JPS6048518A - Heater temperature control circuit for air fuel ratio sensor - Google Patents

Heater temperature control circuit for air fuel ratio sensor

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JPS6048518A
JPS6048518A JP58154206A JP15420683A JPS6048518A JP S6048518 A JPS6048518 A JP S6048518A JP 58154206 A JP58154206 A JP 58154206A JP 15420683 A JP15420683 A JP 15420683A JP S6048518 A JPS6048518 A JP S6048518A
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JP
Japan
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heater
voltage
temperature
power
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JP58154206A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Miki
三木 政之
Shinichi Sakamoto
伸一 坂本
Kiyomitsu Suzuki
清光 鈴木
Takao Sasayama
隆生 笹山
Toshitaka Suzuki
敏孝 鈴木
Nobuo Sato
信夫 佐藤
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05DSYSTEMS FOR CONTROLLING OR REGULATING NON-ELECTRIC VARIABLES
    • G05D23/00Control of temperature
    • G05D23/19Control of temperature characterised by the use of electric means
    • G05D23/20Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature
    • G05D23/24Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. a thermistor
    • G05D23/2401Control of temperature characterised by the use of electric means with sensing elements having variation of electric or magnetic properties with change of temperature the sensing element having a resistance varying with temperature, e.g. a thermistor using a heating element as a sensing element

Abstract

PURPOSE:To prevent the generation of a rush current by raising a reference voltage according to a prescribed time constant when a power source is turned on. CONSTITUTION:A heater 4 and resistance 11-13 form a bridge circuit, and a power transistor (TR) 10 is controlled with the output of a differential amplifier 14 to control the heater 4 to fixed temperature. In this case, resistances 17-19, a capacitor 20, and a diode 21 are provided centering on a TR16 for control, and the rush current in power-on operation, etc., is suppressed. When a voltage is applied to a power source terminal 15, the capacitor 20 begins to be charged with a time constant tau determined by a resistance 19, and the base voltage of the TR16 varies following up it. This variation is transmitted to a differential amplifier 14, whose reference voltage is raised according to the time constant tau. Consequently, the current flowing to the heater 4 through the TR10 also increases from zero after the power-on operation according to the time constant tau.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、自動車用ガンリンエンジンの制御に用いられ
る空燃比センサの温度制御回路に係り、特に厚膜プロセ
スによるヒータを備えた空燃比センサに適したヒータの
温度制御回路に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a temperature control circuit for an air-fuel ratio sensor used to control an automobile Ganlin engine, and particularly relates to an air-fuel ratio sensor equipped with a heater using a thick film process. Concerning a suitable heater temperature control circuit.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

自動車用エンジンは、排ガス規制が厳しく、そのため混
合気中の空気量に対する燃料量の比、いわゆる空燃比を
常に適正に制御した状態での運転を要する。
Automotive engines are subject to strict exhaust gas regulations, and therefore must be operated in a state where the ratio of the amount of fuel to the amount of air in the air-fuel mixture, the so-called air-fuel ratio, is always appropriately controlled.

このため、琲ガスの成分を検出し、これに応じて混合気
の空燃比を制御するようKした空燃比フィードバック制
御が広く用いられるようになってきた。
For this reason, air-fuel ratio feedback control has come to be widely used in which the components of the gas are detected and the air-fuel ratio of the air-fuel mixture is controlled accordingly.

、ところで、このような空燃比フィードバック制御のた
めに必要な空燃比センサとしては、従来から、理論空燃
比付近でステップ状の検出信号を与えるセンサ、いわゆ
る02センサが主として使用されていたが、近年、空燃
比のり一ン領域で酸素濃度にほぼ比例した検出(,4号
が得られる空燃比センサ、いわゆるリーンセン丈が用い
られるようになりできた。
By the way, as an air-fuel ratio sensor necessary for such air-fuel ratio feedback control, a so-called 02 sensor, which gives a step-like detection signal near the stoichiometric air-fuel ratio, has traditionally been mainly used, but in recent years The air-fuel ratio sensor, the so-called Lienssen height, has come to be used, which allows detection approximately proportional to the oxygen concentration in the air-fuel ratio range (No. 4).

そして、このようなリーンセ/すにも種々の方式のもの
が提案されているが、現在までのところ、〜・ずれの方
式のものにおいても、センサ特性に大きな温度依存性が
あり、特にかなり高温度に達するまではセンサ機能が発
揮されないという性質があるため、使用に際しては一定
の高温度に保つ必要があり、実用−ヒからは加熱用のヒ
ータが不可欠である。
Various types of lean sensors have been proposed, but to date, even in the lean sensors, the sensor characteristics have a large temperature dependence, and in particular, the sensor characteristics are highly dependent on temperature. Since the sensor function does not function until the sensor reaches a certain temperature, it is necessary to maintain the sensor at a constant high temperature during use, and a heater is essential for practical use.

このようなリーンセンサの一例を第1図に示す。An example of such a lean sensor is shown in FIG.

この第1図に示したセンナは、単孔拡散方式と呼ばれる
もので、主として厚膜プロセスにより製作され、図にお
いて、1はジルコニア固体′[K Nl質からなる本体
、2,3は白金′電極、4はヒータ、5はセラミックな
どによる絶縁層、6は拡散孔、7は拡散室である。
The senna shown in Fig. 1 is of the single-hole diffusion method and is manufactured mainly by a thick film process. , 4 is a heater, 5 is an insulating layer made of ceramic or the like, 6 is a diffusion hole, and 7 is a diffusion chamber.

本体1を700℃以上の高温に保ち、白金電極2と3の
間に所定の極性の直流電圧を加えると、拡散室7内の酸
素が白金電極2でイオン化され、これが電極2と3の間
の電界によって本体1の中を移動し、白金電極3にまで
移送され、ここで中性化されて外部に放出される。これ
は、いわゆる酸素ポンプ現象と呼ばれ、この結果、拡散
室7内の酸素濃度は時間と共に減少してゆ(。
When main body 1 is kept at a high temperature of 700°C or higher and a DC voltage of a predetermined polarity is applied between platinum electrodes 2 and 3, oxygen in diffusion chamber 7 is ionized by platinum electrode 2, and this ionizes between electrodes 2 and 3. The electric field causes the metal to move through the main body 1 and be transferred to the platinum electrode 3, where it is neutralized and released to the outside. This is called the so-called oxygen pump phenomenon, and as a result, the oxygen concentration within the diffusion chamber 7 decreases over time.

