JPS6028137Y2 - Electron beam exposure equipment - Google Patents

Electron beam exposure equipment

Info

Publication number
JPS6028137Y2
JPS6028137Y2 JP14107576U JP14107576U JPS6028137Y2 JP S6028137 Y2 JPS6028137 Y2 JP S6028137Y2 JP 14107576 U JP14107576 U JP 14107576U JP 14107576 U JP14107576 U JP 14107576U JP S6028137 Y2 JPS6028137 Y2 JP S6028137Y2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
slit
electron
electron gun
beam exposure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP14107576U
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS5359374U (en
Inventor
守孝 中村
洋 安田
保隆 伴
Original Assignee
富士通株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士通株式会社 filed Critical 富士通株式会社
Priority to JP14107576U priority Critical patent/JPS6028137Y2/en
Publication of JPS5359374U publication Critical patent/JPS5359374U/ja
Application granted granted Critical
Publication of JPS6028137Y2 publication Critical patent/JPS6028137Y2/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Electron Beam Exposure (AREA)

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は電子ビーム露光装置に関し、特に電子ビームを
所望形状に整形して露光する電子ビーム露光装置に関す
るものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an electron beam exposure apparatus, and more particularly to an electron beam exposure apparatus that shapes an electron beam into a desired shape for exposure.

電子ビームを用いて露光する場合、電子ビームによりラ
スター走査して露光する方法や、所望の部分のみを走査
して露光する方法が一般的に行われているが、スポット
状の電子ビームを用いるために露光時間が長くなる。
When exposing using an electron beam, the methods that are generally used include raster scanning with the electron beam and exposing only the desired area, but since a spot-shaped electron beam is used, The exposure time becomes longer.

そこで本考案者等は、先に電子ビームを矩形に整形して
露光する露光装置を提案した。
Therefore, the present inventors first proposed an exposure apparatus that shapes an electron beam into a rectangular shape for exposure.

その構成を第1図に示す。Its configuration is shown in FIG.

電子銃1からの電子ビームを第1、第2、第3電子レン
ズ2,3.4で集束させて第1スリツト5上に照射する
The electron beam from the electron gun 1 is focused by the first, second and third electron lenses 2, 3.4 and irradiated onto the first slit 5.

第1スリツトは61図の様に矩形の穴5aが形成されて
おり穴5aを通った電子ビームは0図の様に矩形となる
The first slit has a rectangular hole 5a as shown in FIG. 61, and the electron beam passing through the hole 5a becomes rectangular as shown in FIG.

矩形となった電子ビームを偏向器6により偏向して、第
2スリツト7上に投影する。
The rectangular electron beam is deflected by a deflector 6 and projected onto a second slit 7.

この時、d図の様にスリット7の穴7aを電子ビームで
照射すると、穴7aと電子ビームが重なった部分が通過
する。
At this time, when the hole 7a of the slit 7 is irradiated with an electron beam as shown in Figure d, the portion where the hole 7a and the electron beam overlap passes through.

通過した電子ビームを縮少レンズ8により縮少して、ス
テージ9上の試料10に照射する。
The electron beam that has passed is reduced by a reduction lens 8 and is irradiated onto a sample 10 on a stage 9.

この様に矩形電子ビームを用いれば、1回に露光できる
面積が大きくなるため露光時間を短くすることができる
If a rectangular electron beam is used in this way, the area that can be exposed at one time becomes larger, so that the exposure time can be shortened.

ところが従来は、電子銃1として、熱電子放出型を用い
ているので点光源にはならない。
However, conventionally, a thermionic emission type electron gun is used as the electron gun 1, so it cannot be used as a point light source.

このために第1スリツト5を通過した電子ビームの像が
ぼけてしまうので結像レンズ11を用いて、電子ビーム
の像を第2スリツト7上に結像する様にしている。
For this reason, the image of the electron beam passing through the first slit 5 becomes blurred, so an image forming lens 11 is used to form the image of the electron beam onto the second slit 7.

この結像レンズ11を用いると、像が回転するので、第
2スリツト7を第1スリツト5に対して、像が回転した
分だけ回転させて配置しなければならないが、回転角度
を合わせるのに手間がかかる。
When this imaging lens 11 is used, the image rotates, so the second slit 7 must be rotated relative to the first slit 5 by the amount of rotation of the image, but it is necessary to adjust the rotation angle. It takes time and effort.

又結像レンズ11の焦点上に第2スリツト7を配置しな
ければならないが、この位置合せが困難である。
Furthermore, the second slit 7 must be placed on the focal point of the imaging lens 11, but this alignment is difficult.

本考案は、この様な欠点を除去することを目的とし、こ
の様な目的は、電子銃からの電子ビームを複数のスリッ
トにより所望の形状に整形して露光する様にした電子ビ
ーム露光装置において、該電子銃としてフィールドエミ
ッション電子銃を用いる様にしたことを特徴とする電子
ビーム露光装置によって遠戚される。
The purpose of the present invention is to eliminate such drawbacks, and the purpose is to provide an electron beam exposure apparatus in which an electron beam from an electron gun is shaped into a desired shape by a plurality of slits for exposure. , is distantly related to an electron beam exposure apparatus characterized in that a field emission electron gun is used as the electron gun.

本考案では、結像レンズを用いなくてもよいように、電
子銃としてフィールドエミッション電子銃を用いる様に
した。
In the present invention, a field emission electron gun is used as the electron gun so that there is no need to use an imaging lens.

フィールドエミッション電子銃は、第2図に示す様に、
先端が鋭角になっている陰極12と穴13aを形威した
陽極13間に高電圧を印加して、電界を形威し、この電
界により電子を引き出す様にしたものである。
The field emission electron gun, as shown in Figure 2,
A high voltage is applied between the cathode 12, which has an acute tip, and the anode 13, which has a hole 13a, to form an electric field, and this electric field draws out electrons.

