JPS60243528A - Load cell - Google Patents
Load cellInfo
- Publication number
- JPS60243528A JPS60243528A JP59099782A JP9978284A JPS60243528A JP S60243528 A JPS60243528 A JP S60243528A JP 59099782 A JP59099782 A JP 59099782A JP 9978284 A JP9978284 A JP 9978284A JP S60243528 A JPS60243528 A JP S60243528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- load cell
- resistors
- strain
- amplifier
- adjusted
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/225—Measuring circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L1/00—Measuring force or stress, in general
- G01L1/20—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress
- G01L1/22—Measuring force or stress, in general by measuring variations in ohmic resistance of solid materials or of electrically-conductive fluids; by making use of electrokinetic cells, i.e. liquid-containing cells wherein an electrical potential is produced or varied upon the application of stress using resistance strain gauges
- G01L1/2206—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports
- G01L1/2243—Special supports with preselected places to mount the resistance strain gauges; Mounting of supports the supports being parallelogram-shaped
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measurement Of Force In General (AREA)
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
発明の技術分野
本発明は、薄膜プロセスによりストレンゲージを形成す
るようにしたロードセルに関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Technical Field of the Invention The present invention relates to a load cell in which a strain gauge is formed by a thin film process.
技術的背景およびその問題点
従来のロードセルは、起歪体の上下面に歪ゲージを貼付
けて形成しているものであるが、このような構造のもの
は製作上の手数が大変であり、電気的接続もわずられし
い等の理由から、起歪体の一面にストレンゲージを薄膜
技術により形成することが行なわれている。そして、ス
トレンゲージの調整は、レーザートリマーなどによりト
リミングして行なっている。Technical Background and Problems Conventional load cells are formed by attaching strain gauges to the upper and lower surfaces of a strain-generating body, but such a structure requires a lot of effort to manufacture and requires electrical For reasons such as difficulty in making physical connections, a strain gauge is formed on one surface of a strain-generating body using thin film technology. The strain gauge is adjusted by trimming with a laser trimmer or the like.
発明の目的
本発明は、起歪体のストレンゲージが形成された同一面
に信号増幅器の利得を定める抵抗を薄膜技術により形成
し、これをストレンゲージの調整と同時に簡単に調整す
ることを目的とするものである。Purpose of the Invention The present invention aims to form a resistor that determines the gain of a signal amplifier on the same surface of a strain-generating body on which a strain gauge is formed, using thin film technology, and to easily adjust this at the same time as adjusting the strain gauge. It is something to do.
発明の実施例
まず、機械的に強固に形成されたベース１にロードセル
部材２の一端下部が固定され、このロードセル部材２の
他端上部には荷重３が載置される荷重受は皿４が固定さ
れている。前記ロードセル部材２はステンレス材等より
なる起歪体５とこの起歪体５の側面に取付けられた電子
回路基板６とよりなる。前記起歪体５には孔７が形成さ
れて平行四辺形状に変形する四個の薄肉変形部８が設け
られている。そして、前記起歪体５の上面はパターン形
成面９とされ、このパターン形成面９に薄膜技術により
形成された後述の回路素子はリード線ｌＯにより前記電
子回路基板６上の必要部分に接続されている。Embodiments of the Invention First, one lower end of a load cell member 2 is fixed to a mechanically strong base 1, and a load receiver on which a load 3 is placed on the upper end of the load cell member 2 has a plate 4. Fixed. The load cell member 2 includes a strain body 5 made of stainless steel or the like, and an electronic circuit board 6 attached to the side surface of the strain body 5. The strain body 5 is provided with four thin-walled deformable portions 8 having holes 7 formed therein and deformed into a parallelogram shape. The upper surface of the strain body 5 is a pattern forming surface 9, and circuit elements, which will be described later, formed on this pattern forming surface 9 by thin film technology are connected to necessary parts on the electronic circuit board 6 by lead wires IO. ing.
つぎに、第２図に基いて電気回路を説明する。Next, the electric circuit will be explained based on FIG.
