JPS6025547A

JPS6025547A - 処理塔内監視装置

Info

Publication number: JPS6025547A
Application number: JP58132118A
Authority: JP
Inventors: Shinsaku Maruyama; 丸山　真策
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 1983-07-20
Filing date: 1983-07-20
Publication date: 1985-02-08
Also published as: JPH0366023B2

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】この発明は処理塔内充填物の塔内位ｕｊに沿う色の変化
を監視する処理塔内監視装置に関するものであり、例え
ば、イオン交換樹脂再生処理塔において色の異なる陽イ
オン交換樹脂と陰イオン交換樹脂の分離状況と、該樹脂
の汚染状況とを同時的に監視するために好適な監視装置
〜：に係わるものである。

周知のように、イオン交換樹脂を用いて汚水から純水を
得るための液体処理装置は広（用いられている。該液体
処理装置においては、処理操作の経過に伴ってイオン交
換樹脂の一部は陽イオンと反応し、他の一部は陰イオン
と反応してこれらのイオンを除去するものであるが、該
反応がある程度進行するとイオン交換樹脂は陽イオンあ
るいは陰イオンで飽和状態に近くなり、処理水中のイオ
ン漏洩量が多くなるので、処理機能が失われてしまう。

そこで、飽和状態に近くなったイオン交換樹脂を、再生
操作によって再生することになるが、各陽イオン、陰イ
オンで飽和したイオン交換樹脂は夫々のイオンに応じた
再生処理剤で再生する必要がある。即ち、陽イオンと反
応して昭和状態に近（なった陽イオン交換樹脂は硫酸等
で、陰イオンと反応して飽和状態に近（なった陰イオン
交換樹脂は苛性ソーダ等によって夫々通薬再生される。

このような再生処理のためには、両樹脂を予め分離して
おく必要があるので、両樹脂の比重差を利用し、その沈
降速度差に基づき、分ｉ’ｉｌＵすることが行われてい
る。

上記分離操作のための樹脂再生塔においては、分離操作
の正常性を監視する必要があり、従来は内眼による目視
監視が行われていた。

一般に、陽イオン交換樹脂と陰イオン交換樹脂は色差を
有するため（例えば、陽イオン交換樹脂は暗かっ色、陰
イオン交換樹脂は黄かっ色）その色差を利用して目視監
視するわけである。

即ち、樹脂再生塔の側壁に縦方向に延在する監視窓を設
け、該監視窓を通して、逆洗分内１トにより化量が小で
、沈降速度が遅いため上層を形成する陰イオン交換樹脂
と、比重が大で、沈降速度が速いため下層を形成する陽
イオン交換拉（脂とから成る層構造及び上記各層の分１
”、１［面の位置を上記色差に基づいて目視観測するこ
とによって分離されたときの両樹脂の配分の正常性など
を監視するものであった。

而して、イオン交換樹脂の分離操作にかかる目視監視の
作業が入る場合には、運転を一旦中断させて、運転員が
操作盤と再生塔設置場所との間を往復しなければならず
、該操作を完全自動化することができないという欠点が
あった。

加えて、操作盤と再生塔設置場所との間を往復すること
は煩わしい作業であり、更に、上記装置が原子力設備に
用いられる場合には、放射線被曝量の増大の危険が伴う
という難点があるので、労働安全衛生上好ましくなかっ
た。

上述の欠点、難点を解消すべ（、処理塔、典型的には、
樹脂再生塔の側壁に穿設された監視窓に沿って上下動す
る輝度計測部から得られる輝度信号に基づいて処理塔内
の色、換言すれば、輝度が異る二種類の被監視体、典型
的には、陰陽側イオン交換樹脂の分；後面位置を自動的
に遠隔監視することにより、操作の完全自動化を可能と
した処理塔内監視装置が提案されている。

しかしながら、かかる従前の遠隔監視では、被監視体自
体の色、換言すれば、特定の波長に関する被監視体の輝
度は装置に固有に特定されていることを前提として、該
輝度の差異に基づいて、被監視体の分離面位置を監視す
るものであるところ、ある種の被監視体、例えば、通常
的なイオン交換樹脂に関しては、その色や輝度が、処理
操作と再生操作の反復過程での、該樹脂の汚染に起因し
て変動することから、ある程度汚染が進行すると、分離
面位置の判別が困難になるものであった。

それにも係わらず、従来装置は、樹脂の汚染度合、ひい
ては、分離面位置の正確な判別が困難となる程度の樹脂
の汚染状態を判別するだめの何らの手段をも備えていな
かったので、汚染の進行に伴って必然的に発生する分離
面位置の不正確な判別結果が表示されてしまい、これに
より、運転作業にしばしば混乱を生ずるという欠点があ
った。

かかる混乱を防止するためには、樹脂の汚染状態を頻繁
に目視点検しなければならないので、遠隔監視の自動化
が徹底され得ないという難点をも伴っていた。

この発明の目的は、上記従来技術に基づ（、樹脂等の被
監視体の汚染に起因する不正確な分離面位置表示等の問
題点に鑑み、処理塔内の被監視体、典型的には、樹脂再
生塔内のイオン交換樹脂′の分離面位置の判別に際して
、同時的に、樹脂の汚染度合を算出し、併わせで、この
汚染度合が分離面位置の算出を困難にする程度に進行し
た汚染状態に至ったことを判別して、これらを自動的に
表示することにより、樹脂の汚染度合等を頻繁に目視点
検しなくても、樹脂の汚染に伴う不正確な分離面位置の
表示によって運転作業に混乱を生ずることのない優れた
処理塔内監視装置を提供せんとするものである。

