JPS6049241B2 - Wafer scribe line detection device - Google Patents

Wafer scribe line detection device

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Publication number
JPS6049241B2
JPS6049241B2 JP54072998A JP7299879A JPS6049241B2 JP S6049241 B2 JPS6049241 B2 JP S6049241B2 JP 54072998 A JP54072998 A JP 54072998A JP 7299879 A JP7299879 A JP 7299879A JP S6049241 B2 JPS6049241 B2 JP S6049241B2
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JP
Japan
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scribe line
wafer
light
scattered light
signal
Prior art date
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Expired
Application number
JP54072998A
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Japanese (ja)
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JPS55166003A (en
Inventor
恭一 諏訪
喜和雄 中沢
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Nikon Corp
Original Assignee
Nippon Kogaku KK
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Publication date
Application filed by Nippon Kogaku KK filed Critical Nippon Kogaku KK
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Publication of JPS55166003A publication Critical patent/JPS55166003A/en
Publication of JPS6049241B2 publication Critical patent/JPS6049241B2/en
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、ウェハスクライブライン検出装置に係り、特
に検出光学系において方向性空間フィルタリングを行う
ことにより不用な信号を除去する装置に関するものであ
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a wafer scribe line detection device, and more particularly to a device that removes unnecessary signals by performing directional spatial filtering in a detection optical system.

ウェハスクライブライン位置を求めて、ウェハを各チッ
プに分断する装置(例えばウエハスクライバ)や各チッ
プの正常性をテストする装置(例えばウェハテスター)
に於て各チップの位置決めには、従来、1作業者が顕微
鏡やTV等で目視に頼つている。
A device that finds the wafer scribe line position and divides the wafer into each chip (e.g. wafer scriber) and a device that tests the normality of each chip (e.g. wafer tester)
Conventionally, one operator relies on visual observation using a microscope, TV, etc. to position each chip.

21C像をTVにて読取り、パターン解析している。The 21C image is read on a TV and the pattern is analyzed.

3アライメントマークを決めておいて、チップ位置を求
めている等の方法が行われている。
3 alignment marks are determined and the chip position is determined.

しかし、上記の方法はいずれも次のような欠点を各々が
有している。1 目視することにより、作業者間のばら
つきや作業時間のむらや非能率がある。
However, each of the above methods has the following drawbacks. 1. Visual inspection reveals variations among workers, uneven working hours, and inefficiency.

2 パターン解析のための装置は大がかりとなり高価で
ある。
2. Equipment for pattern analysis is large-scale and expensive.

3 アライメントマークは予め決めておく必要があり、
そのための工程もウェハ作成上に別に加えねばならなく
、繁雑であり、かつウェハの大きさや作業に制限をうけ
る恐れがある。
3 The alignment mark must be determined in advance.
The process for this must be added separately to the wafer preparation, which is complicated and may limit the size of the wafer and the work.

このような欠点のないスクライブライン位置検出装置と
して、本願出願人の先の出願になる特願昭53−143
271号に開示されたものはそよそ次のような原理と構
成からなる。
As a scribe line position detection device free from such drawbacks, the applicant's earlier patent application 1983-143 has been proposed.
The device disclosed in No. 271 consists of the following principles and configurations.

