JPS60260042A - レジスト層に組織を形成させる方法 - Google Patents

レジスト層に組織を形成させる方法

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JPS60260042A
JPS60260042A JP60104169A JP10416985A JPS60260042A JP S60260042 A JPS60260042 A JP S60260042A JP 60104169 A JP60104169 A JP 60104169A JP 10416985 A JP10416985 A JP 10416985A JP S60260042 A JPS60260042 A JP S60260042A
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JP
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resist layer
irradiation
tissue
irradiated
ultrasonic
Prior art date
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JP60104169A
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English (en)
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クヌート　ハイトマン
マルチン　ホツペ
エツクハルト　シユナイダー
アンドレアス　テール
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Ernst Leitz Wetzlar GmbH
Original Assignee
Ernst Leitz Wetzlar GmbH
Ernst Leitz GmbH
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Publication date
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    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G—PHYSICS
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    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 挟携分国 本発明は、レジスト層の重合或は解重合によって組織を
形成する方法に関する。
従来技監 ここでいうレジスト層とは、蔽われるべき部分をマスク
するために、即ち腐食剤や化学的めっき槽または電気め
っき槽などの影響を防止するために、基体表面に塗付す
ることができる物質のことである。例えばフォトラッカ
ー等のレジスト層は、紫外線、電子線、レントゲン線、
イオンビームなどを照射することによってその溶解度が
変化するという性質をもっている。紫外線などを照射す
ると、重合体が形成されて該重合体の網状組織（いわゆ
る陰性層）が生じたり、或は重合体が分解して低分子の
可溶性化合物（いわゆる陽性層）へ変じたりする。照射
した面領域に於て、或は照射されていない面領域に於て
溶解度が変化するという性質は、次に行なわれる化学的
な現像過程によって基体表面上に洗浄レリーフ（Ａｕｓ
ｗａｓｃｈｒｅｌｉｅｆ）を生じさせるために利用され
る。
集積回路に於る集積密度が増進するためには、溶解がま
すます増大する必要があり、且つ組織像の場の大きさが
大きくなって次元公差がますます小さくなる必要がある
。これらの条件を満たすために、リトグラフや紫外線の
照射といった標準的な方法に加えて、電子線、レントゲ
ン線、イオンビ ームを用いた新しいリトグラフ方法が開発された。
しかしながら、これらの新しい方法によってレジスト層
での組織幅がより狭くなるものの、いくつかの欠点を指
摘することができる。
例えば、組織を直接記録する照射線を用いた電子線照射
による方法は、溶解が増大し場のひずみが小さくなると
いう利点をもっているが、照射時間が非常に長いため、
不経済である。紫外線を照射する場合には、４インチウ
ェーハーを数秒以内照射すればよいが、電子線照射の場
合には数十分照射する必要がある。マスクを電子線で投
射することによっと、照射時間をほぼ２，３゛分に短縮
することができるが、溶解が最大にならず、しかも特殊
な電子線マスクを必要とするという欠点をもっている。
レントゲンリトグラフの場合も、４インチウェーハーに
つき１５分までの長い照射時間を必要とする。しかも、
これは、使用されるべき１：１マスクに対して極端な条
件を要求する近接投射技術によってのみ可能である。
且−修 本発明は、レジスト層、特にラッカ一層に於て高溶解す
るリトグラフ方法の照射時間を著しく短縮できるような
方法を提供することを目的とする。
、び 本発明は、上記目的を達成するため、組織の基準モデル
に対応してレジスト層が不十分に露光され、そして超音
波を照射することによってレジスト層に組織が完全に形
成されることを特徴とするものである。
本発明の他の有利な構成は、特許請求の範囲第２項ない
し第９項から明らかになる。
本発明は、公知のリトグラフ方法に於る時間ファクタが
、ラッカ一層に作用する重合過程或は解重合過程によっ
て決定されるという認識に基づいている。ラッカ一層に
所望の組織を形成するためには、ラッカ一層を不十分に
露光（表面露光Ａｎｂｅｌｉｃｈｔｕｎｇ）するだけで
十分であること、そして例えば次に行なわれる超音波の
照射によって。
本来の溶解度を減少させることなしにラッカ一層を完全
に露光（浸透露光　Ｄｕｒｃｈｂｅｌｉｃｈｔｕｎｇ　
）することができることが明らかとなった。従って、公
知のリトグラフ方法を用いてラッカ一層に所望の組織を
形成させるだけでよい。これにより、組織を形成させる
ための処理時間が著しく短縮される。従来の、ラッカ一
層の厚さ全体にわたって基体層に至るまで行なわれてい
た網状化や分裂過程の代りに、これに比べかなり処理し
やすい超音波の照射が行なわれる。この超音波の照射は
、例えば露光されるべき面全体にわたって完全（ｉｎｔ
ｅｇｒａｌ　）に行なうことができ、しかもリトグラフ
過程の間だけ実施すればよく、ラッカ一層の背面からも
作用させることができる。
しかしながら、ラッカ一層をラスター状に走査する細い
超音波束を使用するのが特に有利である。
超音波束の形成のためには、線形的に合焦した超音波束
をも生じさせることができる公知の音響レンズシステム
を用いることができる。
リトグラフによる不十分な露光と超音波による照射とは
物理学的に互いに依存しあっていないので、両方法を時
間的に前後して実施し、且つ異なる装置で実施するのが
合目的である。超音波の照射を行なうために特に有利な
のは、音響顕微鏡である。音響顕微鏡を用いれば、レジ
スト層を化学的に現像する前に、その都度得られる網状
化或は分裂を可視化することもできる。従って、組織の
欠陥を確認することができ、超音波束を選択的に局所的
に集中照射させることができる。照射の終了は、示され
た像に依存して決定することができる。
レジスト層内での網状化や分裂の進み具合を音響顕微鏡
を用いて観察することによって、好都合な超音波周波数
や照射の強度を組織要素の線形幅、レジスト層の厚さ及
びレジスト層の特殊な材質に依存して決定することがで
きる。
音響レンズ装置の超音波とレジスト面との連結は、両者
の中間に設けられる水などの液浸媒体を用いて公知の態
様で行なわれる。
第１頁の続き ■発明者　ニックハルト　シュナ イダー ０発　明　者　アンドレアス　テール