上記目的に沿うこの発明の構成は、処理塔内での被監視
体２、典型的には、イオン交換樹脂の分離面位置を自動
的に遠陥監視するに際して、第１図に示されるように、
処理塔側壁に縦方向に延在する監視窓３に沿って輝度計
測手段９を上下動させながら該監視窓上の多数の監視位
置での被監視体２の輝度を表わす輝度信号を生成し、更
に、該輝度計測手段９が通過している監視位置を表わす
位置信号を位置検出手段１０でもって生成し、両信号に
基づ（一連の輝度データを輝度データ記憶手段１７に読
み出し可能に記憶し、しかる後、第２図に示されるよう
に、演算処理手段２０は、該輝度データ記憶手段から読
み出される一連の輝度データにより表わされる輝度の最
大値ＭＸと最小値ＭＮを算出する最大最小輝度算出手段
Ａを実現し、該最大値が、輝度計測手段Ｂにて予め設定
された高輝度帯Ｑの下限値ｑｌ以下であること、あるい
は、該最小値が、同様に設定された低輝度帯Ｐの上限値
９１以上であることに基づいて、汚染状ｗＡＷ　Ｎ　Ｇ
　’ｉｒ：　判別する汚染状態判別手段Ｃを実現し、汚
染状態表示手段りでもって、該汚染状態を′表示し、該
最大値と該最小値との差を算出する汚染度合算出手段Ｆ
を実現し、汚染度合表示手段■でもって、該差を汚染度
合Ｗとして表示し、前記一連の輝度データにより表わさ
れる輝度変化の軌跡上、前記低輝度帯Ｐの上限輝度ｐｘ
と前記高輝度Ｑの下限輝度ｑ１との匍の距離に対応する
前記監視窓上の多数の監視位置に沿う距離、即ち、−輝
度造移距離Ｇを算出する輝度造移距離算出手段Ｅを、実
現し、該距離の中間位置を算出する分離面位置算出手段
Ｇを実現し、該中間位置を分離面位置表示手段Ｊでもっ
て、分離面位置りとして表示し、更に、この発明に奉迎
する第二の発明の構成は、第６図に示されるように、上
記この発明の構成中の輝度計測手段９にフィルタ手段９
Ｃを付設することにより、該輝度計測手段による被監視
体２の輝度の計測を、該被監視体への、汚染による影響
の少ない波長の光線にて行うようにし、演算処理手段２
０では、再度、第２図に示されるように、上記この発明
に係わる各機能実現手段に加えて、前記輝度遷移距Ｈｉ
ｔ　Ｇと前記汚染度合Ｗとの債を前記高輝度帯Ｑの下限
輝度ｑｌと前記低輝度帯Ｐの上限輝ｐｉｐｓとの差で割
って得られる商を算出する分離度合算出手段Ｈを実現し
、分派度合表示手段にでもって、該商を分離度合Ｚとし
て表示することを要旨とするものである。

この発明の実施例の構成及び動作を第１図〜第５図に基
づいて説明すれば以下の通りである。

第１図は上記実施例のハードウェア上の構成を示すブロ
ック図であり、処理塔１内には、被監視体２、典型的に
は、陰・陽画イオン交換樹脂が充填され、その側壁には
、監視窓３が縦方向に延在し、処理塔１の底部には、ス
ルーシング水噴出管４が配設され、骸骨４からは導水管
５が延びてスルーシング水ポンプ６の吐出管に接続され
、該ポンプ６の吸水管Ｔは図示しない水源に接続される
。処理塔１の頂部には、空気管８が接続され、該塔１内
に空気が圧入される。

監視窓３には、ガラス等の透明体３ａ力月医込まれ、該
透明体３ａに対して空隙を隔てて輝度計測部９が対向配
置される。

輝度計測部９は図示しない昇降手段でもって駆動され、
監視窓３に沿って上下動する。該計測部９には、位置検
出部１０が固着され、該計測部９と一体に上下動する。

位置検出部１０の前方には、空隙を隔てて監視窓３に沿
う位置目盛板１１が縦方向に延在し、而して、輝度計測
部９が上下動する際に、位置検出部１０は位置目盛板１
１に沿っ□て上下動する。位置目盛板１１は、゛例えば
、黒色体から成り、輝度計測部９の上下動範囲を２００
等分するように、金属被膜等の反射体による横縞（目盛
線）が刻設される。目盛板１１の上下端部には、それぞ
れ上限検出部１２と下限検出部１３が配設される。

輝度計測部９には、輝度符号生成部１４が接続され、位
置検出部１０には、位置符号生成部１５が接続される。

輝度符号生成部１４、位置符号生成部１５の出力端子は
、それぞれ符号組立部１６に接続され、符号組立部１６
の出力端子はＩＩＬＡ　Ｍから成る輝度データ記憶部１
７の入力端子に接続される。

輝度データ記憶部１７のアドレス端子と制御端子には、
制御部１８から延びるアドレス信号線１７ａ１７ｂと制
御信号線１７ｃがそれぞれ接続される。

制御部１８の入力端子には、位置符号生成部１５から延
びるデータ線とクロック発振器１８ａ及びタイマ１９が
それぞれ接続される。

輝度データ記憶線−１７には、演算処理部２０が後続し
、該演算処理部内には、マイクロプロセ・ンサ２０Ａと
表示器２０Ｂが包含される。そして、該マイクロプロセ
ッサ２０Ａと制御部１８間には、制御信号線１７ｄが付
設される。

更に、上下限検出部１２．１３の出力端子は、それぞれ
走査制御部２２、符号生成部１５、制御部１８に接続さ
れ、位置符号生成部１５からは制御信号線が延びて輝度
符号生成部１４、制御部１８にそれぞれ接続される。

そして、制御部１８から制御信号線が走査制御部２２と
演算処理部２０に延びる。

上記構成において、樹脂の分離操作に際しては、処理塔
１内に被監視体２としての陰・陽画イオン交換樹脂′の
混合物を充填し、スルーシング水ポンプ６を作動させて
、スルーシング水噴出管４から特定の流速でもってスル
ーシング水を塔内上方に向って噴出させながら被監視体
２を沈降させる。

そして、樹脂の分離状況を監視するに際しては、輝度計
測部９を適宜の昇降手段、例えば、特開昭５６−１０５
７６０号に開示されているような色差検出器駆動手段で
もって監視窓３に沿って降下させると、該計測部９は監
視窓３上の各位置における被監視体２の色に対応する輝
度を表わす輝度信号Ｓ１を出力する。かかる輝度計測部
９は監視窓３を介して被監視体２に対して光線を照射し
、その反射光線を波長に対して透過率の異るフィルター
に通じて被監視体２の色に対応する輝度に変換し、更に
、これを光電交換素子でもって電気信号に変換して輝度
信号Ｓ１を得るものであり、例えば、実開昭５６−９５
３３１号に開示されている色差検出器でもって構成され
る。

いま、タイマ１９が分離操作の開始と同時に計時動作を
開始し、分離操作の完了までに要する分離操作期間△Ｔ
の経過を検出すると、分離操作完了信号８１７を出力し
、これに応答して、制御部１Ｂが起動信号８１４を走査
制御部２２に送る。

このとき、輝度計測部９が、例えば、監視窓３の頂部に
対応する上限監視位置に滞在していれば、上限検出部１
２がこれを検出して、上限信号８１６を走査制御部２２
、位置符号生成部１５及び制御部１８のそれぞれに送る
。

