の各ブロック間を、微細加工お
よびエツチングで複数の層を構成することにより接続す
ることを特徴とする変復調ユニット。
(1) Equipped with a plurality of processing units assigned to each function and a common memory for communication between the processing units, and a plurality of layers formed between each block in each processing unit by microfabrication and etching. A modulation/demodulation unit characterized in that it is connected by configuring.
(2)前記処理ユニットは、数理的にめられたサンプル
値動作式を演算処理することにより、変復調動作を行う
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の変復調ユ
ニット。
(2) The modulation/demodulation unit according to claim 1, wherein the processing unit performs the modulation/demodulation operation by processing a mathematically determined sample value operation equation.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS61230939A (en) * 1985-04-08 1986-10-15 Tokyo Electric Co Ltd Printing apparatus
JPS61233548A (en) * 1985-04-09 1986-10-17 Tokyo Electric Co Ltd Printing apparatus

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