JPS6038783A - 熱磁気光記録方法 - Google Patents
熱磁気光記録方法Info
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- JPS6038783A JPS6038783A JP14545783A JP14545783A JPS6038783A JP S6038783 A JPS6038783 A JP S6038783A JP 14545783 A JP14545783 A JP 14545783A JP 14545783 A JP14545783 A JP 14545783A JP S6038783 A JPS6038783 A JP S6038783A
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- G—PHYSICS
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B13/00—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for
- G11B13/04—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties
- G11B13/045—Recording simultaneously or selectively by methods covered by different main groups among G11B3/00, G11B5/00, G11B7/00 and G11B9/00; Record carriers therefor not otherwise provided for; Reproducing therefrom not otherwise provided for magnetically or by magnetisation and optically or by radiation, for changing or sensing optical properties combined recording by magnetic and optic means
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/02—Recording, reproducing, or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B5/09—Digital recording
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、熱磁気光記録方式におけるビット情報移動方
法、すなわち光磁気メモリによる情報の記録を光入射に
よってなし、このようにして記録したビット情報を他の
位置に移動させる移動方法に係わる。
法、すなわち光磁気メモリによる情報の記録を光入射に
よってなし、このようにして記録したビット情報を他の
位置に移動させる移動方法に係わる。
背景技術とその問題点
軟磁性膜面垂直容易磁化膜を用い、これにレーザー光を
照射して、熱磁気光記録を行う方式については、本出願
人の出願に係る特開昭５７−１５８００５号公報（特願
昭５６−４５２３２号）にその開示がある。
照射して、熱磁気光記録を行う方式については、本出願
人の出願に係る特開昭５７−１５８００５号公報（特願
昭５６−４５２３２号）にその開示がある。
これに用いられる軟磁性膜面垂直容易磁化膜とは、膜面
に垂直な方向に強い一軸磁気異方性を有し膜面に垂直に
磁化容易軸を有する軟磁性の材料からなる膜であり、た
とえば（ＹＳｍＣａ）３（ＦｅＧｅ）ｓ Ｏ１２などの
ようなＹＳｍＣａＦｅＧｅ系ガーネットなどが例示され
る。この軟磁性膜面垂直容易磁化膜の軟磁性の程度は、
これを磁気記録媒体に適用した場合に、書き込まれるビ
ット径が実際上バイアス磁界のめで決定される程度であ
ることが必要−ζあって、また、その抗磁力は約３ （
Ｏｅ）以下、好ましくは約１ （Ｏｅ）以下であること
が望まれる。この軟磁性膜面垂直容易磁化膜は、非磁性
力用−リニウムガリウムガー不ソ１−（ＧＧＧ）のよう
な希土類ガリウムガーネットの基板結晶上にＹＳｍＣａ
ＦｅＧｅ系ガーネソトなどの結晶を液相エピタキシャル
（Ｌ Ｐ Ｅ）法によって成長させ゛ζ形成する。そし
て、その書込みは、まず、所定量のバイアス磁界を軟磁
性膜面垂直容易磁化膜に印加しζ、その膜を全面にわた
っ°Ｃ単磁区でかつ磁化が）膜面に対して垂直方向に向
い°Ｃいる状態にする。この状態のままで光パルスを膜
面に焦点を絞って入射させると、この光エネルギーが熱
エネルギーに変換されることによる加；：ハによってビ
ット（磁気バブル〉の形成すなわち、情報の書き込みを
することができる。これによっζ書き込まれたピントは
円筒磁区であって、所定の大きさの径を有し、かつ、磁
化方向が印加したバイアス磁界と逆向きのものとなる。
に垂直な方向に強い一軸磁気異方性を有し膜面に垂直に
磁化容易軸を有する軟磁性の材料からなる膜であり、た
とえば（ＹＳｍＣａ）３（ＦｅＧｅ）ｓ Ｏ１２などの
ようなＹＳｍＣａＦｅＧｅ系ガーネットなどが例示され
る。この軟磁性膜面垂直容易磁化膜の軟磁性の程度は、