レーザ光(単色性及、強度の大きな光)等をシリンドリ
カルレンス系でウェハ上のスクライブライン付近に、ラ
インに平行になるように集光させる。そのビーム幅はス
クJライフライン幅と同程度に集光し、かつ、光路中の
振動子で集束ビームがウェハ上に正弦振動よる走査をす
るようにする。これを送先光学系とすると、受光光学系
は、散乱光のみ受光するような光学系とする。そうする
と一般にICの回路バター丁ンは、ビーム幅より小さい
ので、散乱や、回折を起し、散乱光受光光学系で受光さ
れるが、スクライブライン上にスポット光が来るときは
、スクライブラインはほぼスポットと幅が等しいか大き
いので入射光は、そのまま反射して光路をもどり、散乱
はわずかしか起きない。このことが本発明の成立を可能
にする根拠である。即ち、散乱光のみを受光し、信号と
して検出するとビームがスクライブラインを通るときの
み散乱光は小さい信号となる。この際ビームの振動中心
がスクライブライン中心と一致すると、正弦振動一周期
中にあられれる散乱光強度の極小点の時間間隔は等しく
なる。また、互の中心がずれていると、散乱光強度極小
点の時間間隔は差を生じる。散乱光を適切に得るには集
束スポットは点スポットより線スポットの方が都合がよ
い。何故ならばウェハスクライブラインは線であるから
である。この時間差を検出、計算するような電子回路を
構成する。光電素子で受光し、前置増幅器及びクリッピ
ング回路で波形整形された散乱光電流のピーク位置を微
分回路で求める。微分回路中でゲートパルスを発生させ
、交互に加減算カウンターにトリガーをかける。加減算
カウンターには、高速パルスが入力し、加減ゲートを交
互にかけると、時間差に相当したパルスが得られる。以
上の回路に、付加的な駆動回路をつけると、この回路は
、ウェハスクライブライン中心と振動中心のずれが、加
減算カウンターのカウント数として、得られる。また、
振動中心と、スクライブ中心のずれがわずかな量のとき
は、位置ずれと、パルス量との間には、線形(位置ずれ
と、パルス量は比例)の関係が成立し、ウェハステージ
に対するフィードバック量は差が大きなときに比べ正確
になり、迫い込み制御が楽になる利点がある。以上の光
学系及び、電子回路系で得られた信号を、ウェハステー
ジ系へフィードバックする。
Laser light (monochromatic, high-intensity light) or the like is focused near the scribe line on the wafer using a cylindrical lens system so as to be parallel to the line. The beam width is condensed to the same extent as the width of the disk life line, and the converged beam is made to scan the wafer by sinusoidal vibration using a vibrator in the optical path. If this is the destination optical system, the light receiving optical system is an optical system that receives only scattered light. Since the IC circuit pattern is generally smaller than the beam width, it causes scattering and diffraction and is received by the scattered light receiving optical system, but when the spot light falls on the scribe line, the scribe line is almost Since the width is equal to or larger than the spot, the incident light is directly reflected back along the optical path, and only a small amount of scattering occurs. This is the basis that enables the establishment of the present invention. That is, when only the scattered light is received and detected as a signal, the scattered light becomes a small signal only when the beam passes through the scribe line. At this time, when the vibration center of the beam coincides with the scribe line center, the time intervals of the minimum points of the scattered light intensity that occur during one period of sine vibration become equal. Furthermore, if the centers are shifted from each other, the time intervals between the minimum scattered light intensity points will differ. In order to properly obtain scattered light, it is more convenient to use a line spot as the focused spot than a point spot. This is because the wafer scribe line is a line. An electronic circuit is configured to detect and calculate this time difference. The peak position of the scattered light current received by the photoelectric element and waveform-shaped by the preamplifier and clipping circuit is determined by the differentiating circuit. Generate gate pulses in the differentiator circuit and alternately trigger the addition and subtraction counters. A high-speed pulse is input to the addition/subtraction counter, and when the addition/subtraction gate is applied alternately, a pulse corresponding to the time difference is obtained. When an additional drive circuit is added to the above circuit, this circuit can obtain the deviation between the center of the wafer scribe line and the center of vibration as the count number of the addition/subtraction counter. Also,
When the deviation between the vibration center and the scribe center is small, a linear relationship is established between the positional deviation and the pulse amount (positional deviation and pulse amount are proportional), and the amount of feedback to the wafer stage is is more accurate than when the difference is large, which has the advantage of making approach control easier. Signals obtained by the above optical system and electronic circuit system are fed back to the wafer stage system.

