JPS603515A - 磁気検出器 - Google Patents
磁気検出器Info
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- JPS603515A JPS603515A JP58110198A JP11019883A JPS603515A JP S603515 A JPS603515 A JP S603515A JP 58110198 A JP58110198 A JP 58110198A JP 11019883 A JP11019883 A JP 11019883A JP S603515 A JPS603515 A JP S603515A
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- magnetic field
- magnetic sensor
- magneto
- magnetoresistive
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01D—MEASURING NOT SPECIALLY ADAPTED FOR A SPECIFIC VARIABLE; ARRANGEMENTS FOR MEASURING TWO OR MORE VARIABLES NOT COVERED IN A SINGLE OTHER SUBCLASS; TARIFF METERING APPARATUS; MEASURING OR TESTING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01D5/00—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable
- G01D5/12—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means
- G01D5/14—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage
- G01D5/142—Mechanical means for transferring the output of a sensing member; Means for converting the output of a sensing member to another variable where the form or nature of the sensing member does not constrain the means for converting; Transducers not specially adapted for a specific variable using electric or magnetic means influencing the magnitude of a current or voltage using Hall-effect devices
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はロータリーエンコーダ、リニアエンコーダとし
て用いることができる磁気検出装置に関するものである
。
て用いることができる磁気検出装置に関するものである
。
例えば回転軸に取付けた磁気記録媒体を有する−・円板
または円筒に等間隔のビット長を有する磁化パターンの
形態で記録されている磁気信号を強磁性磁気抵抗効果素
子（以下ＭＲ素子と略称する）を具える磁気センサで読
み取ることにより１回転軸の回転角を検出する所謂四−
タリーエンコーダ゛□は既知である。しかし、従来のロ
ータリーエンコーダにおいてモータの出力軸に磁気記録
媒体を有する円板または円筒を取付け、これを磁気セン
サで読取って出力軸の回転角を検出する場合には、モー
タの励磁用永久磁石や電機子から相当大きな゛磁界が外
部に漏洩しているため、この外部磁界の影響で磁気セン
サの検出出力のＳ／Ｎが悪くなり、誤動作することがあ
った。このような不具合を解決するため、例えば特開昭
５４−１．６２５５６号公報において、モータの出力軸
に取付けられた磁゛′□気記録媒体を有する円板と、こ
れと対向して配置゛した磁気センサおよび該磁気センサ
の駆動回路、信号処理回路とを高透磁率磁性体で囲むこ
とにより磁気シールドするようにした角度検出器が提案
された。しかし、このように角度検出器をモータ□から
の渥洩磁界から完全に磁気シールドすることは極めて困
難である等の不具合がある。また、外部磁界の影響を除
去するため、別の磁気センサで外部磁界のみを検ＩＢシ
、この検出信号と磁気記録媒体を検出する磁気センサの
出力信号とを電気的ｌ□゛に演算することにより外部磁
界の影Ｂ九影響を補償することも考えられるが、この場
合には、磁気センサを構成するＭＲ素子の磁気−抵抗特
性が完全な比例関係ではないので、動作点がずれると出
力信号が変形し、高精度の検出ができない不具合□゛が
ある。
または円筒に等間隔のビット長を有する磁化パターンの
形態で記録されている磁気信号を強磁性磁気抵抗効果素
子（以下ＭＲ素子と略称する）を具える磁気センサで読
み取ることにより１回転軸の回転角を検出する所謂四−
タリーエンコーダ゛□は既知である。しかし、従来のロ
ータリーエンコーダにおいてモータの出力軸に磁気記録
媒体を有する円板または円筒を取付け、これを磁気セン
サで読取って出力軸の回転角を検出する場合には、モー
タの励磁用永久磁石や電機子から相当大きな゛磁界が外
部に漏洩しているため、この外部磁界の影響で磁気セン
サの検出出力のＳ／Ｎが悪くなり、誤動作することがあ
った。このような不具合を解決するため、例えば特開昭
５４−１．６２５５６号公報において、モータの出力軸
に取付けられた磁゛′□気記録媒体を有する円板と、こ
れと対向して配置゛した磁気センサおよび該磁気センサ
の駆動回路、信号処理回路とを高透磁率磁性体で囲むこ
とにより磁気シールドするようにした角度検出器が提案
された。しかし、このように角度検出器をモータ□から
の渥洩磁界から完全に磁気シールドすることは極めて困
難である等の不具合がある。また、外部磁界の影響を除
去するため、別の磁気センサで外部磁界のみを検ＩＢシ
