JPS6025481B2 - 金属粉末を製造する方法及びその装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は高速度にて冷却される金属粉末を形成すること
に係る。

金属粉末或は粒子物質は従来より当技術分野に於て製造
されており、種々の装置及び方法を開示している代表的
な特許は、米国特許第１３５１８６５号、第２３０４１
３ぴ号、第２３１０５９び号、第２６３０６２３号、第
２９５６３０４号、第３５１０５４６号、第３６４６１
７７号、第３６９５７９５号、第３７７１９２叫号など
である。

本発明によれば、制御された高速度にて冷却される多量
の金属粉末を製造する装置が開示される。本発明の一つ
の目的は溶融金属が回転ディスク上に注湯され且つ複数
個のノズルより下方に向けられる冷却流体の環状幕流内
に飛ばされる装置を提供することであり、前記溶融金属
は水平面内にて外方にディスクより下方に向けられた冷
却流体内に飛ばされる。

本発明の他の一つの目的は、複数個のガス噴射が回転デ
ィスクの周りに隔直された半径方向位置に配層され、前
記各ガス噴射が前記ディスクの周りに延びて実質的に環
状の噴射を与える冷却ガス噴射装置を提供することであ
る。

本発明の更に他の一つの目的は、複数個の冷却流体噴射
流域内に発射された溶融金属の粒子の冷却速度を制御す
べく、各複数個のノズルより冷却流体の異なった質量流
を与えることである。

本発明の更の他に一つの目的は〜冷却流と共に、粉末寸
法及び冷却速度を制御するディスクの回転速度を制御す
ることである。本発明の更に他の一つの目的は、粒子の
冷却速度を決定するすべてのパラメータが制御されるよ
うにすることである。

本発明の更に他の一つの目的は、できるだけ少ない量の
冷却ガスを使用して冷却ガスと粒子との間に実際的な最
大温度差△Ｔを蓬成すべく、半径方向に配置された冷却
ガス噴射の半径方向の質量流量率の断面分布が、冷却ガ
ス噴射内に外方に発射された粒子により与えられた熱流
量率とほぼ調和されている方法を提供することである。

この方法は５０ミクロンの粒子の冷却速度を１び℃′ｓ
ｅｃ及びこれ以上の範囲に得る為に使用され得る。以下
に添付の図を参照しつつ本発明をその好ましい実施例に
ついて詳細に説明する。第１図に示された装置はノズル
プレート装置１０により分離された上部室３と下部室５
とを有する筒状ハウジング１よりなっている。

ノズルプレート装置１０は周りに装着された予熱炉１６
を有するタンディッシュ１４を支持する為の中央関孔１
２を有している。絶縁装置が予熱炉１６とノズルプレー
ト装置１０との間に配置されている。子熱炉１６はハウ
ジング１の外部に装着された制御装置を有する多くの型
の炉であって良い。筒状ハウジング１は上部及び下部筒
状セクションを有しており、上部室３の周りの上方セク
ションの下縁部はノズルプレート装置１０の上部に固定
されており、一方下部室５の周りの下方セクションの上
緑部はノズルプレート装置の底部に固定されている。カ
バー７が取外し可能な筒状ハウジング１の上方セクショ
ンの上縁部に固定されており、漏斗型部材９が以下に述
べる目的で筒状ハウシング１の下方セクションの下緑部
に接続されている。タンディツシュ１４はノズル或は絞
り関孔１８を有しており、この関孔１８は常に上部室３
と下部室５との間に通路を形成しているが、以下に説明
する如く、運転中には液体金属にて充填されており、こ
れにより二つの室３及び５を完全に隔絶するようになっ
ている。関連する誘導炉を有するるつぼ２０が支持フレ
ーム装置２２内に装着されている。