そこで、このセンサ全体を、酸素濃度を測定すべぎ排ガ
ス中にさらしてやれば、記者ポンプ現象により拡散室7
内の竣工(−濃度が低下する知つれて拡散孔6から排ガ
ス中の酸素が拡散室7の中に拡散してくる。
Therefore, if this entire sensor is exposed to the exhaust gas to measure the oxygen concentration, the reporter pump phenomenon will cause the diffusion chamber 7 to
After the completion of construction in the exhaust gas (- concentration decreases), oxygen in the exhaust gas diffuses into the diffusion chamber 7 from the diffusion hole 6.

一方、このとき、白金電極2,30間を流れる電流は、
拡散室7から供給される酸素イオンの量に対応する。
On the other hand, at this time, the current flowing between the platinum electrodes 2 and 30 is
It corresponds to the amount of oxygen ions supplied from the diffusion chamber 7.

従って、酸素ポンプ現象によって拡散室7から外部に運
ばれる酸素の−m(と、拡散孔6を通って排ガス中から
拡散室7円に供給される酸素の量が平衝した状態で白金
冠面2,3間を流れる電流が決まり、このとき、拡散孔
60条件は一定なので、排ガス中から拡散室7の中に単
位時間当り供給される酸素の量は排ガスqコの酸素濃度
で決まるから、結局、白金rに極2,3間の電流によっ
て排ガス中の酸素濃度を検出することができるのである
Therefore, when the amount of oxygen carried to the outside from the diffusion chamber 7 by the oxygen pump phenomenon is balanced with the amount of oxygen supplied from the exhaust gas to the diffusion chamber 7 through the diffusion hole 6, the platinum cap surface The current flowing between 2 and 3 is determined, and at this time, the conditions of the diffusion hole 60 are constant, so the amount of oxygen supplied from the exhaust gas into the diffusion chamber 7 per unit time is determined by the oxygen concentration of q of the exhaust gas. In the end, the oxygen concentration in the exhaust gas can be detected by the current between the electrodes 2 and 3 of the platinum r.

そして、このとき、白金電極2,3間の電圧を所定の一
定条件に泥ったままの状態でこれら電極間に流れる電流
を限界電流■、tと呼び、とのIptと排ガス中のal
 X riJ L P O!との関係は次の(り式で表
わせる。
At this time, the current flowing between the platinum electrodes 2 and 3 while keeping the voltage between them at a predetermined constant condition is called the limiting current , t.
X ri J L P O! The relationship with can be expressed by the following formula.

ここで、Fはファラデイ一定数、Dはガス拡散定数、S
は拡散孔6の横断面積、tはその長さ、セして′rは絶
対温度である。
Here, F is Faraday constant, D is gas diffusion constant, S
is the cross-sectional area of the diffusion hole 6, t is its length, and 'r is the absolute temperature.

また、第2図は限界電流■μとr)素(パ漣度PO2と
σ−〕+5係を示す特性図である。
Moreover, FIG. 2 is a characteristic diagram showing the limiting current ■μ and r) element (P<02> and [sigma]-)+5.

これら(り式及び第2図から明らかなように、このリー
ンセンナ゛の検出付性には温度依存性があり、かつ動作
に必要な温度も700℃以上であることが判る3、 そこで、このよりなリーンセンナを使用するためには、
700℃以上の一定の高温に保った状態で動作させる必
要があり、そのため、従来から、電熱し一タによる力1
j熱が主として使用されており、これが第1図のヒータ
4である。
As is clear from these equations and Figure 2, the detection performance of this lean sensor is temperature dependent, and the temperature required for operation is also 700°C or higher3. To use lean senna,
It is necessary to operate the device at a constant high temperature of 700°C or higher, and for this reason, it has traditionally been necessary to use electric heating with a force of 1.
J heat is mainly used, and this is the heater 4 in FIG.

ところで、このとき、上述の説明からも明らかなように
、ヒータ4による加熱温度が700℃以上の一定の温度
になるように制御する必要があり、このため、従来から
主として採用されている温度ある。
By the way, at this time, as is clear from the above explanation, it is necessary to control the heating temperature by the heater 4 to a constant temperature of 700 degrees Celsius or higher. .

この第3図の回路は、ヒータ4として使用される白金な
どの抵り′C体に存在する第4図に示すような温度依存
性を利用し、ヒータ4に供給している加熱用電流によっ
てこのヒータ4に生じる電圧降下をg+++定し、その
抵抗が當に一定になるように、上記加熱用’)W+ji
tの大きさを制fiillすることによって一定の加熱
温度が得られるようにしたもので、このために抵抗ブリ
ッジを用いているためブリッジ回路方式とも呼ばれてお
り、図において、10はパワートランジスタ、11,1
2.13は抵抗、14は差動増幅器であり、ヒータ4は
第1図に示したとおりである。
The circuit shown in FIG. 3 utilizes the temperature dependence shown in FIG. The voltage drop occurring in this heater 4 is determined by g+++, and the heating voltage ')W+ji
It is possible to obtain a constant heating temperature by controlling the magnitude of t, and it is also called a bridge circuit system because a resistor bridge is used for this purpose. In the figure, 10 is a power transistor, 11,1
2.13 is a resistor, 14 is a differential amplifier, and the heater 4 is as shown in FIG.

ヒータ4と抵抗11、それに抵抗12と13はブリッジ
回路を構成し、パワートランジスタ10を介して電源か
ら電流が供給される。そして、このときのブリッジ回路
に発生する不平衡電圧は差動増幅器14に入力され、こ
の差動増幅器工4の出力でパワートランジスタ10が制
御され、ブリッジ回路に供給される電流の大きさが制御
される。
The heater 4, the resistor 11, and the resistors 12 and 13 constitute a bridge circuit, and a current is supplied from the power source via the power transistor 10. The unbalanced voltage generated in the bridge circuit at this time is input to the differential amplifier 14, and the output of the differential amplifier 4 controls the power transistor 10, thereby controlling the magnitude of the current supplied to the bridge circuit. be done.

次に、この回路の動作について説明する。Next, the operation of this circuit will be explained.

まず、温度制御すべき目標温度T0を定め、この温度T
0におけるヒータ4の抵抗値RHeを第4図の特性によ
ってめる。
First, a target temperature T0 to be controlled is determined, and this temperature T
The resistance value RHe of the heater 4 at 0 is determined based on the characteristics shown in FIG.

