JPS6051775B2 - cathode ray tube - Google Patents

cathode ray tube

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JPS6051775B2
JPS6051775B2 JP8485276A JP8485276A JPS6051775B2 JP S6051775 B2 JPS6051775 B2 JP S6051775B2 JP 8485276 A JP8485276 A JP 8485276A JP 8485276 A JP8485276 A JP 8485276A JP S6051775 B2 JPS6051775 B2 JP S6051775B2
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JP
Japan
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grating
lattice
potential
grid
crossover
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Application number
JP8485276A
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Japanese (ja)
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JPS5310260A (en
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弘 鈴木
真佐男 夏原
克之 山下
理 鴻巣
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Panasonic Holdings Corp
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Matsushita Electronics Corp
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Publication date
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Publication of JPS6051775B2 publication Critical patent/JPS6051775B2/en
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明はブラウン管用電子銃、特にカラーブラウン管
用電子銃の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an improvement of an electron gun for a cathode ray tube, particularly an electron gun for a color cathode ray tube.

ブラウン管の電子銃は普通、同軸上に配置された複数
個の円筒状ないしは小穴を有する板状電極によつて形成
されるレンズ電界によつて、熱陰極から放射される電子
ビームを集束して電子ビームのスポットとなし、これに
よつて、螢光面を刺激して同螢光面上に微小な発光スポ
ットを生ぜしめるものである。
A cathode ray tube electron gun normally focuses an electron beam emitted from a hot cathode using a lens electric field formed by a plurality of cylindrical or plate-shaped electrodes with small holes arranged on the same axis. A beam spot is generated, which stimulates the fluorescent surface to produce a minute light-emitting spot on the fluorescent surface.

この光スポットは、螢光面上に再現される画像の絵素と
なるものであるから、その大きさは画像の鮮明さを支配
する重要な一要因となる。一般に電子ビームのスポット
はビーム電流を増すと大きくなり、それにつれて光スポ
ットも大きくなるので鮮明な画像を得ようとすればビー
ム電流は出来るだけ小さな範囲に限つておく必要がある
。しかし、カラーブラウン管の場合にはビーム電流のか
なりの部分がシヤドウマスクに吸収されるために螢光面
における電流利用率が悪く、必要な明るさの画面を得よ
うとすればどうしてもビーム電流を増さねばならない。
このために螢光面に生ずる光スポットが大きくなり過ぎ
て鮮明度が低下しやすいという欠点を有しており、これ
を改良することが現在のブラウン管製作技術の一つの大
きな課題となつている。 本発明はビーム電流を増した
場合にもスポットの大きさが過大とはならないような電
子銃の構造を提供し、高輝度の画面においても著しく鮮
明な画像が得られるブラウン管を実現することを目的’
とする。 以下図面に従つて本発明を従来例と対比させ
ながら、詳しく説明する。
Since this light spot becomes the picture element of the image reproduced on the fluorescent surface, its size is an important factor governing the sharpness of the image. Generally, the spot of an electron beam becomes larger as the beam current increases, and the optical spot also becomes larger accordingly, so in order to obtain a clear image, it is necessary to limit the beam current to as small a range as possible. However, in the case of color cathode ray tubes, a considerable portion of the beam current is absorbed by the shadow mask, resulting in poor current utilization on the phosphor surface, and in order to obtain a screen with the necessary brightness, the beam current must be increased. Must be.
This has the disadvantage that the light spot generated on the fluorescent surface becomes too large and the clarity tends to deteriorate, and improving this problem is one of the major challenges in current cathode ray tube manufacturing technology. The purpose of the present invention is to provide an electron gun structure in which the spot size does not become excessive even when the beam current is increased, and to realize a cathode ray tube that can obtain extremely clear images even on a high-brightness screen. '
shall be. DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be explained in detail below with reference to the drawings, while comparing it with a conventional example.

第1図は従来最も普通に用いられている電子銃の概略
的構造を示す。
FIG. 1 shows the schematic structure of the most commonly used electron gun in the past.

