JPS604527B2 - 化合物超電導撚線 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は非超電導性基材中に複数本の線状化合物超電導
体を内蔵した化合物超電導複合素線を含む化合物超電導
撚線に関し、更に詳しくは撚線を構成する化合物超電導
複合素線が相互に可動することができ、かつその化合物
超電導複合素線の外径及び化合物超電導燃線の撚りピッ
チを規定してなる諸特性の優れた化合物超電導撚線に関
するものである。

従来化合物超電導体としてはＮｂ３Ｓｎ、Ｎ＆ＡＩ、Ｎ
広（幻Ｇｅ）、Ｖ３０ａ、Ｖ３Ｓｉ、ＮｂＮ、ＮｂＣ、
（ＮｂＴｉ）Ｎ、Ｖ２Ｈｆ、Ｖ２Ｚｒ等が知られている
が、その中実用化されているのはＮｂ３Ｓｎ及びＶ３Ｇ
ａである。

これらの化合物超電導体は、Ｎｂ−ＴｉやＮｂ−Ｚｒな
どの合金超電導体に比し、臨界温度や臨界磁界が高くす
ぐれた超電導特性を有する反面、極めて脆い性質を有し
、加工や屈曲変形に際し簡単に破壊してしまうという欠
点を持っている。

このため、従来化合物超電導体は、テープ状導体（テー
プ状基材の表面に化合物超電導体の極めて薄い層を形成
し、その上に安定化金属や電気絶縁材等を設けた構造の
もの）、単線導体（多数の化合物超電導体フィラメント
を非超電導性基材となる金属中に埋込んだ構造のもの）
および化合物超電導フィラメント融着導体（１９６６王
５自社団法人計測自動制御学会発行「計測と制御」６６
頁に「Ｎｂ−Ｓｎ超電導より線」と題して紹介された１
９６３王１０自発行「クラィオジェニックス」５巻５号
２４８頁から２５１頁に発表された「Ｓｔｒａｎｄｅｄ
Ｎｉｏｂｊ山ｍ−ＴｉｎＳｕｐｅｒｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒ」である。すなわちＮｂ−Ｚｒ合金線の複数本を撚り
合せてスズをかぶせたものを石英繊維で包囲して絶縁し
た後これをコイル巻きし、熱処理によってスズを溶融状
態でＮｂ−Ｚｒ合金線と反応させこれら合金線が相互に
融着されたＮはＳｎ超電導体）の形態で使用されていた
が、テープ状導体はコイル巻きされると電流が幅方向に
不均一に流れるという電流異方性のために、超電導状態
を不安定とし実用的には高均質磁場が得られないことや
磁場上昇速度を極めて遅くする以外には使用に耐えない
など極めて不便なものであるつた。単線導体は、大電流
を流すために直径を太くすると、コイルに巻く際の曲げ
によって内部の化合物超電導フィラメントが局部的に破
壊を起こし、導体の長手方向での電流容量が変化したり
、場合によっては全く電流を流すことができなくなるも
のであった。また化合物フィラメント雛着導体は、所謂
ＷｉｎｄａｎｄＲｅａｃｔ法によって形成されるもので
あり、線材としての単独の取扱いは不可能であり、コイ
ルの状態でのみ安定である。したがってコイル特性に不
具合が発生したとしても導体を巻き戻したり、改めてコ
イルに巻き直したりすることはできないものであった。
なぜならば、コイルの内部で化合物フィラメントはすで
に相互に融着結合された状態にあるため、巻き戻し・や
巻き直しの際の曲げや引張りによるわずかな歪すなわち
０．２％以下の歪率で破壊され、実質的に可榛性の全く
ないものであるからである。このように従来から使用さ
れている化合物超電導線は、電流異万性による不安定性
、大電流容量導体では小さい直径のコイルに巻けない、
高均質磁場のコイルが得られない等の欠点を有するもの
であった。

本発明は、かかる従来の化合物超電導線の諸欠点を解決
した化合物超電導撚線を提供するものであり、その構成
要件はつぎのとおりである。

、■ 非超電導性基材中に複数本の線状化合物超電導
体を内蔵した化合物超電導複合秦線が用いられているこ
と。■ 上記化合物超電導複合素線が複数本で撚線を構
成していること。

