JPS6024549B2 - Heater for melting semiconductors or metals - Google Patents

Heater for melting semiconductors or metals

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JPS6024549B2
JPS6024549B2 JP2842777A JP2842777A JPS6024549B2 JP S6024549 B2 JPS6024549 B2 JP S6024549B2 JP 2842777 A JP2842777 A JP 2842777A JP 2842777 A JP2842777 A JP 2842777A JP S6024549 B2 JPS6024549 B2 JP S6024549B2
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JP
Japan
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heater
terminals
semiconductors
metals
melting
Prior art date
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JP2842777A
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Japanese (ja)
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JPS53113339A (en
Inventor
司 矢板
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Kokusai Electric Corp
Original Assignee
Kokusai Electric Corp
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体または金属を溶融させるためのヒーター
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a heater for melting semiconductors or metals.

例えば単結晶引上装置においては、溶融されるべき例え
ばシリコンのような半導体を入れたるつぼを取り囲んで
抵抗加熱方式の円筒ヒータ−が設けられ、そのヒーター
の加熱によってるつぼ内の半導体を溶融せしめる構成が
探られている。
For example, in a single crystal pulling apparatus, a resistance heating type cylindrical heater is provided surrounding a crucible containing a semiconductor such as silicon to be melted, and the semiconductor in the crucible is melted by the heating of the heater. is being explored.

ところで、従釆、この種のヒータ−を附勢するために、
三相交流による方法と単相交流または直流による方法と
が提案されているが、これらの従来の加熱方法には次の
ような難点がある。即ち、まず三相交流による方法であ
るが、この場合には、ヒーターによって加熱されて溶融
されたシリコンのような半導体の融液が、三相交流によ
て誘導されてるつぼ内で一定方向に回転せしめられ、損
枠される額向があり、そのような損梓が生ずると、るつ
ぼ回転にその方向と逆方向の回転が与えられた場合には
、温度分布は平坦となって結晶成長が不能となり、また
同方向の回転が与えられた場合には、縄伴効果は軽減さ
れるが、るつぼ内における溶融された半導体の動きが早
くなり、シードから成長した結晶との間で造波効果を生
じ、安定な結晶成長は望めなくなってしまう。他方、単
相交流または直流による方法では、上述したような三相
交流による場合の問題を回避することはできるが、従釆
の構造ではヒーターが二点支持構造となされているがた
めに、次のような問題に遭遇することになる。即ち、多
量の半導体をるつぼに充填して処理を行おうとすると、
大径のるつぼを用いなければならないが、それにともな
ってヒーターの直径も大きくしなければならないので、
このように大径のヒーターを従来のごとく二点支持構造
にすると、ヒーターの支持が必然的に不安定なものとな
ってしまう。このように、ヒーターの支持が不安定とな
ると、例えば一般にこの種のヒーターが大電流によって
附勢されるものであることからしても明らかなごと〈、
ヒーターの寿命が短くなるとともに、炉自体の信頼性も
そこなわれることになる等の悪影響を受けることは容易
に理解されるところであろう。従って、本発明は単相交
流または直流によって附勢されるようになされ、しかも
たとえ大径に構成されても安定に支持されうるようにな
されたヒーターを提供することを目的とするものである
By the way, in order to energize this kind of heater,
A method using three-phase alternating current and a method using single-phase alternating current or direct current have been proposed, but these conventional heating methods have the following drawbacks. That is, first, there is a method using three-phase alternating current, but in this case, a molten liquid of a semiconductor such as silicon, heated by a heater, is guided in a fixed direction in a crucible by three-phase alternating current. There is a direction in which the crucible is rotated and is damaged, and when such damage occurs, if the crucible is rotated in the opposite direction, the temperature distribution becomes flat and crystal growth does not occur. If this becomes impossible and rotation in the same direction is applied, the wave effect will be reduced, but the movement of the molten semiconductor in the crucible will become faster, and a wave-making effect will occur between it and the crystal grown from the seed. , and stable crystal growth cannot be expected. On the other hand, methods using single-phase AC or DC can avoid the problems described above when using three-phase AC, but because the heater is supported at two points in the secondary structure, the following problems occur: You will run into problems like this. In other words, if you try to fill a crucible with a large amount of semiconductor and process it,
A large-diameter crucible must be used, and the diameter of the heater must also be increased accordingly.
If a heater with such a large diameter is to be supported at two points as in the past, the support of the heater will inevitably become unstable. In this way, if the support of the heater becomes unstable, it is obvious that, for example, this type of heater is generally energized by a large current.
It is easy to understand that the lifespan of the heater will be shortened and the reliability of the furnace itself will be impaired. SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, it is an object of the present invention to provide a heater which is energized by single-phase alternating current or direct current, and which can be stably supported even if it is constructed with a large diameter.