熱陰極1(以下カソードま・たはカリ「ド面という)か
ら放射された電子ビーム2は第1格子3、第2格子4、
によつて形成されるいわゆる三極レンズ電界5によつて
一旦集束されビームのクロスオーバ6を生ずる。そして
このクロスオーバ点において電子ビーム径は最小となる
がその後は発散し、第3格子7と第4格子8で形成され
るメインレンズ9に入射してこれを通過するとき強い集
束作用を受け、螢光面10上に再びクロスオーバの像を
結像してビームスポット11を生ずる。この時メインレ
ンズ9に入射するビーム径12がレンズ径に対して大き
くなり過ぎるとレンズの収差が顕著に現われ、そのため
にビームスポット11が大きくなるので、通常はこれを
防ぐために第2格子4と第3格子7によつて形成される
ブリフオーカスレンズ13を設けて予備的な集束を行い
、メインレンズ9に入るビーム径12を適当な大きさに
制御する。一方、第1格子3の電位を変えることによつ
てビーム電流を増すと一般にビームスポット11は大き
くなるが、カラーブラウン管の場合にはピーク時のビー
ム電流値が約3mAと非常に大きいのでスポットの大き
くなり方も著しく、小電流時に1Tmmφ程度であつた
ものがピーク電流時には3〜4TrT!nφにも達する
場合が生ずる。
The electron beam 2 emitted from the hot cathode 1 (hereinafter referred to as cathode or cathode surface) passes through a first grating 3, a second grating 4,
Once focused by a so-called triode lens electric field 5 formed by the beam, a beam crossover 6 occurs. At this crossover point, the electron beam diameter becomes minimum, but after that it diverges, and when it enters and passes through the main lens 9 formed by the third grating 7 and the fourth grating 8, it receives a strong focusing effect. A cross-over image is again formed on the fluorescent surface 10 to produce a beam spot 11. At this time, if the beam diameter 12 incident on the main lens 9 becomes too large relative to the lens diameter, lens aberration will become noticeable and the beam spot 11 will become large. A brief focus lens 13 formed by the third grating 7 is provided to perform preliminary focusing and to control the beam diameter 12 entering the main lens 9 to an appropriate size. On the other hand, if the beam current is increased by changing the potential of the first grating 3, the beam spot 11 will generally become larger, but in the case of a color cathode ray tube, the beam current value at the peak is very large, about 3 mA, so the spot The increase in size is also remarkable, from about 1Tmmφ at low current to 3 to 4Trmm at peak current! There may be cases where it reaches nφ.

このような、大電流時におけるビームスポットの増大に
は多くの要因が複雑に絡み合つて関係しており、簡単な
単一的事象で説明することは出来ない。
Many factors are intricately intertwined and related to such an increase in the beam spot at the time of large current, and cannot be explained by a simple single event.