すると、走査制御部２２は、該上限信号８１６に応答し
て、図示しない昇降手段を作動させて、輝度計測部９を
監視窓３に沿って降下させる。

該計測部が降下する際に、位置検出部１０も一体的に位
置目盛板１１に沿って降下し、該目盛板１１上の目盛線
を通過するたびに位置信号（パルス）８２を出力し、而
して、移動量に応じた数の。

位置信号Ｓ２を出力する。かかる位置検出部１０は、例
えば、公知の反射形フォトカプラで構成される。この間
、前記上限検出部１２からの上限信号８１６に応答して
、リセット状態となっている可逆カウンタを含む位置符
号生成部１５は、上記位置検出部１０からの位置信号Ｓ
２を計数し、輝度計測部９の移動量、即ち、監視窓３の
頂部からの距離で表わされる輝度計測部９の位置に対応
する位置符号Ｓ３を出力する。

かかる位置符号Ｓ３は監視窓３上の監視位置の各々を表
わすものであり、位置符号Ｓ３が変化するたびに、換言
すれば、位置検出部１０が目盛線を通過するたびに輝度
計測部９による監視操作が実行される。

いま、位置検出部１０が目盛線を通過すると、位置符号
生成部１５は位置信号Ｓ２を計数して、位置符号Ｓ３を
変化させるとともに、輝度符号生成部１４に制御信号Ｓ
４を送り、これを受けて輝度符号生成部１４は、このと
き輝度計測部９から供給されている輝度信号Ｓ１をサン
プリングホールドして、これをディジタル量に変換し、
輝度符号Ｓ５として出力する。　゛符号組立部１６は変化後の位置符号Ｓ３と輝度符号Ｓ５
とを一つの輝度データＳ６に組み立ててこれを輝度デー
タ記憶部１１の入力端子に供給する。

この間、制御部１８は、前記上限検出部１２からの、輝
度計測部９の移動方向を表わす情報としての上限信号８
１６と、上記位置符号生成部１５からの、輝度計測部９
の各監視位置の通過を表わす情報としての制御信号Ｓ４
とに応答して、輝度データ記憶部１ｒの制御端子に制御
信号線１７ｃを通じて書き込み指令信号Ｓ７を送って、
これを書き込みモードに移行させてから位置符号Ｓ３を
アドレス信号Ｓ８としてアドレス信号線１７ｂを通じて
輝度データ記憶部１Ｔのアドレス端子に転送する。

而して、輝度計測部９が監視窓３の頂部（上限監視位置
）から底部（下限監視位置）まで降下する間に通過する
多数の監視位置に関して得られる第一回目の監視処理に
おける一連の輝度データＳＧが各監視位置に対応するア
ドレスに記憶される。

輝度計測部９が下限監視位置まで降下すると、下限検出
部１３がこれを検出して、下限信号Ｓ９を走査制御部２
２、位置符号生成部１５、制御部１８のそれぞれに送る
。。

そして、走査制御部２２は、下限信号Ｓ９を受けると、
前記昇降手段を停止させて輝度計測部９の降下を停止さ
せ、一方、位置符号生成部１５は該信号Ｓ９を受けると
、次回の監視処理に際しての、輝度計測部９の上昇に備
えて、減算モードに移行する。

更に、制御部１８は下限信号Ｓ９を受けると、輝度デー
タ記憶部１Ｔの制御端子に読み出し指令信号ｇ７を送っ
て、これを読み出しモードに移行させ、しかる後、クロ
ックパルス発振器１８ａからの高速度のクロックパルス
に応答して制御パルス８１０を制御信号線１７ｄを通じ
て、演算処理部２０に送り、更に、該処理部２０での演
算処理の進行に応じて出力される応答パルスＳｌｌを該
信号線１７ｄを通じて、受けて、内蔵するアドレスカウ
ンタを高速度で歩進させ、アドレス信号Ｓ′８を生成し
て、これをアドレス信号線１７ｂを通じて輝度データ記
ぶ部１７のアドレス端子に供給することにより、該記憶
部１７に記憶されている第一回目の監視処理における一
連の輝度データＳ６を演算処理の進行上必要な時点で読
み出して演算処理部２０に転送する。

そして、この間に、演算処゛理部２０は後述する演算処
理を実行する。

第一回目の監視処理に関する演算処理の終了後、分離さ
れた樹脂を後続の再生通薬工程に移送してから、新たに
分離すべき樹脂を処理塔内に充填した場合、あるいは、
第一回目の監視処理の結果、分離度合が不十分であるこ
とが判明した場合には、再度、分離操作を開始し、前述
同様にタイマ１９による分離操作期間へＴの計時を待っ
て、制御部１８は起動信号８１４を走査制御部２２に送
り、該制御部２２は該起動信号８１４と、面述のように
、輝度計測部９が下限監視位置まで降下したときに、下
限検出部１３から供給される下限信号Ｓ９とに応答して
、昇降手段の動作を反転させて、今度は、輝度計測部９
を監視窓３に沿って上昇させる。

このとき、位置符号生成部１５はすでに減算モードに移
行しているので、位置検出部１０が位置目盛板１１上の
目盛線を通過するたびに、該符号生成部１５は内蔵する
可逆カウンタを減少方向に歩進させることにより、輝度
計Ｊ都９が通過中の監視位置を表わす位置符号Ｓ３を生
成する。

而して、第二回目の監視処理における一連の輝度データ
Ｓ６は降下時同様に輝度データ記憶部１７に記憶される
のであるが、上昇時には、制御部１８が下限信号Ｓ９に
応答して領域指定信号としての上位桁アドレス信号Ｓ１
５をアドレス信号線１７ａを通じて輝度データ記憶部１
１に供給するので、上昇時の一連の輝度データは降下時
のそれとは別の記憶領域に対して記憶される。

そして、輝度計測部９が上昇して、上限監視位置に到達
すると、上限検出部１２がこれを検出して上限信号８１
６を走査制御部２２、位置符号生成部１５、制御部１８
のそれぞれに送る。

後続する輝度計ｃＩＡ１１部９の降下に際しては、第三
回目の監視処理における一連の輝度データＳ６が輝度デ
ータ記憶部１７に記・臆され、以下同様の動作が繰り返
される。

かくして、各回の監視処理に際して、輝度データ記憶部
１７から演算処理部２０に転送される一連の輝度データ
により表わされる路監視位置ごとの、陰陽両イオン交換
樹脂の輝度の軌跡を示すグラフが第３図であり、縦軸は
監視位置ｎを、そして、横軸は該縦軸上の監視位置ｎに
おける被監視体２の輝度Ｃ（ｎ）をそれぞれ示す。

