JPS6044943A - 電荷転移型プラズマデイスプレイパネル - Google Patents
電荷転移型プラズマデイスプレイパネルInfo
- Publication number
- JPS6044943A JPS6044943A JP58151319A JP15131983A JPS6044943A JP S6044943 A JPS6044943 A JP S6044943A JP 58151319 A JP58151319 A JP 58151319A JP 15131983 A JP15131983 A JP 15131983A JP S6044943 A JPS6044943 A JP S6044943A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transition
- electrode
- charge
- electrodes
- electrode group
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電荷転移型プラズマディスプレイパネルに関す
る。
る。
電荷転移型プラズマディスプレイパネル（以降電荷転移
型Ｐ Ｉ’） Ｐと略記する）Ｆ、１通常のプラズマデ
ィスプレイパネルに比べ駆動回路数を著しく少なく出来
る為、テータ端末、ｐｏｓ等の情報材器の発展とともに
そのマーケットを広けてきている。
型Ｐ Ｉ’） Ｐと略記する）Ｆ、１通常のプラズマデ
ィスプレイパネルに比べ駆動回路数を著しく少なく出来
る為、テータ端末、ｐｏｓ等の情報材器の発展とともに
そのマーケットを広けてきている。
この電荷転移型ＰＤＰの構造は第１図に示すように前面
ガラス板１上に遷移電極２Ａ、２Ｃが他方後面ガラス板
３上ｖｃｒａ遷移ＮｆＩＪＩ４ Ｂ、 ４’ｌ）カ２Ｍ
’＋［材料で形成されている。これらの遷移電極計は低
融点ガラスから成る誘電体膜５で俊われている。
ガラス板１上に遷移電極２Ａ、２Ｃが他方後面ガラス板
３上ｖｃｒａ遷移ＮｆＩＪＩ４ Ｂ、 ４’ｌ）カ２Ｍ
’＋［材料で形成されている。これらの遷移電極計は低
融点ガラスから成る誘電体膜５で俊われている。
又、遷移１Ｍ、極群の片端には電荷注入７れ倹６．他端
ＶＣ＆−」’ｌ（＋’、 （ｙＪ消去′市極７が形成さ
ｎている。こｎら電荷注入′「れ（Ｇ・おＪ、ひ電荷消
去型４砂に誘電体膜で被覆さｔしず、かわりｖｃＨ化ル
テニウム等を主成分とする抵抗体膜８で覆わｔＪている
。又訪ｔＥ体膜および抵ｊノ１イ；、ｌｌｌＧｇ表Ｉｔ
ＪＩ’ ＶＣｉｉ、１Ｎｉｌ放′屯材かＩであル醇化マ
グネシウム９がスプレーｌ）−等で塗布されている。
ＶＣ＆−」’ｌ（＋’、 （ｙＪ消去′市極７が形成さ
ｎている。こｎら電荷注入′「れ（Ｇ・おＪ、ひ電荷消
去型４砂に誘電体膜で被覆さｔしず、かわりｖｃＨ化ル
テニウム等を主成分とする抵抗体膜８で覆わｔＪている
。又訪ｔＥ体膜および抵ｊノ１イ；、ｌｌｌＧｇ表Ｉｔ
ＪＩ’ ＶＣｉｉ、１Ｎｉｌ放′屯材かＩであル醇化マ
グネシウム９がスプレーｌ）−等で塗布されている。
上記各電極の接続状態を第２図を用いて説明する。ｉｆ
Ｊ面ガラス板１上に遷移′市＋０１２Ａ、および２Ｃか
互いに平「１に配員これ、引出しリード綜によっ−Ｃそ
れぞれ外部端子］、ＯＡ、ＩＯＣに接続さハている。前
向ガラス板の片端には遷移電極に隣４役シかつ平行ＶＣ
４Ｊイ荷消去４ｊ３’、 ４１ｙ７が形成され外部端子
１１に接４つ１−さｆ［ている。一方後面ガラス根３に
も同様に遷も電極４Ｂ、４Ｄが形成さ）′１、それぞわ
、外部端子１２Ｂ、］２Ｄｖｃ接続されている。前面基
板と後向基板を絹み合わぜた時に前記電荷消去電極の反
対側の端棒５となるように電荷注入電極６が、やｔＪり
遷移電極に隣接かつ平行に配＋１４１−され、外部端子
