JPS604533B2 - ブツシング - Google Patents
ブツシングInfo
- Publication number
- JPS604533B2 JPS604533B2 JP17315279A JP17315279A JPS604533B2 JP S604533 B2 JPS604533 B2 JP S604533B2 JP 17315279 A JP17315279 A JP 17315279A JP 17315279 A JP17315279 A JP 17315279A JP S604533 B2 JPS604533 B2 JP S604533B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- container
- bushing
- electric field
- space
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Insulators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
近年、電力需要の増大、都市への集中のため多くの電気
所の建設が必要となっているが、土地の取得難や環境調
和上、縦づ・化が要求され、絶縁性能のよいＳＦ６ガス
を絶縁媒体に用い、金属容器内に充電部を収めた縮小形
ガス絶縁装置が多用されるようになっている。
所の建設が必要となっているが、土地の取得難や環境調
和上、縦づ・化が要求され、絶縁性能のよいＳＦ６ガス
を絶縁媒体に用い、金属容器内に充電部を収めた縮小形
ガス絶縁装置が多用されるようになっている。
又、発電所はますます遠隔地に設けられ、長距離、大容
量送電が必要となり、電圧は増々高く、１００方ボルト
級のものまで用いられようとしている。
量送電が必要となり、電圧は増々高く、１００方ボルト
級のものまで用いられようとしている。
高電圧になればガス絶縁装置の縮小効果は非常に大きく
、これらの電気所にはガス絶縁機器が最適である。この
ガス絶縁機器は架空線から金属容器内の充電部に接続の
ためブッシングがどうしても必要となる。
、これらの電気所にはガス絶縁機器が最適である。この
ガス絶縁機器は架空線から金属容器内の充電部に接続の
ためブッシングがどうしても必要となる。
このブッシング用の絶縁物には、碍管が一般に用いられ
ているが、１００万ボルト級のものになれば、長さも十
数メートル、重さ数トンに達し、その製造には大きな設
備と高度の技術を要し、価格も非常に高くなる。又、碍
管は、脆弱であり、重さも加わり輸送など取扱いには十
分な注意を要し、使用中万一、閃絡事故などで破磯する
と、内部のガス圧力により破片などの飛び散る恐れもあ
る。又、耐震強度上も碍管は不利である。本発明は、か
かる点に鑑みてなされたもので、碍管の代りに、絶縁物
フィルムを用い内側にガスや油などの流体を充填して、
軽量で趣性のある、しかも、低コストのブツシングを提
供しようとするものである。第１図に、ガス絶縁機器に
用いた場合の「本発明の実施例を示す。
ているが、１００万ボルト級のものになれば、長さも十
数メートル、重さ数トンに達し、その製造には大きな設
備と高度の技術を要し、価格も非常に高くなる。又、碍
管は、脆弱であり、重さも加わり輸送など取扱いには十
分な注意を要し、使用中万一、閃絡事故などで破磯する
と、内部のガス圧力により破片などの飛び散る恐れもあ
る。又、耐震強度上も碍管は不利である。本発明は、か
かる点に鑑みてなされたもので、碍管の代りに、絶縁物
フィルムを用い内側にガスや油などの流体を充填して、
軽量で趣性のある、しかも、低コストのブツシングを提
供しようとするものである。第１図に、ガス絶縁機器に
用いた場合の「本発明の実施例を示す。
１はガス絶縁機器の収納器でこの中にはＳＦ６ガスが加
圧されて充填されている。
圧されて充填されている。
２はプッシング導体で、下端はガス絶縁機器内部に接続
され上端には架空線などに接続される端子３がある。
され上端には架空線などに接続される端子３がある。
上部電極４と下部電極５との間には、絶縁物フィルム状
の容器６が設けてある。この容器６は外面は風雨にさら
されて汚損するため、ひだをつけ沿面距離を長くとるの
がよい。７，８，９も絶縁フィルム状の仕切りで、これ
らは外気に触れないのでひだを設けなくてよい。
の容器６が設けてある。この容器６は外面は風雨にさら
されて汚損するため、ひだをつけ沿面距離を長くとるの
がよい。７，８，９も絶縁フィルム状の仕切りで、これ
らは外気に触れないのでひだを設けなくてよい。
これらの容器６及び７〜９絶縁物フィルムは〜雨露極４
，５及び導体２間とで気密に構成され、内部にＳＦ６ガ
スを充填して絶縁する。この場合「Ａ，Ｂ，Ｃ？ Ｄの
ガス空間の圧力を、例えば、空間Ａを２気圧、空間Ｂを
１４５気圧、空間Ｃを１．３気圧、空間Ｄを１．１気圧
というように段階的に下げ、各フィルムに加わる機械的