ついで、抵抗11,12.13の抵抗値をそれぞれR1
1? R,11N(11とし、ブリッジ回路の平衡条件
である(R□。・”u ) = (Ru・R13)が満
足されるように、これらの抵抗値へ、、 I(12,R
1,を定めてお(。
Next, the resistance values of resistors 11, 12, and 13 are set to R1, respectively.
1? R, 11N(11), and to these resistance values, I(12,R
1.

なお、このとき、これらの抵抗11,12,13はその
抵抗値についてほとんど温度依存性をもたないか、或い
は温度依存性があっても便く僅かであるようにする必要
がある。
At this time, it is necessary that the resistance values of these resistors 11, 12, and 13 have almost no temperature dependence, or even if they do have a temperature dependence, it is conveniently small.

この結果、差動増幅器14の十入力と一人力の間の差電
圧の大きさはヒータ4の抵抗値、つまりその温度で定ま
り、ヒータ4の温度が目標温度T0より低いときには差
動増幅器14の出力が十になってトランジスタ10はブ
リッジ回路に大きな電流を流し、ヒータ4の電流を増加
させその発熱量を多くする。そして、ヒータ4の温度が
目標温度T、に近ずくに従ってヒータ4の′l′!流は
減少し、差動増幅器14の増幅度などで決まる残留偏差
以内でヒータ4の温度は目標温度T0に一定に保たれる
ことになる。
As a result, the magnitude of the voltage difference between the ten inputs of the differential amplifier 14 and the single power is determined by the resistance value of the heater 4, that is, its temperature, and when the temperature of the heater 4 is lower than the target temperature T0, When the output becomes ten, the transistor 10 causes a large current to flow through the bridge circuit, increasing the current of the heater 4 and increasing its heat generation amount. As the temperature of the heater 4 approaches the target temperature T, 'l' of the heater 4! The current decreases, and the temperature of the heater 4 is kept constant at the target temperature T0 within a residual deviation determined by the amplification degree of the differential amplifier 14, etc.

従って、この第3図に示した回路を第1図のリーンセン
サに適用すれば、ヒータ4によりリーンセンサは所定の
温度、例えば900℃に一定に保たれ、リーンセンサと
しての機能を充分に発揮できることになる。
Therefore, if the circuit shown in Fig. 3 is applied to the lean sensor shown in Fig. 1, the lean sensor will be kept constant at a predetermined temperature, for example, 900°C, by the heater 4, and will fully perform its function as a lean sensor. It will be possible.

そして、この第3図に示したような、ヒータ4の温度依
存性により温度制御を行なう方式の回路は、部品点数が
少なく回路構成が簡単で、しかも実用上充分な温度制御
特性が得られるため、従来から広く用いられていた。
The circuit shown in Fig. 3, which controls the temperature based on the temperature dependence of the heater 4, has a small number of parts, has a simple circuit configuration, and can provide temperature control characteristics sufficient for practical use. , has been widely used.

しかしながら、この従来の@度制御回路においては、ヒ
ータの温度が低いときには、とのヒータに流れる電流が
多(なるように動作するため、電源投入時に大きな突入
電流が第5図に示すようにヒータに流れ、ヒータの劣化
や断線をもたらし、リーンセンサの耐用期間を短かくし
てしようという欠点があった。
However, in this conventional temperature control circuit, when the temperature of the heater is low, a large current flows through the heater, so when the power is turned on, a large inrush current flows through the heater as shown in Figure 5. This has the drawback of causing deterioration and disconnection of the heater, shortening the service life of the lean sensor.

特に、リーンセンサでは動作温度が高く、常温と動作温
度との間でのヒータの抵抗液fBが大きくなっているた
め、上記の抜入電流の最大値が大きくなり易く、ヒータ
の劣化や〜r=xの虞れが著しい。
In particular, in lean sensors, the operating temperature is high, and the resistance fluid fB of the heater is large between room temperature and operating temperature, so the maximum value of the above-mentioned input/extraction current tends to increase, causing heater deterioration and = There is a significant possibility that x will occur.

また、このようなり一ンtンサは、第1図で説明したよ
うに厚膜プロセスによるものが多く、このときには、こ
れも第1図で説’fJ L、たようにヒータ4も厚膜プ
ロセスによ1ノ一本に形成される場合がほとんどである
が、このような厚膜プロセスによるヒータは、極(薄い
白金膜として形成されるため、突入電流があると劣化や
断念を生じる外、サーマル・ラン(発熱導体膜に局部的
な温度上昇を生じると、その部分の抵抗値が増加するた
め、そこに加熱′重力の集中をもたらし、加速度的な温
度上昇を生じて断線にいたる現象)を生じ易いため、上
記の突入電流による影響が特に著しい。
In addition, many of these sensors are manufactured using a thick film process as explained in FIG. In most cases, the heater is formed as a single piece of platinum, but since the heater is formed as a thin platinum film, an inrush current may cause deterioration or abandonment, and Thermal run (a phenomenon in which when a local temperature rise occurs in a heat-generating conductor film, the resistance value of that part increases, causing a concentration of heating and gravity there, causing an accelerated temperature rise, leading to wire breakage) The influence of the above-mentioned inrush current is particularly significant.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を除き、*源
投入時などに生じる突入電流の発生を防止し、ヒータの
劣化や断線の虞れをな(すことができるリーンセンサの
ための温度制御特性を提供するにある。
The purpose of the present invention is to eliminate the drawbacks of the prior art described above, and to provide a lean sensor that can prevent the generation of rush current that occurs when the power is turned on, and eliminate the risk of heater deterioration and disconnection. Located in providing temperature control properties.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

この目的を達成するため、本発明は、ヒータの電圧降下
と比較してヒータに流ず電流を制御するための基準電圧
が、電源投入時に所定の時定数をもって立ち上ってゆく
ようにした点を特徴とする1、〔発明の実施例〕 以下、本発明による空燃比センサ用ヒータ温度制御回路
を、図示の実施例によって詳細に説明する。
In order to achieve this objective, the present invention is characterized in that the reference voltage for controlling the current that does not flow through the heater rises with a predetermined time constant when the power is turned on, in comparison with the voltage drop of the heater. 1. [Embodiments of the Invention] Hereinafter, a heater temperature control circuit for an air-fuel ratio sensor according to the present invention will be explained in detail with reference to illustrated embodiments.