ウェハステージ機構は、電子回路部分より与えられた帰
還量、ウェハスクライブ中心が、ビーム振動中心に対し
て存在する位置ずれ方向とその量を受3ける。この帰還
量に従つて、ウェハステージを動かし、位置ずれが許容
値以内になるまで動作を反復する。以上のごとくのスク
ライブライン中心検出装置は種々の利点を有しているが
、スクライブライン4の個所からは散乱光がないことを
前提としている。
The wafer stage mechanism receives the amount of feedback given from the electronic circuit section, the direction and amount of positional deviation between the wafer scribe center and the beam vibration center. The wafer stage is moved according to this amount of feedback, and the operation is repeated until the positional deviation falls within the tolerance. Although the scribe line center detection device as described above has various advantages, it is based on the premise that there is no scattered light from the scribe line 4.

しかし、スクライブラインのなかには多段層形状や分離
しているものもあり、このようなスクライブラインにレ
ーザスポット光が当るとその段層、分離によつて散乱光
が生じてしまう。このためにスクライブラインの位置と
して散乱光を検出した信号の最小位置とすることができ
なくなるおそれがある。また、ITV等にホける画像処
理によるスクライブライン位置の認識においても、スク
ライブラインが上述のように複雑な形であると認識がや
つかいでその認識のためのソフトウェアに大きな負担が
かかつていた。従つて、本発明の目的は、多段、多層状
のスクライブラインからの散乱光を排除し、ICパター
ンからの散乱光のみを検出器において検出する装置を提
供することにある。
However, some scribe lines have a multi-layered shape or are separated, and when a laser spot light hits such a scribe line, scattered light is generated due to the layered layers and separation. For this reason, there is a possibility that the position of the scribe line cannot be set to the minimum position of the signal detected by the scattered light. Furthermore, when recognizing the scribe line position through image processing in ITV and the like, when the scribe line has a complicated shape as described above, it is difficult to recognize the position, and a large burden is placed on the software for the recognition. Therefore, an object of the present invention is to provide a device that eliminates scattered light from multi-stage, multi-layered scribe lines and detects only scattered light from an IC pattern on a detector.

本発明の原理は、多段、多層状のスクライブラインの段
層等はスクライブラインと一般的に平行jに走つており
、従つてスクライブラインからの散乱光はスクライブラ
インに直交する方向に大部分散乱されるという強い方向
性を有するが、ICパターンはランダムな形状のためほ
とんど全方向に散乱されるという性質に基づくものであ
る。
The principle of the present invention is that the layers of a multi-stage, multi-layered scribe line generally run parallel to the scribe line, and therefore most of the scattered light from the scribe line is scattered in a direction perpendicular to the scribe line. However, because the IC pattern has a random shape, it is scattered in almost all directions.

上記本発明の課題は上記原理に従つて、散乱光受光光学
系の入射瞳の付近にスクライブラインと直交する方向に
スクライブラインからの散乱光を遮光する空間フィルタ
ー(以下帯状遮光板)を挿入することにより解決された
。この楊合、帯状遮光板の幅はシリンドリカルレンスで
絞られたレーザスポットの長さにほS゛等しいが望まし
い。又、帯状遮光板は検出部がX,Y両方向兼用のとき
は900回転することができるものである。本発明にお
ける散乱光検出する電気的信号処理においては、散乱光
信号を適当な閥値でスライスしてパルスを発生させるも
のてある。以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。
The problem of the present invention is to insert a spatial filter (hereinafter referred to as a band-shaped light shielding plate) that blocks scattered light from the scribe line in a direction perpendicular to the scribe line near the entrance pupil of the scattered light receiving optical system in accordance with the above principle. It was resolved by this. In this case, it is desirable that the width of the band-shaped light-shielding plate be approximately equal to the length of the laser spot focused by the cylindrical lens. Further, the band-shaped light-shielding plate can rotate 900 times when the detection section is used for both the X and Y directions. In the electrical signal processing for detecting scattered light in the present invention, the scattered light signal is sliced at appropriate thresholds to generate pulses. Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図は、ICチップ上からの照射レーザ光の散乱の様
子を示す。
FIG. 1 shows how irradiated laser light is scattered from above an IC chip.

