JPS6037800A - 半導体素子用帯電ないし放電保護容器 - Google Patents

半導体素子用帯電ないし放電保護容器

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JPS6037800A
JPS6037800A JP59134984A JP13498484A JPS6037800A JP S6037800 A JPS6037800 A JP S6037800A JP 59134984 A JP59134984 A JP 59134984A JP 13498484 A JP13498484 A JP 13498484A JP S6037800 A JPS6037800 A JP S6037800A
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JP
Japan
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container
casing
charging
sliding
discharging
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JP59134984A
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アルベルト、ワルター
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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Siemens Schuckertwerke AG
Siemens AG
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    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/60Protection against electrostatic charges or discharges, e.g. Faraday shields
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
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    • HELECTRICITY
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Packaging Frangible Articles (AREA)
  • Elimination Of Static Electricity (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、少〈そも1つの半導体素子から成る容器内容
物を静電気の帯電および放電から保護する管状容器であ
って、その半導体素子が管状容器の長手方向に走る縁を
もったケーシングを有しているような半導体素子を収容
するだめの管状容器に関する。
〔従来技術と問題点〕
静電気の帯電ないし放電がしばしば半導体素子の故障あ
るいは支障の原因となっていることが知られている。従
って静電気を帯びる危険のある半導体素子に対して、搬
送および保管のために半導体素子が揮人されて順次並べ
られる中空の容器が用いられ、この容器は帯電を防止す
るために導電月相あるいは非帯電処理された制別で作ら
れている。
周知の保護対策の一つは、非帯電容器表面を帯−電防圧
液で処理して作ることにある。しかしそのようにして設
けられた層は時間の経過につれて剥離あるいは蒸発によ
ってその保護作用が失われてしまうおそれがある。更に
周囲の湿気に左右されるという欠点もある。しかも保護
作用の減少が視覚的に認識できないので、簡単な監視が
不可能である。更に帯電防止剤にしばしば含まれるノ・
ロゲン、硝酸あるいは硫酸塩が金属接続端子の腐食を助
成する。
別の周知の保護策は容器のずへての壁を合成樹脂とカー
ボンブラック(炭素)との混合物によって全体を導体に
形成することである。かかる利別は非常に抵抗が小さい
ので、内部にある半導体素子が容器壁を通して外部に放
電することによっても損傷を受けることがある。また炭
素の堆積により容器材料が黒化してしまい、内容物の視
覚的な監視ができない。更に炭素堆積層は機械的な強度
を低Tするという望ましくない性質を有している。
更に西ドイツ特許出願公開第3039782号公報にお
いて、スイッチ素子のスタックを収容するための棒形マ
ガジンが知られている。これは少くとも1つの内壁に長
手方向に連続して走る断面三角形のウェブ(突条)が設
けられることによって、摩擦が少なくて帯電を防止する
案内体を形成している。しかして特にいわゆるデユアル
ーイン−ラインーケーシングにおいて半導体素子と容器
壁との間の大面積の摩擦接触を防止するためにそのよう
な多数のウェブが必要である。特に接続端子ができるだ
け容器壁と接触しないように配慮しなければならない。
しかもマガジンの製造に関してかかる伺加的な成形部は
できるだけ少なくすることが望まれる。
〔発明の目的〕
本発明の目的は冒頭に述べた形式の容器の帯電防止作用
を改善することにある。
〔発明の要旨と作用効果〕
この目的は特許請求の範囲第1項あるいは第7項に記載