これを磁気記録媒体に適用した場合に、書き込まれるビ
ット径が実際上バイアス磁界のめで決定される程度であ
ることが必要−ζあって、また、その抗磁力は約３ （
Ｏｅ）以下、好ましくは約１ （Ｏｅ）以下であること
が望まれる。この軟磁性膜面垂直容易磁化膜は、非磁性
力用−リニウムガリウムガー不ソ１−（ＧＧＧ）のよう
な希土類ガリウムガーネットの基板結晶上にＹＳｍＣａ
ＦｅＧｅ系ガーネソトなどの結晶を液相エピタキシャル
（Ｌ Ｐ Ｅ）法によって成長させ゛ζ形成する。そし
て、その書込みは、まず、所定量のバイアス磁界を軟磁
性膜面垂直容易磁化膜に印加しζ、その膜を全面にわた
っ°Ｃ単磁区でかつ磁化が）膜面に対して垂直方向に向
い°Ｃいる状態にする。この状態のままで光パルスを膜
面に焦点を絞って入射させると、この光エネルギーが熱
エネルギーに変換されることによる加；：ハによってビ
ット（磁気バブル〉の形成すなわち、情報の書き込みを
することができる。これによっζ書き込まれたピントは
円筒磁区であって、所定の大きさの径を有し、かつ、磁
化方向が印加したバイアス磁界と逆向きのものとなる。
軟磁性１１央面垂直容易磁化挨を全面に且つて単磁区に
するために印加されるバイアス磁界の強さはランアウト
磁界とコラプス磁界との間に選ばれ例えば、前述した（
ＹＳａ＋Ｃａ）３（ＦｅＧｅ）５０１２Ｌ Ｐ Ｅ膜
の場合には、５７（Ｏｅ）と７３（Ｏｅ）の間である。
するために印加されるバイアス磁界の強さはランアウト
磁界とコラプス磁界との間に選ばれ例えば、前述した（
ＹＳａ＋Ｃａ）３（ＦｅＧｅ）５０１２Ｌ Ｐ Ｅ膜
の場合には、５７（Ｏｅ）と７３（Ｏｅ）の間である。
また、バイアス磁界を印加する手段は、用いられる軟磁
性１漠面垂直容易磁化賎の抗磁力、特に磁壁抗磁力が極
めて小さいところから、印加するバイアス磁界は小さく
てよく、そのためバイアス磁界発生手段も小型のソレノ
イド、ゴム磁イ」などを使用することができるものであ
る。
性１漠面垂直容易磁化賎の抗磁力、特に磁壁抗磁力が極
めて小さいところから、印加するバイアス磁界は小さく
てよく、そのためバイアス磁界発生手段も小型のソレノ
イド、ゴム磁イ」などを使用することができるものであ
る。
そして、このような記録がなされた磁化膜からの情報の
読み出しは、記録情報によって変６１Ｍシた光、例えば
レーザー光を偏光子によって直線偏光にして記録媒体に
照射する。このようにＪれば、この光が磁化膜を透過す
ることによってファラデー効果による回転を受けるので
、これを検光子を通して光検出手段に導入すれば、情報
ヒツトに応じた出力が取り出され、その読み出しがなさ
れることになる。
読み出しは、記録情報によって変６１Ｍシた光、例えば
レーザー光を偏光子によって直線偏光にして記録媒体に
照射する。このようにＪれば、この光が磁化膜を透過す
ることによってファラデー効果による回転を受けるので
、これを検光子を通して光検出手段に導入すれば、情報
ヒツトに応じた出力が取り出され、その読み出しがなさ
れることになる。
このようなＬＰＥ磁性ガーネソ１−薄膜への光磁気記録
による場合、その磁壁抗磁力］Ｉｃが約１（Ｏｅ）以ト
という小さい値であるので、従来一般の光磁気記録、す
なわちキューリ点記録、補償点記録等による場合には、
不可能であった情報移動が可能になる。この情報移動と
は、成る位置に記録したビット、ずなわら円筒磁区を、
その（多他の位置に移動させること社よって例えば論理
演算機能を持たしめるものである。このような情報移動
を行わしめる方法としては、本出願人の出願に係る特開
昭５８−１７５０５号公開公報に開示された方法がある
。これに開示された情報ビットの移動方法はバブル−バ
ブル相互作用を利用するものである。
による場合、その磁壁抗磁力］Ｉｃが約１（Ｏｅ）以ト
という小さい値であるので、従来一般の光磁気記録、す
なわちキューリ点記録、補償点記録等による場合には、
不可能であった情報移動が可能になる。この情報移動と
は、成る位置に記録したビット、ずなわら円筒磁区を、
その（多他の位置に移動させること社よって例えば論理
演算機能を持たしめるものである。このような情報移動
を行わしめる方法としては、本出願人の出願に係る特開
昭５８−１７５０５号公開公報に開示された方法がある
。これに開示された情報ビットの移動方法はバブル−バ
ブル相互作用を利用するものである。
今この情報ビットとしての磁気バブルに対し反Ｑ力を与
えるバブルをキューバプルと呼ぶ。このキューバプルは
連続）しにより昇温された位置に安定に存在するもので
あり、したがって連続光を情報ヒント列に対しピッ目早
の２程度離れたところを平行に走査さゼることにより、
この情報ビ・７ト列を、連続光にトラップされたキュー
バプルの反発力により隣接安定位置に移動させることが
できるものである。
えるバブルをキューバプルと呼ぶ。このキューバプルは
連続）しにより昇温された位置に安定に存在するもので
あり、したがって連続光を情報ヒント列に対しピッ目早
の２程度離れたところを平行に走査さゼることにより、
この情報ビ・７ト列を、連続光にトラップされたキュー
バプルの反発力により隣接安定位置に移動させることが
できるものである。
発明の目的
本発明は上述した熱磁気光記録方法において記録の安定
化を図１す、さらには記録ビットの移動機（ｉｌの安定
化をも１ス（り得るｆ４５磁気光記録方法を提供するも
