JPS605110B2 - solid-state imaging device - Google Patents

solid-state imaging device

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JPS605110B2
JPS605110B2 JP54112878A JP11287879A JPS605110B2 JP S605110 B2 JPS605110 B2 JP S605110B2 JP 54112878 A JP54112878 A JP 54112878A JP 11287879 A JP11287879 A JP 11287879A JP S605110 B2 JPS605110 B2 JP S605110B2
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preamplifier
solid
imaging device
cutoff frequency
state imaging
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守司 泉田
俊之 秋山
健二 高橋
和弘 佐藤
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は岡体撮像装置に関し、特に2次元的に配列して
形成された受光素子からの信号がパルスにより開閉制御
されるMOS型スイッチング素子を介して次々と読み出
される園体撮像装置の信号処理回路の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an Oka body imaging device, and in particular, signals from light receiving elements formed in a two-dimensional array are successively read out via MOS type switching elements whose opening and closing are controlled by pulses. This invention relates to improvements in signal processing circuits for body imaging devices.

半導体基板上の垂直、水平の両方向に多数個(例えば5
00×40の固)の受光素子、例えばフオトダィオード
を形成し、各受光素子に蓄えられた電荷を垂直方向およ
び水平方向の各駆動パルスにより開閉制御されるMOS
型スイッチング素子を介して信号出力線に次々と読み出
すようにした固体撮像装置は、例えば本出願人が提案し
た特開昭54−37427号公報において公知である。
A large number (for example, 5
A MOS that forms a photodetector (for example, a photodiode) with a size of 00 x 40 and whose opening/closing is controlled by driving pulses in the vertical and horizontal directions and charges stored in each photodiode.
A solid-state imaging device in which signals are successively read out to a signal output line via a type switching element is known, for example, in Japanese Patent Laid-Open No. 54-37427, proposed by the present applicant.

この種の固体緑像装置では、各受光素子からの信号読み
出しの際に、各種のクロックパルスが浮遊容量を介して
信号出力線に漏れ、S/Nを劣化させるという問題があ
る。特に水平方向のMOS型スイッチング素子を駆動す
る約7MHZのサンプリング・クロックパルスは、信号
出力線に接続されるプリアンプに対して等価的に低イン
ピーダンス(数1000)の信号源として作用し、プリ
アンプの出力には上記クロックパルスに同期したノイズ
成分が光信号の1M音以上の大きさで現われる。このた
め、従来はプリアンプとしてダイナミックレンジが充分
に大きいアンプを使用し、プリアンプの後段にノイズ成
分除去のためのフィル夕を接続することにより光信号を
分離するようにしていた。また、固体撮像装置では受光
素子からの蓄積電荷の読み残しがあると、水平、垂直方
向の解像度が劣化するため、上記プリアンプは入力イン
ピーダンスが低く(数KQ以下)、且つ10MHZ付近
まで平坦な周波数特性をもつアンプが使用されてきた。
然るに上記条件を満足させるためには、特にダイナミッ
クレンジを大きくとる都合上、ブリアンプ用の電源が他
の駆動回路用電源よりも高い電圧値となり、装置の4・
型化、単一電源化の妨げとなつていた。従って本発明の
目的は、プリアンプのダイナミックレンジが狭くても受
光素子からの光信号読み出いこ支障のない園体撮像装置
用の信号処理回路を提供することにある。
This type of solid-state green image device has a problem in that various clock pulses leak to the signal output line via stray capacitance when reading signals from each light receiving element, degrading the S/N ratio. In particular, the approximately 7 MHz sampling clock pulse that drives the horizontal MOS type switching element acts as an equivalent low impedance (several 1000) signal source for the preamplifier connected to the signal output line, and the preamplifier output A noise component synchronized with the clock pulse appears with a magnitude of 1 M tones or more of the optical signal. For this reason, conventionally, an amplifier with a sufficiently large dynamic range is used as a preamplifier, and a filter for removing noise components is connected after the preamplifier to separate optical signals. In addition, in a solid-state imaging device, if the accumulated charge from the light receiving element remains unread, the resolution in the horizontal and vertical directions deteriorates. Amplifiers with special characteristics have been used.
However, in order to satisfy the above conditions, the power supply for the preamplifier must have a higher voltage value than the power supply for other drive circuits, especially in order to ensure a large dynamic range.
This was an obstacle to standardization and single power supply. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, an object of the present invention is to provide a signal processing circuit for a field imaging device that does not interfere with reading out an optical signal from a light receiving element even if the dynamic range of the preamplifier is narrow.

