JPS61233490A - Magnetic bubble memory element - Google Patents

Magnetic bubble memory element

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Publication number
JPS61233490A
JPS61233490A JP60072630A JP7263085A JPS61233490A JP S61233490 A JPS61233490 A JP S61233490A JP 60072630 A JP60072630 A JP 60072630A JP 7263085 A JP7263085 A JP 7263085A JP S61233490 A JPS61233490 A JP S61233490A
Authority
JP
Japan
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magnetic
pattern
magnetic bubble
bubble
attracting
Prior art date
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Pending
Application number
JP60072630A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshiya Kadoyama
俊哉 門山
Mitsuru Sekino
充 関野
Hiroshi Nakadai
中▲だい▼ 浩
Tetsuaki Suzuki
鈴木 哲昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Microcomputer System Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Microcomputer Engineering Ltd
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Publication date
Application filed by Hitachi Ltd, Hitachi Microcomputer Engineering Ltd filed Critical Hitachi Ltd
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Publication of JPS61233490A publication Critical patent/JPS61233490A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To obtain a magnetic bubble memory element with high quality and reliability by providing a pattern generating a repulsive magnetic pole to the tip of an inverse 180 deg. turn corner pattern to cancel an unnecessary attracting magnetic pole and transfer normally a magnetic bubble. CONSTITUTION:A rod pattern 27 having longer length than the width generating the repulsive magnetic pole 26 is formed and arranged on a tip 22a in the magnetic bubble transfer direction of the inverse T-shaped pattern 22. Thus, when a planer rotating magnetic field HR is directed in the direction of the arrow 23, a repulsive magnetic field 26 is generated on the tip 27a in the direction of the inverted T pattern 22 of the rod pattern 27 to prevent the attracting magnetic field 24 from attracting the magnetic bubble B. Thus, the magnetic bubble B is attracted by the attracting magnetic pole 25 and stable operation is attained even in a weak bias magnetic field HB.

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は磁気バブルメモリ素子に係わシ、特に折シ重ね
形マイナループの逆180 &ターンコーナ部を形成す
る磁気パズル転送路に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to a magnetic bubble memory device, and more particularly to a magnetic puzzle transfer path forming an inverted 180 & turn corner portion of a folded overlapping minor loop.

〔発明の背景〕[Background of the invention]

一般に磁気バブルメモリ素子において、磁気パズル転送
パターンは磁気バブルの有無による書き込み情報、読み
出し情報を転送させるメジャーループおよび情報を保存
する領域を形成するマイナループ等を構成する要素であ
シ、磁気パズルの転送方向に応じた形状のものが用いら
れる。
In general, in a magnetic bubble memory device, the magnetic puzzle transfer pattern is an element that constitutes a major loop that transfers write information and read information depending on the presence or absence of magnetic bubbles, and a minor loop that forms an area for storing information. A shape that corresponds to the direction is used.

近年、磁気パブルメそり素子の高密度、高集積度化に伴
なって例えば情報を保存する領域を形成するマイナルー
プを、折り重ね形の閉ループで磁気バブル転送路を構成
したいわゆる折シ重ね形マイナルーグが例えばIER:
E、Trans 0MAG−15。
In recent years, with the increase in the density and integration of magnetic bubble mesh elements, so-called folded-fold type minor loops have been developed, in which a magnetic bubble transfer path is formed by a folded closed loop, instead of a minor loop that forms an area for storing information. For example IER:
E, Trans 0MAG-15.

11&L6 、 P1691〜P1696等によシ提案
されている。
11&L6, P1691 to P1696, etc.

この種のマイナループは、磁気バブルを直線方向に転送
させる直線転送部と、磁気バブルの転送を正方向に18
0度変換させる正180度ターンコーナ部と、同様に負
方向に180度変換させる逆180度ターンコーナ部と
から構成されている。
This type of minor loop has a linear transfer section that transfers magnetic bubbles in a straight direction, and a linear transfer section that transfers magnetic bubbles in a positive direction.
It is composed of a positive 180 degree turn corner section for 0 degree conversion and a reverse 180 degree turn corner section for 180 degree conversion in the negative direction.