のである。
化を図１す、さらには記録ビットの移動機（ｉｌの安定
化をも１ス（り得るｆ４５磁気光記録方法を提供するも
のである。
発明の概要
本発明においては、全面にわたって１゛１１磁区で、且
つ磁化が膜面に対して垂直且つ一方向に向くようにバイ
アス磁界を印加した軟磁性膜面垂直容易磁化膜に、光を
入射させて、印加されているバイアス磁界による磁化方
向とは逆向きに磁化された円筒磁区を形成させてビット
情報を記録するようにした熱磁気光記録方法において、
その磁化膜に、イオン打ち込みにより磁気エネルギーの
異る部分を形成し、これによる磁気エネルギーのＪ＋、
いに異る境界部に接して円筒磁区即ち磁気バブル、いい
かえれば情報ヒツトを形成する。
つ磁化が膜面に対して垂直且つ一方向に向くようにバイ
アス磁界を印加した軟磁性膜面垂直容易磁化膜に、光を
入射させて、印加されているバイアス磁界による磁化方
向とは逆向きに磁化された円筒磁区を形成させてビット
情報を記録するようにした熱磁気光記録方法において、
その磁化膜に、イオン打ち込みにより磁気エネルギーの
異る部分を形成し、これによる磁気エネルギーのＪ＋、
いに異る境界部に接して円筒磁区即ち磁気バブル、いい
かえれば情報ヒツトを形成する。
実施例
次に本発明による熱磁気光記録方法の実施例につい゛ζ
説明するも、まずこの実施例に用いる記録媒体につい゛
ζ説明する。この場合、第１図にボＪように、Ｇｃ１３
Ｇａ５０１２のガーネット基扱（２）上にＬ Ｐ Ｅ
法によって（ＴｍＢｉ）ａ （ＦｅＧａ）５０１２薄股
よりなる軟磁性）脱血垂直容易磁化膜（３）を形成した
記録媒体（１）を構成した。この磁化膜（３）の特性は
、である。
説明するも、まずこの実施例に用いる記録媒体につい゛
ζ説明する。この場合、第１図にボＪように、Ｇｃ１３
Ｇａ５０１２のガーネット基扱（２）上にＬ Ｐ Ｅ
法によって（ＴｍＢｉ）ａ （ＦｅＧａ）５０１２薄股
よりなる軟磁性）脱血垂直容易磁化膜（３）を形成した
記録媒体（１）を構成した。この磁化膜（３）の特性は
、である。
さらに、この媒体（１）に対する光磁気記録とその読み
出しを行う装置は第２図に示すようにアルゴン、イオン
レーザ−（４）よりのレーザー光を光度ｉｔ）＋ｌ器１
５１を通じ°ζ必要によりパルス光、連続光とする。
出しを行う装置は第２図に示すようにアルゴン、イオン
レーザ−（４）よりのレーザー光を光度ｉｔ）＋ｌ器１
５１を通じ°ζ必要によりパルス光、連続光とする。
これをハーフミラ−（６）、偏光子（７）、集光レンズ
（８）を通じて記録媒体１１）の磁化膜（３）上に集光
照射する。
（８）を通じて記録媒体１１）の磁化膜（３）上に集光
照射する。
この時の記録媒体（１）への入射強度は、光検出器（１
４）により校正測定した。そして、ここに情報ビットが
磁化膜（３）に記録されたか否か、また情報ビットが所
定の位置に移動したか否かは水銀ランプ（１３）からの
光をハーフミラ−（６）、偏光子（７）、集光レンズ（
８）を通じ”ζ媒体（１）の磁化１吹上に照射し対物レ
ンズ（９）、検光子−を通じてテレビカメラ（１１）上
に結像させてこれをモニターテレビ（１２）によって観
察した。尚、図において（１５）は例えば永久磁石より
なるバイアス磁界発生手段である。
４）により校正測定した。そして、ここに情報ビットが
磁化膜（３）に記録されたか否か、また情報ビットが所
定の位置に移動したか否かは水銀ランプ（１３）からの
光をハーフミラ−（６）、偏光子（７）、集光レンズ（
８）を通じ”ζ媒体（１）の磁化１吹上に照射し対物レ
ンズ（９）、検光子−を通じてテレビカメラ（１１）上
に結像させてこれをモニターテレビ（１２）によって観
察した。尚、図において（１５）は例えば永久磁石より
なるバイアス磁界発生手段である。
また、媒体＋１１は図示しないが直交する２方向に移動
できる機構をもつステージ上に設置されている。
できる機構をもつステージ上に設置されている。
実施例１
第３図に示すように、上述した校正汝び特性を有する記
録媒体（１）の軟磁性垂直容易磁化膜（３）に、イオン
打ら込みを行って他部と磁気エネルギーを異にする領域
（２１）を形成する。この領域（２１）は、縦及び横の
各長さが夫々 ９．０（μｍ）の正方形とした。このイ
オン打ち込みは、水素イオンＩ］＋を、加速電圧７０ｋ
ｅｖでＩ Ｘ １０” （ｃｍ−２）の打ら込み量で行
った。第４図（ａ）及び（ｂ）はこのようにして形成し
た領域（２１）を有する磁化膜（第４図（ａ））と、こ
れに記録される情報ピッ１−１ずなわら、磁気バブルｂ
に作用する力Ｆ（第４図（ｂ））との関係を示したもの
である。すなわち、第４図ｉａｌに示すように、領域（
２１）の１側縁（２２ａ ）におりる磁気エネルギーの
異る境界部に沿いこの側縁（２２ａ ）から磁気バブル
ｂの半径１．２（μｍ）に相当する直線りについてみる
に、バブルの磁気エネルギーは、この直線り上の各位置
で変化し、これに応じてバブルは力を受ける。第４図（
Ｌ＋１は、このし方向成分の力Ｆｃを実験的にめた結果
をボしたものである。この場合の測定方法は、バブルを
直線り上で、連続レーザー光で引き連れて動かし、領域
（２１）の、直線りが横切る側縁（２２ｂ ）及び（２
２ｃ ）において受ける力にさからってバブルを動かせ
る最小レーザーパワーを測定したものである。すなわち