上記目的達成のために、本発明では、上記プリアンプが
出力信号をインピーダンス素子を介して入力側に帰還す
る帰還ループを備え、このプリアンプの周波数特性がビ
デオ帯域内にカットオフ周波数をする低域通過特性であ
り、上記帰還ループの周波数特性が上記プリアンプのカ
ットオフ周波数にはゞ一致したカットオフ周波数を有す
る高城通過特性であるようにした。
To achieve the above object, in the present invention, the preamplifier is provided with a feedback loop that returns the output signal to the input side via an impedance element, and the frequency characteristics of the preamplifier are low-pass such that the cutoff frequency is within the video band. The frequency characteristic of the feedback loop is a Takagi pass characteristic having a cutoff frequency that coincides with the cutoff frequency of the preamplifier.

以下、本発明の詳細を図面を参照して説明する。Hereinafter, details of the present invention will be explained with reference to the drawings.

第1図は固体撮像装置およびその信号処理回路の回路構
成図であり、説明の都合上、1個の光ダィオードーと、
このダイオードから光信号を読み出すのに必要なMOS
スイッチ3,6によって代表される簡略化した回路構成
を示す。
FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a solid-state imaging device and its signal processing circuit, and for convenience of explanation, one photodiode,
MOS required to read optical signals from this diode
A simplified circuit configuration represented by switches 3 and 6 is shown.

光ダイオード1には入射光量に比例した電流が流れ、こ
れによって寄生容量Coに信号電荷偽が蓄積される。
A current proportional to the amount of incident light flows through the photodiode 1, and a false signal charge is accumulated in the parasitic capacitance Co.

光ダイオード1の一端は、垂直シフトレジスタ2の出力
パルスにより制御されるMOSトランジスタ3と、水平
シフトレジスタ5によって制御されるMOSトランジス
タ6とを介して信号出力線7に接続されている。垂直シ
フトレジスタ2は1フィールド期間毎にクロツクパルス
を出力し、MOSトランジスタ3を導通させる。
One end of the photodiode 1 is connected to a signal output line 7 via a MOS transistor 3 controlled by an output pulse of a vertical shift register 2 and a MOS transistor 6 controlled by a horizontal shift register 5. Vertical shift register 2 outputs a clock pulse every one field period to turn on MOS transistor 3.

光ダイオード1の寄生容量Coに比較して垂直信号線4
の容量じ,は数10〜数100倍の大きさを持つため、
MOSトランジスタ3が導適すると信号電荷ね。の大部
分は容量C.に転送されることになる。この状態で水平
シフトレジスタ5からのサンプリング・クロツクパルス
(例えば7MHZ)によってMOSトランジスタ6が導
適すると、容量C,に蓄積された電荷は信号出力線7に
流れ出る。
Vertical signal line 4 compared to parasitic capacitance Co of photodiode 1
Since the capacity of is several tens to hundreds of times larger,
When MOS transistor 3 becomes conductive, it becomes a signal charge. Most of the capacity C. will be transferred to. In this state, when the MOS transistor 6 is made conductive by a sampling clock pulse (for example, 7 MHZ) from the horizontal shift register 5, the charge accumulated in the capacitor C flows out to the signal output line 7.