第1図1〜3においては段層等のないスクライブライン
の場合であり、ICパターンSはレーザ集束光Rの幅ω
つに小さい縦●横の交叉模様であるのでICパターン土
に照射された集束光は全方向に散乱するが、スクライブ
ラインの幅は集束光Rの幅ωより大きいのでスクライブ
ライン上に照射された集束光は散乱されない。従つて、
散乱光信号は第1図3のごとくスクライブライン上に集
束光がきた時最小値になる。第1図4〜8は段層D等が
スクライブラインLの方向に走つている場合であり、集
束光RがスクライブラインL上に照射された時その段層
Dによつて散乱光D.Fが生ずる。従つて第1図6のご
とく散乱光信号はスクライブラインL上において6aの
ようなピークを有する。本発明においては、この段層等
からの散乱光D.Fをその散乱光の方向性を利用して空
間フィルタ(帯状遮光板)て除去するものである。
1 to 3 show the case of a scribe line without stepped layers, etc., and the IC pattern S is the width ω of the laser focused light R.
Since it is a small vertical and horizontal cross pattern, the focused light irradiated on the IC pattern soil is scattered in all directions, but since the width of the scribe line is larger than the width ω of the focused light R, it is irradiated onto the scribe line. Focused light is not scattered. Therefore,
The scattered light signal reaches its minimum value when the focused light comes on the scribe line as shown in FIG. 1. 1. FIGS. 4 to 8 show the case where the step layer D etc. runs in the direction of the scribe line L, and when the focused light R is irradiated onto the scribe line L, the step layer D causes the scattered light D. F occurs. Therefore, as shown in FIG. 1, the scattered light signal has a peak 6a on the scribe line L. In the present invention, scattered light D. F is removed using a spatial filter (band-shaped light-shielding plate) using the directionality of its scattered light.

第1図7ては段層D等からの散乱光D.Fを除去した信
号であり、所定の閾値レベルでスライスして得られ−た
ゲート信号が第1図8に示されいる。前述のごとく段層
Dはスクライブラインの方向に走つており、段層Dによ
る散乱究D.Fはその段層Dの方向即ちスクライブライ
ンの走ついる方向に直交する方向に大部分が反射される
。これはICパターンSから全方向に反射される散乱光
と異なる性質を有している。従つて、スクライブライン
の方向と直交する散乱光D.Fのみをカットすることに
よりICパターンSからの散乱光信号は生ずるがスクラ
イブラインからの段層による散乱光信号は除か.れる。
第2図は、本発明の遮光帯を散乱光集光系に挿入した実
施例を示す。
FIG. 17 shows the scattered light D. from the step layer D, etc. A gate signal obtained by slicing at a predetermined threshold level, which is a signal with F removed, is shown in FIG. As mentioned above, the stepped layer D runs in the direction of the scribe line, and the scattering D. Most of F is reflected in the direction of the stepped layer D, that is, in the direction perpendicular to the direction in which the scribe line runs. This has different properties from the scattered light reflected in all directions from the IC pattern S. Therefore, the scattered light D. is perpendicular to the direction of the scribe line. By cutting only F, the scattered light signal from the IC pattern S is generated, but the scattered light signal from the scribe line due to the step layer is excluded. It will be done.
FIG. 2 shows an embodiment in which the light-shielding band of the present invention is inserted into a scattered light condensing system.