この支持フレーム装置２２は第１図に示された位置と、
るつぼ２０内の溶融金属が洋湯口２４からタンディッシ
ュ１４内に注湯し得る位置との間に移動され得る。溶融
金属が不必要にこばれるのを阻止すべく、二重の筒耳ピ
ン装置２６が注湯される溶融金属をできる限り夕ンデイ
ツシュ１４の中心に近く維持するとようになっている。
支持フレーム装置２２が第１図に示された位置より注湯
位置まで鏡斜されるときには、煩斜軸線がるつぼ２０の
煩斜の或る点に於て一方の筒耳から他方の筒耳へ変化し
、このことにより洋湯□２４の枢動が変化されることが
理解されよう。かかる型の装置は当技術分野に於て良く
知られている。支持フレーム装置２２は所要の任意の周
知の装置により回動されて良い。ドラム及びケーブル組
立体が本件と同時に出願された米国特許出願第６５３６
９３号に開示されている。回転ディスク或は微粒化ロー
タ３０がタンデイッシュ１４の下方に下部室５内に回転
可能に装着されており、この回転ディスクの中○‘まノ
ズル１８の下に配置されている。

回転ディスク或は微粒化ロータ３０は空気タービン装置
３２により回転され、このタービン装置３２は複数個の
支持支柱３６により下部室５内に固定的に配置された垂
直筒状台座３４に固定されている。

この回転ディスク或は微粒化ロータ３０はその中に冷却
通路を有するよう形成されており、冷却水が入口パイプ
３８と出口パイプ４０とによりこの中を通される。空気
タービン装置３２を駆動する為の空気は導管４２を通っ
てこれに導入され、導管４４より排出される。回転ディ
スク或は微粒化ロータ３川ま溶融金属を受けるような形
状とされた表面を有しており、又所要の粒子寸法分布に
対応する回転速度にて回転される。ここでは空気タービ
ン装置について述べたが、任意の周知の駆動装置が使用
されて良い。タンディッシュ１４及び子熱法戸１６を支
持しているノズルプレート装置１川ま無孔の上面により
上部室３と下部室５とを分離しており、一方その下面は
複数個のノズル装置５０，６０及び７０を有するよう形
成されており、これらのノズル装置はノズルプレート装
置１０より下方に向けて延びており、又ノズル１８或は
回転ディスク或は微粒化ロータ３０の中心より異なった
半径位置に配置されたそれぞれの領域の冷却ガス噴射を
与える。

ここでは三つのノズル装置が図示されているが、筒状ハ
ウジング１の与えられた半径に応じてより多様性のある
制御をすべくこれ以上の数のノズル装置が使用されて良
い。回転ディスク或は微粒化ロータ３０‘こより形成さ
れた金属粒子は微粒化ロー夕３０のリムより半径方向外
方に解放され、ノズルプレート装置１０のノズル５０，
６０及び７０より下方に延在している冷却ガス噴射の環
状領域内に外方向に飛び出す。かかる粒子はノズルプレ
ート装置１０内の冷却ガス噴射により偏向され、冷却ガ
スにより漏斗型部材９内に運搬される。漏斗型部村９は
中央排出導管４６に接続されており、この導管４６は接
続パイプ８２により第一の粒子寸法選別分離機８０に接
続されている。この分離機８０１ま与えられた寸法より
も大きい粒子を除去し、他のすべての粒子を接続パイプ
８４を通って第二の粒子寸法選別分離機８６内に通過さ
せ、この第二の分離機８６が残存する粒子すべてを冷却
ガス流より効果的に除去する。分離機８川まこれにより
除去された粒子を開閉弁９川こよりシールされ得る粉末
コンテナ８８内に落下せしめるが、開閉弁９０とコンテ
ナ８８とは粉末を輸送する目的でこの装置より取外され
る。

