JPS6057269B2 - 表示装置 - Google Patents

表示装置

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JPS6057269B2
JPS6057269B2 JP1511276A JP1511276A JPS6057269B2 JP S6057269 B2 JPS6057269 B2 JP S6057269B2 JP 1511276 A JP1511276 A JP 1511276A JP 1511276 A JP1511276 A JP 1511276A JP S6057269 B2 JPS6057269 B2 JP S6057269B2
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JP
Japan
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signal
circuit
display device
memory
scanning
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JP1511276A
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浩一郎 倉橋
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Publication date
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は陰極線管(以下CRTと称す)を用いた表示
装置に関するものである。
通常のCRT表示装置においては、表示される画像の輝
度を上げるために、CRTのビーム電流を増加すると、
ビームの収束状態が劣化し、シャープな輝点が得られな
くなると共に、輝度が飽和する。
これはブルーミングとして知られているが、この現象が
CRT表示装置の輝度上限を決める大きい原因となつて
いた。この発明は、このような難点を克服するためにな
されたもので、電子ビームを画像信号の振幅で変調する
と共に、電子ビームの走査速度、すなわち電子ビームの
各輝点における滞在時間を制御して画像を表示すること
により、輝度の高い表示を可能ならしめる表示装置を提
供するものである。
はじめに、この発明の基本的な概念を第1図により説明
する。第1図において、表示画面は電子ビームにより形
成された輝点13が螢光面11をラスタ走査して形成さ
れるものである。このラスタの第m番目の走査線に注目
し、この走査線上の第n番目の絵素における輝点13の
走査速度をVnとすると、走査周期を一定とすれば、そ
の絵素の時間平均輝度はVnに比例する。したがつて、
Vnをその絵素に表示すべき画像信号f(Xn)の振幅
で変調することにより、画像を表示することができる。
このような走査速度を信号により変調するものは、後述
するように、走査速度を一定とする従来のものにくらべ
て表示される画像の最大輝度を大きくできるという特徴
をもたせることができる。しかし、走査回路の性能上、
走査速度には上限があるので走査速度のみによる輝度変
調では表示し得る画像のコントラスト比に制限がある。
この発明は適切な非線形特性をもたせた走査速度変調と
、ビーム電流による変調とを併用することにより、従来
方式にくらべて最大輝度を大きくなし得ると共に、コン
トラスト比の大きい画像を表示し得るものである。以下
この発明の実施例を図により詳細に説明する。
この発明の一実施例による表示装置を第2図に示し説明
する。
第2図において、1はCRTで、その螢光面11上に電
子銃15からの電子ビーム12が偏向ヨーク14により
偏向を受けて輝点13を生するものである。20は同期
信号発生回路で、垂直走査回路21へ垂直周期信号22
の信号線を介して接続され、さらに水平走査回路40へ
水平周期信号23の信号線を介して接続されており、垂
直走査回路21及び水平走査回路40のそれぞれの出力
はCRTlに設けられた偏向ヨーク14に接続され電子
ビーム12を制御するものである。
30は入力端子で、画像信号eが入力する−ものである
31A〜31Dは電子スイッチで、同期信号発生回路2
0と切換信号24の信号線を介して接続されており、同
期信号発生回路20の出力によりスイッチ動作制御され
るものである。
32A,32Bはそれぞれアナログ遅延メモリ.で、そ
れぞれの入力は電子スイッチ31Aを介して入力端子に
、それぞれの出力は電子スイッチ31B及びγ回路50
A並びに50Bを介して電圧制御発振器33(以下VC
Oとする)並びにCRTlのカソードグリッド間に接続
されたものであjる。
VCO33は入力端子30に入力された画像信号の振幅
