JPS60258767A

JPS60258767A - 磁気カ−ドのデ−タ記録状態測定方法

Info

Publication number: JPS60258767A
Application number: JP11523884A
Authority: JP
Inventors: Kiyoaki Takiguchi; 清昭滝口; Kosaku Hirota; 耕作廣田; Yukiyasu Nakane; 中根　幸保; Seiji Mitsui; 三井　清治
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd; Computer Services Corp
Current assignee: CSK Corp; Toppan Inc
Priority date: 1984-06-04
Filing date: 1984-06-04
Publication date: 1985-12-20

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】本発明は磁気カードに記録されたデータの記録状態を測
定し表示できる磁気カードのデータ記録状態測定装置に
関し、特に磁気カードからデータを読み出して記憶装置
に記憶させ、その記憶されたデータを演算処理して表示
装置で表示をする磁気カードのデータ配録状態測定装置
に関するものである。

一般にこの種の磁気カードは、銀行・クレジット会社・
デパート等により発行され種々の用途に用いられている
。該磁気カードには周知のように磁気ストライプが設け
られており、その磁気ストライプに必要な情報が磁気的
に記録されている。

該磁気カードを用いるときには、これを入力装置に挿入
して磁気ストライプにおける情報を読み込ませると共に
、当り入力装置に設けられたキーボードより暗誦番号を
入力することにより行なわれている。

ところで、該磁気カードの磁気ストライプへの情報の書
き込みはＪＩＳ−Ｂ９５６１規格に基づいて行なわれて
おり、その情報の書き込み間隔は（８，２６８ｂ　ｉｔ
　／ｍ±４％）と規定されている。しかして、その記録
情報の書き込み間隔は具体的には０．１２５ｍであり、
その許容される誤差が±４チであるので、その長され±
５μｍと非常に微少なものとなる。従来は、かかる磁気
カードの記録状態を測定しその記録状態を分析する装置
が提案されていなかった。

本発明は上述した点に鑑みてなされたものであり、磁気
カードよりそれに記録された情報を読み出して情報の書
き込み間隔・書き込み強度を記憶装置に記憶させ、記憶
されたデータを演算処理してその処理結果を表示装置に
より表示するようにした磁気カードのデータ記録状態測
定装置を提供することを目的とするものである。

以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明する。

第１図は本発明に係る磁気カードのデータ記録状態測定
装置の実施例を一部拡大して示す斜視図である。

第１図において、符号１は磁気カードであり、この磁気
カード１には磁気ストライプ２が設けられると共に、こ
の磁気ストライプ２に必要な情報が磁気的にディジタル
信号で書き込まれている。

また、磁気カード１には、そのほかに磁気カードｌの発
行元名称３、所定のコード番号４、個人氏名５、有効期
限６などが表記されている。符号７は読取装置であり、
この読取装置７には、電源スィッチ８、電源スィッチ８
を“ＯＮ”したときに点灯する電源表示灯９、磁気カー
ドｌをカード挿入口１０に挿入し該磁気カードの磁気ス
トライプ２に記録された情報（データ）を読み取るリー
ダー１１、マスターキー１２、磁気カード１のデータの
記録状態が正常又は異常のときにそれぞれ点灯するＯＫ
表示灯１３又はＮＧ表示灯１４、リーダー１１で磁気カ
ード１のストライプ２から読み出した再生信号を取り出
せるプラグ１５とが設けられ１いる。

この読取装置７はケーブル１６を介して処理装置１７に
接続されている。

処理装置１７には、キーボード１８が設ケラれている。

この処理装置１７には、種々の情報を表示するＣＲＴデ
ィスプレイ装冒１９と、当該処理装置１７を動作させる
プログラムや各種のデータを記憶するフロッピーディス
ク装置２０と、該処理装置Ｗ１７からの各種印刷データ
を印刷するプリンタ２１とが図示しないケーブルを介し
てそれぞれ接続されている。

第２図（Ａ）は磁気カード１を説明するために拡大して
示す平面図であり、第２図（Ｂ）は磁気カード１に設け
られた磁気ストライプ２に記録されたデータの記録状態
を示す説明図である。第２図において、第１−にて説明
した要素には同一符号を付して説明を省略する。