１３Ｖ（接Ｘつ′、されている。
Ｊ面ガラス板１上に遷移′市＋０１２Ａ、および２Ｃか
互いに平「１に配員これ、引出しリード綜によっ−Ｃそ
れぞれ外部端子］、ＯＡ、ＩＯＣに接続さハている。前
向ガラス板の片端には遷移電極に隣４役シかつ平行ＶＣ
４Ｊイ荷消去４ｊ３’、 ４１ｙ７が形成され外部端子
１１に接４つ１−さｆ［ている。一方後面ガラス根３に
も同様に遷も電極４Ｂ、４Ｄが形成さ）′１、それぞわ
、外部端子１２Ｂ、］２Ｄｖｃ接続されている。前面基
板と後向基板を絹み合わぜた時に前記電荷消去電極の反
対側の端棒５となるように電荷注入電極６が、やｔＪり
遷移電極に隣接かつ平行に配＋１４１−され、外部端子
１３Ｖ（接Ｘつ′、されている。
又、遷移電極の形成法としてｔ月ＩＬ１索ピッチの微細
化に伴いスパッタリング、蒸沿法で形成さ）１１女アル
ミニウム等の金属薄膜を写真蝕刻法でバターニングする
という方法が広く使用されている。
化に伴いスパッタリング、蒸沿法で形成さ）１１女アル
ミニウム等の金属薄膜を写真蝕刻法でバターニングする
という方法が広く使用されている。
以上述べた電荷転移型Ｐ ｌ） Ｐの光示は第３図（ａ
）又は（ｂ）の如き放電領域１４を持つ放電状態、いわ
ゆる保持状態でなさる、図中２Ａ、２Ｃけ前面ガラス板
１に形成された遷移電極、４Ｂ、４１）は後面ガラス板
３に形成さｒｌに遷移市、＠Ｉである。
）又は（ｂ）の如き放電領域１４を持つ放電状態、いわ
ゆる保持状態でなさる、図中２Ａ、２Ｃけ前面ガラス板
１に形成された遷移電極、４Ｂ、４１）は後面ガラス板
３に形成さｒｌに遷移市、＠Ｉである。
又５は誘電体膜、９は酸化マグネシウム膜である。
これらの図から明らかなように後面基板の誘電体が透明
な低融点ガラスの場合、放電による発光のうちかなりの
割合が後面基板の遷移′市惨間の間隙を通過１〜でパネ
ル裏面へ透過してしまう。一方後面基板の誘電体とし２
てＦｅρ、、 Ｃｒ２Ｏ３，ＣｏＯ等の金属酸化物を順
相として混合した黒色の低融点ガラスを用いる場合ｒ（
は発光に遷移電極間の間隙で吸収されてし捷い、発光の
利用率が低下してし捷う。パネル表面に金属反射＆を設
置し、発光を有効に利用する方法があるが、コストアッ
プにつながり火剤的ではない。
な低融点ガラスの場合、放電による発光のうちかなりの
割合が後面基板の遷移′市惨間の間隙を通過１〜でパネ
ル裏面へ透過してしまう。一方後面基板の誘電体とし２
てＦｅρ、、 Ｃｒ２Ｏ３，ＣｏＯ等の金属酸化物を順
相として混合した黒色の低融点ガラスを用いる場合ｒ（
は発光に遷移電極間の間隙で吸収されてし捷い、発光の
利用率が低下してし捷う。パネル表面に金属反射＆を設
置し、発光を有効に利用する方法があるが、コストアッ
プにつながり火剤的ではない。
本発明ｔ；Ｊこう１−ｆｃ欠点を解消する目的で後面基
板上の遷長山１恰以外の部分子（遷移′屯榛と接触はせ
ずＶＣ金属向膜パターンヶ形成し、こ扛を反射板と１２
で利用するものである。
板上の遷長山１恰以外の部分子（遷移′屯榛と接触はせ
ずＶＣ金属向膜パターンヶ形成し、こ扛を反射板と１２
で利用するものである。
本発明Ｃ（よ／Ｓ敵面基敢の構造断面図を第４図に、父
系［祝１ン］をＣ０５図に示す。いずれの図においても
遷移電極４Ｌ１．４１）のＩＪに、反射板として働く金
統薄ｊ模パターン（す１）１顆反射板パターンと記す）
４■すが設置ノーイき７１、ていゐ。又１ヒ［中３は後
面ガラス板、５に誘電体膜である。第５図では反射板パ
ターンを短冊状とり、ｆｃが、遷移電極と接触（−７庁
い範囲で任意な形状と丁めことが出来る。又後向基板の
遷移電極ｔよ既ｒＣ述べた様にスパッタリング或いは蒸
庸法で形成７芒れたアルミニウム等の金属薄膜を写−貞
蝕刻法でパターン形成するので、フォトマスクにパター
ンを追加することだけで従来の工程を変λすにｃｊｉ
