JPS60261097A - Magnetic bubble memory element - Google Patents

Magnetic bubble memory element

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JPS60261097A
JPS60261097A JP11641684A JP11641684A JPS60261097A JP S60261097 A JPS60261097 A JP S60261097A JP 11641684 A JP11641684 A JP 11641684A JP 11641684 A JP11641684 A JP 11641684A JP S60261097 A JPS60261097 A JP S60261097A
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裕則 近藤
Minoru Hiroshima
実 広島
Masahiro Yanai
雅弘 箭内
Tetsuaki Suzuki
鈴木 哲昭
Hisaya Keida
慶田 久彌
Seiichi Nishiyama
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Mitsuru Sekino
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Hiroshi Nakadai
浩 中臺
Toshiya Kadoyama
俊哉 門山
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Hitachi Ltd
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Abstract

PURPOSE:To increase the bias magnetic field margin by providing a cut-off part to a short bar pattern coupled with a replicate gate so as to prevent generation of transfer malfunction. CONSTITUTION:The pattern cut-off part 13A where no ''Permalloy(R)'' exists is provided to the short bar pattern 13 connecting the replicate gates of multually adjacent minor loops and an attracting pole generated at the tip in the direction of a rotating magnetic field of the pattern 13 is weakened. Thus, generation of magnetic bubble transfer malfunction is prevented, and a bias magnetic field margin is increased and a magnetic bubble memory element with high quality, high reliability, high density and high circuit integration is attained.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ素子に係わル、特にマイナル
ープ上の磁気バブル情報をリードメジャラインへ分割複
製するレプリケートゲート部の磁気バブル転送パターン
の構成に関するものである。
[Detailed Description of the Invention] [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a magnetic bubble memory device, and in particular to the configuration of a magnetic bubble transfer pattern in a replicate gate section that divides and copies magnetic bubble information on a minor loop to a read major line. It is related to.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

近年、磁気バブルメモリ素子を高密度、高集積度化する
手段として、磁気バブル情報を記憶保持させるマイナル
ープとして折シ重ね形マイナループを用いることが、例
えばIBBFI Trinsictlonon Mag
ne t 1cs 、VoL 、MAG−12、No 
、6 、November1976に論じ、られている
In recent years, as a means of increasing the density and integration of magnetic bubble memory elements, it has become possible to use folded-fold type minor loops as minor loops for storing magnetic bubble information, such as IBBFI Trinsictronon Mag.
net 1cs, VoL, MAG-12, No
, 6, November 1976.

第1図はこの穏の折ル重ね形マイナループを備えた磁気
バブルメモリ素子の要部パターン図であ・・る。同図に
おいて% 1111に+1b+IC+”・・・・は磁気
バブル情報を記憶保持する折シ鑑ね形マイナループ、2
 a l 2 b + 2 c s −・−・は磁気バ
ブル(以下バブルと称する)を入出力させるトランファ
ゲー)% 3a+sb+ace・・・・・・はバブルを
分割複製するレプリケートゲートである。
FIG. 1 is a pattern diagram of the main part of a magnetic bubble memory element equipped with this moderately folded minor loop. In the same figure, % 1111 +1b+IC+"... is a trivial minor loop that stores and holds magnetic bubble information, 2
a l 2 b + 2 c s -... is a transfer game that inputs and outputs magnetic bubbles (hereinafter referred to as bubbles) %3a+sb+ace... is a replicate gate that divides and copies bubbles.

第2図は前述した折シ重ね形マイナルーブのレプリケー
トゲート部分のバブル転送パターンの一例を示す要部拡
大平面図である。同図において、118111bllI
Cは各マイナループ1a、ib+lcのコーナパターン
、12b+12cは各マイナルーブ1b+1cのコーナ
バーパターン、tabは相互に隣接するマイナルーブ1
mとマイナルーブ1bとの間に結合されたショートバー
パターン、13Cは相互に隣接するマイナループ1bと
マイナループ1鳴との間に結合されたショートバーバ/
−ン、1451〜14nは各マイナループ1 ” a 
1 b * l cを構成するシェブロンパターン、H
Bは回転磁界、Pは磁気バブル転送方向である。
FIG. 2 is an enlarged plan view of a main part showing an example of the bubble transfer pattern of the replicate gate portion of the above-mentioned folded-over-fold type minor lube. In the same figure, 118111bllI
C is the corner pattern of each minor loop 1a, ib+lc, 12b+12c is the corner bar pattern of each minor loop 1b+1c, tab is the mutually adjacent minor loop 1
13C is a short bar pattern connected between the minor loop 1b and the minor loop 1b which are adjacent to each other;
-, 1451 to 14n are each minor loop 1 ” a
1 Chevron pattern composing b * l c, H
B is the rotating magnetic field and P is the magnetic bubble transfer direction.