しかし最も大きな影響力をもつ要因の一つはクロスオー
バ6の挙動に起因するものである。すなわち、小電流時
には第1格子3が大きな負電位なので電子はカソード中
央部の小さな部分のみから出射するが、この時零電位の
カソード面1と大きな負電位の第1格子3および正電位
の第2格子4によつてカソード前面には強い集束レンズ
電界5が出来ているので、カソードを出射した電子はカ
ソードのすぐ前面で明確なりロスオーバを形成する。こ
の時のクロスオーバ断面の電流密度分布はガウス分布に
近いシャープな分布なので、クロスオーバが集束レンズ
系によつて結像されて生ずる螢光面上のビームスポット
も同じようにシャープな電流密度分布を示し、その実効
径も小さい。しかし、大電流時におけるクロスオーバの
挙動は小電流時とは著しく異なつたものになる。第2図
は大電流時のクロスオーバ付近のビームの状態と軸上電
位分布VO(Z)14を示したものである。大電流時に
は第1格子3の負電位は小さな値に維持されるので、カ
ソード面1、第1格子3および第2格子4によつて形成
される三極レンズ5が弱くなるとともに、電子ビーム2
はカソードのより広い面から出射するようになる。その
上、ビームの電流密度が増すにつれて、ビーム内の空間
電荷による反撥効果が著しく強くなりビームが密に集る
ことを妨げるようになる。これらが原因となつてクロス
オーバ6の電流密度はビーム電流値が増した程には増大
しなくなり、その結果としてクロスオーバ断面の密度分
布は半径方向に著しく拡がつてプロードで平坦な分布と
なる。又、クロスオーバの軸上点も軸方向に拡がつた不
明確なものとなり、その位置力幼ソートとは反対の方向
に移動する。そして著しい場合には第2格子4の穴16
から出て第3格子7寄りに移つてしまう。電流の増加に
よつてクロスオーバがこのように空間的に大きな拡がり
をもつて不明確な形になること、つまり電子光学系の物
点としてのクロスオーバの品質が劣化することが螢光面
上のビームスポットが過度に大きくなる有力な要因であ
る。ところで、クロスオーバの品質が劣化することに対
しては上に述べたようにいくつかの要因が関係している
が、それらの中でも特に空間電荷による反撥効果が極め
て大きな支配力をもつている。従つて大電流時における
クロスオーバの品質を改善すること、つまり、シャープ
な電流密度分布をもつたクロスオーバを形成するために
はクロスオーバにおける空間電荷の反撥効果を極力抑制
しなければならない。空間電荷の反撥効果によるビーム
の拡がりは衆知の如くその空間電位が高い程抑制される
。それ故大電流時におけるクロスオーバの品質を改善す
る一つの方法はクロスオーバ点の空間電位置7を出来得
る限り上昇せしめることである。第1図に示したような
電子銃においてクロスオーバ点の空間電位を高めるため
には次の三通りの方法が考えられる。
However, one of the factors with the greatest influence is due to the behavior of the crossover 6. That is, when the current is small, the first grid 3 has a large negative potential, so electrons are emitted only from a small part at the center of the cathode. Since a strong focusing lens electric field 5 is created in front of the cathode by the lattice 4, the electrons emitted from the cathode clearly form a lossover immediately in front of the cathode. At this time, the current density distribution on the crossover cross section is a sharp distribution close to a Gaussian distribution, so the beam spot on the fluorescent surface that is created when the crossover is imaged by the focusing lens system also has a sharp current density distribution. , and its effective diameter is small. However, the crossover behavior at high currents is significantly different from that at low currents. FIG. 2 shows the state of the beam near the crossover and the on-axis potential distribution VO(Z) 14 at the time of large current. At the time of large current, the negative potential of the first grating 3 is maintained at a small value, so the triode lens 5 formed by the cathode surface 1, the first grating 3, and the second grating 4 becomes weaker, and the electron beam 2