した手段によって達成される。本発明によれば多数の滑
りウェブな形成する必要なしに容器との接触を最小に制
限する半導体素子の案内が得られるという利点が生ずる
。本発明に基づく容器はたとえば静電気を帯びた人間に
よって生ずる許容できないほど大きな外部の放電電流か
ら半導体素子を隔離する働きをする。この容器は摩擦電
気に」帯電を十分に防止し、マガジン内容物の視覚的な
監視に関する相料の選択を制限しない。
その良好な滑り特注のために自動組立装置における支障
のない装填および取出しが保証される。
本発明の目的は更に、容器が105〜10I0Ωcmの
固有抵抗を有していることによって達成される。
更にまた容器の内側に半導体素子の表面に関して摩擦面
を減少するために平行な滑りレールが形成されているこ
とによっても達成される。別の解決策は、容器壁を少く
とも部分的に少くとも2つの固有抵抗が異なっている面
j摩粍性の層で構成することにある。中空室が断面U字
形をしている容器の場合、本発明の目的は、内側U7脚
の間にある容器壁部分が少くとも容器内fIlll K
導電性の充電コレクタを有していることによって達せら
れる。
本発明の発展形態は特許請求の範囲の実施態様項に記載
しである0特に特許請求の範囲第13負に記載した本発
明の容器は、接続端子間の連続的な電荷バランスによっ
て大きな電位差の発生が避けられるという利点を有して
いる。容器の外部における放電による半導体素子の故障
は、放電領域の配置および形成によって防止される。
特に容器が別の加工機たとえば自動装着機における部品
の供給体として用いられる場合、特許請求の範囲第17
項に基づく開口は、素子を保護するだめの対称的な荷電
バランスを1呆証する働きをする。
〔実施例〕
次に図面に示す5つの実施例に基づいて本発明の詳細な
説明する。
第1図ないし第5図はそれぞれ半導体素子7を収容する
管状容器1,1′の対称軸6の片側だけを断面図で示し
ている。この容器1,1′は多数の半導体素子7をその
内部室の中に並べて収容するのに適している。そのため
容器1,1′の両側端にある開口(図示せず)を通して
容器内部にアクセスすることができる。
半導体素子7は合成樹脂ケーシング3お、よびこのケー
シング3から横に引き出され下に向けて曲げられた2列
の金属端子4を有し、この金属端子4を介し7て内部に
あるその集積回路に電気的に接続されている。この構造
形式はデユアルーイン−ラインーケーシング(3,4)
として欠口られている。この形に合わせるために容器1
,1′は断面〔丁字状の中空室を有している。ケーシン
グ3は容器111′の長手方向に走る4つの縁で將徴づ
けられる。
容器1の内部には中空室に形成された2つのレール13
が、両方の内側脚部14の各接合部に沿って長手方向に
連続して走っている。レール13は滑り縁10を備えて
おシ、そのうち一方の滑!ll縁10はケーシング3の
下側に向いている。必要な場合、たとえば半導体素子7
を除去あるいは挿入する場合、ケーシング3はこの滑9
縁10に沿って滑ることができる。他方の滑り縁10は
接続端子4の方向に向いている。レール13は、ケーシ
ング3および接続端子4めいずれもがケーシング壁と平
面的に摩擦接触せず、長手運動を保証するために常にケ
ーシング3と容器1,1′との間に空隙が存在するよう
に形成されている。対向支持体としてケーシング3の上
側に対向して位置する容器壁にあシレール13に対して
平行に走る滑シウエプ5が用いられる。
第2図において容器1′は滑シ面17を有し、゛この滑
り面17は内部室におけるその配置構造および半導体素
子7に対する相対位置によって、容器壁と半導体素子7
との間で面接触が生ずることを防止する。長手方向に連
続して走る滑り面17はケーシング縁に隣接する容器壁
面15に関して、ケーシング縁に限られた接触が生ずる
ように傾けられている。第2図において台形状に形成さ
れた容器上側の傾斜角は約45°である。滑シ面17は
ケーシング3の側面7がたとえば搬送の際に横揺れある
いは縦揺れする際もこの条件が保たれるよう外幅でなけ
ればならない。というのはこの横揺れあるいは縦揺れは
必要な隙間のために完全に防止することができ々いから
である。
実施例によっては4つのケーシング縁のそれぞれにかか
る滑り面17が設けられている。これらの滑り面17は
それぞれ平らで、対角線上に対をなして平行に走ってい
る。本発明に基づく別の実施例において滑り面17は凹
面状に湾曲されている(図示せず)。この処置によって
湾曲半径おける接線によって決められる傾斜角は一定し
ていない。湾曲の経過は半導体素子7の容器1′に対す
る縦揺れの隙間かできるだけ小さいように決められてい
る。
特に第2図に(符号15で)示したように容器壁の内面
が相応した範囲において滑り面]7を形成するようにす
ると有利である。これかできないか望まれない場合、内
部室に突き出した案内レールI6が形成される。この案
内レール1Gは場合によってはケーシング3を凹状に載
せる作用をする。実施例のように案内レールj6がケー
シング3の下側における縁に設けられている場合、案内
レール16はその自由縁が接続端子4に対する内側脚部
14の案内およびスペーサを形成するように幅広くされ
ると有利である。
第3図は、そのU字状中空室がこの中に並べて挿入され
る多数の半導体素子7を収容するために形成されている
ようなレール状の容器を断面図で示している。図面には