に応じて発振制御されたもので、その出力である可変ク
ロック34は水平走査回路40及び電子スイッチ31C
,31Dを介してそれぞれのアナログ遅延メモリ32A
,32Bを制御す4るものである。25はクロック発生
回路で、電子スイッチ31C,31Dを介してアナログ
遅延メモリ32A,32Bを制御するものである。
次に、第2図に示した表示装置の動作について説明する
。CRTlの電子ビーム12は、後述するγ回路50A
の出力により、ブルーミングを起さない範囲で最大の振
幅が得られるように制御されている。この電子ビーム1
2は、垂直走査回路21及び水平走査回路40で駆動さ
れる偏向ヨーク14により偏向され、螢光面11を走査
する。ここで垂直走査回路21は従来のラスタ走査の場
合と同形式のもので、同期信号発生回路20が発生する
垂直同期信号22を垂直走査回路21にj入力し、垂直
走査回路21はこれによソー定周期ののこぎり波電流を
発生し、電子ビームを垂直方向に一定速度で走査する。
水平走査回路40は、後述する方法により走査速度を画
像信号により変調された水平走査波形を発生する。この
結果螢光・面11上にラスタが形成される。この走査の
模様は先に第1図に示した通りである。第2図において
、画像信号eは入力端子30に印加される。この画像信
号eとして、通常の走査形式により発生したものを考え
る。すなわち走査線上の位置をX,tを時刻としてx=
αtである。また、画像信号eの大きさをe(t)=f
(x)とする。画像信号f(x)の性質としてf(x)
〉0である。電子スイッチ31A,31B,31Cおよ
び31Dは同期信号発生回路20が発生する切換信号2
4により、水平走査周期毎に切換えられる。また、アナ
ログ遅延メモリ32Aおよび32Bはそれぞれ走査線上
の絵素数にひとしい容量をもつもので、その絵素当りの
遅延時間は、それに印加されるクロック信号発生回路2
5からのクロック信号により制御される。このような遅
延メモリとしてたとえばCCD(チャージ・カツプルド
・デバイス)やBBD(パケット・ブリゲード・デバイ
ス)などが利用できる。今、電子スイッチ31A〜31
Dが図示の位置にある水平周期を考えると、画像信号e
はクロック発生回路25が発生する周期一定のクロック
信号26により制御される遅延メモリ32Aに順次読込
まれ、次の水平周期まで保持される。一方、遅延メモリ
32Bには一つ前の水平周期の画像信号が保持されてお
り、これが、可変クロック34により制御されて読出さ
れる。この読出信号をe″とする。
遅延メモリ32を理想化すると第n番目の信号について
e″n=En=f(Xn),(n=1,2・・・・・・
N)であるから以下ではe″を画像信号として扱う。読
出信号e″は第1のγ回路50Aを経てCRTlに印加
され、そのビーム電流を制御すると共に、第2のγ回路
50Bを経て電圧制御発振器(以下VCOとする)33
に印加され、絵素の滞在.時間、すなわち走査速度(の
逆数)を制御する。
第1および第2のγ回路50Aおよび50Bの出力をe
1=h1(e″)およびE2=H2(e″)とする。V
CO33は、その発振周波数が読出信号E2に反比例す
るように構成されている。すなわち、VCO33の出力
である可変クロック34の第nパルスから第(n+1)
パルスまでの時間間隔をτnとするとき、なるように構
成されている。
このようなVCO33自身は通常の回路技術により構成
し得るのでその内容はのべない。上記の遅延メモリ32
Bはこの可変クロック34により制御されているので、
画像信号eはこの可変クロック毎に読出される。すなわ
ち、第n番目の絵素の信号f(Xn)は第一n番目のク
ロックにより読出され、τn間保持される。一方、水平
走査回路40は、計数回路40AとDA変換回路40B
とで構成されており、計数回路40Aは上記の可変クロ
ック34を計数するように接続されている。
また、この計数回路40Aは同期信号発生回路20が発
生する水平同期信号23毎にリセットされる。したがつ
て、第n番目の可変クロックの発生時刻をTnとすると
、Tnにおいてこの計数回路40Aの計数値はnであり
、DA変換回路40Bの出力電流はnに比例する。した
がつて、DA変換回路40Bて駆動される偏向ヨーク1
4により偏向せしめられる輝点13のx座標はnに比例
する。すなわちXnに比例する。かつこの輝点13は、
次に可変クロック34が発生するまでその位置に滞在す
る。この滞在時間τnは(1)式によりE2に比例して
おり、信号f(Xn)の関数となつている。ところで前
記のγ回路50Aの出力で制御される電子ビームによつ
て得られる輝点の瞬時輝度は、αをCRTlのγ値とし
てb(El,n)=Efx,nであり、かつ一定周期で
走査される輝点の時間平均輝度は、その輝点位置におけ
る輝点滞在時間にも比例する。したがつて、上記のXn
