JPS6027917A - Output power control circuit - Google Patents

Output power control circuit

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JPS6027917A
JPS6027917A JP13612083A JP13612083A JPS6027917A JP S6027917 A JPS6027917 A JP S6027917A JP 13612083 A JP13612083 A JP 13612083A JP 13612083 A JP13612083 A JP 13612083A JP S6027917 A JPS6027917 A JP S6027917A
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JP
Japan
Prior art keywords
fet
control
amplifier
switch
gate
Prior art date
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Pending
Application number
JP13612083A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takashi Matsuura
孝 松浦
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS6027917A publication Critical patent/JPS6027917A/en
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Abstract

PURPOSE:To perform wide-range output control while maintaining efficiency by providing an FET switch between the gate and drain of an FET amplifier, and switching the gate bias electric power of the switch and the gate bias electric power of the amplifier associatively. CONSTITUTION:An input voltage applied to an input terminal 1 is amplified by the FET amplifier 4 and also controlled by an FET switch 7 to control output electric power obtained at an output terminal 2. A resistance 8 utilizes the on resistance between the source and drain of the switch 7 and the gate bias voltage of the switch 7 is varied by a bias control circuit 11 to control its resistance value. Namely, the gain of the amplifier 4 is controlled by the gate bias voltage of the switch 7. Then, the gate bias voltage of the amplifier 4 is controlled by the circuit 11 associatively with the control over the resistance value so as to perform wide-range output control.

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は電界効果トランジスタ(以下、FETと呼称す
る)を用いた増幅器の出力電力制御回路に関するもので
ある。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to an output power control circuit for an amplifier using field effect transistors (hereinafter referred to as FETs).

従来のこの種の回路の概略構成を第1図に示し説明する
と、図において、1は入力電圧が印加される入力端子、
2は出力電力が得られる出力端子、3は制御電圧が印加
される制御端子である。4はゲートに入力端子1からの
入力電圧が供給されるFETによって構成された増幅器
用FET (以下、FET増幅器と呼称する)で、その
ソース側は接地され、ドレイン側は出力端子2に接続さ
れると共に電流制御回路5を介して電源(VDD)6に
接続されている。
The schematic configuration of a conventional circuit of this type is shown in FIG. 1 and will be explained. In the figure, 1 is an input terminal to which an input voltage is applied;
2 is an output terminal from which output power is obtained, and 3 is a control terminal to which a control voltage is applied. Reference numeral 4 denotes an amplifier FET (hereinafter referred to as FET amplifier) consisting of an FET whose gate is supplied with the input voltage from input terminal 1, whose source side is grounded and whose drain side is connected to output terminal 2. It is also connected to a power source (VDD) 6 via a current control circuit 5.

このように構成された回路において、電流制御回路5は
制御端子3からの制御電圧によって制御され、これに伴
って、FET増幅器4のドレイン電流を制御し、出力電
力の制御が行なわれる。
In the circuit configured in this way, the current control circuit 5 is controlled by the control voltage from the control terminal 3, and in accordance with this, the drain current of the FET amplifier 4 is controlled, and the output power is controlled.

しかしながら、このような回路においては、次のような
欠点がある。
However, such a circuit has the following drawbacks.

すなわち、電流制御回路5には通常、トランジスタが使
用されるが、増幅器の扱う電力が太きくなればなるほど
大電力の制御用トランジスタが必要とガる。しかも、電
源と増幅器との間に上記制御用トランジスタを介するた
め、電圧降下が生じるという欠点がある。したがって、
低電圧電源動作が要求されている増幅器を設計する上で
問題となっている。
That is, although a transistor is normally used in the current control circuit 5, the larger the power handled by the amplifier, the more a high-power control transistor is required. Furthermore, since the control transistor is interposed between the power supply and the amplifier, there is a drawback that a voltage drop occurs. therefore,
This poses a problem in designing amplifiers that require low-voltage power supply operation.

本発明は以上の点に鑑み、このような問題を解決すると
共にかかる欠点を除去すべくなされたもので、その目的
は比較的簡単な構成によシ広範囲な出力電力の制御を行
うことができ、また、制御用トランジスタは比較的小さ
なザイズのトランジスタで構成することができると共に
モノリシック化への適用ができる出力電力制御回路を提
供することにある。
In view of the above points, the present invention was made to solve such problems and eliminate such drawbacks, and its purpose is to control output power over a wide range with a relatively simple configuration. Another object of the present invention is to provide an output power control circuit in which the control transistors can be constructed of relatively small-sized transistors and can be applied to monolithic implementation.