磁気カード１に設けられた磁気ストライプ２には、第２
図（Ｂ）から明らかなように、必要なデータが論理“１
”、“０＃をもって記録されている。磁気ストライプ２
は、論理“ｏ”、”ｉ”とも基本的には同一間隔で記録
されているものであり、′Ｏ＃はその間隔内で磁化の変
化がなく、また、′１”はその間隔内で磁化の変化があ
る。同図（Ｂ）における矢符は磁気の方向を示したもの
であり、１０”は磁気の方向が変っていてもその間隔中
に磁化変化がなく、また１１′はその間隔中に必ず磁化
変化があることが理解できる。

第３図は本発明の実施例が適用される測定装置の信号系
統を示すブロック図である。

、まず、読取装置７の信号系統について説明する。

第３図において、上記読取装置７における信号系統は、
リーダー１１のカード挿入口１０に挿入された磁気カー
ド１の磁気ストライプ２に記録されたデータを電気信号
に再生できる磁気ヘッド２２と、この磁気ヘッド２２か
らの再生信号を一定のレベルまで増幅する増幅器２３と
、この増幅器２３からの出力信号の波高値（上下のピー
ク値）をサンプリング指令に応じてホールドするサンプ
ルホールド回路２４と、該サンプルホールド回路２４か
らの出力信号の波高値をデジタル信号に変換するアナロ
グ−デジタル（ＡＤ）変換器２５と、該増幅器２３から
の出力信号を基に時間間隔測定信号（タイムインターバ
ル測定信号ともいう）を形成すると共にサンプルホール
ド回路２４にサンプリング指令を出力する比較回路２６
と、該比較回路２６からの出力信号により磁気カード１
の磁気ストライプ２に記録されたデータの上下ピークか
らピークまでの時間間隔を測定すると共に該ＡＤ変換器
２５のＡＤ変換のタイミング信号を形成できる時間間隔
測定回路２７と、上記処理装置１７にデータ取り込みタ
イミングを指示し、また処理装置１７からの指令により
増幅器２３の増幅度の設定、測定タイミングの制御をす
る制御回路２８とを含んで構成されている。しかして、
ＡＤ変換器２５及び時間間隔測定回路２７から出力され
る信号は、処理装置１７に供給されるようになっている
。尚、増幅器２３は処理装置１７からの指令により制御
される制御回路２８によって増幅度が可変できるように
なっている。

次に、処理装置１７の信号系統について説明する。

処理装置１７は、各種の演算処理や制御を行う中央演算
処理装置ｆ（ＣＰＵ）２９と、該ＣＰ　［Ｊ　２９の基
本的動作等を実行させるプログラムが記憶されたリード
オンリメモリ（ＲＯＭ）３０と、当該測定方法を実行す
るプログラム、所定の定数、外部から取り込んだデータ
等を記憶できるランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）３１
と、該ＡＤ変換器２５からのデータを取り込むだめのデ
ィジタル入力ボート３２と、該時間間隔測定回路２７か
らのデータを取り込むためのディジタル入力ボート３３
と、該読取装置７どの間で各種指令の入出力を行うため
の入出力ボート３４と、キーボード１８゜ＣＲＴディス
プレイ装置１９．フロッピーディスク装置２０及びプリ
ンタ２１を該ＣＰＵ２９に接続するための入出力制御装
置３５．３６．３７及び３８と、各ポート３２〜３４．
ＲＡＭ３１．入出力制御装置３５〜３８及びＣＰＵ２９
間を接続するバス３９とを含んで構成されている。

上述のように構成された測定装置の動作を以下に説明す
る。

第４図（Ｉ）〜（ＶＩ）は上記読取装置７の動作を説明
するために示すタイムチャートであり、第５図（Ｉ）〜
（Ｉ［Ｉ）及び第６図は測定装置の動作を説明するため
に示すフローチャートである。また、第７図は表示状態
を説明するために示す図である。

