JPS6032133B2 - 試料評価装置 - Google Patents
試料評価装置Info
- Publication number
- JPS6032133B2 JPS6032133B2 JP54111181A JP11118179A JPS6032133B2 JP S6032133 B2 JPS6032133 B2 JP S6032133B2 JP 54111181 A JP54111181 A JP 54111181A JP 11118179 A JP11118179 A JP 11118179A JP S6032133 B2 JPS6032133 B2 JP S6032133B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- luminescence
- evaluation device
- wafer
- sample evaluation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/62—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
- G01N21/63—Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light optically excited
- G01N21/64—Fluorescence; Phosphorescence
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体素子用ウェハなどの試料評価装置に
関するものである。
関するものである。
従来、半導体素子に用いられるＳｉおよびＧａＡＳなど
のウェハの評価法としては、エッチング法や力ソードル
ミネッセンスなどの機器分析法が知られている。
のウェハの評価法としては、エッチング法や力ソードル
ミネッセンスなどの機器分析法が知られている。
このうち、エッチング法というのは、ウェハを製造工程
の各段階でエッチングし、結晶欠陥に特有な腐食孔を生
じさせ、これを顕微鏡で観察することによってウェハの
評価を行なうものである。
の各段階でエッチングし、結晶欠陥に特有な腐食孔を生
じさせ、これを顕微鏡で観察することによってウェハの
評価を行なうものである。
また、力ソードルミネッセンスによる機器分析というの
は、文献「ルミネッセンスに関する国際会議議事録」（
１９６６王）２，２０７９（１９６８）などにすでに紹
介されているように、走査型電子顕微鏡の装置系におい
て電子ビームでウェハを励起し、試科面からのルミネツ
センス像でウェハを評価するものである。上述したエッ
チング法では、ウェハをいちいちエッチングする。
は、文献「ルミネッセンスに関する国際会議議事録」（
１９６６王）２，２０７９（１９６８）などにすでに紹
介されているように、走査型電子顕微鏡の装置系におい
て電子ビームでウェハを励起し、試科面からのルミネツ
センス像でウェハを評価するものである。上述したエッ
チング法では、ウェハをいちいちエッチングする。
つまり破壊検査するわけで製造工程管理のためには非常
に不都合である。また、力ソードルミネッセンスの場合
も電子線を照射しているので破壊テストの範蟻にはいる
し、操作上の点からも製造工程中で利用するには問題点
が多い。この発明は、従来のような破壊テストに代る非
破壊テストで、しかも、ィン・ライン（ｉｎｌｉ肥）化
が可能な試料評価装置を提供することを目的としている
。
に不都合である。また、力ソードルミネッセンスの場合
も電子線を照射しているので破壊テストの範蟻にはいる
し、操作上の点からも製造工程中で利用するには問題点
が多い。この発明は、従来のような破壊テストに代る非
破壊テストで、しかも、ィン・ライン（ｉｎｌｉ肥）化
が可能な試料評価装置を提供することを目的としている
。
つまり、非破壊測定であるフオトルミネッセンスを用い
て、ィン・ラインへ応用できる試料評価装置を提供する
ことを目的としている。以下、この発明に係る試料評価
装置の−実施例を図面について説明する。
て、ィン・ラインへ応用できる試料評価装置を提供する
ことを目的としている。以下、この発明に係る試料評価
装置の−実施例を図面について説明する。
図面において、１は試料例えば半導体素子用ウェハ、２
は試料１を励起する光源用レーザー、３は試料１をのせ
る試料台、４は試料励起用レーザー光の集光レンズ、５
はしーザ−光を反射するが試料１からのルミネッセンス
光を透過するコールドミラー、６はカルミネッセンス光
を集光してテレビ・カメラに導く集光レンズ、７はテレ
ビ・力メラ、８はこのテレビ・カメラ７からの信号処理
系８の出力を受けて試料１の選別を行なう制御系、ｉ川
まテレビ・カメラ７の信号を表示するモニター・テレビ
である。
は試料１を励起する光源用レーザー、３は試料１をのせ
る試料台、４は試料励起用レーザー光の集光レンズ、５
はしーザ−光を反射するが試料１からのルミネッセンス
光を透過するコールドミラー、６はカルミネッセンス光