■ 上記撚線中で化合物超電導複合素線は相互に可動し
うろこと。

■ 化合物超電導複合秦線の外径をｄ、上記撚線の撚り
ピッチをｐとするつぎの（１１‘２’式を満足すること
。

ｄ＜２Ｒ。

Ｘご……………【１１２の＜ｐ＜１００の……………‘
２１ 但し、ごは化合物超電導複合素線の非超電導性基材中で
化合物超電導体が破壊されない許容歪率、Ｒｏは上記撚
線を超電導マグネットに巻装したときの屈曲部の最小曲
率半径を夫々示す。

以下これら諸要件を詳述する。要件■の素線は、第１図
ａの断面図に示すように非超電導性基材１中に複数本の
化合物超電導体を与える線状体２を内蔵させた未反応複
合秦線３を化合物超電導体が生成する温度で拡散熱処理
して形成されるものであり、第１図ｂに示す如く線状の
化合物超電導体５を内蔵した化合物超電導複合素線３′
である。

要件■の撚線は、第１図ａに示す如き未反応複合素線３
をたとえば７本撚合せ第２図に示す如く撚線４を得、こ
れを化合物超電導体が生成する温度で拡散熱処理して得
られたものであり、化合物超電導体を内蔵した化合物超
電導素線で構成された化合物超電導撚線である。

尚、本発明は漆線を構成する素線の本数には何ら限定は
ないが、撚線の横断面において素線が外接円に対称点で
接するような３本、７本、１９本などの楓密撚線が望ま
しいものである。要件■における蓑線相互の可動とはつ
ぎのことを意味するものである。

すなわち、撚線とは本来複数本の秦線が撚り合せられた
ものであって、それを構成する各秦線はそれぞれ独立し
ていて、撚線に曲げが加わった場合には各素線相互の相
対的なずれが生じて良好な可榛性を発現するようになっ
ているものであって、各秦線が融着一体化されているよ
うなものは燃線とはいえない、しかし、本発明の撚線に
おいて各素線が可動するということは、一般の撚線の如
く素線相互が単に接触している構造に限らず、軽度の一
体化構造を持っているものもその範囲とするものである
。たとえば、上述化合物超電導撚線の表面を極くわずか
インジウムなどの軟質低融的金属で被覆したものやさら
に外部をウレタンなどの有機物質などで絶縁処理したも
のも本発明の撚線に含まれる。なぜならばこれら被覆物
質の磯断強度は要件■の秦線３′のそれに比し十分小さ
いため秦線相互の可動を実質的に害するものでないから
である。要件■に関して許容歪率ごはつぎのように定義
される。

単体の化合物超電導体に何等非超電導怪物質を被覆する
ことなく、直接に外力が加わった場合０．２％以上の歪
率に耐えることは不可能とされている。しかるにこの化
合物超電導体が塑性の十分ある非超電導性基材と複合さ
れると、１．３％の歪率まで化合物超電導体が耐えうろ
ことを本発明者らは見出した。ここにおける許容歪率の
測定はつぎのように行わるものである。すなわち、化合
物超電導複合秦線の外部に低温用ストレーンゲージを貼
付けた後、液体ヘリウム中の任意の磁場および応力下で
通電し、その都度対応する歪率を測定し、歪率水準が増
大する方向に応力水準を増大し、許容電流値の低下率が
最大になる歪率をもって許容歪率とした。なお、許容歪
率以上の歪が負荷された化合物超電導複合秦線から非超
電導性基村を酸エッチング処理で慎重に溶解除去し化合
物超電導体フィラメントを抽出し、走査電子顕微鏡によ
って観察したところ０．１仏机程度の割れがこのフィラ
メントの長手方向に直角な方向に観察され化合物超電導
体フィラメントの不連続性がはじまっていることが判っ
た。本発明において、許容歪率どの値は、化合物超電導
複合素線の構成によって定まるものである。たとえば第
１図ｂにおける非超電導性基材１の複合率を断面積率で
７０％から８５％に増すことにより許容歪率は０．４％
から１．３％に変化する。したがって、本発明における
許容歪率どの値は第１図ｂにおけるような化合物超電導
複合素線の複合率が変る毎に上述の方法であらかじめ測
定して許容歪率どの値を求めておけばよい。非超電導性
基材の複合率をさらに大きくすれば許容歪率がある程度
大きなるが、この複合率を余り大きくすると逆に化合物
超電導体の占簿率が著しく少なくなって必要な電流容量
を得ることができず、実用性がなくなる。一方化合物超
電導複合素線が例えば７本の稲密同芯撚線とされる場合
の最小ピッチは幾何学的には素線径の６倍であるが、撚
線が実用上引張、圧縮及びねじり応力を受けることによ
る化合物超電導体への影響を考慮すると、撚りピッチの
長さは最小素線径の２び音以上あることが必要でこれ以
下では所望の超電導特性は得られないことを見出した。