同様の要領により、分離機８６はこれより除去された粒
子を開閉弁９４によりシールされ得る粉末コンテナ９２
内に落下せしめるが、開閉弁９４とコンテナ９２とは粉
末を輸送する目的でこの装置より取外される。他の粉末
コンテナ及び弁がこの装置の次の運転の為に接続され得
る。分離機８０１こより除去されコンテナ８８内に落下
せしめられた大きい寸法の粉末粒子は、定常運転状態の
もとでは分離機８６により除去された粒子よりも緩やか
に冷め、個々の粒子の冷却速度は粒子寸法のみの関数で
ある。粒子寸法選別分離機の数は二つに限定される必要
はなく、所要の数の粒子寸法範囲則ち多数の冷却速度範
囲が於る粒子を分離すべく他の数の分離機が使用されて
良い。熱交換器９８が高温粒子によりガスに伝達された
熱ェネルギを冷却ガス流より除去し、これにより冷却ガ
ス圧縮器循環ポンプ１００１こ至る入口温度は通常の作
動状態のもとでは３０〜４０午○である。

循環ポンプ１００が冷却ガス圧力をその所要の作動圧力
にまで上昇し、この圧縮されたガスは供給マニホルド１
０２へ供給される。その後三つのノズル装置５０，６０
及び７０へ計量供孫貧されるがこれについては以下に説
明する。ノズルプレート装置１川こ冷却ガスを導入する
前に更に冷却ガス温度を低減すべく、追加の熱交換器が
このライン内に圧縮器循環ポンプ１００と供給マニホル
ド１０２との間に挿入されて良い。ノズルプレート装置
１０‘ま第１図に於ては解図的に示されているが、かか
る構造の一つの装置が第２図に図示されている。

第１図同様第２図は三つの環状マニホルド５２，６２及
び７２を含んでおり、組立体全体はろう付け接合されて
いる。環状ノズル関孔５３がノズル装置５川こ設けられ
ており、環状開孔６３がノズル装置６０に設けられてお
り、複数個の開孔７３が筒状ハウジングーのより大きな
半径距離の位置に設けられており、これらの開孔はノズ
ル装置７０の下面を形成しているプレート７４の環状面
全体に隔層されている。各環状マニホルド５２，６２及
び７２は導管装置により供給マニホルド１０２へ接続さ
れている。内側環状マニホルド５２は導管５５により供
給マニホルド１０２へ接続されている。外側環状マニホ
ルド７２は導管７５により供給マニホルド１０２へ綾線
されている。中間環状マニホルド６２は導管６５により
供給マニホルド１０２へ接続されている。ノズルプレー
ト装置１０のそれぞれの環状マニホルド５２，６２及び
７２を通る冷却ガスの流量を制御する為に、多数の流れ
制御弁が使用されており、導管５５，６５及び７５のそ
れぞれの中に一つずつ供孫合マニホルド１０２と環状マ
ニホルド５２，６２，７２との間に配置されている。
，ノズル装置５０，６０，７０へ接続された環状
マニホルド５２，６２，７２を通る冷却ガスの流量を制
御すべ〈、流れ制御弁３１がとれぞれ導管５５，６５，
７５の中に配置されている。

流れ制御弁３１は所要の任意の周知の装置により制御さ
れて良い。上流温度ゲージ３３及び上流圧力ゲージ３５
が下流圧力ゲージ３７と共に各流れ制御弁３１を通る流
れをモニターすべ〈使用されており、これらの弁は先に
フローベンチ上にて鮫正されている。かかる流れ制御に
よりオペレー外ま異なった半径位置にある各ノズル装置
５０，６０，７０を通る所要の流れを達成することがで
きる。供給源１１０からの冷却ガスは導管１１１及び弁
装置１１２により下部室５へ接続供給される。排気装置
が導管１１３と弁装置１１４とを有する下部室５へ接続
されている。上部室３を不活性気体（ヘリウム或はアル
ゴンなど）或は冷却ガス以外の他の望ましいガスにて充
満するのが望ましい場合には、第二のガス供給源１１６
が導管１１６及び弁装置１１７により上部室３へ接続さ
れる。導管１１６は導管１１９により下部室５へ接続さ
れている制御調整器１１８を含んでいる。ガス供給源１
１５からのガスが使用されるときには、制御調整器１１
８は下部室５内の圧力を検知し、所要のレベルに於て上
部室３と下部室５との間に△Ｐを雛持すべ〈上部室３に
ガスを導入したり或はこれよりガスを排出する。上部室
３と下部室５内の圧力をモニタ−すべ〈それぞれ圧力ゲ
ージ１２０，１２１が設けられている。真空化装置がそ
の中に開閉弁１３１を有する導管１３０１こより上部室
３に接続されている。