第6図は本発明の一実施例で、崗において、15は電源
端子、16は制御用トランジスタ、17゜】8は電流制
限用の抵抗、19は時定数回路用の抵抗、20は時定数
回路用のコンデンサ、2工は′工荷放電用のダイオード
であり、ヒータ4、パワートランジスタ10、抵抗11
〜13、差F9増幅器14は第3図の従来例と同じであ
る。
Fig. 6 shows an embodiment of the present invention, where 15 is a power supply terminal, 16 is a control transistor, 17° is a current limiting resistor, 19 is a time constant circuit resistor, and 20 is a time constant. Circuit capacitor 2 is a diode for discharge, heater 4, power transistor 10, resistor 11
.about.13, the difference F9 amplifier 14 is the same as the conventional example shown in FIG.

次1で、この実施例の動作について説明する。In the next section 1, the operation of this embodiment will be explained.

第3図の従来例と同採に、ヒータ4の抵抗値をR10,
抵抗11,12,13の抵抗値をR,1,R,□、R1
3とし、さらに差動増幅器14の一人力の電圧をV)十
入力の電圧をV+とすわば、これらの電圧V、V+。
The resistance value of the heater 4 is set to R10, as in the conventional example shown in FIG.
The resistance values of resistors 11, 12, and 13 are R, 1, R, □, R1
3, and the voltage of the single output of the differential amplifier 14 is V), and the voltage of the 10 inputs is V+, then these voltages V, V+.

すなわちブリッジ回路の出力電圧は次のようになる。That is, the output voltage of the bridge circuit is as follows.

V =E −f’、、、/(R,□ +R1□ )・・
・・・・(すV+= E −kg、/’ (R,,2+
 R,3)−−・・(りここで、Eはパワートランジス
タ10のエミッタ電圧、つまりブリッジ回路に印加され
る電圧である。
V = E - f',, / (R,□ +R1□)...
...(SV+= E -kg, /' (R,,2+
R, 3) -- (here, E is the emitter voltage of the power transistor 10, that is, the voltage applied to the bridge circuit).

一方、差動増幅器E4の安定条件はV−=けで、これは
ブリッジ回’a’:’tの平衡条件でもあり、これと(
す、(り式からブリッジ回路の平衡条件は次のようにな
る。
On the other hand, the stability condition for the differential amplifier E4 is V-=ke, which is also the equilibrium condition for the bridge circuit 'a':'t, and this and (
(From the equation, the equilibrium condition of the bridge circuit is as follows.

そして、この(り式からブリッジ回路の平衡条件である
( R,エ ・1ら2)=(R,□ ・”+3 )が導
き出される。
Then, from this equation, the equilibrium condition of the bridge circuit (R, E ・1 − 2) = (R, □ ・”+3) is derived.

しかして、この条件が満足、されるのは、既に説明した
ように、ヒータ4の温度が目標温度′I゛。になって、
ヒータ4の抵抗値H>+/:” ”’[0になったとき
だけとなっている。
As already explained, this condition is satisfied when the temperature of the heater 4 is the target temperature 'I'. become,
This occurs only when the resistance value H of the heater 4 becomes 0.

従って、パワートランジスタ10は差動増幅器14の出
力によって制御され、ブリッジ回路の入力電圧Eを変化
させ、ヒータ4に流れる電流を制御してその抵抗値Rユ
がR,、、になるように、即ち、その温度が目標温度T
。になるように動作し、温度制御機能が得られる。なお
、以上の動作は第3図の従来例と同じであり、結局、こ
の回路は、電圧けを基準電圧とし、それに対して電圧■
−2即ちヒータ4の電圧降下を比較し、両者を一致させ
るようにすることで温J仄制岬太能を得ていることにな
る。
Therefore, the power transistor 10 is controlled by the output of the differential amplifier 14, changes the input voltage E of the bridge circuit, and controls the current flowing to the heater 4 so that its resistance value R becomes R, . That is, the temperature is the target temperature T
. It operates to provide temperature control functions. Note that the above operation is the same as the conventional example shown in FIG.
-2, that is, the voltage drop of the heater 4, and by making the two match, temperature control can be achieved.

ところで、このままでは、第3図の従来例と同様に、電
源投入時などにヒータ4に突入電流がbILれてしまう
ことになるが、この実施υりではia!I 何月のトラ
ンジスタ16を中心として抵抗19とコンデンサ20な
どが設しナーごあり、これにより′1d源投大投入どで
の突入型61Eは効果的に抑圧されているが、以下、こ
の点について説明する。
By the way, if this continues, a rush current will flow to the heater 4 when the power is turned on, as in the conventional example shown in FIG. 3, but with this implementation, ia! A resistor 19, a capacitor 20, etc. are installed around the transistor 16, which effectively suppresses the inrush type 61E caused by the '1d large input. I will explain about it.

制御用のトランジスタ16のベースは抵抗18を介して
コンデンサ20に接続され、このコンデンサ20はさら
に抵抗19を介してttE 4ス・端子15に接続され
ている。
The base of the control transistor 16 is connected via a resistor 18 to a capacitor 20, which is further connected via a resistor 19 to the ttE4 terminal 15.

そこで、いま、’iji源が役人され、電源端子15に
電諒屯圧が印加さ(tたとすると、コンデンサ2゜は抵
抗19を介して’4L源端子15から光!Eされ始め、
コンデンサ20の端子こ圧VCはこのコンデンサ20の
静t■到# C2(4と抵抗J9の抵抗値へ、とで決ま
る時定数τにしたがって零から電源1江圧まで立ち上っ
てゆく。そして、このコンデンサ2゜は抵抗18を介し
てトランジスタ16のベースに接続されているから、こ
のトランジスタ16のベース電圧もコンデンサ20の端
子電圧■。に追従して変化する。
Therefore, if the 'IJI source is turned on and the voltage is applied to the power supply terminal 15 (t), the capacitor 2° begins to receive light from the '4L source terminal 15 via the resistor 19.
The terminal pressure VC of the capacitor 20 rises from zero to the power supply voltage 1 in accordance with the time constant τ determined by the static voltage t of the capacitor 20 and the resistance value of the resistor J9. Since the capacitor 2° is connected to the base of the transistor 16 via the resistor 18, the base voltage of the transistor 16 also changes in accordance with the terminal voltage (2) of the capacitor 20.