における輝点の平均輝度はKを比例定数として、となる
したがつてHl,Fl2を適切に選ぶと共に、nを順次
進めることにより考えている走査線上の画像が表示でき
たことになる。
次に2つのγ回路50Aおよび50Bの特性の決定方法
を説明する。
今、第2のγ回路50Bの出力E2の最大値、最小値お
よび平均値をそれぞれA,b,およびcとする。
走査速度の最大値は、走査線の長さをL1走査線上の絵
素数をNとしてである。
ところが、水平走査回路40の構成上、周知のように走
査速度には上限があつて、たとえば帰線期間における帰
線走査速度を越えることはできない。こ)では実現可能
な走査速度の最大値をL/μThとする。こ)でThは
通常の走査速度一定なる場合の水平走査時間で、μは走
査速度の最下値を与えるパラメータである。通常の回路
技術ではμ=0.15〜0.3位が実現可能な値である
。したがつて、でなければならない 一方、一つの走査線を走査するに要する時間Tはで与え
らiるが、”このTは前述のnより短くなければならな
い。
すなわち、あるいh平均走査速度vを考えて したがつて(3)式と(5)式とから すなわち、 μから変調可能な信号の最小値がきまる。
もし、γ回路50Bがなければ入力画像信号eの最小値
が(6)式できまることになるので、表示のコントラス
ト比a/bが大きくとれない。γ回路50Bはこれを防
ぐためのもので、入力画像信号eの小信号部分に対して
圧縮特性(黒圧縮)をもたせ、入力画像信号eの小さい
ときにもE2が(6)式を満たすようにすることができ
る。また、入力画像信号eが大きいときに、CRTlの
ビーム電流をブルーミングを起さない範囲に押えるため
に、γ回路50Aには大信号部分に対して圧縮特性をも
たせ、一方、第2のγ回路50Bに伸長特性をもたせる
ようにする。
すなわち、先にのべたように、第2図におけるCRTl
の輝点13の輝度はyl l (11Xνノノu八
(■2(Cノノで与えられるようになるが、これが、e
を入力とする通常の場合の輝度に等しくなるようにしつ
つ、上述のような圧伸特性を実現することにより、目的
とする表示が可能になる。
具体的な例としてα=2の場合のh1およびへの設定例
を第3図aおよびbに示す。aは第2のγ回路の大信号
部における伸長特性をbの場合にくらべて大きくとつた
場合の例であ−る。
次に第2図に例示したこの発明の一実施例による表示装
置による輝度改善比についてのべる。
輝度最大となる輝点に対するビーム電流をこの発明の一
実施例によるものと、従来のものとで等しくとるものと
すると、両者の輝度比はそれぞれの輝点におけるビーム
の滞在時間の比、すなわちその輝点における走査速度の
逆数に比例する。すなわち、この発明の一実施例によつ
て得られる最大輝度をB1、従来のものの最大輝度を八
とすると、5輝度改善比はB1/BO=τMax/(T
h/N)で与えられる。ところで前述の如く、E2の最
大値および平均値をそれぞれaおよびcとするとである
前述の如くT≦Thでなければならない4が、B1/へ
の上限として、T/Thなる場合を考えると、&−aと
なる。
すなわち、この発明の一実施例によるものにおいては、
E2の振巾分布を考えて、その最大値と平均値の比だけ
、従来のものに対して輝度が改善されることになる。こ
の改善比の設定可能な上限、a/cは画像信号の振巾分
布ならびにγ回路50Bの特性により変わるが、一般画
像に対しても2〜3程度になし得る。また、白黒2値の
線画像に対してはm程度になし得るので、この表示方式
により大巾な輝度改善が期待される。なお、フγ回路5
0Bに入力画像信号eの大きい部分に対する伸長特性を
もたせると、E2におけるa/cの値は、入力e自身の
a/cの値よりも大きくできるので、この回路の伸長特
性をこの輝度改善比にも注目して決めることにより、大
きい輝度改善比門が期待できることになる。ところで、
この発明の一実施例によるものにおいては各走査線の走
査時間は前述の(2)式に示すごとく、その走査線上の
信号E2の平均値によりきまる。
第m番目の走査線における平均値をCmとす・るとき、
Cmはm毎に必ずしも一定値をとらない。このCmの中
の最大のものに対してT≦Thが成立せねばならないの
で、輝度改善比a/Cmは画面全体の平均値をcとして
期待てきる値より小さくなる場合が起り得る。この難点
を改善したこの発明の他の実施例を第4図に示し説明す
る。
第4図に於て、第1図と同一符号は同一又は相当部分を
示す。遅延メモリ32A,32Bはその容量を大きくし
、M体(M〉1)の走査線上の信号をM体の走査期間に
わたつて読込むと共に、同じくM体の走査期間にわたつ
てVCO33の制御下で読出す。電子スイッチ31A〜
31DはM周期毎に切換えられる。また、水平走査回路
40の計数回路40AはN進とすると共に、遅延回路4