導管１３０は弁１３１と上部室３との間に於て導管１３
２により下部室５へ接続されている。上部室３を下部室
５より隔絶すべく開閉弁１３３が導管１３２内に配置さ
れている。室内の真空圧力を決定すべく真空ゲージ１３
４が上部室３へ接続されている。この装置の代表的な作
動サイクルは以下の作動よりなっている。

即ちカバー７がるつぼ２０に充填し得るよう除去される
が、取外し可能なタンデイツシユが用いられる場合には
、適当な大きさとされたタンディツシュ１４とノズル１
８が挿入される。カバー７が元に戻された後弁装置１１
２，１１７，１１４が遮断され、弁１３３及び弁１３１
をこの順序にて開く前に真空化装置が始動される。次い
でそれぞれ弁９０，９４を開くことにより粉末コンテナ
８８，９２を含むこの装置全体の内部が真空にされる。
１×１０‐３豚Ｈｇ以下の圧力が上部室３内に到達され
ると弁１３１が遮断され、室に漏洩或は異常なガスの漏
出が発生しているかどうかを決定すべくこのシステム内
の圧力上昇が真空ゲージ１３２によりチェックされる。

次いで弁１３１は再び開かれ、電力が子熱炉１６及びる
つぼ２０に関連する誘導炉に供給される。この二つの炉
が所要の温度にされると、るつぼ２０はその中の溶融金
属をタンディッシュ１４に注傷する用意ができている。
この点では、‘１｝上部室３及び下部室５及び接続され
た構成要素が同一の冷却ガスに充満されるモードと、‘
２）上部室３が不活性気体或は他の好ましいガスにて充
満され、一方下部室５及び接続された構成要素がこれと
は異なった冷却ガスにて充満されるモードとの二つの可
能な作動モードがある。第一の作動モードに於ては、弁
１３１が遮断され且つ弁１１７が開かれ、所要のガスが
ガス供給源１１５より開いた弁１３３を経て上部室３及
び下部室５及び接続された構成要素内に導入される。

かかる充填は僅かな正の圧力（約ｌｐｓｌ〔０．０７０
３ｋ９／仇〕）がこのシステム内に存在するまで継続さ
れるが、このことは圧力ゲージ１２１によりモニターさ
れて良い。第二の作動モードに於ては、弁１３１及び１
３３が遮断され且つ弁１１７が開かれ、これを通る流れ
が制御調整器１１８により制御されるが、制御信号は下
部室５内の圧力である。

次いで弁１１２が開かれて所要の冷却ガスが下部室５に
導入される。上部室３及び下部室５内の圧力が圧力ゲー
ジ１２０及び１２１により示される所要のレベルに到達
すると、弁１１２が閉ざされ再循環圧縮器１００が始動
される。このことにより下部室５内に圧力変化を生じる
が、上部室３内にある圧力変化を生ぜしめるべく前記圧
力変化は制御調整器１１８へ信号供給され、これにより
上部室３と下部室５との間に所要の△Ｐを維持するよう
になっている。この装置の作動中には、この閉鎖システ
ムに於て必要とされる適当な量の冷却流体が弁１１２，
１１４を適宜に使用することにより維持されて良い。環
状マニホルド５２，６２，７２とノズル装置５０，６０
，７０のノズル関孔とを通る流れが所要の状態であるの
を保証すべ〈、温度ゲージ３３及び圧力ゲージ３５，３
７がチェックされる。

流れ制御弁３１が必要に応じて再調整されて所要の流れ
状態が達成される。回転ディスク或は微粒化ロータが所
要の寸法の粒子が得られる所要の回転数にまで上昇され
る。冷却水が入口パイプ３８を経て微粒化ロータ３０内
の冷却通路に供給され、出口パイプ４０より排水される
。支持フレーム装置２２が傾斜され液体金属がるつぼ２
０より予熱されたタンディッシュ１４内に注湯され且つ
オペレータにより該タンディッシュ内に於て所要のレベ
ルに維持される。