ストレスを小さくすうのがよい。薄いフィルムでも十分
圧力に耐えるようにすることができる。この圧力差を一
定に保つため、減圧装置１０，１１，１２、安全弁竃３
を用いるのもよい。又、各空間Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの部分に
、誘電率あるいは比抵抗の異る流体を充填し、電界の集
中する部分には誘電率が高く比抵抗の低い流体を用い、
最高電界強度を低くして、絶縁性能を向上することもで
きる。
，５及び導体２間とで気密に構成され、内部にＳＦ６ガ
スを充填して絶縁する。この場合「Ａ，Ｂ，Ｃ？ Ｄの
ガス空間の圧力を、例えば、空間Ａを２気圧、空間Ｂを
１４５気圧、空間Ｃを１．３気圧、空間Ｄを１．１気圧
というように段階的に下げ、各フィルムに加わる機械的
ストレスを小さくすうのがよい。薄いフィルムでも十分
圧力に耐えるようにすることができる。この圧力差を一
定に保つため、減圧装置１０，１１，１２、安全弁竃３
を用いるのもよい。又、各空間Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの部分に
、誘電率あるいは比抵抗の異る流体を充填し、電界の集
中する部分には誘電率が高く比抵抗の低い流体を用い、
最高電界強度を低くして、絶縁性能を向上することもで
きる。
次に、別の実施例を第２図の左半分に示す。
右半分は、第１図と同じ形のものを示し、夫々の場合の
等電位線を破線で示している。第１図と同じものは同じ
符号で示すが、左半分のこの実施例では、仕切り７〜９
の上に電界制御電極１４，１５，１６を貼りつける。電
界制御電極１４，１５，１６及び導体２、下部電極５相
互間の浮遊容量によって電位の均等化が進み等電位線が
ブッシング下部に集中せず、電界強度の緩和がなされる
ため、耐電圧性能のすぐれたブッシングが得られる。第
３図には、又、別の実施例を示す。
等電位線を破線で示している。第１図と同じものは同じ
符号で示すが、左半分のこの実施例では、仕切り７〜９
の上に電界制御電極１４，１５，１６を貼りつける。電
界制御電極１４，１５，１６及び導体２、下部電極５相
互間の浮遊容量によって電位の均等化が進み等電位線が
ブッシング下部に集中せず、電界強度の緩和がなされる
ため、耐電圧性能のすぐれたブッシングが得られる。第
３図には、又、別の実施例を示す。
この例では、絶縁物フィルムの容器を１７〜１９と区分
し、仕切り２０〜２２を設け、さらに中間電極２３，２
４を設ける。各空間Ｅ，Ｆ，Ｇ，日の部分には第１図と
同様にＳＦ６ガスなどの絶縁流体を充填するが、圧力は
順に低くするのがよい。電界の集中する下部は絶縁耐力
の大きい高ガス圧にすることにより、耐電圧性能の向上
が図れ、さらに高いガス圧に耐えることを必要とする部
分が滅小し、製作し易い。又、各空間Ｆ，Ｇ，日に充填
する流体を誘電率がこの順に低くなるもの、あるいは比
抵抗がこの順になるものを用い、ブッシング下部の電界
集中を緩和して耐電圧性能を高めることもできる。
し、仕切り２０〜２２を設け、さらに中間電極２３，２
４を設ける。各空間Ｅ，Ｆ，Ｇ，日の部分には第１図と
同様にＳＦ６ガスなどの絶縁流体を充填するが、圧力は
順に低くするのがよい。電界の集中する下部は絶縁耐力
の大きい高ガス圧にすることにより、耐電圧性能の向上
が図れ、さらに高いガス圧に耐えることを必要とする部
分が滅小し、製作し易い。又、各空間Ｆ，Ｇ，日に充填
する流体を誘電率がこの順に低くなるもの、あるいは比
抵抗がこの順になるものを用い、ブッシング下部の電界
集中を緩和して耐電圧性能を高めることもできる。
第３図の仕切り２２，２１，２０及び第１図の９などは
「フィルムというより厚い円錐状の固体絶縁物を用いて
もよい。又、上記の各実施例の組み合せも可能である。
「フィルムというより厚い円錐状の固体絶縁物を用いて
もよい。又、上記の各実施例の組み合せも可能である。
なお、このブッシングは長大なものが製作可能であり、
大きくなるが、充填ガス圧を０．１〜０．舞気圧程度の
低圧とし絶縁物フィルムの製作を楽にするのもよい。以
上のように、本発明によれば碍子を使用せず袋状の絶縁
物容器を用いるため、軽量で割れる恐れがなく、低コス
トのブッシングが製作可能となる。
大きくなるが、充填ガス圧を０．１〜０．舞気圧程度の
低圧とし絶縁物フィルムの製作を楽にするのもよい。以
上のように、本発明によれば碍子を使用せず袋状の絶縁
物容器を用いるため、軽量で割れる恐れがなく、低コス
トのブッシングが製作可能となる。
又、電界制御を電界制御電極や、充填する流体の誘電率
や比抵抗を変化させることにより行い、小形高性能化が
図れる。さらに、軽量でフレキシブルな本ブッシング絶
縁物では、耐震性能にすぐれ、高電圧化が進み碍子では
不可能である長大ブツシングも製作可能である。環境条
件の悪い場所に用いる場合の沿面距離の非常に長い、長
大ブッシングの製作も可能であり耐汚損性能のすぐれた