しかしながら、このように構成されるレプリヶートゲー
)において、磁気パズルメモリ素子の高密度、高集積度
化に伴なって各ライナループ1a+1b、IC相互間の
間隔が短縮されることKよシ、回転磁界HRが矢印入方
向を向いたとき、バイアス磁界マージン下限値で同図に
示すようにショートバーパターン13bとシェブロンパ
ターン14aとの両者のパターンおよび隣接するショー
トバーパターン11とシェブロンパターン14Mとの両
者のパターンに橋絡して磁気バブルBが伸長スる′転送
誤動作が発生し、バイアス磁界マージンが大幅に低下す
るという問題があった。
However, in a replica card game configured in this way, the distance between each liner loop 1a+1b and the ICs is shortened as magnetic puzzle memory elements become denser and more highly integrated. When facing in the direction of the arrow, both the short bar pattern 13b and the chevron pattern 14a and the adjacent short bar pattern 11 and chevron pattern 14M, as shown in the same figure, at the lower limit of the bias magnetic field margin. There is a problem in that a transfer malfunction occurs when the magnetic bubble B is elongated due to bridging, and the bias magnetic field margin is significantly reduced.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

したがって本発明は前述し九従来の問題に鑑みてなされ
たものであシ、その目的とするところは、転送誤動作の
発生を防止してバイアス磁界マージンを大きくした磁気
バブルメモリ素子を提供すゐことにある。
Therefore, the present invention has been made in view of the above-mentioned nine conventional problems, and its purpose is to provide a magnetic bubble memory element that prevents the occurrence of transfer malfunctions and increases the bias magnetic field margin. It is in.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

このような目的を達成するために本発明は、ショートバ
ーパターンに発生するバブル吸引ポールを低下させるよ
うにしたものである。
To achieve this objective, the present invention is designed to reduce the bubble suction poles that occur in the short bar pattern.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail using the drawings.

第3図(1)〜(e)は本発明による磁気バブルメモリ
素子の実施例を説明するためのレプリケートゲートを構
成するショートバーパターンの平面構成図である。同図
において、相互に隣接するマイナループ間に結合される
ショートバーパターン13は、同図(a)では左側に隣
接するマイナループ側にパーマロイパターンが存在し人
いパターン切断813ムを有し、同図(b)ではその中
央部にパターン切断部HBを有し、同図(C)では右側
に隣接するマイナループ側にパターン切断部13cを有
して形成されている。この場合、これらの各パターン切
断部13ム*13.IICの幅社ショートバーパターン
13の短辺幅とほぼ同等の寸法を有して形成されている
FIGS. 3(1) to 3(e) are plan configuration diagrams of a short bar pattern constituting a replicate gate for explaining an embodiment of a magnetic bubble memory device according to the present invention. In the same figure, the short bar pattern 13 connected between mutually adjacent minor loops has a permalloy pattern on the minor loop side adjacent to the left side in FIG. In (b), the pattern cut portion HB is formed at the center, and in the same figure (C), the pattern cut portion 13c is formed on the minor loop side adjacent to the right side. In this case, each of these pattern cutting parts 13*13. It is formed to have a dimension approximately equal to the short side width of the short bar pattern 13 manufactured by IIC.

また同図(d)では中央傾斜部分にパーマロイパターン
が存在しないパターン切断部18Dが形成されている。
In addition, in FIG. 4(d), a pattern cut portion 18D in which no permalloy pattern exists is formed in the central inclined portion.

同図(e)では同図(d)と同様に形成しかつ分割され
るパターンの対向端を延長させ、第1のパターン素片1
31と第20パターン素片11とでショートバーパター
ン13を構成したものである。
In the same figure (e), the opposing ends of the pattern formed and divided in the same way as in the same figure (d) are extended, and the first pattern piece 1
31 and the 20th pattern piece 11 constitute a short bar pattern 13.

このような構成によれば、ショートバーバp −713
の一部にパーマロイバタこンの存在しない各糧のパター
ン切断部18ム、13m、llc、llpを設けたこと
によ如、ショートバーパターン13の回転磁界方向A1
1ll先端部に発生する吸引ポールが弱くなるので、第
2図に示すような転送誤動作の発生を防止することがで
きる。
According to such a configuration, the short bar p-713
As a result of providing pattern cutting parts 18m, 13m, llc, llp for each grain where permalloy butter patterns do not exist in a part of the short bar pattern 13, the rotating magnetic field direction A1 of the short bar pattern 13
Since the suction pole generated at the tip of 1ll becomes weak, it is possible to prevent the occurrence of a transfer malfunction as shown in FIG. 2.