を集光してテレビ・カメラに導く集光レンズ、７はテレ
ビ・力メラ、８はこのテレビ・カメラ７からの信号処理
系８の出力を受けて試料１の選別を行なう制御系、ｉ川
まテレビ・カメラ７の信号を表示するモニター・テレビ
である。
次に、図面に示した実施例の動作について説明する。
レーザー例えばアルゴンレーザー２からのレーザー光は
、コールドミラー５で反射され、その後集光レンズ４を
経て試料台３にのせてある試料１に集光される。この際
に使用されるレーザー光の波長は半導体のバンド・ギャ
ップ・エネルギーよりも大きなエネルギーに相当する波
長のものを用いる。このレーザー光により試料１は個有
の発光（ルミネッセンス）を発する。試料１中に結晶欠
陥があると、発光はその部位で極端に弱くなる。従って
、発光パターンから結晶欠陥の部位がわかる。具体的に
は、発光パターンを見るには試料表面からの発光を集光
レンズ４、コールドミラー５および集光レンズ６を経て
テレビ・カメラ７に導き、モニター・テレビ１０で観察
する。これと同時に、モニター・テレビ１０の１画像中
の１本の走査線を取り出し、その走査線上の輝度の強度
変化を信号処理系８で調べ、予め設定しておし、た発光
強度と比較する。一定量以上の発光強度の低下箇所が認
められた場合、その旨の信号を制御系９に送り、制御系
９はこれを受け、試料台３に信号を送り、評価中の試料
を不良品の分類箱に押しだす。一方、予め設定しておい
た発光強度と比較して、一定量以上の発光強度の低下が
認められない場合は、その旨の信号を制御系９に送り、
試料台３上の試料１を良品の分類箱へ押しだす。上述し
た実施例では試料が半導体素子用ゥヱハの場合について
説明したが、ウェハ以外の材料表面の評価にもこの発明
を適用できる。以上のように、この発明によれば、ウェ
ハを非接触、非破壊で評価でき、しかも装置をィン・フ
ィン化できるように構成したので、半導体製造工程の管
理に効果がある。
、コールドミラー５で反射され、その後集光レンズ４を
経て試料台３にのせてある試料１に集光される。この際
に使用されるレーザー光の波長は半導体のバンド・ギャ
ップ・エネルギーよりも大きなエネルギーに相当する波
長のものを用いる。このレーザー光により試料１は個有
の発光（ルミネッセンス）を発する。試料１中に結晶欠
陥があると、発光はその部位で極端に弱くなる。従って
、発光パターンから結晶欠陥の部位がわかる。具体的に
は、発光パターンを見るには試料表面からの発光を集光
レンズ４、コールドミラー５および集光レンズ６を経て
テレビ・カメラ７に導き、モニター・テレビ１０で観察
する。これと同時に、モニター・テレビ１０の１画像中
の１本の走査線を取り出し、その走査線上の輝度の強度
変化を信号処理系８で調べ、予め設定しておし、た発光
強度と比較する。一定量以上の発光強度の低下箇所が認
められた場合、その旨の信号を制御系９に送り、制御系
９はこれを受け、試料台３に信号を送り、評価中の試料
を不良品の分類箱に押しだす。一方、予め設定しておい
た発光強度と比較して、一定量以上の発光強度の低下が
認められない場合は、その旨の信号を制御系９に送り、
試料台３上の試料１を良品の分類箱へ押しだす。上述し
た実施例では試料が半導体素子用ゥヱハの場合について
説明したが、ウェハ以外の材料表面の評価にもこの発明
を適用できる。以上のように、この発明によれば、ウェ
ハを非接触、非破壊で評価でき、しかも装置をィン・フ
ィン化できるように構成したので、半導体製造工程の管
理に効果がある。
図面はこの発明の一実施例の構成図である。
１……試料、２・…・・レーザー、３…・・・試料台、
４・・・・・・集光レンズ、５・・・・・・コールドミ
ラー、６・・・…集光レンズ、７…・・・テレビ・カメ
ラ、８・・…・信号処理系、９ぼぱ制御系、１０・・・
・・・モニター・７レビ。
４・・・・・・集光レンズ、５・・・・・・コールドミ
ラー、６・・・…集光レンズ、７…・・・テレビ・カメ
ラ、８・・…・信号処理系、９ぼぱ制御系、１０・・・
・・・モニター・７レビ。
Claims (1)
- １ 半導体素子用ウエハである試料にレーザー光を照射
する手段と、前記レーザー光の照射による前記試料の発
光を観察するモニター・テレビと、このモニター・テレ
ビの走査線上の輝度変化を所定の発光強度と比較して、
一定量以上発光強度の低下があるかどうかを検知する信
号処理系と、この信号処理系の出力によつて前記試料の
選別を行なう手段とを備えた試料評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54111181A JPS6032133B2 (ja) | 1979-08-30 | 1979-08-30 | 試料評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP54111181A JPS6032133B2 (ja) | 1979-08-30 | 1979-08-30 | 試料評価装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5635043A JPS5635043A (en) | 1981-04-07 |