第４図にお−いて、（Ｉ）は磁気ストライプ２に記録さ
れたデータの記録状態を、（ｎ）は増幅器２３からの出
力信号を、（ＩＩＩ）は（ＩＩ）から得られるディジタ
ル信号を、（ＩＶ）はディジタル信号（ＩＩ［）から得
られる微分信号を、ＣＶ）は信号側を基に得られるビッ
トインターバル測定信号を、（ＶＤはビットインターバ
ル信号（Ｖ）によって測定される時間間隔（Ｔ’ｌ、’
ｈ、・・・）を、それぞれ示すものであり、また各横軸
は時間がとられている。尚、図（ＩＩＩ）〜（Ｖ）は比
較回路２６内で形成される信号であり、（Ｖ）がそれの
出力信号として出力される。

それでは、第１図〜第７図を参照して動作を説明するこ
とにする。

まず、第５図（Ｉ）を参照しながら磁気カート・１のデ
ータの読み込みについて説明する。

磁気カード１を読取装置７のリーダ−１１０カード挿入
口１０に挿入する（ステップ５４１）。すると、リーダ
ー１１は、磁気カード１が挿入されたのを検出して磁気
カード１の磁気ストライプ２に記録されたデータ（Ｍ４
図（１）参照）を磁気ヘッド２２で読み出す（ステップ
５４２）。その読み出した再生信号は、増幅器２３で増
幅されてサンプルホールド回路２４及び比較回路２６に
供給される（ステップ５４３）。サンプルホールド回路
２４では上記比較回路２６からのサンプリング指令信号
により上のピーク値又は下のピーク値を保持（ホールド
する（ステップ８４４　’）。このサンプルホールド回
路２４でホールドされたピーク値をＡＤ変換器２５でデ
ジタル信号に変換して入力ポート３２を介してＲＡＭ３
１の所定の第１のエリアに前記デジタル信号を記憶する
（ステップ５４５）。

一方、増幅器２３から出力された信号（第４図（ＩＩ）
参照）は、比較回路２６において、まず第４図＠）に示
す信号に変換される（ステップ８４６）。

次に、第４図（用）に示す信号は、同様に比較回路２６
において微分されて同図（ＩＶ）に示す微分信号とされ
、これにより同図（Ｖ）　Ｋ示すようなビットインター
バル測定信号を得る（ステップ５４７）。

このビットインターバル測定信号は、時間間隔測定回路
２７に供給されて、ビットインターバル測定信号の立下
りから次の立下りまでの時間が測定される（ステップ８
４８）。尚、時間間隔測定回路２７は、実際処は該測定
信号の立下りから次の立下りまで測定するのではなく、
例えばワンショットマルチバイブレータを該測定信号で
駆動し、この素子より出力された信号から該測定信号の
次の立下りまでの時間ＴＴを測定し、この時間ＴＴをワ
ンショットマルチバイブレータの動作時間Ｔｓに加えて
使用する回路構成がとられている。しかして、ワンショ
ットマルチバイブレータが動作している時間Ｔｓの間は
、その測定時間ＴＴを処理装置１７に転送するために使
用されている。このように測定されたタイムインターバ
ルデータ’ｌ’　１　ｇ　Ｔｌ　＋　Ｔｓ　Ｉ・・・Ｔ
Ｎ　（同図（ＶＩ）参照）は、時間間隔測定回路２７よ
り入力ボート３３を介してＲＡＭ３１の所定の第２のエ
リアに記憶される（ステップ５４９）。すなわち、Ａ　
Ｄ変換器２５及び時間間隔測定回路２７からの出力デー
タは、−担、ＲＡＭ３１の所定のエリアに全て記憶され
ることになる。以上が磁気カード１からのデータ読み込
みの動作である。

次に、ビットインターバルデータの処理について第５図
（ｎ）を参照してステップＳ５０においてＲＡＭ３１の
第２のエリアに記憶されたタイムインターバルデータＴ
ｔ　＋　Ｔ２ｎ　Ｔ０ｎ・・・　を読み出し、これらを
加算してその加算値の平均をとり、これを基に第１の基
準幅が得られる。すなわち、下式の如き演算をさせ、こ
れをフロッピーディスク装置２０等の記憶装置に記憶さ
せておく。