又該ピッチの長さの上限については撚線としての形状の
維持とコイル状になった場合の素線の撚りくずれを防ぐ
ために素線径の１００Ｍ音以下にする必要があることも
見出した。

なお、要件■におけるｄおよびｐは撚線中に化合物超電
導体を内蔵する前後で実質的に変化はせず、幾何学的に
定まるものであることも判ったので未反応の複合秦線の
状態にあるときに決定することができる。

上述のような構成要件を満す化合物超電導撚線であれば
、化合物超電導体の有する脆いという欠点が克服され、
最づ・曲率半径Ｒｏ以上の曲げである限り、素線内部の
化合物超電導体は破壊されないので合金超電導体線の場
合と同様にコイル巻き等が自由に行なえる。

また本発明の化合物超電導撚線の最小曲率半径Ｒｏは撚
線の外蓬とは無関係に定まるので、素線数を増減するだ
けで、電流容量を自由に増減できる。このことは、極め
て大きな意味を有する。

すなわち電流容量を大きくするためには撚線の径を大き
くしなければならないが、本発明によれば撚線の最小曲
率半径Ｒｏは素線径のみによって定まるので素線数を増
しても、その撚線の最小曲率半径Ｒｏつまり、化合物超
電導特性を損わないで曲げられる最小径は全く変らない
ということである。したがって、本発明は従来の化合物
超電導体の欠点をすべて解決した可榛・性化合物超電導
撚線を提供するものである。このように本発明の化合物
超電導撚線は、化合物超電導体を破壊することな〈殆ん
ど合金線と同様な取扱いやコイル巻きを行うことができ
るばかりでなく、撚線ピッチが余り大きくない所では撚
線の長手方向に対して化合物超電導複合素線が傾いてい
るため撚線全体としては種々の傾きを有する電流が流れ
、したがって磁場均一度が増し、その結果単線を撚り合
せたりすることなく単に束ねたものより高い臨界電流値
を得ることも可能である。

以下に本発明の効果を一層明らかにするためその実施例
を示す。

第１図ａの如き形状の１２肋少のＣｕ−１斑ｔ．％Ｇａ
合金榛１に２側めの穴７個をあげ、その中に１．９側め
のＶ榛２を挿入した後、必要に応じて中間焼鈍し溝ロー
ル、スゥヱージャ、伸線機等の機械的加工により線径が
それぞれ０．１柳の、０．１２側め、０．３側め及び０
．４側めの４種類の線を得、各線に線径の３の音のピッ
チでツイストを与えて複合素線３を作り、この複合素線
３を第２図に示す如く各７本ずつで撚りピッチ１．５肌
、３．３帆、５脚、７側、９．５伽、１５側、２５肋及
び１５仇廠の同芯撚線４をそれぞれ得た。

ただし線径０．３側の複合素線については撚りピッチ３
．３脚、５脚、７肌、９．５側、１５側、２５側及び１
５比肋の同芯撚線４をそれぞれ得、また線径０．４肋の
複合素線については撚りピッチ５側、７肌、９．５脚、
１５柳、２５側及び１５仇磯の同芯撚線４をそれぞれ得
た。この撚線４を直線状のまま６２５００の非酸化性雰
囲気中で１０畑時間の熱処理を行いＶ芯２とＣｕ−Ｇａ
合金１の界面に約４仏のＶ３Ｇａ層５を拡散形成した。

かくして得た化合物超電導撚線の撚りピッチｐ及び秦線
の級蓬ｄは、拡散処理前の未反応撚線４のそれぞれの値
と実質的に同じであり、土１０仏の誤差範囲内で一致し
ていた。尚、上記化合物超電導撚線と比較するために、
上記複合泰線７本分に相当すべ〈、第１図ａの如き形状
のＣｕ−１鞘ｔ．％Ｇａ合金榛にＶ榛を４９本挿入した
ものを用い、同機の加工を行って線径０．２６５職◇、
ツイストピッチ８肋の複合単線を得、しかる後、上記実
施例と同様の拡散熱処理を施し「化合物超電導単線（比
較試料Ｄ）を得た。