ウェハ26上にX,y方向にスクライブラインLが走つ
ており、スクライブラインと平行に段層D等がある場合
である。ここではx方向に走つているスクライブライン
Lについて説明する。ウェハ26上を照射する集束光2
0は、y方向に振動されておりy方向の幅ω、X方向の
長さ1のスポットの集束光であり、例えば幅ωは20〜
30pm1長さlは1〜数圏程度である。ウェハ26か
らの散乱光のみがドーナツ型レンズ22を介してドーナ
ツ型ミラー21により反射され集光レンズ23で集光さ
れて受光器25に入射され散乱光信号を発生させる。X
方向に走る段層Dによる散乱光の大部分はy方向に生ず
るから集光レンズ24のy方向に帯状の遮光板26を設
ければX方向段層Dからの散乱光の大部分を除去するこ
とができる。この帯状遮光板26の幅は集束光20のス
ポットの長さ1に対応するものである。一方、ICパタ
ーンからの散乱光は全方向性を有するから、ICパター
ンからの散乱光の一部しか遮光板24て除去されす大部
分は受光器25に入射して散乱光信号を発生させること
ができる。y方向に走るスクライブラインに関して集束
光20の振動方向を90イ回転し遮光板24はそれに従
い90動回転させる。勿論、x方向、y方向別々に光学
系を設けてもよい。図3は本発明の実施例における光学
系の全体の構成を示す。1はレーザ、2はビーム拡大系
、3はシンドリカルレンズ、4は全反射ミラーで振動子
、5はビームスプリッター、6はインターロック、7は
イメージローテーター、8はビームスプリッター、9は
ドーナツ型ミラー、10はドーナツ型集光レンズ、11
は結像レンズ、12は受光素子、及び13は全反射ミラ
ー、14と15は遮光板てある。
This is a case where a scribe line L runs in the X and y directions on the wafer 26, and there are stepped layers D, etc. parallel to the scribe line. Here, the scribe line L running in the x direction will be explained. Focused light 2 irradiating onto the wafer 26
0 is a focused light beam that is vibrated in the y direction and has a width ω in the y direction and a length 1 in the X direction, for example, the width ω is 20 to
The length l of 30 pm is about 1 to several degrees. Only the scattered light from the wafer 26 is reflected by the donut-shaped mirror 21 via the donut-shaped lens 22, condensed by the condensing lens 23, and incident on the light receiver 25 to generate a scattered light signal. X
Since most of the light scattered by the stepped layer D running in the direction occurs in the y direction, if a band-shaped light shielding plate 26 is provided in the y direction of the condenser lens 24, most of the scattered light from the stepped layer D in the X direction is removed. be able to. The width of this band-shaped light shielding plate 26 corresponds to the length 1 of the spot of the focused light 20. On the other hand, since the scattered light from the IC pattern has omnidirectionality, only a part of the scattered light from the IC pattern is removed by the light shielding plate 24, while the majority enters the light receiver 25 and generates a scattered light signal. I can do it. The vibration direction of the focused light 20 is rotated by 90 degrees with respect to the scribe line running in the y direction, and the light shielding plate 24 is rotated by 90 degrees accordingly. Of course, optical systems may be provided separately in the x direction and the y direction. FIG. 3 shows the overall configuration of an optical system in an embodiment of the present invention. 1 is a laser, 2 is a beam expansion system, 3 is a sindrical lens, 4 is a total reflection mirror and an oscillator, 5 is a beam splitter, 6 is an interlock, 7 is an image rotator, 8 is a beam splitter, 9 is a donut shaped mirror , 10 is a donut-shaped condenser lens, 11
1 is an imaging lens, 12 is a light receiving element, 13 is a total reflection mirror, and 14 and 15 are light shielding plates.

レーザ1からの光はビーム拡大系2で径が拡大され、シ
ンドリカルレンズ3に入る。
The diameter of the light from the laser 1 is expanded by a beam expansion system 2 and enters a cylindrical lens 3.