以下図面を参照して本発明の実施例につき説明しよう。
まず第1図を参照すれば、本発明の実施例によるヒータ
ーが全体として数字1で示されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
Referring first to FIG. 1, a heater according to an embodiment of the present invention is indicated generally by the numeral 1.

この実施例においては、ヒーター1は例えばグラフアィ
ト等のような任意適当な抵抗材料でもつて両端開放の円
筒状体として構成されており、かつその円筒ヒーターに
はそれの軸線方向に両端面から交互にかつ途中まで延長
せしめられてスリット2aおよび2bが互にほぼ平行関
係をもって形成されている。さらに、ヒ−夕−1の下端
面には、第2図に示されているごとく、スリットの存在
しない部分に4個の端子3a,3b,3cおよび3dが
互に実質的に等しい角間隔をもってかつヒ−ターーの鞠
線に対して平行関係をもって楯設されている。第3図は
、第1図および第2図に示されたヒーターーの電気的等
価回路図であり、接続点4a,4b,4cおよび4dは
それぞれ上述した端子3a,3b,3cおよび3dに対
応し、抵抗R,,R2,R3およびR4は各端子間にお
けるヒーターー自体の抵抗を表わしている。このように
、本発明によるヒーター1は、端子3a〜3dの突設に
より、第3図に示されたように、これらの端子突設位置
をそれぞれ接続点とする4個の抵抗R,〜R4よりなる
ブリッジ回路がヒーターー内に等価的に形成されること
に注目すべきである。上述した本発明のヒーターを所定
の場所に装着するには、上記各端子に対応してかつ安定
に設けられ例えば水冷された電導管(図示せず)の上端
部に、それらの各端子をそれぞれ挿入すればよい。この
場合、例えばそれらの電導管を各端子3a〜3d従って
接続点4a〜4dが第3図に示された関係となるように
接続する。このようにすれば、互いに対向した位置関係
にある端子、即ち3aと3c、3bと3dが互いに接続
されたことになり、それらの接続点から電力供給用端子
5aおよび5bが導出される。それらの電力供給端子5
aおよび5bに単相交流または直流電力を供給すること
によってヒーターーが附勢されて発熱する。以上の説明
から理解されるように、本発明によれば、単相交流また
は直流による加熱方式であるので、三相交流による場合
にそれによって生ずるるつぼ内の葛虫液の動きを回避す
ることができ、しかもヒーターは四点支持構造に構成さ
れるから、たとえヒーターが大径のものであっても、そ
れを安定に支持できるのである。
In this embodiment, the heater 1 is constructed as a cylindrical body with both ends open, made of any suitable resistive material such as graphite, and the cylindrical heater 1 is inserted into the cylindrical heater alternately from both end faces in the axial direction of the cylindrical heater. Moreover, the slits 2a and 2b are formed in a substantially parallel relationship with each other by extending halfway. Furthermore, on the lower end surface of the heater 1, as shown in FIG. Moreover, the shield is installed parallel to the marker line of the heater. FIG. 3 is an electrical equivalent circuit diagram of the heater shown in FIGS. 1 and 2, with connection points 4a, 4b, 4c and 4d corresponding to the above-mentioned terminals 3a, 3b, 3c and 3d, respectively. , resistances R, , R2, R3 and R4 represent the resistance of the heater itself between each terminal. As shown in FIG. 3, the heater 1 according to the present invention has the terminals 3a to 3d protruding, so that four resistors R, to R4 are connected to each other at the protruding positions of the terminals, respectively, as shown in FIG. It should be noted that a bridge circuit consisting of the following is equivalently formed within the heater. In order to mount the above-described heater of the present invention at a predetermined location, each terminal is attached to the upper end of a water-cooled conductive pipe (not shown) that is stably provided and corresponds to each of the above-mentioned terminals. Just insert it. In this case, for example, these conductive tubes are connected such that the terminals 3a to 3d and therefore the connection points 4a to 4d have the relationship shown in FIG. 3. In this way, the terminals located in a positional relationship facing each other, that is, 3a and 3c, 3b and 3d, are connected to each other, and power supply terminals 5a and 5b are led out from these connection points. Those power supply terminals 5
By supplying single-phase AC or DC power to a and 5b, the heater is energized and generates heat. As can be understood from the above explanation, according to the present invention, since the heating method uses single-phase alternating current or direct current, it is possible to avoid the movement of kudzu liquid in the crucible that would occur when using three-phase alternating current. Moreover, since the heater has a four-point support structure, even if the heater has a large diameter, it can be stably supported.

