JPS6041626A - フツ素化フエニレン重合体、およびその製造方法 - Google Patents

フツ素化フエニレン重合体、およびその製造方法

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JPS6041626A
JPS6041626A JP59130804A JP13080484A JPS6041626A JP S6041626 A JPS6041626 A JP S6041626A JP 59130804 A JP59130804 A JP 59130804A JP 13080484 A JP13080484 A JP 13080484A JP S6041626 A JPS6041626 A JP S6041626A
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fluorinated
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fluorinated phenylene
benzene
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ピーター ジヨン ニコラス ブラウン
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、新規なフッ素化ポリフェニレンおよびその#
遣方法に関する。
ベンゼンの触媒重合によるポリフェニレンの製造は、既
知である。重合は、通常強ルイス酸および酸化剤を含む
触媒の存在下に行われる。また、アリールグリニヤーま
たは了り−ルリチウムを置換環式ケトンに添加し、次い
で脱水および芳香族化によってポリフェニレンを製造す
ることも知られている。またJ−C,S−(C) 15
69頁(1968)にはE、V、 ArQSkarらに
より、芳香族炭化水素とフルオロカーボン環′の間に′
電荷移動触媒が形成できることも知られている。
フェニレン基とフッ素化フェニレン基カ混合分布で存在
する重合体を形成することによって比較的安定な生成物
が生成されることも今や分かった。
従って、本発明は、少な(とも1個がフッ素化ベンゼン
核である少な(とも4個のベンゼン核を重合体鎖に有す
るフッ素rヒフェニレン重合体である。
これ以上の実施態様により、本発明。5L5 重合体鎖
に少なくとも4個のベンゼン核を有するフッ素化フェニ
レン重合体において、前記重合体は少なくとも1個の未
置換ベンゼン核および少なくとも1個のフッ素化ベンゼ
ン核を含有するフッ素化フェニレン重合体である。
なおも51つの実施態様により、本発明は、式() 〔式中、R1、R2、R4およびR5は■(およびFが
ら選ばれた同一の基、R7、R8、R9、RIOはHお
よびFから選ばれた同一の基、 R3およびR6はH1ハロゲンお」二びリチウム、っ1
ら選ばれた同一または異なる基、 nは1かも50までの整数、かつ Aは式(n) (式中a=[lがら5まで、 b=1から10まで、 CミDかも5までであり a+b十c==少な(とも2 のようなもの)〕 のフッ素化フェニレン重合体である。
本発明によるフッ素化フェニレン重合体の特別C式中、
pば2から50までの整数)、がある。
本発明のフッ素化フェニレン重合体は、少なくとも5個
のベンゼン核を有するのが好ましく、シかも使用する反
応体および所望の生成物により植種の方法において製造
できる。
使用する出発原料は、一段階において反応されて重合体
を生成するかまたは重合をU段階的にJ行うことができ
る。
「一段」重合は、 (式中、nは1かも50までの整数)および〔式中、、
(A)r、は前記式(1)におけると同じ記号を有する
〕 からり1種またはそれ以上の反応体を (式中、nは1から50までの整数)および〔式中、(
A)n基は前記式(1)におけると同じ〕の1種または
それ以上と反応させる方法を意味する。
あるいは、式(X■)から式(XX)まで(式中、nは
1かも50までの整数)および〔式中、(A)nは式(
1)におけると同じ〕01種またはそれ以上の化合物を
、LjFを5fffi脱させ一緒に縮合させて所望の重
合体を形成〕−る。
「段階」重合の他の方法に2(゛ては、式(XX I 
)から式(XXIv)まで x 8x (XXI ) X−ぐ*〈り)−x (x x m )オヨヒ(式中、
nは1から50までの整数)“x 今a)−冗h(XX
IV) (式中、Xはハロゲン好ましくはBrまたはT)の1棟
またはそれ以上の化合物を相当する半すチウウ化誘導体
に変換し、次いで前記式(XIV )から式(Xi’l
l )までに具体的に示された1棟またはそれ以上の化
合物と反応させる。
n(合体が一段反応または段階重合によって生成されよ
うと、存在する溶媒をもって反応を行うのが好′f1−
い。使用する溶媒は、反応条件下に不活性であるのが好
ましく、テトラヒrロフラン、ジエチルエーテルなどか