一方、上記のように電源が投入され、電源端子15に電
源電圧が印加されたとき、ヒータ4の温度が目標温度T
0より低かったとすれば、ヒータ4の抵抗値RBが目徐
温反における値RH0より低いため、ブリッジ回路は不
平衡になり、その出力電圧V−とけに差を生じ、差動増
都器14とパワートランジスタ10の働きによりブリッ
ジ回路の入力電圧Eが大きくされ、ヒータ4に大きな電
流を流し、ヒータ4の温度を上げてその抵抗値を増加さ
せ、これにより4圧V−を電圧V+にまで上昇させて両
者を一枚させるようにする。
On the other hand, when the power is turned on and the power supply voltage is applied to the power supply terminal 15 as described above, the temperature of the heater 4 changes to the target temperature T.
If it is lower than 0, the resistance value RB of the heater 4 is lower than the value RH0 at the time of gradual heating, and the bridge circuit becomes unbalanced, causing a difference in its output voltage V-, and the differential booster 14 The input voltage E of the bridge circuit is increased by the action of the power transistor 10, and a large current is passed through the heater 4, raising the temperature of the heater 4 and increasing its resistance value, thereby increasing the voltage V- to the voltage V+. Raise it so that both are one piece.

従って、このとき、ヒータ4の温度が常温付近の低い温
度にあったとすれば、上述のように大きな突入電流がと
のヒータ4に流れ、断線などを生じてしまうことになる
Therefore, if the temperature of the heater 4 is at a low temperature near normal temperature at this time, a large inrush current will flow to the other heater 4 as described above, resulting in a wire breakage or the like.

しかしながら、この実施例では、ブリッジ回路13と並
列に制御用のトランジスタ16のエミッタ畢コレクタ間
が接続され、このトシンジスタ16のベース・コレクタ
間にはコンデンサ20の端子電圧vcが印加されるよう
になっており、このため、電圧■+はトランジスタ16
が導通状態にある間はそのベース電位に追従して変化さ
せられてしまうようKなっている。
However, in this embodiment, the emitter and collector of the control transistor 16 are connected in parallel with the bridge circuit 13, and the terminal voltage vc of the capacitor 20 is applied between the base and collector of the transistor 16. Therefore, the voltage ■+ is the transistor 16
K is set so that it changes to follow its base potential while it is in a conductive state.

そして、このトランジスタ16のベース電位は、上述の
とおりコンデンサ20の端子電圧V。に追従して変化す
るから、結局、この実施例では、電源投入時にはブリッ
ジ回路の出力電圧いは最初零電位にあり、その後、コン
デンサ20が抵抗19を通じて充電され、時定数τに従
って端子電圧VCが上昇してゆ(につれ、それに追従し
て変化してゆくこと釦なり、この電圧けの零からの上昇
変化に追従して電圧V−を一致させるように差動増幅器
14とパワートランジスタ10が動作するため、ヒータ
4に流れる電流も、電源投入後、零から時定数τに従っ
て増加してゆくことになり、突入電流を生じるのが効果
的VCC正圧きることになる。
The base potential of this transistor 16 is the terminal voltage V of the capacitor 20 as described above. Therefore, in this embodiment, when the power is turned on, the output voltage of the bridge circuit is initially at zero potential, and then the capacitor 20 is charged through the resistor 19, and the terminal voltage VC changes according to the time constant τ. As the voltage rises, the button changes accordingly, and the differential amplifier 14 and power transistor 10 operate to match the voltage V- by following this rising change from zero. Therefore, the current flowing through the heater 4 also increases from zero according to the time constant τ after the power is turned on, and it is the effective VCC positive pressure that causes the rush current.

こうして、電源投入後、時定数τで決まる所定の時間が
経過すると、コンデンサ20の端子電圧vcはほとんと
電源電圧にまで達し、この結果、電圧曾 より電圧VC
の方が高くなるとトランジスタ160ベース・エミッタ
間は逆バイアス状態となり、以後、電源が切られるまで
このトランジスタ16は非導通状態に保たれる。ので、
温度制御回路としての動作には全(影響を与えなくなり
、ヒータ4の温度を目標値T、に保つだめの制御精度や
応答特性など温度制御回路としての機能に悪影響を与え
ることはない。
In this way, after a predetermined time determined by the time constant τ has passed after the power is turned on, the terminal voltage VC of the capacitor 20 almost reaches the power supply voltage, and as a result, the voltage VC
When the voltage becomes higher, the base-emitter of the transistor 160 becomes reverse biased, and thereafter, the transistor 16 is kept non-conductive until the power is turned off. So,
It has no effect on the operation of the temperature control circuit, and there is no adverse effect on the function of the temperature control circuit, such as control accuracy and response characteristics for keeping the temperature of the heater 4 at the target value T.

なお、以上において、抵抗17.18はそれぞれパワー
トランジスタ10と制御用のトランジスタ16のベース
電流制御用で、動作を安定にするために設けたものにす
ぎず、以上の動作とは特に関係はない。
Note that in the above, the resistors 17 and 18 are used to control the base currents of the power transistor 10 and the control transistor 16, respectively, and are merely provided to stabilize the operation, and have no particular relation to the above operation. .

次に、ダイオード210機能について説明する。Next, the function of the diode 210 will be explained.

以上の説明から明らかなように、この実施例では電源投
入時、コンデンサ20の電荷が零で、その端子電圧■。
As is clear from the above description, in this embodiment, when the power is turned on, the charge on the capacitor 20 is zero, and its terminal voltage is ■.

が零になっていることを要する。is required to be zero.

しかしながら、一旦、電源が投入され、所定時間が経過
した後ではコンデンサ20はフタチャージの状態にあり
、その端子′電圧Vcもほぼ電源の’ifl圧にまで達
している。しかして、この状態−C−&エトランラスタ
16は非導通であり、従って夕°イオード21が無かっ
たとすれば、電源を切ったあと、コンデン?20に対す
る低インピーダンスの放電路がないことになり、電源を
切ったあと、短−・期間しかおかないで再び電源を投入
した場合に(ま、コンデンサ20の端子電圧V、が零に
なって℃・な〜・ことがあり、上記した時定数動作が得
られなくなって突入電流の抑圧を充分に行なうことがで
きなくなってしまう虞れを生じる。
However, once the power is turned on and a predetermined time has elapsed, the capacitor 20 is in a top-charged state, and its terminal voltage Vc has almost reached the 'ifl voltage of the power supply. However, in this state -C- & etran raster 16 is non-conducting, so if there was no evening diode 21, after turning off the power, the capacitor? There is no low-impedance discharge path for the capacitor 20, and if the power is turned on again after a short period of time after the power is turned off (well, the terminal voltage V of the capacitor 20 becomes zero and the・Sometimes, there is a possibility that the above-described time constant operation cannot be obtained and the inrush current cannot be suppressed sufficiently.