、この検出信号と磁気記録媒体を検出する磁気センサの
出力信号とを電気的ｌ□゛に演算することにより外部磁
界の影Ｂ九影響を補償することも考えられるが、この場
合には、磁気センサを構成するＭＲ素子の磁気−抵抗特
性が完全な比例関係ではないので、動作点がずれると出
力信号が変形し、高精度の検出ができない不具合□゛が
ある。
ざらに、本発明者は特願昭５７−８６６４４号において
、２個の磁気センサを設け、ノイズ磁界を一方の磁気セ
ンサで検出し、この検出出力によりノイズ磁界を相殺す
る磁界を他方の磁気センサで発生させて信号磁界だけを
検出し得るようにしまた磁気検出器を枦案しているが、
ノイズ磁界だけを検出することができないような場合に
は適用することができない。
、２個の磁気センサを設け、ノイズ磁界を一方の磁気セ
ンサで検出し、この検出出力によりノイズ磁界を相殺す
る磁界を他方の磁気センサで発生させて信号磁界だけを
検出し得るようにしまた磁気検出器を枦案しているが、
ノイズ磁界だけを検出することができないような場合に
は適用することができない。
例えばダイレクトドライブモータの駆動制御を行なうと
共に回転角制御を行なうために磁気検出器を用いること
が考えられるが、この場合には、駆動制御を行なうため
に回転子磁界を検出すると共に回転角制御を行なうため
に回転子外周に設けた磁化パターンを検出する必要があ
る。この場合ぐ回転子磁界と磁化パターンによる磁界と
は重畳して磁気検出器に印加されるため、従来の磁気検
出器では正性な駆動制御や回転角制御を行なうことがで
きない。
共に回転角制御を行なうために磁気検出器を用いること
が考えられるが、この場合には、駆動制御を行なうため
に回転子磁界を検出すると共に回転角制御を行なうため
に回転子外周に設けた磁化パターンを検出する必要があ
る。この場合ぐ回転子磁界と磁化パターンによる磁界と
は重畳して磁気検出器に印加されるため、従来の磁気検
出器では正性な駆動制御や回転角制御を行なうことがで
きない。
さらに磁気抵抗素子を用いた磁気センサは非常゛に高い
感度を有しているが、比較的小さい磁界で飽和するので
、例えばノイズ磁界が大きい場合に°“ｉ’１ｌｌｌＬ
、″（’Ｌ ｔ ｕＮ″／ｆｉｌ″Ｓ ７１ ’；：
Ｔ’：ｊ ７ｖ Ｃｈ”″。ゝ ｌなる〇 一方、磁気抵抗素子を具える磁気センサとしてミ絶縁膜
を挾んで二層の磁気抵抗素子を上下に股は吃相互に磁気
的バイアスを与えるようにしたものが特公昭５８−３７
．２０４号公報および同５８−８７２０５号公報などに
記載されており、公知である。例えば特公昭５３−８７
２０４号公報に記・・載された磁気センサでは磁気抵抗
素子を上下に二層積層し、一方の磁気抵抗素子に流れる
駆動電流により発生する磁界により他方の磁気抵抗素子
にバイアス磁界を印加するものであり、これを以後、−
次バイアス方式と云う。また、特公昭ｇａ−”’３７２
０５号公報に記載された磁気センサは、一方の磁気抵抗
素子を流れる駆動電流により発生する磁界が他方の磁気
抵抗素子に加えられ、この他方の磁気抵抗素子における
磁化の一成分が逆磁界を生じ、この逆磁界が一方の磁気
抵抗素子にパイ１′アス磁界として印加されるものであ
り、これを以後二次バイアス方式と云う。
感度を有しているが、比較的小さい磁界で飽和するので
、例えばノイズ磁界が大きい場合に°“ｉ’１ｌｌｌＬ
、″（’Ｌ ｔ ｕＮ″／ｆｉｌ″Ｓ ７１ ’；：
Ｔ’：ｊ ７ｖ Ｃｈ”″。ゝ ｌなる〇 一方、磁気抵抗素子を具える磁気センサとしてミ絶縁膜
を挾んで二層の磁気抵抗素子を上下に股は吃相互に磁気
的バイアスを与えるようにしたものが特公昭５８−３７
．２０４号公報および同５８−８７２０５号公報などに
記載されており、公知である。例えば特公昭５３−８７
２０４号公報に記・・載された磁気センサでは磁気抵抗
素子を上下に二層積層し、一方の磁気抵抗素子に流れる
駆動電流により発生する磁界により他方の磁気抵抗素子
にバイアス磁界を印加するものであり、これを以後、−
次バイアス方式と云う。また、特公昭ｇａ−”’３７２
０５号公報に記載された磁気センサは、一方の磁気抵抗
素子を流れる駆動電流により発生する磁界が他方の磁気
抵抗素子に加えられ、この他方の磁気抵抗素子における
磁化の一成分が逆磁界を生じ、この逆磁界が一方の磁気
抵抗素子にパイ１′アス磁界として印加されるものであ
り、これを以後二次バイアス方式と云う。
第１図は上述した特公昭５３−８７２０４号公報に記載
された磁気検出器の回路図である。絶縁膜を介して上下
に積層された第１′Ｂよび第２の磁”″′気抵抗素子Ｍ
ＲＩおよびＭＢ２を定電流源Ｓと大地１電位との間に並
列に接続し、定電流源Ｓと磁気抵抗素子ＭＲＩおよびＭ
Ｂ２との接続点に現われる電圧Ｖ□および■２の差を差
動増幅器ＤＡでめるようにしたものである。
された磁気検出器の回路図である。絶縁膜を介して上下
に積層された第１′Ｂよび第２の磁”″′気抵抗素子Ｍ
ＲＩおよびＭＢ２を定電流源Ｓと大地１電位との間に並
列に接続し、定電流源Ｓと磁気抵抗素子ＭＲＩおよびＭ
Ｂ２との接続点に現われる電圧Ｖ□および■２の差を差
動増幅器ＤＡでめるようにしたものである。
このような相互磁気バイアス形の磁気検出器は、例えば
絶縁基板上に第１の磁気抵抗膜、絶縁膜および第２の磁
気抵抗膜を順次に被着して構成されているが、安定した
検出出力を得るためには、第１および第２の磁気抵抗膜
が同一の磁気特性を有□°゛することが必要となる。こ
のような磁気検出器を製造する方法としては、基板上に
第１磁気抵抗膜および電極膜を蒸着し、フオｂエツチン
グ等によりパターニングした後、絶縁膜を蒸着し、ざら
にその上に第２磁気抵抗膜および１１！、極膜を蒸着し
てｌ−□バターニングする方法が一般的に考えられる。
絶縁基板上に第１の磁気抵抗膜、絶縁膜および第２の磁
気抵抗膜を順次に被着して構成されているが、安定した
検出出力を得るためには、第１および第２の磁気抵抗膜
が同一の磁気特性を有□°゛することが必要となる。こ
のような磁気検出器を製造する方法としては、基板上に
第１磁気抵抗膜および電極膜を蒸着し、フオｂエツチン
グ等によりパターニングした後、絶縁膜を蒸着し、ざら
にその上に第２磁気抵抗膜および１１！、極膜を蒸着し
てｌ−□バターニングする方法が一般的に考えられる。