更に、通常的な陰陽両イオン交換樹脂それ自体の分光特
性に基づ（輝度特性を例示するグラフが第４図であり、
縦軸は該樹りの輝度を、そして、横軸は該樹脂に対して
照射する光線の波長をそれぞれ示す。

同図中、曲線Ａ、Ａ’は陰イオン交換植］脂に関するも
のであり、曲線Ａは汚染のない状態での輝度特性であっ
て、△ｑはその高輝度基礎変動帯、即ち、樹脂自体の個
別的な色のバラツキに起因する輝度の変動幅である。

一方、同図中曲線Ａ′は限界的な汚染状態、即ち、樹脂
の分離面位置の正価な判別が困難となる程度の汚染状態
での輝Ｐｉ特性であって、Ｑはその高輝度帯、即ち、輝
度の汚染による変動幅である。

同様に、同図中、曲線Ｂ、Ｂは、陽イオン交換樹脂に関
するものであり、曲線Ｂは、汚染のない状態での輝度特
性であって、△ｐはその像輝度基礎変動帯、曲線Ｂ′は
限界的な汚染状態での輝度特性であって、Ｐはその低輝
度帯である。

そして、再び第３図に戻って、監視位置に沿う輝度の軌
跡Ｘは、陰陽各イオン交換樹脂に関して汚染のない状態
、即ち、第４図中、照射する光線の波長に従って曲線Ａ
、Ｈに沿ってその輝度が変化する陰陽各イオン交換樹脂
を波長６５０Ａの光線にて照射したときに得られるもの
である。

同様に、第３図中、輝度の軌跡Ｙは、陰陽各イオン交換
樹脂に関して、汚染状態、即ち、第４図中、曲線Ａ′、
Ｂ′に沿ってその輝度が変化する陰陽各イオン交換樹脂
を６５０＾の光線にて照射したときに得られるものであ
る。

更に、第３図中、輝度の軌跡Ｕは第４図中に対応する曲
線が示されていないが、陰陽各イオン交換樹脂が限界的
な汚染状態を越えて、分離面位置の判別が困難となる程
度に汚染された場合に得られるものである。

そして、第３図中、Ｐ、△ｐ、Ｑ、△ｑは、それぞれ、
第４図中にて、同一の符号で示される変動幅（帯）に対
応するものである。

続いて、演算処理部２０における演算処理の動作を、第
５図のフローチャートをも参照しつつ説明すれば以下の
通りである。

演算処理に際しては、スタート（第５図ａ）した演算処
理部２０は、前述のように、輝度データ記憶部１７から
転送される一連の輝度データ、即ち、第３図における輝
度の軌跡を描（ように、各監視位置１．２、・・・・・
・・・・ｎ毎の輝度ｅｔ１）、Ｃ１２１、・・・・・・
・・・Ｃ（ｒｌｌを表わす輝度データを、一旦、内部の
メモリに格納しく第５図ｂ）、続いて、通常的なソーテ
ィングの手法に従って、上記一連の輝度データＣｍ　、
Ｃ１２＋　、・・・・・・・・・Ｃｆｎ１中の最大値（
最大輝度）ＭＸと最小値（最小輝度）ＭＮとを算出する
（第５図Ｃ）。

かかる演算処理（第５図Ｃ）は、第２図中の最大最小輝
度算出手段Ａを実現するものであり、第３図中、例えば
、曲線Ｘの最外側位置ＭＸ、ＭＮを特定する処理に相当
する。

続いて、該処理部２０は、マイクロプロセッサ２０Ａに
一体的に組み込まれたディジタルスイッチ等から成る輝
度帯設定手段Ｂにより設定されている高輝度帯Ｑの下限
輝度ｑ１が最大輝度Ｍ　Ｘよりも大であるか否かを判定
しく第５図ｄ）、更に、該輝度帯設定手段Ｂにより設定
されている低輝度帯Ｐの上限輝度ｐ１が最小輝度ＭＮよ
りも小であるか否かを判定する（第５図ｅ）。

そして、上記判定結果（第５図ｄ、ｅ）のいずれかがＹ
ＪコＳであるときは、汚染状態ＷＮ　Ｇを表示する（第
５図ｆ）。

かかる演算処理（第５図ｄ、ｅ）は、第２図中の汚染状
態判別手段Ｃを実現するものであり、該判定結果（第５
図ｄ、ｅ）のＹＥＳは、該判別手段Ｃからの汚染状態信
号ｗｎｇに相当する。

更に、後続の演算処理（第５図ｆ）は、汚染状態表示手
段りを実現するものであって、該表示手段りからの汚染
状態ＷＮＧの表示は、第３図中、例えば、曲線Ｕを判別
する処理に相当する。

上記判定結果（第５図ｄ、ｅ）が共にＮＯであるときは
、該処理部２０は、Ｇレジスタをクリアしく第５図ｇ）
、更に、ポインタとしてのｒレジスタに１をセットして
から（第５図ｈ）、ポインタにて指定された輝度データ
により表わされる輝度Ｃ（ｒｌが前記低輝度帯Ｐの上限
輝度ｐ１よりも大であるか否かを判定しく第５図ｉ）、
その判定結果がＹＥＳになるまでは、ｒレジスタの内容
に１を加算して（第５図ｊ）、ポインタを歩進させなが
ら、上記判定（第５図ｉ）を繰り返し実行し、その判定
結果がＹＥＳとなったときは、Ｇレジスタ（第５図ｇの
処理にて０が記憶されている）の内容に１を加算する（
第５図ｋ）。

上記ＹＥＳの判定結果（第５図ｉ）は、第３図中、例え
ば、曲線Ｘ、Ｙがそれぞれ低輝度帯Ｐの上限輝度ｐ１を
通過する点Ｑｐ　、　Ｑｐ　を特定する処理に相当する
。

続いて、該処理部２０は、上記判定結果（第５図ｉ）が
ＹＥＳとなった時点で、ポインタに也り指定されていた
輝度データが表わす輝度Ｃ（ｒｌが今度は、高輝度帯Ｑ
の下限輝度ｑ１よりも小であるか否かを判定しく第５図
１）′、その判定結果がＮＯとなるまでは、ポインタを
歩進させながら（第５図＋ｎ）、Ｇレジスタの内容に対
する１の加算（第５図ｋ）と上記判定（第５図１）を繰
り返し実行し、その判定結果がＮＯとなったときに、後
続の処理に移行する。