、領域（２１）内で第４図（＋１）で示す直線り上で点
Ａから点Ｂへ（領域（２１）の１の角部からこれに隣り
合う他の角部へ）、バブルｂを動かせる最小レーザーパ
ワーＰ１と、領域（２１）内から領域（２１）外へとバ
ブルを引き出せる最小レーザーパワーＰ２と、領Ｊ１３
ｉ（２１）外から領域（２１）内へとバブルを引き入れ
る最小レーザーパワーＰ３とを測定した。一方、イオン
打ち込み領域（２１）がない場所で、磁化膜（３）の磁
壁抗磁力Ｈｃに対してバブルを動かずことのできる最小
レーザー光照射Ｐｏを測定した。つまり、パワーＰｏに
よってバブルに及ぼされる力は、Ｉｌｃによる力Ｆ Ｃ
９（Ｆｃ−４ｄｈＭｓｌｌｃ）と等しい。レーザー光が
バブルを引きつける力Ｆｄは、 で与えられる。ここにｄばバブル径、ｈは膜厚、Ｍｓは
飽和磁化、σＷは磁壁エネルギー密度、ＣＭ及びＣσは
正の定数、ｇｒａｄＴはレーザー光照射によって形成さ
れる温度勾配である。この場合、レーザー光照射によっ
てバブルの平均１＋ｉｔ度は＋ｌＩＪくなるが、これが
、室温に比べて余り高くない範囲では、ｄ、Ｍｓ、σｖ
＋、ＣＭ＋ Ｃσは、はぼ一定値として考えることがで
き、ＦｄはｇｒａｄＴ、つまりレーデ−光パワーに比例
する。したがっζ、−１述した各パワーＰｉ、Ｐ２．Ｐ
３と、ＰＯとの比をめれば、膜厚の差による領域（２Ｉ
）の側縁すなわちエネルギーの異る境界部によって受り
る力ＦをＦｃを基準としてめることができる。このよう
にし請求めた結果が第４図（ｂ）であり、この図におい
て横軸は、第４図（ａｌにおける直線り上の各位置を第
４図（ａ）に対応し゛ことったものであり、縦軸にバブ
ルの受ける力Ｆ（Ｆｃ）をとり、この力１？は第４図（
ａ）において右方向に働く力を正とし、これとは逆向き
の力を負としてボしたものである。
録媒体（１）の軟磁性垂直容易磁化膜（３）に、イオン
打ら込みを行って他部と磁気エネルギーを異にする領域
（２１）を形成する。この領域（２１）は、縦及び横の
各長さが夫々 ９．０（μｍ）の正方形とした。このイ
オン打ち込みは、水素イオンＩ］＋を、加速電圧７０ｋ
ｅｖでＩ Ｘ １０” （ｃｍ−２）の打ら込み量で行
った。第４図（ａ）及び（ｂ）はこのようにして形成し
た領域（２１）を有する磁化膜（第４図（ａ））と、こ
れに記録される情報ピッ１−１ずなわら、磁気バブルｂ
に作用する力Ｆ（第４図（ｂ））との関係を示したもの
である。すなわち、第４図ｉａｌに示すように、領域（
２１）の１側縁（２２ａ ）におりる磁気エネルギーの
異る境界部に沿いこの側縁（２２ａ ）から磁気バブル
ｂの半径１．２（μｍ）に相当する直線りについてみる
に、バブルの磁気エネルギーは、この直線り上の各位置
で変化し、これに応じてバブルは力を受ける。第４図（
Ｌ＋１は、このし方向成分の力Ｆｃを実験的にめた結果
をボしたものである。この場合の測定方法は、バブルを
直線り上で、連続レーザー光で引き連れて動かし、領域
（２１）の、直線りが横切る側縁（２２ｂ ）及び（２
２ｃ ）において受ける力にさからってバブルを動かせ
る最小レーザーパワーを測定したものである。すなわち
、領域（２１）内で第４図（＋１）で示す直線り上で点
Ａから点Ｂへ（領域（２１）の１の角部からこれに隣り
合う他の角部へ）、バブルｂを動かせる最小レーザーパ
ワーＰ１と、領域（２１）内から領域（２１）外へとバ
ブルを引き出せる最小レーザーパワーＰ２と、領Ｊ１３
ｉ（２１）外から領域（２１）内へとバブルを引き入れ
る最小レーザーパワーＰ３とを測定した。一方、イオン
打ち込み領域（２１）がない場所で、磁化膜（３）の磁
壁抗磁力Ｈｃに対してバブルを動かずことのできる最小
レーザー光照射Ｐｏを測定した。つまり、パワーＰｏに
よってバブルに及ぼされる力は、Ｉｌｃによる力Ｆ Ｃ
９（Ｆｃ−４ｄｈＭｓｌｌｃ）と等しい。レーザー光が
バブルを引きつける力Ｆｄは、 で与えられる。ここにｄばバブル径、ｈは膜厚、Ｍｓは
飽和磁化、σＷは磁壁エネルギー密度、ＣＭ及びＣσは
正の定数、ｇｒａｄＴはレーザー光照射によって形成さ
れる温度勾配である。この場合、レーザー光照射によっ
てバブルの平均１＋ｉｔ度は＋ｌＩＪくなるが、これが
、室温に比べて余り高くない範囲では、ｄ、Ｍｓ、σｖ
＋、ＣＭ＋ Ｃσは、はぼ一定値として考えることがで
き、ＦｄはｇｒａｄＴ、つまりレーデ−光パワーに比例
する。したがっζ、−１述した各パワーＰｉ、Ｐ２．Ｐ
３と、ＰＯとの比をめれば、膜厚の差による領域（２Ｉ
）の側縁すなわちエネルギーの異る境界部によって受り
る力ＦをＦｃを基準としてめることができる。このよう
にし請求めた結果が第４図（ｂ）であり、この図におい
て横軸は、第４図（ａｌにおける直線り上の各位置を第
４図（ａ）に対応し゛ことったものであり、縦軸にバブ
ルの受ける力Ｆ（Ｆｃ）をとり、この力１？は第４図（
ａ）において右方向に働く力を正とし、これとは逆向き
の力を負としてボしたものである。
これによれば、バブルは領域（２１）の縁部より、領域
（２１）外の約２（μｍ）以内でバブルｂを領域（２１
）内に押し戻す力を受けており、バブルｂは、こ（ＵＮ
域（２１）内に強く束縛されていることがわかる。そし
て、このバブルを領域（２１）内に引き込む力を利用し
て古き込みの安定化ができた。
（２１）外の約２（μｍ）以内でバブルｂを領域（２１
）内に押し戻す力を受けており、バブルｂは、こ（ＵＮ