ここで、ビームはウェハ上のx又はyの一方向で収束す
るようなパワーを受ける。振動子4で反射し、ハーフミ
ラー5で、2光束に分れる。イメージローテータ7に進
む光束は、他の光束と比較して900方向が変る。イン
ターロック6を切変えることにより、2光束の選択を行
い、ウェハ上で、X方向又はy方向の計測を行うかを決
める。ビームスプリッター8はハーフミラー5で分離し
た2光束を合致させるものであるが、ビームスプリッタ
ー8面上には、測定中は1光束しか入つてこないのは勿
論である。即ち、5−13−8の系路をX方向とすると
5−7−8の系路はy方向に対応する。測定はいずれか
一方について個々に行う。ビームは全反射ミラー13に
て方向を変え、ドーナツ型集光レンズ9とドーナツ型ミ
ラー10の中心を通り、直接ウェハ面に入射する。ウェ
ハ上で収束方向のビーム幅ωは、シンドリカルレンズの
所謂N.A.によつて決り、スクライブライン幅より狭
い方が望ましい。具体的には20〜40pm前後が必要
である。またビームの非収束方向の長さIは1T0t〜
数噸でよい。更に振動振幅に関しては、光学系と、ウェ
ハのオフセットを考慮すると大きい方が望ましく、測定
精度から制限がつくが振幅1朗前後は、十分にとれる。
ビーム振動中、スクライブライン上からは全反射光、パ
ターン面上からは散乱光が起るが、受光レンズとして、
ドーナツ型レンズ10を用いているため、散乱光のみし
か受光されない。
Here, the beam receives power such that it converges in one direction, x or y, on the wafer. It is reflected by the vibrator 4 and split into two beams by the half mirror 5. The direction of the light beam traveling to the image rotator 7 changes by 900 compared to other light beams. By switching the interlock 6, two light beams are selected and it is determined whether to perform measurement in the X direction or the Y direction on the wafer. The beam splitter 8 matches the two beams separated by the half mirror 5, but of course only one beam enters the surface of the beam splitter 8 during measurement. That is, if the path 5-13-8 is defined as the X direction, the path 5-7-8 corresponds to the y direction. Measurements are made individually for either one. The beam changes its direction at the total reflection mirror 13, passes through the center of the donut-shaped condenser lens 9 and the donut-shaped mirror 10, and is directly incident on the wafer surface. The beam width ω in the converging direction on the wafer is determined by the so-called N. A. It depends on the width of the scribe line and is preferably narrower than the scribe line width. Specifically, around 20 to 40 pm is required. Also, the length I of the beam in the non-convergence direction is 1T0t~
A few words are enough. Further, regarding the vibration amplitude, it is desirable that the vibration amplitude be larger in consideration of the optical system and the offset of the wafer, and although there is a limit due to the measurement accuracy, an amplitude of around 1.5 liters is sufficient.
During beam vibration, total reflection light occurs from the scribe line and scattered light occurs from the pattern surface, but as a light receiving lens,
Since the donut-shaped lens 10 is used, only scattered light is received.

散乱光はドーナツ型をした全反射ミラー9を介して結像
レンズ11を通り、受光素子12に集光する。前述のご
とく、スクライブラインに段層等がある場合そこからの
散乱光あるがそれは遮光帯14,15によつて遮ぎられ
ている。第4図は、散乱光信号を用いてスクライブライ
ン位置決めするための電気的波形処理の様子を示す。
The scattered light passes through a donut-shaped total reflection mirror 9, an imaging lens 11, and is focused on a light receiving element 12. As mentioned above, if there is a stepped layer or the like in the scribe line, there will be scattered light from it, but this is blocked by the light shielding bands 14 and 15. FIG. 4 shows the electrical waveform processing for positioning the scribe line using the scattered light signal.