上記ＮＯの判定結果（第５図ｇ）は、第３図中、例えば
、曲線Ｘ、Ｙがそれぞれ高輝度帯Ｑの下限輝度ｑｌを通
過する点Ｇｑ　、Ｇ’ｑを特定する処理に相当する。

そして、上記一連の演算処理（第５図ｇ−／）は、第２
図中の輝度遷移距離算出手段Ｅを実現するものであり、
第３図中、例えば、曲線Ｘ、Ｙがそれぞれ点Ｇｐ　、Ｇ
’ｐを通過して点Ｇｑ、Ｇ’ｑ’に至るまでの該曲線に
沿う距離を同図の縦軸、即ち、監視位置に沿う方向に投
影して得られる距離Ｇ、Ｇ’を算出する処理に相当する
。

上記判定結果（第５図１りがＮＯになると、該処理部２
０は、最大輝度ＭＸから最小輝度ＭＮを減算して、その
差Ｗを汚染度合Ｗとして算出する（第５図ｎ）。

かかる演算処理（第５図ｎ）は、第２図中の汚染度合算
出手段Ｆを実現するものであり、該汚染度合Ｗは第３図
中、例えば、曲線Ｘの最外側聞の距離Ｗに対応する。そ
して、該算出手段Ｆからの汚染度合信号Ｗは該汚染度合
を表わす。

次いで、該処理部２０は、第５図１の判定結果がＮＯと
なった時点でのｒレジスタの内容から、同時点でのＧレ
ジスタの内容の４を減算して、その差りを分離面位置り
として算出する（第５図Ｏ）。

かかる演算処理（第５図ｄ）は、第２図中の分離面位置
算出手段Ｇを実現するものであり、該分離面位置りは第
３図中、例えば、曲線Ｘ、Ｙがそれぞれ点Ｇ［）、Ｇ’
［）から点Ｇｑ、Ｇｑに延びて形成する線分の中間点Ｑ
＋ｎに対応する監視位置に沿う位置を意味する。そして
、該算出手段Ｇからの分離面位置信号ｌは該分離面位置
りを表わす。

続いて、該処理部２０は、上記ｑレジスタの内容と第５
図ｎの処理にて算出済みの汚染度合Ｗとの積を高輝度帯
Ｑの下限輝度ｑ１と低輝度帯Ｐの上限輝度［）１との差
で割って得られる商を分離度合Ｚとして算出する（第５
図ｐ）。

かかる演算処理（第５図ｐ）は第２図中の分離度合算出
手段Ｈを実現するものであり、該分離度合２は第３図中
、例えば、曲線Ｘ、Ｙがそれぞれ点Ｇｐ　、　Ｇ’ｐか
らＧｑ　、　Ｇ’ｑに延びて形成する線分を外方に延長
した補助線が、左右両端において、最大輝度ＭＸと最小
輝度ＭＮの各各に到達する２点間の縦軸上の距離Ｚ、Ｚ
’に対応する。そして、該算出手段Ｈからの分離度合信
号２は該分離度合を表わす。

続いて、演算処理部２０は、前述の輝度帯設定手段Ｂと
同様の基礎変動帯設定手段Ｂ′により設定された低輝度
基礎変動帯△ｐの上限輝度ｐ２、その下限輝Ｊ！１ｐｏ
（低輝度帯Ｐの下限輝度でもある）、及び同じ（該設定
手段Ｂ′により設定された高輝度基礎変動帯△ｑの下限
輝度ｑ２、その上限輝度ｑｏ（高輝度帯Ｑの上限輝度で
もある）に基づいて、先ず、最小輝度ＭＮが低輝度基礎
変動帯△ｐの上下限輝度ｐ２、Ｉ）ｏ間の値であるか否
かを判定しく第５図ｑ）、次いで、最大輝度ＭＸが高輝
度基礎変動帯△ｑの上下限輝度ｑＯ，Ｑ２間の値である
か否かを判定しく第５図ｒ）、上記二つの判定結果のい
ずれか一方がＮ　（Ｊであるときは、続いて、該処理部
２０は第５図０の処理にて算出済みの分離面位置しか、
前述の輝度帯設定手段Ｂと同様の分離面範囲設定手段Ｂ
″により設定された上下限分離面位置ｓ２．５１間の値
であるか否かを判定しく第５図ｓ）、その判定結果がＹ
ＥＳであるときは、汚染状態Ｗ、分離面位置Ｌ、分離度
合２に加えて分離面位置正常状態Ｌ　Ｕ　Ｋを表示する
（第５図ｔ）。

更に、上記判定結果（第５図Ｓ）がＮ　（Ｊであるとき
は、上述、Ｗ、Ｌ％Ｚの表示に加えて、分離面位置異常
状態ＬＮＧを表示する（第５図Ｕ）。

かかる演算処理（第５図Ｓ、ｔ、ｕ）は、第３図中、例
えば、曲線Ｘ上の点Ｇ＋ｎが同図の縦軸上に表わされる
上下限分離面位置ｓ２．８１間の位置に対応するか否か
を判別する処理に相当する。

一方、前述の判定結果（第５図ｑ、ｒ）が共にＹＥＳで
あるときは、該処理部２０は、上述同様に、分離面位置
りが上下限分離面位置ｓ２．８１間の値であるか否か°
を判定しく第５図ｖ）、その判定結果がＹＩｐＳである
ときは、上述、Ｗ、Ｌ、Ｚの表示に加えて、分離面正常
状態ＬＵＫと、非汚染状態Ｗ　ＯＫを表示しく第５図Ｗ
）、上記判定結果（第５図Ｖ）がＮＯであるときは、上
述、Ｗ、Ｌ、Ｚの表示に加えて、分離面異常状態Ｌ　Ｎ
　Ｇと、非汚染状態ＷＯＫを表示する（第５図Ｘ）。

かかる演算処理（第５図Ｑ％　ｒ）は、第３図中、例え
ば、新規に投入された、非汚染状態のイオン交換樹脂に
関する曲線Ｘを識別する処理に相当し、両判定結果（第
５図ｑ、ｒ）が共にＹＥＳであれば、該曲線Ｘのように
、両性側の垂直線分が低輝度基礎変動帯△ｐ及び高輝度
基礎変動帯△ｑ内にそれぞれ納まっていることを意味す
る。そして、後続する一連の表示のための処理（第５図
ｔ’、ｕ、ｗ、ｘ）は、その一部分として、第２図中の
汚染度合表示手段ｌ、分離面位置表示手段Ｊ、及び、分
離度合表示手段Ｋをハードウェア構成としての表示器２
０１３上にそれぞれ実現するものである。

かかる表示のための処理（第５図ｔ、１１．ｗ、Ｘ）の
いずれかを実行した後、演算処理部２０は、停止して（
第５図ｙ）、次回の監視処理に際しての再度のスタート
まで待つ。