１＋’＋ｊガラス板上１／Ｃ所望の反射板パターンを形
成することが出来る。
系［祝１ン］をＣ０５図に示す。いずれの図においても
遷移電極４Ｌ１．４１）のＩＪに、反射板として働く金
統薄ｊ模パターン（す１）１顆反射板パターンと記す）
４■すが設置ノーイき７１、ていゐ。又１ヒ［中３は後
面ガラス板、５に誘電体膜である。第５図では反射板パ
ターンを短冊状とり、ｆｃが、遷移電極と接触（−７庁
い範囲で任意な形状と丁めことが出来る。又後向基板の
遷移電極ｔよ既ｒＣ述べた様にスパッタリング或いは蒸
庸法で形成７芒れたアルミニウム等の金属薄膜を写−貞
蝕刻法でパターン形成するので、フォトマスクにパター
ンを追加することだけで従来の工程を変λすにｃｊｉ
１＋’＋ｊガラス板上１／Ｃ所望の反射板パターンを形
成することが出来る。
さてこのような反射板パターンを有する後面基板ＶＣは
６′屯体膜として黒色低融点ガラス全使用できないこと
は云う捷でもないことであるが、次のような問題点が発
生することが３）る。低融点ガラスとしては通常硼硅醒
鉛ガラスが１更用さｈるが、誘電体膜の表向を平滑にシ
１、ピンホール、気泡といった欠陥を無くす目的で軟化
温度の低い鉛含有ｔ１°の高い低融点ガラスを使用する
」〃１合がある。この場合金属淘′ＪＩシと低融点ガラ
スの反応が起り易く、基板焼成工程で、金属薄膜と低融
点ガラスの宜間が変色黒化１−１、全域光沢が減少【７
、反Ω・１板とし７丁の機能が低下し７て［７脣う。
６′屯体膜として黒色低融点ガラス全使用できないこと
は云う捷でもないことであるが、次のような問題点が発
生することが３）る。低融点ガラスとしては通常硼硅醒
鉛ガラスが１更用さｈるが、誘電体膜の表向を平滑にシ
１、ピンホール、気泡といった欠陥を無くす目的で軟化
温度の低い鉛含有ｔ１°の高い低融点ガラスを使用する
」〃１合がある。この場合金属淘′ＪＩシと低融点ガラ
スの反応が起り易く、基板焼成工程で、金属薄膜と低融
点ガラスの宜間が変色黒化１−１、全域光沢が減少【７
、反Ω・１板とし７丁の機能が低下し７て［７脣う。
この問題嬢°遷移電イカ・・のみが低融点ガラスで被覆
され、反射（ルパターンは被赫されずに露出させておく
ことでＭ決さ力、る。ｌｌｊｌ卵膜印刷法融点ガラスを
このようｌヌリソト状のパターンに印刷塗布することは
精度的にかなり困１Ａ１であるのＴ゛下８：の如き電気
泳動′＠、着法による低融点ガラスの塗布が有効である
。すなわち低融点ガラス粒子を電解質溶液中に分散させ
ておき、遷＃電極および反射板パターンが形成さｔ″ｌ
′ｆＣ休＝而基板体こ面′Ｉｌ＋３．着浴液中ＶＣ浸漬
する。同一電層ｋｊ液液中浸漬した対向１１］、イ伊と
遷移′「に極間に血汐電圧を印加することで遷移電極上
のみしく一低融点ガラスλカ子が被鳥塗布される。
され、反射（ルパターンは被赫されずに露出させておく
ことでＭ決さ力、る。ｌｌｊｌ卵膜印刷法融点ガラスを
このようｌヌリソト状のパターンに印刷塗布することは
精度的にかなり困１Ａ１であるのＴ゛下８：の如き電気
泳動′＠、着法による低融点ガラスの塗布が有効である
。すなわち低融点ガラス粒子を電解質溶液中に分散させ
ておき、遷＃電極および反射板パターンが形成さｔ″ｌ
′ｆＣ休＝而基板体こ面′Ｉｌ＋３．着浴液中ＶＣ浸漬
する。同一電層ｋｊ液液中浸漬した対向１１］、イ伊と
遷移′「に極間に血汐電圧を印加することで遷移電極上
のみしく一低融点ガラスλカ子が被鳥塗布される。
反射板ノ・ターン１り、′ｒｌｉ、圧印加さ圧印−ので
当然低融臓カラス粒イはケ布さｊ論い。上目己の電滞工
程の後焼成エセ、看駈」で第６図に小すように後Ｏｌガ
ラス扱３上のＡｉ←・’ｐ、＝、 、ｉ宮Ｉ４Ｂ、４］
）のみが肪’ｔｚ ｓ Ｊｌダ（５でｈｋ ＦｒＪさｎ
１反射板バク−ン４Ｅは被覆されず露出し、ているＬ［