かくして得られた本発明による化合物超電導撚線と比較
例の化合物超電導単線（比較試料Ｄ）とを用いて次の実
験を行った。

なお、次の実験に先行して許容歪率を次のようにして決
定した。

たとえば、線径０．３伽めの化合物超電導複合泰線の場
合、直線状の歪率は極低温用ストレーンゲージと引張試
験機を用いた通常の試験方法で測定した。また、曲げ歪
率の測定の場合も直線状でのストレーソゲージによる歪
率測定を適用した。

すなわち、まず、上記化合物超電導複合素線の表面を脱
脂し乾燥したのち、この表面に接着剤でストレーンゲー
ジを貼付し、これをクラィオスタットに水平に設置した
。次に試料全体を液体ヘリウム温度（４２Ｋ）に冷却し
、ストレーンゲージの温度による見掛け歪の零点補正を
行った。しかる後試料に鉛直に曲率半径７５肌の圧子を
降下させて試料に曲げ歪を与えた。この時試料に負荷さ
れた最大曲げ歪率は０．２％士０．００３％であった。
他方この測定値は、氏子の曲率半径（７５肋）と試料の
化合物超電導複合素線の線径（０．３側）とから算出さ
れる歪率（０．２％）とより一致を示した。かかる試験
法で圧子の曲率半径を種々変え、その都度臨界電流値も
同時に測定すると、臨界電流値と曲げ歪率との関係曲線
が得られ、この関係曲線で臨界電流値が最も急速に低下
するときの歪率を許容歪率（ご）とした。

したがって例えば綾蓬０．３柳Ｊの化合物超電導複合秦
線について同上の試験を行ない臨界電流値と曲げ歪率と
の関係曲線を作成したところ臨界電流値が最も急速に低
下する点の歪率すなわち許容歪率は１．０％であった。

実験‘１｝前記実施例で綾径０．１肋少の複合素線を用
いて得られた本発明の化合物超電導撚線を本発明品【ｑ
とし、この本発明品‘Ｃ｝の撚線表面にインジウムメッ
キしたものを本発明品油とし、さらにこの本発明品にー
のインジウムメッキ層上にウレタン樹脂の絶縁皮膜を設
けたものを本発明品■とした。

次にこれらの試料Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤを、曲率半径が種々
異なるマンドレルに巻付けた後、全体を液体ヘリウム（
４．〆Ｋ）中に浸潰し、７雌Ｇの磁界で臨界電流を測定
した結果を第３図に示した。同図より明らかな如く、本
発明品Ａ、Ｂ及びＣはほとんど同じ臨界電流特性を示し
ており、図中矢印で示した点（臨界電流値が最も急速に
低下する点）に対応する巻付け蓬（次ｏ）は約１物舷で
あるので、これら試料Ａ、Ｂ及びＣの許容歪率はいずれ
も約１％であることが求められる。同様に比較試料Ｄの
比抵抗が１０‐１１０肌以上となる点は図中矢印で示し
た点であり、この点に対応する巻付け蓬（波ｏ）は約２
７側であるので、この試料Ｄの許容歪率も約１％となる
。したがって、いずれの試料Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤも許容歪
率は約１％で同じであるが、超電導状態が安定して維持
されるために必要な最小曲率半径（Ｒｏ）は、本発明品
Ａ、Ｂ及びＣでは約５側であるのに対して比較試料Ｄで
は約１３．５側である。

このことは、本発明品（化合物超電導燃線）は比較試料
○（化合物超電導単線）に比べ著しく小さい曲げ径にま
で曲げても超電導特性が低下しないことを示している。
また既述の如く、非超電導基材中に埋め込まれていない
裸の化合物超電導体の許容歪率は約０．２％であるのに
対して、非超電導基村中に埋め込まれた上記試料Ａ、Ｂ
、Ｃ及びＤの化合物超電導体の許容歪率は、上記の如く
約１％と大きく改善されていることが判かる。

しかしこれだけの改善では最小曲率半径（Ｒｏ）の本質
的な改善にはならず、素線が相互に可動しうる撚線構造
にすることによって始めて、電流容量の増大化要求に対
して最小曲率半径（Ｒｏ）の本質的な解決を与えるもの
である。実験■前記実施例で得た、線径０．１柵０の複
合黍線からなる撚りピッチ３．３肋の化合物超電導燃線
、線径０．１柳ぐの複合秦線からなる撚りピッチ７柳の
化合物超電導撚線、線径０．１２柳？の複合素線からな
る撚りピッチ５柳の化合物超電導撚線、線蓬０．１２側
めの複合秦線からなる撚りピッチ９．５肋の化合物超電
導撚線及び線径０．３側ぐの複合素線からなる撚りピッ
チ２５肌の化合物超電導撚線の５種類の撚線をそれぞれ
インジウム裕中で浸糟メッキして素線間をインジウムで
一体化した後、さりこその上にウレタン樹脂の絶縁皮膜
を設けたものについて、次の実験を行った。