ら選ぶことができる。
反応は、好ま(〜くは温度−1oo0cから+100℃
まで、より好ましくは一70℃から+70℃までにおい
て行われる。反応の生成物は、水洗され、次いでその後
溶媒の除去によって回収できる。
このように生成された生成物は、フェニル末端基または
ハロフェニル末端基あるいは水洗を除(場合は、リチオ
フェニル基を有し得る。このような生成物は、ハロフェ
ニルまたはりチオフェニルを反応させる標準技術を用い
て、さらに既知の試薬と反応されて所望の官能基または
他の基を導入できる。
この方法で製造された重合体は、固有の屯気的性質を有
するが、ある場合は、これは何ら著しくは認められない
であろう。しかしながら、本発明の重合体は、ハロゲン
、ヒ素のンツ化物、モリブデンのハロダン化物またはプ
ロトン峻のような従来のドーパントを用いてIS−ピン
グされてこれらの導電性を増進できろ。
本発明の重合体は、フィルムまたは粉末形で生成され、
従って、安定な導電性継合体を必要とする用途に広い適
用性を有し得る。
本発明の重合体および重合方法は添付の例を参照してさ
らに具体的に説明される。金側において、分光データに
おいて′用いられたアルファベット記号は下記の意味 W−弱い、m−中程度、S−強い、vs−非常に強い、
b=広い、sh=肩 を有する。
例 1 4.4′−ジゾロモジフ” = ル(XXI[) (x
 = Br )(6,2’4.9 ’)および乾燥テト
ラヒドロフラン(17rnl )乞乾燥窒素雰囲気下に
攪拌し、次いで一66℃に冷却した。ヘキサン(25,
8ml )中1.55Mn−ゾチルリチウムを、冷ジブ
ロモジフェニルに攪拌しながら満願した。なお乾燥窒素
の雰囲気下の、反応混合物を1時間0℃に加温した。純
ヘキテフルオロベンゼンCXN) (3,72、!iJ
 )を、5分間で反応混合物に攪拌しながら満願した。
次いで、この反応混合物を2.5時間還流下に沸騰した
。次いで反応混合物を冷却した。
水(150a)z−よひジエチルエーテル(150ml
)’f、次いで冷反応混合物に加え、次に得られた混合
物を十分に振とうした。懸濁した固体を含有スるエーテ
ル層を分離し、次いで水洗した(2×5 Q ml )
。次いでエーテル層をろ過して固体を得、この固体をエ
ーテルのこれ以上の容量(50ml)に加え、攪拌して
後、固体生成物(6,9,9)(融点600°Cより高
融)を最終的にろ過し、次いで乾燥した。
固体生成物の質量分析法によって、M/ z486、M
/z786、M/Z 1086およびM/Z1386に
ピークを有する(スペクトルは試料の揮発性の欠如によ
ってこの点に限られる) のものまで増大する分子量を有する構造に相当する分子
の範囲の存在することが分かった。赤外紗スペクトル法
によって、主なピークか1469(vs)、1390 
(s)、1313 (m)鋭い、1125(m)鋭い、
1065 (m)鋭い、I CI C15(mE3)鋭
い、978 (s)および820 (s) cm−” 
K見らレタ。
ラマンバンドは、下記の波数値、403(s)、441
(w)、509 Cmw)、652 (W)、772 
(mv)、851 (mW)、911 (w)、116
2(w)、1194(m)、1222 (Sh)、12
84 (m)、1665(W)、1398 (m)、1
606 (vs)および1646(m)cIn−”に認
められた。固体生成物は、水、ジエチルエーテル、アセ
トン、メタノール、石油エーテル(沸点40″Cから6
0℃まで)テトラヒドロフラン、p−どオキ丈ン、N、
N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、1
−メチル−2−ピロ・すげン、クロロホルム、四塩化炭
素、ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ヒリジンお
よび酢酸エチルに実質的に不溶性である。
lJ 2 ヘキサン(25,8mff1 )中の1.55M n−
ブチルリチウムを5分間で乾燥窒素の雰囲気下に室温に
おいて攪拌しながら乾燥ジエチルエーテル(26ml 
)中のp−ジブロモベンゼン(XXI) (x = B
r)(4,72&)に満願した。混合物を、なお乾S#
窒素雰囲気下において2.75時間還流下に肺騰した。
次いで、この混合物を室温に冷却し、次に攪拌しながら
5分間満願されたヘキサフルオロベンゼン(XIV) 
(3,72,9’)と混合した。次いで得られた混合物
を、1時間還びL下に沸騰1−だ。次に、ジエチルエー
テル(25ml)を混合物に加え、次いで還流下にざら
に1時間沸騰した。この混合物を次いで冷却した。
水(1501rLl)訃よびジエチルエーテル(125
ml )を次いで冷反応混合物に加え、次に十分に振と
うした。婆濁された固体を含有するエーテル層を分離し
、次いで水洗した(2X50ゴ)。洗浄したエーテル層
を次いでろ過して固体を得、この固体をエーテルの新し