1を付属せしめ、水平走査終了時に、水平走査の帰線時
間の間、VCO33の発振を停止するように構成する。
このようにすると、画像信号はMXN絵素について平均
化されるようになるので、この平均値をcとして
1五i−↓ が成立Iiばよいので、適当な大きさのMを選ぶことに
より本来の輝度改善比が実現し得るようになる。
また、このような去8ル叔.▼t?チ′7欠ホ太婢柑の
走査時間が変化するので、CRTl上のラスタが波打つ
可能性がある。
第4図の構成例においては垂直走査回路42を、計数回
路42AとDA変換回路42Bとで構成するようにして
この難点を防いでいる。すなわち、水平走査回路40の
計数回路40AがN絵素走査するたびに発生するリセッ
トパルス22Aを計数回路42Aで計数することにより
、一つの水平走査期間中垂直走査位置を一定に保つこと
ができる。このように、ビーム電流一定なる電子ビーム
の各絵素における滞在期間、すなわち走査速度の逆数を
それぞれの絵素における画像信号の振巾に比例するよう
に制御しつつ走査することにより、輝度の高い表示をお
こなうことができる。
なお、第2図、第4図における水平走査回路第4図にお
ける垂直走査回路として計数回路とDA変換回路とによ
り構成される例をあげたが、たとえば一定面積を有する
入力パルスで駆動される積分回路など他の手段により、
所要性能を有する水平・垂直の走査回路を構成し得るこ
とは言うまでもない。
更に、走査の帰線時間の帰線消去は従来と同様ビーム電
流をカットオフする信号をeあるいはe1に加えること
により容易に実現できる。
又、この発明の実施例の説明中、メモリとしてアナログ
遅延メモリとして説明したが、一般的なメモリを用いて
その読み出し速度を画像信号に応じて制御することによ
り構成し得ることも明白である。
以上説明したように、この発明は電子ビーム電流を画像
信号の振幅で変調すると共に、電子ビームを走査する走
査速度の逆数が画像信号の振幅に比例するようにした表
示装置を構成することにより、輝度の高い表示を可能な
らしめることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の基本概念を説明するための説明図、
第2図はこの発明の一実施例による表示装置の構成図、
第3図は第2図に示したγ回路の非直線特性を設定する
ための曲線図、第4図はこの発明の他の実施例による表
示装置の構成図である。 図において、1はCRT(陰極線管)、12は電子ビー
ム、14は偏向ヨーク、15は電子銃、20は同期信号
発生回路、21は垂直走査回路、25は遅延メモリを制
御するクロック発生回路、30は入力端子、31A〜3
1Dは電子スイッチ、32A,32Bはメモリであるア
ナログ遅延メモリ、33はVCO(電圧制御発振器)、
40,42は画像信号に応じた偏向信号を発生する水平
及び7垂直走査回路、50A,50Bはγ回路である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1 同期信号を発生する同期信号発生回路、画像信号が
    入力するメモリ、このメモリの出力信号の振幅に反比例
    して発振する電圧制御発振回路、この電圧制御発振回路
    の発振信号と上記同期信号に応じて電子線の偏向信号を
    発生する偏向信号発生回路、上記メモリの出力信号の振
    幅で陰極線管のビーム電流を変調するビーム電流制御手
    段、上記偏向信号に応じて電子線を偏向する陰極線管の
    偏向器を備え、上記メモリの読み出し速度を上記電圧制
    御発振回路の発振信号で制御したことを特徴とする表示
    装置。 2 メモリを、遅延メモリとしたことを特徴とする特許
    請求の範囲第1項記載の表示装置。 3 遅延メモリの遅延時間をクロック信号で制御するよ
    うにしたことを特徴とする特許請求の範囲第2項記載の
    表示装置。 4 偏向信号発生回路を水平及び垂直偏向信号発生回路
    で構成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項ない
    し第3項のいずれかに記載の表示装置。 5 偏向信号発生回路を、水平及び垂直偏向信号発生回
    路と、電圧制御発振回路の発振信号を停止させる信号を
    発生する停止信号発生回路とで構成したことを特徴とす
    る特許請求の範囲第1項ないし第3項のいずれかに記載
    の表示装置。 6 陰極線管の偏向器を静電偏向板又は電磁偏向コイル
    で構成したことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
    の表示装置。
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