しかしながら、このように構成される逆180度7−ン
:z−す部において、この逆180度ターンコーナ部を
形成する逆180度ターンコーナパターンとして例えば
逆T形パターンは、このパターンの長さ方向と回転磁界
方向とが一致したときにパターンの長さ方向先端部に大
きな磁気バブル吸引磁極が形成され、磁気パズルの正常
な転送を阻害し、マイナループの安定なバイアス磁界領
域が狭くなるという問題があった。
However, in the inverted 180 degree turn corner section configured in this way, the inverted 180 degree turn corner pattern that forms this inverted 180 degree turn corner section, for example, an inverted T-shaped pattern, is limited to the length of this pattern. The problem is that when the direction matches the direction of the rotating magnetic field, a large magnetic bubble attracting magnetic pole is formed at the longitudinal tip of the pattern, which obstructs the normal transfer of the magnetic puzzle and narrows the stable bias magnetic field region of the minor loop. was there.

〔発明の目的〕[Purpose of the invention]

本発明の一つの目的は、逆180度ターンコーナパター
ンの問題を低減することによシ、安定動作バイアス磁界
領域を拡大させた磁気バブルメモリ素子を提供すること
にある。
One object of the present invention is to provide a magnetic bubble memory device with an expanded stable operation bias magnetic field region by reducing the problem of reverse 180 degree turn corner patterns.

〔発明の概要〕[Summary of the invention]

本発明の一実施例によれば、逆180度ターンコーナパ
ターンの先端部に反発磁極を発生するパターンを設ける
ことによ)、不要な吸引磁極を打ち消して磁気バブルの
正常な転送を可能としたものである。
According to one embodiment of the present invention, by providing a pattern that generates a repelling magnetic pole at the tip of the reverse 180-degree turn corner pattern, unnecessary attracting magnetic poles are canceled out and normal transfer of magnetic bubbles is made possible. It is something.

〔発明の実施例〕[Embodiments of the invention]

次に図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する。 Next, embodiments of the present invention will be described in detail using the drawings.

第1図は本発明による磁気バブルメモリ素子の一例を説
明するなめの拡大平面図である。同図において、1は情
報を貯えるマイナルーブ、2は読み出し情報を転送する
リードメジャライン、3は書き込み情報を転送するライ
トメシャライン、4は磁気バブルを電気信号に変換する
磁気パズル検出器、5は情報をライトメシャライン3上
に書き込む磁気バブル発生器、6はライナループ1上の
情報をリードメジキライン2上に複写するレプリケート
ゲート、7はライトメシャライン3上の情報とマイナル
ープ1中の情報とを入れ替えるスワップゲート、8は外
周部からの不要な磁気バブルの侵入を阻止するためのガ
ードレール、9はこれらの転送回路を外部回路と接続す
るためのポンディングパッドである。
FIG. 1 is an enlarged diagonal plan view illustrating an example of a magnetic bubble memory element according to the present invention. In the figure, 1 is a minor lube that stores information, 2 is a read measure line that transfers read information, 3 is a write measure line that transfers write information, 4 is a magnetic puzzle detector that converts magnetic bubbles into electrical signals, and 5 is a magnetic puzzle detector. A magnetic bubble generator that writes information onto the write mesh line 3, 6 a replicate gate that copies the information on the liner loop 1 onto the read mesh line 2, and 7 the information on the write mesh line 3 and the information in the minor loop 1. 8 is a guardrail for preventing unnecessary magnetic bubbles from entering from the outer periphery, and 9 is a bonding pad for connecting these transfer circuits with an external circuit.

また、磁気バブル転送路であるマイナループ1゜リード
メジヤシイン2およびライトメシャライン3は第2図に
要部拡大平面図で示すようにパーマロイ薄膜パターン1
0で形成されている。そして、これらのパターン10を
、パターン面内で回転する外部磁界H凰で磁化すること
によシ、移動する磁気バブル吸引磁極を発生し、同図に
おいて回転磁界Mlが反時計回シに回転するとき、磁気
バブルは矢印P方向に転送される。この場合、回転磁界
Haが1回転するとき、磁気バブルはパターン10の1
周期λ分だけ転送されることKなる。なお、同図(JL
)はハーフディスクパターン、同図(b)は非対称シェ
ブロンパターン、同図(C)はワイドギャップパターン
と称され、近年では最も多く採用されている。iた、こ
のような転送方式の磁気バブル転送路は、パーマロイ駆
動方式と称され、これも一般的に多く採用されている。
In addition, the minor loop 1° lead mesh line 2 and the light mesh line 3, which are magnetic bubble transfer paths, are formed by a permalloy thin film pattern 1, as shown in an enlarged plan view of the main part in FIG.
It is made up of 0. Then, by magnetizing these patterns 10 with an external magnetic field H that rotates within the pattern plane, a moving magnetic bubble attracting magnetic pole is generated, and in the figure, the rotating magnetic field M1 rotates counterclockwise. At this time, the magnetic bubble is transferred in the direction of arrow P. In this case, when the rotating magnetic field Ha rotates once, the magnetic bubble is 1 of the pattern 10.
K is transferred for a period λ. In addition, the same figure (JL
) is called a half-disk pattern, (b) is called an asymmetric chevron pattern, and (C) is called a wide gap pattern, and these patterns are most commonly used in recent years. In addition, the magnetic bubble transfer path using such a transfer method is called a permalloy drive method, and this is also commonly used.