will now be emitted from a wider surface of the cathode. Moreover, as the current density of the beam increases, the repulsion effect due to space charges within the beam becomes significantly stronger and prevents the beam from converging closely. Due to these factors, the current density of the crossover 6 does not increase as the beam current value increases, and as a result, the density distribution in the crossover cross section expands significantly in the radial direction and becomes flat at the prod. . The axial point of the crossover also becomes axially widened and undefined, moving in the opposite direction to its positional force. and in severe cases the holes 16 of the second grid 4
It moves out of the way and moves closer to the third grid 7. On the fluorescent surface, the increase in current causes the crossover to expand spatially and take on an indistinct shape, that is, the quality of the crossover as an object point in the electron optical system deteriorates. This is a major factor in the beam spot becoming excessively large. By the way, as mentioned above, several factors are related to the deterioration of the quality of the crossover, but among them, the repulsion effect due to space charge has an extremely large influence. Therefore, in order to improve the quality of the crossover at the time of large current, that is, to form a crossover with a sharp current density distribution, it is necessary to suppress the repulsion effect of the space charge in the crossover as much as possible. As is well known, the beam spread due to the repulsion effect of space charges is suppressed as the space potential becomes higher. Therefore, one way to improve the quality of the crossover at high currents is to make the spatial electric position 7 of the crossover point as high as possible. In order to increase the space potential at the crossover point in an electron gun as shown in FIG. 1, the following three methods can be considered.

第1は第2格子4の電位を高めることであり、第2は第
3格子7の電位を高めること、そして第3は第3格子7
の電位はそのま゛まにして、第3格子7の位置を第2格
子4に近接させることである。ところで第1の方法につ
いて考えると、もともと第2格子4はカソード1から電
子を放出せしめるための加速電極の役割をもち、その電
位の値は三極部の寸法によつて支配される電子ビームの
カットオフ電圧が所要の値になるように設定されるのが
普通である。
The first is to increase the potential of the second grid 4, the second is to increase the potential of the third grid 7, and the third is to increase the potential of the third grid 7.
The third grid 7 is moved closer to the second grid 4 while the potential of the third grid 7 remains the same. By the way, considering the first method, the second lattice 4 originally has the role of an accelerating electrode for emitting electrons from the cathode 1, and the value of its potential is controlled by the dimensions of the triode part of the electron beam. Usually, the cutoff voltage is set to a required value.