信号出力線7にはインピーダンスZfの帰還ループ8を
もつプリアンプ9が接続してあり、プリアンプ9の入力
段の寄生容量と固体撮像素子の出力容量の和をC2、入
力インピーダンスをZinとすると、垂直信号線4L汎
蜂の等価回路は第2図の如く表わされる。第2図でR,
は水平スイッチング用MOSトランジスタ6のON抵抗
を示し、容量C,からの信号電荷の読み出し時定数は容
量C,,C2と抵抗R.、インピーダンスZinによっ
て決まり、信号電荷に応じた電流がインピーダンスZ;
nで電圧に変換され、これがプリアンプのゲイン倍され
て出力される。
A preamplifier 9 with a feedback loop 8 of impedance Zf is connected to the signal output line 7. If the sum of the parasitic capacitance at the input stage of the preamplifier 9 and the output capacitance of the solid-state image sensor is C2, and the input impedance is Zin, then vertical The equivalent circuit of the signal line 4L is shown in FIG. In Figure 2, R,
represents the ON resistance of the horizontal switching MOS transistor 6, and the time constant for reading signal charges from the capacitor C is determined by the capacitor C, , C2 and the resistor R. , the current depending on the signal charge is determined by the impedance Zin;
It is converted into a voltage by n, and this is multiplied by the gain of the preamplifier and output.

上記容量C,,C2の電荷を残すことなく読み出すため
にはプリアンプの入力インピーダンスZinを充分に小
さく(例えばIKQ以下)にする必要がある。
In order to read out the charges in the capacitances C, C2 without leaving them, it is necessary to make the input impedance Zin of the preamplifier sufficiently small (for example, below IKQ).

Zinはプリアンプ9の開ループゲインをG(S)、(
但しS=jの)、帰還インピーダンスをZf(S)する
と、G(S)が1より充分に大きい値をもっとき、Zi
n=Zf(S)/G(S)となる。上記回路に対して水
平シフトレジスタ5からのクロックパルスは低インピー
ダンスの浮遊容量を介して漏れ込んでいるため、lZi
nlがIKQ前後の値であればZinの大きさに無関係
に、プリアンプの開ループゲインG(S)倍されたもの
が、出力端子1川こ表われる。
Zin is the open loop gain of preamplifier 9, G(S), (
However, when S=j) and the feedback impedance is Zf(S), G(S) takes a value sufficiently larger than 1, and Zi
n=Zf(S)/G(S). Since the clock pulse from the horizontal shift register 5 leaks into the above circuit through the low impedance stray capacitance, lZi
If nl has a value around IKQ, regardless of the magnitude of Zin, the open loop gain G(S) of the preamplifier is multiplied by one output terminal.

従って、出力端子10に現われる水平クロックパルス(
〜7MH2)成分を小さくするためには、この周波数成
分に対するプリアンプのゲインG(S)を小さくすれば
よい。例えばプリアンプのカットオフ周波数fcを3.
9MHZに設計すると、7MHZの水平クロツクパルス
成分は約1/2になり、fcを0・7MHZにすれば上
記7MH2成分に対するゲインが約1′10になり、プ
リアンプの所要ダイナミックレンジは狭くて済む。然る
に上述の如く低インピーダンスを介して出力回路に漏れ
込む水平クロックパルス成分を小さくするために単にプ
リアンプのカットオフ周波数を小さくしただけでは、以
下の如く信号電荷Qoの読み出しに悪影響がある。すな
わち、プリアンプの開ループゲインG(S)を ・ G(S)ニG。
Therefore, the horizontal clock pulse (
In order to reduce the ~7MH2) component, the gain G(S) of the preamplifier for this frequency component may be reduced. For example, set the cutoff frequency fc of the preamplifier to 3.
If designed for 9 MHZ, the horizontal clock pulse component of 7 MHZ will be reduced to about 1/2, and if fc is set to 0.7 MHZ, the gain for the 7 MH2 component will be about 1'10, and the required dynamic range of the preamplifier will be narrow. However, simply reducing the cutoff frequency of the preamplifier in order to reduce the horizontal clock pulse component leaking into the output circuit through the low impedance as described above will have an adverse effect on reading out the signal charge Qo as described below. That is, the open loop gain of the preamplifier G(S) is G(S)d.