い装入M (50ml )に再懸濁し、次に十分攪拌し
て後、最終的にろ過および乾燥して固体生成物(1,1
& ) (融点600℃より高温)を得た。
最長生成物の質量分析法から、ピークをM/z664、
M/z858およびM/z 1082に有する(スペク
トルは試料の揮発性の欠如によってこの点に限られる) のものまでに増大する分子量の構造に相当する分子の範
囲の存在することが分かった。赤外線スペクトル法によ
って、主なピークが1520 (mW)、1489(m
s)、1465(DIS)、1400(s)鋭い、13
13 (ms)、1071(S)、975 (VS)、
840 (m)および820(s)c−In”に見らレ
タ。ラマンバンドは、下記の波数値1060.1182
.1206.1696および1593C1n−”に認め
られ、最強のバンドのみが強いけい光のために認められ
た。固体生成物は、水、ジエチルエーテル、アセトン、
メタノール、石油エーテル(IWli 点4000から
60′Cまで)、テトラヒrロフラン、p−ジオキチン
、N、N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド、1−メチル−2〜ピロリドン、クロロホルム、四塩
化炭素、ベンゼン、トルエン、クロロベンゼン、ピリジ
ンおよび酢酸エチルに実質的に不溶であった。
例 6 4.4′−ジブロモジフェニル(XXI[) (X =
 Br )(3,12g)および乾燥テトラヒドロフラ
ン(8,5m1)を乾燥窒素雰囲気下に攪拌し、次いで
一73°Cに冷却した。ヘキサン(12,9ml )中
の1.55 Mn−ブチルリチウムを冷ジブロモジフェ
ニルK it拌しながら滴加した。反応混合物を、なお
乾燥窒素の雰囲気下に1.5時間0℃に加温した。乾燥
テトラ上10フラン(5ゴ)中のデカフルオロシフ1−
#(XV)(6,64g)の溶#L5分間反応(fL合
物に攪拌しながら滴加した。次いで、この反応混合物を
6.5時間還流下に沸騰した。次に、反応混合物を冷却
した。
次いで、水(150711ffl)およびジエチルエー
テル(150mA)を冷反応混合物に加え、次に得られ
た混合物を十分に振と5した。懸濁された固体を含有す
るエーテル層を分離し、次いで水洗した(3X50d)
。次いで、このエーテル層をろ過して、固体を得、この
固体を次にエーテルのこれ以上の容量(50ml )に
加え、次いで攪拌した後、固体生成物(4,3g) (
融点300 ℃より高温)を最終的にろ過し次いで乾燥
した。固体生成物の質量分析法により、ピークをM/z
 78.2、M / z1260およびM/z 167
8に有しく試料の揮発性の欠如によってスペクトルはこ
の点に限られる) のものまでに増大する分子量を有する構造に相当する分
子の範囲の存在することが分かった。
赤外線スペクトル法によって、主なピークが1522 
(mw)、1500 (W% sh)、1465(S)
、1390 (mb)、1290 (m)、995 (
m)、969(S)、830 (mb)および720 
(s) cm−”に見られた。ラマンバンドは、下記の
波数値、399(s)、505 (W)、654 (w
)、739 (W)、830(水1191 (m)、1
28 CJ (m)、1412 (m)、1602(s
)および1645 (m) cm−” K認められた。
例 4 ヘキサン(12,9ml )中の1.55M n−ブチ
ルリチウムを5分間乾燥ジエチルエーテル(16ml 
)中のp−シブ0%ベンゼン(XXI) (x = B
r)(2,,156g)Kチβ拌しながら乾燥窒素の雰
囲気下に室温において滴加した。混合物を、なお乾燥窒
素雰囲気下で2.75時間還流下に沸騰した。この混合
物を次いで室6dに冷却し、次に5分間撹拌しながら滴
加された乾燥ジエチルエーテル(5M)中のデカフルオ
ロジフェニル(XV) (3,34& ) (r)浴液
と混合した。得られた混合物を、次いで4時間還流下に
沸騰した。次いで混合物を冷却(−だ。
水(200d)およびジエチルエーテル(15゜ml 
)を次いで冷反応混合物に加え、次に十分に振とうした
。)既濁された固体を含有するエーテル層を分離し、次
いで水洗した( 3 X 100 rat )。次に、
洗Mしたエーテル層をろ過して固体をイυ、この固体を
エーテルの新しい装入量(5[3ml )に再懸濁し、
次いで攪拌して後、最終的にろ過し、乾燥して固体生成
物(1,2g)、(融点600℃より高温)を得た。固
体生成物の質量分析法により、ぎ−クをM/Z、 10
78.1t/z、 1450、M/z1822およびM
/Z2194に有しく試料の揮発性の欠如によってスペ
クトルはこの点に限られる) のものまで増大する分子量を有する構造に相当する分子
の範囲の存在することが分かった。赤外線スペクトル法
により、主なピークが1532 (m)、1495 (
mw)、1468(S)、1400(s)鋭い、129