まず、電圧ＶＥの電源１１は分圧器１２に接続され、こ
の分圧器１２はロードセル部１３と差動増幅器１４とが
接続されている。このロードセル部１３と差動増幅器１
４とはゼロ点設定器１５を介して信号増幅器１６、フィ
ルター１７に順次接続されている。このフィルター１７
と前記差動増幅器１４とはＡ／Ｄコンバータ１８に接続
されている。このＡ／Ｄコンバータ１８は別に設けられ
たマイクロコンピュータシステム１９に接続され、この
マイクロコンピュータシステム１９には置数キー２０が
接続されているとともにその出力側は表示器２１に接続
されている。First, a power source 11 of voltage VE is connected to a voltage divider 12, and this voltage divider 12 is connected to a load cell section 13 and a differential amplifier 14. This load cell section 13 and differential amplifier 1
4 is sequentially connected to a signal amplifier 16 and a filter 17 via a zero point setter 15. This filter 17
and the differential amplifier 14 are connected to an A/D converter 18. This A/D converter 18 is connected to a microcomputer system 19 provided separately, and a number key 20 is connected to this microcomputer system 19, and its output side is connected to a display 21.
しかして、前記分圧器１２はＲ１３、Ｒ１４、Ｒ１６を
直列接続してなる。Thus, the voltage divider 12 is formed by connecting R13, R14, and R16 in series.
また、前記ロードセル部１３は、調整抵抗Ｒｓを介して
前記電源１１に接続されているが、Ｒ５とＲＢとの直列
回路、ＲａとＲＴとの直列回路。The load cell section 13 is connected to the power source 11 via an adjustment resistor Rs, which is a series circuit of R5 and RB and a series circuit of Ra and RT.
Ｒ７，Ｒａによりブリッジ結合されている。Bridged by R7 and Ra.
ついで、前記差動増幅器１４は、コンパレータＱ１．Ｑ
２の出力側にそれぞれ抵抗Ｒ１，Ｒ２およびＲ３，Ｒ４
を接続し、Ｒ１とＲ２との接続点とＲ３とＲ４との接続
点とにそれぞれ入力側を接続したコンパレータＱ３を有
し、このコンパレータＱ３の出力側はＲ２の出力側に接
続し、Ｒ４の一端は接地したものである。そして、前記
コンパレータＱ１の入力側には前記分圧器１２のＲ１４
とＲ１ｓとの電圧ｖ１の接続点が接続されており、前記
コンパレータＱ２の入力側には前記分圧器１２のＲ１３
とＲｔ４との電圧ｖ２の接続点が接続されている。これ
らのコンパレータＱｌ、Ｑ２の出力電圧はＶ３．Ｖ４で
あり、これらめコンパレータＱ １． Ｑ ２への入力
電圧はＶＥ ’である。また、差動増幅器１４の出力電
圧はＶｒｅｆである。The differential amplifier 14 then connects the comparators Q1 . Q
Resistors R1, R2 and R3, R4 on the output side of 2, respectively.
and a comparator Q3 whose input sides are connected to the connection point of R1 and R2 and the connection point of R3 and R4, respectively, the output side of this comparator Q3 is connected to the output side of R2, and the output side of R4 One end is grounded. Further, R14 of the voltage divider 12 is connected to the input side of the comparator Q1.
and R1s are connected to each other, and R13 of the voltage divider 12 is connected to the input side of the comparator Q2.
The connection point of voltage v2 between and Rt4 is connected. The output voltages of these comparators Ql and Q2 are V3. V4, and these comparators Q1. The input voltage to Q2 is VE'. Further, the output voltage of the differential amplifier 14 is Vref.
前記ゼロ点設定器１５は抵抗Ｒ９，ＲＩＯの直列回路で
あり、Ｒ９は前記差動増幅器１４の出力側に接続され、
Ｒ１０は接地されている。抵抗Ｒ９゜Ｒ１０の接続中点
には前記ロードセル部１３の一方の出力が接続され、他
方の出力は前記信号増幅器１６のコンパレータＱ４の＋
側入力に接続されている。前記抵抗Ｒ１ｏの端子間電圧
はＶ ２０であり、前記ロードセル部１３の出力電圧は
ＶＬである。The zero point setter 15 is a series circuit of resistors R9 and RIO, R9 is connected to the output side of the differential amplifier 14,
R10 is grounded. One output of the load cell unit 13 is connected to the connection midpoint of the resistors R9°R10, and the other output is connected to the + of the comparator Q4 of the signal amplifier 16.
connected to the side input. The voltage across the terminals of the resistor R1o is V20, and the output voltage of the load cell section 13 is VL.