・1十S/2中止(但しS=j■) とすると、プリアンプの入力インピーダンスZinはZ
in=島‐(1十S/2竹に) となるため、仮にZfが純抵抗成分だけであれば、入力
インピーダンスは抵抗成分(Zf/Go)とりアクタン
ス成分(Zf/Go・2中fc)とを備えたものとなり
、容量C2と上記りアクタンス成分との共振が生じ、信
号波形がリンギング状になり、信号が25仇s以上の時
間にわたり振動的に継続して存在するようになる。
・If 10S/2 is canceled (however, S=j■), the input impedance Zin of the preamplifier is Z
in = island - (10S/2 bamboo) Therefore, if Zf is only a pure resistance component, the input impedance is a resistance component (Zf/Go) and an actance component (Zf/Go・2 in fc) As a result, resonance occurs between the capacitance C2 and the above-mentioned actance component, the signal waveform becomes ringing, and the signal continues to exist in an oscillatory manner for a time of 25 seconds or more.

一方、水平スイッチング用MOSトランジスタ6の導適
期間は、固体撮像装置の水平絵素数つまり水平クロツク
パルス周波数により異なるが、水平クロックパルスが約
7MHZ(周期約14肌s)の場合には10肌s前後と
なり、前述の信号の存続時間に比べ著しく短い。このよ
うに水平スイッチングMOSトランジスタ6の導適期間
よりも容量C,,C2抵抗R,および入力インピーダン
スZinにより定まる時定数が大きくなると、水平スイ
ッチング用MOSトランジスタ6の導適している時間内
に信号電荷Qoを読み出すことができず、信号電荷の一
部が容量C,や容量C2に残り、隣接絵素の信号との混
合が生じ、解像度の劣化を引き起こす。この問題を解決
するため、本発明では、帰還ループのカットオフ周波数
をプリアンプのカットオフ周波数にほぼ一致させ、プリ
アンプの入力インピーダンスZinを純抵抗とする。
On the other hand, the conduction period of the horizontal switching MOS transistor 6 varies depending on the number of horizontal picture elements of the solid-state imaging device, that is, the horizontal clock pulse frequency, but when the horizontal clock pulse is about 7 MHZ (period: about 14 seconds), it is around 10 seconds. This is significantly shorter than the duration of the signal mentioned above. In this way, when the time constant determined by the capacitance C, C2 resistance R, and input impedance Zin is larger than the period during which the horizontal switching MOS transistor 6 is suitable for conduction, the signal charge is Qo cannot be read out, and a portion of the signal charge remains in the capacitor C and capacitor C2, causing mixing with signals of adjacent picture elements, resulting in deterioration of resolution. In order to solve this problem, in the present invention, the cutoff frequency of the feedback loop is made approximately equal to the cutoff frequency of the preamplifier, and the input impedance Zin of the preamplifier is made a pure resistance.

プリアンプの入力インピーダンスZinは、前述の式を
S;W〒i2竹fとして書き直せば、Zin=麦(・十
i号)……‘・’である。
The input impedance Zin of the preamplifier can be determined by rewriting the above-mentioned equation as S;W〒i2bamboof.

帰還ループのインピーダンスZfは、Zfが抵抗Rfと
容量Cfの並列接続で構成されているとすると、・ ちi布耳席…”‘3} となる。
The impedance Zf of the feedback loop is, assuming that Zf is composed of a parallel connection of a resistor Rf and a capacitor Cf, as follows.