望の構ｒζが１切られる。
当然低融臓カラス粒イはケ布さｊ論い。上目己の電滞工
程の後焼成エセ、看駈」で第６図に小すように後Ｏｌガ
ラス扱３上のＡｉ←・’ｐ、＝、 、ｉ宮Ｉ４Ｂ、４］
）のみが肪’ｔｚ ｓ Ｊｌダ（５でｈｋ ＦｒＪさｎ
１反射板バク−ン４Ｅは被覆されず露出し、ているＬ［
望の構ｒζが１切られる。
次に災ｂ’ｒ （；ｌを用いて本発明の効果を明らかに
する。同一基板上の１臂＋Ｉコする遷移電極ピッチ−０
２５謳（画像ピップ＝ （１，５ｍｍ ） ｉｉ 科’
市１＞、 １１ ＝＝ ０．０９ ｗｎ、反射板パター
ンがＩｆ］ ０．１ ＋＋＋ｒ＋の短１Ｉｆｆ状である
１０１荷転；ｌｋ３型１月）Ｐり・製造１７女。この時
遷移電析および反射板バク−ンはスパッタリング沃−Ｃ
′脱形成し、ｆｃ厚さ１５μのγルミニウムｆ専ハ１之
を当蟇ｒ市刻沃でノ（ターン形成り、ｆｃものである。
する。同一基板上の１臂＋Ｉコする遷移電極ピッチ−０
２５謳（画像ピップ＝ （１，５ｍｍ ） ｉｉ 科’
市１＞、 １１ ＝＝ ０．０９ ｗｎ、反射板パター
ンがＩｆ］ ０．１ ＋＋＋ｒ＋の短１Ｉｆｆ状である
１０１荷転；ｌｋ３型１月）Ｐり・製造１７女。この時
遷移電析および反射板バク−ンはスパッタリング沃−Ｃ
′脱形成し、ｆｃ厚さ１５μのγルミニウムｆ専ハ１之
を当蟇ｒ市刻沃でノ（ターン形成り、ｆｃものである。
さらに前述の電気泳動′屯痛−法全用い遷移′上極のみ
詞′醒体膜で也われる（１う造をとっブこ。この’７’
ｊ、荷転；＋Ｊ ｉｊｉ ］） Ｉ） １３の発光牛を
性を測定した結果反！にＩ板パターンを形成していない
従来構造のものにＬＬｃべ約３０チの輝朋向上が達成さ
れ本発明の効果が明らかＶＣなった。
詞′醒体膜で也われる（１う造をとっブこ。この’７’
ｊ、荷転；＋Ｊ ｉｊｉ ］） Ｉ） １３の発光牛を
性を測定した結果反！にＩ板パターンを形成していない
従来構造のものにＬＬｃべ約３０チの輝朋向上が達成さ
れ本発明の効果が明らかＶＣなった。
第１図は従来構造の電荷転移＾すｌ） ］’） Ｐの断
面図である３、第２図は遷移′電極の接続状態ケ示す斜
視図である。第３図（ａ） 、ｆｂ）に保持状態におけ
る放電状態を示す模式図である。第４図に木’ｔｈ明ｔ
ｉｃよる反射板パターンを設置ＫｒＬ、ｆｃ電倚転移型
１’ Ｄ Ｉ’の後面基板の断面図であり、第５図に第
４図の斜視図である。第６［ツＩは′ｚＮ発明による反
射板パターン部が誘′市体１１αでへわバてい庁い構造
の電荷転移型ＦＤＰの後面基板の断面図である。 １・・・・・・曲面ガラス板、２Ａ、２Ｃ，４Ｂ、４１
）・・・・・・遷移電極、３・・・・・・メ面ガラス板
、４Ｉ８・−・・・反射板パターン、５・・・・・・誘
電体膜、６・・・・・−電荷注入電極、７・・・・・・
′ば荷消去電極、８・・・・・・抵抗体膜、９・・・・
・・酸化マグネシウム膜、１（ＩＡ、］ｉｌＢ、ｌ １
゜１２Ｂ、１２Ｄ、１３・・・・・外部端子、１４・・
・・・放電体領域。 イ１理六 弁理士−内 涼 召 ４１） ４Ｅ ４６ ４Ｆ 第 ４ 図 Ｄ 第Ｓ図 ４ρ ４Ｉ：４β ４Ｆ
面図である３、第２図は遷移′電極の接続状態ケ示す斜
視図である。第３図（ａ） 、ｆｂ）に保持状態におけ
る放電状態を示す模式図である。第４図に木’ｔｈ明ｔ
ｉｃよる反射板パターンを設置ＫｒＬ、ｆｃ電倚転移型
１’ Ｄ Ｉ’の後面基板の断面図であり、第５図に第
４図の斜視図である。第６［ツＩは′ｚＮ発明による反
射板パターン部が誘′市体１１αでへわバてい庁い構造
の電荷転移型ＦＤＰの後面基板の断面図である。 １・・・・・・曲面ガラス板、２Ａ、２Ｃ，４Ｂ、４１
）・・・・・・遷移電極、３・・・・・・メ面ガラス板
、４Ｉ８・−・・・反射板パターン、５・・・・・・誘
電体膜、６・・・・・−電荷注入電極、７・・・・・・