しかるところ、上記この発明の構成では、第３図におい
て、非汚染状態のイオン交換樹脂に関する曲線Ｘとある
程度汚染されたイオン交換樹脂に関する曲線Ｙとの対比
からも明らかなように、各曲線Ｘ、Ｙが低輝度帯Ｐの上
限輝度ｐ１に到達する点Ｇｐ、Ｇ’ｐ間の縦軸上の距離
、及び、各曲線Ｘ、Ｙが高輝度帯Ｑの下限輝度ｑ１に到
達する点Ｇｑ、Ｇ′ｑ　の縦軸上の距離が共に相当に大
きいことから、結局、両曲線Ｘ、Ｙに関する分離度合ｚ
、ｚ’に大幅な相違を生ずるものである。

つまり、より普遍的には、上記この発明の構成にて算出
される被監視体の分離度合Ｚは、被監視体の汚染度合に
よっても支配されるので、高低両輝度帯Ｑ、Ｉ）の幅が
大きい場合には、該分離度合Ｚが被監視体の分離状況の
正確な目安を与え得ないという問題があった。

そこで、この問題を解決すべく、輝度計測手段内にフィ
ルタを設けて、被監視体からの光線の波長を選択するこ
とにより、低輝度帯、Ｐを実質的に低輝度基礎変動帯△
ｐにまで圧縮するとともに、高輝度帯Ｑをも相当に狭隘
化するようにした第二の発明の実施例の構成及び動作を
、第６図、第７図をも参照しつつ説明すれば以下の通り
である。

第６図は、第１図中の輝度計測部９を抽出して示す側面
断面図であり、支持ブロック９ａ中の光フアイバ用貫通
孔９ｂには、光フアイバ９Ｃカ挿入され、該貫通孔９ｂ
の先端部には、該貫通孔と共通の中心軸を有する投光用
外筒９ｄが螺着され、該外筒９ｄの前面には、投光用レ
ンズ９ｅが装着される。そして、上記各要素９ｂ〜９ｅ
により、投光部９Ａが形成され、る。

一方、支持ブロック９ａ中の尋線用貫辿孔９ｆの先端部
に連成された大径の外筒保持孔９ｇには、受光用外筒９
ｈが螺着され、該外筒９ｈの前面には、受光用レンズ９
１が装着され、該外筒９１１の後端側には、光電変換素
子９ｊが固定され、該変換素子からは、信号線としての
一対の導線９ｋが該貫通孔９ｆを通じて輝度符号生成部
１４に延びる。

そして、上記各要素９ｆ〜９ｋにより、受光部９Ｂが形
成される。

更に、上記受光部９Ｂを形成する受光用外筒９ｈ中の、
受光用レンズ９１と光電変換素子９」間の空間内には、
フィルタ９Ｃが付設される。

なお、９１は輝度計測８９を監視窓３に沿って昇降させ
る際の、案内柱である。　・上記構成において、図示されていない光源から光ファイ
バ９Ｃを通じて投光用外筒９ｄに等かれた光線は、投光
用レンズ９ｅを透過する際に、ビームに集光されて、前
方に配置された監視窓３を透過して被監視体２を照射し
、一方、該被監視体から散乱する反射光線の一部は、受
光用レンス９１に辺して、これを透過する際に、再びビ
ームに集光されて、フィルタ９Ｃを通過し、後方の光電
変摸索子９Ｊに達する。

而して、かかる輝度計測部９が、監視窓３に沿って上下
動し、該監視窓上の複数の監視位置のうちのいずれかの
位置にて、被監視体２、典型的には、イオン交換樹脂を
照射すれば、その監視位置での被監視体２の色特有の分
光反則率によって、波長ごとにその量が支配暴れる反射
光線が、特定の波長の光線を選択的に通過させるフィル
タ９Ｃを通過する際に、該反射光線の波長の変化、即ち
、被監視体２の色の変化が反射光線の量の変化に変換さ
れて、これが、後方の光電変換索子９ｊに到達する。そ
して、該反射光線は、該変換素子９」にて、監視体２の
輝度に対応する電気信号に変換され、該信号は、信号線
９ｋを通じて、輝度信号Ｓ１として、第１図中の輝度符
号生成部１４に供給されるものである。

しかるところ、上述のフィルタ９Ｃによる波長の選択は
、同時に、前掲第４図に示される輝度特性のグラフにお
いて、横軸上の波長の選択をも意味するので、被監視体
に固有め輝度特性に応じて、該フィルタ９Ｃによる通過
波長を適切に選択すれば、前述の高輝度帯、低輝度帯の
幅が種々に変化するものである。

例えば、第４図の輝度特性曲線Ａ、Ａ’、Ｂ、同図中に
示されるように、高輝度帯Ｑ、高輝度基礎変動帯△ｑに
比べて、それぞれ、相当に狭隘化された茜輝度帯Ｑ′、
高輝度基礎変動帯△ｑ、及び、低輝度帯Ｐに比べて極度
に狭隘化され、実質的゛に、低輝度基礎変動帯△ｐ′に
等しい低輝皮帯Ｐ′を得る。

かかる狭隘化された高低両輝度帯Ｑ、Ｐ’を有するイオ
ン交換樹脂の分離操作に際しての、監視位置に沿う輝度
の軌跡を第３図に対応させて描（と、第１図のようにな
る。

そして、第７図に例示される輝度の軌跡を表わす一連の
輝度データを輝度データ記憶部１７に記・臆する動作、
及び、該データ記憶部１７から転送される一連の輝度デ
ータに基づいて、汚染状態ＷＮＧ、汚染度合Ｗ、分離面
位置Ｌ、分離度合Ｚを算出し、表示するための演算処理
部２０の動作、即ち、第２図のフローチャートに従う演
算処理に関しては、第二の発明の構成においても全（同
様であるが、第二の発明の構成では、輝度帯設定手段Ｂ
により、高輝度帯Ｑ′が設定され。