域（２１）内に強く束縛されていることがわかる。そし
て、このバブルを領域（２１）内に引き込む力を利用し
て古き込みの安定化ができた。
今、第２図で説明した装置によりアルゴンイオンレーザ
−（波長４８８ｎｍ）を、媒体（１１の磁化膜（３）上
に直径約１ （μｍ）以下に絞っζ５．ｏ（μｓｅｃ
）照射してその書き込みを行った。この時、バブル径が
２．４（μｍ）の場合、第４図（ａ）の斜線部分、ワま
り点Ａを中心として半径約３．２（μｍ）のＡ円に店き
込みパルス先約６ （ｍＷ）を照射したとき・バブルｂ
ｌＪ（Ａ位置に安定に発生した。これは、書き込めパル
ス光の照射位置が図の斜線部分内でゆらいでも記録後の
バブル位置はΔ位置にのみ定まることを意味している。
−（波長４８８ｎｍ）を、媒体（１１の磁化膜（３）上
に直径約１ （μｍ）以下に絞っζ５．ｏ（μｓｅｃ
）照射してその書き込みを行った。この時、バブル径が
２．４（μｍ）の場合、第４図（ａ）の斜線部分、ワま
り点Ａを中心として半径約３．２（μｍ）のＡ円に店き
込みパルス先約６ （ｍＷ）を照射したとき・バブルｂ
ｌＪ（Ａ位置に安定に発生した。これは、書き込めパル
ス光の照射位置が図の斜線部分内でゆらいでも記録後の
バブル位置はΔ位置にのみ定まることを意味している。
そして、この現象は、領域（２１）の形状の対称性がら
他の３つの角部についても同様の性状を示す。
他の３つの角部についても同様の性状を示す。
実施例２
この例ではイオン打ち込み領域の安定した位置Ａに情報
ビットすなわち磁気バブルを書き込んで後、パルス光照
射によって磁化膜（３）に険内温度分布を生じさせ、こ
れによる光パルス照射位置への吸引力を記録ビットすな
わち磁気バブルに作用させて他の安定位置Ｂに移動させ
るようにした例である。すなわち、この例においては、
第５図に示すように、各辺の長さＡ＝６．０（μｍ）の
正方形のパターンの領域（２１）を、実施例１と同様の
条件によるイオン打ち込みによって形成した。この場合
、各領域（２１）間の間ＰｆＡｄは４（μｍ）とした・
そし”Ｃ１各領域（２１）に、第４図で説明した点Ａに
対応する各点Ａ工、Ａ２ 、Ａ３ ・・・にバブルｂ（
ｂｌ、ｂ２、ｂ３ ・・・）を記録した。
ビットすなわち磁気バブルを書き込んで後、パルス光照
射によって磁化膜（３）に険内温度分布を生じさせ、こ
れによる光パルス照射位置への吸引力を記録ビットすな
わち磁気バブルに作用させて他の安定位置Ｂに移動させ
るようにした例である。すなわち、この例においては、
第５図に示すように、各辺の長さＡ＝６．０（μｍ）の
正方形のパターンの領域（２１）を、実施例１と同様の
条件によるイオン打ち込みによって形成した。この場合
、各領域（２１）間の間ＰｆＡｄは４（μｍ）とした・
そし”Ｃ１各領域（２１）に、第４図で説明した点Ａに
対応する各点Ａ工、Ａ２ 、Ａ３ ・・・にバブルｂ（
ｂｌ、ｂ２、ｂ３ ・・・）を記録した。
この時の記録の限界パワー（記録に必要な最小バリー）
Ｐｗと、バイアス磁界Ｈ，との関係を第６図中曲線（３
１）に示す。この場合、アルゴンイオンレーザ−（波長
４８８ｎｍ）を磁化膜（３）上に直径約１ （μｍ）以
下に絞って５．０（μｓｅｃ ）照射した。
Ｐｗと、バイアス磁界Ｈ，との関係を第６図中曲線（３
１）に示す。この場合、アルゴンイオンレーザ−（波長
４８８ｎｍ）を磁化膜（３）上に直径約１ （μｍ）以
下に絞って５．０（μｓｅｃ ）照射した。
次に、第４図で説明した点Ｂに対応する各点Ｂ１、Ｂ２
、Ｂ３ ・・・に、移動に供する光パルスを照射し、
点Ａ （Ａｘ 、Ａ２ 、Ａ３ ・・・）に記録されて
いるバブルｂ（ｂｌ、ｂ２、ｂ３ ・・・）を点Ｂ （
Ｂｚ 、Ｂ２ 、Ｂ３ ・・・）に移動させた。
、Ｂ３ ・・・に、移動に供する光パルスを照射し、
点Ａ （Ａｘ 、Ａ２ 、Ａ３ ・・・）に記録されて
いるバブルｂ（ｂｌ、ｂ２、ｂ３ ・・・）を点Ｂ （
Ｂｚ 、Ｂ２ 、Ｂ３ ・・・）に移動させた。
このときの移動に必要な最小パワーＰｓとバイアス磁界
ＨＢとの関係を同第６図中曲線（３２）に示す。したが
って、この場合、両曲線（３１）及び（３２）によって
挾まれる範囲がビット移動マージンとなる。ずなわぢご
の範囲に移動光パルスのバリーを選定する。続いてバイ
アス磁界ＨＢ＝ ７８（Ｏｅ）、移動パルス光パワーＰ
ｓ＝４（ｍＷ）とし−ζ、その照射位置を第５図に承ず
ように、領域（２１）の縁部から距ｒ、ｌｌ ｘだけ離
れ、点Ｂに対向する位置の点Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３・・・と
した。このときＸ≦１．５（＃１Ｉｌ）であればＡ １
、Ａ ２ 、Ａ ３・・・の位置のバブルは１３１ 、
Ｂ２ 、Ｂ３ ・・・の位置に安定に移動した。Ｐ；
＝ ２ （ｍＷ）では、ｘ＝０ （μｍ）であった。こ
のようにｃｌ、Ｃ２、Ｃ３・・・に移動パルスを照射し
てもＢｌ、１３２、Ｂ３ ・・・にとどまるのは実施例
１で述べた第４図（ｂ）に示した力Ｆｃによるものであ
る。このようにイオン打ら込みにより移動パルス光の照
射位置にゆらぎがある場合でもその移動先はＢ１、Ｂ２
．１３３ ・・・による１点に定まり記録ヒツトの移動
先ば安定化された。
ＨＢとの関係を同第６図中曲線（３２）に示す。したが
って、この場合、両曲線（３１）及び（３２）によって