第4図1はスクライブライン中心と振動集束光ビーム2
0の中心がずれているときのビーム中心の軌跡を示す。
破線40はスクライブ中心、実線41は集束ビームのウ
ェハ上の軌跡を示す。第4図−2は参照用ゲートCOs
ine波形を示す。第4図−3は受光素子12からの散
乱光信号と、スライスレベル信号42を同時に観察した
状態である。第4図−4は参照ゲート信号出力で、CO
sine波形の3ノ2周期に相当する。第4図−5は第
4図一3によりスライスされた期間のパルスである。第
4図−6は検出パルス出力で第3図−5のパルスの立上
りで第1の検出パルス43、第2の検出パルス44及び
第3の検出パルス45を発生している。第4図−7及び
第4図−8は第1の制御ゲート信号46と第・2の制御
ゲート信号47て第4図−6の検出パルス間隔に相当す
る。第4図−9はクロック信号31のクロック出力であ
る。以下第4図の信号波形について説明する。第3図−
1に示すのはスクライブライン中心と、ビーム振動中心
が異なる場合であるが、このとき散乱,光信号は第3図
−3に示す如く、スクライブ線上をビームが横切るとき
(即ち、点線40と実線41の交点)極小値をとる。こ
の極小値は、通常は鋭いピークをもつが段差のあるスク
ライブラインでは、帯状遮光板によるこ波形整形で図1
−gのようにピークが平滑化される。
Figure 4 1 shows the center of the scribe line and the oscillating focused light beam 2
This shows the locus of the beam center when the center of zero is shifted.
A broken line 40 indicates the center of the scribe, and a solid line 41 indicates the locus of the focused beam on the wafer. Figure 4-2 is the reference gate COs.
ine waveform is shown. FIG. 4-3 shows a state in which the scattered light signal from the light receiving element 12 and the slice level signal 42 are observed simultaneously. Figure 4-4 is the reference gate signal output, CO
This corresponds to 2 cycles of 3 of the sine waveform. FIG. 4-5 shows pulses of the period sliced according to FIG. 4-13. FIG. 4-6 shows the detection pulse output, and a first detection pulse 43, a second detection pulse 44, and a third detection pulse 45 are generated at the rising edge of the pulse shown in FIG. 3-5. 4-7 and 4-8 correspond to the detection pulse interval of the first control gate signal 46 and the second control gate signal 47 of FIG. 4-6. FIG. 4-9 shows the clock output of the clock signal 31. The signal waveform shown in FIG. 4 will be explained below. Figure 3-
1 shows the case where the center of the scribe line and the center of beam vibration are different. In this case, the scattering and optical signals are as shown in FIG. 41 intersection) takes the minimum value. This minimum value usually has a sharp peak, but in a scribe line with steps, the waveform can be shaped by a band-shaped light shielding plate as shown in Figure 1.
- Peaks are smoothed as in g.

従々、ピークを検出することは適当でないので散乱光信
号はスライスレベルで切ることとする。第4図−5て整
形された信号は、第4図−6のようにパルスに変換され
、制御ゲート用信号が3それぞれ第4図−7,8のよう
に作られる。第4図−9は高速クロックで加減算カウン
ターの入力である。第4図−4に示すように参照用ゲー
トパルスはビーム振動周期の312倍である。この期間
中に必ず散乱光強度は三度小さくなり、第1の制御ゲー
ト信号46であるUP用カウンターゲート信号と第2の
制御ゲート信号47であるDOWN用カウンターゲート
信号が対応して必ず出力されることとなる。このUP信
号、DOWN信号は、加減算カウンター入力ゲート制御
回路で、入力の順序を参照用ゲートパルス信号と同期が
取られている。
Therefore, since it is not appropriate to detect the peak, the scattered light signal is cut at the slice level. The signal shaped as shown in FIG. 4-5 is converted into a pulse as shown in FIG. 4-6, and three control gate signals are generated as shown in FIG. 4-7 and 8, respectively. FIG. 4-9 is a high-speed clock and is the input of the addition/subtraction counter. As shown in FIG. 4-4, the reference gate pulse is 312 times the beam vibration period. During this period, the scattered light intensity always decreases by three times, and the counter gate signal for UP, which is the first control gate signal 46, and the counter gate signal for DOWN, which is the second control gate signal 47, are always output in correspondence. The Rukoto. These UP and DOWN signals are input in an addition/subtraction counter input gate control circuit, and the input order is synchronized with the reference gate pulse signal.