Claims (9)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）　レジスト層の重合或は解重合によって組織を形
    成させる方法に於て、組織の基準モデルに対応してレジ
    スト層力不十分な露光が行なわれ、そして超音波を照射
    することによってレジスト層に組織が完全に形成される
    ことを特徴とする方法。
  2. （２）　レジスト層全体を完全に超音波で照射すること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の方法。
  3. （３）不十分な露光と超音波の照射とを、レジスト層の
    対向する側から同時に行なうことを特徴とする特許請求
    の範囲第１項または第２項に記載の方法。
  4. （４）　レジスト層を、ラスター状に走査する細い超音
    波束によって照射することを特徴とする特許請求の範囲
    第１項に記載の方法。
  5. （５）不十分な露光と超音波の照射とを連続的に行なう
    ことを特徴とする特許請求の範囲第１項、第２項、第４
    項のいずれか１つに記載の方法。
  6. （６）超音波の照射のために音響顕微鏡を使用すること
    を特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のいず
    れか１つに記載の方法。
  7. （７）　レジスト層に於る組織形成を音響顕微鏡により
    像によって示し、超音波の照射終了をこの像に依存して
    決定することを特徴とする特許請求の範囲第６項に記載
    の方法。
  8. （８）個々の組織要素を選択的に超音波照射することを
    特徴とする特許請求の範囲第７項に記載の方法。
  9. （９）超音波の周波数と強度を、組織要素の線形幅とレ
    ジスト層の厚さに依存して決定することを特徴とする特
    許請求の範囲第１項ないし第８項のいずれか１つに記載
    の方法。
JP60104169A 1984-05-21 1985-05-17 レジスト層に組織を形成させる方法 Pending JPS60260042A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19843418854 DE3418854A1 (de) 1984-05-21 1984-05-21 Verfahren zur erzeugung von strukturen in resistschichten
DE3418854.1 1984-05-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60260042A true JPS60260042A (ja) 1985-12-23

Family

ID=6236442

Family Applications (1)

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JP60104169A Pending JPS60260042A (ja) 1984-05-21 1985-05-17 レジスト層に組織を形成させる方法

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US (1) US4612267A (ja)
EP (1) EP0163128A3 (ja)
JP (1) JPS60260042A (ja)
DE (1) DE3418854A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62160981A (ja) * 1986-01-08 1987-07-16 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 石油タンカ−の改造法
US4806455A (en) * 1987-04-03 1989-02-21 Macdermid, Incorporated Thermal stabilization of photoresist images
DE4113027A1 (de) * 1991-04-20 1992-10-22 Leitz Messtechnik Verfahren und vorrichtung zur fotolithographischen herstellung von langen gittermassstaeben
US5876875A (en) * 1996-12-23 1999-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Acoustic wave enhanced developer
US6922907B2 (en) * 2001-04-05 2005-08-02 Anton Rodi Measuring system for recording absolute angular or position values
US7029798B1 (en) 2002-06-28 2006-04-18 Seagate Technology Llc Ultrasonic agitation-assisted development of resist layer of master stamper/imprinter
DE10312045B4 (de) 2003-03-18 2014-07-31 Anton Rodi Messsystem zur Absolutwerterfassung von Winkeln und Wegen
US8105756B2 (en) * 2009-02-17 2012-01-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for preparing a printing form using vibrational energy

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3661660A (en) * 1968-02-21 1972-05-09 Grace W R & Co Method for ultrasonic etching of polymeric printing plates
US4243744A (en) * 1978-12-22 1981-01-06 Exxon Research & Engineering Co. Microwave curing of photoresist films
US4225658A (en) * 1979-02-02 1980-09-30 Eastman Kodak Company Ultrasonic imaging with catalytic elements
DE3118884A1 (de) * 1981-05-13 1982-12-02 Hoechst Ag Verfahren zur herstellung von reliefkopien
FR2527796B1 (fr) * 1982-05-25 1985-11-22 Photomeca Sa Procede et machine pour le developpement de plaques de tous types a couche photosensible photopolymerisable

Also Published As

Publication number Publication date
EP0163128A2 (de) 1985-12-04
EP0163128A3 (de) 1987-10-21
US4612267A (en) 1986-09-16
DE3418854A1 (de) 1985-11-21

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