タンディッシュ１４、ノズルの領域或は絞り開孔１８内
の液体金属の圧力水頭及び上部室３と下部室５との間の
差圧が、ノズル１８を通る液体金属の所要の流量を得る
べく変化されて良い。この液体金属はタンデイッシュノ
ズル１８を通り回転ディスク或は微粒化ロー夕３０上に
流れる。液体金属が流れる表面はこの液体金属に運動ェ
ネルギを与える。この金属は極限状態に於て、回転ディ
スク或は微粒化ロータ３０の回転数と、ノズル１８を通
る液体金属の流量とこの液体金属の流体的特性とに応じ
て溶滴状、帯状或はシート状にてロータの縁部より飛び
出される。外方に飛び出される液体金属の幾何学的形状
に拘らず、この液体金属は究極的には内力、粘性力及び
表面力の共働作用により球状の溶滴とされ、この溶滴は
ノズルプレート装置１０より下方に向けられた環状の幕
状の冷却流体に接触することにより強制対流的に冷却さ
れる。前述の如く粉末粒子は冷却ガス流の作用により下
部室５より運搬され、粒子寸法に応じてコンテナ８８，
９２内に収容される。るつば２０が空であるときには、
このるつぼ２０は垂直位置まで戻され、空気タービン装
置３２は環状パイプ３８を通る冷却水の流れ同様その作
動を停止される。

炉は再循環圧縮器１００と共に切られる。もし異なった
ガスが上部室３と下部室５に於て使用されているならば
弁９０，９４が閉ざされ弁１３３が開かれるが、そうで
ない場合は弁１３３は既に開いており、このシステムの
圧力が大気圧にまで降下し得るよう排気弁１１４が開か
れる。粉末製品はコンテナ８８，９２内に収納されてお
り、このことによりコンテナ及び弁組立体が完全な不活
性状態のもとでこの装置より取外され又移動され得る。
装置内の各ノズル装置５０，６０，７０から噴出するよ
う多くの予め定めらたガス流が予め設定され得るが、供
給マニホルド１０２からの全質量流は２１ｂ′ｓｅｃ（
０．９０７ｋ９／ｓｅｃ）に設定され、各ノズル装置５
０，６０，７０からの質量流はガスの質量流量率の断面
分布が粒子によりこのガス流に与えられる熱流量率の半
径方向断面分布に調和されるよう分割された。

このガス流量率の断面分布は段階化されているが、この
流量率の断面分布は全ての半径位置に於て粒子とガスと
の実際的な最大温度差△Ｔを維持しており、又冷却ガス
流の最も効率的な使用法である。更にこの装置に於ては
、溶融合金を０．３３８１ｂ／ｓｅｃ（０．１５３ｋ９
／ｓｅｃ）の質量流量にて供給すべ〈４ｉｎｃｈ（１０
．１６肌）の圧力ヘッドと、５／３２ｎｃｈ（０．３９
７肌）のノズル直径が使用された。１０ミクロン直径〜
５０ミクロン直径を含む範囲内に金属粒子を製造すべく
、１８００仇ｐｍの速度が３．２５ｉｎｃｈ（８．２５
５肌）なる内径を有するカップの如き形状とされた微粒
化ロータ３川こ使用された。

冷却ガスノズル装置の半径方向の質量流量率の断面分布
が粒子によりこのガスに与えられた熱流量率の半径方向
の断面分布にほぼ調和されていると、平均冷却速度は１
『ＯＣ′ｓｅｃ及びこれ以上の範囲に得られる。達成さ
れる特定の平均冷却速度は粒子寸法、合金の熱的特性、
ガスの熱的特性、関係する合金の温度範囲及び粒子とガ
スの相対速度次第である。７５ミクロンまでの粒子寸法
についてかかる冷却速度を容易に得る為には、水素或は
ヘリウムの如き高熱伝導性ガスが使用される必要がある
。