かくして絶縁皮膜を設けられた化合物超電導燃線を液体
ヘリウム中に浸潰した状態でこの撚線に引張試験機で引
張歪を加え、７雌Ｇの磁界で臨界電流の測定を行ったと
ころ、いずれの線径の複合素線からなる撚線についても
約１．１％の歪率まで臨界電流値の低下は認められなか
った。

次に、上記絶縁皮膜を設けた化合物超電導撚線をそれぞ
れ用いて、巻付け径の種々異なるマンドレルにそれぞれ
数回巻付けた後、実験‘１１と同様の臨界電流測定を行
った結果を第４図に示した。

図中矢印は実験｛１｝の結果を示した第３図の場合と同
様に、試料が超電導状態を失なう点を示す。したがって
第４図から明らかな如く、素線径が同一であれば、撚線
の撚りピッチｐが異なっても超電導状態が失われる巻付
け径は一定であることが判る。図より、素線蓬０．１伽
ぐ、０．１２側め及び０．３側めの素線からなるそれぞ
れの撚線の上記巻付け径（球ｏ）は、それぞれ９肋、１
２柵及び３仇肋であることが判るので、それぞれの許容
歪率は１．１、１．０及び１．０％であることが算出さ
れる。

したがってこの実験｛２）から明らかな如く、引張り試
験で求めた許容歪率とコイル状にして求めた許容歪率と
はよく一致しており、しかも許容歪率の値も素線径が異
なってもほぼ同じであることが判る。

これらの素線は、伸糠率つまり線径が異なるだけで、非
超電導性基材と化合物超電導体との複合率が同じである
からである。つまり線蓬が異なっても許容歪率は影響さ
れない。以上のことから、同一素材で同一複合率である
限り、上記の如く、引張試験で任意の線径の化合物超電
導複合線について許容歪率を測定しておけば、関係式ｄ
＜恋ｏ×ごにより、最小巻付け径（波ｏ）に巻付けても
超電導特性を損わない撚線を構成するに必要な素線蚤ｄ
が求められる。

実験‘３｝ 前記実施例で得た本発明による化合物超電導撚線（繁線
径０．３側？、撚りピッチ２５肌）に、実験（１１で用
いた本発明品■と同様に、インジウムメッキとウレタン
樹脂絶縁とを施して、直径０．９５側めの撚線を得た。

かくして得た撚線を用いて、コイル内径３仇肋◇、コイ
ル外径８７肋◇、軸方向コイル長３仇舷、巻層数３０の
コイルを製作した。尚、ここで用いた絶縁撚線は実線【
２｝で用いた秦線径０．３側めからなる絶縁撚線と全く
同じものであるので、実験｛２）の結果から明らかな如
く、許容歪率が１．０％であり、また巻付け径（波ｏが
３比駁◇以上では超電導特性を劣化しないことが判って
いるので、上記寸法のコイルを製作した。

このコイルを液体ヘリウム中に浸債冷却し、外部磁場用
コイルと共に通電実験を行ったところ、電流２５私でク
ェンチし常電導状態に転移した。

この時のコイル最内層での磁場は７０ＫＯであった。こ
の実験から明らかな如く、本発明による化合物超電導撚
線は、これを用いて超電導マグネットを製作した場合に
も、実験｛２）の場合と同じ特性を発揮していることが
判る。