しかしながら、このような製造方法では、第１および第
２の磁気抵抗素子は異なる磁気抵抗膜から形成されるの
で、膜厚、比抵抗、抵抗温度係数等が同一となりに＜＜
、磁気特性が揃わなくなる欠点′□″がある。また第１
および第２の磁気抵抗素子は別゛々の工程でパターニン
グして形成されるため、寸法精度が悪く、同一の寸法と
ならず、このために磁気特性に差異が現われる欠点もあ
る。したがって、無磁界における出力電圧である不平衡
電圧が発生し、それが温度によってドリフトするため、
□正確な磁気検出を行うことができない欠点がある。
２の磁気抵抗素子は異なる磁気抵抗膜から形成されるの
で、膜厚、比抵抗、抵抗温度係数等が同一となりに＜＜
、磁気特性が揃わなくなる欠点′□″がある。また第１
および第２の磁気抵抗素子は別゛々の工程でパターニン
グして形成されるため、寸法精度が悪く、同一の寸法と
ならず、このために磁気特性に差異が現われる欠点もあ
る。したがって、無磁界における出力電圧である不平衡
電圧が発生し、それが温度によってドリフトするため、
□正確な磁気検出を行うことができない欠点がある。
本発明の目的は重畳された二つの磁界を相互に影響され
ることなく正確に検出することができ、特にノイズ磁界
が重畳された信号磁界をノイズ磁界に影響されることな
く検出することができ、Ｓ／Ｎの高い出力信号を得るこ
とができる磁気検出器を提供しようとするものである。
ることなく正確に検出することができ、特にノイズ磁界
が重畳された信号磁界をノイズ磁界に影響されることな
く検出することができ、Ｓ／Ｎの高い出力信号を得るこ
とができる磁気検出器を提供しようとするものである。
本発明の他の目的は、ダイナミックレンジが大きく大き
な入力磁界が印加されても飽和せずに正確な検出を行な
うことができるようにした磁気検出器を提供しようとす
るものである。
な入力磁界が印加されても飽和せずに正確な検出を行な
うことができるようにした磁気検出器を提供しようとす
るものである。
本発明のさらに他の目的は、抵抗温度係数、膜厚、形状
係数などの変動による不平衡電圧の発生を抑止し、一層
正確な検出を行なうことができる磁気検出器を提供しよ
うとするものである。
係数などの変動による不平衡電圧の発生を抑止し、一層
正確な検出を行なうことができる磁気検出器を提供しよ
うとするものである。
本発明の磁気検出器は、それぞれ絶縁膜を挾んで積層し
た少なく共２層の磁気抵抗素子を具え、これら磁気抵抗
素子を互いに反対方向に磁気パイ′アスした少なぐ共２
組の磁気センサを、第１の磁１界を生ずる磁化パターン
に対してほぼ１８０の位相差を有するように配置し、一
方の磁気センサから得られる信号を、他方の磁気センサ
に設けた磁界発生手段に供給して互いに重畳する第１お
よ−１び第２の磁界のいずれか一方または双方を選択的
に検出し得るよう構成したことを特徴とするものである
。
た少なく共２層の磁気抵抗素子を具え、これら磁気抵抗
素子を互いに反対方向に磁気パイ′アスした少なぐ共２
組の磁気センサを、第１の磁１界を生ずる磁化パターン
に対してほぼ１８０の位相差を有するように配置し、一
方の磁気センサから得られる信号を、他方の磁気センサ
に設けた磁界発生手段に供給して互いに重畳する第１お
よ−１び第２の磁界のいずれか一方または双方を選択的
に検出し得るよう構成したことを特徴とするものである
。
本発明の好適な実施例においては、双方の磁気センサに
磁界発生手段を設け、一方の磁気センサト・の出力を、
この一方の磁気センサに設けた磁界発生手段にも供給す
るようにして、ダイナミックレンジを等備前に拡大する
ようにする。
磁界発生手段を設け、一方の磁気センサト・の出力を、
この一方の磁気センサに設けた磁界発生手段にも供給す
るようにして、ダイナミックレンジを等備前に拡大する
ようにする。
本発明の磁気検出器に用いる磁界発生手段は、磁気抵抗
素子上に絶縁層を介して積層した導電層１−・を以って
きわめて簡単に構成することができる。
素子上に絶縁層を介して積層した導電層１−・を以って
きわめて簡単に構成することができる。
以下、図面を参照して本発明の詳細な説明する。
第２図は本発明の磁気検出器に用いる磁気センすの−例
の構成を示す線図的斜視図であり、図面 □を明瞭とす
るために上側の絶縁層および磁界を発２′□（７） 生するための導電層は省いである。本例では４個１の磁
気抵抗素子Ｒａ、 、 Ｒａ２． Ｒｂ１． Ｒｂ、を
具えるものであり、素子Ｒａ、とＲｂ、およびＲａ、と
Ｒｂ、とはそれぞれ同じ磁気抵抗膜をパターニングして
形成されており、素子Ｒａ工とＲａ、およびＲｂ□と
、。
の構成を示す線図的斜視図であり、図面 □を明瞭とす
るために上側の絶縁層および磁界を発２′□（７） 生するための導電層は省いである。本例では４個１の磁
気抵抗素子Ｒａ、 、 Ｒａ２． Ｒｂ１． Ｒｂ、を
具えるものであり、素子Ｒａ、とＲｂ、およびＲａ、と
Ｒｂ、とはそれぞれ同じ磁気抵抗膜をパターニングして
形成されており、素子Ｒａ工とＲａ、およびＲｂ□と
、。
Ｒｂ２とは絶縁層ＩＮＳを介して上下に積層されている
。これらの素子は絶縁基板Ｓ上に並べて形成されている
。
。これらの素子は絶縁基板Ｓ上に並べて形成されている
。
磁気抵抗素子には第８図に示すように、絶縁層にあけた
スルーホールを介して導体が接Ｍされて用いる。すなわ
ち、基板Ｓ上の磁気抵抗素子Ｒａ２には絶縁層ＩＮＳ□
およびｌＮ５２および磁気抵抗素子Ｈａ□にあけたスル
ーホールを介して導体ｃ０を接続し１磁気抵抗素子Ｒａ
□には絶縁層ＩＮＳ 、にあけたスルーホールを介して
導体Ｃ２を接続する構造と ｌ・なっている。ざらに絶
縁層ｌＮ５２の上には後述する磁界発生手段として作用
する導電膜Ｌａが被着されている。
スルーホールを介して導体が接Ｍされて用いる。すなわ
ち、基板Ｓ上の磁気抵抗素子Ｒａ２には絶縁層ＩＮＳ□
およびｌＮ５２および磁気抵抗素子Ｈａ□にあけたスル
ーホールを介して導体ｃ０を接続し１磁気抵抗素子Ｒａ
□には絶縁層ＩＮＳ 、にあけたスルーホールを介して
導体Ｃ２を接続する構造と ｌ・なっている。ざらに絶
縁層ｌＮ５２の上には後述する磁界発生手段として作用
する導電膜Ｌａが被着されている。
上述した磁気抵抗素子Ｒａ、 ｔ ＲａＢｐ Ｒｂ□お
よびＲｂ２は第４図に示すように接続する。すなわち、