更に下部室５内の特定の半径位置に於る粒子冷却速度を
制御する為に、同一のガスであろうと異なったガスであ
ろうと、冷却ガスノズル装置５０，６０，７０より出る
三つのノズル流は異なった温度であって良い。

このことを達成する一つの手段は各環状マニホルド５２
，６２，７２内にガス加熱器或は冷却器を装備すること
である。異なった冷却流体が任意のノズル装置５０，６
０，７０より導かれるよう、個別的な冷却流体システム
及び制御が各マニホルド５２，６２，７２に使用されて
良いことが理解されよう。このことが行われるときには
、粒子分離機からの混合されたガス排気が大気に排出さ
れるか或は再使用すべくガスをその後分離する為の収集
装置に排出される。粒子の表面上に所要の化学的組成或
は相形態を達成すべ〈、一つ或はそれ以上の冷却ガスが
金属粒子と化学的反応性を有して良い。ここでは「調和
」及び「調和された」という言葉が、冷却ガス噴射内に
発射された粒子により与えられた熱流量率に対して冷却
ガス噴射の質量流量率を制御することに関係して使用さ
れているが、この「調和させること」及び「調和するこ
と」ということは、粒子が冷却流体の隣接する幕を横切
る時の粒子の流路に沿う決定的な熱移動パラメータの積
を最大にすることによって達成される。

以上に於ては本発明をその好ましい実施例について詳細
に説明したが、本発明はかかる実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の範囲内にて種種の修正並びに省略が
可能であることは当業者にとって明らかであろう。

【図面の簡単な説明】

第ＩＡ図及び第ＩＢ図は金属粉末を製造する装置の解図
である。 第２図は環状マニホルドの位置を示すノズルプレート装
置の拡大断面図である。１〜筒状ハウジング、３〜上部
室、５〜下部室、７〜カバー、９〜漏斗型部材、１０〜
ノズルプレート装置、１２〜中央開孔、ｍ４〜タンデイ
ツシュ、１６〜子熱炉、１８〜ノズル、２０〜るつぼ、
２２〜支持フレ−ム装置、２４〜浮揚口、２６〜二重筒
耳ピン装置、３０〜微粒化ロ−夕、３１〜流れ制御弁、
３２〜空気タービン装置、３３〜温度ゲージ、３４〜垂
直筒状台座、３５〜圧力ゲージ、３６〜支持支柱、３７
〜圧力ゲージ、３８〜入口パイプ、４０〜出口パイプ、
４２，４４〜導管、４６〜排出導管、５０〜ノズル装置
、５２〜内側環状マニホルド、５３〜環状ノズル関孔、
６０〜ノズル装置、６２〜中間環状マニホルド、６３〜
環状関孔、７０〜ノズル装置、７２〜外側環状マニホル
ド、７３〜複数個の開孔、７４〜プレート、８０〜第一
の分離機、８２，８４〜接続パイプ、８６〜第二の分離
機、８８〜粉末コンテナ、９０〜開閉弁、９２〜粉末コ
ンテナ、９４〜開閉弁、９８〜熱交換器、１００〜再婚
環装置、１０２〜供Ｖ給マニホルド、１ １０〜ガス供
給源、１１１〜導管、１１２〜弁、１１３〜導管、１１
４〜弁装置、１１５〜第二のガス供給源、１１６〜導管
、１１７〜弁装置、１１８〜制御調整器、１１９〜導管
、１２０，１２１〜圧力ゲージ、１３０〜導管、１３１
〜開閉弁、１３２〜導管、１３３〜開閉弁、１３４〜真
空ゲージ。 考夢・汐三宅；‐〆 考多・汐

