JPS6056063B2 - Intermittent signal generation circuit - Google Patents

Intermittent signal generation circuit

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JPS6056063B2
JPS6056063B2 JP13448376A JP13448376A JPS6056063B2 JP S6056063 B2 JPS6056063 B2 JP S6056063B2 JP 13448376 A JP13448376 A JP 13448376A JP 13448376 A JP13448376 A JP 13448376A JP S6056063 B2 JPS6056063 B2 JP S6056063B2
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JP
Japan
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gate
switching element
resistor
voltage
current
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Japanese (ja)
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三樹生 別所
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Mitsubishi Electric Corp
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Mitsubishi Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 この発明は、半導体装置を用いた断続信号発生回路の
改良、とくにゲートバイアス電圧でブレークオーバー電
圧をホ1御てき、ブレークオーバー後はアノード・ウソ
ード間をオン状態に保つ電界効果型スイッチング素子を
用いた断続信号発生回路に関するこの種従来の断続信号
発生回路を第1図a、bについて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention is an improvement of an intermittent signal generation circuit using a semiconductor device, and in particular, controls a breakover voltage using a gate bias voltage, and maintains an on state between an anode and a cathode after a breakover. A conventional intermittent signal generating circuit of this type using a field effect switching element will be described with reference to FIGS. 1a and 1b.

従来のこの種回路はこれを構成する半導体装置として基
本的にはゲートトリガ−電流の必要なスイッチング素子
例えばサイリスタを使用して、第1図a、bに示す回路
を構成していた。第1図aはゲート4がアノード2に対
して低電位になるとオン状態になるスイッチ ング素子
1aを使用した例で、同図をはゲート4がカソード3に
対して高電位になるとオン状態となるスイッチング素子
lbを使用した例である。 ます第1図aについて説明
する。電源9に直列接続された抵抗5と抵抗6て電源9
の電圧を分割してサイリスタ1aのゲート4の電位をき
める。コンデンサ8へ抵抗7を通じて電源9より充電電
流が流れる。この充電電流の為に抵抗7に電圧降下がお
こり、サイリスタ1aのアノード2の電位に対して低電
位になるよう抵抗5と抵抗7の抵抗値が設定されている
ためゲート電流は流れず、スイッチング素子1aはオフ
状態を保つ。コンデンサ8の充電と共に抵抗7を流れる
充電電流が減少して、抵抗 の電圧低下が減少する。こ
のためアノード2の電位が、ゲート4の電位より高くな
つてゲート電流が流れ、このゲート電流がスイッチング
素子1aのゲートトリガ−電流より大きくなると、スイ
ッチング素子1aはオン状態になり、コンデンサ8の電
荷を放電する。この放電電流が’スイッチング素子1a
の保持電流以下になると、スイッチング素子1aはオフ
状態となり、コンデンサ8への充電が始まる。このよう
にして、コンデンサ8、スイッチング素子1aのアノー
ド2、スイッチング素子1aのカソード3、コンデンサ
8間の主電流回路のオン、オフ1サイクルが達成される
。抵抗5、抵抗6の分割比をかえてゲート電位を変化さ
せることにより、スイッチング素子1aのオン時のコン
デンサ8の端子電圧をかえることができる。この回路で
ゲート電流は抵抗6および抵抗7を流れる。
Conventional circuits of this type basically use switching elements such as thyristors that require a gate trigger current as semiconductor devices to construct the circuits shown in FIGS. 1a and 1b. Figure 1a shows an example using a switching element 1a that turns on when the gate 4 becomes a low potential with respect to the anode 2, and the same figure shows an example that turns on when the gate 4 becomes a high potential with respect to the cathode 3. This is an example in which a switching element lb is used. First, FIG. 1a will be explained. Resistor 5 and resistor 6 connected in series to power supply 9
The potential of the gate 4 of the thyristor 1a is determined by dividing the voltage. A charging current flows from the power supply 9 to the capacitor 8 through the resistor 7. This charging current causes a voltage drop across the resistor 7, and since the resistance values of the resistor 5 and resistor 7 are set so that the potential is lower than the potential of the anode 2 of the thyristor 1a, no gate current flows and the switching Element 1a remains off. As the capacitor 8 is charged, the charging current flowing through the resistor 7 decreases, and the voltage drop across the resistor decreases. Therefore, when the potential of the anode 2 becomes higher than the potential of the gate 4 and a gate current flows, and this gate current becomes larger than the gate trigger current of the switching element 1a, the switching element 1a is turned on and the charge in the capacitor 8 is increased. discharge. This discharge current is 'switching element 1a
When the holding current becomes less than or equal to the holding current, the switching element 1a is turned off and charging of the capacitor 8 starts. In this way, one on/off cycle of the main current circuit between the capacitor 8, the anode 2 of the switching element 1a, the cathode 3 of the switching element 1a, and the capacitor 8 is achieved. By changing the division ratio of the resistors 5 and 6 to change the gate potential, the terminal voltage of the capacitor 8 when the switching element 1a is turned on can be changed. In this circuit, the gate current flows through resistor 6 and resistor 7.