すなわち、実験■のコイルは、電流値２５軸までは超電
導状態を維持しており、実験■の第４図から明らかな如
く、撚線（素線径０．３撚りピッチ２５肌）の最小巻付
け径が３０側めのとき臨界電流値は２５０Ａであり、両
者の電流値はよく一致していることが判る。実験｛４｝ 前記実施例で得た、線径０．１側めの複合秦線からなり
、撚りピッチが１．５、３．３、５、７、９．５１５、
２５、１５仇吻とそれぞれ異なる８種の化合物超電導撚
線（本発明品Ａ群）、線径０．１２肋少の複合蓑線から
なり、撚りピッチが上記と同様にそれぞれ異なる８種の
化合物超電導燃線（本発明品Ｂ群）、糠径０．３柳？の
複合素線からなり、撚りピッチが３．３、５、７、９．
ふ ｌｉ ２ふ １５比吻とそれぞれ異なる７種の化合
物超電導撚線（本発明品Ｃ群）及び線径０．４側めの複
合素線からなり、撚りピッチが７、１与 ２５ １５仇
吻とそれぞれ異なる４種の化合物超電導撚線（本発明品
Ｄ群）を、巻付け径の種々異なるボビンに５００夕の負
荷をかけて巻付け、７０ＫＯの磁界中で臨界電流値を各
５本ずつ平衡測定しその平均値を第５図に示した。

尚平衡測定のバラッキは土２Ａ以内であった。また、上
記巻付け径は、本発明品Ａ群、Ｂ群の撚線については２
４肌？、Ｃ群の撚線については６５側め、Ｄ群の撚線に
ついては７仇眺めとした。第５図から明らかな如く、臨
界電流値が最大となる撚りピッチの大きさは、撚線を構
成している素線の線径の大きさによって異なることが判
る。

換言すると、撚線を構成している泰線の線径に応じて良
好な臨界電流値を与える適正な撚りピッチの範囲がある
ことが判る。例えば、素線径【ｄ）０．１肌０からなる
撚線について見ると、撚りピッチ（Ｐ）２側つまり２の
以下では急激に特性が低下している。

他方２５側以上では臨界電流値自体はほとんど低下せず
、この点だけでは問題がないが、撚りピッチｐが大きく
なりすぎるとつまり１００の以上では燃線本来の構造が
失われ、磁気的安定性が低下するから好ましくない。し
たがって、良好な臨界電流値を与えかつ、良好な他の超
電導特性をも満す適正な撚りピッチｐの範囲は、２の＜
ｐ＜１００のである。

このことは図中他の撚線についてもあてはまっているこ
とが判る。尚、上記実施例では化合物超電導撚線は、す
べて化合物超電導体を内蔵する化合物超電導複合素線で
構成したが、秦線として安定化材、補強材、絶縁材など
を付加しても同様の効果が得られる。

また複合泰線自体が燃線であっても差支えない。このよ
うに本発明は、これまでの固定概念であった化合物超電
導体はきわめて脆く、コイル巻きはできないという概念
を打破し、合金超電導線と同様にコイル巻きの可能な化
合物超電導撚線を提供したという点でまさに画期的なも
のであり、本発明によって所望の電流容量の化合物超電
導体を用いた実用超電導マグネットの製作が初めて可能
になったといっても過言ではなく、本発明の技術的意義
はきわめて大なるものである。

【図面の簡単な説明】

第１図ａは化合物超電導体を生成させるための拡散熱処
理を行う前の複合素線の断面図、第１図ｂは第１図ａの
複合素線に上記拡散熱処理を行った後の複合蓑線すなわ
ち化合物超電導複合秦線の断面図、第２図は、第１図ａ
の複合素線を撚り合せた撚線の斜視図、第３図は本発明
による化合物超電導撚線の臨界電流特性と従来の化合物
超電導単線の臨界電流特性とを示した特性図表、第４図
は、素線径及び撚りピッチの異なる化合物超電導撚線に
ついて行った巻付け径と臨界電流値との関係を示す特性
図表、及び第６図は、秦線径の異なる化合物超電導燃線
について行った撚りピッチと臨界電流値との関係を示す
特性図表である。 １・・・・・・非超電導性基材（Ｃｕ−Ｇａ合金）、２
・・・・・・Ｖ又はＶ合金、３・・・・・・複合素線、
３′・・・・・・化合物超電導複合素線、４・・・・・
・撚線、５・・・・・・線状化合物超電導体（Ｖ３Ｇａ
）。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 非超電導性基材中に複数本の線状化合物超電導体を
   内蔵した化合物超電導複合素線の複数本を含む撚線であ
   り、各化合物超電導複合素線が相互に可動することがで
   き、かつ上記の化合物超電導複合素線の外径をｄ、該撚
   線の撚りピツチの長さをｐとするとき、これらｄおよび
   ｐの値が下記式（１）、（２）を満足することを特徴と
   する化合物超電導撚線。 ｄ＜２Ｒ＿０×ε……（１） ２０ｄ＜ｐ＜１０００ｄ……（２） ▲数式、化学式、表等があります▼