そこで、ダイオード21を図示の極性で抵抗19と並列
に接続し、電源を切ったとぎ、このダイオード21によ
ってコンデンサ20に対する低インピーダンスの放電回
路を与え、電源を切ったあと速やかにコンデンサ20の
電荷を放電させ、その端子電圧■、を零に戻すようにし
ているのである。
Therefore, a diode 21 is connected in parallel with the resistor 19 with the polarity shown in the figure, and when the power is turned off, this diode 21 provides a low impedance discharge circuit for the capacitor 20, and the charge on the capacitor 20 is immediately discharged after the power is turned off. This is to cause the terminal voltage to return to zero by discharging it.

なお、このときのダイオード21で形成されるコンデン
サ20の放電路は、オン状態にあるパワートランジスタ
10と抵抗11〜13、それにヒータ4からなる回路で
も形成されるが、電源端子15に並列に接経されている
他の負荷回路によって形成されるようにしてもよい。
Note that the discharge path of the capacitor 20 formed by the diode 21 at this time is also formed by a circuit consisting of the power transistor 10 in the on state, the resistors 11 to 13, and the heater 4, which is connected in parallel to the power supply terminal 15. It may also be formed by other load circuits that are connected to each other.

第7図に、この実施例によって得られるヒータ4の温度
上昇特性を示す。ir、76、比較のために第3図の従
来例の特性を破線で示しである。
FIG. 7 shows the temperature rise characteristics of the heater 4 obtained by this example. ir, 76, and the characteristics of the conventional example in FIG. 3 are shown by broken lines for comparison.

この第7図から明らかなように、第6図の実施例によれ
ば、電源投入時での医大電流が抑えられてヒータの劣化
や断線を少くすることができるだげではなく、ヒータの
温度上昇特性を緩るやかにでき、この面でのヒータの劣
化や断線の発生を少くすることができる。
As is clear from FIG. 7, the embodiment shown in FIG. 6 not only suppresses the medical current when the power is turned on, thereby reducing heater deterioration and disconnection, but also reduces the temperature of the heater. The rise characteristic can be made more gradual, and the occurrence of heater deterioration and disconnection in this aspect can be reduced.

そして、この実)1例(でよれば、突入電流が抑えられ
た結果、パワートランジスタ10やブリッジ回路の抵抗
11などの発熱も少くすることができ、これらの小容量
化や小形化が可能で、コストも低減できるなどの効果を
得ることができる。
According to this example, as a result of suppressing the inrush current, the heat generation of the power transistor 10 and the bridge circuit resistor 11 can be reduced, making it possible to reduce the capacity and size of these components. , it is possible to obtain effects such as cost reduction.

次に、第8図に本発明の他の一実施例金示す。Next, FIG. 8 shows another embodiment of the present invention.

この実施例は、ヒータ4に供給する′lt流を制御する
ために周期的にオン・オフするスイッチング素子を用い
、このスイッチング7子のオン時間とオフ時間との比を
変えるようにした、いわゆるパルス制御方式の温度制御
回路に本発明に適用したもので、第8図において、10
0はヒータ4に加熱電流を供給するための定′ε流電源
、110はヒータ4に流れる′混流をオン・オフするス
イッチング素子、1.20はヒータ4の電圧を検出する
ためのスイッチングム子、1.30はスイッチング素子
120で取り出したヒータ4の電圧を所定の期間にわた
って保持するためのコンデンサ、 140. 150.
 160は抵抗、170はコンデンサ、180は差動増
幅器、190は比較器、200はのこぎり波発生回路で
あり、その他は第6図の実施例と同じである。なお、破
線内の回路を除けば、」二記したパルス制御方式の温度
制御回路となり、この回路は例えば特公昭52−899
99号公報、特公昭56−6504号公報などで公知の
ものである。
In this embodiment, a switching element that is periodically turned on and off is used to control the current supplied to the heater 4, and the ratio of the on time and off time of this switching element is changed. The present invention is applied to a pulse control type temperature control circuit, and in FIG.
0 is a constant 'ε current power supply for supplying heating current to the heater 4, 110 is a switching element that turns on and off the mixed current flowing to the heater 4, and 1.20 is a switching element for detecting the voltage of the heater 4. , 1.30 is a capacitor for holding the voltage of the heater 4 taken out by the switching element 120 for a predetermined period; 140. 150.
160 is a resistor, 170 is a capacitor, 180 is a differential amplifier, 190 is a comparator, 200 is a sawtooth wave generating circuit, and the rest is the same as the embodiment shown in FIG. By the way, if you exclude the circuit inside the broken line, it becomes the temperature control circuit of the pulse control method described in "2", and this circuit is, for example, the one described in Japanese Patent Publication No. 52-899
These are known from Japanese Patent Publication No. 99, Japanese Patent Publication No. 56-6504, and the like.

次に、この実施例の動作について説明する。Next, the operation of this embodiment will be explained.

既に説明したように、制御目標温度T0が決まれば、そ
の温度におけるヒータ4の抵抗値RHDが判り、さらに
定電流ば源100からピータ4に供給される電流が定電
?&乙4であることから、ヒータ4の端子電圧vHを検
出すればヒータ4の温dが目標温度T0より高いか低い
かを検知できる。
As already explained, once the control target temperature T0 is determined, the resistance value RHD of the heater 4 at that temperature is known, and if the current supplied from the constant current source 100 to the heater 4 is constant? &Otsu4, by detecting the terminal voltage vH of the heater 4, it is possible to detect whether the temperature d of the heater 4 is higher or lower than the target temperature T0.

一方、このときの目標温度、に対する制御の基準となる
a圧けは抵抗150と160によって分圧して作られて
いる。
On the other hand, the pressure a, which serves as a reference for controlling the target temperature at this time, is created by dividing the pressure by resistors 150 and 160.