したがって、このカットオフ周波数f,をプリアンプの
カットオフ周波数fcに一致させとすれば、(1}式の
入力インピーダンスZinはZin考岬‘51となり純
抵抗となる。この結果、容量C2との共振が生ずること
はなくなり、容量C.,C2における信号電荷の読み残
し‘ま僅かなものとなる。第3図は本発明の1実施例回
路を示し、固体撮像素子からの出力信号はFETIIの
ゲートに入力される。上記FETI Iのドレインは負
荷抵抗RL12を介して電源電圧Vccに接続され、負
荷抵抗12の端子電圧がアンプ13のプラス端子に入力
される。一方、上記アンプのマイナス入力端子には電池
14で示される基準電圧が入力され、アンプの出力は抵
抗Rf15を含む帰還ループを介してFETIIのゲー
トに帰還されている。上記負荷抵抗12には並列に容量
素子CL16が、また、帰還抵抗15には容量素子Cf
17が接続され、1〜1 fC=布瓦に‐2汀CfRr を満足するように各素子の定数が設定される。
Therefore, if this cutoff frequency f is made to match the cutoff frequency fc of the preamplifier, the input impedance Zin of equation (1) becomes Zinkomisaki'51 and becomes a pure resistance.As a result, resonance with the capacitance C2 will no longer occur, and there will be only a small amount of unread signal charge in the capacitors C. and C2. Fig. 3 shows a circuit according to an embodiment of the present invention, in which the output signal from the solid-state image sensor is connected to the gate of FET II. The drain of the FETI I is connected to the power supply voltage Vcc via the load resistor RL12, and the terminal voltage of the load resistor 12 is input to the positive terminal of the amplifier 13.On the other hand, the negative input terminal of the amplifier A reference voltage indicated by the battery 14 is inputted to the amplifier, and the output of the amplifier is fed back to the gate of FET II via a feedback loop including a resistor Rf15.A capacitive element CL16 is connected in parallel to the load resistor 12, and the feedback The resistor 15 includes a capacitive element Cf.
17 is connected, and the constants of each element are set so as to satisfy 1 to 1 fC=cloth tile and -2CfRr.

具体的な設計例としては、例えば7MHZの水平クロッ
クパルスに対応するノイズ出力成分を1/5に減少させ
るために、プリアンプのカットオフ周波数fcを1.4
MHZに選び、RL=IKQ,Cしご11比F,Rf=
500KO,Cf=0.23Fとする。尚、上記設計例
の如く、帰還回路の容量値Cfが極めて小さい場合、帰
還抵抗15に寄生する浮遊容量を容量素子17の全部あ
るいはその一部に代替させることが可能である。プリア
ンプ13の出力回路に接続された回路20は、プリアン
プ系での信号周波数特性の劣化を補正するための高城補
正回路であり、プリアンプのカットオフ周波数fcから
ビディ帯城の上限である約3.8MHZの周波数帯城に
おいてプリアンブの出力信号を増強補正する。
As a specific design example, in order to reduce the noise output component corresponding to a 7 MHZ horizontal clock pulse to 1/5, the cutoff frequency fc of the preamplifier is set to 1.4.
Select MHZ, RL=IKQ, C ladder 11 ratio F, Rf=
500KO, Cf=0.23F. In addition, when the capacitance value Cf of the feedback circuit is extremely small as in the above design example, it is possible to replace the parasitic stray capacitance of the feedback resistor 15 with all or part of the capacitive element 17. A circuit 20 connected to the output circuit of the preamplifier 13 is a Takagi correction circuit for correcting the deterioration of signal frequency characteristics in the preamplifier system, and is a Takagi correction circuit that adjusts the frequency from the cutoff frequency fc of the preamplifier to the upper limit of the bidi band, approximately 3. The preamble output signal is enhanced and corrected in the 8 MHz frequency band.