データ読み込み時に計数しておくものである。

しかして、その演算結果を基にして第１の基準値ＴＳＩ
（＝（１±α）　’ｌ’ｍｅａｎ　）を得る。尚、αハ
前述ノ如く、例えば４チである。

また、ビットインターバルデータＴＭは、ＲＡＭ３１か
ら順次読み出され（ステップ８５１）、ステップＳ５２
で論理＠１”か加”かを判定される。このステップＳ５
２において論理が１ｏ”と判定されたらステップＳ５３
に移る。ステップＳ５３では、そのビットインターバル
データＴＭを第１の基準幅Ｔｓｔ（例えば、０．１２±
５μｍに相当するもの）と比較し、そのビットインター
バルデータＴＭが第１の基準幅Ｔｓｌ内に入っているか
否かを判定する。

このステップ８５３で前記データＴＭが所定の第１の基
準値幅ＴＳＩ　Ｋ入っていると判定されるとステップ５
５４１Ｃ移り、その判定結果（＠ＯＫ″）をＲＡＭ３１
の第３のエリアに記憶させる。

一方、ステップＳ５３で前記データＴＭが第１の基準幅
Ｔｓｌ内に人っていないと判定されるとステップＳ５５
に移り、その判定結果（“ＮＧ″）をＲＡＭ３１の第４
のエリアに記憶させる。

前述のステップＳ５４．Ｓ５５の次にはＲＡＭ３１の第
２のエリアに記憶されているビットインターバルデータ
ＴＭの全てが終了したか否かをステップＳ５６で判定す
る。このステップＳ５６で全ビットインターバルデータ
の比較が終了していないときは、ステップＳ５１に戻り
、全ビットインターバルデータの比較が終了したときに
は次のステップ８５７に移る。

また、ステップＳ５２でＲＡＭ３１の第２エリアからの
ビットインターバルデータが論理″１″であると判定さ
れるとステップ８５８に移り、ここでＲＡＭ３１の第２
エリアから次のビットインターバルデータ（ＴＭ＋１）
を読み出す。次いで、ステップＳ５９において、先のビ
ットインターバルデータ（ＴＭ）と、今読み出してきた
ビットインターバルデータ（ＴＭ＋１）とを加算（ＴＭ
＋ＴＭ＋１　）　Ｌ／、この加算結果をステップＳ５３
のビットインターバルデータとして使用可能とし、ステ
ップＳ５３に移る。

次にステップＳ５７ではＲＡＭ３１の第２のエリアから
最初のビットインターバルデータＴｌを読み出して１人
（１＋α）の演算をし、これを仮りの第２の基準値ＴＳ
２としステップＳ６０に移る。ステップＳ６０ではＲＡ
Ｍ３１の第２のエリアから次のビットインターバルデー
タＴＭを読み出し、これが論理１１″か′″０”　かを
判定する。ここで、ビットインターバルデータＴＭが′
θ′と判定されるとステップＳ６１に移り、ステップ８
６１でこのデータＴＭを第２の基準幅Ｔ８２と比較する
。このステップＳ６１で前記データＴＭが第２の基準幅
ＴＳＺ内に入っていれば、”　ＯＫ”としてその判定結
果をＲＡＭ３１の第３のエリアに記憶させる（ステップ
５６２）。

一方、このステップ８６１で前記データＴＭが第２の基
準幅Ｔａ２内に入っていなければ、”ＮＧ″としてその
判定結果をＲＡＭ３１の第３エリアに記憶させる（ステ
ップ５６３）。

ステップＳ６２．Ｓ６３からはステップＳ６４に移り、
このステップ８６４にで第２の基準値ＴＳ２をこのデー
タＴＭから下記第（２）式で演算する。

ＴＳ２＝（１±α）ＴＭ　・・・・・・・・・・・・・
・・・・・（２）この（２）式による演算結果を次の第
２の基準値ＴＳ２とする。

次いで、ステップ８６５に移り、ここで全部のビットイ
ンターバルデータＴＮの比較が終了したか判定し、終了
していなければステップＳ６０に戻り、また終了してい
ればステップＳ６６に移る。