このような目的を達成するため、本発明はFET増幅器
のゲート・ドレイン間にオン抵抗を利用したFETスイ
ッチを設け、このFETスイッチのゲートバイアス電力
と上記増幅器用FETのゲートバイアス電圧とを連動し
て切替えることによシ、効率をある値に維持しつつ広範
囲な出力制御を行うようにしたものである。
In order to achieve such an object, the present invention provides a FET switch that utilizes on-resistance between the gate and drain of an FET amplifier, and links the gate bias power of this FET switch with the gate bias voltage of the FET for the amplifier. By switching between the two, the output can be controlled over a wide range while maintaining the efficiency at a certain value.

以下、図面に基づき本発明の実施例を詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described in detail below based on the drawings.

第2図は本発明による出力電力制御回路の一実施例を示
す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of the output power control circuit according to the present invention.

この第2図において第1図と同一符号のものは和尚部分
を示し、7はFET増幅器4のゲートとドレイン間に接
続されたFETによって構成されかつソース・ドレイン
間のオン抵抗を利用したFETスイッチで、とのFET
スイッチ7のソースΦドレイン間を同電位に保つだめの
並列抵抗8およびこの抵抗8に直列に接続された直流バ
イアスカットのだめのコンデンサ9よシなる負帰還ルー
プが設けられている。(10)は交流信号を阻止するだ
めのチョークコイル、11は制御端子3から入力される
制御信号により、指定された出力制御を行うために必要
なバイアス電圧を発生するバイアス制御回路で、例えば
、ダイオード、トランジスタなどによるスイッチング回
路で構成されている。そして、このバイアス制御回路1
1の一端は制御端子3に接続され、他端はチョークコイ
ル10を介してFET増幅器4のゲートと入力端子1と
の接続点に接続されている。12は交流信号を阻止する
だめのチョークコイルで、出力端子2と電源(Vpo)
端子6との間に接続されている。そして、この出力端子
2はFETスイッチ7のドレインとFET増幅器4のド
レインとの接続点に接続されている。
In FIG. 2, the same reference numerals as in FIG. 1 indicate the osho parts, and 7 is an FET switch that is configured by an FET connected between the gate and drain of the FET amplifier 4 and that utilizes the on-resistance between the source and drain. And FET with
A negative feedback loop is provided, which includes a parallel resistor 8 for keeping the source and drain of the switch 7 at the same potential, and a capacitor 9 connected in series with the resistor 8 to cut off the DC bias. (10) is a choke coil for blocking AC signals, and 11 is a bias control circuit that generates the bias voltage necessary to perform specified output control based on the control signal input from the control terminal 3. For example, It consists of a switching circuit using diodes, transistors, etc. And this bias control circuit 1
One end of the FET amplifier 1 is connected to the control terminal 3, and the other end is connected to the connection point between the gate of the FET amplifier 4 and the input terminal 1 via the choke coil 10. 12 is a choke coil that blocks AC signals, and is connected to output terminal 2 and power supply (Vpo).
It is connected between the terminal 6 and the terminal 6. This output terminal 2 is connected to a connection point between the drain of the FET switch 7 and the drain of the FET amplifier 4.

13.14はバイアス制御回路11のゲートバイアス出
力端子で、このゲートバイアス出力端子13はチョーク
コイル10を介してFET増幅器4のゲートに接続され
、また、ゲートバイアス出力端子14はFETスイッチ
7のゲートに接続されている。
13.14 is a gate bias output terminal of the bias control circuit 11, this gate bias output terminal 13 is connected to the gate of the FET amplifier 4 via the choke coil 10, and the gate bias output terminal 14 is connected to the gate of the FET switch 7. It is connected to the.

つぎにこの第2図に示す実施例の動作を説明する。Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 2 will be explained.

まず、入力端子1に印加された入力電圧はFET増幅器
4によって増幅されると共にFETスイッチTで制御さ
れ、出力端子2に得られる出力電力は制御される。
First, the input voltage applied to the input terminal 1 is amplified by the FET amplifier 4 and controlled by the FET switch T, so that the output power obtained at the output terminal 2 is controlled.