そのため実際には高々1KV程度が限度であつてそれ以
上高めることは現実には困難であり、又この程度に高め
たとしてもクロスオーバの品質を改善するのに左程大き
な効果は望めない。第2の方法について考えると第3格
子電位を高めることは原理的には可能であり、10KV
以上に高くすれば、クロスオーバ点の空間電位置7をか
,なり高めることが出来てクロスオーバの品質改善に著
しい効果がある。
Therefore, in reality, the limit is about 1 KV at most, and it is difficult in reality to increase it further, and even if it is increased to this level, it cannot be expected to have as great an effect in improving the quality of the crossover. Considering the second method, it is theoretically possible to increase the third grid potential by 10KV.
If it is made higher than this, the spatial electric position 7 of the crossover point can be increased considerably, which has a remarkable effect on improving the quality of the crossover.

しかし10KV以下ではそれ程顕著な効果は望めない。
所で第3格子7へ外部から電位を印加するには第1図に
示す電子銃構造の場合には通常ネック管ガラスのステム
ピンを通して行われる。この場合印加電圧が10K■以
下であれば耐圧上さほど困難な問題は生じないが10K
■以上の高圧を印加しようとすると耐圧の維持に特別の
配慮が必要となり、かつガラスステムやソケット等も著
しく高価なものを使用しなけれ−ばならないという欠点
を伴う。第3の方法について考えれば、第3格子電位は
10KV以下の耐圧上問題のない電位とし、第3格子7
の位置を第2格子4に近接させればクロスオーバ電位を
上昇せしめることができクロスオーバにおける空間電荷
効果を抑制するのに著しい効果がある。
However, at 10 KV or less, no significant effect can be expected.
In the case of the electron gun structure shown in FIG. 1, applying a potential to the third grating 7 from the outside is usually done through a stem pin of the neck tube glass. In this case, if the applied voltage is 10K or less, there will not be any serious problem with the withstand voltage, but 10K
(2) If a higher voltage is to be applied, special consideration must be taken to maintain the withstand voltage, and extremely expensive glass stems, sockets, etc. must be used. Considering the third method, the third grid potential is set to 10 KV or less, which is a potential that does not cause problems in terms of withstand voltage, and the third grid potential is
If it is located close to the second grating 4, the crossover potential can be raised, and this has a significant effect in suppressing the space charge effect in the crossover.

しかしこの方法ではクロスオーバの品質は改善し得ても
、次に述べる如き欠点を伴うために最終的に螢光面上の
ビームスポットの品質を向上せしめることは困難であ。
すなわち、第2格子4と第3格子7の間には、クロスオ
ーバから発散して行くビームの拡がりを適当な大きさに
制御する役割のプリフオーカスレンズ13が形成されて
いるが、第3格子7を第2格子4に近接させるとプリフ
オーカスレンズ13の位置が第2格子の穴16付近に狭
く限定されてしまうようになる。一方第2図の例で詳し
くのべたように、大電流時のクロスオーバは第2格子の
穴16を出てしまつた空間に位置するようになるので、
このような場合にはクロスオーバ以降には予備集束作用
が全く働かなくなり、ビームは発散したま)でメインレ
ンズ9に入射することになる。その結果、メインレンズ
におけるビームの径12が大きくなり過ぎて球面収差が
著しく強く現われるようになり、螢光面上のビームスポ
ット11を小さく維持することが不可能になる。本発明
は耐圧等に特別の配慮を必要とせずにクロスオーバ点の
空間電位を上昇せしめ、しかもクロスオーバ以降のビー
ムの拡がりを適当な量に制御し、大電流時における螢光
面上のビームスポットの品質を大巾に改善し得る電子銃
構造を提供するものである。
However, although this method can improve the quality of the crossover, it is difficult to ultimately improve the quality of the beam spot on the fluorescent surface due to the following drawbacks.
That is, a prefocus lens 13 is formed between the second grating 4 and the third grating 7, which has the role of controlling the spread of the beam diverging from the crossover to an appropriate size. If the grating 7 is brought close to the second grating 4, the position of the prefocus lens 13 will be narrowly limited to the vicinity of the hole 16 in the second grating. On the other hand, as described in detail in the example of Fig. 2, the crossover at the time of large current is located in the space that exits the hole 16 of the second grid, so
In such a case, the pre-focusing effect will not work at all after the crossover, and the beam will enter the main lens 9 while remaining divergent. As a result, the diameter 12 of the beam at the main lens becomes too large and spherical aberration appears significantly, making it impossible to keep the beam spot 11 on the fluorescent surface small. The present invention increases the space potential at the crossover point without requiring special considerations for withstand voltage, etc., and controls the spread of the beam after the crossover to an appropriate amount. The present invention provides an electron gun structure that can greatly improve spot quality.