| JPS6032133B2 true JPS6032133B2 (ja) | 1985-07-26 |
Family
ID=14554538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP54111181A Expired JPS6032133B2 (ja) | 1979-08-30 | 1979-08-30 | 試料評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032133B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61500509A (ja) * | 1983-11-28 | 1986-03-20 | マイダク・コ−ポレ−ション | 光ルミネセンス分析のための装置および方法 |
| JPS6150253U (ja) * | 1985-08-15 | 1986-04-04 | ||
| ES2226817T3 (es) | 2000-04-28 | 2005-04-01 | Mizuno Corporation | Estructura de cierre para calzado. |
-
1979
- 1979-08-30 JP JP54111181A patent/JPS6032133B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5635043A (en) | 1981-04-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101240860B1 (ko) | 결함을 검사하는 방법 및 결함 검사 장치 | |
| JP4001862B2 (ja) | 多重角度および多重波長照射を用いるウェハ検査システムのためのシステムおよび方法 | |
| US7038772B2 (en) | System and methods for classifying anomalies of sample surfaces | |
| JP2004529327A (ja) | 非線形光学現象を用いるレーザスキャニングウエハ検査 | |
| US6172749B1 (en) | Method of and apparatus for detecting a surface condition of a wafer | |
| WO2004010121A1 (en) | Detection method and apparatus | |
| KR20000064554A (ko) | 표면결정결함계측방법및그장치 | |
| JPH06194320A (ja) | 半導体製造ラインにおける鏡面基板の検査方法およびその装置並びに半導体製造方法 | |
| JP3031053B2 (ja) | 洗浄能力評価方法 | |
| JPS6032133B2 (ja) | 試料評価装置 | |
| JPH09243569A (ja) | 半導体基板の評価装置および評価方法 | |
| JP2915025B2 (ja) | 検査方法 | |
| JPS62276441A (ja) | 検査方法および装置 | |
| JPH05142156A (ja) | 異物検査装置 | |
| WO2004008125A1 (en) | Detection of metal contaminants on a surface of an as-cleaned semiconductor structure based on photoluminescence measurements | |
| JPH0521561A (ja) | 鏡面ウエハの異物検出方法及び装置並びにその分析方法及び装置 | |
| US7102737B2 (en) | Method and apparatus for automated, in situ material detection using filtered fluoresced, reflected, or absorbed light | |
| WO2004008119A1 (en) | Detection method and apparatus | |
| JP3338118B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN116660285B (zh) | 一种晶圆特征光谱在线检测装置 | |
| JPH11274256A (ja) | 試料検査装置 | |
| JPH11145233A (ja) | 半導体素子の評価方法 | |
| JP2002195959A (ja) | 半導体デバイスの検査方法 | |
| JPH0643110A (ja) | レジストパターン欠陥の検出方法 | |
| WO2004008118A1 (en) | Detection method and apparatus |