第4図は第2図に示す従来のショートバーパターンla
b口8Cを用いた場合のバイアス磁界マージン(図中斜
線の棒線で示す)ΔHB(Oe)と第3図に示す本発明
によるショートバーパターン1aを用いた場合のバイア
ス磁界マージン7n1(0・)とを比較したデータであ
シ、横軸に示す(0)拡第2図の従来例、(a) 、 
(b) 、 (C) 、 (d) 、 (@)は第3図
に示す各実施例をそれぞれ示したものである。同図から
明らかなように第3図(1)〜(III)に示すような
ショートバーパターン構成とすることによってバイアス
磁界マージンを大幅に向上させることができる。
Figure 4 shows the conventional short bar pattern la shown in Figure 2.
The bias magnetic field margin (indicated by the diagonal line in the figure) ΔHB (Oe) when using the b port 8C and the bias magnetic field margin 7n1 (0. ), the horizontal axis shows the conventional example (0) in enlarged Fig. 2, (a),
(b), (C), (d), and (@) indicate each embodiment shown in FIG. 3, respectively. As is clear from the figure, the bias magnetic field margin can be greatly improved by using the short bar pattern configuration as shown in FIGS. 3(1) to (III).

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明によれば、ショートS−パタ
ーンと転送パターンとの両方のパターンに磁気バブルを
伸長する転送誤動作の発生がなくなル、バイアス磁界マ
ージンを大幅に向上できるので、品質および信頼性の高
い高密度、高集積度化した磁気バブルメモリ素子が得ら
れるといり極めて優れた効果を有する。
As explained above, according to the present invention, the occurrence of transfer malfunctions that extend magnetic bubbles in both the short S-pattern and the transfer pattern is eliminated, and the bias magnetic field margin can be greatly improved, thereby improving quality and The present invention has an extremely excellent effect in that a highly reliable magnetic bubble memory element with high density and high integration can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は折ル重ね形マイナループを有する磁気バブルメ
モリ素子の一例を示す要部パタージ図、第2図はマイナ
ループのレプリケートゲート部分のバブル転送パターン
を示す要部拡大平面図、第3図(1)〜(6)は本発明
による磁気バブルメモリ素子の実施例を説明するための
ショートバーパターンの平面構成図、第4図は従来およ
び本発明によるショートバーパターンを用いた場合の磁
気バブルメモリ素子のバイアス磁界マージンを示す図で
ある。 1allbllC・・−・折シ重ね形マイナループ、2
哀+2b+2c・・・・トランスフアゲ−)、3a。 sb+ac・・・ループリケートゲート、lla、ll
b、jiG@@*@2−ナパp−y、12bltzC@
 @・・コーナバーパターン、la、13b113C・
・・1シヨートバーパターン、13*、11,13c、
13p・Φ・・パターン切断部、131・一番・第1の
パターン素片s 11”・・曇第2のパターン素片。 第1図 第2図 第3図 32
FIG. 1 is a pattern diagram of the main part showing an example of a magnetic bubble memory element having a folded overlapping minor loop, FIG. 2 is an enlarged plan view of the main part showing the bubble transfer pattern of the replicate gate part of the minor loop, and ) to (6) are plan configuration diagrams of short bar patterns for explaining embodiments of the magnetic bubble memory device according to the present invention, and FIG. 4 is a magnetic bubble memory device using the conventional short bar pattern and the short bar pattern according to the present invention. FIG. 3 is a diagram showing the bias magnetic field margin of FIG. 1allbllC---folded overlapping minor loop, 2
Sorrow + 2b + 2c...transfer game), 3a. sb+ac...loop replicate gate, lla, ll
b, jiG@@*@2-Napapy, 12bltzC@
@... Corner bar pattern, la, 13b113C.
...1 short bar pattern, 13*, 11, 13c,
13p・Φ...Pattern cutting part, 131・Ichiban・First pattern piece s 11"...Cloudy second pattern piece. Fig. 1 Fig. 2 Fig. 3 Fig. 32

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 磁気バブルを入出力するトランファゲートと磁気バブル
を分割複製するレプリケートゲートとを有する複数の折
シ重ね形マイナループを備えた磁気バブルメモリ素子に
おいて、相互に隣接する前記レプリケートゲートを結合
するショートバーパターンに、該パターン部材が存在し
ないパターン切断部を設けたことを特徴とする磁気バブ
ルメモリ素子。
A short bar pattern that connects mutually adjacent replicate gates in a magnetic bubble memory device having a plurality of folded and overlapping minor loops having a transfer gate that inputs and outputs magnetic bubbles and a replicate gate that divides and replicates the magnetic bubbles. A magnetic bubble memory element characterized in that a pattern cut portion is provided in which the pattern member does not exist.
JP11641684A 1984-06-08 1984-06-08 Magnetic bubble memory device Expired - Lifetime JPH067434B2 (en)

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JPH067434B2 JPH067434B2 (en) 1994-01-26

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