第3図は本発明による電子銃構造におけるクロスオーバ
付近のビームの様子と軸上電位分布VO(Z)18を、
第2図の従来装置の場合に対応させて示したものである
。カソード面1,第1格子3、第2格子4から成る三極
部の構成は基本的には従来と同様である。本発明におい
ては従来装置における第3格子7を三つの部分に分割し
て特有の配置構成をなしたことを特徴とする。
FIG. 3 shows the state of the beam near the crossover and the axial potential distribution VO(Z)18 in the electron gun structure according to the present invention.
This diagram corresponds to the case of the conventional device shown in FIG. 2. The structure of the triode section consisting of the cathode surface 1, the first grating 3, and the second grating 4 is basically the same as the conventional one. The present invention is characterized in that the third grating 7 in the conventional device is divided into three parts to form a unique arrangement.

これらを第2格子4側よりそれぞれ第3−1格子19、
第3−2格子20、第3−3格子21と名付ける。これ
らのうち第3一3格子21はその右隣に配置される第4
格子8(第3図には不図示、第1図参照)との間にメイ
ンレンズを形成することにおいては従来構造の第3格子
と同様の働きをなす。従来の第3格子7と第2格子4は
これらの間に適当な強さのプリフオーカスレンズを形成
する必要から、2w!t〜3TwLの間隔で配置される
のに対し、本発明においては第3−1格子19と第2格
子4との間隔は0.5m!n〜1T1rm程度に小さく
し、又第3−2格子20は第3一3格子21と上記第3
−1格子とのほS゛中央に位置せしめる。第3−2格子
20および第3−3L格子21の穴径は2〜3顛φ程度
、第3−1格子の穴径は上記第3−2格子20および第
3−3格子21の穴径と第2格子4の穴径との中間の値
にすることが望ましい。そして第3−1格子19には第
3−3格子21の電位と同一かあるいはそれ・に近い電
位を与え、第3−2格子20にはそれらよりも低い電位
を与える。このようにすることによつて大電流時におけ
るクロスオーバ点6の軸上電位22は従来構造に比べて
3倍から4倍程度高く維持出来るようになり、この結果
、クロスオーフバ6の電流密度分布をシャープな分布に
なしてその実効径を著しく縮小することが可能となる。
更に、第3−2格子20に第3−1格子19および第3
−3格子21よりも低い電位を与えることによつて、ク
ロスオーバ以降の空間に効果的な集束レンズ23を形成
することが出来る。このためクロスオーバ6から発散し
て来る電子ビームはこの集束レンズ電界の作用によつて
その拡がり角が制御され、メインレンズには最適のビー
ム径をもつて入射出来るのでメインレンズで受ける球面
収差が軽減され、螢光面上に小さなビームスポットを形
成することが出来るようになる。尚、第3−2格子20
には集束レンズ23を形成するために第3−1格子19
および第3−3格子21よりも低電位が与えられるので
、この部分の軸上電位24は低下し空間電荷による反撥
効果を抑制する上から不利になるように思われるが、ク
ロスオーバ点と異なつてこの位置ではすでにビームが或
る程度拡がつて電流密度は小さくなつているので多少電
位が低くても空間電荷効果による悪影響は軽微である。
From the second grid 4 side, these are respectively 3-1 grid 19,
They are named the 3-2nd lattice 20 and the 3-3rd lattice 21. Of these, the 3rd-3rd lattice 21 is the 4th lattice placed to the right of it.
In forming a main lens between the grating 8 (not shown in FIG. 3, see FIG. 1), it functions similarly to the third grating of the conventional structure. The conventional third grating 7 and second grating 4 require 2w! because it is necessary to form a prefocus lens of appropriate strength between them. In contrast, in the present invention, the interval between the 3-1st grating 19 and the second grating 4 is 0.5 m! n~1T1rm, and the 3-2nd grating 20 is connected to the 3rd-3rd grating 21 and the above-mentioned 3rd
Position it at the center of S with the -1 grid. The hole diameter of the 3-2 lattice 20 and the 3-3L lattice 21 is about 2 to 3 mm diameter, and the hole diameter of the 3-1 lattice is the hole diameter of the 3-2 lattice 20 and the 3-3 lattice 21. It is desirable to set the value between the hole diameter of the second grid 4 and the hole diameter of the second lattice 4. Then, the 3-1 grid 19 is given a potential that is the same as or close to the potential of the 3-3 grid 21, and the 3-2 grid 20 is given a potential lower than that. By doing this, the on-axis potential 22 at the crossover point 6 during large currents can be maintained about 3 to 4 times higher than in the conventional structure, and as a result, the current density distribution at the crossover point 6 can be maintained. It becomes possible to achieve a sharp distribution and to significantly reduce the effective diameter.
Furthermore, the 3-1st lattice 19 and the 3rd 3-2nd lattice 20 are
By applying a potential lower than that of the -3 grating 21, an effective focusing lens 23 can be formed in the space after the crossover. Therefore, the divergence angle of the electron beam diverging from the crossover 6 is controlled by the action of the electric field of this focusing lens, and it can enter the main lens with an optimal beam diameter, thereby reducing the spherical aberration experienced by the main lens. It becomes possible to form a small beam spot on the fluorescent surface. In addition, the 3rd-2nd lattice 20
3-1 grating 19 to form a focusing lens 23.
Since a lower potential is applied than that of the 3-3rd grid 21, the axial potential 24 of this part decreases, which seems to be disadvantageous in terms of suppressing the repulsion effect due to space charges, but unlike the crossover point, At this position, the beam has already expanded to some extent and the current density has become small, so even if the potential is somewhat low, the adverse effects of the space charge effect are minor.

