JPS604187A - ピラゾ−ル化合物 - Google Patents
ピラゾ−ル化合物Info
- Publication number
- JPS604187A JPS604187A JP58111370A JP11137083A JPS604187A JP S604187 A JPS604187 A JP S604187A JP 58111370 A JP58111370 A JP 58111370A JP 11137083 A JP11137083 A JP 11137083A JP S604187 A JPS604187 A JP S604187A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- ethoxycarbonyl
- lower alkyl
- group
- pyrazolo
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は新規なピラゾール化合物に関する。
本発明のピラゾール化合物は一般式
(式中、R1は低級アルキル基、及びフェニル基R2は
低級アルキル基、又はベンジル基、R3はアセチル基、
又は低級アルコキシカルボニル基を示す)で表される。
低級アルキル基、又はベンジル基、R3はアセチル基、
又は低級アルコキシカルボニル基を示す)で表される。
上記一般式(1)中、R1及びR2で示される低級アル
キル基としては、炭素数1〜6のアルキル基を、例えば
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル
、t−ブチル、ヘキシル基等を例示できる。 又、R3
で表される低級アルコキシカルボニル基としては、炭素
数2〜7のアルコキシカルボニル基を、例えばメトキシ
カルボニル、エトキシカルボニル、プロピルオキシカル
ボニル、ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルポニ
ル、ヘキシルオキシカルボニル基等を例示できる。
キル基としては、炭素数1〜6のアルキル基を、例えば
メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル
、t−ブチル、ヘキシル基等を例示できる。 又、R3
で表される低級アルコキシカルボニル基としては、炭素
数2〜7のアルコキシカルボニル基を、例えばメトキシ
カルボニル、エトキシカルボニル、プロピルオキシカル
ボニル、ブトキシカルボニル、ペンチルオキシカルポニ
ル、ヘキシルオキシカルボニル基等を例示できる。
本発明の上記一般式(1)で表される化合物は鎮痛消炎
作用及びコレステロール低下作用を有し、医薬として有
用である。
作用及びコレステロール低下作用を有し、医薬として有
用である。
本発明の上記一般式(1)で表される化合物は例えば下
記に示す方法により製造される。
記に示す方法により製造される。
即ち、一般式
(式中、R1、R2及びR3は前記に同じ)で表される
ピラゾロン化合物を光照射する事により、製造される。
ピラゾロン化合物を光照射する事により、製造される。
本発明における上記反応は通常、溶媒中で行われる。
溶媒としては反応に関与しない限り限定されないが、
特にアセトニトリル、アセトン、ジオキサン等を用いる
と有利に進行する。 又、光照射としては高圧、及び低
圧水銀ランプを使用するのが一般に好ましい。
特にアセトニトリル、アセトン、ジオキサン等を用いる
と有利に進行する。 又、光照射としては高圧、及び低
圧水銀ランプを使用するのが一般に好ましい。
前記製造法により得られる本発明化合物は通常の分離手
段、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶等により
単離精製可能である。
段、例えばカラムクロマトグラフィー、再結晶等により
単離精製可能である。
次に本発明を具体的に説明する為、実施例を挙げる。
実施例 1
3.7−シメチルー2−エトキシカルボニル−IH,5
1(−ピラゾT:1 (1,2a)−ピラゾLルー1,
5−ジオン 0.5gをアセトニトリル50m1に溶解
し、高圧水銀ランプで2時間光照射した。 反応後、溶
媒を留去して得た残渣はイソプロピルアルコールより再
結晶を行いm、p=129〜130°Cの2.7−シメ
チルー3−エトキシカルボニル−5H−ピラゾロ(5,
1−b)(1,3)−オキサチン−5−オン(化合物1
)を0.3g得た。(収率60%) 実施例 2 実施例 1と同様の操作を行い化合物2及び3を合成し
た。
1(−ピラゾT:1 (1,2a)−ピラゾLルー1,
5−ジオン 0.5gをアセトニトリル50m1に溶解
し、高圧水銀ランプで2時間光照射した。 反応後、溶
媒を留去して得た残渣はイソプロピルアルコールより再
結晶を行いm、p=129〜130°Cの2.7−シメ
チルー3−エトキシカルボニル−5H−ピラゾロ(5,
1−b)(1,3)−オキサチン−5−オン(化合物1
)を0.3g得た。(収率60%) 実施例 2 実施例 1と同様の操作を行い化合物2及び3を合成し
た。
実施例 3
3−メチル−7−フェニル−2−エトキシカルボニル−
IH,5H−ピラゾl:l (1,2−a)ピラゾール
−1,5−ジオン 0.33gをアセトン100m1に
熔解し低圧水銀ランプで4時間光照射した。反応後溶媒
を留去し、得られた残渣はカラムクロマトグラフィー(
シリカゲル、展開溶媒 CHCl3:エタノール−3:
1)にて分離精製した。 エタノールより再結晶して
m、p”’154−155°Cの2−メチル−7−フェ
ニル−3−エトキシカルボニル−5H−ピラゾロ(5、
,1b)(1,3)オキサチン−5−オン(化合物4)
を0.18g得た。(収率54.5%)実施例 4 実施例 3と同様の操作を行い化合物5を合成した。
IH,5H−ピラゾl:l (1,2−a)ピラゾール
−1,5−ジオン 0.33gをアセトン100m1に
熔解し低圧水銀ランプで4時間光照射した。反応後溶媒
を留去し、得られた残渣はカラムクロマトグラフィー(
シリカゲル、展開溶媒 CHCl3:エタノール−3:
1)にて分離精製した。 エタノールより再結晶して
m、p”’154−155°Cの2−メチル−7−フェ
ニル−3−エトキシカルボニル−5H−ピラゾロ(5、
,1b)(1,3)オキサチン−5−オン(化合物4)
を0.18g得た。(収率54.5%)実施例 4 実施例 3と同様の操作を行い化合物5を合成した。
次に本発明の一般式(1)で表される化合物の代表例を
表1に示す。 表中MSはマススペクトル分析結果(M
)を示し、IRは臭化カリウムで測定した赤外吸収ス
ペクトル分析結果νC=O(cm )を示し、又UVは
エタノール中で測定した紫外吸収スペクトル分析結果λ
max(nm)及びε値を示す。
表1に示す。 表中MSはマススペクトル分析結果(M
)を示し、IRは臭化カリウムで測定した赤外吸収ス
ペクトル分析結果νC=O(cm )を示し、又UVは
エタノール中で測定した紫外吸収スペクトル分析結果λ
max(nm)及びε値を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ■ 一般式 (式中、R1は低級アルキル基、及びフェニル基R2は
低級アルキル基、又はベンジル基、R3&よアセチル基
、又は低級アルコキシカルボニル基を示す)で表される
ピラゾール化合物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58111370A JPS604187A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ピラゾ−ル化合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58111370A JPS604187A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ピラゾ−ル化合物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS604187A true JPS604187A (ja) | 1985-01-10 |
JPH0152396B2 JPH0152396B2 (ja) | 1989-11-08 |
Family
ID=14559468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58111370A Granted JPS604187A (ja) | 1983-06-20 | 1983-06-20 | ピラゾ−ル化合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS604187A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0491601U (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-10 | ||
US6072117A (en) * | 1996-02-27 | 2000-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device provided with an opaque substrate having a specific irregular surface structure |
-
1983
- 1983-06-20 JP JP58111370A patent/JPS604187A/ja active Granted
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0491601U (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-10 | ||
US6072117A (en) * | 1996-02-27 | 2000-06-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device provided with an opaque substrate having a specific irregular surface structure |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0152396B2 (ja) | 1989-11-08 |
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