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 金属を溶解して溶融金属の供給源を形成することと
   、冷却流体の連続的流れによる環状の幕を形成すること
   と、前記溶融金属の供給源より溶融金属を前記幕の一端
   部へ向けて導くことを含み、前記幕は冷却流体の複数個
   の噴流より形成されており、前記溶解金属は前記環状の
   幕体をその内側より外側へ向つて貫通する間に冷却され
   て粒子状に固化するようになつており、かくして固化し
   た金属粒子が集められるようになつた金属粉末を製造す
   る方法にして、前記冷却流体の複数個の噴流は互に異な
   る質量流量を有するように制御され、これら噴流の各々
   によりそれを通つて投射される金属粒子より取去られる
   熱の量が予め定められた分布を呈するようになつている
   ことを特徴とする方法。 ２ 特許請求の範囲第１項の方法にして、前記複数個の
   環状の冷却流体の幕はそれぞれ異なる入口温度を有して
   いることを特徴とする方法。 ３ 特許請求の範囲第１項又は第２項の方法にして、前
   記複数個の環状の冷却流体の幕は異なる冷却流体よりな
   つていることを特徴とする方法。 ４ 特許請求の範囲第１項〜第３項の何れかの方法にし
   て、前記複数個の環状の冷却流体の幕の一つ又はそれ以
   上のものは金属粒子と化学的に反応して金属粒子の表面
   に所定に化合物を形成することを特徴とする方法。 ５ 特許請求の範囲第１項〜第４項の何れかの方法にし
   て、前記複数個の環状の冷却流体の幕の質量流量は金属
   粒子の投射方向に沿う全ての半径位置にて粒子と冷却流
   体の間の温度差を実質的に最大限とするように定められ
   ていることを特徴とする方法。 ６ 特許請求の範囲第１項〜第５項の何れかの方法にし
   て、前記冷却流体の全流量は２ｌｂ／ｓｅｃ（０．９ｋ
   ｇ／ｓｅｃ）であることを特徴とする方法。 ７ 特許請求の範囲第１項〜第６項の何れかの方法にし
   て、前記複数個の環状の冷却流体の幕の質量流量は１０
   〜５０ミクロンの範囲の金属流体に対して１０＾５℃／
   ｓｅｃを越える冷却率を与えるように制御されることを
   特徴とする方法。 ８ 金属を溶解する手段と、回転式に装着されたロータ
   ３０と、前記ロータ上に溶融金属を注ぐ手段と、前記ロ
   ータの周りに冷却流体の下方へ向かう環状の幕を形成す
   る手段と、前記ロータを回転駆動し前記ロータより溶融
   金属を前記環状の冷却流体の幕へ向けて投射せしめる手
   段と、前記ロータより下方にあつて冷却された金属粒子
   を集める手段とを有し、前記冷却流体の環状幕を形成す
   る手段は前記ロータより上方に位置する複数個の環状ノ
   ズルを有する環状ノズルプレートを含んでいる如き金属
   粒子を製造する装置にして、前記各環状ノズルはそれよ
   り噴出される冷却流体の流量を制御するための個別の制
   御装置３１を有していることを特徴とする装置。 ９ 特許請求の範囲第８項の装置にして、前記ノズルプ
   レート１０は複数個の環状マニホルド５２，６２，７２
   を有し、各マニホルドは冷却流体を下方へ向けて噴出す
   る環状ノズル５０，６０，７０を有することを特徴とす
   る装置。 １０ 特許請求の範囲第８項又は第９項の装置にして、
   前記ロータ３０はその周りに円筒状の壁を呈するハウジ
   ング内に装着されており、前記ノズル５０，６０，７０
   は前記ロータの外周縁に近接する位置より前記円筒状の
   壁に近接する位置まで順次異なる径の環状幕を形成すべ
   く互に同芯に配置されていることを特徴とする装置。 １１ 特許請求の範囲第１０項の装置にして、前記環状
   ノズルの一つ５０は前記ロータ３０の外周縁に近接して
   冷却流体の下方へ向かう環状の噴流を形成するよう配置
   され、前記環状ノズルの他のもの６０，７０は前記一つ
   の環状ノズル５０より半径方向側に互に近接して配置さ
   れていることを特徴とする装置。