′ば荷消去電極、８・・・・・・抵抗体膜、９・・・・
・・酸化マグネシウム膜、１（ＩＡ、］ｉｌＢ、ｌ １
゜１２Ｂ、１２Ｄ、１３・・・・・外部端子、１４・・
・・・放電体領域。 イ１理六 弁理士−内 涼 召 ４１） ４Ｅ ４６ ４Ｆ 第 ４ 図 Ｄ 第Ｓ図 ４ρ ４Ｉ：４β ４Ｆ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｍ パネル前面基板下面に互いに平行に形成され誘電体
膜で被覆さ九た金属薄膜から成る第１の遷移′電極群と
、後面基板上面に互いに平行に形成され、誘電体膜で被
覆された金属薄膜から成る第２の遷移’＋Ｍ Ｊｉｊ群
とをガス空間をはさんで前記第１の遷移電極群のそれぞ
れの電極が前記第２の遷移電極群のそれぞれの電極間に
配置して放″ＦＭ、空間を形成し、かつ遷移電極群の片
側に電荷注入電極と他端に電荷消去電極とを配置して成
る電荷転移型プラズマディスプレイバＬＡ［おいて、後
面基板上面に第２の遷移電極以外の部分に該遷移電極と
接触させない形状の金属薄膜パターンを形成したことを
特徴とする電荷転移ムリグラズマディスプレイパネル。 （２、特許請求の範囲第（ｉ）項記載の電荷転移型プラ
ズマディスプレイパネルにおいて遷移’ａｍ以外の部分
に形成し穴金属パターンが被餉されない形状で誘電体膜
が形成さ扛たことを特徴とする電荷転移型プラズマディ
スプレイパネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151319A JPS6044943A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電荷転移型プラズマデイスプレイパネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58151319A JPS6044943A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電荷転移型プラズマデイスプレイパネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6044943A true JPS6044943A (ja) | 1985-03-11 |
Family
ID=15516031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58151319A Pending JPS6044943A (ja) | 1983-08-19 | 1983-08-19 | 電荷転移型プラズマデイスプレイパネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6044943A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6885151B2 (en) * | 2002-01-19 | 2005-04-26 | Samsung Electronics Co., Inc. | Flat lamp with horizontal facing electrodes |
-
1983
- 1983-08-19 JP JP58151319A patent/JPS6044943A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6885151B2 (en) * | 2002-01-19 | 2005-04-26 | Samsung Electronics Co., Inc. | Flat lamp with horizontal facing electrodes |
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