一方、ステップＳ６０で前記データＴＭｈｆ”ｌ’と判
、　ｇｇｔｔ〜・ｘ　９７７’　Ｓ“〜°ｘ７−７７’
Ｓ°′では、次のビットインターバルデータＴＭ＋１を
ＲＡＭ３１の第２のエリアから読み出す。次いで、ステ
ップ８６８で生のデータＴＭから第３基準値Ｔｓａ（＝
（１±α）ＴＭ）を演算して、これで次のデータＴＭ＋
　１と比較する（ステップ５６９）。比較結果が＠ＮＧ
’ならばステップＳ７０に、ＯＫ”ならばステップＳ７
１に移る。ステップＳ７０ではその比較結果をＲＡＭ３
１の第４のエリアに記憶させる。ステップＳ７１ではそ
の比較結果をＲＡＭ３１の第３のエリアに記憶させる。

これらステップ８７０，８７１を通過したら、先のデー
タＴＭと後のデータＴＭ＋１とをステップ８７２　Ｆｃ
おいて加算（ＴＭ＋　ＴＭ＋１）　Ｌ／、その加算結果
をステップＳ６１におけるデータＴＭとして用いられる
ようにし、ステップＳ６１に移る。

ステップ８６６では、ＲＡＭ３１の第３及び第４のエリ
アを検索し、“ＮＧ″がなければＯＫ表示灯１３を点灯
させ、”ＮＧ”があればＮＧ表示灯１４を点灯さ疵る。

尚、“ＮＧ”の数等によってＮＧ表示灯１４を点灯させ
るか否かを調整することもできる。

このようにＡＤ変換器２５によりピーク値をデ　′ジタ
ル信号に変換し、そのピーク値からピーク値までの時間
間隔を測定し、これを所定の基準値幅と比較して正確な
間隔でデータが磁気カードの磁気ストライブに記録され
ているか否かを判定することができるものである。

さらに、ビットインターバルデータにおける波高値を出
力する動作について第５図（ＩＩＩ）を参照して説明す
る。

波高値を出力する指示が入力されたとする（ステップ５
８０）。すると、ビットインターバルＴ１の前後縁のデ
ジタルデータＶＩＦ、ＶＩＢがＲＡＭ３１から読み出さ
れ、Ｖｌ　””　ＶＩＰ−ＶＩＢの計算がなされる（ス
テップ５８１）。この波高値Ｖｌがビットインターバル
データＴ１における波高値として用いられ、これはＣＰ
Ｕ２９のバッファに一時記憶される。次に、このビット
インターバルデータＴ１は、−測定前のビットインター
バルデータＴｏから得た一定の基準幅（Ｔｓ＝（１±α
）Ｔｏ）　と比較される（ステップ５８２）。

ここでは、このビットインターバルデータＴＩが一定基
準幅Ｔｓにあるので、論理“０″として、上記ＣＰＵ２
９のバッファにある波高値Ｖ１を出力する（ステップ５
８３）。　しかして、全データが終了したか判定し、こ
こでは終了してないので次の動作に移る（ステップ５８
４）。

次に、ビットインターバルデータＴりの後縁のディジタ
ルデータＶ２ＢがＲＡＭ３１から読み出され、Ｖ２’＝
Ｖ２Ｆ　−Ｖ２Ｂ　＝　ＶＩＢ　−Ｖ２Ｂ　（Ｖ２Ｆ＝
ＶＩＢ　）の計算がなされる（ステップ５８１）。この
波高値ｖ２′がビットインターバルデータＴ２の波高値
として用いら１、ＣＰＵ２９のバッファに一時記憶され
る。

次に、このビットインターバルデータＴ２は、−測定前
のビットインターバルデータＴｌから得た一定の基準幅
（’Ｔｓ−（１±α）Ｔｔ）と比較される（ステップ５
８２）。ここでは、該ビットインターバルデータＴ２は
、一定基準幅内にないので、論理“１″として次のステ
ップＳ８５に移る。