そこで、ヒータ4からスイッチング素子120とコンデ
ンサ130で取り出された(JJ圧■8 は抵抗140
とコンデンサ170を有する差動増幅器180の一入力
端に供給された上で積分され、その十入力端に印加され
ている基準電圧ぜ と比較され、両者の電位差に見合っ
た出力電圧V0となる。従って、との差動増幅器180
の出力電圧■。は、電圧V、、!、V+との差が大きく
なればなる程大きくなる電圧となる。
Therefore, the switching element 120 and the capacitor 130 are taken out from the heater 4 (JJ pressure 8 is taken out by the resistor 140
is supplied to one input terminal of a differential amplifier 180 having a capacitor 170, and is integrated, and compared with a reference voltage applied to its ten input terminals, resulting in an output voltage V0 commensurate with the potential difference between the two. Therefore, the differential amplifier 180 with
■Output voltage. is the voltage V,...! , V+, the larger the voltage becomes.

との差動増幅器180の出力電圧V、は比較器190の
一方の入力に供給され、その他方の入力にのこぎり波発
生回路200から供給されているのこぎり波信号鳳と比
較され、比較信号Sが比較器200から出力される。こ
のときの信号Sと職、それに電圧■。との関係は第9図
に示すようになる。
The output voltage V of the differential amplifier 180 is supplied to one input of the comparator 190, and is compared with the sawtooth wave signal V supplied from the sawtooth wave generation circuit 200 to the other input, and the comparison signal S is Output from comparator 200. At this time, the signal S, power, and voltage ■. The relationship with is shown in FIG.

即ち、v0ン鳳−8=甲、Vo<鳳→S==’σ′とな
る。
That is, v0-8=A, Vo<Otori→S=='σ'.

この信号Sはスイッチング素子110と120に供給さ
れ、レベル−1′lのときだけこれらのスイッチング素
子110. 120をオンにし、レベル10“ではオフ
するようにこれらの素子を駆動する。従って、ヒータ4
に流れる直流rIlは、第9図に示すよう(で、信号S
がレベル甲にあるT1期間だけ定電流電源・100によ
る定電流III ’11になり、信号Sがレベル%QW
になっている(T、−T1)期間には零になる矩形波制
御することができることになる。そして、この信号Sの
デユーティ比は第9図から明らかなように、電圧■−と
け との差電圧を表わす出カ′亀圧■。によって制御さ
れているから、結局、ヒータ4に流れる電流I□ば、こ
のヒータ4の温度が目標温度T、より低いときには大き
く、そしてそれが上昇して目標温度T0に近ずくに従っ
て減少し、目標温度T、に一致したときには零になるよ
うに制御され、温度制御機能が得られることになる。
This signal S is supplied to switching elements 110 and 120, and these switching elements 110 . These elements are driven so that the heater 4 turns on and turns off at the level 10''.
As shown in FIG. 9, the direct current rIl flowing through the
During the T1 period when is at level A, the constant current source becomes constant current III '11 due to the constant current power supply 100, and the signal S becomes level %QW.
This means that it is possible to perform rectangular wave control that becomes zero during the period (T, -T1) where the current is zero. As is clear from FIG. 9, the duty ratio of this signal S is the output voltage (2), which represents the difference between the voltage (2) and the voltage (2). As a result, the current I□ flowing through the heater 4 is large when the temperature of the heater 4 is lower than the target temperature T, and decreases as it rises and approaches the target temperature T0. When the temperature matches the temperature T, the temperature is controlled to be zero, and a temperature control function is obtained.

なお、このとき、第9図の期間′r0.つまりスイッチ
ング素子110. 1200オン・オフ周期を決める期
間の長さは、ヒータ4の熱容麗時定赦に比して充分に短
くなるように定め、電流■8の矩形波状変化によっても
ヒータ4による力Dlh温度が脈動しないようにする必
要がある。
Note that at this time, the period 'r0. In other words, the switching element 110. The length of the period that determines the 1200 on/off cycle is determined to be sufficiently short compared to the heat tolerance of the heater 4, so that the force Dlh temperature by the heater 4 is It is necessary to avoid pulsation.

また、ヒータ4に現われる電圧4も、電流IIfの変化
に対応して矩形波状に変化するから、スイッチング素子
120とコンデンサ130とによってヒータ4の電圧4
をサンプルホールドして検出するようになっているので
ある。
Further, since the voltage 4 appearing on the heater 4 also changes in a rectangular waveform in response to the change in the current IIf, the voltage 4 on the heater 4 changes by the switching element 120 and the capacitor 130.
It is designed to sample and hold and detect.

さて、このパルス制御方式の温度制御回路においても、
ヒータ4の温度が目標温度T、よりはるかに低い状態に
ある電源投入時には、ヒータ4の電圧vt基準電圧け 
との差が極端に大きくなるため、差動増幅器180の出
力電圧v0も充分に大きくなり、この結果、比較器19
0の出力信号Sのデユーティ比は100%になってヒー
タ4は7;コ、速に加熱され、ヒー、夕の劣化や断線の
虞れを生じる。
Now, even in this pulse control type temperature control circuit,
When the power is turned on when the temperature of the heater 4 is much lower than the target temperature T, the voltage vt of the heater 4 is
As the difference between
The duty ratio of the output signal S of 0 becomes 100%, and the heater 4 is heated up quickly, causing a risk of deterioration of the heat and the wire breakage.

そこで、この′f:励例でも、制御1111用のトラン
ジスタ16.抵抗1B、19.それにコンデンサ20を
設け、これにより恭【ia ’i、j圧V) の立ち上
りに所定の時定数τを与え、電源投入時でのヒータ4の
加熱λπ度を抑えるようにしてあり、この結果、ヒータ
4の劣化や所蔵を防止することができるようにしである
。なお、この回路の、曲伸は第6図の実77m例の場合
と同じであるから、その詳しい説明は省略する。
Therefore, in this 'f: example, the transistor 16 for control 1111. Resistor 1B, 19. A capacitor 20 is provided in the capacitor 20, which gives a predetermined time constant τ to the rise of Kyo (ia 'i, j pressure V), and suppresses the heating λπ degree of the heater 4 when the power is turned on.As a result, This is to prevent the heater 4 from deteriorating or being stored. Incidentally, since the bending and stretching of this circuit is the same as that of the actual 77m example shown in FIG. 6, detailed explanation thereof will be omitted.

第10図はこの実施例の動作を従来例の動作と比較して
示したもので、4源投入後、破線で示した従来例では直
ちにデユーティ比が100%になり、しばらくこの状態
が、読(が、実入覗で示す本発明の実施例では、′8源
投入時からゆっくりとデユーティ比が増加してゆき、そ
のまま定常状態に移行し、ヒータ4が急激に加φ、・^
されて劣化や斯iθをもたらす結果をひきおこす虞れが
ない。
Figure 10 shows the operation of this embodiment in comparison with the operation of the conventional example. After turning on the four power sources, the duty ratio of the conventional example shown by the broken line immediately becomes 100%, and this state remains for a while. (However, in the embodiment of the present invention shown in the actual inspection, the duty ratio increases slowly from the time when the power is turned on, then shifts to a steady state, and the heater 4 suddenly increases φ.
There is no risk of causing deterioration or the result of iθ.