更に、基＆変動帯設定手段１３′により、高輝度基礎変
動帯△ｑ′と、低輝度帯Ｐ′としての低輝度基礎変動帯
△ｐ′とが設定されることとなる。

かくして、第３図中の曲線Ｘ、Ｙに関する演算処理と全
く同様の演算処理を第７図の曲線Ｘ′、度遷移距離Ｇ、
分離度合Ｚが算出され、曲線Ｙ′に関しては、輝度遷移
距離Ｇ′、分離度合Ｚ′が算出されるものであるところ
、第１図中の曲線Ｘ′、Ｙ′の場合には、第３図中の曲
線Ｘ、Ｙの場合と相違して、各曲線Ｘ′、Ｙ′の左側垂
直線分が狭隘な低輝度基礎変動帯相当の低輝度帯Ｐ′内
に納まヮていて、汚染に起因する該垂直線分の移動が全
くないことから、該曲線Ｘ′、Ｙ′が低輝度帯Ｐ′の上
限輝度Ｐ′ｌに到達する点Ｇ″ｐは、実質的に一点に集
約し、更には、高輝度帯Ｑ′が狭隘化していて、汚染に
起因する該曲線Ｘ′、Ｙ′の右側垂直線分の移動が少な
いことから、該曲線Ｘ′、Ｙ′の各々が高輝度帯Ｑの下
限輝度Ｑ’ｌに到透す不点Ｇｑ、Ｇｑ　間の縦軸上の距
離も相当に短くなる。

したがって、第７図に示されるように、高低両輝度？ｆ
ｆＱ’　、　Ｐ’が狭隘化している場合には、上記曲線
Ｘ′に関して算出される輝度遷移距１４１１　Ｇ、分離
度合Ｚが、上記曲線Ｙに関して算出される輝度遷移距離
Ｇ′、分離度合Ｚ′に対して、それぞれ、接近した値を
とることとなり、第３図に示されるように、高低両輝度
帯Ｑ、ｉ）が広い場合に比べると、輝度遷移距離、ひい
ては、分離度合への被監視体の汚染による影響が減退す
るものである。

付言するならば、第７図中の曲線Ｖは、予めタイマ１９
にて設定された分能操作期間△Ｔの経過にも係わらず、
何らかの原因により１、分離操作の進行が妨げられた場
合のものであって、分離度合Ｚが非常に大きな値を示す
ことから、被監視体の分離が不完全であることを検知す
ることができる。

なお、上記第二の発明の実施例の構成では、フィルタ９
Ｃが受光部９Ｂの受光用外筒９ｈ内に付設されているが
、該フィルタ９Ｃは、投光部９Ａから投光されて、被監
視体２にて反射して、受光部９Ｂの光電変換素子９Ｊに
等かれる光線の波長を選択すれば足りるので、該フィル
タ９Ｃを投光部９Ａの投光用外筒９ｄ内に付設してもよ
い。

以上のように、この発明によれば、予め想定された分離
操作期間△Ｔ経過後に、被監視体の分離面位置りを算出
するに際して、複数の監視位置に沿う、被監視体の輝度
の軌跡が、被監視体の汚染に起因して変動する範囲を想
定して予め設定された高・低両輝度帯Ｑ、Ｐ内に納まっ
ているか否かに基づいて、汚染状態ＷＮＧを算出して、
これを表示し、更に、上記輝度の軌跡中の最大輝度ＭＸ
と最小輝度ＭＮとに基づいて、汚染度合Ｗを算出して、
これを表示するようにしたことにより、被監視体の汚染
が進行し、ついに、正確な分離面位置りの算出が困難と
なる程度の汚染状態に至ったことが表示可能となるので
、不正確な分離面位置りの表示に基づく、運転作業の混
乱を有効に防止できるという優れた効果がある。

更に、こ”の発明に奉迎する第二の発明によれば、複数
の監視位置に沿って上下動し、該監視位置に沿う、被監
視体の輝度の軌跡を表イ〕す一連の輝度データを収集記
憶すべく、各監視位置にて、被監視体の輝度を計測する
輝度計測手段中にフィルタを付設して、被監視体の汚染
による該被監視体への影響が最小となる波長の光線にて
、輝度の計測を行うようにした上で、被監視体の輝度の
軌跡が、前記低輝度帯Ｐの上限輝度ｐ１に到達する点Ｇ
ｐと、該軌跡が前記高輝度帯Ｑの下限輝度ｑ１に到達す
る点Ｇｑとの間の監視位置に沿う距離である輝度遷移距
離Ｇと、前述の汚染度合Ｗとに基づいて、分離の進行状
況の目安（分離が進行するにつれて小さな値となる）を
与える分離度合Ｚを算出して、これを表示するようにし
たことにより、前記高・低両輝度帯Ｑ、Ｐが狭隘化する
ことから、上記分離度合Ｚへの被監視体の汚染による影
響が格段に減退し、もって、この発明の効果に加えて、
被監視体がある程度汚染されていても、正確な分離度合
Ｚを表示することができるという優れた効果がある。

【図面の簡単な説明】

第１１図〜第５図は、この発明の実施例に関するもので
あり、第１図は、そのハードウェア上の構成を示すブロ
ック図、第２図は、その偽能ブロック図（クレーム対応
図）、第３図は、監視位置に沿う被監視体の輝度の軌跡
を示すグラフ９．第４図は、波長の変化に対する被監視
体の輝度特性を例示するグラフ、第５図は、第１図中の
演算処理部２０にて実行されるプログラムのフローチャ
ートである。第６図、第１図は、この発明に奉迎する第二の発明の実
施例に関するものであり、第６図は、第１図中の輝度計
測部９を抽出して示す側面断面図、第７図は、監視位置
に沿う被監視体の輝度の軌跡を示すグラフである。１・・・・・・処理塔　２・・・・・・被監視体３・・
・・・・監視窓　９・・・・・・輝度計測部１０・・・
・・・位置検出部　１１・・・・・・位置目盛板１４・
・・・・・輝度符号生成部１５・・・・・・位置符号生成部１６・・・・・・符号組立部１７・・・・・・輝度データ記憶部１８・・・・・・制御部　１９・・・・・・タイマ２０
・・・・・・演算処理部２０Ａ・・・・・・マイクロプロセッサ２０Ｂ・・・・
・・表示器２２・・・・・・走査制御部Ａ・・・・・・最大最小輝度算出手段Ｂ・・・・・・輝度帯設定手段Ｃ・・・・・・汚染状態判別手段Ｄ・・・・・・汚染状態表示手段Ｅ・・・・・・輝度這移距離算出手段Ｆ・・・・・・汚染度合算出手段Ｇ・・・・・・分能面位置算出手段Ｈ・・・・・・分離度合算出手段 ■・・・・・・汚染度合表示手段Ｊ・・・・・・分離面位置表示手段 ■（・・・・・・分離度合表示手段