また、前記信号増幅器１６のコンパレータＱ４の一側入
力には抵抗Ｒｕが接地間に接続され、また、この−個入
力と出力側との間には抵抗Ｒ１２が接続されている。こ
の信号増幅器１６の出力電圧はｖ３ｏである。Further, a resistor Ru is connected between one input of the comparator Q4 of the signal amplifier 16 and ground, and a resistor R12 is connected between this input and the output side. The output voltage of this signal amplifier 16 is v3o.
なお、 前記Ａ／Ｄコンバータ１８のＶＩＮ端子には前
記フィルター１７が接続され、Ｖｒｅｆ端子には前記差
動増幅器１４が接続され、Ｃ０ＭＭ０Ｎ端子は接地され
ている。The filter 17 is connected to the VIN terminal of the A/D converter 18, the differential amplifier 14 is connected to the Vref terminal, and the C0MM0N terminal is grounded.
しかして、前記抵抗の中で、Ｒ５、Ｒ６，Ｒ７。Among the resistors, R5, R6, and R7.
Ｒ８は前記薄肉変形部８に位置決めされてストレンゲー
ジとしてパターン形成面９に形成されているものである
が、このパターン形成面９の荷重によっては変形しない
部分に他の抵抗Ｒ１，Ｒ２。R8 is positioned in the thin deformable portion 8 and is formed on the pattern forming surface 9 as a strain gauge, and other resistors R1 and R2 are provided at portions of the pattern forming surface 9 that are not deformed by the load.
Ｒ３、Ｒ４、Ｒ９，Ｒｓｏ、 Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ１３
，Ｒ１４、ＲＴ５． Ｒｓ 、ＲＢ 、 ＲＴが形成さ
れている。R3, R4, R9, Rso, R11, R12, R13
, R14, RT5. Rs, RB, RT are formed.
さらに、述べると、起歪体５のパターン形成面９には絶
縁層が形成され、この絶縁層の上に温度特性の良好な金
属が蒸着され、これがホトエツチング等の手段により所
定の金属パターンを形成して必要な回路を形成している
ものである。そして、各抵抗はその形成が前述の如き薄
膜プロセスのためにそれらの抵抗値のバラツキは非常に
大きい。Furthermore, an insulating layer is formed on the pattern forming surface 9 of the strain-generating body 5, and a metal having good temperature characteristics is deposited on this insulating layer, and a predetermined metal pattern is formed by means such as photo-etching. It forms the necessary circuit. Since each resistor is formed by the thin film process described above, the resistance values thereof vary greatly.
とくに、ブリッジ結合されるＲ５−Ｒ８においてはこの
バラツキは問題であり、ブリッジのバランスをとるため
にＲｅの値を調整する。このＲａの調整に当っては一般
的にレーザートリマーが使用される。In particular, this variation is a problem in R5-R8 which are bridge-coupled, and the value of Re is adjusted to balance the bridge. A laser trimmer is generally used to adjust this Ra.
このような構成において、まず、差動増幅器１４の動作
を説明する。この差動増幅器１４は安定した出力Ｖｒｅ
ｆを発生する必要があるものであるが、これは次の■式
で示される。In such a configuration, the operation of the differential amplifier 14 will be explained first. This differential amplifier 14 has a stable output Vre.
It is necessary to generate f, which is shown by the following equation (2).
Ｋｌ
ここで、ｅは信号電圧Ｖ１．Ｖ２に重畳された雑音電圧
であり、Ｖｒｅｆにはこのｅが零であることが必要であ
る。この雑音電圧ｅを零にするためには、Ｒ１−Ｒ４の
同相成分除去比を調整することにより可能であり、その
調整にはストレンゲージＲ５〜Ｒ８のレーザートリマー
を行なうときに同時に行なう。すなわち、■式を変形す
ると０式が成立する。Kl Here, e is the signal voltage V1. This is a noise voltage superimposed on V2, and this e needs to be zero for Vref. This noise voltage e can be made zero by adjusting the in-phase component removal ratio of R1-R4, and this adjustment is performed at the same time as the laser trimmer of the strain gauges R5-R8. That is, when formula (2) is transformed, formula 0 holds true.