そして、上記負帰還ループの負帰還抵抗はFETスイッ
チ7のソース・ドレイン間のオン抵抗を利用したもので
、このFETスイッチTのゲートバイアス電圧をバイア
ス制御回路11によって変化させることによシ、抵抗値
の制御を行うことができる。すなわち、FET増幅器4
の交流信号利得はFETスイッチIのゲートパー「アス
電圧によ多制御することができる。
The negative feedback resistance of the negative feedback loop utilizes the on-resistance between the source and drain of the FET switch 7, and by changing the gate bias voltage of the FET switch T by the bias control circuit 11, the resistance can be changed. Values can be controlled. That is, FET amplifier 4
The AC signal gain of can be controlled by the gate voltage of FET switch I.

そして、出力遮断などを含む広範囲な出力制御を行うた
めに、上記負帰還抵抗値の制御と連動してバイアス制御
回路11によってFET増幅器4のゲートバイアス電圧
の制御を行っている。
In order to perform wide range output control including output cutoff, etc., the gate bias voltage of the FET amplifier 4 is controlled by the bias control circuit 11 in conjunction with the control of the negative feedback resistance value.

これによシ、効率をある値以上に維持しつつ、広範囲な
出力電力の制御を行うことができる。
This makes it possible to control output power over a wide range while maintaining efficiency above a certain value.

バイアス制御回路11はこのために設けたもので、前述
したように制御端子3から入力される制御信号によシ、
指定された出力制御、例えば、出力電力低減、出力電力
遮断などの制御を行うために必要なバイアス電圧を発生
する。
The bias control circuit 11 is provided for this purpose, and as described above, the bias control circuit 11 controls the bias control circuit 11 according to the control signal input from the control terminal 3.
It generates the bias voltage necessary to perform specified output control, such as output power reduction, output power cutoff, etc.

第3図はこのバイアス制御回路11の実施例を丞すブロ
ック図である。なお、この実施例においては、説明を簡
単にするため、出力ffj制御は2段切替の場合を示し
ているが、一般的にn段の切替であっても本質的な差異
はない。
FIG. 3 is a block diagram showing an embodiment of this bias control circuit 11. In this embodiment, in order to simplify the explanation, a case is shown in which the output ffj control is switched in two stages, but there is generally no essential difference even if the output ffj control is switched in n stages.

との第3図において第2図と同一部分には同一符号を伺
して説明を省略する。15.IGおよび17.1Bは各
々2段階の要求され/こ出力に、制御すべき最適バイア
ス対(Vl 、Vl’ ) v (V 2 e V11
’)を印加するバイアス入力端子である。19,20゜
21.22はそれぞれアナログスイッチで、これら名ア
ナログスイッチ19〜22は制御端子3からの制征;信
号によって制御され、オン拳オフするように構成されて
いる。23は制御端子3からの制御信号を反転するイン
バータで、このインバータ23の反転出力はアナログス
イッチ21.22に供糺されるように構成されている。
In FIG. 3, the same parts as in FIG. 2 are designated by the same reference numerals, and their explanation will be omitted. 15. IG and 17.1B each have two stages of required outputs, and the optimum bias pair (Vl, Vl') v (V 2 e V11
') is a bias input terminal that applies. 19, 20, 21, and 22 are analog switches, respectively, and these analog switches 19 to 22 are controlled by a control signal from the control terminal 3, and are configured to turn on and off. 23 is an inverter that inverts the control signal from the control terminal 3, and the inverted output of this inverter 23 is configured to be supplied to analog switches 21 and 22.

そして、制御端子3からの制御信号は直接アナログスイ
ッチ19.20に供給されるように構成され、壕だ、ア
ナログスイッチ19.21の各出力端はゲートバイアス
出力端子13に接続され、アナログスイッチ20.22
の各出力端はゲートバイアス出力端子14に接続されて
いる。
The control signal from the control terminal 3 is configured to be directly supplied to the analog switch 19.20, and each output terminal of the analog switch 19.21 is connected to the gate bias output terminal 13, and the analog switch 20 .22
Each output terminal of is connected to the gate bias output terminal 14.

つぎにこの第3図に示す実施例の動作を説明する。Next, the operation of the embodiment shown in FIG. 3 will be explained.

まず、制御信号によpオン・オフするアナログスイッチ
19〜22は制御信号がHでオフし、制御信号がLでオ
フするものとする。
First, it is assumed that the analog switches 19 to 22, which are turned on and off by control signals, are turned off when the control signal is H, and turned off when the control signal is L.