そして加)減算カウンター出力はレーザビーム振動中心
とスクライブラインとのずれを示している。例えば、R
Cメーターやミニコンやマイクロプロセッサーの入力端
子と結合して、出力の平滑化や、積算が行われ、フィー
ドバック系の信号に用いられる。以上のように本発明よ
れば、散乱光の空間的特性に留意し、特定の方向の散乱
光のみ除去する遮光帯であるから、複雑な電気信号処理
や情報処理を行うことなく、目的の信号を検出出来る。
スクライブラインからの散乱光はそれに直角の方向にの
み出てくるという極めて特徴的な性質を巧みに利用する
ことで従来の検出に於ては困難な点を解決出来る利点が
ある。本発明のスクライブライン検出装置は、ウエハプ
ローバ、ウエハスクライバ等ウェハアライメントが要求
されるIC測定機及び製造機の自動位置検出部分に広く
利用出来るものである。
The addition/subtraction counter output indicates the deviation between the laser beam vibration center and the scribe line. For example, R
It is connected to the input terminal of a C meter, minicomputer, or microprocessor to smooth the output, integrate it, and use it as a feedback signal. As described above, according to the present invention, the spatial characteristics of scattered light are taken into consideration, and since the light-shielding zone removes only scattered light in a specific direction, the target signal can be detected without complex electrical signal processing or information processing. can be detected.
By skillfully utilizing the extremely characteristic property that scattered light from a scribe line only emerges in a direction perpendicular to the scribe line, it has the advantage of being able to solve problems that are difficult in conventional detection. The scribe line detection device of the present invention can be widely used in automatic position detection parts of IC measuring machines and manufacturing machines such as wafer probers and wafer scribers that require wafer alignment.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は、ICパターン及びスクライブラインから散乱
される集束光の様子を示す図、第2図は本発明に従い散
乱光集光系に挿入された遮光帯を示す図、第3図は本発
明の光学系の全体図、及び第4図は本発明における信号
処理の波形を示す図である。 主要部分の符号の説明、受光光学系・・・・・・21,
22,23,25(第2図)、9,10,11,12(
第3図)、遮光板・・・・・・24(第2図)、14,
15(第3図)。
FIG. 1 is a diagram showing the state of focused light scattered from an IC pattern and a scribe line, FIG. 2 is a diagram showing a light-shielding band inserted into a scattered light collection system according to the present invention, and FIG. 3 is a diagram showing the present invention. FIG. 4 is an overall view of the optical system and a diagram showing waveforms of signal processing in the present invention. Explanation of symbols of main parts, light receiving optical system...21,
22, 23, 25 (Figure 2), 9, 10, 11, 12 (
(Fig. 3), light shielding plate...24 (Fig. 2), 14,
15 (Figure 3).

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 半導体集積回路ウェハ上に所定の振動周期の集束光
を照射して走査する送光光学系、該ウェハ上からの前記
集束光の散乱光のみを受光する受光光学系、及び該受光
した散乱光を電気的信号に変換し、該信号の最小値をウ
ェハスクライブライン位置からの散乱光信号として検出
し、該検出された最小値からウェハ上に照射されている
前記集束光の走査中心とウェハスクライブラインとの位
置ずれを計測する回路とからなるウェハスクライブライ
ン検出装置において;前記ウェハからの散乱光のみを受
光する光学系の入射瞳付近の位置にスクライブラインの
走つている方向に直交する方向への散乱光を遮断する帯
状遮光板を設置することを特徴とするウェハスクライブ
ライン検出装置。
1. A light transmitting optical system that irradiates and scans a semiconductor integrated circuit wafer with focused light having a predetermined vibration cycle, a light receiving optical system that receives only scattered light of the focused light from above the wafer, and the received scattered light. is converted into an electrical signal, the minimum value of the signal is detected as a scattered light signal from the wafer scribe line position, and the detected minimum value determines the scanning center of the focused light irradiated onto the wafer and the wafer scribe line. In a wafer scribe line detection device comprising a circuit that measures positional deviation from the wafer line; in a direction perpendicular to the direction in which the scribe line runs at a position near the entrance pupil of an optical system that receives only scattered light from the wafer. A wafer scribe line detection device characterized by installing a band-shaped light shielding plate that blocks scattered light.
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