この第8図に示した実施例によれば、ヒータ電流制御用
のパワートランジスタによる電力損失をなくすことがで
きるというパルスjiIIJ御方式の特長を充分に活用
しながら、電源のオン・オフに伴なうヒータの劣化や断
線の発生を確実に防止することができる。
According to the embodiment shown in FIG. 8, while making full use of the feature of the pulse control method that it is possible to eliminate power loss caused by the power transistor for controlling the heater current, Deterioration of the heater and occurrence of disconnection can be reliably prevented.

なお、以上の実施例では、厚膜プロセスによる空燃比セ
ンサについて説明したが、電源投入時での突入電流によ
る悪影響はどのようなヒータについてもいえるものであ
るから、本発明は厚膜プロセスによるリーンセンサに限
らず、ヒータを備えたものならどのような形式の空燃比
センサにも適用でき、必要な作用効果を発揮さぜること
かできるものであることはいうまでもない。
In the above embodiments, an air-fuel ratio sensor using a thick film process was explained. However, since any type of heater is affected by the inrush current when the power is turned on, the present invention applies to a lean sensor using a thick film process. Needless to say, the present invention is not limited to sensors, but can be applied to any type of air-fuel ratio sensor that is equipped with a heater, and can exert the necessary effects.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明によれば、電源投入時に発
生する突入電流を効果的に抑えることができるから、厚
膜プロセスによる空燃比センサなどにおけるヒータの劣
化やMlの発生の虞れをなくすことができ、空燃比セン
サの耐用期間を充分に長くしてランニングコストを少く
することカーIJ丁能な借燃比センサ用ヒータ温度制御
ll 1回’rBをイ享易に提供することができる。
As explained above, according to the present invention, it is possible to effectively suppress the inrush current that occurs when the power is turned on, thereby eliminating the risk of heater deterioration and Ml generation in air-fuel ratio sensors and the like due to the thick film process. It is possible to sufficiently lengthen the service life of the air-fuel ratio sensor, reduce running costs, and easily provide efficient heater temperature control for the fuel-fuel ratio sensor once.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図はヒータを備えた空燃比センサの一例を示す側1
新面図、第2図はその温度依存性を示す%性図、第3図
はヒータ温度1ijlJ御回路の従来例を示す回路図、
第4図はヒ一りの抵抗温度依存性を示す特性図、第5図
は突入1流の一例を示す特性図、第6図は本発明による
空愁比センサ用ヒーク温度制御回路の一実施例を示す回
路図、第71]まその効果を説明する特性図、第8図は
本発明の他の一実施例を示す回路図、第9図はその動作
説明用の波形図、第10図は効果説明10の特性図であ
る。 4・・・・・・ヒータ、10・・・・・/くワートラン
ジスタ、11〜13・・・・・・ブリッジ回路用の抵抗
、14・・・・・・差動増幅器、16・・・・・制御用
トランジスタ、19・・・・・時定数回路用の抵抗、2
0・・・・・時定数回路用第1図 第2図 や 第3図 第4図 ヌ嘉に度 T (’C) 第7図 を諜糧入 門 閉 を 吟魚 第9図 第1O図 第1頁の続き ■発明者鈴木 敏孝 @発明者佐藤 信夫 日立市幸町3丁目1番1号 株式会社日立製作所日立研
究所内 日立市幸町3丁目1番1号 株式会社日立製作所日立研
究所内
Figure 1 shows side 1 of an example of an air-fuel ratio sensor equipped with a heater.
A new view, Figure 2 is a percentage diagram showing its temperature dependence, Figure 3 is a circuit diagram showing a conventional example of a heater temperature 1ijlJ control circuit,
Fig. 4 is a characteristic diagram showing the resistance temperature dependence of the first current, Fig. 5 is a characteristic diagram showing an example of the first inrush current, and Fig. 6 is an implementation of the heak temperature control circuit for the air ratio sensor according to the present invention. A circuit diagram showing an example, No. 71, a characteristic diagram explaining the effect of the mask, FIG. 8 a circuit diagram showing another embodiment of the present invention, FIG. 9 a waveform diagram for explaining its operation, and FIG. 10. is a characteristic diagram of effect explanation 10. 4... Heater, 10.../lower transistor, 11-13... Resistor for bridge circuit, 14... Differential amplifier, 16... ...Control transistor, 19...Resistance for time constant circuit, 2
0... Time constant circuit Figure 1, Figure 2, Figure 3, Figure 4. Continued from page 1 ■ Inventor Toshitaka Suzuki @ Inventor Nobuo Sato 3-1-1 Saiwai-cho, Hitachi City Hitachi Research Institute, Hitachi, Ltd. 3-1-1 Saiwai-cho, Hitachi, Ltd. Hitachi Research Laboratory, Hitachi, Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1、 ヒータの電圧降下と基準電圧との差電圧に応じて
上記ヒータに供給している加熱電流を制御する方式のヒ
ータ温度制御回路において、電源電圧投入により動作開
始する時定数回路を投げ、上記基準電圧が電源電圧投入
後、所定の遅れ時間をもって所定値に立上るように構成
したことを特徴とする空燃比センサ用ヒータ温度制御回
路。 2、特許請求の範囲第1項において、上記ヒータに供給
している加熱電流の制御が、スイッチング動作のオンと
オフのデユーティ比の制御で遂行されるように構成され
ていることを特徴とする空燃比セ/す用ヒータ温度制御
回路。
[Claims] 1. In a heater temperature control circuit that controls the heating current supplied to the heater according to the voltage difference between the voltage drop of the heater and the reference voltage, when the heater temperature control circuit starts operating by turning on the power supply voltage. 1. A heater temperature control circuit for an air-fuel ratio sensor, characterized in that a constant circuit is used so that the reference voltage rises to a predetermined value with a predetermined delay time after the power supply voltage is turned on. 2. Claim 1 is characterized in that the heating current supplied to the heater is controlled by controlling the duty ratio of on and off switching operations. Heater temperature control circuit for air-fuel ratio control.
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