挾まれる範囲がビット移動マージンとなる。ずなわぢご
の範囲に移動光パルスのバリーを選定する。続いてバイ
アス磁界ＨＢ＝ ７８（Ｏｅ）、移動パルス光パワーＰ
ｓ＝４（ｍＷ）とし−ζ、その照射位置を第５図に承ず
ように、領域（２１）の縁部から距ｒ、ｌｌ ｘだけ離
れ、点Ｂに対向する位置の点Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３・・・と
した。このときＸ≦１．５（＃１Ｉｌ）であればＡ １
、Ａ ２ 、Ａ ３・・・の位置のバブルは１３１ 、
Ｂ２ 、Ｂ３ ・・・の位置に安定に移動した。Ｐ；
＝ ２ （ｍＷ）では、ｘ＝０ （μｍ）であった。こ
のようにｃｌ、Ｃ２、Ｃ３・・・に移動パルスを照射し
てもＢｌ、１３２、Ｂ３ ・・・にとどまるのは実施例
１で述べた第４図（ｂ）に示した力Ｆｃによるものであ
る。このようにイオン打ら込みにより移動パルス光の照
射位置にゆらぎがある場合でもその移動先はＢ１、Ｂ２
．１３３ ・・・による１点に定まり記録ヒツトの移動
先ば安定化された。
実施例３
この例ではイオン打ち込み領域の上述した安定位置に情
報ビットを書き込んで後、これをキューバプルずなわら
移動用のバブルによってこれとの磁気的反発力によって
他の安定位置Ｂに移動さ・けるようにした場合である。
報ビットを書き込んで後、これをキューバプルずなわら
移動用のバブルによってこれとの磁気的反発力によって
他の安定位置Ｂに移動さ・けるようにした場合である。
この例においても実施例２におけると同様のイオン打ち
込め領域（２１）を形成しこれに同様の情報ヒツトずな
わち磁気ハゾルｂを第７図に不すように記録した。そし
てこの例においては移動用のキューバプルｃ−ｂを領域
（２１）の縁部より距ＩＪｙだけ隔”ζた図中１点鎖線
ａで示す領域（２１）の配列方向に沿って図において左
から右へと媒体に対して相対的に移動させる。このキュ
ーバプルｃ−ｂば照射光スポットＳにより形成するもの
であり、このスポットＳを上述した１点鎖線上において
左から右へと移行させるものである。このようにすると
き、ｙ＝１ （μｍ）で各領域（２１）におけるバブル
ｂを、キューバプルｃ−ｂとの磁気的反発力によって位
置Ａがら位置１３へと移動させることができる。この場
合のバイアス磁界ＨＢと、キューバプルｃ−ｂを引き連
れる連続光パワーＰｃを測定した結果は第８図の斜線を
付した範囲となった第８図に乃くず斜視部分におけるパ
ワーＰｃとバイアス磁界ＨＢとの関係にｊＸ定するとき
は、ビット移動先は位置Ｂにのみ定まり領域（２１）外
に移動することはなかった。
込め領域（２１）を形成しこれに同様の情報ヒツトずな
わち磁気ハゾルｂを第７図に不すように記録した。そし
てこの例においては移動用のキューバプルｃ−ｂを領域
（２１）の縁部より距ＩＪｙだけ隔”ζた図中１点鎖線
ａで示す領域（２１）の配列方向に沿って図において左
から右へと媒体に対して相対的に移動させる。このキュ
ーバプルｃ−ｂば照射光スポットＳにより形成するもの
であり、このスポットＳを上述した１点鎖線上において
左から右へと移行させるものである。このようにすると
き、ｙ＝１ （μｍ）で各領域（２１）におけるバブル
ｂを、キューバプルｃ−ｂとの磁気的反発力によって位
置Ａがら位置１３へと移動させることができる。この場
合のバイアス磁界ＨＢと、キューバプルｃ−ｂを引き連
れる連続光パワーＰｃを測定した結果は第８図の斜線を
付した範囲となった第８図に乃くず斜視部分におけるパ
ワーＰｃとバイアス磁界ＨＢとの関係にｊＸ定するとき
は、ビット移動先は位置Ｂにのみ定まり領域（２１）外
に移動することはなかった。
これも実施例１で説明した′ｆ５４図（ｂ）で示す力ｌ
ｉ’ 、ｃによるものである。次にＨＢ−７８（Ｏｅ）
、Ｐｃ ＝ ２ （ＩＩＩＷ）としたときの安定なピッ
１−移動の距ｌ１ＩＩＩｙの範囲を測定したところ１≦
ｙ≦２ （μｍ）であった。
ｉ’ 、ｃによるものである。次にＨＢ−７８（Ｏｅ）
、Ｐｃ ＝ ２ （ＩＩＩＷ）としたときの安定なピッ
１−移動の距ｌ１ＩＩＩｙの範囲を測定したところ１≦
ｙ≦２ （μｍ）であった。
上述したように、キューバプルｃ−ｂを用いるビット移
動によってもイオン打ち込み領域（２１）によりキュー
バプルｃ−ｂを引き連れ°ζ連続光照射位置がゆらいだ
り或いは磁壁抗磁力Ｈｃのゆらぎがある場合でもその移
動先は位置Ｂ （Ｂ１、Ｂ２ 、Ｂ３ ・・・）の１点
に定まり記録ヒントの移動が安定した。
動によってもイオン打ち込み領域（２１）によりキュー
バプルｃ−ｂを引き連れ°ζ連続光照射位置がゆらいだ
り或いは磁壁抗磁力Ｈｃのゆらぎがある場合でもその移
動先は位置Ｂ （Ｂ１、Ｂ２ 、Ｂ３ ・・・）の１点
に定まり記録ヒントの移動が安定した。
尚、上述した各列においてはイオン打ち込み領域（２１
）の大きさが磁気バブルｂの大きさより人である場合に
ついて説明したが、ある場合はこの領域（２１）を磁気
バブルｂの径に対応する大きさ或いはこれより小さい大
きさの幅、辺長若しくは径を有する正方形、長方形１円
形等種々の形状をとり得るものであり、これらにおいて
も磁気バフルの位置規制を行うことができる。
）の大きさが磁気バブルｂの大きさより人である場合に
ついて説明したが、ある場合はこの領域（２１）を磁気