又、本発明にかかる電子銃構造においては、第3−1格
子19および第3−3格子21に印加する電位は10K
V以下に維持してもクロスオーバ点の空間電位を高める
上で十分に効果があるので、ネック管端のガラスステム
部には10K■以上の電位をかける必要がなく、管の設
計製作上および駆動回路製作上における耐圧上の諸制約
が特別に巌しくなることはないとともに、高価な材料を
特別に用いる必要もない。
Further, in the electron gun structure according to the present invention, the potential applied to the 3-1st grid 19 and the 3-3rd grid 21 is 10K.
Even if the voltage is maintained below V, it is sufficiently effective in increasing the space potential at the crossover point, so there is no need to apply a potential of 10 K or more to the glass stem at the end of the neck tube, and this reduces the need for tube design and manufacturing. Various restrictions regarding withstand voltage in manufacturing the drive circuit are not particularly severe, and there is no need to use special expensive materials.

第4図は本発明の実施例構成を概略的に示したものであ
る。
FIG. 4 schematically shows the configuration of an embodiment of the present invention.

そして、主要部の寸法と印加電位を次に示す。ここでカ
ソード、第1格子、第2格子から成る三極部および高圧
を印加する第4格子の形状、寸法は従来と同様である。
カソ−ドー第1格子間隔 0.1?第1格子
一第2格子〃 0.1Tn!1t第1格子
厚 0.05wt第2格子〃
0.1wm第1格子穴径
0.6?!第2格子〃
0.6鷹第2格子一第3−1格子間隔
0.5Tfun第3−1格子一第3−2格子間隔
0.8WIfL第3−2格子一第3−3格子間隔 0
.8w0n第3−3格子一第4格子間隔 1.2
TWE・第3−1格子板厚 0.27
wt第3−2格子〃 0.2Wf&
第3−3格子〃 0.20第3−3
格子円筒部長さ 257m第3−1格子穴
径 1.0mφ第3−2格子〃
2.『φ第3−3格子〃
2.0Wr!nφ第3−3格子円筒部直径
10mmφカソード電位 0V
第1格子〃 −120〜−20V第2
格子〃 500〜1000V第3−1
格子〃 5〜10KV第3−2格子〃
1〜5KV第3−3格子〃
5〜10KV第4格子〃 2
0〜30KVこの構造において得られる螢光面上の光ス
ポット径を従来と比較してみると100μAから500
pAの小電流においては従来並の値であるが、2000
μA〜3000pAの大電流においては従来の約70%
に減少し、著しい改善効果が認められた。
The dimensions of the main parts and the applied potential are shown below. Here, the shape and dimensions of the triode section consisting of the cathode, the first grating, and the second grating, and the fourth grating to which high voltage is applied are the same as in the prior art.
Cathode first lattice spacing 0.1? 1st lattice - 2nd lattice 0.1Tn! 1t 1st grating thickness 0.05wt 2nd grating
0.1wm first grid hole diameter
0.6? ! 2nd grid
0.6 hawk 2nd grid - 3rd - 1st grid spacing
0.5Tfun 3rd-1st lattice - 3rd-2nd lattice interval
0.8WIfL 3rd-2nd lattice - 3rd-3rd lattice interval 0
.. 8w0n 3rd-3rd lattice - 4th lattice interval 1.2
TWE・3rd-1 grid plate thickness 0.27
wt 3rd-2nd lattice 0.2Wf&
3-3 grid 0.20 3-3
Lattice cylinder length 257m 3rd-1st lattice hole diameter 1.0mφ 3rd-2nd lattice
2. ``φ3-3rd lattice〃
2.0Wr! nφ 3rd-3rd lattice cylindrical part diameter
10mmφ cathode potential 0V
1st grid -120~-20V 2nd
Lattice 500-1000V 3-1
Lattice 〃 5~10KV 3rd-2nd lattice〃
1~5KV 3rd-3rd grid
5-10KV 4th grid 2
0-30KV Comparing the diameter of the light spot on the fluorescent surface obtained with this structure with the conventional one, it is 100μA to 500μA.
At a small current of pA, the value is about the same as before, but 2000
Approximately 70% of conventional power at large currents of μA to 3000 pA
, and a significant improvement effect was observed.