つぎに、制御端子3に印加される制御信号がHのとき、
アナログスイッチ21.22はオフ、アナログスイッチ
19.20がオンとなシ、ゲートバイアス出力端子13
.14にそれぞれvl、vl’の電圧が発生する。また
、制御端子3に印加される制御信号がLのときには、ア
ナログスイッチ19.20がオフ、アナログスイッチ2
1.22がオンとなシ、ゲートバイアス出力端子13.
14にそれぞれvs、v、’の電圧が発生する。
Next, when the control signal applied to the control terminal 3 is H,
Analog switches 21 and 22 are off, analog switches 19 and 20 are on, and gate bias output terminal 13
.. 14, voltages vl and vl' are generated, respectively. Further, when the control signal applied to the control terminal 3 is L, the analog switches 19 and 20 are turned off, and the analog switch 2
1.22 is on, the gate bias output terminal 13.
14, voltages vs, v,' are generated, respectively.

以上の説明から明らかなように、本発明によれば、複雑
な手段を用いることな(、FET増幅器のゲート・ドレ
イン間にオン抵抗を利用したFETスイッチを設け、と
のFETスイッチのゲートバイアス電圧と上記FET増
幅器のゲートバイアス電圧を連動して切替えるようにし
た比較的簡単な回路構成によシ、広範囲な出方電力の制
御を行うことができ、まだ、FET増幅器のドレイン電
流を直接制御しない回路構成であるため、制御用のFE
Tスイッチは比較的小さなサイズのトランジスタで構成
することができるので、実用上の効果は極めて大である
。また、FET増幅器およびFETスイッチを同一のタ
イプのトランジスタを用いることにょシ、回路のモノリ
シック化への適用ができるという点において極めて有効
である。
As is clear from the above description, according to the present invention, the gate bias voltage of the FET switch can be adjusted without using complicated means. By using a relatively simple circuit configuration in which the gate bias voltage of the FET amplifier and the gate bias voltage of the FET amplifier are switched in conjunction with each other, a wide range of output power can be controlled, and the drain current of the FET amplifier is not directly controlled yet. Due to the circuit configuration, FE for control
Since the T-switch can be constructed from relatively small-sized transistors, its practical effects are extremely large. Furthermore, by using the same type of transistor for the FET amplifier and the FET switch, it is extremely effective in that it can be applied to monolithic circuits.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は従来の出方電力制御回路の一例の概略を示す構
成図、第2図は本発明による出方電力制御回路の一実施
例を示す回路図、第3図は第2図におけるバイアス制御
回路に係る部分を抽出して示した実施例のブロック図で
ある。 41IIIII拳FET増幅器、T1111@働FET
スイツチ、811抵抗、9・・・・コンデンサ、11Φ
・・・バイアス制御回路。
FIG. 1 is a block diagram schematically showing an example of a conventional output power control circuit, FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment of an output power control circuit according to the present invention, and FIG. 3 is a bias diagram in FIG. FIG. 2 is a block diagram of an embodiment showing a portion related to a control circuit; FIG. 41III fist FET amplifier, T1111@working FET
Switch, 811 resistor, 9... capacitor, 11Φ
...Bias control circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] ゲートに入力電圧が供給されドレインよ多出力を取り出
す電界効果トランジスタによって構成されたFET増幅
器と、とのFET増幅器の電界効果トランジスタのゲー
ト・ドレイン間に接続された電界効果トランジスタによ
って構成されかつそのソース・ドレイン間のオン抵抗を
利用したFETスイッチト、とノFETスイッチの電界
効果トランジスタのソース・ドレイン間に並列に接続し
たバイアス供給用抵抗およびこの抵抗に直列に接続され
ノくイアスカットのだめの容量素子からなる回路による
負帰還ループと、前記FETスイッチのゲート端子およ
び前記FET増幅器のゲート端子にそれぞれバイアス電
圧を供給して制御するバイアス制御回路とを具備してな
ることを特徴とする出力電力制御回路。
A FET amplifier constituted by a field effect transistor whose gate is supplied with an input voltage and which takes out multiple outputs from its drain; and a field effect transistor connected between the gate and drain of the field effect transistor of the FET amplifier, and its source. - A bias supply resistor connected in parallel between the source and drain of the FET switch field effect transistor using the on-resistance between the drains and the capacitance of the bias supply reservoir connected in series with this resistor. Output power control characterized by comprising a negative feedback loop formed by a circuit consisting of an element, and a bias control circuit that supplies bias voltages to the gate terminal of the FET switch and the gate terminal of the FET amplifier, respectively. circuit.
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