−リ゛暑気抵抗素子Ｒａ□およびＲｂ、の一端を電源Ｅ
の正Ｉ端子に共通に接続し、素子Ｒａ工の他端を素子Ｒ
ａ２の一端に接続し、素子Ｒｂ、の他端を素子Ｒｂ２の
一端に接続し、素子Ｒａ２およびＲｂ２の他端を電源Ｅ
の負端子に共通に接続する。したがって磁気抵抗−□素
子Ｒａ□ｔ Ｒａ、 ｒ Ｒｂ１＋ Ｒｂ２には第４図
に矢印で示す方向に電流が流れ、その結果としてこれら
の素子は磁気的に相互バイアスされる。本例では二次バ
イアス効果が大きいため、各素子は第４図に示すように
磁気バイアスされる。すなわち、素子ｌ１ｌＲａ□およ
びＲｂ工は紙面の下から上へ向う磁気バイアス＋Ｈｂが
印加され、素子Ｒａ２およびＲｂ２には紙面の上から下
に向う磁気バイアス−Ｈｂが印加されることになる。
よびＲｂ２は第４図に示すように接続する。すなわち、
−リ゛暑気抵抗素子Ｒａ□およびＲｂ、の一端を電源Ｅ
の正Ｉ端子に共通に接続し、素子Ｒａ工の他端を素子Ｒ
ａ２の一端に接続し、素子Ｒｂ、の他端を素子Ｒｂ２の
一端に接続し、素子Ｒａ２およびＲｂ２の他端を電源Ｅ
の負端子に共通に接続する。したがって磁気抵抗−□素
子Ｒａ□ｔ Ｒａ、 ｒ Ｒｂ１＋ Ｒｂ２には第４図
に矢印で示す方向に電流が流れ、その結果としてこれら
の素子は磁気的に相互バイアスされる。本例では二次バ
イアス効果が大きいため、各素子は第４図に示すように
磁気バイアスされる。すなわち、素子ｌ１ｌＲａ□およ
びＲｂ工は紙面の下から上へ向う磁気バイアス＋Ｈｂが
印加され、素子Ｒａ２およびＲｂ２には紙面の上から下
に向う磁気バイアス−Ｈｂが印加されることになる。
このような磁気バイアスのため、磁気抵抗素子□Ｒａ、
、 Ｒｂ、およびＲａ、 、 Ｒｂ、の動作特性は第
５図Ａに示すように対称的なものとなる。すなわち、曲
線Ａは素子Ｒａ１． Ｒｂ、の動作特性を示し、工で示
す入力磁界が与えられると、曲線ＲＡで示したような抵
抗変化が得られ、曲ｍＢは素子Ｒａ、 、 Ｒｂ２”’
の動作特性を示し、入力磁界１に対して抵抗値は１曲線
ＲＢで示すように変化することになる。したがって第４
図の端子Ｔａ 、 Ｔｂに現われる電圧■。
、 Ｒｂ、およびＲａ、 、 Ｒｂ、の動作特性は第
５図Ａに示すように対称的なものとなる。すなわち、曲
線Ａは素子Ｒａ１． Ｒｂ、の動作特性を示し、工で示
す入力磁界が与えられると、曲線ＲＡで示したような抵
抗変化が得られ、曲ｍＢは素子Ｒａ、 、 Ｒｂ２”’
の動作特性を示し、入力磁界１に対して抵抗値は１曲線
ＲＢで示すように変化することになる。したがって第４
図の端子Ｔａ 、 Ｔｂに現われる電圧■。
は第５図に示すようになる。磁気抵抗素子は感度は高い
が、入力磁界に比例した出力電圧が得られ−・る磁界の
範囲、すなわちリニアに動作する範囲＋ＨＴＪ〜−ＨＬ
は比較的狭くなっており、入力磁界が±ＨＬを越えると
出力は最早やりニアとはならず正確な検出を行なうこと
ができなくなる。
が、入力磁界に比例した出力電圧が得られ−・る磁界の
範囲、すなわちリニアに動作する範囲＋ＨＴＪ〜−ＨＬ
は比較的狭くなっており、入力磁界が±ＨＬを越えると
出力は最早やりニアとはならず正確な検出を行なうこと
ができなくなる。
本発明においては、上述したように構成した各Ｉｌｌ磁
気センサに第６図に示すように磁界発生手段として作用
する導電膜ＬａおよびＩ、ｂを絶縁層を介して積層しで
ある。一方の磁気センサの素子Ｒａ、とＲａ２との接続
点Ｔａを大きな利得を有する差動増幅器ＤＥＦａの負側
入力端子に接続し、正側入力端子□子には基準電源Ｅａ
を接続する。この差動増幅器ＤＥＦａの出力端子を導電
層Ｌａの一端に接続し、この導電層の他端は導電層Ｌｂ
の一端に接続し、この導電層の他端は接地する。他方の
磁気センサの素子Ｒｈ、とＲｂ２との接続点Ｔｂを差動
増幅器ＤＥＦｂ ’。
気センサに第６図に示すように磁界発生手段として作用
する導電膜ＬａおよびＩ、ｂを絶縁層を介して積層しで
ある。一方の磁気センサの素子Ｒａ、とＲａ２との接続
点Ｔａを大きな利得を有する差動増幅器ＤＥＦａの負側
入力端子に接続し、正側入力端子□子には基準電源Ｅａ
を接続する。この差動増幅器ＤＥＦａの出力端子を導電
層Ｌａの一端に接続し、この導電層の他端は導電層Ｌｂ
の一端に接続し、この導電層の他端は接地する。他方の
磁気センサの素子Ｒｈ、とＲｂ２との接続点Ｔｂを差動
増幅器ＤＥＦｂ ’。
・の肩側入力端子に接続し、正側入力端子には基準１電
源Ｅｂを接続する。基準電源ＥａおよびＥｂの電圧値は
、磁気センサＵａおよびＵｂに磁界が作用しないときに
差動増幅器ＤＥＦａおよびＤＥＦｂの出力電圧が零とな
るように選択する。
源Ｅｂを接続する。基準電源ＥａおよびＥｂの電圧値は
、磁気センサＵａおよびＵｂに磁界が作用しないときに
差動増幅器ＤＥＦａおよびＤＥＦｂの出力電圧が零とな
るように選択する。
本発明においては、上述したように構成した磁気センサ
ＵａおよびＵｂの基板Ｓを第７図に示すように磁化パタ
ーンを記録した記録媒体Ｍの変位方向りと直交する方向
に対して角度θだけ傾斜させる。この傾斜角度θは２組
の磁気抵抗素子Ｒａ、 、 ”′Ｒａ およびＲｂ１．
Ｒｂ、が磁化パターンの周期に対してほぼ１８０の位
相差が得られるようなものとする。
ＵａおよびＵｂの基板Ｓを第７図に示すように磁化パタ
ーンを記録した記録媒体Ｍの変位方向りと直交する方向
に対して角度θだけ傾斜させる。この傾斜角度θは２組
の磁気抵抗素子Ｒａ、 、 ”′Ｒａ およびＲｂ１．
Ｒｂ、が磁化パターンの周期に対してほぼ１８０の位
相差が得られるようなものとする。
このように構成すると、一方の磁気センサＵａの磁気抵
抗素子Ｒａ、 、 Ｒａ２に加えられる磁化パタ゛−□
−ンによる磁界と、他方の磁気センサＵｂの磁気抵抗素
子Ｒｈ、 、 Ｒｈ２に加えられる磁化パターンにＪ：
６ｉｉｔ？−ｉ￥、！：ＧｊＷ°′″ゝ″１１・００°
°″・ １一般にノイズ磁界は両磁気センサの磁気抵抗
素子 □に同−向きに加えられることになる。したがっ
てζ第６図に示すように、一方の磁気センサＵａには、
１例えば磁化パターンによる信号磁界十Ｈｓとノイズ磁
界十ＨＮとが重畳して印加されることになり、他方の磁
気センサＵｂには磁化パターンによる信号磁界−ＨＳと
ノイズ磁界十ＨＮとが重畳して印加されへることになる
。したがって一方の磁気センサＵａでは、入力磁界（Ｈ