第4図に示した基本構成を基に、より大きな効果を得る
ためにいくつかの変形構造を得ることができる。第5図
は第3−1格子19と第3−2格子20の間、および第
3−2格子20と第3−3格子21の間にそれぞれ新た
な格子電極25,26を加えたものであり、これら二つ
の格子電極を共通にして第3−1格子電位と第3−2格
子電位の中間の電位を与えることにより、第3−1格子
19から第3−3格子20間における集束レンズ電界を
より好ましい分布に修正することが可能てある。又、第
6図は第4図に示す電極構成の組立てを容易ならしめる
方法を示したものであり第3一1、第3−2、第3−3
格子19,20,21をセラミックあるいは結晶化ガラ
ス等の絶縁リング27を介在させ適当な接着性物質を用
いてあらかじめ一体化せしめ、第3−1格子19、第3
−3格子21は電気的に共通となし、第3−2格子20
には別に引出線を設けて別電位を印加出来るようになし
た構造を示すものである。この方法は第5図に示す構成
にも適用することが可能てある。以上のように本発明は
製作においても特別の配慮を必要とすることなく、クロ
スオーバ点の空間電位を上昇せしめ、ビームの拡がりを
適当な量に制御し、大電流時における螢光面上のビーム
スポットの品質を大巾に改善することができ、ブラウン
管の性能向上に大きく寄与するものである。
Based on the basic configuration shown in FIG. 4, several modified structures can be obtained to obtain greater effects. In FIG. 5, new grid electrodes 25 and 26 are added between the 3-1 grid 19 and the 3-2 grid 20, and between the 3-2 grid 20 and the 3-3 grid 21, respectively. By making these two grid electrodes common and giving an intermediate potential between the 3-1st grid potential and the 3-2nd grid potential, a focusing lens is formed between the 3-1st grid 19 and the 3-3rd grid 20. It is possible to modify the electric field to a more favorable distribution. Further, FIG. 6 shows a method for facilitating the assembly of the electrode configuration shown in FIG. 4.
The gratings 19, 20, and 21 are integrated in advance using an appropriate adhesive substance with an insulating ring 27 made of ceramic or crystallized glass interposed therebetween, and the 3-1 lattice 19 and the 3-3
-3 grid 21 is electrically common, 3-2 grid 20
This shows a structure in which a separate lead line is provided to enable application of a separate potential. This method can also be applied to the configuration shown in FIG. As described above, the present invention increases the space potential at the crossover point without requiring any special consideration in manufacturing, controls the beam spread to an appropriate amount, and increases the The quality of the beam spot can be greatly improved, and this will greatly contribute to improving the performance of cathode ray tubes.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は従来のブラウン管の要部概略的断面図、第2図
は従来のブラウン管のクロスオーバ附近の電子ビームを
示す拡大図と軸上電位分布を示す図、第3図は本発明に
かかる電子銃のクロスオーバ附近の電子ビームを示す拡
大図と軸上電位分布を示す図、第4図は本発明にかかる
電子銃の構造全体を示す概略的断面図、第5図は本発明
にかかる電子銃構造の他の例を示す概略的断面図、第6
図は本発明にかかる電子銃構造の他の例を示す概略的断
面図である。 1・・・・・・熱陰極、2・・・・・・電子ビーム、3
・・・・・・第1格子、4・・・・・・第2格子、18
・・・・・軸上電位分布、19・・・・・・第3−1格
子、20・・・・・・第3−2格子、21・・・・・第
3−3格子、22・・・・・・クロスオーバの軸上電位
、24・・・・・・プリフオーカスレンズの空間電位、
27・・・・・・絶縁リング。
Fig. 1 is a schematic cross-sectional view of the main parts of a conventional cathode ray tube, Fig. 2 is an enlarged view showing the electron beam near the crossover of the conventional cathode ray tube and a diagram showing the axial potential distribution, and Fig. 3 is a diagram according to the present invention. FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the entire structure of the electron gun according to the present invention, and FIG. 5 is a diagram showing the axial potential distribution in the vicinity of the crossover of the electron gun. Schematic sectional view showing another example of the electron gun structure, No. 6
The figure is a schematic cross-sectional view showing another example of the electron gun structure according to the present invention. 1... Hot cathode, 2... Electron beam, 3
...First grid, 4...Second grid, 18
...Axis potential distribution, 19...3-1st lattice, 20...3-2nd lattice, 21...3-3rd lattice, 22. ...Crossover axial potential, 24...Prefocus lens spatial potential,
27... Insulation ring.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 熱陰極、電子流制御用第1格子および電子流引出し
用第2格子からなる三極部に隣接して配置された集束レ
ンズ電界形成用電極が、少なくとも第3−1格子、第3
−2格子および第3−3格子からなり、上記第2格子側
に位置して第2格子電位よりも高い電位に保持される上
記第3−1格子は板状体からなり、第4格子側に位置し
て上記第4格子とともにメインレンズを形成する上記第
3−3格子は第3−1格子電位と略同一の電位に保持さ
れる円筒状体からなり、第3−1格子電位および第3−
3格子電位のいずれよりも低い電位に保持され上記第3
−1格子と上記第3−3格子との間に予備的集束レンズ
電界を形成する上記第3−2格子は板状体からなること
を特徴とするブラウン管。
1 A focusing lens electric field forming electrode disposed adjacent to the triode consisting of the hot cathode, the first grating for controlling electron flow, and the second grating for extracting electron flow is arranged at least at the 3-1st grating and the 3rd grating.
-2 lattice and 3-3 lattice, the 3-1 lattice located on the second lattice side and held at a potential higher than the second lattice potential is made of a plate-like body, The 3-3rd grating, which is located at and forms a main lens together with the 4th grating, is a cylindrical body held at approximately the same potential as the 3-1st lattice potential. 3-
The third lattice potential is held at a potential lower than any of the three lattice potentials.
A cathode ray tube, wherein the 3-2nd grating forming a preliminary focusing lens electric field between the 3-1st grating and the 3-3rd grating is made of a plate-shaped body.
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