本発明の磁気バブルメモリ素子もこの方式である。The magnetic bubble memory element of the present invention also uses this method.

第3図は磁気バブルメモリ素子のメモリ領域を形成する
他のマイナループの一本を示したものであシ、磁気バブ
ルメモリ素子のメモリ領域にはこの種のマイナループを
多数個並列に配列して構成されている。同図において、
磁気バブル転送路を実線で簡略化して示してあシ、矢印
P方向は磁気バブルの転送方向を示す。このようなマイ
ナループは同図に示すように閉ループ状の転送路で構成
される。この閉ループ転送路の形状としては高密度磁気
バブルメモリ素子の実現に最適な同図(a)。
Figure 3 shows one of the other minor loops forming the memory area of the magnetic bubble memory element, and the memory area of the magnetic bubble memory element is constructed by arranging many minor loops of this type in parallel. has been done. In the same figure,
The magnetic bubble transfer path is simplified by a solid line, and the direction of arrow P indicates the transfer direction of the magnetic bubble. As shown in the figure, such a minor loop is composed of a closed loop transfer path. The shape of this closed-loop transfer path is optimal for realizing a high-density magnetic bubble memory element, as shown in FIG.

(b) 、 (e)に示す折シ重ね形マイナループ11
,12゜13が良く用いられるようになった。この折)
重ね形マイナルーズの形状としては第3図(a) 、 
(b) 。
Folded folded minor loop 11 shown in (b) and (e)
, 12°13 are now often used. At this time)
The shape of the overlapping minor loose is shown in Figure 3(a).
(b).

(e)に示した以外にも種々のタイプのものも適用され
る。
Various types other than those shown in (e) are also applicable.

第4図は前述した逆180度ターンコーナ部すの一実施
例を示す要部拡大パターン平面図である。
FIG. 4 is an enlarged pattern plan view of the main part showing one embodiment of the above-mentioned reverse 180 degree turn corner section.

同図において、20m 、 20bは1本の折シ重ね形
マイナループを構成する磁気バブル転送路、21は転送
路20m 、 20bの直線転送部を構成する非対称シ
ェブロンパターン、2ft逆180iEタ一ンコーナ部
すを構成する逆T形パターンである。
In the same figure, 20m and 20b are magnetic bubble transfer paths that constitute one folded minor loop, 21 is an asymmetrical chevron pattern that constitutes a linear transfer section of the transfer path 20m and 20b, and a 2ft inverted 180iE tanner corner section. This is an inverted T-shaped pattern.

しかしながら、とのように構成される逆180度ターン
コーナ部すにおいて、逆T形パターン22では面内回転
磁界H1が矢印23の方向を向いたとき、逆T形パター
ン22の磁気バブル転送方向側先端部22mに磁気バブ
ルBを吸引する磁極24が発生し、バイアス磁界H1か
弱い状態ではこの吸引磁極24が、シェブロンパターン
21の端部21mに発生する吸引磁極25よシも強くな
って磁気バブルBが正常に転送されなくなる。
However, in the inverted 180 degree turn corner section configured as shown in FIG. A magnetic pole 24 that attracts the magnetic bubble B is generated at the tip 22m, and when the bias magnetic field H1 is weak, this attracting magnetic pole 24 becomes stronger than the attracting magnetic pole 25 generated at the end 21m of the chevron pattern 21, and the magnetic bubble B is no longer transferred correctly.