他の図面と同様に中心線6に対する片側の横断面しか示
されていないが、もう一方の側の横断面も鏡対称に形成
されている。
狭い側(挿入方向)から見て図示された半導体素子7は
、その内部に集積回路な南しているケーシング3かも成
っている。この集積回路への電気接続は、両側において
金属脚の形でそれぞれ1列でケーシング3から引き出さ
れ下方に曲げられている外側接続端子4を介して行なわ
れる(デユアルーイン−ラインーケーシング)。折り曲
げられた外側接続端子4の間にある容器1の壁部分は断
面U字形をしており、以下その脚を内側U牢固と呼ぶ。
その内側には容器1の長手方向に第1の滑りウェブ5と
第2の滑りウェブ8が設けられ、これらの滑りウェブ5
,8は容器1とケーシング3と、の接触面を最小にして
いる。
第1の滑りウェブ5はケーシング3の上側および下側に
おいて平行に走っている。滑りウェブ5は摩擦電気を生
じる大面積な摩擦電+1!I!が生しないようにケーシ
ング3を容器壁から間隔を離している。内側U牢固を接
続する容器壁部分と内側U牢固との接合点において第2
の滑りウェブ8が走っており、この滑リウェブ8は外側
接続端子4を容器壁から所定の間隔だけ離している。更
に両側の7#シウエブ8によって半導体素子7の横方向
運動が制限される。
第4図に示した実施例の場合、容器は高抵抗の充電コレ
クタ11を有し、この充電コレクタ11は外側接続端子
4の間において内側U字脚を接続する容器壁部分2の内
側に設けられている。充・屯コレクタ11の固有抵抗は
好ましくは102〜107Ωcmの範囲にある。容器工
の壁は好ましくは透明材料で作られている。
充電コレクタ1]には容器1の全長(に亘って伸びる一
対の第1の滑りウェブ5が形成されている。
第1図で述ベプこように第1の屑9ウェブ5はケーシン
グ3と充電コレクタ]1との間の摩擦電気を生しる摩擦
面を最小にしている。更に充電コレクタ月は横側か容器
壁部分2を越えて張り出されているので、突き出した端
部が容器壁部分2における内側U牢固の接合範囲に沿う
第2の滑りウェブ8を形成している。充電コレククT]
l場今によっては半導体素子7を容器1に挿入ないし引
抜くために必要な隙間をもって)十〇体素子7の外側接
続端子4に接触している。
容器壁部分2は中心線6に対して対称的に容器1の長手
方向に走る開口9を有し、Cの開[]9をノmして外側
から充電コレクタ11との電気的な接触が行々われる。
このようにして損傷を生じない電荷の放出が行なわれる
mfmノ1Iff、:;=、l−/+I:4?−Wrイ
ン;ll111J、1−−rI−+4:=I−ローー+
+hり11は断面H字形をしている。このように形成さ
れた充電コレクタ11における両側のポケット状凹所は
、開口9を境界づける容器壁部分2の縁を収容する。第
2図に示した実施例と同様にたとえば接触ばねな介して
機械や工具などとの電位の・くランスをとることもでき
る。
【図面の簡単な説明】
第1図ないし第5図はそれぞれ本発明に基づく半導体素
子の収容容器の異なる実施例の断面図である。 1.1′・・・容器、2・・・容器壁部分、3・・ケー
シング、4・・・接続端子、5・・・滑りウェブ、6・
中心線、7・・・半導体素子、8・・・滑りウェブ、9
・・・開口、10・・・滑り縁、11・・・充電コレク
タ、13 レール、12・・・内側U牢固、16・・・
案内レール、17・・・滑り面。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)少くとも1つの半導体素子から成る容器内容物を静
    電気の帯電ないし放電から保護する容器であって、その
    半導体素子が容器の長手方向に走る縁をもったケーシン
    グを有しているような半導体素子を収容するだめの容器
    において、内部室が長手方向に走る少くとも1つの滑り
    面(10)を有し、この滑り面(1(+ )がケーシン
    グ縁に隣接するケーシング縁に関して、滑り面(10)
    とケーシング(3)と接触する際面接触による摩擦が回
    避されケーシング縁に限られた接触だけしか生じないよ
    うに傾斜していることを特徴とする半導体素子用帯電な
    いし放電保護容器。 2)半導体素子(7)が直方体のケーシング(3)の中
    に入れられ、4つの滑り面(10)が設けられているこ
    とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の容器。 3)滑り面(10)が平らであシ、対角線上に対を々し
    て平行に走っていることを特徴とする特許請求の範囲第
    2項記載の容器。 4)滑p面(10)が凹面状に湾曲されていることを特
    徴とする特許請求の範囲第1項又は第2項記載の容器。 5)少くとも1つの滑り面(10)が容器壁の相応した
    形状によって形成されていることを特徴とする特許請求
    の範囲8g1項ないし第4項のいずれかに記載の容器。 6)テュアルーインーラインーケーシング(3゜4)に
    おいて滑り面(17)がケーシング(3)の下側に案内
    レール(J6)によって形成され、案内レール(16)
    がデユアルーイン−ラインーケーシング(3,4)の接
    続端子(4)の方向に、案内レール(J6)の自由縁が
    接続端子(4)の案内およびスペーサを形成するように