Ｒフ
２
ｍ−・ （Ｖ１＋ ｅ） ・・・■
１
を基準としてＲ２−Ｒ４の各比が等しくなるように調整
する。しかも、ａ″：１とすれば、となり、雑音電圧ｅ
の影響がない状態になる。Rf2 m-.(V1+e)...■ Adjust so that each ratio of R2-R4 is equal based on 1. Moreover, if a″:1, then the noise voltage e
It becomes a state where there is no influence of.
このようにすることにより、薄膜プロセスに起因するＲ
１−Ｒ４の抵抗値の絶対値は問題にする必要がなく、そ
の比率を調整すればよく、かつ、その温度特性だけを問
題にすればよいので差動増幅器１４の回路を安価に高精
度のものを得ることが可能である。By doing this, R caused by the thin film process can be reduced.
There is no need to worry about the absolute value of the resistance value of 1-R4, it is only necessary to adjust the ratio, and only the temperature characteristics need to be considered, so the differential amplifier 14 circuit can be constructed at low cost and with high precision. It is possible to get something.
つぎに、ロードセル部１３の出力電圧Ｖｔ、はこれに印
加する駆動電圧ＶＥの大きさに比例する。Next, the output voltage Vt of the load cell section 13 is proportional to the magnitude of the drive voltage VE applied thereto.
そして、駆動電圧ＶＥは可能な限り大きい方がロードセ
ル部１３の信号対雑音比の関係上有利である。このとき
、駆動電圧ＶＥの上限はブリッジ抵抗で消費される電力
により発熱し、各抵抗の熱変形によるブリッジバランス
の大きさにより制限される。本実施例における抵抗Ｒ６
〜Ｒ８は薄膜プロセスで形成されるため、高抵抗とする
ことが可能であり、従来の貼付式ストレンゲージの場合
よりも何倍も大きい抵抗値とすることができるその反面
、差動増幅器１４のコンパレータＱ１゜Ｑ２ 、Ｑ３の
入力電圧をその電源電圧以上としたときは差動増幅器１
４が動作不能になってしまうので、分圧器１２によりＶ
Ｅ ’を入力信号として与えている。すなわち、
であり、Ｒ１４を調整することにより、適当なＶＥ ’
を設定している。このＲ１４は薄膜プロセス番−よりス
トレンゲージＲ５〜Ｒ８と同じパターン形成面９に形成
されているので、レーザートリマーによりロードセル部
１３の調整と同時に行ないうる。It is advantageous for the drive voltage VE to be as large as possible in terms of the signal-to-noise ratio of the load cell section 13. At this time, the upper limit of the drive voltage VE is limited by the magnitude of the bridge balance due to heat generated by the power consumed by the bridge resistor and thermal deformation of each resistor. Resistor R6 in this example
~R8 is formed by a thin film process, so it can have a high resistance and can have a resistance many times higher than that of a conventional adhesive strain gauge.On the other hand, the resistance of the differential amplifier 14 When the input voltage of comparator Q1゜Q2, Q3 is higher than the power supply voltage, differential amplifier 1
4 becomes inoperable, voltage divider 12 reduces V
E' is given as an input signal. That is, by adjusting R14, an appropriate VE' can be obtained.
is set. Since this R14 is formed on the same pattern forming surface 9 as the strain gauges R5 to R8 according to the thin film process number, adjustment of the load cell section 13 can be performed simultaneously with the laser trimmer.
ついで、信号増幅器１６はロードセル部１３の出力信号
ＶＬを増幅するためのものであるが、その利得Ｇは次の
０式により示される。Next, the signal amplifier 16 is for amplifying the output signal VL of the load cell section 13, and its gain G is expressed by the following equation 0.