ここでは、ビットインターバルデータＴ３の後縁の波高
イ１．￥Ｖ３ＢをＲＡＭ３１から読み出し、ｖ２〃＝Ｖ
３Ｆ−Ｖ３Ｂ＝Ｖ２Ｂ−Ｖ３Ｂ　（ＶｓＦ＝Ｖ２ｎ　）
（’）計算がなされる（ステップ５８５）。こα塙値Ｖ
ｚ”がビットインターバルデータＴ３の波高値として用
いられ、ＣＰＵ２９ノハッファに波高値Ｖｉがビットイ
ンターバルデータＴ虞から得られる基準幅（Ｔｓ’＝　
（１±α）Ｔ鵞）と比較される（ステップ５８６）。こ
こで、ビットインターバルデータＴ３が基準幅Ｔｓ′に
入っている場合には下記の計算をさせると共に、波高値
Ｖ、を出力させる（ステップ５８７）。

尚、ここで基準幅Ｔｓ’に入らない場合は、上記計算な
せずにエラーデータを出力する（ステップ８８８）。上
記両ステップ８８７，８８８共全データが終了したか判
定され（ステップ５８４）、終了していないので下記動
作に移る。

さらに、ビットインターバルデータＴ４の後縁のディジ
タルデータＴ４ＢをＲＡＭ３１から読み出し、Ｖｓ＝Ｖ
４Ｆ　Ｖ４Ｂ　＝　ｖａｎ　Ｖ４Ｂの計算をする（ステ
ップＳ８１　）。ここで、ビットインターバルデータＴ
４が基準幅（Ｔｓ＝（１±α）Ｔ＊’　）に入っている
か否かを判定する（ステップ５８２）。この場合は基準
幅Ｔｓに入っているので、論理１０″として波高値Ｖ、
を出力することになる（ステップ５８３）。

このように次々と各ビットインターバルデータにおける
波高値は全データが終了するまで出力される。

スナわち、あるビットインターバルデータＴＭの前後縁
の波高値からそのビットインターバルデータＴＭにおけ
る波高値ＶＭをめ（ステップ８８１）。

この波高値ＶＭＫおけるビットインターバルデータＴｙ
ｔ　ヲ、−測定前のビットインターバルデータＴＭ−１
から得た基準幅Ｔｓと比較しくステップ５８２）、その
比軟結果が論理′″０”のときはその波高値と一測定後
のビットインターバルデータＴＭ＋１の波高値ＶＭ＋１
との平均をとった波高値ＶＭＭ　”’８８５〜８８８）
。

しかして、上記のようにしてめた波高値ＶＭは、ＣＲＴ
ディスプレイ装置１９に表示され、あるいはプリンタ２
１から印刷出力されることになる。

以上は、一つの動作例を説明したが、もちろんビットイ
ンターバルデータＴＭの比較を先にしてから波高値ＶＭ
をめてもよいことはいうまでもない。

第６図を診照して各種演算処理の動作を説明する。

処理装置１７でｉ記憶装置としてのＲＡＭ３トフロッピ
ーディスク装＃２０から必要なデータを読み出し、次の
演算処理を実行させその演算処理結果を表示装置として
のＣＲＴディスプレイ装首装置・プリンタ２１で表示さ
せる。上記処理装置１７で実行させる演算処理は、ビッ
トインターバルデータＴＭ及び前記波高値における平均
値、標準偏差、サンプル数、最大値、最小値、ヒストグ
ラム等である。

それでは、平均値、最大値、最小値をめる動作について
説明する。

ビットインターバルデータの平均値は、上記（１）式に
より既に算出されているので、これを用いればよい。前
記波高値ｖＭの平均値ｖｒｎｅａｎは、ＲＡＭ３１から
全データを読み出して上記（１）式と同様に下記の式よ
り算出する（ステップ５９０）。

次に、ビットインターバルデータＴＭ又は波高値ｖｙ（
の最大値をめる。これは、まずヒツトインターバルデー
タＴＭ（又は波高値ＶＭ）のデータＤＭをＲＡＭ３１か
ら順次読み出して減算する（ステップ５９１）。減算し
た結果を判定しくステップ５９２）、それが零より大き
いときのみそのデータＤＭのＲＡＭ３１の番地を記憶し
ておく（ステップ５９３）。これをＲＡＭ３１のデータ
ＤＭの全部について行い（ステップ５９４）、そして減
算結果が上記のようにより大となる都度その番地を更新
スルトテータＤＭ中の最大値が算出される。