Ｆ３＋ ＨＮ）に比例した出力電圧が差動増幅器ＤＥＦ
ａから得られ、この出力電圧によって直列接続した導電
層Ｉ、ａおよびＬｂに電流が流れ、これによって−（Ｈ
ｓ＋ＨＮ）の磁界が各磁気セト・ンサで発生される。し
たがって、他方の磁気センサＵｂに印加される正味の磁
界は、（−Ｈ８＋ＨＮ） −（ＨＳ＋Ｉ（Ｎ） −−２
ＨＢとなり、ノイズ磁界ＨＮは相殺除去されることにな
る。したがってノイズ成分は除去され、差動増幅器ＤＥ
Ｆｂがらは磁化パターンに−□よる信号成分だけが出
力されることになり、信号磁界とノイズ磁界との選択能
が高くなり、ｓ／′Ｎの高い出力信号が得られ、変位量
の検出精度が著しく高くなる。
抗素子Ｒａ、 、 Ｒａ２に加えられる磁化パタ゛−□
−ンによる磁界と、他方の磁気センサＵｂの磁気抵抗素
子Ｒｈ、 、 Ｒｈ２に加えられる磁化パターンにＪ：
６ｉｉｔ？−ｉ￥、！：ＧｊＷ°′″ゝ″１１・００°
°″・ １一般にノイズ磁界は両磁気センサの磁気抵抗
素子 □に同−向きに加えられることになる。したがっ
てζ第６図に示すように、一方の磁気センサＵａには、
１例えば磁化パターンによる信号磁界十Ｈｓとノイズ磁
界十ＨＮとが重畳して印加されることになり、他方の磁
気センサＵｂには磁化パターンによる信号磁界−ＨＳと
ノイズ磁界十ＨＮとが重畳して印加されへることになる
。したがって一方の磁気センサＵａでは、入力磁界（Ｈ
Ｆ３＋ ＨＮ）に比例した出力電圧が差動増幅器ＤＥＦ
ａから得られ、この出力電圧によって直列接続した導電
層Ｉ、ａおよびＬｂに電流が流れ、これによって−（Ｈ
ｓ＋ＨＮ）の磁界が各磁気セト・ンサで発生される。し
たがって、他方の磁気センサＵｂに印加される正味の磁
界は、（−Ｈ８＋ＨＮ） −（ＨＳ＋Ｉ（Ｎ） −−２
ＨＢとなり、ノイズ磁界ＨＮは相殺除去されることにな
る。したがってノイズ成分は除去され、差動増幅器ＤＥ
Ｆｂがらは磁化パターンに−□よる信号成分だけが出
力されることになり、信号磁界とノイズ磁界との選択能
が高くなり、ｓ／′Ｎの高い出力信号が得られ、変位量
の検出精度が著しく高くなる。
さらに、本例においては、一方の磁気センサＵａ”’に
も磁界発生手段として作用する導１！層Ｌａを設置け、
差動増幅器ＤＥＦａの出力電圧に比例した電流がこの導
電層Ｉ、ａに流れるようにしたため、この磁気センサＵ
ａの磁気抵抗素子Ｒａ、 ｌ Ｒａ２に印加される磁界
は入力磁界（ＨＳ＋ＨＮ）に比べて著 −６しく小さく
なり、ダイナミックレンジは等備前に著しく広くなる。
も磁界発生手段として作用する導１！層Ｌａを設置け、
差動増幅器ＤＥＦａの出力電圧に比例した電流がこの導
電層Ｉ、ａに流れるようにしたため、この磁気センサＵ
ａの磁気抵抗素子Ｒａ、 ｌ Ｒａ２に印加される磁界
は入力磁界（ＨＳ＋ＨＮ）に比べて著 −６しく小さく
なり、ダイナミックレンジは等備前に著しく広くなる。
すなわち、第５図Ｂにおいて、入力磁界（Ｈ。
＋ＨＮ）がＨＬよりも大きくなっても実際に磁気抵抗素
子Ｒａ、 、 Ｒａ、に印加される磁界は、導電層Ｌａ
１・・により発生される反対方向の磁界によって相殺さ
れ、ＨＴＪよりも小さくなるので、これらの素子はリニ
アな範囲で動作することになり、正確な検出が可能とな
る。したがって相当大きなノイズ磁界ＨＮ中に重畳され
た小さな信号磁界Ｈ８を有効に検１−出することができ
るようになる。このように磁気センサＵａの磁気抵抗素
子Ｒａ１．Ｒａ２に印加される正味の磁界は小さくなる
ので、差動増幅器ＤＥＦａの利得を大きくシ、入力磁界
（ＨＳ＋ ＨＮ）に比例した出力電圧が得られるように
しである。 −１第８図は本発明の磁気検出器の他の実
施例を示゛すものであり、本例では基板Ｓに３個の磁気
センサＵａ 、 ＵｂおよびＵＣを形成しである。各磁
気センサＵａ 、 Ｕｂ 、 Ｕｃには、前例と同様に
２層の磁気抵抗素子Ｒａ□ｌ Ｒａ２； Ｒｂ□ｐ Ｒ
ｂ２ ； ＲＣｌ ｒ Ｒａ２−′と導電層Ｌａ 、
Ｌｂ 、 ＩｊＣとを設ける。これらの素に接続し、導
電層Ｌｂの他端を導電層Ｉ、ｃの他端に接続し、この導
電層ＬＣの一端を接地する。した□がって、導電層Ｌｃ
には他の導電層Ｉ、ａおよびＬｂとは反対方向に電流が
流れることになる。第８図に示すように基板Ｓを磁化パ
ターンを記録した記録媒体Ｍの変位方向りと直交する方
向に対して傾斜して配置し、磁気センサＵａと、磁気セ
ンサＵｂ ’およびＵｃとが磁化パターンに対して互い
に１８０の位相差を有するようにする。したがって磁化
パターンによって生ずる第１の磁界Ｈ□は磁気センサＵ
ａと、磁気センサＵｂおよびＵｏとで反対位相で印加さ
れることになる。一方、第２の磁界Ｈ２′″゛（１５） は総ての磁気センサに対して同相で印加される。
子Ｒａ、 、 Ｒａ、に印加される磁界は、導電層Ｌａ
１・・により発生される反対方向の磁界によって相殺さ
れ、ＨＴＪよりも小さくなるので、これらの素子はリニ
アな範囲で動作することになり、正確な検出が可能とな
る。したがって相当大きなノイズ磁界ＨＮ中に重畳され
た小さな信号磁界Ｈ８を有効に検１−出することができ
るようになる。このように磁気センサＵａの磁気抵抗素
子Ｒａ１．Ｒａ２に印加される正味の磁界は小さくなる
ので、差動増幅器ＤＥＦａの利得を大きくシ、入力磁界
（ＨＳ＋ ＨＮ）に比例した出力電圧が得られるように
しである。 −１第８図は本発明の磁気検出器の他の実
施例を示゛すものであり、本例では基板Ｓに３個の磁気
センサＵａ 、 ＵｂおよびＵＣを形成しである。各磁
気センサＵａ 、 Ｕｂ 、 Ｕｃには、前例と同様に
２層の磁気抵抗素子Ｒａ□ｌ Ｒａ２； Ｒｂ□ｐ Ｒ
ｂ２ ； ＲＣｌ ｒ Ｒａ２−′と導電層Ｌａ 、
Ｌｂ 、 ＩｊＣとを設ける。これらの素に接続し、導
電層Ｌｂの他端を導電層Ｉ、ｃの他端に接続し、この導
電層ＬＣの一端を接地する。した□がって、導電層Ｌｃ
には他の導電層Ｉ、ａおよびＬｂとは反対方向に電流が
流れることになる。第８図に示すように基板Ｓを磁化パ
ターンを記録した記録媒体Ｍの変位方向りと直交する方
向に対して傾斜して配置し、磁気センサＵａと、磁気セ
ンサＵｂ ’およびＵｃとが磁化パターンに対して互い
に１８０の位相差を有するようにする。したがって磁化
パターンによって生ずる第１の磁界Ｈ□は磁気センサＵ
ａと、磁気センサＵｂおよびＵｏとで反対位相で印加さ