バブルｂの径に対応する大きさ或いはこれより小さい大
きさの幅、辺長若しくは径を有する正方形、長方形１円
形等種々の形状をとり得るものであり、これらにおいて
も磁気バフルの位置規制を行うことができる。
上述したように本発明においζは記録媒体＋１１の軟磁
性膜面垂直容易磁化膜（３）にイオンｔ１ち込めによる
領域（２１）を形成して他部と′は磁気エネルギーの異
る部分を形成することによって、その磁気エネルギーの
相違する境界部における磁気バブルに作用する力によっ
て磁気バブルの形成位置ずなわら情報ビットの書き込み
位置を正確に設定でき、また必要に応じてこれを所定位
置に正確に移動できるようにしたので各種論理演算に適
用して誤動作を生じることなく正確に目的とする論理演
算を行うごとができる。
性膜面垂直容易磁化膜（３）にイオンｔ１ち込めによる
領域（２１）を形成して他部と′は磁気エネルギーの異
る部分を形成することによって、その磁気エネルギーの
相違する境界部における磁気バブルに作用する力によっ
て磁気バブルの形成位置ずなわら情報ビットの書き込み
位置を正確に設定でき、また必要に応じてこれを所定位
置に正確に移動できるようにしたので各種論理演算に適
用して誤動作を生じることなく正確に目的とする論理演
算を行うごとができる。
今、第７図で説明した各Ａ （Ａｘ 、Ａ２ 、Ａ３・
・・）の位置を第１のトランクＴｒｌとし、これらの移
動先位置Ｂ （Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３ ・・・）を第２のト
ランクＴｒｚとして示すと、この情報バブルｂのトラン
クＴｒｚからトラックＴｒ２への移動によって、例えば
論理演算を行うことができる。例えばＡ Ｎ Ｄ ４１
９．能を行わしめる場合について説明するにこの場合、
例えば第９図（ａｌ及び（ｂｌに示すように、“０″及
び“１″の論理レベルを有する２つの人力信号に対する
場合について説明すると、例えば一方の第９図（ａｌに
示す人力に基づいてその論理レベル“１′によって、こ
れに対応する位置に第１のトラックＴｒｉに情報の記録
ビットを前述した方法によって形成する。ずなわら、第
９図＋ａ＋で示すレベル″１″によるパルス光によって
その情報ビットｂを第１０図に示すように形成する。一
方、第９図（ｂｌに示す第２の入力信号における論理レ
ベル“１”によって移動用のｃ、ｂ光を上述の直線ａ上
の対応する位置Ａに対向する位置にもちきたす。
・・）の位置を第１のトランクＴｒｌとし、これらの移
動先位置Ｂ （Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３ ・・・）を第２のト
ランクＴｒｚとして示すと、この情報バブルｂのトラン
クＴｒｚからトラックＴｒ２への移動によって、例えば
論理演算を行うことができる。例えばＡ Ｎ Ｄ ４１
９．能を行わしめる場合について説明するにこの場合、
例えば第９図（ａｌ及び（ｂｌに示すように、“０″及
び“１″の論理レベルを有する２つの人力信号に対する
場合について説明すると、例えば一方の第９図（ａｌに
示す人力に基づいてその論理レベル“１′によって、こ
れに対応する位置に第１のトラックＴｒｉに情報の記録
ビットを前述した方法によって形成する。ずなわら、第
９図＋ａ＋で示すレベル″１″によるパルス光によって
その情報ビットｂを第１０図に示すように形成する。一
方、第９図（ｂｌに示す第２の入力信号における論理レ
ベル“１”によって移動用のｃ、ｂ光を上述の直線ａ上
の対応する位置Ａに対向する位置にもちきたす。
このようにすれば、第１１図にボずように第７図（ａｌ
、 （ｂｌの論理レベル“１”が一致する時点に対応す
る位置におい°ζトラックＴｒｘ上の記録ビットがトラ
ックＴｒ２に移動することになるので、トランクＴｒ２
上の移動された情報ヒツトを読み出ゼばＡＮＤ演算によ
る出力を得ることができることになる。
、 （ｂｌの論理レベル“１”が一致する時点に対応す
る位置におい°ζトラックＴｒｘ上の記録ビットがトラ
ックＴｒ２に移動することになるので、トランクＴｒ２
上の移動された情報ヒツトを読み出ゼばＡＮＤ演算によ
る出力を得ることができることになる。
発明の効果
上述したように本発明によれば磁化膜にイオン打ら込み
により磁気エネルギーの相違する領域（２１）を形成し
、その縁部におりる磁気エネルギーの相違する境界部、
ずなわら磁気エネルギーの変化に伴う磁気バブルに働く
力を利用して記録バブルの位置を設定するようにしたの
でバブルの古き込み、さらには移動のだめの光の照射位
置に多少のばらつき、振動等のゆらぎがあっても安定し
た動作を行わしめることができるので装置の設計、製作
が簡便化される。また、この磁気エネルギーの相違する
領域（２１）の形成をイオン打ち込みによって行うので
そのパターンを微細に且つ高精度に形成することができ
るという利益がある。
により磁気エネルギーの相違する領域（２１）を形成し
、その縁部におりる磁気エネルギーの相違する境界部、
ずなわら磁気エネルギーの変化に伴う磁気バブルに働く
力を利用して記録バブルの位置を設定するようにしたの
でバブルの古き込み、さらには移動のだめの光の照射位
置に多少のばらつき、振動等のゆらぎがあっても安定し
た動作を行わしめることができるので装置の設計、製作
が簡便化される。また、この磁気エネルギーの相違する