ゲート電流はゲ−トトリガー電流より大きくないとスイ
ッチング素子1aはオンしないので、抵抗6、抵抗7の
値は、ゲート電流が、ゲ−トトリガー電流より大きくな
るようにしなければならない。一方抵抗5、抵抗6を流
れる電流は損失になるので、抵抗5、抵抗6の値は大き
い方がよい。又コンテンサ8の充放電のくりかえし時間
を長くするためには充電時定数を大きくする必要があり
、そのためには、抵抗7の値を大きくすればよい。さり
とて上述したごとくゲート電流をゲ−トトリガー電流よ
り大きくしなければならないので抵抗7を無限に大きく
することはできない。
Since the switching element 1a will not turn on unless the gate current is greater than the gate trigger current, the values of the resistors 6 and 7 must be set so that the gate current is greater than the gate trigger current. On the other hand, since the current flowing through the resistors 5 and 6 becomes a loss, the values of the resistors 5 and 6 are preferably larger. Further, in order to lengthen the repeated charging and discharging time of the capacitor 8, it is necessary to increase the charging time constant, and for this purpose, the value of the resistor 7 may be increased. As mentioned above, the gate current must be made larger than the gate trigger current, so the resistor 7 cannot be made infinitely large.

スイッチング素子1aが大容量になるとゲ−トトリガー
電流が大きくなる傾向にあるので、抵抗5,6および7
を大きくてきず、断続信号発生回路として使用しにくか
つた。第1図bは、ゲート4力幼ソート3に対して高電
位になるとオン状態となるスイッチング素子1bを使用
した例てある。この場合も第1図aの場合と同様に、抵
抗5,6および7を大きくてきす断続信号発生回路とし
て使用てきなかつた。この発明は以上の点に鑑み、この
ような問題を解決すると共にかかる欠点を除去すべくな
されたもので、その目的は簡単な回路構成によつて時定
数を大きくするときでも容量素子の値を大きくしなくて
もよく、損失は容量に比例し低損失とすることができ、
また、大電流の電界効果スイッチ素子ても使用すること
ができ、出力端子間に直接大電流を取り出すことがてき
る断続信号発生回路を提供することにある。
Since the gate trigger current tends to increase when the switching element 1a has a large capacity, the resistors 5, 6 and 7
This made it difficult to use as an intermittent signal generation circuit. FIG. 1b shows an example in which a switching element 1b which is turned on when a high potential is applied to the gate 4-power sort 3 is used. In this case as well, as in the case of FIG. 1a, the resistors 5, 6 and 7 are too large to be used as an intermittent signal generating circuit. In view of the above points, the present invention was made to solve such problems and eliminate such drawbacks.The purpose of this invention is to use a simple circuit configuration to reduce the value of the capacitive element even when increasing the time constant. It does not need to be large, and the loss is proportional to the capacity and can be kept low.
Another object of the present invention is to provide an intermittent signal generating circuit which can also use a large current field effect switching element and which can directly extract a large current between output terminals.

このような目的を達成するため、この発明は、電源に容
量素子と第1および第2のインピーダンス素子の直列回
路を接続し、ゲートバイアス電圧でブレークオーバー電
圧を制御できブレークオーバー後はアノード・カソード
間をオン状態に保つ特性を有する電界効果スイッチング
素子のアノード電極を上記電源の正極側と上記容量素子
との接続点に接続しカソード電極を上記容量素子と上記
第1のインピーダンス素子との接続点に接続しゲート電
極を上記第1のインピーダンス素子と上記電源の負極側
に接続の第2のインピーダンス素子との接続点に接続し
てなるようにしたものである。
In order to achieve such an object, the present invention connects a series circuit of a capacitive element and first and second impedance elements to a power supply, and allows the breakover voltage to be controlled by the gate bias voltage. An anode electrode of a field effect switching element having a property of keeping the voltage in an on state is connected to a connection point between the positive electrode side of the power source and the capacitance element, and a cathode electrode is connected to a connection point between the capacitance element and the first impedance element. The gate electrode is connected to the connection point between the first impedance element and the second impedance element connected to the negative electrode side of the power supply.