れることになる。一方、第２の磁界Ｈ２′″゛（１５） は総ての磁気センサに対して同相で印加される。
ここで、第１０図に示すように、破線Ｈ０で示す第１の
磁界Ｈ工と破線Ｈ２で示す第２の磁界Ｈ２とは実線Ｈ□
＋Ｈ２で示すように重畳されているものとする。前例で
説明したように、磁気センサｔＪｔ＆ −・に接続した
高利得の差動増幅器ＤＥＦａの出力電圧は入力磁界Ｈ工
＋Ｈ２に比例したものとなり１この電圧に対応した電流
が導！！層ＬｂおよびＬＣを流れることになる。したが
って磁気センサＵｂにおいては、入力磁界−Ｈ□十■■
２と導電層Ｌｂを流れる電［流によって生ずる磁界−（
Ｈ，＋Ｈ２）とが重畳された磁界−Ｈ，＋ Ｈ２−（Ｈ
□＋１（２） −−２Ｈ，が磁気抵抗素子Ｒｂ工、 Ｒ
ｂ、に印加されることになり、差動増幅器ＤＥＬ？’ｂ
からは第１の磁界Ｈ０に比例した出力電圧■ヨ、が得ら
れる。
磁界Ｈ工と破線Ｈ２で示す第２の磁界Ｈ２とは実線Ｈ□
＋Ｈ２で示すように重畳されているものとする。前例で
説明したように、磁気センサｔＪｔ＆ −・に接続した
高利得の差動増幅器ＤＥＦａの出力電圧は入力磁界Ｈ工
＋Ｈ２に比例したものとなり１この電圧に対応した電流
が導！！層ＬｂおよびＬＣを流れることになる。したが
って磁気センサＵｂにおいては、入力磁界−Ｈ□十■■
２と導電層Ｌｂを流れる電［流によって生ずる磁界−（
Ｈ，＋Ｈ２）とが重畳された磁界−Ｈ，＋ Ｈ２−（Ｈ
□＋１（２） −−２Ｈ，が磁気抵抗素子Ｒｂ工、 Ｒ
ｂ、に印加されることになり、差動増幅器ＤＥＬ？’ｂ
からは第１の磁界Ｈ０に比例した出力電圧■ヨ、が得ら
れる。
一方、磁気センサＵＯにおいては、導電層ＬＣを流れる
電流は磁気センサＵｂとは反対となるので、正味の磁界
−Ｈ，＋Ｈ２＋（Ｈ０＋Ｈ１，） −２Ｈｇが磁気抵抗
素 １子ＲＯ□、 ＲＣ！、に印加されることになり、
差動増幅 □器ＤＥＦＯからは第２の磁界Ｈ２に比例し
た出力電圧−°゛（１６） ＶＨ２が得られることになる。このようにして、本例に
おいて、互いに重畳する第１および第２の磁界Ｈ０およ
びＨ２を完全に分離して検出することができる。
電流は磁気センサＵｂとは反対となるので、正味の磁界
−Ｈ，＋Ｈ２＋（Ｈ０＋Ｈ１，） −２Ｈｇが磁気抵抗
素 １子ＲＯ□、 ＲＣ！、に印加されることになり、
差動増幅 □器ＤＥＦＯからは第２の磁界Ｈ２に比例し
た出力電圧−°゛（１６） ＶＨ２が得られることになる。このようにして、本例に
おいて、互いに重畳する第１および第２の磁界Ｈ０およ
びＨ２を完全に分離して検出することができる。
上述した実施例では第１および第２の磁界を分゛□離し
て検出するために８個の磁気センサを設けたが、第６図
に示すように２個の磁気センサを設けた実施例でも２つ
の磁界を分離して検出することもできる。すなわち、第
１１図に示すように、差動増幅器ＤＥＦａの出力と差動
増幅器ＤＥＦｂの出力と゛の差を第８の差動増幅器ＤＥ
Ｆ（ｉでめることにより第１の磁界Ｈ工および第２の磁
界Ｈ２にそれぞれ比例した出力電圧ＶＨＩおよびＶＨ２
を分離して検出することができる。この場合、差動増幅
器ＤＥＦ（１への両人力の利得および極性を揃えるため
に、差動“−゛増幅器ＤＥＦｂとＤＥＦｄとの間に反転
増幅器ＡＭＰを接続するのが好適である。
て検出するために８個の磁気センサを設けたが、第６図
に示すように２個の磁気センサを設けた実施例でも２つ
の磁界を分離して検出することもできる。すなわち、第
１１図に示すように、差動増幅器ＤＥＦａの出力と差動
増幅器ＤＥＦｂの出力と゛の差を第８の差動増幅器ＤＥ
Ｆ（ｉでめることにより第１の磁界Ｈ工および第２の磁
界Ｈ２にそれぞれ比例した出力電圧ＶＨＩおよびＶＨ２
を分離して検出することができる。この場合、差動増幅
器ＤＥＦ（１への両人力の利得および極性を揃えるため
に、差動“−゛増幅器ＤＥＦｂとＤＥＦｄとの間に反転
増幅器ＡＭＰを接続するのが好適である。
本発明は上述した実施例にのみ限定されるものではなく
、幾多の変更を加えることができる。例えば上述した実
施例では磁気センサは、磁気抵抗素子が磁化パターンを
記録した記録媒体に対して１垂直になるように配置した
が、記録媒体と平行となるように配置することもできる
。また上述した実施例では磁気センサを磁化パターンに
対してほぼ１８０ の位相差を有するように配置するた
め −・に、磁気センサを設けた基板を変位方向と直交
する方向に対して傾斜させたが、磁気センサは変位方向
に平行にずらして配置することもできる。さらに、上述
した実施例では各磁気センサには２個の磁気抵抗素子を
設けたが、４個の磁気抵抗素子゛ｌを設け、これらをブ
リッジ接続することもできる。
、幾多の変更を加えることができる。例えば上述した実
施例では磁気センサは、磁気抵抗素子が磁化パターンを
記録した記録媒体に対して１垂直になるように配置した
が、記録媒体と平行となるように配置することもできる
。また上述した実施例では磁気センサを磁化パターンに
対してほぼ１８０ の位相差を有するように配置するた
め −・に、磁気センサを設けた基板を変位方向と直交
する方向に対して傾斜させたが、磁気センサは変位方向
に平行にずらして配置することもできる。さらに、上述
した実施例では各磁気センサには２個の磁気抵抗素子を
設けたが、４個の磁気抵抗素子゛ｌを設け、これらをブ
リッジ接続することもできる。
この場合には基準電圧は省くことができると共にドリフ
トの影響も除くことができる。また、上述した実施例で
は、各磁気センサの磁気抵抗素子を二次相互バイアス効
果によって反対方向に磁気バ１イアスしたが、−次相互
バイアス効果で磁気バイアスしたり、導電層を設け、こ
こに電流を流して磁気バイアスしたりすることもできる
。
トの影響も除くことができる。また、上述した実施例で
は、各磁気センサの磁気抵抗素子を二次相互バイアス効
果によって反対方向に磁気バ１イアスしたが、−次相互
バイアス効果で磁気バイアスしたり、導電層を設け、こ
こに電流を流して磁気バイアスしたりすることもできる
。
次に、それぞれ４個の磁気抵抗素子を設けた磁気センサ
を変位方向に平行にずらして配置した実施例を説明する
。第１２図ＡおよびＢは磁気セン１すと磁化パターシと
の配列関係を示すものであり、第１２図Ａに示す例では
、それぞれ２層の磁気抵抗素子Ｒａ□ｔ Ｒａｇ ：