したがって本発明では、第5図に示すように逆T形パタ
ーン22の磁気バブル転送方向側先端部22mに反発磁
極26を発生させる巾よりも長さ方向が大きい棒状パタ
ーン2Tを形成配置する。
Therefore, in the present invention, as shown in FIG. 5, a bar-shaped pattern 2T whose length is larger than the width for generating the repelling magnetic pole 26 is formed and arranged at the tip 22m of the inverted T-shaped pattern 22 on the side in the magnetic bubble transfer direction.

このような構成によれば、面内回転磁界H1が矢印23
の方向を向い九とき、棒状パターン27の逆T形パター
ン22方向先端部27mには反発磁界26が発生し、吸
引磁界24が磁気バブルBを引き付けるのを防げること
になる。このため、磁気バブルB#i吸引磁極25に引
きつけられ、バイアス磁界Haの弱い状態でも安定動作
が可能となる。
According to such a configuration, the in-plane rotating magnetic field H1 is
When facing in the direction of , a repulsive magnetic field 26 is generated at the tip 27m of the rod-shaped pattern 27 in the direction of the inverted T-shaped pattern 22, which prevents the attractive magnetic field 24 from attracting the magnetic bubble B. Therefore, it is attracted to the magnetic bubble B#i attracting magnetic pole 25, and stable operation is possible even in a state where the bias magnetic field Ha is weak.

第6図は従来の逆T形パターン22を用いた逆180度
ターンコーナ部のマイナループにおける安定動作範囲I
と、本発明による棒状パターン21を設けた逆T形パタ
ーン22を用い之逆180度ターンコーナ部のマイナル
ーグにおける安定動作範囲Iを示しなものである。同図
から明らかなように棒状パターン2Tを設けることによ
シ、斜線の部分のみ安定動作範囲を拡大させることがで
きた。
Figure 6 shows the stable operating range I in the minor loop of the inverted 180 degree turn corner using the conventional inverted T-shaped pattern 22.
This shows the stable operating range I in a minor loop at a reverse 180 degree turn corner using an inverted T-shaped pattern 22 provided with a bar pattern 21 according to the present invention. As is clear from the figure, by providing the bar-shaped pattern 2T, it was possible to expand the stable operating range only in the shaded area.

なお曲線Iは安定動作範囲!、1の上限値であシ、この
値はいずれも一定である。
Curve I is the stable operating range! , 1, and these values are all constant.

第7図ないし第11図は本発明の他の実施例を示す逆1
80度ターン;−す部すの要部拡大平面図であシ、前述
の図と同一部分唸同一符号を付しである。これらの図に
おいて、第7図(a)、伽)は逆T形ハターン22の先
端部に台形状のバーパターンを、第8図(a) 、 (
b)では非対称シェブロンパターン29を、第9図(&
) 、 (b)ではワイドギャップパターン30を、第
1θ図−) 、 (b)では変形ワイドギャップパター
ン31を、第11図では折れ曲シバーパターン32をそ
れぞれ形成配置しても前述と全く同様の効果が得られる
FIGS. 7 to 11 are inverse 1 diagrams showing other embodiments of the present invention.
This is an enlarged plan view of the main parts of the 80-degree turn part, and the same parts as in the previous figure are given the same reference numerals. In these figures, FIGS. 7(a) and 2) have a trapezoidal bar pattern at the tip of the inverted T-shaped pattern 22, and FIGS. 8(a) and (
In b) the asymmetric chevron pattern 29 is shown in FIG.
Even if the wide gap pattern 30 is formed in ) and (b), the modified wide gap pattern 31 is formed in FIGS. Effects can be obtained.

なお、前述した実施例において、逆180度メーンコー
ナパターンとして逆T形パターンを用いた場合について
説明し念が、本発明はこれに限定されるものではなく、
例えば逆三角形等の他の形状のパターンを用いても同様
の効果が得られることは勿論である。
In addition, in the above-mentioned embodiment, the case where an inverted T-shaped pattern was used as the inverted 180 degree main corner pattern was explained, but the present invention is not limited to this.
Of course, similar effects can be obtained by using patterns of other shapes, such as an inverted triangle, for example.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように本発明の実施例によれば、逆180
度ターンコーナパターンの先端部に反発磁極を発生する
バメー7を設けたことによ)、不要な吸引磁極を打ち消
して磁気バブルの正常な転送が可能となるので、バイア
ス磁界領域の安定動作範囲が大幅に拡大され、品質、信
頼性の高い磁気バブルメモリ素子が得られるという極め
て優れた効果を有する。
As explained above, according to the embodiment of the present invention, reverse 180
By providing the spring 7 that generates a repelling magnetic pole at the tip of the turn corner pattern), it cancels out unnecessary attractive magnetic poles and enables normal transfer of magnetic bubbles, increasing the stable operating range of the bias magnetic field region. This has an extremely excellent effect in that a magnetic bubble memory element which is greatly expanded and has high quality and reliability can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