同様に、ビットインターバルデータＴＭまたは波高値Ｖ
Ｍの最小値は、データＤＭをＲＡＭ３１より順次読み出
して減算する（ステップ５９５）。

減算結果を判定しくステップ５９６）、それが零より小
さいときにのみ、そのデータＤＭのＲＡＭ３１の番地を
記憶させておく（ステップ５９７）。これをＲＡＭ３１
のデータＤＭの全部について行い（ステップ８９８）、
上記のように減算結果が零より小となる都度、そのデー
タの番地を記憶すると、データ中の最小値が算出できる
ことになる。

上記記憶した番地をにＲＡＭ３１から最大値（Ｔｍａｘ
　、　Ｖｍａｘ　）、最小値（ＴＭＩＮ　、　ＶＭＩＮ
　）がまることになる（ステップ５９９）。

これら平均値（Ｔｍｅａｎ　、　Ｖｍｅａｎ　）、最大
値（ＴＭＡＸ。

ＶＭＡＸ　）　、最小値（ＴＭＩＮ、ＶＭＩＮ）　ラフ
ｌＪ　ンｐ　２１、あるいはＣＲＴディスプレイ装置１
９で表示することができる。

また、各波高値ＶＭについて次の式で計算し、ＶＭ　−
ＶｍｅａｎＬＴＪ＝　Ｘ　１００　（％）Ｖｍｅａｎ第７図（Ｉ）に示すように、この値ＬＴＪを縦軸に、横
軸に各波高値ＶＭの番地（磁気カード１の磁気ストライ
ブ２の横方向位置に相当する。）に対応させて表示装置
（ＣＲＴディスプレイ装置１９）で表示させることがで
きる。

さらに、各ビットインターバルデータＴＭについて次の
式で計算し、第７図（ＩＩ）に示すように、この値ＢＢＪを縦軸に、
横軸に該データＴＭの番地（磁気カード１の磁気ストラ
イプ２の横方向位置に相当する。）に対応させて表示装
置で表示させることができる。

上述したように、本実施例は、磁気カード１の磁気スト
ライプ２に記録されたデータを記憶装置に記憶させ、記
録されたデータを演算処理してその演算結果を表示装置
で表示させるよう圧したものである。

以上述べたように本発明によれば、磁気カードの磁気ス
トライプに記録されたデータを記憶装置に記憶させ、こ
の記憶されたデータを演算処理し、その演算結果を表示
装置で表示できるようにしてなるので、磁気カードの磁
気ストライプに記録されているデータの記録状態が正確
に測定できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る磁気カードのデータ記録は磁気ス
トライプに記録されたデータの状態を説明するために示
す説明図、第３図は同測定装置を示すブロック図、第４
図（Ｉ）〜（９）は読取装置の動作を説明するために示
すタイムチャート、第５図（Ｉ）〜（Ｉｌｌ）は同測定
装置の動作を説明するために示すフローチャート、第６
図は同測定装置の演算処理の動作を説明するために示す
フローチャート、第７図（１）及びｆｆ１）は表示状態
を示すグラフである。１・・・磁気カード、２・・・磁気ストライプ、７・・
・商籠収装置、　１１・−・リ　−ダー、１６・・・ケ
ーブル、　１７・・・処理装置、１９・・・ＣＲＴディ
スプレイ装置、２０−・・フロッピーディスク装置、２１・・・プリンタ。

Claims

【特許請求の範囲】

磁気カードの磁気ストライプに記録された情報を読み出
し、その情報におけるビット間隔・磁化強さのデータを
測定できる読取装置と、該読取装置からのデータを記憶
装置に記憶せしめるとともに、データを演算処理できる
処理装置と、該処理装置からの表示データを表示する表
示装置とを備えてなり、該処理装置は上記記憶装置から
データを読み出して演算処理をし、その演算処理結果を
表示装置により表示せしめるようにしたことを特徴とす
る磁気カードのデータ記録状態測定装置。