    幅広くされていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    項ないし第5項のいずれかに記載の容器。 7)デュアルーインーラインーケーゾング(3゜4)を
    もった少くとも1つの半導体素子から成る容器内容物を
    静電気の帯電ないし放電から保護する断面U字形の容器
    において、容器(1)の長手方向に両側の内側U¥、脚
    02)の各接合部に沿って連続して容器内部に突き出し
    だレール(8)が形成畑れ、このゲール(8)がケーシ
    ングJ底に向いた滑シ縁(」0)と接続端子(4)に向
    いた別の滑り縁(TO)を有していることを特徴とする
    半導体素子用帯電ないし放電保護容器。 8)2列の外側接続端子をもったケーシングを有する半
    導体素子に対する断面U字形の中空室をも′つた帯電な
    いし放電保護用の容器において、容器(])の内側に、
    半導体素子(7)の表面に関する摩擦面を減少するだめ
    の平行な滑りウェブ(5,8)が形成烙れていることを
    特徴とする半導体素子用帯電ないし放電保護容器。 9)第゛1の滑りウェブ(5)がU牢固の間に位置する
    容器壁部分に沿って対を成して形成されていることを特
    徴とする特π「請求の範囲第8項記載の容器。 10)第2の滑りウェブ(8)が内側に位置するU牢固
    に沿って設けられていることを特徴とする特許請求の範
    囲第9項記載の容器。 11)2列の外側接続端子をもったケーゾングを有する
    半導体素子に対する帯電ないし放電保護用の容器におい
    て、容器壁が少゛くとも部分的に少くとも2つの固有抵
    抗が異なっている而」摩耗性の層から構成されているこ
    とを特徴とする半導体素子用帯電ないし放電保護容器。 12)第1の層が少くとも1ツ5Ωcmの固有抵抗を有
    1〜、容器の内側に位置する第2の層が102〜101
    1Ω/cm2 の表面抵抗を有していることを特徴とす
    る特許請求の範囲第11項記載の容器。 13)2列の外側接続端子をもったケーシングを有する
    半導体素子に対する断面U字形の中空室をもった帯電な
    いし放電保護用の容器において、内側に位置するU牢固
    の間にある容器壁部分(2)が少くとも容器内側に導電
    性の充電コレクタ(11)を有していることを特徴とす
    る半導体素子用帯電ないし放電保護容器。 14)容器が透明羽村で作られていることを特徴とする
    特許請求の範囲第13項記載の容器。 15)充電コレクタ(]1)に第1の滑りウェブ(5)
    が形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第1
    3項又は第14項記載の′容器。 16) 充Nコレクタ(月)が第2の滑りウェブ(8)
    を形成するように、内側U字脚の間にある容器壁部分(
    2)において内側U字脚の接合範囲に沿って形成されて
    いることを特徴とする特許請求の範囲第13項ないし第
    15項のいずれかに記載の容器。 17)内側U字脚な接続する容器壁部分(2)に開口(
    9)が設けられることを特徴とする特許請求の範囲第1
    3項ないし第16項のいずれかに記載の容器。 18)充電コレクタ(11)が、開口(9)を境界づけ
    る容器壁部分(2)の縁を係合する2つのポケット状凹
    所を形成するだめに、断面](形をしていることを特徴
    とする特許請求の範囲第17項記載の容器。 ]9)2列の外側接続端子をもったケーシングを有する
    半導体素子に対する帯電ないし放電保護用の容器におい
    て、容器材料が10〜100cmの固有抵抗を有してい
    ることを特徴とする半導体素子用帯電ないし放電保強用
    の容器。
JP59134984A 1983-06-30 1984-06-29 半導体素子用帯電ないし放電保護容器 Pending JPS6037800A (ja)

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DE3323589.9 1983-06-30
DE19833323589 DE3323589A1 (de) 1983-06-30 1983-06-30 Auf- und entladungssicherer behaelter fuer halbleiterbauelemente
DE3404467.1 1984-02-08

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DE3810594A1 (de) * 1988-03-29 1989-10-12 Heigl Helmuth Anordnung zum schutz integrierter bauelemente vor beschaedigung durch unkontrollierte elektrostatische entladung in handhabungssystemen
DE8816793U1 (ja) * 1988-04-19 1990-07-26 Maibach, Gerd D., 7326 Heiningen, De

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