0(s)、1120 CB)、992 (S)、968
 (vS)、845 (S)および721 (vs) 
C7n−”に見られた。ラマンバンドは、下記の波数値
、384(m、 sh)、398 (S)、4.159
 (W)、505(m)、580 (W)、685 (
W)、1064 (w)、1180 (w)、1198
 (W)、1278 (W)、1411 (V)、14
34 (w)、1584 (mw)、1601(w)お
よび1649 (m) ts−”に認められた。
フッ素化および部分フツ素化ポリ(フェニレン)は、導
電性重合体、光導電体、高温エンジニアリング重合体、
固体潤滑剤、潤滑剤添加物、酸イヒ防止剤、熱および光
安定剤、を初め多くの分!I!tにおいておよび黒鉛型
繊維用前駆物質としてσ)7爵在1月途を有している。
代理人 浅 村 皓

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 (1)少なくとも1個がフッ素化ベンゼン核である少な
    くとも4個のベンゼン核を重合体鎖に有するフッ素化フ
    ェニレン重合体。 (2)前記重合体が重合体鎖に少なくとも4個のベンゼ
    ン核を有し、前記重合体は少な(とも1個の未置換ベン
    ゼン核および少な(とも1個のフッ素化ベンゼン核を特
    徴する特許請求の範囲第1項に記載のフッ素化フェニレ
    ン重合体。 (3) 前記重合体が、式(I) 〔式中、RI、R2、R4′J?よびR5はHおよびF
    から選ばれた同一の基、R)、R8、R9、R10はH
    およびFから選ばれた同一の基、 R3およびR6はH1ハロゲンおよびリチウムから選ば
    れた同一または異なる基、 nは1がら50までの整数であり、 Aは式(If) (式中、a = 0から5まで、 b=1から10まで c −= 0から5まで であって、a+b十C−少なくとも2である。)〕を有
    する、特許請求の範囲第1項または第2項に記載のフッ
    素化フェニレン重合体。 (4ン 少な(とも1個がフッ素化ベンゼン核である少
    な(とも4個のベンゼン核を重合体鎖に有するフッ素化
    フェニレン重合体の製造方法において、(式中、nは1
    から50までの整数である)および 〔式中(A)nは前記式(I)におけると同じ記号をイ
    ]する〕 かうの1種またはそれ以上の反応体を (式中、nば1から50までの整数である)j・・よび 〔式中、(A)n基は前記式(I)におけると同じであ
    る〕 01種またはそれ以」二と、温度−100℃から+10
    0℃までにおいて反応条件下に不活性の溶媒の存在下に
    反応させることを特徴とする、フッ素化フェニレン重合
    体のNQ方法。 (5)少l工くとも1個が7ツ索化ベンゼン核である少
    なくとも4個のベンゼン核を重合体鎖に有するフッ素化
    フェニレン重合体のW 4方法において、式(XVN)
    から式(XX)まで (式中、nは1から50までの整数である)およ〔式中
    (A)nは式(1)における前記と同じである〕の1棟
    またはそれ以上の化合物を温度−100℃から+100
    ℃までにおいて反応条件下に不活性C)溶媒の存在下に
    LIFを離脱させて縮合反応させることを特徴とする、
    フッ化フェニレン重合体の製造方法。 (6)少な(とも1個がフッ素化ベンビン核である少な
    くとも4個のベンゼン核を重合体鎖に有するフッ素化フ
    ェニレン重合体の製造方法において、式(XXI)から
    式(XXIV) t −(−χ()x (XXI )、 xべ!〉−C◇−X (XXM)オヨヒ(Ωは1かも5
    0までの整数である) 〔式中、xはハロゲン好ましくはBrまたは■、かつ(
    A) は特許請求の範囲第6ユ貞におけると同じ意味を
    有する〕 の1種またはそれ以上の化合物を、前記化合物が相当す
    る半すチウム化誘4体に変換するように段階的に反応さ
    せ、次いで半リチウム化誘導体を特許請求の範囲第4項
    における式(Xff)から式(XνII)までに例示さ
    れた1種またはそれ以上の化合物と反応させることを特
    徴とする、フッ素化フェニレンd(合体の製造方法。 (7)mlJl、が、テトラヒドロフランおよびジエチ
    ルエーテルから選ばれる、前記特許請求の範囲第4項か
    ら第6項までの何れか1項に記載の方法。 (8)反応か温度−70℃から+70℃までにおいて行
    われる、前記特許請求の範囲第4項から第7項までの何
    れか1項に記載の方法。 (9)特許請求の範囲第1項から第6項までに記載(0
    gリフルオロフェニレン。 00)特許請求の範囲第4項から第8項までに記載のポ
    リフルオロフェニレンの製造方法。
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