ここで、抵抗Ｒ１１、Ｒ１２は薄膜プロセスにより形成
されているため、Ｒ１１とＲ１２との比を規定の値にな
るように調整する必要がある。Here, since the resistors R11 and R12 are formed by a thin film process, it is necessary to adjust the ratio of R11 and R12 to a specified value.
また、ロードセル部１３の感度には個々のものでバラツ
キがあり、Ｒ１２／ Ｒｔｔが同一の値であっても同一
の荷重に対して信号増幅器１６の出力電圧Ｖ ３Ｇにバ
ラツキが発生する。この出力電圧Ｖ ３０を規定の値に
するためには、ロードセル部１３の感度Ｋに対して利得
Ｇを調整すればよい。Furthermore, the sensitivity of the load cell section 13 varies among individual units, and even if R12/Rtt is the same value, variation occurs in the output voltage V3G of the signal amplifier 16 for the same load. In order to make this output voltage V30 a specified value, the gain G may be adjusted with respect to the sensitivity K of the load cell section 13.
このように、抵抗Ｒ１１、Ｒ１２はストレンゲージＲ５
〜Ｒ８と同様に薄膜プロセスによって同一パターン面９
に形成されているため、ロードセル部１３の調整を行な
うときに抵抗Ｒ１１、Ｒ１２もレーザートリマーによっ
て調整を行なう。In this way, the resistors R11 and R12 are connected to the strain gauge R5.
~Similar to R8, the same pattern surface 9 is created by the thin film process.
Therefore, when adjusting the load cell section 13, the resistors R11 and R12 are also adjusted using a laser trimmer.
つぎに、ゼロ点設定器１５はロードセル部１３の印加荷
重が初期値のとき、信号増幅器１６の出力電圧ｖ３ｏが
ある規定値になっているように設定するためのものであ
る。このゼロ点設定器１５の出力電圧Ｖ ２０は次の■
式で示される。Next, the zero point setter 15 is used to set the output voltage v3o of the signal amplifier 16 to a certain specified value when the applied load of the load cell section 13 is an initial value. The output voltage V20 of this zero point setter 15 is as follows:
It is shown by the formula.
このとき、信号増幅器１６の出力電圧Ｖ ３０は次の０
式で示される。At this time, the output voltage V 30 of the signal amplifier 16 is 0
It is shown by the formula.
Ｖ３（１＝ （ＶＬ ＋ Ｖ２Ｏ） ・Ｇ −■ここで
、出力電圧Ｖ ３ｎを規定値にするためには、Ｖ ２０
を調整すればよく、そのためには抵抗Ｒ９゜Ｒ１ｏを調
整することにより行ないつる。そして。V3 (1 = (VL + V2O) ・G −■Here, in order to make the output voltage V 3n the specified value, V 20
This can be done by adjusting the resistors R9°R1o. and.
これらの抵抗Ｒ９，ＲＩＯの調整はストレンゲージＲ５
〜Ｒ８の調整と同時にレーザートリマーにより行ないう
る。These resistances R9 and RIO can be adjusted using strain gauge R5.
This can be done using a laser trimmer simultaneously with the adjustment of ~R8.
発明の効果
本発明は、ストレンゲージが形成されたパターン形成面
に信号増幅器の利得を定める抵抗を薄膜プロセスにより
形成したので、ストレンゲージの調整と同時に信号増幅
器の抵抗の調整を行なうことができ、これにより、簡単
に利得を定めることができるものである。Effects of the Invention In the present invention, the resistance that determines the gain of the signal amplifier is formed on the patterned surface on which the strain gauge is formed by a thin film process, so that the resistance of the signal amplifier can be adjusted at the same time as the strain gauge. This allows the gain to be easily determined.
図面は本発明の一実施例を示すもので、第１図は起歪体
部分の縦断側面図、第２図は電気回路図である。
５・・・起歪体、８・・・薄肉変形部、９・・・パター
ン形成面、１６・・・信号増幅器、Ｒ５−Ｒ８・・・ス
トレンゲージ、Ｒｕ 、 Ｒ１２川抵抗
出 願 人 東京電気株式会社The drawings show one embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a vertical sectional side view of a strain-generating body portion, and FIG. 2 is an electric circuit diagram. 5... Strain body, 8... Thin deformed portion, 9... Pattern forming surface, 16... Signal amplifier, R5-R8... Strain gauge, Ru, R12 River resistance Applicant: Tokyo Electric Co., Ltd.