N1図は本発明による磁気バブルメモリ素子を説明する
ための拡大乎面区、I@2図ら)、伽) −(e)は磁
気パズル転送路を形成する各種のパーマロイパターン例
を示す要部拡大平面図、1g3図(a) 、 (b) 
。 (e)は折9重ね形マイナループの各種の形状を示す図
、第4図は逆180度ターンコーナ部を構成する逆T形
パターンのエラーモードを説明するための要部拡大平面
図、第5図は本発明の一実施例を示す逆180度ターン
コーナ部の要部拡大平面図、第6図は従来および本発明
による磁気バブルメモリ素子のマイナループにおける安
定動作範囲を示す図、第7図−)、(b)ないし第11
図は本発明の他の実施例を示す逆180Rターンコーナ
部の要部拡大平面図である。 20a I 20b @・・拳磁気バブル転送路、21
・・−−非msシェブロンバメーン、22@・・働逆T
形パメーン、21・・・・棒状パターン、28−・・”
 台形状のバー パターン、29・−・・非対称シェブ
ロンパターン、30ψ・・−ワイドギャップパターン、
3111@−・変形ワイドギャップパターン、32・嗜
・噛折れ曲シバーパターン。 第1図 第2図 第3図 (。)     (b)       (C)第4図 第5図 第6@ 回転磁界HR(6e) 第7図 (0)             (b)第8図 (0,(b) 第9図 (0)            (b)第10図 (Q)(b)
Figure N1 is an enlarged view to explain the magnetic bubble memory device according to the present invention, Figure I@2, et al.) - (e) is an enlarged view of the main part showing examples of various permalloy patterns forming magnetic puzzle transfer paths. Plan view, 1g3 diagram (a), (b)
. (e) is a diagram showing various shapes of the folded 9-fold minor loop, FIG. The figure is an enlarged plan view of a main part of a reverse 180-degree turn corner showing an embodiment of the present invention, FIG. 6 is a diagram showing stable operating ranges in the minor loop of magnetic bubble memory elements according to the conventional and the present invention, and FIG. ), (b) to 11th
The figure is an enlarged plan view of a main part of a reverse 180R turn corner section showing another embodiment of the present invention. 20a I 20b @...Fist magnetic bubble transfer path, 21
...--Non-ms Chevron Bamen, 22@...Working reverse T
Shape pamen, 21...rod-shaped pattern, 28-..."
Trapezoidal bar pattern, 29...Asymmetric chevron pattern, 30ψ...-Wide gap pattern,
3111@-・Deformed wide gap pattern, 32・Curious bending curved Shiver pattern. Figure 1 Figure 2 Figure 3 (.) (b) (C) Figure 4 Figure 5 Figure 6 @ Rotating magnetic field HR (6e) Figure 7 (0) (b) Figure 8 (0, (b) ) Figure 9 (0) (b) Figure 10 (Q) (b)

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 磁気バブルを直線方向に転送する転送直線部と、磁気バ
ブルの転送方向を180度変換する逆180度ターンコ
ーナ部とから少なくとも構成される磁気バブル転送路を
備え、前記逆180度ターンコーナ部を形成する180
度ターンコーナパターンの磁気バブル転送方向側に反発
磁極を発生するパターンを設けたことを特徴とする磁気
バブルメモリ素子。
A magnetic bubble transfer path including at least a transfer straight section that transfers magnetic bubbles in a linear direction and an inverse 180 degree turn corner section that changes the transfer direction of magnetic bubbles by 180 degrees, the inverse 180 degree turn corner section being 180 to form
A magnetic bubble memory element characterized in that a pattern that generates a repulsive magnetic pole is provided on the magnetic bubble transfer direction side of a turn corner pattern.
JP60072630A 1985-04-08 1985-04-08 Magnetic bubble memory element Pending JPS61233490A (en)

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