ブッシングを提供することもできる。又、工場内で試験
用に用いるブッシングとしても、最大なものが、軽量、
安価に製作可能であるなど多くの効果がある。
や比抵抗を変化させることにより行い、小形高性能化が
図れる。さらに、軽量でフレキシブルな本ブッシング絶
縁物では、耐震性能にすぐれ、高電圧化が進み碍子では
不可能である長大ブツシングも製作可能である。環境条
件の悪い場所に用いる場合の沿面距離の非常に長い、長
大ブッシングの製作も可能であり耐汚損性能のすぐれた
ブッシングを提供することもできる。又、工場内で試験
用に用いるブッシングとしても、最大なものが、軽量、
安価に製作可能であるなど多くの効果がある。
第１図は、本発明の一実施例の断面図、第２図は本発明
の別の実施例を左半分に示し右半分に第１図の例と比較
して、電位分布も示した断面図、第３図は本発明の別の
実施例を示す断面図である。 図において、２は導体し ６は容器である。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。第１
図第２図 第３図
の別の実施例を左半分に示し右半分に第１図の例と比較
して、電位分布も示した断面図、第３図は本発明の別の
実施例を示す断面図である。 図において、２は導体し ６は容器である。 なお、各図中同一符号は同一又は相当部分を示す。第１
図第２図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁流体が充填され、導体が貫通した容器の一端を
ガス絶縁機器の内部と連絡するものにおいて、上記容器
をフイルム状の第１の絶縁物で構成して、上記容器内を
フイルム状の第２の絶縁物で仕切って複数個の空間に区
分し、上記各空間内に上記容器の一端側から順次圧力が
低くなるように絶縁流体を充填したことを特徴とするブ
ツシング。 ２ 絶縁流体は各空間毎に誘電率又は比抵抗を相違させ
電界の緩和をすることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載のブツシング。 ３ 容器は各空間の仕切りに電界制御用電極を設けたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のブツシング
。 ４ 容器は各空間毎に減圧弁又は安全弁を有することを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載のブツシング。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17315279A JPS604533B2 (ja) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | ブツシング |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17315279A JPS604533B2 (ja) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | ブツシング |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5696412A JPS5696412A (en) | 1981-08-04 |
| JPS604533B2 true JPS604533B2 (ja) | 1985-02-05 |
Family
ID=15955059
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17315279A Expired JPS604533B2 (ja) | 1979-12-28 | 1979-12-28 | ブツシング |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS604533B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210031976A (ko) | 2018-08-08 | 2021-03-23 | 카와사키 주코교 카부시키 카이샤 | 컴바인드 사이클 발전 플랜트 |
-
1979
- 1979-12-28 JP JP17315279A patent/JPS604533B2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20210031976A (ko) | 2018-08-08 | 2021-03-23 | 카와사키 주코교 카부시키 카이샤 | 컴바인드 사이클 발전 플랜트 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5696412A (en) | 1981-08-04 |
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