以下第2図についてこの発明の一実施例を説明する。An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.

第2図はこの発明の一実施例てある回路を示す。FIG. 2 shows a circuit according to one embodiment of the invention.

第1図に示す回路を構成するスイッチング素子1a又は
1bのかわりに電界効果スイッチング素子を使用するこ
とにより構成できるが、電界効果スイッチング素子の特
徴をよく利用して第2図に示すようにより、簡単な回路
にすることができるので、第2図の回路の構成について
説明する。第2図において、電源9とコンデンサ8と抵
抗71、抵抗72を直列に接続して閉回路を作る。電源
9とコンデンサ8の接続点に、例えばノーマリーオン型
の静電誘導サイリスタて構成される電界効果スイッチン
グ素子1のアノード端子2を接続する。一方カソード端
子3をコンデンサ8と抵抗71の接続点に接続しゲート
端子4を抵抗71と抵抗72の接続点に接続して第2図
の回路を構成する。コンデンサ8と抵抗71が電界効果
スイッチング素子1の電圧印加回路て、抵抗71はさら
にこの素子のゲートバイアス回路をも兼ねている。
The circuit shown in FIG. 1 can be constructed by using a field effect switching element instead of the switching element 1a or 1b, but it can be constructed more easily as shown in FIG. 2 by making good use of the characteristics of the field effect switching element. The configuration of the circuit shown in FIG. 2 will be explained. In FIG. 2, a power supply 9, a capacitor 8, a resistor 71, and a resistor 72 are connected in series to form a closed circuit. An anode terminal 2 of a field effect switching element 1 constituted by, for example, a normally-on type electrostatic induction thyristor is connected to the connection point between the power supply 9 and the capacitor 8 . On the other hand, the cathode terminal 3 is connected to the connection point between the capacitor 8 and the resistor 71, and the gate terminal 4 is connected to the connection point between the resistor 71 and the resistor 72 to form the circuit shown in FIG. The capacitor 8 and the resistor 71 serve as a voltage application circuit for the field effect switching element 1, and the resistor 71 also serves as a gate bias circuit for this element.

第2図において、電界効果スイッチング素子1は第3図
のアノード電圧電流特性図に示すように、ゲート4とカ
ソード3間の電圧でフルークオーバー電圧が変化し、ブ
レークオーバー後はオン状態となるようなスイッチング
特性を有する素子である。この時ゲート電流は流れない
。第2図により、コンデンサ8の電荷が零の状態から説
明すると、電源9より、抵抗71、抵抗72を通してコ
ンデンサ8に充電電流が流れる。この時、抵抗71、抵
抗72の両端には、充電電流による電圧降下がおきる。
抵抗71の電圧降下を電界効果スイッチング素子1のゲ
ートカソード電圧VCKに利用し、コンデンサ8の端子
電圧をアノード・カソード電圧Vェとする。抵抗71と
抵抗72の抵抗値をそれぞれR7l、R72、コンデン
サ8の容量をC8、電源電圧をV9とするととなる。
In FIG. 2, the field-effect switching element 1 changes its fluke over voltage depending on the voltage between the gate 4 and the cathode 3, as shown in the anode voltage-current characteristic diagram in FIG. 3, and is turned on after breakover. This is an element with excellent switching characteristics. At this time, no gate current flows. Referring to FIG. 2, a charging current flows from the power supply 9 to the capacitor 8 through the resistor 71 and the resistor 72. At this time, a voltage drop occurs across the resistors 71 and 72 due to the charging current.
The voltage drop across the resistor 71 is used as the gate cathode voltage VCK of the field effect switching element 1, and the terminal voltage of the capacitor 8 is set as the anode/cathode voltage VCK. Assuming that the resistance values of the resistor 71 and the resistor 72 are R7l and R72, respectively, the capacitance of the capacitor 8 is C8, and the power supply voltage is V9.

第4図は第2図に示す断続信号発生回路を構成する電界
効果スイッチング素子1の各部の電圧、電流波形図であ
る。
FIG. 4 is a diagram of voltage and current waveforms at various parts of the field effect switching element 1 constituting the intermittent signal generation circuit shown in FIG.