Claims

【特許請求の範囲】（旬　処理塔１側壁に縦方向に延在する監視窓３と、監
視窓３に沿って上下動し、監視窓３の縦方向に特定の間
隔を置いて定められた複数の監視位置における異る分光
特性（輝度）を有する複数種類の被監視体２の輝度を表
わす輝度信号Ｓ、を出力する輝度計測手段９と、輝度計
測手段９の監視窓上の監視位置を検出し、該位置を表わ
す位置信号Ｓ２を出力する位置検出手段１０と、輝度信
号Ｓ１と位置信号Ｓ２に基づく一連の輝度データを読み
出し可能に記憶する輝度データ記憶手段１７とを備えた
処理塔内監視装置において、輝度データ記憶手段１Ｔか
ら読み出される一連の輝度データに基づいて、被監視体
２の汚染が特定の限度に到達したことを表わす汚染状態
ＷＮＧと、被監視体２の汚染度合Ｗと、被監視体２の分
１’ｉｌｌ：面位置りとを表示する演算処理手段２０を
付設して成り、上記演算処理手段２０は、高輝度の被監
視体２の輝度が占める高輝度帯Ｐと低輝度の被監視体２
の輝度が占める低輝度帯Ｑとを設定する輝度計測手段Ｂ
と、一連の輝度データにより表わされる輝度のうち、最
大輝度Ｍ　Ｘと最小輝度ＭＮを算出する最大最小輝度算
出手段Ａと、最大輝度ＭＸが予め設定された高輝度帯Ｑ
の下限輝度ｑ１以下であること、あるいは、最小輝度Ｍ
Ｎが予め設定された低輝度帯Ｐの上限輝度０１以上であ
ることを判別して、汚染状態信号Ｗｌ１ｇを出力する汚
染状態判別手段Ｃと、汚染状態信号ｗｎｇに応答して、
汚染状態ＷＮＧを表示する汚染状態表示手段りと、最大
輝度ＭＸと最小輝度ＭＮとの差を算出して、その算出結
果を汚染度合信号Ｗとして出力する汚染度合算出手段Ｆ
と、汚染度合信号Ｗに応答して、汚染度合Ｗを表示する
汚染度合表示手段Ｉと、一連の輝度データにより表わさ
れる複数の監視位置に沿う彼監視体２の輝度変化の軌跡
上、前記低輝度帯Ｐの上限輝度ｐ１と前記高輝度帯Ｑの
下限輝度ｑ１との間の距離に対応する該複数の監視位置
に沿う距離を輝度遷移距ｉ４Ｉ　Ｇとして算出する輝度
遷移距離算出手段Ｅと、輝度遷移距離Ｇの中間点に対応
する上記複数の監視位置に沿う位置を算出して、その算
出結果を分離面位置信号ｌとして出力する分離面位置算
出手段Ｇと、分離面位置信号ｌに応答して分離面位置り
を表示する分離面位置表示手段Ｊとを含むことを特徴ど
す゛る処理塔内監視装置。（２）処理塔１側壁に縦方向に延在する監視窓３と、監
視窓３に沿って上下動し、監視窓３の縦方向に特定の間
隔を置いて定められた１Ｍｗの監視位置における異る分
光特性（輝度）を有する複数種類の被監視体２の輝度を
表わす輝度信号Ｓ１を出力するｊ４度計測手段９と、輝
度計測手段９の監視窓上の監視位置を俣出し、該位置を
表わす位置信号Ｓ２を出力する位置検出手段１０と、輝
度信号Ｓ、と位置信号Ｓ２に基づく一連の輝度データを
読み出し可能に記憶する輝度データ記臆手段１１とを備
えた処理塔内監視装置において、輝度データ記憶手段Ｉ
Ｔから読み出される一連の輝度データに基づいて、被監
視体２の汚染が特定の限度１と到達したことを表わす汚
染状態ＷＮ、Ｇと、被監視体２の汚染度合Ｗと、被監視
体２の分離面位置りと、被監視体２の分離の°進捗程度
を表わす分離度合Ｚとを表示する演算処理手段２ｏを付
設して成り、上記演算処理手段２ｏは、高輝度の被監視
体２の輝度が占める高輝度帯Ｐと低輝度の被監視体２の
輝度が占める低輝度帯Ｑとを設定する輝度計測手段Ｂと
、一連の輝度データにより表わされる輝度のうち、最大
輝度ＭＸと最小輝度ＭＮを算出する最大最小輝度算出手
段Ａと、最大輝度ＭＸが予め設定された高輝度帯Ｑの下
限輝度ｑ１以下であること、あるいは、最小輝ＫＭＮが
予め設定された低輝度帯Ｐの上限輝度１）を以上である
ことを判別して、汚染状態信号ｗｎｇを出力する汚染状
態判別手段Ｃと、汚染状態信号ｗｎｇに応答して、汚染
状態Ｗ　Ｎ　Ｃｉを表示する汚染状態表示手段りと、最
大ノ渾度ＭＸと最小輝度ＭＮとの差を算出して、その算
出結果を汚染度合信号Ｗとして出力する汚染度合算出手
段Ｆと、汚染度合信号Ｗに応答して、汚染度合Ｗを表示
する汚染状態表示手段工と、一連の輝度データにより表
わされる複数の監視位置に沿う被監視体２の輝度変化の
軌跡上、前、記低輝度帯Ｐりの上限輝度ｐｌと前記高輝
度帯Ｑの下限輝度ｑｌとの間の距離に対応する該複数の
監視位置に沿う距離を輝度遷移距１’ｌｌＩ　Ｑとして
算出する輝度遷移距離算出手段Ｅと、輝度遷移距離Ｇの
中間点に対応する上記複数の監視位置に沿う位置を算出
して、その算出結果を分離面位置信号ｌとして出力する
分離面位置算出手段Ｇと、分離面位置信号ｌに応答して
分離面位置りを表示する分離面位置表示手段Ｊと、前記
輝度遷移距離Ｇと前記汚染度合Ｗとの積を前記高輝度帯
Ｑの下限輝度ｑ１と前記低輝度帯Ｐの上限輝度ｐ１との
差で割って得られる商を算出して、その算出結果を分離
度合信号２として出力する分離度合算出手段１１と、分
離度合信号２に応答して分１１１ｊ度合Ｚを表示する分
離度合表示手段Ｉ〈とを含み、更に、前記輝度計測手段
９は、前記監視窓３を通じて被監視体２に対して光源か
らの光線を投光する投光手段９Ａと、投光された被監視
体２から反射した光線を受光して該光線の受光量に対応
する電気信号を輝度信号Ｓｌとして出力する受光手段９
Ｂと、該投光手段９Ａから投光され、該受光手段９Ｂに
て受光される光線のうち、被監視体２の汚染による受光
量への影響が最小となるｌ成長の光線を選択的に通過さ
せるフィルタ手段９Ｃとを含むことを特徴とする処理塔
内監視装置νｉ。