領域（２１）の形成をイオン打ち込みによって行うので
そのパターンを微細に且つ高精度に形成することができ
るという利益がある。
第１図は本発明による熱磁気光記録方法に用いる記録媒
体の一例の路線的拡大断面図、第２図はその記録再生装
置の一例の構成図、第３図は本発明方法の一例の説明に
供するパターン図、第４図（ａ）及び（ｂ）は夫々磁気
バブルの記録及び移動態様の説明に供するパターン図と
磁気バブルに作用する力の分布図、第５図は本発明方法
の他の例の説明に供するパターン図、第６図はそのバイ
アス磁界と光パワーとの関係を示す図、第７図は本発明
のさらに他の例の説明に供する図、第８図はそのバイア
ス磁界と光パワーとの関係を示す図、第９図乃至第１１
図は論理演算の説明図である。 （１）は記録媒体、（２）はその基板、（３１は軟磁性
膜面垂直容易磁化膜である。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図
体の一例の路線的拡大断面図、第２図はその記録再生装
置の一例の構成図、第３図は本発明方法の一例の説明に
供するパターン図、第４図（ａ）及び（ｂ）は夫々磁気
バブルの記録及び移動態様の説明に供するパターン図と
磁気バブルに作用する力の分布図、第５図は本発明方法
の他の例の説明に供するパターン図、第６図はそのバイ
アス磁界と光パワーとの関係を示す図、第７図は本発明
のさらに他の例の説明に供する図、第８図はそのバイア
ス磁界と光パワーとの関係を示す図、第９図乃至第１１
図は論理演算の説明図である。 （１）は記録媒体、（２）はその基板、（３１は軟磁性
膜面垂直容易磁化膜である。 第１図 第２図 第３図 第４図 第５図 第６図 第７図 第８図 第９図 第１０図 第１１図
Claims (1)
- 全面にわたって単磁区で、且つ磁化が膜面に対して垂直
且つ一方向に向くようにバイアス磁界を印加した軟磁性
膜面垂直容易磁化膜に、光を入射させて、印加されてい
るバイアス磁界による磁化方向とは逆向きに磁化された
円筒磁区を形成さゼてビット情報を記録するようにした
熱磁気光記録方法において、上記磁化膜は、イオン打ち
込めにより形成された磁気エネルギーの異る部分を有し
該磁気エネルギーの互いに異る境界部に接して円筒磁区
を生成させることを特徴とする熱磁気光記録方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14545783A JPS6038783A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 熱磁気光記録方法 |
| EP19840901402 EP0139021B1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Thermomagnetic optical recording method |
| DE8484901402T DE3483671D1 (de) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Thermomagnetisches optisches aufzeichnungsverfahren. |
| PCT/JP1984/000152 WO1984003991A1 (en) | 1983-03-31 | 1984-03-30 | Thermomagnetic optical recording method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14545783A JPS6038783A (ja) | 1983-08-09 | 1983-08-09 | 熱磁気光記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6038783A true JPS6038783A (ja) | 1985-02-28 |
Family
ID=15385669
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14545783A Pending JPS6038783A (ja) | 1983-03-31 | 1983-08-09 | 熱磁気光記録方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6038783A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248391A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-03 | Ricoh Co Ltd | ブロッホラインメモリの書込み方法 |
-
1983
- 1983-08-09 JP JP14545783A patent/JPS6038783A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01248391A (ja) * | 1988-03-30 | 1989-10-03 | Ricoh Co Ltd | ブロッホラインメモリの書込み方法 |
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