上記高城補正回路20の出力信号は、図示されない低域
フィルタ回路に入力され、これによって3.8MHZ以
上の/イズ成分がカットされる。以上述べたように、本
発明は、プリアンプのカットオフ周波数をビデオ帯域内
に設定することによって水平クロックパルスに同期した
ノイズを低減するとともに、帰還ループのカットオフ周
波数をプリアンプのカットオフ周波数とほぼ一致させる
ことにより信号電荷の読み残しを軽減した。
The output signal of the Takagi correction circuit 20 is input to a low-pass filter circuit (not shown), thereby cutting off noise components of 3.8 MHZ or higher. As described above, the present invention reduces noise synchronized with horizontal clock pulses by setting the cutoff frequency of the preamplifier within the video band, and also sets the cutoff frequency of the feedback loop to be approximately equal to the cutoff frequency of the preamplifier. By matching, unread signal charges are reduced.

本発明によれば、固体撮像素子の出力信号を処理するプ
リアンプとしてダイナミックレンジの狭いものを使用す
ることが可能となり、固体撮像装置の小型化、単一電源
化が可能となる。
According to the present invention, it is possible to use a preamplifier with a narrow dynamic range as a preamplifier that processes the output signal of a solid-state imaging device, and it is possible to downsize the solid-state imaging device and use a single power source.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は固体撮像装置の原理的な回路構成図、第2図は
上記第1図回路の要部等価回路図、第3図は本発明によ
る信号処理回路の1実施例を示す図である。 図において、1は受光素子、24垂直レジス夕、3,6
は光信号読み出し用のMOS型スイッチング素子、5は
垂平シフトレジスタ、9,13はプリアンプ、8,15
は帰還抵抗素子、12は負荷抵抗素子、16,17は容
量素子、20は周波数特性の高城補正回路を示す。 東ー図 第2図 第3図
FIG. 1 is a fundamental circuit configuration diagram of a solid-state imaging device, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the main part of the circuit shown in FIG. 1, and FIG. 3 is a diagram showing an embodiment of a signal processing circuit according to the present invention. . In the figure, 1 is a light receiving element, 24 is a vertical register, 3 and 6 are
is a MOS type switching element for optical signal readout, 5 is a vertical shift register, 9 and 13 are preamplifiers, and 8 and 15 are
12 is a feedback resistance element, 12 is a load resistance element, 16 and 17 are capacitance elements, and 20 is a frequency characteristic Takagi correction circuit. East map, Figure 2, Figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 水平、垂直方向に夫々複数個ずつ配列された受光素
子の信号を、パルスにより開閉制御されるMOS型スイ
ツチング素子を介して、プリアンプを含む信号処理回路
に読み出すようにした固体撮像装置において、上記プリ
アンプが出力信号をインピーダンス素子を介して入力側
に帰還する帰還ループを備え、上記プリアンプの周波数
特性がビデオ帯域内にカツトオフ周波数を有する低域通
過特性であり、上記帰還ループの周波数特性が上記プリ
アンプのカツトオフ周波数にほぼ一致したカツトオフ周
波数を有する高域通過特性であることを特徴とする固体
撮像装置。 2 前記信号処理回路が前記プリアンプの後段に前記カ
ツトオフ周波数より高い周波数領域の信号成分を増強す
るための補正回路を含むことを特徴とする特許請求の範
囲第1項記載の固体撮像装置。
[Claims] 1. Signals from a plurality of light receiving elements arranged in the horizontal and vertical directions are read out to a signal processing circuit including a preamplifier via a MOS type switching element whose opening and closing are controlled by pulses. In the solid-state imaging device, the preamplifier includes a feedback loop that returns an output signal to an input side via an impedance element, the frequency characteristic of the preamplifier is a low-pass characteristic having a cutoff frequency within a video band, and the feedback loop A solid-state imaging device characterized in that the frequency characteristic is a high-pass characteristic having a cutoff frequency that substantially matches the cutoff frequency of the preamplifier. 2. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein the signal processing circuit includes a correction circuit downstream of the preamplifier for enhancing signal components in a frequency range higher than the cutoff frequency.
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