Ｒｂ、 ｔ Ｒｂ２ ： Ｒｃ、 ｌ Ｒｃ２ ： Ｒ
ｄｚｔＲａ、を具える磁気センサＵａ 、 Ｕｂ 、
ＵＯおよびＵｄ−・を、記録媒体Ｍに記録した磁化パタ
ーンの配列方向、すなわち記録媒体Ｍの変位方向りに磁
化パターンに対して順次に１８０ だけ平行にずらして
配置する。また第１２図Ｂに示す実施例では、それぞれ
２層の磁気抵抗素子Ｒａ、 ｌ Ｒａ２およびＲＯ□、
１”Ｒｃ２を具える磁気センサＵａおよびＵＣを変位方
向と直交する方向にずらして配置すると共に同じくそれ
ぞれ２層の磁気抵抗素子Ｒｂ□、 Ｒｂ２およびＲｃｌ
、Ｒａ２を有する磁気センサＵｂおよびＵｄを変位方向
と直交する方向にずらして配置し、ざらにｉ′□磁気セ
ンサＵａ 、 Ｕ（：ｊと磁気センサＵｂ 、 Ｕｄと
を磁化パターンに対して１８０だけ変位方向に平行にず
らして配置する。
を変位方向に平行にずらして配置した実施例を説明する
。第１２図ＡおよびＢは磁気セン１すと磁化パターシと
の配列関係を示すものであり、第１２図Ａに示す例では
、それぞれ２層の磁気抵抗素子Ｒａ□ｔ Ｒａｇ ：
Ｒｂ、 ｔ Ｒｂ２ ： Ｒｃ、 ｌ Ｒｃ２ ： Ｒ
ｄｚｔＲａ、を具える磁気センサＵａ 、 Ｕｂ 、
ＵＯおよびＵｄ−・を、記録媒体Ｍに記録した磁化パタ
ーンの配列方向、すなわち記録媒体Ｍの変位方向りに磁
化パターンに対して順次に１８０ だけ平行にずらして
配置する。また第１２図Ｂに示す実施例では、それぞれ
２層の磁気抵抗素子Ｒａ、 ｌ Ｒａ２およびＲＯ□、
１”Ｒｃ２を具える磁気センサＵａおよびＵＣを変位方
向と直交する方向にずらして配置すると共に同じくそれ
ぞれ２層の磁気抵抗素子Ｒｂ□、 Ｒｂ２およびＲｃｌ
、Ｒａ２を有する磁気センサＵｂおよびＵｄを変位方向
と直交する方向にずらして配置し、ざらにｉ′□磁気セ
ンサＵａ 、 Ｕ（：ｊと磁気センサＵｂ 、 Ｕｄと
を磁化パターンに対して１８０だけ変位方向に平行にず
らして配置する。
第１８図は磁気抵抗素子および導電層の結線方法を示す
ものであり、磁気センサＵａおよびＵｃに２゛１は外部
磁界としてＨ，＋ Ｈ２が印加され、磁気センｌすＵｂ
およびＵｄには−Ｈ１＋Ｈ２が印加されている。
ものであり、磁気センサＵａおよびＵｃに２゛１は外部
磁界としてＨ，＋ Ｈ２が印加され、磁気センｌすＵｂ
およびＵｄには−Ｈ１＋Ｈ２が印加されている。
したがって磁気センサＵａとＵＯとをそれぞれブリッジ
接続すると、差動増幅器ＤＥＦａからはＨ□十Ｈ２に比
例した出力電圧が得られ、この電圧に比例し・。
接続すると、差動増幅器ＤＥＦａからはＨ□十Ｈ２に比
例した出力電圧が得られ、この電圧に比例し・。
た電流が直列接続された導電層Ｌａ 、 Ｌｂ 、 Ｌ
ｃおよびＬｄに流れる。したがって、磁気センサＵｂお
よびＵｄには正味の磁界−ＨＮＨ２”−（ＨＮＨ２）
−−２ａ。
ｃおよびＬｄに流れる。したがって、磁気センサＵｂお
よびＵｄには正味の磁界−ＨＮＨ２”−（ＨＮＨ２）
−−２ａ。
が印加されるので、これら磁気センサをブリッジ接続し
た差動増幅器ＤＥＦｂからは一２Ｈ□に比例した１・（
出力電圧ｖ１０、が得られることになる。本例では磁気
抵抗素子をブリッジ接続したため、磁気抵抗素子の膜厚
、温度抵抗係数、形状係数等の差異に基づく不平衡電圧
は相殺除失されるので、湿度ドリフトやオフセットのな
い正確な検出を行なうことｌ−゛ができる。
た差動増幅器ＤＥＦｂからは一２Ｈ□に比例した１・（
出力電圧ｖ１０、が得られることになる。本例では磁気
抵抗素子をブリッジ接続したため、磁気抵抗素子の膜厚
、温度抵抗係数、形状係数等の差異に基づく不平衡電圧
は相殺除失されるので、湿度ドリフトやオフセットのな
い正確な検出を行なうことｌ−゛ができる。
以上説明したように本発明によれば互いに重畳する第１
および第２の磁界を分離して検出するこ λとができる
ので、例えばノイズ磁界に重畳された信号磁界をノイズ
磁界に影響されることなく検出−パ（１９） することができ、きわめて正確な検出を行なうこ１とが
できる。また、ダイナミックレンジを拡大することがで
きるので大きな入力磁界も正確に検出することができる
。
および第２の磁界を分離して検出するこ λとができる
ので、例えばノイズ磁界に重畳された信号磁界をノイズ
磁界に影響されることなく検出−パ（１９） することができ、きわめて正確な検出を行なうこ１とが
できる。また、ダイナミックレンジを拡大することがで
きるので大きな入力磁界も正確に検出することができる
。
第１図は従来の磁気抵抗素子を用いた磁気検出器の一例
を示す線図、 第２図は本発明の磁気検出器の一例の構成を示す斜視図
、 第８図は同じくその断面図、 第４図は同じくその磁気抵抗素子の結線方法を示す線図
、 第５図ＡおよびＢは同じくその動作特性を示すグラフ、 第６図は同じくその全体の結線方法を示す回路“−図、 第７図は磁気検出器と磁化パターンとの配列関係を示す
平面図、 第８図は本発明の磁気検出器の他の実施例の構成を示す
線図、 （２０） 第９図は同じくその全体の結線方法を示す回路１図、 第１０図は同じくその動作を説明するために入力磁界を
示す波形図、 第１１図は本発明の磁気検出器のざらに他の実−施例の
全体の結線方法を示す回路図、 第１２図ＡおよびＢは磁気センサを磁化パターンの配列
方向に平行にずらして配置した本発明の磁気検出器の二
つの実施例を示す線図、第１３図は同じくその全体の結
線方法を示す回゛゛路図である。 Ｓ・・・基板 Ｒａ、、 Ｒａ２． Ｒｂ□、 Ｒｂ２． Ｒｃ、、
Ｒｃ、、 Ｒｄｌ、 Ｒｄ、 −・・磁気抵抗素子 ＩＮＳ、 ｌＮＳｉ、 ＩＮＳ、・・・絶縁層、Ｌａ、
Ｌｂ、 Ｌｃ、 Ｌｄ・・・導電層Ｅ・・・電源 Ｅ
ａ、 Ｅｂ、 Ｅｃ・・・基準電源Ｍ・・・記録媒体 Ｕａ、 Ｕｂ、 Ｕｃ、 Ｕｄ−−−磁気センサＤＥＦ
ａ、 ＤＥＦｂ、 ＤＥＦｃ、 ＤＥＦａ−−・差動増
幅器。 パ□第３０ 第４ｕ 瘍７０ （Ｊ（２（Ｒａ ／７ Ｒａ ２ｐ Ｌａ ）籍８１ ５ Ｌ、 ｕＣ ａ１ ムａ ＜！：＞ ｌ／
を示す線図、 第２図は本発明の磁気検出器の一例の構成を示す斜視図
、 第８図は同じくその断面図、 第４図は同じくその磁気抵抗素子の結線方法を示す線図
、 第５図ＡおよびＢは同じくその動作特性を示すグラフ、 第６図は同じくその全体の結線方法を示す回路“−図、 第７図は磁気検出器と磁化パターンとの配列関係を示す