電子が出る所は、陰極先端で幅30A程度の所であるた
め、点光源と見るこができる。
The area where the electrons are emitted is about 30A wide at the tip of the cathode, so it can be seen as a point light source.

従って、電子銃からの電子ビームは十分平行とみせるの
で第1スリツトの穴を通過した電子ビームの像は鮮明な
ものとなり、結像レンズを必要としなくなる。
Therefore, since the electron beam from the electron gun appears to be sufficiently parallel, the image of the electron beam passing through the first slit becomes clear, eliminating the need for an imaging lens.

このフィールドエミッション電子銃を用いた全体的な構
成を第3図に示す。
FIG. 3 shows the overall configuration using this field emission electron gun.

図の様に、フィールドエミッション電子銃12からの電
子ビームは電子レンズ2,3.4によって集束されて、
第1スリツト5、第2スリツト7を照射する。
As shown in the figure, the electron beam from the field emission electron gun 12 is focused by the electron lenses 2, 3.4,
The first slit 5 and the second slit 7 are irradiated.

この時偏向器15により、電子ビームを偏向して、第1
、第2スリット5,7の所望部分を照射する様にする。
At this time, the electron beam is deflected by the deflector 15 and the first
, the desired portions of the second slits 5 and 7 are irradiated.

これにより電子ビームを整形して、試料10を照射して
露光する。
Thereby, the electron beam is shaped and the sample 10 is irradiated and exposed.

以上の様に本考案によれば、スリット間の結像レンズを
除去できるために、第1スリツトと第2スリツトの配置
が容易となり、又、第1、第2スリット間の間隔を小さ
くできるので、装置の小型化が可能となる。
As described above, according to the present invention, since the imaging lens between the slits can be removed, the arrangement of the first slit and the second slit is facilitated, and the distance between the first and second slits can be reduced. , it becomes possible to downsize the device.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は先に提案した露光装置を示す図、第2図はフィ
ールドエミッション電子銃を示す図、第3図は本考案の
露光装置を示す図である。 図中1は電子銃、2.3.4は第1、第2、第3電子レ
ンズ、5は第1スリツト、6は偏向器、7は第2スリツ
ト、8は縮少レンズ、9はステージ、10は試料、11
は結像レンズ、12は陰極、13は陽極である。
FIG. 1 is a diagram showing the previously proposed exposure apparatus, FIG. 2 is a diagram showing a field emission electron gun, and FIG. 3 is a diagram showing the exposure apparatus of the present invention. In the figure, 1 is an electron gun, 2, 3, 4 are first, second, and third electron lenses, 5 is a first slit, 6 is a deflector, 7 is a second slit, 8 is a reduction lens, and 9 is a stage. , 10 is the sample, 11
is an imaging lens, 12 is a cathode, and 13 is an anode.

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 電子銃からの電子ビームを複数のスリットにより所望の
形状に整形して露光する様にした電子ビーム露光装置に
おいて、該電子銃としてフィールドエミッション電子銃
を用いるとともに、該複数のスリットを近接して配置す
る様にしたことを特徴とする電子ビーム露光装置。
In an electron beam exposure apparatus in which an electron beam from an electron gun is shaped into a desired shape by a plurality of slits for exposure, a field emission electron gun is used as the electron gun, and the plurality of slits are arranged close to each other. An electron beam exposure device characterized in that it is configured to:
JP14107576U 1976-10-20 1976-10-20 Electron beam exposure equipment Expired JPS6028137Y2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14107576U JPS6028137Y2 (en) 1976-10-20 1976-10-20 Electron beam exposure equipment

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP14107576U JPS6028137Y2 (en) 1976-10-20 1976-10-20 Electron beam exposure equipment

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS5359374U JPS5359374U (en) 1978-05-20
JPS6028137Y2 true JPS6028137Y2 (en) 1985-08-26

Family

ID=28749853

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP14107576U Expired JPS6028137Y2 (en) 1976-10-20 1976-10-20 Electron beam exposure equipment

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6028137Y2 (en)

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5359374U (en) 1978-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000510995A (en) Raster beam writing strategy system and method for pattern generation
ATA140487A (en) ARRANGED MARKERS ON MARKERS ARRANGED ON A CARRIER
US4173720A (en) Method and apparatus for image construction
US4136285A (en) Method for irradiating a specimen by corpuscular-beam radiation
JPH01159955A (en) Electronic image projector
JPS6028137Y2 (en) Electron beam exposure equipment
US4021674A (en) Charged-particle beam optical apparatus for irradiating a specimen in a two-dimensional pattern
US20030010934A1 (en) Lens array for electron beam lithography tool
DE2755399C2 (en)
US4152599A (en) Method for positioning a workpiece relative to a scanning field or a mask in a charged-particle beam apparatus
JP3390541B2 (en) Charged particle projector
JPS5546553A (en) Method of projecting electron beam
CA1061477A (en) Electron microscope
DE2262546A1 (en) CATHODE RAY TUBE
JPH0587014B2 (en)
JPS58106824A (en) Processing method by focus ion beam
DE2460716B1 (en) Corpuscular irradiation of preparation - involves mask uniformly irradiated with corpuscles and imaged by optical system on preparation
JP2003297278A (en) Inspection apparatus and inspection method
JPS62115715A (en) Electron-beam exposure device
JPS6415604A (en) Measuring apparatus for length by electron beam
JPH07142318A (en) Method and apparatus for electron beam exposure
JPS6161414A (en) Multicharged beam exposure device
JP2503359B2 (en) Charged particle beam drawing device
JPS5979525A (en) Electron beam exposure device
JPS6215868Y2 (en)