Claims (1)
歪体を設け、この起歪体の一面のパターン形成面に前記
薄肉変形部に対応させて位置決めされるとともにたがい
にブリッジ結合されたストレンゲージを薄膜プロセスに
より形成し、これらのストレンケージが形成された前記
パターン形成面に信号増幅器の利得を定める抵抗を薄膜
プロセスにより形成し、前記ストレンゲージのトリミン
グによる調整と同時に前記信号増幅器の抵抗を調整する
ようにしたことを特徴とするロードセル。A strain-generating body having four thin-walled deformable portions and deformed into a parallelogram shape is provided, and the strain-generating body is positioned on one pattern-forming surface of the strain-generating body in correspondence with the thin-walled deformed portions, and is bridge-coupled to each other. A resistor that determines the gain of the signal amplifier is formed on the patterned surface on which the strain cages are formed by a thin film process, and at the same time the strain gauge is adjusted by trimming, the signal amplifier is adjusted. A load cell characterized by adjusting resistance.
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59099782A JPS60243528A (en) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | Load cell |
| KR1019850002885A KR900004739B1 (en) | 1984-05-17 | 1985-04-30 | Load cell having a thin film strain-inducible element |
| EP85303070A EP0164862B1 (en) | 1984-05-17 | 1985-04-30 | Strain-gauged load cell |
| US06/729,362 US4633721A (en) | 1984-05-17 | 1985-05-01 | Load cell having a thin film strain-inducible element |
| CA000481093A CA1239427A (en) | 1984-05-17 | 1985-05-08 | Load cell |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59099782A JPS60243528A (en) | 1984-05-18 | 1984-05-18 | Load cell |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60243528A true JPS60243528A (en) | 1985-12-03 |
Family
ID=14256506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59099782A Pending JPS60243528A (en) | 1984-05-17 | 1984-05-18 | Load cell |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60243528A (en) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55151223A (en) * | 1979-05-15 | 1980-11-25 | Tokyo Electric Co Ltd | Electronic type weight measuring unit |
| JPS5842941A (en) * | 1981-09-07 | 1983-03-12 | Toshiba Corp | Load cell |
-
1984
- 1984-05-18 JP JP59099782A patent/JPS60243528A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS55151223A (en) * | 1979-05-15 | 1980-11-25 | Tokyo Electric Co Ltd | Electronic type weight measuring unit |
| JPS5842941A (en) * | 1981-09-07 | 1983-03-12 | Toshiba Corp | Load cell |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4633721A (en) | Load cell having a thin film strain-inducible element | |
| JP3251081B2 (en) | Weighing device | |
| US4333349A (en) | Binary balancing apparatus for semiconductor transducer structures | |
| JPH02177566A (en) | Semiconductor distortion detection device | |
| JPS592332B2 (en) | load cell scale | |
| JPS60243528A (en) | Load cell | |
| US4008610A (en) | Self-balancing D.C.-substitution measuring system | |
| JPS60243529A (en) | Load cell | |
| JPS60242333A (en) | Load cell | |
| JPS60242334A (en) | Load cell | |
| JPH0125425B2 (en) | ||
| JPH0339569B2 (en) | ||
| US4821822A (en) | Method and apparatus for adjusting resistors in load-cell scale | |
| RU2807002C1 (en) | Strain gauge force sensor | |
| JPH0233388Y2 (en) | ||
| JPH0682844B2 (en) | Semiconductor strain converter | |
| JPS59151031A (en) | Pressure sensor | |
| JP2000105145A (en) | Span-temperature compensation device for weighing apparatus and weighing apparatus | |
| JPH0820321B2 (en) | Thin film load cell | |
| JP2536822B2 (en) | Temperature compensation circuit for weighing device | |
| JPH0447779B2 (en) | ||
| JPS6141251Y2 (en) | ||
| JPS622484Y2 (en) | ||
| JPH0519796Y2 (en) | ||
| JPS6358218A (en) | Load detecting circuit |