平面図、 第８図は本発明の磁気検出器の他の実施例の構成を示す
線図、 （２０） 第９図は同じくその全体の結線方法を示す回路１図、 第１０図は同じくその動作を説明するために入力磁界を
示す波形図、 第１１図は本発明の磁気検出器のざらに他の実−施例の
全体の結線方法を示す回路図、 第１２図ＡおよびＢは磁気センサを磁化パターンの配列
方向に平行にずらして配置した本発明の磁気検出器の二
つの実施例を示す線図、第１３図は同じくその全体の結
線方法を示す回゛゛路図である。 Ｓ・・・基板 Ｒａ、、 Ｒａ２． Ｒｂ□、 Ｒｂ２． Ｒｃ、、
Ｒｃ、、 Ｒｄｌ、 Ｒｄ、 −・・磁気抵抗素子 ＩＮＳ、 ｌＮＳｉ、 ＩＮＳ、・・・絶縁層、Ｌａ、
Ｌｂ、 Ｌｃ、 Ｌｄ・・・導電層Ｅ・・・電源 Ｅ
ａ、 Ｅｂ、 Ｅｃ・・・基準電源Ｍ・・・記録媒体 Ｕａ、 Ｕｂ、 Ｕｃ、 Ｕｄ−−−磁気センサＤＥＦ
ａ、 ＤＥＦｂ、 ＤＥＦｃ、 ＤＥＦａ−−・差動増
幅器。 パ□第３０ 第４ｕ 瘍７０ （Ｊ（２（Ｒａ ／７ Ｒａ ２ｐ Ｌａ ）籍８１ ５ Ｌ、 ｕＣ ａ１ ムａ ＜！：＞ ｌ／
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ それぞれ絶縁膜を挾んで積層した少なく共２層の磁
気抵抗素子を具え、これら磁気抵抗−・素子を互いに反
対方向に磁気バイアスした少なく共２組の磁気センサを
・第１の磁界を生ずる？ｉｔＨ［Ｓパターンに対してほ
ぼ１８００の位相差を有するように配置し、一方の磁気
センサから得られる信号を、他方の磁気センサにｌ（・
設けた磁界発生手段に供給して互いに重畳する第１およ
び第２の磁界のいずれか一方または双方を選択的に検出
し得るよう構成したことを特徴とする磁気検出器。 ａ 特許請求の範囲］記載の磁気検出器においｌ−□て
、一方の磁気センサから得られる信号を、一方の磁気セ
ンサに設けた磁界発生手段に供給して検出可能な磁界強
度の範囲を増大するように構成したことを特徴とする磁
気検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110198A JPS603515A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 磁気検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58110198A JPS603515A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 磁気検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS603515A true JPS603515A (ja) | 1985-01-09 |
| JPH0432969B2 JPH0432969B2 (ja) | 1992-06-01 |
Family
ID=14529531
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58110198A Granted JPS603515A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 磁気検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS603515A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627986U (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-17 | ||
| US7570048B2 (en) | 2005-07-13 | 2009-08-04 | Denso Corporation | Magnetic sensor having spin valve type electro-magnetic transformation device |
| CN102346045A (zh) * | 2010-07-29 | 2012-02-08 | 株式会社电装 | 旋转角探测器 |
| JP2017187502A (ja) * | 2017-05-25 | 2017-10-12 | Tdk株式会社 | 磁界検出装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54127346A (en) * | 1978-03-27 | 1979-10-03 | Sony Corp | Magnetic sensor |
-
1983
- 1983-06-21 JP JP58110198A patent/JPS603515A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54127346A (en) * | 1978-03-27 | 1979-10-03 | Sony Corp | Magnetic sensor |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS627986U (ja) * | 1985-06-28 | 1987-01-17 | ||
| US7570048B2 (en) | 2005-07-13 | 2009-08-04 | Denso Corporation | Magnetic sensor having spin valve type electro-magnetic transformation device |
| CN102346045A (zh) * | 2010-07-29 | 2012-02-08 | 株式会社电装 | 旋转角探测器 |
| JP2017187502A (ja) * | 2017-05-25 | 2017-10-12 | Tdk株式会社 | 磁界検出装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0432969B2 (ja) | 1992-06-01 |
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