かくして、本発明によれば、冒頭において述べた従釆技
術の問題点を一挙に解決できるものであることが理解さ
れるであろう。
Thus, it will be understood that according to the present invention, the problems of the secondary technology described at the beginning can be solved all at once.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の一実施例によるヒーターの側立面図、
第2図は第1図の底面図、第3図は第1図のヒーターの
電気的等価回路図である。 1……ヒーター、2a,2b……スリット、3a〜3d
・・・・・・端子、R,〜R4・・・・・・ヒーター自
体の抵抗。 弟l図 第2図 第3図
FIG. 1 is a side elevational view of a heater according to an embodiment of the present invention;
2 is a bottom view of FIG. 1, and FIG. 3 is an electrical equivalent circuit diagram of the heater of FIG. 1. 1...Heater, 2a, 2b...Slit, 3a to 3d
...Terminal, R, ~R4...Resistance of the heater itself. Younger brother l figure 2 figure 3

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 電気的抵抗材料で形成された筒形ヒーターであつて
、該筒形ヒーターの下端面に互に実質的に等しい角間隔
をもつて4個の端子が突設され、該端子の突設により、
これらの端子突設位置をそれぞれ接続点とする4個の抵
抗要素よりなるブリツジ回路が前記筒形ヒーター内に等
価的に形成されるようになされており、前記端子は前記
ヒーターに対する支持手段として作用するようになされ
ており、前記4つの端子のうち互に対向した位置関係に
あるものどうしが接続されるようになされ、該接続点間
に単相交流または直流の電流を供給されることにより発
熱せしめられるようになされていることを特徴とする半
導体または金属を溶融するためのヒーター。
1 A cylindrical heater made of an electrically resistive material, in which four terminals are protruded from the lower end surface of the cylindrical heater at substantially equal angular intervals, and the protruding terminals ,
A bridge circuit consisting of four resistance elements each having connection points at these terminal protruding positions is formed equivalently within the cylindrical heater, and the terminals act as support means for the heater. The four terminals are connected to each other in opposing positions, and heat is generated by supplying single-phase AC or DC current between the connection points. A heater for melting semiconductors or metals, characterized in that the heater is made to melt semiconductors or metals.
JP2842777A 1977-03-14 1977-03-14 Heater for melting semiconductors or metals Expired JPS6024549B2 (en)

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JPS53113339A JPS53113339A (en) 1978-10-03
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2020162122A1 (en) * 2019-02-04 2020-08-13 Nok株式会社 Seal structure

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JPS56104795A (en) * 1980-01-28 1981-08-20 Sony Corp Device for pulling up crystal
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