上記電界効果スイッチング素子1のアノード・カソード
間電圧(■AK)およびゲートカソード間電圧(Vc8
)が上式によつて設定されるが第4図A,bに示すよう
に■Aャが増加すると■。
The anode-cathode voltage (■AK) and gate-cathode voltage (Vc8) of the field effect switching element 1
) is set by the above formula, but as shown in Figure 4A and b, ■ If A increases, ■.

ャは減少する。ここで、スイッチング素子1の■AKが
■GKによつて制御されるブレークオーバー電圧になる
と電界効果スイッチング素子1は、オン状態となりコン
デンサ8の電荷を放電する。コンデンサ8の電荷を放電
し、コンデンサ8への充電電流によるゲート・カソード
電圧■CKが十分大きくなると、電界効果スイッチング
素子1は阻止状態となる。これをくりかえす。出力電圧
は■。1,をかえることにより、すなわち抵抗R7l、
R72の比をかえることによりかえることができ、くり
かえし周波数はコンデンサ8と抵抗71、抵抗72によ
る時定数をかえることにより変化てきる。
will decrease. Here, when ■AK of the switching element 1 reaches a breakover voltage controlled by ■GK, the field effect switching element 1 turns on and discharges the charge of the capacitor 8. When the charge in the capacitor 8 is discharged and the gate-cathode voltage CK due to the charging current to the capacitor 8 becomes sufficiently large, the field effect switching element 1 enters the blocking state. Repeat this. The output voltage is ■. 1, that is, by changing the resistance R7l,
It can be changed by changing the ratio of R72, and the repetition frequency can be changed by changing the time constant of capacitor 8, resistor 71, and resistor 72.

出力を取り出すには、端子10とアノード端子2の間に
負荷を入れればよい。なお第4図Cはアノード電流波形
を示している。この発明は以上説明したようにゲ−トト
リガー電流を流す必要がないので、抵抗71、抵抗72
のゲート電流による電圧降下がないから、抵抗71,7
2を無限に大きくできるものである。
In order to take out the output, it is sufficient to insert a load between the terminal 10 and the anode terminal 2. Note that FIG. 4C shows the anode current waveform. As explained above, this invention does not require the gate trigger current to flow, so the resistors 71 and 72
Since there is no voltage drop due to the gate current of the resistors 71 and 7
2 can be made infinitely large.

従つて時定数を大きくする時でも、コンデンサ8の値を
大きくしなくてもよく、損失は容量に比例する。従つて
低損失となる。ゲート電流が流れないので、大容量の電
界効果スイッチング素子1でも使用てき出力端子2,1
0間に直接大電流をとり出すことができる。
Therefore, even when increasing the time constant, it is not necessary to increase the value of the capacitor 8, and the loss is proportional to the capacitance. Therefore, the loss is low. Since no gate current flows, it can be used even with a large capacity field effect switching element 1.
A large current can be drawn directly between 0 and 0.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の断続信号発生回路を示す回路図でaはN
ゲートスイッチング素子を使用した場合で、bはPゲー
トスイッチング素子を使用した例を示す。
Figure 1 is a circuit diagram showing a conventional intermittent signal generation circuit, where a is N.
In the case where a gate switching element is used, b shows an example using a P gate switching element.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 電源容量素子と第1および第2のインピーダンス素
子の直列回路を接続し、ゲートバイアス電圧でブレーク
オーバー電圧を制御できブレークオーバー後はアノード
・カソード間をオン状態に保つ特性を有する電界効果ス
イッチング素子のアノード電極を前記電源の正極側と前
記容量素子との接続点に接続しカソード電極を前記容量
素子と前記第1のインピーダンス素子との接続点に接続
しゲート電極を前記第1のインピーダンス素子と前記電
源の負極側に接続の第2のインピーダンス素子との接続
点に接続したことを特徴とする断続信号発生回路。
1 A field effect switching element that connects a series circuit of a power supply capacitance element and first and second impedance elements, and has the characteristic of being able to control the breakover voltage with the gate bias voltage and keeping the anode and cathode in the on state after breakover. an anode electrode is connected to a connection point between the positive electrode side of the power source and the capacitive element, a cathode electrode is connected to a connection point between the capacitive element and the first impedance element, and a gate electrode is connected to the connection point between the capacitance element and the first impedance element. An intermittent signal generating circuit, characterized in that the intermittent signal generating circuit is connected to a connection point with a second impedance element connected to the negative electrode side of the power source.
JP13448376A 1976-11-08 1976-11-08 Intermittent signal generation circuit Expired JPS6056063B2 (en)

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JPS5358755A JPS5358755A (en) 1978-05-26
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